KR102579164B1 - 기판 액 처리 장치 및 기억 매체 - Google Patents

기판 액 처리 장치 및 기억 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR102579164B1
KR102579164B1 KR1020180107749A KR20180107749A KR102579164B1 KR 102579164 B1 KR102579164 B1 KR 102579164B1 KR 1020180107749 A KR1020180107749 A KR 1020180107749A KR 20180107749 A KR20180107749 A KR 20180107749A KR 102579164 B1 KR102579164 B1 KR 102579164B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
concentration
liquid
processing liquid
unit
processing
Prior art date
Application number
KR1020180107749A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190029471A (ko
Inventor
타카히로 카와즈
타카후미 츠치야
히데아키 사토
히데마사 아라타케
오사무 구로다
타카시 나가이
지로 하라다
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20190029471A publication Critical patent/KR20190029471A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102579164B1 publication Critical patent/KR102579164B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

처리액의 농도 변경을 적절히 행하는 것이다. 기판 액 처리 장치(A1)는, 처리액을 저류하는 처리액 저류부(38)와, 처리액 저류부(38)로부터 처리액을 배출하는 처리액 배출부(41)와, 처리액 배출부(41)를 제어하는 제어부(7)를 구비하고, 제어부(7)는, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 농도 일정 모드에 있어서의 제 1 제어와, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 변경되는 농도 변경 모드에 있어서의 제 2 제어를 실행하고, 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우에, 처리액의 배출이 개시되도록 처리액 배출부(41)를 제어한다.

Description

기판 액 처리 장치 및 기억 매체 {SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM}
본 개시는 기판 액 처리 장치 및 기억 매체에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 반도체의 에칭 처리의 처리액인 인산 용액 중의 인산 농도가 일정하게 되도록, 처리액의 저류부로부터 인산 용액을 배출하고 또한 처리액의 저류부에 인산 용액 및 물을 공급하는 기판 액 처리 장치가 개시되어 있다.
일본특허명세서 제6,118,739호
상술한 바와 같이, 특허 문헌 1에 기재된 기판 액 처리 장치에서는, 처리액의 농도를 일정하게 조정하면서 처리를 행하고 있다. 여기서, 기판 액 처리 장치에 있어서는, 처리의 유연성을 확보하기 위하여, 처리 중에 있어서 처리액의 농도를 변경하고자 하는 경우가 있다.
이에, 본 개시는, 처리액의 농도 변경을 적절히 행하는 것을 목적으로 한다.
본 개시에 따른 기판 액 처리 장치는, 처리액을 저류하는 저류부와, 저류부로부터 처리액을 배출하는 배출부와, 배출부를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는, 저류부의 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 농도 일정 기간에 있어서의 제 1 제어와, 저류부의 처리액의 농도가 변경되는 농도 변경 기간에 있어서의 제 2 제어를 실행하고, 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우에, 처리액의 배출이 개시되도록 배출부를 제어한다.
본 개시에 따르면, 처리액의 농도 변경을 적절히 행할 수 있다.
도 1은 기판 액 처리 시스템을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 기판 액 처리 장치의 모식도이다.
도 3은 제어부의 기능적인 구성을 나타내는 블록도이다.
도 4는 레시피의 일례를 나타내는 표이다.
도 5는 기판 액 처리의 타임 차트이다.
도 6은 기판 액 처리의 순서도이다.
도 7은 변형예에 따른 농도 상승 촉진부의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 8은 변형예에 따른 농도 상승 촉진부의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 9는 도 8의 농도 상승 촉진부의 보다 구체적인 구성예를 나타내는 모식도이다.
도 10은 농도 센서의 구체예를 나타내는 모식도이다.
도 11은 고농도 처리액의 공급 순서를 예시하는 순서도이다.
이하, 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일한 부호를 부여하여 중복되는 설명을 생략한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 액 처리 시스템(1A)은 캐리어 반입반출부(2)와, 로트 형성부(3)와, 로트 배치부(4)와, 로트 반송부(5)와, 로트 처리부(6)와, 제어부(7)를 구비한다.
이 중 캐리어 반입반출부(2)는 복수 매(예를 들면, 25 매)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 배열하여 수용한 캐리어(9)의 반입 및 반출을 행한다. 이 캐리어 반입반출부(2)에는, 복수 개의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 마련되어 있다. 여기서, 캐리어 스톡(12)은 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리하기 전에 일시적으로 보관한다. 또한, 캐리어 스톡(13)은 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리한 후에 일시적으로 보관한다.
그리고, 캐리어 반입반출부(2)는 외부로부터 캐리어 스테이지(10)로 반입된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12) 또는 캐리어 배치대(14)로 반송한다. 또한, 캐리어 반입반출부(2)는 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13) 또는 캐리어 스테이지(10)로 반송한다. 캐리어 스테이지(10)로 반송된 캐리어(9)는 외부로 반출된다.
로트 형성부(3)는, 1 또는 복수의 캐리어(9)에 수용된 기판(8)을 조합하여 동시에 처리되는 복수 매(예를 들면, 50 매)의 기판(8)으로 이루어지는 로트를 형성한다. 또한 로트를 형성할 때는, 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면을 서로 대향하도록 로트를 형성해도 되고, 또한 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면이 모두 일방을 향하도록 로트를 형성해도 된다. 이 로트 형성부(3)에는 복수 매의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 마련되어 있다. 또한, 기판 반송 기구(15)는 기판(8)의 반송 도중에 기판(8)의 자세를 수평 자세에서 수직 자세 및 수직 자세에서 수평 자세로 변경시킬 수 있다.
그리고, 로트 형성부(3)는 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 기판 반송 기구(15)를 이용하여 기판(8)을 로트 배치부(4)로 반송하고, 로트를 형성하는 기판(8)을 로트 배치부(4)에 배치한다. 또한, 로트 형성부(3)는 로트 배치부(4)에 배치된 로트를 기판 반송 기구(15)로 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로 반송한다. 또한 기판 반송 기구(15)는, 복수 매의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 처리 전(로트 반송부(5)로 반송되기 전)의 기판(8)을 지지하는 처리 전 기판 지지부와, 처리 후(로트 반송부(5)로 반송된 후)의 기판(8)을 지지하는 처리 후 기판 지지부의 2 종류를 가지고 있다. 이에 의해, 처리 전의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 기판(8) 등에 옮겨 붙는 것을 방지한다.
로트 배치부(4)는 로트 반송부(5)에 의해 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6)와의 사이에서 반송되는 로트를 로트 배치대(16)에서 일시적으로 배치(대기)한다. 이 로트 배치부(4)에는 처리 전(로트 반송부(5)로 반송되기 전)의 로트를 배치하는 반입측 로트 배치대(17)와, 처리 후(로트 반송부(5)로 반송된 후)의 로트를 배치하는 반출측 로트 배치대(18)가 마련되어 있다. 반입측 로트 배치대(17) 및 반출측 로트 배치대(18)에는, 1 로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 배치된다.
그리고 로트 배치부(4)에서는, 로트 형성부(3)에서 형성한 로트가 반입측 로트 배치대(17)에 배치되고, 그 로트가 로트 반송부(5)를 거쳐 로트 처리부(6)로 반입된다. 또한 로트 배치부(4)에서는, 로트 처리부(6)로부터 로트 반송부(5)를 거쳐 반출된 로트가 반출측 로트 배치대(18)에 배치되고, 그 로트가 로트 형성부(3)로 반송된다.
로트 반송부(5)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)의 사이 또는 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다. 이 로트 반송부(5)에는 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 마련되어 있다. 로트 반송 기구(19)는 로트 배치부(4)와, 로트 처리부(6)를 따라 배치한 레일(20)과, 복수 매의 기판(8)을 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)로 구성한다. 이동체(21)에는 수직 자세로 전후로 배열된 복수 매의 기판(8)을 유지하는 기판 유지체(22)가 진퇴 가능하게 마련되어 있다.
그리고, 로트 반송부(5)는 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 그 로트를 로트 처리부(6)로 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 그 로트를 반출측 로트 배치대(18)로 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6)의 내부에서 로트의 반송을 행한다.
로트 처리부(6)는 수직 자세로 전후로 배열된 복수 매의 기판(8)을 1 로트로서 에칭 또는 세정 또는 건조 등의 처리를 행한다. 이 로트 처리부(6)에는 기판(8)의 건조 처리를 행하는 건조 처리 장치(23)와, 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행하는 기판 유지체 세정 처리 장치(24)와, 기판(8)의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치(25)와, 기판(8)의 에칭 처리를 행하는 2 대의 본 발명에 따른 에칭 처리 장치(26)가 배열되어 마련되어 있다.
건조 처리 장치(23)는 처리조(27)와, 처리조(27)에 승강 가능하게 마련된 기판 승강 기구(28)를 구비한다. 처리조(27)에는 건조용의 처리 가스(IPA(이소프로필 알코올) 등)가 공급된다. 기판 승강 기구(28)에는, 1 로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 유지된다. 건조 처리 장치(23)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(28)로 수취하고, 기판 승강 기구(28)로 그 로트를 승강시킴으로써, 처리조(27)에 공급한 건조용의 처리 가스로 기판(8)의 건조 처리를 행한다. 또한, 건조 처리 장치(23)는 기판 승강 기구(28)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 로트를 전달한다.
기판 유지체 세정 처리 장치(24)는 처리조(29)를 가지고, 이 처리조(29)에 세정용의 처리액 및 건조 가스를 공급할 수 있도록 되어 있으며, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용의 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다.
세정 처리 장치(25)는 세정용의 처리조(30)와 린스용의 처리조(31)를 가지고, 각 처리조(30, 31)에 기판 승강 기구(32, 33)를 승강 가능하게 마련하고 있다. 세정용의 처리조(30)에는 세정용의 처리액(SC-1 등)이 저류된다. 린스용의 처리조(31)에는 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.
에칭 처리 장치(26)는 에칭용의 처리조(34)와 린스용의 처리조(35)를 가지고, 각 처리조(34, 35)에 기판 승강 기구(36, 37)가 승강 가능하게 마련되어 있다. 에칭용의 처리조(34)에는 에칭용의 처리액(인산 수용액)이 저류된다. 린스용의 처리조(35)에는 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.
이들 세정 처리 장치(25)와 에칭 처리 장치(26)는 동일한 구성으로 되어 있다. 에칭 처리 장치(26)에 대하여 설명하면, 기판 승강 기구(36)에는 1 로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 유지된다. 에칭 처리 장치(26)에 있어서, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)로 수취하고, 기판 승강 기구(36)로 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(34)의 에칭용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 에칭 처리를 행한다. 이 후, 에칭 처리 장치(26)는 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 로트를 전달한다. 또한, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(37)로 수취하고, 기판 승강 기구(37)로 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(35)의 린스용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 린스 처리를 행한다. 이 후, 기판 승강 기구(37)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 로트를 전달한다.
제어부(7)는 기판 액 처리 시스템(1A)의 각 부(캐리어 반입반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6))의 동작을 제어한다. 이 제어부(7)는 예를 들면 컴퓨터로 이루어지고, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(138)를 구비한다. 기억 매체(138)에는 기판 액 처리 시스템(1A)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(7)는 기억 매체(138)에 기억된 프로그램을 읽어내 실행함으로써 기판 액 처리 시스템(1A)의 동작을 제어한다. 또한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(138)에 기억되어 있던 것으로, 다른 기억 매체로부터 제어부(7)의 기억 매체(138)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(138)로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
[기판 액 처리 장치]
이어서, 도 2를 참조하여, 기판 액 처리 시스템(1A)이 포함하는 기판 액 처리 장치(A1)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판 액 처리 장치(A1)는 에칭 처리 장치(26)를 포함하여 구성되어 있다.
에칭 처리 장치(26)는 정해진 농도의 약제(인산)의 수용액(예를 들면 88.3 중량%의 인산 수용액)을 에칭용의 처리액으로서 이용하여 기판(8)을 액 처리(에칭 처리)한다. 또한, 상술한 '88.3 중량%'는 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 경우('농도 일정 모드'의 경우. 상세는 후술)의 인산 수용액의 농도의 일례를 나타내고 있으며, 처리액의 농도가 변경되는 경우('농도 변경 모드'의 경우. 상세는 후술)에는, 인산 수용액의 농도는 일정하지 않고 적절히 변경된다. 에칭 처리 장치(26)는, 도 2에 나타내는 바와 같이 처리액 저류부(38)(저류부)와, 처리액 공급부(39)(농도 상승 촉진부)와, 처리액 순환부(40)와, 처리액 배출부(41)(배출부)를 구비한다.
처리액 저류부(38)는 처리액을 저류하여 기판(8)을 처리한다. 처리액 저류부(38)는 상부를 개방시킨 처리조(34)의 상부 주위에 상부를 개방시킨 외조(42)를 형성하고, 처리조(34)와 외조(42)에 처리액을 저류한다. 처리조(34)는 기판(8)을 기판 승강 기구(36)에 의해 침지시킴으로써 액 처리하는 처리액을 저류한다. 외조(42)는 처리조(34)로부터 오버플로우된 처리액을 저류한다. 외조(42)에 저류된 처리액은 처리액 순환부(40)에 의해 처리조(34)로 공급된다. 외조(42)에는 액면 센서(80)가 마련되어 있다. 액면 센서(80)는 처리액 저류부(38)의 외조(42)에 있어서의 액면 높이를 검출하는 센서이다. 액면 센서(80)로서는, 액면 높이를 검출하는 것이 가능한 각종 센서를 이용할 수 있다. 이하에서는, 액면 센서(80)가 전압값으로부터 액면 높이를 검출하는 센서로서 설명한다. 액면 센서(80)는 검출한 액면 높이를 나타내는 정보를 제어부(7)에 출력한다.
처리액 공급부(39)는 처리액 저류부(38)에 처리액을 공급한다. 처리액 공급부(39)는 수용액 공급부(43)와 물 공급부(44)를 구비한다. 수용액 공급부(43)는 수용액 공급원(45)과, 유량 조정기(46)와, 물 공급원(61)과, 밸브(62)를 가진다.
수용액 공급원(45)은 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 경우('농도 일정 모드'의 경우)에 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 농도가 높은 인산 수용액을 공급한다. 수용액 공급원(45)은 예를 들면 88.3 중량%, 25 ℃의 인산 수용액을 공급한다. 수용액 공급원(45)으로부터 공급되는 인산 수용액은 유로(43a)를 거쳐 처리액 저류부(38)로 공급된다.
유량 조정기(46)는 유로(43a)에 있어서의 수용액 공급원(45)의 하류측에 마련되어 있다. 유량 조정기(46)는 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다. 물 공급원(61)은 유로(43a)에 대하여 정해진 온도(25℃)의 물(순수)을 공급한다. 물 공급원(61)으로부터 공급되는 물은 유로(60a)를 거쳐 유로(43a)(상세하게는, 유로(43a)에 있어서의 수용액 공급원(45)과 유량 조정기(46) 사이의 부분)로 공급된다.
밸브(62)는 유로(60a)에 있어서의 물 공급원(61)의 하류측에 마련되어 있다. 밸브(62)는 제어부(7)에 접속되어 있으며, 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다. 제어부(7)에 의해 밸브(62)가 열린 상태(통상 상태)에 있어서는, 유로(60a)를 거쳐 물 공급원(61)으로부터 공급되는 물이 유로(43a)로 유입되기 때문에, 수용액 공급원(45)으로부터 공급되는 인산 수용액의 농도가 낮아져, 처리액 저류부(38)에는 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 경우('농도 일정 모드'의 경우)에 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 낮은 농도의 인산 수용액(예를 들면 85 중량%의 인산 수용액)이 공급된다.
한편, 제어부(7)에 의해 밸브(62)가 닫힌 상태(농도 상승 상태)에 있어서는, 물 공급원(61)으로부터 공급되는 물이 유로(43a)로 유입되지 않기 때문에, 수용액 공급원(45)으로부터 공급된 높은 농도의 인산 수용액이 그대로 처리액 저류부(38)로 공급된다. 이와 같이, 처리액 공급부(39)의 수용액 공급부(43)는 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 농도가 높은 인산 수용액을 처리액 저류부(38)로 공급함으로써, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 상승을 촉진시킨다(상세는 후술).
물 공급부(44)는 처리액 저류부(38)에 물(순수)을 공급한다. 물 공급부(44)는 정해진 온도(25℃)의 순수를 공급하기 위한 물 공급원(47)을, 처리액 저류부(38)의 외조(42)에 유량 조정기(48)를 개재하여 접속한다. 유량 조정기(48)는 제어부(7)에 접속되어 있으며, 제어부(7)로 개폐 제어 및 유량 제어된다.
처리액 순환부(40)는 외조(42) 내의 처리액을 처리조(34)로 보낸다. 처리액 순환부(40)는 순환 유로(49)와, 펌프(50)와, 히터(51)와, 필터(52)와, 농도계(53)를 구비한다. 순환 유로(49)는 처리액 저류부(38)의 외조(42)의 저부로부터 처리조(34)의 저부로 연장된 유로이다. 순환 유로(49)에는 펌프(50), 히터(51), 필터(52) 및 농도계(53)가 상류측(외조(42)측)으로부터 하류측(처리조(34)측)으로 차례로 마련되어 있다. 펌프(50) 및 히터(51)는 제어부(7)에 접속되어 있으며, 제어부(7)에 의해 구동 제어된다. 펌프(50)는 처리액을 상류측으로부터 하류측으로 압송한다. 히터(51)는 처리액을 설정 온도(예를 들면 165 ℃)까지 가열한다. 필터(52)는 처리액 중에 혼입된 파티클을 제거한다. 농도계(53)는 순환 유로(49)에 있어서의 처리액 중의 인산 농도를 측정한다. 농도계(53)는 측정한 인산 농도를 제어부(7)에 출력한다.
처리액 배출부(41)는 처리조(34) 내로부터 처리액을 배출한다. 처리액 배출부(41)는 예를 들면 배액 유로(41A)와 밸브(41B)를 가진다. 배액 유로(41A)는 처리조(34) 내의 처리액을 도출한다. 배액 유로(41A)의 일단부는 처리조(34)의 저부에 접속되어 있고, 배액 유로(41A)의 타단부는 기판 액 처리 시스템(1A)의 배액관(미도시)에 접속되어 있다. 밸브(41B)는 배액 유로(41A)에 마련되어 있다. 밸브(41B)는 제어부(7)에 접속되어 있으며, 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다.
이어서, 도 3을 참조하여, 에칭 처리 장치(26)를 제어하는 제어부(7)에 대하여 상세하게 설명한다. 제어부(7)는 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 농도 일정 모드(농도 일정 기간)에 있어서의 제 1 제어와, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 변경되는 농도 변경 모드(농도 변경 기간)에 있어서의 제 2 제어를 실행한다. 또한, 이하에서 설명하는 농도 일정 모드 및 농도 변경 모드는 모두, 처리 대상인 기판(8)이 처리액 저류부(38)의 처리액에 침지되어 처리액에 의해 처리되는 기판 처리 기간의 모드이다. 즉, 제어부(7)는 기판 처리 기간에 있어서, 상기 제 1 제어와 제 2 제어를 실행 가능하게 구성되어 있다. 또한, 제어부(7)는 처리액 저류부(38)의 처리액에 기판(8)이 침지되어 있지 않은 인터벌 기간에 있어서는, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도를 상기 농도 일정 모드에 있어서의 정해진 설정 농도로 조절한다.
제어부(7)는 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우에, 처리액의 배출이 개시되도록 처리액 배출부(41)(상세하게는 밸브(41B))를 제어한다.
구체적으로, 제어부(7)는 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우로서 또한 액면 센서(80)에 의해 검출된 액면 높이가 정해진 액면 기준값보다 높은 경우에, 처리액의 배출이 개시되도록 처리액 배출부(41)(상세하게는 밸브(41B))를 제어한다.
또한, 제어부(7)는 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 높은 경우에, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 상승이 촉진되도록 처리액 공급부(39)의 수용액 공급부(43)를 제어한다.
도 3은 제어부(7)의 기능적인 구성을 개시하는 블록도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 기능 상의 구성(기능 모듈)으로서, 레시피 기억부(71)와, 수용액 조정부(72)와, 물 조정부(73)와, 배액 제어부(74)를 구비한다.
레시피 기억부(71)는 미리 설정된 레시피(작업 지시서)를 기억하는 기능이다. 레시피 기억부(71)는, 예를 들면 미리 유저에 의해 설정된 레시피를 기억하고 있다. 제어부(7)는 레시피에 따라 정해진 처리(제어)를 행한다. 도 4는 레시피(RP)의 일례를 나타내는 표이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 레시피(RP)에는 적어도 스텝 번호와, 처리 모드와, 설정 농도가 설정되어 있다. 스텝 번호란, 연속하여 행해지는 처리에 있어서의 스텝(단계)을 일의로 특정하는 정보이다. 서로 연속하는 스텝 번호(예를 들면 '001'과 '002' 등)는 서로 연속하는 스텝을 나타내고 있다. 또한, 스텝 번호가 작은 스텝(정도)일수록 먼저 실행되는 스텝이다. 도 4에 나타내는 예에서는, 스텝 번호 '001'의 스텝, '002'의 스텝, '003'의 스텝, '004'의 스텝의 순으로 처리가 실행된다.
처리 모드란, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 조정에 관한 처리의 모드를 나타내는 정보이다. 기판 처리 기간의 처리 모드로서는, '농도 일정 모드'와 '농도 변경 모드'가 설정 가능하게 되어 있다. 농도 일정 모드란, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 모드이다. 농도 변경 모드란, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 변경되는(변경 가능하게 되어 있는) 모드이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 레시피(RP)에서는, 농도 일정 모드로서 스텝 번호 '001'로 나타나는 스텝이 설정되어 있고, 농도 변경 모드로서 스텝 번호 '002', '003', '004'로 각각 나타나는 복수의 스텝이 설정되어 있다. 설정 농도란, 대응하는 스텝에 있어서의 처리액의 농도의 목표값이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 복수의 스텝에는 각각 개별의 설정 농도가 설정되어 있다. 제어부(7)는 각 스텝에 있어서의 농도가 당해 설정 농도가 되도록, 수용액 조정부(72), 물 조정부(73) 및 배액 제어부(74)에 의한 각종 제어를 행한다.
수용액 조정부(72)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피에 따라 인산 수용액이 공급되도록, 수용액 공급부(43)(상세하게는 유량 조정기(46) 및 밸브(62))를 제어한다. 구체적으로, 수용액 조정부(72)는 농도 일정 모드에 있어서의 제 1 제어와 농도 변경 모드에 있어서의 제 2 제어를 행한다. 수용액 조정부(72)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피를 참조하여, 현재 스텝의 처리 모드가 농도 일정 모드인 경우에는 제 1 제어를 행하고, 농도 변경 모드인 경우에는 제 2 제어를 행한다.
제 1 제어(수용액 조정부(72)에 의한 제 1 제어)에서는, 수용액 조정부(72)는 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 낮은 농도의 인산 수용액(예를 들면 85 중량%의 인산 수용액)이 처리액 저류부(38)에 공급되도록, 수용액 공급부(43)를 제어한다. 구체적으로, 수용액 조정부(72)는 물 공급원(61)으로부터 공급되는 물이 유로(60a)를 거쳐 유로(43a)로 유입되도록, 수용액 공급부(43)의 밸브(62)를 연다. 이에 의해, 유로(43a)에는, 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 낮은 농도의 인산 수용액(유로(60a)를 거쳐 유입된 물에 의해 농도가 엷어진 인산 수용액)이 흐르게 된다. 그리고, 수용액 조정부(72)는 농도계(53)로부터 취득한 처리액 중의 인산 농도의 측정값과 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피에 있어서의 설정 농도에 기초하여, 처리액의 농도가 설정 농도에 가까워지도록 유량 조정기(46)를 제어한다. 즉, 수용액 조정부(72)는 처리액의 농도가 설정 농도에 가까워지는, 적절한 유량의 인산 수용액이 유로(43a)로부터 처리액 저류부(38)로 공급되도록 유량 조정기(46)를 제어한다.
제 2 제어(수용액 조정부(72)에 의한 제 2 제어)에서는, 수용액 조정부(72)는 정해진 조건을 충족하는 경우에, 농도 일정 모드에 있어서 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 높은 농도의 인산 수용액(예를 들면 93 중량%의 인산 수용액)이 처리액 저류부(38)에 공급되도록 수용액 공급부(43)를 제어한다. 수용액 조정부(72)는 정해진 조건을 충족하지 않는 경우에는, 제 2 제어에 있어서도, 예를 들면 상술한 제 1 제어와 동일한 제어를 행한다. 수용액 조정부(72)는, 먼저 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피를 참조하여, 현재 스텝의 설정 농도(농도 변경 후의 설정 농도)와 하나 전의 스텝의 설정 농도(농도 변경 전의 설정 농도)를 비교하여, 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮은지 여부를 판정한다. 수용액 조정부(72)는 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮지 않다고(현재 스텝의 설정 농도가 하나 전의 스텝의 설정 농도 이상이라고) 판정한 경우에는, 액면 센서(80)로부터 처리액 저류부(38)의 외조(42)에 있어서의 처리액의 액면 높이를 취득하고, 당해 액면 높이가 정해진 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상인지 여부를 판정한다. 당해 액면 기준값(하한 제어 개시값)은 그것보다 액면이 낮아진 경우에 온도 조정 기능이 손상되는 액면 높이인 액면 하한값보다 정해진 버퍼분만큼 높은 값이 된다. 액면 기준값은, 예를 들면 처리액 저류부(38)에 기판(8)을 수용하기 전에 액면 센서(80)로 측정된 전압값으로부터 도출되는 액면 높이에, 처리액 저류부(38)에 수용되는 기판(8)의 매수에 따른 액면 상승을 더함으로써 미리 도출되어 있다.
수용액 조정부(72)는 액면 높이가 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상이 아니라고(액면 높이가 액면 기준값보다 낮다고) 판정한 경우에는, 농도 일정 모드에 있어서 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 높은 농도의 인산 수용액(예를 들면 93 중량%의 인산 수용액)이 처리액 저류부(38)에 공급되도록 수용액 공급부(43)를 제어한다. 즉, 수용액 조정부(72)는 '현재 스텝의 설정 농도가 하나 전의 스텝의 설정 농도 이상이며, 또한 액면 높이가 액면 기준값보다 낮다'라는 정해진 조건을 충족한 경우에, 농도 일정 모드에 있어서 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 높은 농도의 인산 수용액이 처리액 저류부(38)에 공급되도록 수용액 공급부(43)를 제어한다.
수용액 조정부(72)는, 구체적으로 물 공급원(61)으로부터 공급되는 물이 유로(60a)를 거쳐 유로(43a)로 유입되지 않도록, 수용액 공급부(43)의 밸브(62)를 닫는다. 이에 의해, 유로(43a)에는, 농도 일정 모드에 있어서 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 높은 농도의 인산 수용액이 흐르게 된다. 그리고, 수용액 조정부(72)는 정해진 유량의 인산 수용액이 유로(43a)로부터 처리액 저류부(38)로 공급되도록 유량 조정기(46)를 제어한다. 수용액 조정부(72)는 액면 센서(80)로부터 취득하는 처리액의 액면 높이가 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상이 될 때까지는, 처리액 저류부(38)로의 고농도 인산 수용액의 공급을 계속한다. 수용액 조정부(72)는 액면 센서(80)로부터 취득하는 처리액의 액면 높이가 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상이 된 경우, 농도계(53)로부터 취득한 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달했는지 여부를 판정하고, 도달한 경우에는 제 2 제어를 종료한다. 수용액 조정부(72)는 처리액 중의 인산 농도가 설정 농도에 도달한 후에는, 예를 들면 상술한 제 1 제어를 행한다.
물 조정부(73)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피에 따라 물이 공급되도록, 물 공급부(44)(상세하게는 유량 조정기(48))를 제어한다. 구체적으로, 물 조정부(73)는 농도 일정 모드에 있어서의 제 1 제어와, 농도 변경 모드에 있어서의 제 2 제어를 행한다. 물 조정부(73)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피를 참조하여, 현재 스텝의 처리 모드가 농도 일정 모드인 경우에는 제 1 제어를 행하고, 농도 변경 모드인 경우에는 제 2 제어를 행한다.
제 1 제어(물 조정부(73)에 의한 제 1 제어)에서는, 물 조정부(73)는 농도계(53)로부터 취득한 처리액 중의 인산 농도의 측정값과 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피에 있어서의 설정 농도에 기초하여, 처리액의 농도가 설정 농도에 가까워지도록 유량 조정기(48)를 제어한다. 즉, 물 조정부(73)는 처리액의 농도가 설정 농도에 가까워져(인산 수용액 중의 순수량이 일정하게 되어), 적절한 유량의 물이 처리액 저류부(38)에 공급되도록 유량 조정기(48)를 제어한다.
제 2 제어(물 조정부(73)에 의한 제 2 제어)에서는, 물 조정부(73)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피에 있어서의 설정 농도에 따라 처리액 저류부(38)에 공급되는 수량이 변화하도록, 물 공급부(44)를 제어한다. 물 조정부(73)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피를 참조하여, 현재 스텝의 설정 농도(농도 변경 후의 설정 농도)와 하나 전의 스텝의 설정 농도(농도 변경 전의 설정 농도)를 비교한다. 물 조정부(73)는 현재 스텝의 설정 농도가 하나 전의 스텝의 설정 농도 이상이라고 판정한 경우에는, 물의 공급량이 감소하도록 유량 조정기(48)를 제어한다. 물 조정부(73)는 현재 스텝의 설정 농도가 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 낮은 경우에는, 물의 공급량이 증가하도록 유량 조정기(48)를 제어한다. 물 조정부(73)는 농도계(53)로부터 취득한 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달했는지 여부를 판정하고, 도달한 경우에는 제 2 제어를 종료한다. 물 조정부(73)는 처리액 중의 인산 농도가 설정 농도에 도달한 후에는, 예를 들면 상술한 제 1 제어를 행한다.
배액 제어부(74)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피에 따라 처리조(34) 내로부터 처리액이 배출되도록, 처리액 배출부(41)(상세하게는 밸브(41B))를 제어한다. 구체적으로, 배액 제어부(74)는 농도 일정 모드에 있어서의 제 1 제어와, 농도 변경 모드에 있어서의 제 2 제어를 행한다. 배액 제어부(74)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피를 참조하여, 현재 스텝의 처리 모드가 농도 일정 모드인 경우에는 제 1 제어를 행하고, 농도 변경 모드인 경우에는 제 2 제어를 행한다.
제 1 제어(배액 제어부(74)에 의한 제 1 제어)에서는, 배액 제어부(74)는 예를 들면 처리조(34)로부터의 처리액의 배출이 행해지지 않도록 밸브(41B)를 닫는다. 또한 배액 제어부(74)는, 제 1 제어에 있어서 밸브(41B)를 약간 열어, 소량(제 2 제어와 비교하여 소량)의 배액이 행해지도록 제어해도 된다.
제 2 제어(배액 제어부(74)에 의한 제 2 제어)에서는, 배액 제어부(74)는 정해진 조건을 충족하는 경우에, 처리조(34)로부터의 처리액의 배출이 개시되도록 밸브(41B)를 연다. 또한 '처리액의 배출이 개시되도록 밸브(41B)를 연다'란, 완전히 닫힌 상태의 밸브(41B)를 여는 경우뿐 아니라, 약간 열린 상태의 밸브(41B)를 크게 여는 경우(제 1 제어 시와 비교하여 배액량을 증가시키는 경우)도 포함하고 있다. 배액 제어부(74)는 정해진 조건을 충족하지 않는 경우에는, 제 2 제어에 있어서도, 예를 들면 상술한 제 1 제어와 동일한 제어를 행한다.
배액 제어부(74)는, 먼저 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피를 참조하여, 현재 스텝의 설정 농도(농도 변경 후의 설정 농도)와 하나 전의 스텝의 설정 농도(농도 변경 전의 설정 농도)를 비교하여, 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮은지 여부를 판정한다. 배액 제어부(74)는 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮다고 판정된 경우에는, 액면 센서(80)로부터 처리액 저류부(38)의 외조(42)에 있어서의 처리액의 액면 높이를 취득하고, 당해 액면 높이가 정해진 액면 기준값(상한 제어 개시값)보다 높은지 여부를 판정한다. 당해 액면 기준값(상한 제어 개시값)은 그 이상 액면이 높아진 경우에, 처리액 저류부(38)로부터 인산 수용액이 흘러 넘칠 우려가 있는 액면 높이인 액면 상한값보다 정해진 버퍼분만큼 낮은 값이 된다.
배액 제어부(74)는 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값)보다 높다고 판정한 경우에는, 처리액의 배출이 개시되도록 처리액 배출부(41)를 제어한다. 즉, 배액 제어부(74)는 '하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮고, 또한 액면 높이가 액면 기준값보다 높다'라는 정해진 조건을 충족한 경우에, 처리액의 배출이 개시되도록 처리액 배출부(41)를 제어한다.
배액 제어부(74)는, 구체적으로 처리조(34)로부터의 처리액의 배출이 개시되도록 밸브(41B)를 연다. 이에 의해, 농도를 낮추는 경우에 있어서, 물 조정부(73)의 제어에 의해 처리액 저류부(38)에의 물의 공급량이 증가하여, 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면이 상승하고 있는 경우에 있어서, 가일층의 액면의 상승이 억제된다. 배액 제어부(74)는 액면 센서(80)로부터 취득하는 처리액의 액면 높이가, 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 될 때까지는, 처리조(34)로부터의 처리액의 배출을 계속한다. 배액 제어부(74)는 액면 센서(80)로부터 취득하는 처리액의 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 된 경우, 농도계(53)로부터 취득한 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달했는지 여부를 판정하고, 도달한 경우에는 제 2 제어를 종료한다. 배액 제어부(74)는 처리액 중의 인산 농도가 설정 농도에 도달한 후에는, 예를 들면 상술한 제 1 제어를 행한다.
[기판 액 처리 방법]
이어서, 기판 액 처리 방법의 일례에 대하여, 도 5의 타임 차트 및 도 6의 순서도를 참조하여 설명한다. 먼저, 도 5의 타임 차트를 참조하여, 연속하는 복수의 스텝의 처리 이미지를 설명한다. 도 5에 있어서는, 연속하는 복수의 스텝(스텝 번호 '001', '002', '003', '004'로 각각 나타나는 복수의 스텝)에 대한 시계열에 따른 처리가 나타나 있다. 도 5에 나타내는 각 스텝은, 도 4에 나타내는 레시피(RP)의 각 스텝에 대응하고 있으며, 처리 대상인 기판(8)이 처리액 저류부(38)의 처리액에 침지되어 처리액에 의해 처리되는 기판 처리 기간의 스텝이다. 스텝 번호 '001'로 나타나는 스텝만이 농도 일정 모드이며, 스텝 번호 '002', '003', '004'로 나타나는 스텝은 농도 변경 모드이다. 또한, 스텝 번호 '001', '003'으로 나타나는 스텝의 설정 농도는 '88.5 중량%'이며, 스텝 번호 '002', '004'로 나타나는 스텝의 설정 농도는 '86 중량%'이다. 또한 이하에서는, 스텝 번호 '001' ~ '004'의 스텝을 각각 스텝(001) ~ 스텝(004)로 나타낸다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 먼저 시각(t0)에서 스텝(001)이 개시된다. 농도 일정 모드인 스텝(001)에 있어서는, 제어부(7)는 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도를 일정(88.5 중량%)하게 조정하는 제 1 제어를 행한다. 이어서, 시각(t1)에서 스텝(001)이 종료되고 스텝(002)이 개시된다. 스텝(002)은 농도 변경 모드로서 설정 농도가 86 중량%이다. 이와 같이, 현재 스텝인 스텝(002)의 설정 농도가, 하나 전의 스텝인 스텝(001)의 설정 농도보다 낮은 경우에는, 제어부(7)에 의해 물의 공급량이 증가하도록 유량 조정기(48)가 제어되기 때문에, 스텝(002)에서는 시간의 경과와 함께 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면 높이가 서서히 상승한다.
그리고, 시각(t2)에서 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값)보다 높아지면, 제어부(7)에 의해 밸브(41B)가 열려 처리액의 배출(배액 제어)이 개시된다. 당해 배액 제어는, 시각(t3)에서 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 될 때까지 계속적으로 행해진다. 한 번 배액 제어가 종료된 경우라도, 설정 농도에 도달할 때까지는 물의 공급량이 많게 설정되어 있기 때문에, 시각(t4)에서 재차 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값)보다 높아져 있다. 이 경우에는, 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 될 때까지 재차 배액 제어가 행해진다.
이어서, 시각(t5)에서 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 되고, 또한 스텝(002)이 종료되고 스텝(003)이 개시된다. 스텝(003)은 농도 변경 모드로서 설정 농도가 88.5 중량%이다. 이와 같이, 현재 스텝인 스텝(003)의 설정 농도가 하나 전의 스텝인 스텝(002)의 설정 농도보다 높은 경우에는, 제어부(7)에 의해 물의 공급량이 줄어들도록 유량 조정기(48)가 제어되기 때문에, 스텝(003)에서는 시간의 경과와 함께 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면 높이가 서서히 하강한다.
그리고, 시각(t6)에서 액면 높이가 액면 기준값(하한 제어 개시값)보다 낮아지면, 제어부(7)에 의해 수용액 공급부(43)의 밸브(62)가 닫히고, 고농도의 인산 수용액이 처리액 저류부(38)에 공급된다(고농도 인산 공급). 당해 고농도 인산 공급은, 시각(t7)에서 액면 높이가 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상이 될 때까지 계속적으로 행해진다.
이어서, 시각(t8)에서 스텝(003)이 종료되고 스텝(004)이 개시된다. 스텝(004)은 농도 변경 모드로서 설정 농도가 86 중량%이다. 이와 같이, 현재 스텝인 스텝(004)의 설정 농도가 하나 전의 스텝인 스텝(003)의 설정 농도보다 낮은 경우에는, 제어부(7)에 의해 물의 공급량이 증가하도록 유량 조정기(48)가 제어되기 때문에, 스텝(004)에서는 시간의 경과와 함께 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면 높이가 서서히 상승한다. 그리고, 시각(t9)에서 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값)보다 높아지면, 제어부(7)에 의해 밸브(41B)가 열려 처리액의 배출(배액 제어)이 개시된다. 당해 배액 제어는, 시각(t10)에서 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 될 때까지 계속적으로 행해진다. 한 번 배액 제어가 종료된 경우라도, 설정 농도에 도달할 때까지는 물의 공급량이 많게 되기 때문에, 시각(t11)에서 재차 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값)보다 높아져 있다. 이 경우에는, 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 될 때까지, 배액 제어가 재차 행해진다. 시각(t12)에서, 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 되고, 또한 스텝(004)이 종료된다. 또한, 기판 처리 기간의 각 스텝이 종료되고 기판(8)이 처리액 저류부(38)의 처리액에 침지되어 있지 않은 상태로 되어 있는 기간(인터벌 기간)에 있어서는, 제어부(7)에 의해 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도는 상술한 농도 일정 모드에 있어서의 설정 농도와 동일한 농도로 조절된다. 따라서, 농도 일정 모드에 있어서의 설정 농도에 변경이 있으면, 인터벌 기간에 들어가기 전의 농도 일정 모드의 처리액의 농도와 다음의 기판 처리 기간의 농도 일정 모드에 있어서의 처리액의 농도는 서로 상이하게 된다.
이어서, 도 6의 순서도를 참조하여, 1 스텝에 있어서의 제어부(7)의 처리의 상세에 대하여 설명한다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 먼저 제어부(7)(상세하게는, 수용액 조정부(72), 물 조정부(73) 및 배액 제어부(74))는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피(예를 들면 도 4에 나타내는 레시피(RP))를 취득하고(단계(S1)), 현재 스텝을 특정한다(단계(S2)).
이어서, 제어부(7)는 특정한 현재 스텝이 농도 변경 모드인지 여부를 판정한다(단계(S3)). 단계(S3)에서, 현재 스텝이 농도 변경 모드가 아닌 경우에는, 제어부(7)는 당해 현재 스텝의 종료 타이밍까지, 처리액의 농도를 일정하게 조절하는 농도 일정 모드의 제 1 제어를 행한다(단계(S10)).
한편, 단계(S3)에서 현재 스텝이 농도 변경 모드인 경우에는, 제어부(7)는 처리액의 농도 변경이 가능해지도록 제 2 제어를 행한다. 구체적으로, 제어부(7)는 현재 스텝의 설정 농도(농도 변경 후의 설정 농도)와, 하나 전의 스텝의 설정 농도(농도 변경 전의 설정 농도)를 비교하여, 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮은지 여부를 판정한다(단계(S4)).
단계(S4)에서 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮다고 판정된 경우에는, 제어부(7)(상세하게는 물 조정부(73))는 처리액 저류부(38)에의 물의 공급량이 증가하도록 유량 조정기(48)를 제어하여, 처리액 저류부(38) 중의 처리액의 농도를 엷게 한다(단계(S5)). 또한, 제어부(7)(상세하게는 배액 제어부(74))는 액면 센서(80)로부터 처리액 저류부(38)의 외조(42)에 있어서의 처리액의 액면 높이를 취득한다(단계(S6)).
이어서, 제어부(7)(상세하게는 배액 제어부(74))는 취득한 액면 높이가 정해진 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하인지 여부를 판정한다(단계(S7)). 단계(S7)에서 액면 높이가 정해진 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 아니라고(액면 높이가 정해진 액면 기준값(상한 제어 개시값)보다 높다고) 판정된 경우에는, 제어부(7)(상세하게는 배액 제어부(74))는 배액 제어를 개시한다(단계(S8)). 구체적으로, 제어부(7)는 처리조(34)로부터의 처리액의 배출이 개시되도록 밸브(41B)를 연다. 제어부(7)는 단계(S8)에서 정해진 시간 배액 제어를 행한 후에, 재차 단계(S7)의 처리를 실행한다.
한편, 단계(S7)에서 액면 높이가 정해진 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하라고 판정된 경우에는 상술한 배액 제어를 행하지 않고, 제어부(7)는 농도계(53)로부터 취득한 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달했는지 여부를 판정한다(단계(S9)). 단계(S9)에서 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달하지 않았다고 판정된 경우에는, 재차 단계(S7)의 처리가 실행된다. 한편, 단계(S9)에서 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달했다고 판정된 경우에는, 제어부(7)는 당해 현재 스텝의 종료 타이밍까지, 처리액의 농도를 일정하게 조절하는 농도 일정 모드의 제 1 제어를 행한다(단계(S10)).
단계(S4)에서 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮지 않다고 판정된 경우에는, 제어부(7)(상세하게는 물 조정부(73))는 처리액 저류부(38)에의 물의 공급량이 감소하도록 유량 조정기(48)를 제어하여, 처리액 저류부(38) 중의 처리액의 농도를 높인다(단계(S13)). 이 경우, 제어부(7)(상세하게는 배액 제어부(74))는 처리조(34)로부터의 처리액의 배출이 개시되도록 밸브(41B)를 열어도 된다. 제어부(7)(상세하게는 수용액 조정부(72))는 액면 센서(80)로부터 처리액 저류부(38)의 외조(42)에 있어서의 처리액의 액면 높이를 취득한다(단계(S14)).
이어서, 제어부(7)(상세하게는 수용액 조정부(72))는 취득한 액면 높이가 정해진 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상인지 여부를 판정한다(단계(S15)). 단계(S15)에서 액면 높이가 정해진 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상이 아니라고(액면 높이가 정해진 액면 기준값(하한 제어 개시값)보다 낮다고) 판정된 경우에는, 제어부(7)(상세하게는 수용액 조정부(72))는 고농도 인산 공급을 개시한다(단계(S16)). 구체적으로, 제어부(7)는 고농도의 인산 수용액이 처리액 저류부(38)에 공급되도록 수용액 공급부(43)의 밸브(62)를 닫는다. 제어부(7)는 단계(S16)에서 정해진 시간 고농도 인산 공급을 행한 후에, 재차 단계(S15)의 처리를 실행한다.
한편, 단계(S15)에서 액면 높이가 정해진 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상이라고 판정된 경우에는 상술한 고농도 인산 공급을 행하지 않고, 제어부(7)는 농도계(53)로부터 취득한 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달했는지 여부를 판정한다(단계(S17)). 단계(S17)에서 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달하지 않았다고 판정된 경우에는, 재차 단계(S15)의 처리가 실행된다. 한편, 단계(S17)에서 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달했다고 판정된 경우에는, 제어부(7)는 당해 현재 스텝의 종료 타이밍까지, 처리액의 농도를 일정하게 조절하는 농도 일정 모드의 제 1 제어를 행한다(단계(S10)).
단계(S10)이 완료(현재 스텝이 완료)되면, 제어부(7)는 레시피를 참조하여 다음 스텝이 있는지 여부를 판정한다(단계(S11)). 단계(S11)에서 다음 스텝이 있다고 판정된 경우에는, 제어부(7)는 당해 다음 스텝을 새로운 현재 스텝으로서 특정하고(단계(S12)), 재차 단계(S3) 이후의 처리를 실행한다. 한편, 단계(S11)에서 다음 스텝이 없다고(레시피에 있어서의 모든 스텝이 완료되었다고) 판정된 경우에는 일련의 처리가 종료된다.
[작용 효과]
기판 액 처리 장치에 있어서, 처리액인 인산 수용액의 인산 농도를 변경하면, 처리액 저류부에 있어서의 수량이 변화하여 액면이 상승 또는 하강한다. 예를 들면, 처리액인 인산 수용액의 인산 농도를 저하시키는 경우에는, 처리액 저류부에의 물의 공급량이 증가하기 때문에, 처리액 저류부에 있어서의 액면이 상승하여, 처리액 저류부로부터 인산 수용액이 흘러 넘칠 우려가 있다. 이에 의해, 처리액의 농도 변경(상세하게는, 농도를 저하시키는 경우의 농도 변경)을 적절히 행할 수 없을 우려가 있다.
이 점, 기판 액 처리 장치(A1)는 처리액을 저류하는 처리액 저류부(38)와, 처리액 저류부(38)로부터 처리액을 배출하는 처리액 배출부(41)와, 처리액 배출부(41)를 제어하는 제어부(7)를 구비하고, 제어부(7)는 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 농도 일정 모드에 있어서의 제 1 제어와, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 변경되는 농도 변경 모드에 있어서의 제 2 제어를 실행하고, 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우에, 처리액의 배출이 개시되도록 처리액 배출부(41)를 제어한다.
이러한 기판 액 처리 장치(A1)에 의하면, 농도 변경 모드의 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 후의 설정 농도가 농도 변경 전의 설정 농도보다 낮아지는 경우에는, 처리액인 인산 수용액의 배출이 개시된다. 이 때문에, 인산 농도를 저하시킬 시 처리액 저류부(38)에의 물의 공급량을 늘린 경우라도, 처리액 저류부(38)로부터 인산 수용액이 배출됨으로써, 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면 상승을 억제하여, 처리액 저류부(38)로부터 인산 수용액이 흘러 넘치는 것을 방지할 수 있다. 이상으로부터, 본 실시 형태에 따른 기판 액 처리 장치(A1)에 의하면, 처리액의 농도 변경(상세하게는, 농도를 저하시키는 경우의 농도 변경)을 적절히 행할 수 있다.
기판 액 처리 장치(A1)는, 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면 높이를 검출하는 액면 센서(80)를 더 구비하고, 제어부(7)는 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우로서 또한 액면 센서(80)에 의해 검출된 액면 높이가 정해진 액면 기준값보다 높은 경우에, 처리액의 배출이 개시되도록 처리액 배출부(41)를 제어한다. 이에 의해, 농도를 낮게 하기 위한 물의 공급에 의해 실제로 액면이 높아진 것에 기초하여, 처리액의 배출을 개시할 수 있다. 이로써, 적절한 타이밍에 처리액의 배출을 개시할 수 있어, 처리액의 흘러 넘침을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
농도 변경 모드에는, 개별로 설정 농도를 설정 가능한 복수의 스텝이 포함되어 있어도 된다. 이에 의해, 농도 변경 모드의 복수의 스텝마다 설정 농도가 설정되기 때문에, 농도 변경 모드에 있어서의 각 처리에 따라 보다 섬세하게 농도를 설정할 수 있다.
여기서, 기판 액 처리 장치에 있어서, 처리액인 인산 수용액의 인산 농도를 상승시키는 경우에는, 처리액 저류부에의 물의 공급량이 줄어, 물이 증발된다. 이러한, 농도를 상승시키기 위하여 물을 증발시키는 처리에는 시간이 걸린다. 이에 의해, 처리액의 농도 변경(상세하게는, 농도를 상승시키는 경우의 농도 변경)을 적절히 행할 수 없을 우려가 있다.
이 점, 기판 액 처리 장치(A1)는 처리액 저류부(38)에 있어서의 상기 처리액의 농도 상승을 촉진시키는 농도 상승 촉진부로서 처리액 공급부(39)를 구비하고, 제어부(7)는 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 농도 일정 모드에 있어서의 제 1 제어와, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 변경되는 농도 변경 모드에 있어서의 제 2 제어를 실행하고, 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 높은 경우에, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 상승이 촉진되도록 처리액 공급부(39)를 제어한다.
기판 액 처리 장치(A1)에 의하면, 농도 변경 모드의 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 후의 설정 농도가 농도 변경 전의 설정 농도보다 높아지는 경우에는, 농도 상승 촉진부인 처리액 공급부(39)에 의해 처리액의 농도 상승이 촉진된다. 이에 의해, 단순하게 물을 증발시키는 경우와 비교하여, 농도 상승에 요하는 시간을 단축할 수 있다. 이상으로부터, 본 실시 형태에 따른 기판 액 처리 장치(A1)에 의하면, 처리액의 농도 변경(상세하게는, 농도를 상승시키는 경우의 농도 변경)을 적절히 행할 수 있다.
구체적으로, 농도 상승 촉진부인 처리액 공급부(39)는 처리액 저류부(38)에 저류된 처리액보다 농도가 높은 처리액을 처리액 저류부(38)에 공급함으로써, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 상승을 촉진시킨다. 농도를 상승시키는 경우에는, 물이 증발함으로써 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면이 하강하여, 기판 액 처리 장치의 온도 조절 기능(순환 온조)이 저하될 우려가 있다. 이 점, 농도가 높은 처리액이 처리액 저류부(38)에 공급됨으로써, 농도를 적절히 상승시키면서, 액면의 하강(즉, 온도 조정 기능의 저하)을 억제할 수 있다.
제어부(7)는 처리 대상의 기판(8)이 처리액 저류부(38)의 처리액에 침지되어 처리액에 의해 처리되는 기판 처리 기간에 있어서, 상기 제 1 제어 및 제 2 제어를 실행한다. 또한, 제어부(7)는 처리액 저류부(38)의 처리액에 기판(8)이 침지되어 있지 않은 인터벌 기간에 있어서, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도를 상기 농도 일정 모드에 있어서의 정해진 설정 농도로 조절한다. 이에 의해, 기판 처리 기간에 있어서 처리액의 농도 변경을 적절히 행하고, 또한 인터벌 기간에 있어서도 정해진 설정 농도로의 농도 조절을 적절히 행할 수 있다.
이상, 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 개시는 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 농도 상승 촉진부의 일례로서, 처리액 공급부(39)를 설명하고, 이 처리액 공급부(39)가 고농도의 처리액을 공급함으로써 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 상승을 촉진하는 예를 설명했지만, 농도 상승 촉진부의 구성은 이에 한정되지 않는다. 일반적인 에칭 처리 장치에 있어서는, 처리조의 처리액에 기판을 침지시켜, 처리액 저류부의 상부가 덮개(버스 리드)에 의해 닫힌 상태에서, 기판의 에칭 처리가 행해진다. 에칭 처리 중에 있어서는, 온도를 안정시키는 관점으로부터, 통상, 버스 리드를 닫아 둘 필요가 있다. 당해 버스 리드는, 통상 닫혀 있으며, 기판을 처리액에 침지시킬 시에만 열리는 것이 일반적이다. 이 점, 예를 들면 도 7에 나타내는 바와 같이, 처리 중이 아닌 처리 사이의 인터벌 기간에 있어서도, 버스 리드(150)를 엶으로써, 버스 리드(150)가 닫혀 있는 경우와 비교하여 물의 증발량을 올릴 수 있다. 이에 의해, 처리액의 농도 상승을 촉진하여, 처리액의 농도 변경(상세하게는, 농도를 상승시키는 경우의 농도 변경)을 보다 적절히 행할 수 있다.
또한 상술한 실시 형태에서는, 농도 상승 촉진부에 따른 구성으로서, 수용액 공급부(43)의 밸브(62)의 개폐를 전환함으로써, 통상의 농도의 인산 수용액뿐 아니라, 고농도의 인산 수용액에 대해서도 용이하게 처리액 저류부(38)에 공급하는 구성을 설명했지만, 고농도의 인산 수용액을 공급하는 구성은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 8에 나타내는 바와 같이, 처리액 저류부(38)의 외부에, 고농도의 인산 수용액을 저류하는 고농도 처리액 저류부(170)를 구비하고, 이 고농도 처리액 저류부(170)로부터 유로(160)를 거쳐, 처리액 저류부(38)로, 농도가 높여진 처리액이 공급되는 구성을 채용해도 된다. 이러한 구성을 채용하는 경우에 있어서도, 고농도의 인산 수용액을 적절히 공급하여, 농도를 적절히 상승시키면서, 액면의 하강(즉, 온도 조정 기능의 저하)을 억제할 수 있다. 또한, 도 8에 나타내는 고농도 처리액 저류부(170)는, 공급하는 인산 수용액을 가열함으로써 항상 고온으로 유지하도록 구성되어 있어도 된다. 이에 의해, 처리액 저류부(38)에 고온 또한 고농도의 인산 수용액이 공급되게 되어, 처리액의 가열 시간을 단축할 수 있다. 또한 상술한 실시 형태에서는, 처리액 배출부(41)를 처리액 저류부(38)에 마련했지만, 처리액 배출부는 그에 한정되지 않으며, 처리액 순환부(40)로부터 분기하여 설치해도 된다. 또한, 처리액 저류부(38)를 처리조(34)와 외조(42)로 구성했지만, 처리액 저류부의 구성은 이에는 한정되지 않는다. 예를 들면, 처리조(34)에 수용액 공급부, 물 공급부 및 배출부를 접속하여 처리액 저류부로 하고, 외조를 마련하지 않는 구성으로 해도 된다.
[고농도 처리액 저류부를 구비하는 구성의 구체예]
여기서, 상기 고농도 처리액 저류부(170)를 가지는 농도 상승 촉진부의 구성을 보다 상세하게 설명한다. 도 9에 나타내는 농도 상승 촉진부(39A)는, 처리액과, 처리액에 대한 침지 대상의 기판을 수용하는 액 처리부(예를 들면 상기 처리액 저류부(38))에 고농도의 처리액을 공급한다. 예를 들면 농도 상승 촉진부(39A)는, 고농도 처리액 저류부(170)와, 처리액 보충부(210)와, 희석액 보충부(220)와, 가스 공급부(230)와, 가열부(240)와, 처리액 공급부(250)와, 농도 센서(260)를 구비한다.
상술한 바와 같이, 고농도 처리액 저류부(170)(공급액 저류부)는 처리액 저류부(38)에 공급하기 위한 처리액을 저류한다. 고농도 처리액 저류부(170)는 처리액 저류부(38)로부터 떨어진 위치에 마련되어 있다.
처리액 보충부(210)는 고농도 처리액 저류부(170)에 처리액(예를 들면 상기 인산 수용액)을 보충한다. 예를 들면 처리액 보충부(210)는, 처리액 공급원(211)과, 밸브(212)를 가진다. 처리액 공급원(211)은, 예를 들면 보충용의 처리액의 탱크(미도시)와, 탱크로부터 고농도 처리액 저류부(170)로 처리액을 압송하는 펌프(미도시)를 가진다. 밸브(212)는 처리액 공급원(211)으로부터 고농도 처리액 저류부(170)로 보내지는 처리액의 유로를 제어 지령에 따라 개폐한다.
희석액 보충부(220)는 처리액 보충부(210)가 고농도 처리액 저류부(170)에 보충하는 처리액보다 농도가 낮은 희석액(예를 들면 순수, 탈이온수 등)을 고농도 처리액 저류부(170)에 보충한다. 처리액보다 농도가 낮다는 것은, 당해 처리액이 목적으로 하는 처리 내용에 기여하는 성분의 농도가 낮은 것을 의미한다. 예를 들면 희석액 보충부(220)는, 희석액 공급원(221)과, 밸브(222)를 가진다. 희석액 공급원(221)은, 예를 들면 보충용의 희석액의 탱크(미도시)와, 탱크로부터 고농도 처리액 저류부(170)로 희석액을 압송하는 펌프(미도시)를 가진다. 밸브(222)는 희석액 공급원(221)으로부터 고농도 처리액 저류부(170)로 보내지는 희석액의 유로를 제어 지령에 따라 개폐한다.
가스 공급부(230)는 수분 증발 촉진용의 불활성 가스(예를 들면 질소 가스)를 고농도 처리액 저류부(170)의 하부에서 처리액 중에 공급한다. 가스 공급부(230)가 불활성 가스를 공급하면, 처리액 중에 기포가 발생하고, 이에 의해 처리액과 가스와의 접촉 면적이 증대한다. 이 때문에, 처리액 중의 수분의 증발이 촉진된다. 예를 들면 가스 공급부(230)는, 가스 공급원(231)과 밸브(232)를 가진다. 가스 공급원(231)은 예를 들면 압축된 불활성 가스의 탱크(미도시)를 가진다. 밸브(232)는 가스 공급원(231)으로부터 고농도 처리액 저류부(170)로 보내지는 불활성 가스의 유로를 제어 지령에 따라 개폐한다.
가열부(240)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액을 가열한다. 가열부(240)는 고농도 처리액 저류부(170)의 하부로부터 도출한 처리액을 가열하여 고농도 처리액 저류부(170)의 상부로 되돌리도록 구성되어 있어도 된다. 예를 들면 가열부(240)는, 유로(245)와, 펌프(241)와, 필터(242)와, 히터(243)를 가진다. 유로(245)는 고농도 처리액 저류부(170)의 하부로부터 처리액을 도출하여 고농도 처리액 저류부(170)의 상부로 유도한다. 펌프(241), 필터(242) 및 히터(243)는 유로(245)에 마련되어 있다. 펌프(241)는 처리액을 고농도 처리액 저류부(170)의 하부측으로부터 상부측으로 압송한다. 필터(242)는 처리액 중의 이물 등을 제거한다. 히터(243)는 처리액을 가열한다.
처리액 공급부(250)는 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 공급한다. 예를 들면 처리액 공급부(250)는, 유로(252)와 밸브(251, 253)를 가진다. 유로(252)는 펌프(241), 필터(242) 및 히터(243)보다 하류측(고농도 처리액 저류부(170)의 상부측)에서 유로(245)로부터 분기하고 있고, 유로(245)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 유도한다. 밸브(251)는 제어 지령에 따라 유로(252)를 개폐한다. 밸브(253)는 유로(252)와 고농도 처리액 저류부(170)의 상부와의 사이에서 유로(245)를 개폐한다. 밸브(251)가 유로(252)를 닫고, 상기 밸브(253)가 유로(245)를 연 상태에 있어서는, 펌프(241)가 압송하는 처리액은 고농도 처리액 저류부(170)의 하부로부터 상부로 환류한다. 이하, 이 상태를 '순환 상태'라고 한다. 한편, 밸브(251)가 유로(252)를 열고, 밸브(253)가 유로(245)를 닫은 상태에 있어서는, 펌프(241)가 압송하는 처리액은 처리액 저류부(38)에 공급된다. 이하, 이 상태를 '공급 상태'라고 한다.
농도 센서(260)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도에 관한 정보를 검출한다. 농도 센서(260)는 처리액의 농도에 관한 정보로서, 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 액면의 높이에 관한 정보를 검출해도 된다. 예를 들면, 처리액의 액면의 높이는, 처리액 보충부(210)에 의한 처리액의 보충과, 희석액 보충부(220)에 의한 희석액의 보충과, 처리액 중의 수분의 휘발과, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급에 의해 변동한다. 이에, 처리액 보충부(210)에 의한 처리액의 보충을 정지하고, 상기 순환 상태를 유지한 상태에 있어서는, 처리액의 액면 저하의 주요인이 수분 휘발이 되므로, 처리액의 액면의 저하와 처리액의 농도 상승이 상관한다. 마찬가지로, 처리액 보충부(210)에 의한 처리액의 보충을 정지하고, 상기 순환 상태를 유지한 상태에 있어서는, 처리액의 액면 상승의 주요인이 희석액 보충이 되므로, 처리액의 액면의 상승과 처리액의 농도 저하가 상관한다. 이와 같이, 처리액 보충부(210)에 의한 처리액의 보충을 정지하고, 상기 순환 상태를 유지한 상태에 있어서는, 처리액의 액면의 높이가 처리액의 농도에 관한 정보가 될 수 있다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 농도 센서(260)는 제어용 센서(261)와, 모니터용 센서(262)를 가진다. 제어용 센서(261)는 처리액 보충부(210), 희석액 보충부(220) 및 처리액 공급부(250) 등의 제어용의 정보를 검출하는 센서이다. 모니터용 센서(262)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도를 감시·기록하기 위한 센서이다.
제어용 센서(261)는 서로 높이가 상이한 복수의 측정 대상 높이와 처리액의 액면과의 상하 관계를 각각 검출하는 복수의 액면 센서를 가진다. 예를 들면 제어용 센서(261)는, 서로 높이가 상이한 네 개의 측정 대상 높이(H1, H2, H3, H4)와 처리액의 액면과의 상하 관계를 각각 검출하는 네 개의 액면 센서(263, 264, 265, 266)를 가진다. 측정 대상 높이(H1)는 고농도 처리액 저류부(170)에서 허용되는 액면 높이 상한값이다. 측정 대상 높이(H2)(제 1 높이)는, 처리액 보충부(210)에 의한 처리액의 보충에 있어서 액면 높이의 목표가 되는 높이이다. 측정 대상 높이(H3)(제 2 높이)는 처리액의 농축 과정에 있어서 액면 높이의 목표가 되는 높이이다. 측정 대상 높이(H4)는 고농도 처리액 저류부(170)에서 허용되는 액면 높이 하한값이다.
액면 센서(263, 264, 265, 266)는, 예를 들면 측정용의 불활성 가스(예를 들면 질소 가스)를 측정 대상 높이(H1, H2, H3, H4)로 공급하기 위한 압력에 기초하여, 측정 대상 높이(H1, H2, H3, H4)와 처리액의 액면과의 상하 관계를 각각 검출한다. 예를 들면, 측정 대상 높이(H1, H2, H3, H4)의 각각에 대하여, 액면이 측정 대상 높이보다 위에 있는 경우의 압력과, 액면이 측정 대상 높이보다 아래에 있는 경우의 압력과의 사이에 임계치를 설정해 둠으로써, 당해 압력이 당해 임계치를 상회하는지 여부에 기초하여 당해 측정 대상 높이와 액면과의 상하 관계를 검출할 수 있다. 또한, 상술한 액면 센서(263, 264, 265, 266)의 구성은 어디까지나 일례이다. 액면 센서(263, 264, 265, 266)는 측정 대상 높이(H1, H2, H3, H4)와 처리액의 액면과의 상하 관계를 검출할 수 있는 한 어떠한 것이어도 된다. 예를 들면 액면 센서(263, 264, 265, 266)는 정전 용량식의 액면 센서여도 된다.
모니터용 센서(262)는, 예를 들면 측정용의 불활성 가스(예를 들면 질소 가스)를 고농도 처리액 저류부(170)의 하부에서 처리액 중에 공급하기 위한 압력(이하, 단순히 '공급 압력'이라고 함)에 기초하여, 액면의 높이의 추정값을 도출한다. 여기서, 공급 압력은 처리액의 액면 높이의 다른 요인에 의해서도 변동할 수 있다. 다른 요인의 구체예로서는, 처리액의 비등 레벨을 들 수 있다. 따라서, 모니터용 센서(262)는 비등 레벨의 영향을 경감하여 액면 높이의 검출 정밀도를 향상시키는 구성을 더 포함하고 있어도 된다. 액면 높이의 변동이 작은 상황 하에 있어서는, 측정용의 불활성 가스의 공급 압력에 기초하여 비등 레벨을 검출하는 것이 가능하다. 이에, 액면 높이가 크게 변동할 수 없는 기간에 있어서, 공급 압력에 기초하여 비등 레벨을 검출하고, 그 검출 결과를 이용하여 비등 레벨의 영향을 경감하는 것이 가능하다. 또한, 비등 레벨과 처리액의 농도는 상관 관계를 가지기 때문에, 비등 레벨의 검출값으로부터 처리액의 농도를 산출하는 것도 가능하다. 또한, 비등 레벨의 차이에 따른 공급 압력의 변동 레인지와, 액면의 높이의 변동에 따른 공급 압력의 변동 레인지는 상이하므로, 액면의 높이의 변동 검출용과, 비등 레벨의 변동 검출용으로 공급 압력의 측정계를 나누어, 각각의 측정 레인지를 개별로 조절해도 된다.
또한, 상술한 농도 센서(260)의 구성은 어디까지나 일례이다. 농도 센서(260)는 처리액의 농도에 관한 정보를 검출할 수 있는 한 어떠한 것이어도 된다. 예를 들면 농도 센서(260)는, 모니터용 센서(262)를 가지지 않아도 된다. 또한, 농도 센서(260)는 처리액의 액면의 높이에 관계없이 처리액의 농도를 검출하는 것이어도 된다. 처리액의 액면의 높이에 관계없이 처리액의 농도를 검출하는 센서의 구체예로서는, 예를 들면 초음파식 또는 광학식의 농도 센서 등을 들 수 있다.
이상에 예시한 농도 상승 촉진부(39A)는, 예를 들면 제어부(7)에 의해 제어 가능하다. 예를 들면 제어부(7)는, 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도가 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도보다 높은 공급 농도로 조정되는 제 3 제어를 더 실행한다. 예를 들면 제어부(7)는, 공급전 농도 조절부(75)를 더 가진다. 공급전 농도 조절부(75)는 제 3 제어에 있어서, 고농도 처리액 저류부(170)에 처리액을 보충하도록 처리액 보충부(210)를 제어하는 것과, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 공급하도록 처리액 보충부(210)를 제어하는 것과, 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도가 처리액 보충부(210)에 의해 보충되는 처리액의 농도보다 높은 공급 농도에 달할 때까지, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급을 금지하도록 처리액 공급부(250)를 제어하는 것을 실행한다.
예를 들면 공급전 농도 조절부(75)는, 처리액 보충 제어부(76)와, 가열 제어부(79)와, 공급 제어부(78)와, 희석액 보충 제어부(77)를 포함한다. 처리액 보충 제어부(76)는 고농도 처리액 저류부(170)에 처리액을 보충하도록 처리액 보충부(210)를 제어한다. 예를 들면 공급전 농도 조절부(75)는, 고농도 처리액 저류부(170)에 처리액이 들어가 있지 않은 상태에서 처리액의 보충을 개시하고, 처리액의 액면의 높이가 측정 대상 높이(H2)에 달했을 때 처리액의 보충을 정지하도록 처리액 보충부(210)를 제어한다. 보다 구체적으로, 공급전 농도 조절부(75)는 고농도 처리액 저류부(170)에 처리액이 들어가 있지 않은 상태에서 밸브(212)를 열도록 처리액 보충부(210)를 제어한다. 이 후 공급전 농도 조절부(75)는, 처리액의 액면의 높이가 측정 대상 높이(H2)에 달했는지 여부를 나타내는 정보를 액면 센서(264)로부터 반복하여 취득하고, 액면의 높이가 측정 대상 높이(H2)에 달했다고 판정했을 때 밸브(212)를 닫도록 처리액 보충부(210)를 제어한다.
가열 제어부(79)는 처리액 보충부(210)에 의해 고농도 처리액 저류부(170)에 보충된 처리액을 가열하도록 가열부(240)를 제어한다. 예를 들면 가열 제어부(79)는, 고농도 처리액 저류부(170)의 하부로부터 도출한 액체를 펌프(241)에 의해 히터(243)로 압송하도록 가열부(240)를 제어한다.
공급 제어부(78)는 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 공급하도록 처리액 공급부(250)를 제어한다. 예를 들면 공급 제어부(78)는, 상기 제 2 제어의 실행에 있어서 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도 상승을 촉진시킬 시, 상기 순환 상태(상기 밸브(253)가 열리고 상기 밸브(251)가 닫힌 상태)를 상기 공급 상태(상기 밸브(253)가 닫히고 상기 밸브(251)가 열린 상태)로 전환하도록 처리액 공급부(250)를 제어한다.
단, 공급 제어부(78)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도가 처리액 보충부(210)에 의해 보충되는 처리액의 농도보다 높은 공급 농도에 달할 때까지, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급을 금지하도록 처리액 공급부(250)를 제어한다. 예를 들면 공급 제어부(78)는, 측정 대상 높이(H2)에 달한 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 액면이 측정 대상 높이(H3)로 저하할 때까지는, 상기 순환 상태로부터 상기 공급 상태로의 전환을 금지하도록 처리액 공급부(250)를 제어한다.
희석액 보충 제어부(77)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도가 상기 공급 농도에 달한 후, 처리액의 농도가 더 상승했을 때, 당해 농도를 상기 공급 농도에 가깝게 하는 양으로 희석액을 고농도 처리액 저류부(170)에 보충하도록 희석액 보충부(220)를 제어한다. 예를 들면 희석액 보충 제어부(77)는, 측정 대상 높이(H2)에 달한 처리액의 액면이 측정 대상 높이(H3)로 저하된 후, 당해 액면이 더 저하되었을 때, 당해 액면을 측정 대상 높이(H3)에 가깝게 하는 양으로 희석액을 고농도 처리액 저류부(170)에 보충하도록 희석액 보충부(220)를 제어한다. 보다 구체적으로, 희석액 보충 제어부(77)는, 처리액의 액면이 측정 대상 높이(H3)에 달할 때까지 밸브(222)를 열도록 희석액 보충부(220)를 제어한다.
이어서, 공급전 농도 조절부(75)를 가지는 제어부(7)가 실행하는 제어 순서를 보다 상세하게 예시한다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 먼저 단계(S21, S22, S23)을 실행한다. 단계(S21)에서는, 처리액 보충 제어부(76)가 고농도 처리액 저류부(170)에 처리액이 들어가 있지 않은 상태에서 처리액의 보충을 개시하도록 처리액 보충부(210)를 제어한다. 단계(S22)에서는, 처리액의 액면의 높이가 측정 대상 높이(H2)에 달한 것을 액면 센서(264)가 검출할 때까지, 처리액 보충 제어부(76)가 처리액 보충부(210)에 의한 처리액의 보충을 계속시킨다. 단계(S23)에서는, 처리액 보충 제어부(76)가 처리액의 보충을 정지하도록 처리액 보충부(210)를 제어한다.
이어서, 제어부(7)는 단계(S24, S25, S26, S27)을 실행한다. 단계(S24)에서는, 공급 제어부(78)가 처리액 공급부(250)에 의한 상기 순환 상태로부터 상기 공급 상태로의 전환을 금지한다. 이후, 상기 순환 상태로부터 상기 공급 상태로의 전환이 허가될 때까지는, 처리액 공급부(250)에 의해 상기 순환 상태가 유지된다. 단계(S25)에서는, 가열 제어부(79)가 펌프(241)에 의한 처리액의 압송을 개시하고, 처리액의 가열을 개시하도록 가열부(240)를 제어한다. 단계(S26)에서는, 처리액의 액면의 높이가 측정 대상 높이(H3)까지 저하된 것을 액면 센서(265)가 검출할 때까지, 공급 제어부(78)가 순환 상태로부터 공급 상태로의 전환의 금지를 유지한다. 단계(S27)에서는, 공급 제어부(78)가 순환 상태로부터 공급 상태로의 전환을 허가한다. 이후, 필요에 따라 순환 상태를 공급 상태로 전환하는 것이 가능해진다.
이어서, 제어부(7)는 단계(S28)을 실행한다. 단계(S28)에서는, 공급 제어부(78)가 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급이 필요한지(예를 들면 상기 제 2 제어의 실행에 있어서 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도 상승을 촉진시키는 것이 필요한지)를 확인한다.
단계(S28)에 있어서, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급은 불필요하다고 판정한 경우, 제어부(7)는 단계(S29)을 실행한다. 단계(S29)에서는, 측정 대상 높이(H3)로부터의 가일층의 액면 저하가 액면 센서(265)에 의해 검출되었는지 여부를 희석액 보충 제어부(77)가 확인한다. 단계(S29)에 있어서, 측정 대상 높이(H3)로부터의 가일층의 액면 저하는 검출되지 않았다고 판정한 경우, 제어부(7)는 처리를 단계(S28)으로 되돌린다.
단계(S29)에 있어서, 측정 대상 높이(H3)로부터의 가일층의 액면 저하가 검출되었다고 판정한 경우, 제어부(7)는 단계(S31, S32, S33)을 실행한다. 단계(S31)에서는, 희석액 보충 제어부(77)가 밸브(222)를 열고 고농도 처리액 저류부(170)에의 희석액의 보충을 개시하도록 희석액 보충부(220)를 제어한다. 단계(S32)에서는, 측정 대상 높이(H3)로의 액면 복귀가 액면 센서(265)에 의해 검출될 때까지, 희석액 보충 제어부(77)가 희석액 보충부(220)에 의한 희석액의 보충을 계속시킨다. 단계(S33)에서는, 희석액 보충 제어부(77)가 희석액의 보충을 정지하도록 희석액 보충부(220)를 제어한다. 이 후, 제어부(7)는 처리를 단계(S28)으로 되돌린다. 이후, 필요에 따라 희석액을 보충하면서, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액 공급의 필요 여부의 확인이 반복된다.
단계(S28)에 있어서, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급은 필요하다고 판정한 경우, 제어부(7)는 단계(S34, S35)을 실행한다. 단계(S34)에서는, 공급 제어부(78)가 상기 순환 상태를 상기 공급 상태로 전환하여, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 공급하도록 처리액 공급부(250)를 제어한다. 단계(S35)에서는, 펌프(241)에 의한 처리액의 압송을 정지하고, 처리액의 가열을 정지하도록 가열부(240)를 제어한다. 이상으로 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 공급하기 위한 제어 순서가 완료된다. 또한, 단계(S34)과 단계(S35)은 이 순서로 실행하지 않아도 되고, 순서를 바꿔도 된다.
이상에 예시한 구성은, 처리액 저류부(38)로 공급하기 위한 처리액을 저류하는 고농도 처리액 저류부(170)와, 고농도 처리액 저류부(170)로 처리액을 보충하는 처리액 보충부(210)와, 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액을 가열하는 가열부(240)와, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 공급하는 처리액 공급부(250)를 구비한다.
이 구성에 의하면, 처리액 저류부(38)에의 처리액의 공급 타이밍에 앞서, 고농도 처리액 저류부(170)에서 미리 처리액의 농도를 높여 둠으로써, 상기 공급 타이밍에서 고농도의 처리액을 처리액 저류부(38)에 신속히 공급할 수 있다. 또한, 고농도 처리액 저류부(170)에 있어서의 처리액의 농도 상승을 가열에 의해 촉진하는 구성에 의하면, 처리액 저류부(38)에 가열 완료된 처리액을 공급할 수 있으므로, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 가열 시간을 단축할 수도 있다. 따라서, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 조절의 신속화에 유효하다.
농도 상승 촉진부(39A)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도에 관한 정보를 검출하는 농도 센서(260)를 더 구비해도 된다. 이 경우, 상기 공급 타이밍에 앞서는 처리액의 농도 조절을 보다 높은 정밀도로 실행할 수 있다. 따라서, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 조절의 가일층의 신속화에 유효하다.
농도 센서(260)는, 처리액의 농도에 관한 정보로서, 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 액면의 높이에 관한 정보를 검출해도 된다. 이 경우, 농도 자체를 계측하는 센서와 비교하여, 농도 센서(260)의 구성의 간이화가 가능하다.
농도 센서(260)는 서로 높이가 상이한 복수의 측정 대상 높이와 액면과의 상하 관계를 각각 검출하는 복수의 액면 센서(263, 264, 265, 266)를 가져도 된다. 이 경우, 농도 센서(260)의 구성의 가일층의 간이화가 가능하다. 또한, 상이한 복수의 측정 대상 높이와 액면과의 상하 관계는 2 치적으로 판정 가능하기 때문에, 노이즈 등의 측정 오차 요인의 영향을 받기 어렵다. 이 때문에, 측정 대상 높이와 액면과의 상하 관계를 검출하는 구성은 농도에 관한 정보의 신뢰성 향상에도 유효하다.
농도 상승 촉진부(39A)는 고농도 처리액 저류부(170)가 처리액 저류부(38)에 보충하는 처리액보다 농도가 낮은 희석액을 고농도 처리액 저류부(170)에 보충하는 희석액 보충부(220)를 더 구비해도 된다. 이 경우, 처리액의 농도를 적절한 높이로 용이하게 유지할 수 있다.
가열부(240)는 고농도 처리액 저류부(170)의 하부로부터 도출한 처리액을 가열하여 고농도 처리액 저류부(170)의 상부로 되돌리도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 고농도 처리액 저류부(170) 내에 있어서의 처리액의 온도의 균일성을 향상시킴으로써, 농도 상승의 편향을 억제할 수 있다.
제어부(7)는 고농도 처리액 저류부(170)에 처리액을 보충하도록 처리액 보충부(210)를 제어하는 것과, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 공급하도록 처리액 공급부(250)를 제어하는 것과, 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도가 처리액 보충부(210)에 의해 보충되는 처리액의 농도보다 높은 공급 농도에 달할 때까지 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급을 금지하도록 처리액 공급부(250)를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 상기 공급 타이밍에 앞서 처리액의 농도를 조절하는 것을 자동적으로 실행할 수 있다.
제어부(7)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 액면이 측정 대상 높이(H2)에 달할 때까지 처리액을 보충하도록 처리액 보충부(210)를 제어한 후, 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 액면이 측정 대상 높이(H3)로 저하될 때까지 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급을 금지하도록 처리액 공급부(250)를 제어해도 된다. 이 경우, 액면의 높이에 기초하는 농도의 조절 중에는, 액면의 높이와 농도와의 상관 관계가 대략 유지된다. 이 때문에, 액면의 높이에 기초하는 간이적인 농도의 조절을 높은 신뢰성으로 행할 수 있다.
제어부(7)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도를 상기 공급 농도에 가깝게 하는 양으로 희석액을 고농도 처리액 저류부(170)에 보충하도록 희석액 보충부(220)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 처리액의 농도의 유지를 자동적으로 계속할 수 있다.
또한, 상술한 구체예는 이하의 구성을 포함하고 있다.
(부기 1)
처리액과, 처리액에의 침지 대상의 기판을 수용하는 액 처리부와,
상기 액 처리부에 공급하기 위한 상기 처리액을 저류하는 공급액 저류부와,
상기 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하는 처리액 보충부와,
상기 공급액 저류부의 상기 처리액을 가열하는 가열부와,
상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하는 기판 액 처리 장치.
(부기 2)
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도에 관한 정보를 검출하는 농도 센서를 더 구비하는, 부기 1에 기재된 기판 액 처리 장치.
(부기 3)
상기 농도 센서는, 상기 처리액의 농도에 관한 정보로서, 상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 액면의 높이에 관한 정보를 검출하는, 부기 2에 기재된 기판 액 처리 장치.
(부기 4)
상기 농도 센서는, 서로 높이가 상이한 복수의 측정 대상 높이와 액면과의 상하 관계를 각각 검출하는 복수의 액면 센서를 가지는, 부기 3에 기재된 기판 액 처리 장치.
(부기 5)
상기 처리액 보충부가 상기 공급액 저류부에 보충하는 상기 처리액보다 농도가 낮은 희석액을 상기 공급액 저류부에 보충하는 희석액 보충부를 더 구비하는, 부기 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 기판 액 처리 장치.
(부기 6)
상기 가열부는, 상기 공급액 저류부의 하부로부터 도출된 상기 처리액을 가열하여 상기 공급액 저류부의 상부로 되돌리도록 구성되어 있는, 부기 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 기판 액 처리 장치.
(부기 7)
상기 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하도록 상기 처리액 보충부를 제어하는 것과,
상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로 상기 처리액을 공급하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것과,
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도가, 상기 처리액 보충부에 의해 보충되는 상기 처리액의 농도보다 높은 공급 농도에 달할 때까지, 상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로의 상기 처리액의 공급을 금지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부를 더 구비하는, 부기 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 기판 액 처리 장치.
(부기 8)
상기 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하도록 상기 처리액 보충부를 제어하는 것과,
상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로 상기 처리액을 공급하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것과,
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도가, 상기 처리액 보충부에 의해 보충되는 상기 처리액의 농도보다 높은 공급 농도에 달할 때까지, 상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로의 상기 처리액의 공급을 금지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부를 더 구비하고,
상기 복수의 측정 대상 높이는, 제 1 높이와, 제 1 높이보다 낮은 제 2 높이를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 액면이 상기 제 1 높이에 달할 때까지 상기 처리액을 보충하도록 상기 처리액 보충부를 제어한 후, 상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 액면이 상기 제 2 높이로 저하될 때까지 상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로의 상기 처리액의 공급을 금지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는, 부기 4에 기재된 기판 액 처리 장치.
(부기 9)
상기 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하도록 상기 처리액 보충부를 제어하는 것과,
상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로 상기 처리액을 공급하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것과,
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도가, 상기 처리액 보충부에 의해 보충되는 상기 처리액의 농도보다 높은 공급 농도에 달할 때까지, 상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로의 상기 처리액의 공급을 금지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것과,
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도를 상기 공급 농도에 가깝게 하는 양으로 상기 희석액을 상기 공급액 저류부에 보충하도록 상기 희석액 보충부를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부를 더 구비하는, 부기 5에 기재된 기판 액 처리 장치.
A1 : 기판 액 처리 장치
7 : 제어부
38 : 처리액 저류부(저류부)
39 : 처리액 공급부(농도 상승 촉진부)
39A : 농도 상승 촉진부
41 : 처리액 배출부(배출부)
80, 263, 264, 265, 266 : 액면 센서
210 : 처리액 보충부
240 : 가열부
260 : 농도 센서
H2 : 측정 대상 높이(제 1 높이)
H3 : 측정 대상 높이(제 2 높이)

Claims (15)

  1. 처리액을 저류하는 저류부와,
    상기 저류부로부터 상기 처리액을 배출하는 배출부와,
    상기 배출부를 제어하는 제어부와,
    상기 저류부에 있어서의 액면 높이를 검출하는 액면 센서를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 저류부의 상기 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 농도 일정 기간에 있어서의 제 1 제어와, 상기 저류부의 상기 처리액의 농도가 변경되는 농도 변경 기간에 있어서의 제 2 제어를 실행하고,
    상기 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여 상기 농도 변경 전의 설정 농도보다 상기 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우이고, 또한, 상기 액면 센서에 의해 검출된 액면 높이가 정해진 액면 기준값보다 높은 경우에, 상기 처리액의 배출이 개시되도록 상기 배출부를 제어하는, 기판 액 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 처리액을 저류하는 저류부와,
    상기 저류부에 있어서의 상기 처리액의 농도 상승을 촉진시키는 농도 상승 촉진부와,
    상기 농도 상승 촉진부를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 저류부의 상기 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 농도 일정 기간에 있어서의 제 1 제어와, 상기 저류부의 상기 처리액의 농도가 변경되는 농도 변경 기간에 있어서의 제 2 제어를 실행하고,
    상기 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 상기 농도 변경 전의 설정 농도보다 상기 농도 변경 후의 설정 농도가 높은 경우에, 상기 저류부에 있어서의 상기 처리액의 농도 상승이 촉진되도록 상기 농도 상승 촉진부를 제어하고,
    상기 농도 상승 촉진부는,
    상기 저류부에 공급하기 위한 상기 처리액을 저류하는 공급액 저류부와,
    상기 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하는 처리액 보충부와,
    상기 공급액 저류부의 상기 처리액을 가열하는 가열부와,
    상기 공급액 저류부로부터 상기 저류부로 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도에 관한 정보를 검출하는 농도 센서를 가지고,
    상기 저류부에 저류된 상기 처리액보다 농도가 높은 상기 처리액을 상기 저류부에 공급하고,
    상기 농도 센서는, 서로 높이가 상이한 복수의 측정 대상 높이와 액면과의 상하 관계를 각각 검출하는 복수의 액면 센서를 가지는, 기판 액 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 농도 변경 기간에는, 개별로 설정 농도를 설정 가능한 복수의 스텝이 포함되어 있는, 기판 액 처리 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제어부는, 처리 대상의 기판이 상기 저류부의 상기 처리액에 침지되어 상기 처리액에 의해 처리되는 기판 처리 기간에 있어서, 상기 제 1 제어 및 상기 제 2 제어를 실행하는, 기판 액 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 저류부의 상기 처리액에 상기 기판이 침지되어 있지 않은 인터벌 기간에 있어서, 상기 저류부의 상기 처리액의 농도를 상기 농도 일정 기간에 있어서의 상기 정해진 설정 농도로 조절하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있는, 기판 액 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도가 상기 저류부의 상기 처리액의 농도보다 높은 공급 농도로 조정되는 제 3 제어를 더 실행하고,
    상기 제 3 제어에 있어서,
    상기 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하도록 상기 처리액 보충부를 제어하는 것과,
    상기 공급액 저류부로부터 상기 저류부로 상기 처리액을 공급하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것과,
    상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도가 상기 공급 농도에 달할 때까지 상기 공급액 저류부로부터 상기 저류부로의 상기 처리액의 공급을 금지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것을 실행하는, 기판 액 처리 장치.
  12. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 측정 대상 높이는, 제 1 높이와, 제 1 높이보다 낮은 제 2 높이를 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도가 상기 저류부의 상기 처리액의 농도보다 높은 공급 농도로 조정되는 제 3 제어를 더 실행하고,
    상기 제 3 제어에 있어서,
    상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 액면이 상기 제 1 높이에 달할 때까지 상기 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하도록 상기 처리액 보충부를 제어하는 것과,
    상기 공급액 저류부로부터 상기 저류부로 상기 처리액을 공급하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것과,
    상기 제 1 높이에 달한 상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 액면이 상기 제 2 높이로 저하될 때까지 상기 공급액 저류부로부터 상기 저류부로의 상기 처리액의 공급을 금지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것을 실행하는, 기판 액 처리 장치.
  13. 제 1 항 또는 제 3 항에 기재된 제어를 행하기 위한 기판 액 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
  14. 농도 일정 기간에 있어서, 처리액을 저류하는 저류부의 상기 처리액의 농도를 정해진 설정 농도로 조정하는 제 1 제어와,
    농도 변경 기간에 있어서, 상기 저류부의 상기 처리액의 농도를 변경하는 제 2 제어
    를 포함하고,
    상기 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 상기 농도 변경 전의 설정 농도보다 상기 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우이고, 또한, 상기 저류부에서의 액면 높이가 정해진 액면 기준값보다 높은 경우에, 상기 저류부로부터의 상기 처리액의 배출을 개시하는, 기판 액 처리 방법.
  15. 처리액을 저류하는 저류부에 공급하기 위한 상기 처리액을 저류하는 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하는 것과,
    상기 공급액 저류부의 상기 처리액을 가열하는 것과,
    서로 높이가 상이한 복수의 측정 대상 높이와 액면과의 상하 관계를 각각 검출하는 복수의 액면 센서에 의해, 상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도에 관한 정보를 검출하는 것과,
    상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도가, 상기 저류부에 저류된 상기 처리액의 농도보다 높은 공급 농도에 달할 때까지, 상기 공급액 저류부로부터 상기 저류부로의 상기 처리액의 공급을 금지하는 것과,
    상기 공급 농도에 달한 상기 처리액을 상기 공급액 저류부로부터 상기 저류부로 공급하는 것
    을 포함하는, 기판 액 처리 방법.
KR1020180107749A 2017-09-11 2018-09-10 기판 액 처리 장치 및 기억 매체 KR102579164B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017173864 2017-09-11
JPJP-P-2017-173864 2017-09-11
JPJP-P-2018-147545 2018-08-06
JP2018147545A JP7101075B2 (ja) 2017-09-11 2018-08-06 基板液処理装置及び記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190029471A KR20190029471A (ko) 2019-03-20
KR102579164B1 true KR102579164B1 (ko) 2023-09-18

Family

ID=65905756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180107749A KR102579164B1 (ko) 2017-09-11 2018-09-10 기판 액 처리 장치 및 기억 매체

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7101075B2 (ko)
KR (1) KR102579164B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7413113B2 (ja) 2020-03-24 2024-01-15 株式会社Screenホールディングス 処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システム
KR102449897B1 (ko) * 2022-01-14 2022-09-30 삼성전자주식회사 습식 식각 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법.

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074552A (ja) 2010-09-29 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法
JP2012216778A (ja) * 2011-03-25 2012-11-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2013093478A (ja) * 2011-10-27 2013-05-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3630543B2 (ja) * 1998-02-05 2005-03-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074552A (ja) 2010-09-29 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法
JP2012216778A (ja) * 2011-03-25 2012-11-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2013093478A (ja) * 2011-10-27 2013-05-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190029471A (ko) 2019-03-20
JP2019050360A (ja) 2019-03-28
JP7101075B2 (ja) 2022-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102111236B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102280703B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
JP6732546B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
KR102513202B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
CN106158703B (zh) 基板液处理装置以及基板液处理方法
KR102622414B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN107895702B (zh) 基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质
KR20180111571A (ko) 기판 액처리 장치
KR102579164B1 (ko) 기판 액 처리 장치 및 기억 매체
KR102480692B1 (ko) 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102615919B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기억 매체
KR102469675B1 (ko) 기판 액처리 장치
CN109494175B (zh) 基板液处理装置和存储介质
JP7101083B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
US10998198B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2018174255A (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
CN111326445A (zh) 基片处理方法和基片处理装置
JP7378578B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2018174258A (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant