CN111326445A - 基片处理方法和基片处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。实施方式的基片处理方法包括：生成步骤，其将基片处理的方案信息和基片处理的控制对象的控制值信息以按每个方案信息生成一个记录的方式生成记录；存储记录的存储步骤；在进行基片处理时获取方案信息的获取步骤；读取步骤，其读取存储有与所获取的方案信息相同的方案信息的记录；和控制步骤，其基于所读取的记录的方案信息中的控制值信息来控制控制对象。本发明能够稳定地持续进行基片处理。

Description

基片处理方法和基片处理装置
技术领域
本发明的实施方式涉及基片处理方法和基片处理装置。
背景技术
以往，在基片处理装置中，进行了稳定地进行基片处理来提高生产性的尝试。例如，在基片处理装置中，已知利用浓度传感器来计量硅浓度，供给、排出处理液以使得硅浓度处于规定浓度范围的装置(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-143684号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供能够稳定地持续进行基片处理的技术。
用于解决技术问题的技术方案
实施方式的一个方式的基片处理方法包括：生成步骤，其将基片处理的方案信息和基片处理的控制对象的控制值信息以按每个方案信息生成一个记录的方式生成记录；存储记录的存储步骤；在进行基片处理时获取方案信息的获取步骤；读取步骤，其读取存储有与所获取的方案信息相同的方案信息的记录；和控制步骤，其基于所读取的记录的方案信息中的控制值信息来控制控制对象。
发明效果
依照实施方式的一个方式，能够稳定地持续进行基片处理。
附图说明
图1是实施方式的基片处理装置的概略俯视图。
图2是表示实施方式的蚀刻用处理槽的结构的概略框图。
图3是说明实施方式的控制装置的一部分的框图。
图4是表示实施方式的记录的概念的示意图。
图5A是表示在实施方式的蚀刻处理中浓度传感器没有发生异常的情况下的磷酸设定浓度、磷酸检测浓度和DIW供给量的图。
图5B是表示在实施方式的蚀刻处理中浓度传感器发生了异常的情况下的磷酸设定浓度、磷酸检测浓度和DIW供给量的图。
图6A是表示在实施方式的蚀刻处理中温度传感器没有发生异常的情况下的槽内设定温度、槽内检测温度和加热器输出的图。
图6B是表示在实施方式的蚀刻处理中温度传感器发生了异常的情况下的槽内设定温度、槽内检测温度和加热器输出的图。
图7是表示实施方式的蚀刻处理的流程图。
附图标记说明
1 基片处理装置
23 蚀刻处理装置
42C 第2流量调节器
52 加热器
54 浓度传感器
60 控制部
61 存储部
70 获取部
71 判断部
72 读取部
73 生成部
74 执行部
80 温度传感器。
具体实施方式
以下，参照附图，对本申请公开的基片处理方法和基片处理装置的实施方式进行详细的说明。另外，公开的基片处理方法和基片处理装置并不由以下所示的实施方式限定。
如图1所示，实施方式的基片处理装置1具有承载器送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6和控制装置100。图1是实施方式的基片处理装置1的概略俯视图。此处，将与水平方向正交的方向作为上下方向来进行说明。
承载器送入送出部2进行承载器9的送入和送出，上述承载器9以水平姿态上下排列地收纳有多片(例如，25片)基片(硅晶片)8。
在承载器送入送出部2设置有：载置多个承载器9的承载器站10；进行承载器9的输送的承载器输送装置11；暂时保存承载器9的承载器栈12、13；和载置承载器9的承载器载置台14。
承载器送入送出部2使用承载器输送装置11将从外部送入承载器站10的承载器9输送到承载器栈12或承载器载置台14。即，承载器送入送出部2将收纳由批次处理部6处理前的多片基片8的承载器9输送到承载器栈12或承载器载置台14。
承载器栈12暂时保管收纳由批次处理部6处理前的多片基片8的承载器9。
用后文所述的基片输送装置15从被输送到承载器载置台14且收纳由批次处理部6处理前的多片基片8的承载器9送出多片基片8。
此外，从基片输送装置15将由批次处理部6处理后的多片基片8送入载置于承载器载置台14的没有收纳基片8的承载器9。
承载器送入送出部2使用承载器输送装置11将载置于承载器载置台14的收纳由批次处理部6处理后的多片基片8的承载器9输送到承载器栈13或承载器站10。
被输送到承载器站10的承载器9被送出至外部。
在批次形成部3设置有输送多片(例如，25片)基片8的基片输送装置15。批次形成部3进行2次由基片输送装置15进行的多片(例如，25片)基片8的输送，形成由多片(例如，50片)基片8构成的批次。
批次输送部5在批次载置部4与批次处理部6之间、批次处理部6的内部间进行批次的输送。
在批次输送部5设置有进行批次的输送的批次输送装置19。批次输送装置19具有：沿批次载置部4和批次处理部6配置的导轨20；和一边用基片保持体22保持批次一边沿导轨20移动的移动体21。
批次处理部6对由以垂直姿态前后排列的多片基片8形成的批次进行蚀刻、清洗、干燥等处理。
在批次处理部6并排设置有2台蚀刻处理装置23、清洗处理装置24、基片保持体清洗处理装置25和干燥处理装置26。蚀刻处理装置23对批次进行蚀刻处理。清洗处理装置24进行批次的清洗处理。基片保持体清洗处理装置25进行基片保持体22的清洗处理。干燥处理装置26进行批次的干燥处理。此外，蚀刻处理装置23的台数不限于2台，可以是1台，也可以是3台以上。
蚀刻处理装置23具有蚀刻用的处理槽27、冲洗用的处理槽28和基片升降机构29、30。
在蚀刻用的处理槽27积存蚀刻用的处理液(以下，称为“蚀刻液”)，能够进行蚀刻处理。在冲洗用的处理槽28积存冲洗用的处理液(纯水等)，能够进行冲洗处理。此外，蚀刻用的处理槽27的详情将于后文叙述。
在基片升降机构29、30以垂直姿态前后排列地保持形成批次的多片基片8。
清洗处理装置24具有清洗用的处理槽31、冲洗用的处理槽32和基片升降机构33、34。
在清洗用的处理槽31积存清洗用的处理液(SC-1等)。在冲洗用的处理槽32积存冲洗用的处理液(纯水等)。在基片升降机构33、34以垂直姿态前后排列地保持1个批次的量的多片基片8。
干燥处理装置26具有处理槽35和相对于处理槽35升降的基片升降机构36。
对处理槽35供给干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)。在基片升降机构36以垂直姿态前后排列地保持1个批次的量的多片基片8。
干燥处理装置26用基片升降机构36从批次输送装置19的基片保持体22接收批次，用基片升降机构36使接收到的批次下降而送入处理槽35，用供给到处理槽35的干燥用处理气体进行批次的干燥处理。然后，干燥处理装置26用基片升降机构36使批次上升，将进行了干燥处理的批次从基片升降机构36交接到批次输送装置19的基片保持体22。
基片保持体清洗处理装置25具有处理槽37，对处理槽37供给清洗用的处理液和干燥气体。基片保持体清洗处理装置25在对批次输送装置19的基片保持体22供给了清洗用的处理液后，通过供给干燥气体来进行基片保持体22的清洗处理。
接下来，参照图2，对蚀刻用的处理槽27进行说明。图2是表示实施方式的蚀刻用的处理槽27的结构的概略框图。在图2所示的处理槽27中，使用磷酸(H3PO4)水溶液作为蚀刻处理中使用的蚀刻液(处理液)。另外，此处所示的蚀刻处理是一例，蚀刻液不限于磷酸水溶液。
蚀刻用的处理槽27具有磷酸水溶液供给部40、磷酸水溶液排出部41、纯水供给部42、内槽43和外槽44。
磷酸水溶液供给部40具有磷酸水溶液供给源40A、磷酸水溶液供给通路40B和第1流量调节器40C。
磷酸水溶液供给源40A是积存磷酸水溶液的罐。磷酸水溶液供给通路40B将磷酸水溶液供给源40A与外槽44连接，将磷酸水溶液从磷酸水溶液供给源40A供给到外槽44。
第1流量调节器40C调节向外槽44供给的磷酸水溶液的流量。第1流量调节器40C由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
纯水供给部42具有纯水供给源42A、纯水供给通路42B和第2流量调节器42C。纯水供给部42为了补给因加热蚀刻液而蒸发的水分，对外槽44供给纯水(DIW)。能够通过用纯水供给部42供给DIW来调节蚀刻液的磷酸浓度。
纯水供给通路42B将纯水供给源42A与外槽44连接，将规定温度的纯水从纯水供给源42A供给到外槽44。
第2流量调节器42C设置于纯水供给通路42B，调节向外槽44供给的纯水的流量。第2流量调节器42C由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
内槽43的上部开放，蚀刻液被供给至上部附近。在内槽43内，用基片升降机构29将批次(多片基片8)浸渍在蚀刻液中，对基片8进行蚀刻处理。此外，在内槽43设置有检测内槽43内的蚀刻液的温度的温度传感器80。
外槽44设置于内槽43的上部周围且上部开放。从内槽43溢出的蚀刻液流入外槽44。此外，从纯水供给部42对外槽44供给纯水。
外槽44与内槽43通过循环通路50连接。循环通路50的一端与外槽44连接，循环通路50的另一端与设置于内槽43内的处理液供给喷嘴46连接。
在循环通路50，从外槽44侧起依次设置泵51、加热器52、过滤器53和浓度传感器54。外槽44内的蚀刻液被加热器52加热后从处理液供给喷嘴46流入内槽43内。
加热器52将供给到内槽43的蚀刻液加热至适合蚀刻处理的第1规定温度。加热器52基于来自控制装置100(参照图1)的信号来控制输出，即蚀刻液的加热量。浓度传感器54检测蚀刻液的磷酸浓度。
通过使泵51驱动，蚀刻液从外槽44经由循环通路50被输送到内槽43内。此外，蚀刻液通过从内槽43溢出而再次流出到外槽44。这样一来，形成蚀刻液的循环路径55。即，循环路径55由外槽44、循环通路50、内槽43形成。在循环路径55中，以内槽43为基准，外槽44设置在比加热器52靠上游侧处。
磷酸水溶液排出部41在更换蚀刻处理中使用的蚀刻液的全部或一部分时将蚀刻液排出。磷酸水溶液排出部41具有排出通路41A、第3流量调节器41B和冷却罐41C。
排出通路41A与循环通路50连接。第3流量调节器41B设置于排出通路41A，调节排出的蚀刻液的排出量。第3流量调节器41B由开闭阀、流量控制阀和流量计等构成。冷却罐41C暂时保存并冷却流经排出通路41A而来的蚀刻液。
另外，构成第1流量调节器40C～第3流量调节器41B的开闭阀的开闭、流量控制阀的开度通过执行器(未图示)基于来自控制装置100的信号进行动作而被变更。即，构成第1流量调节器40C～第3流量调节器41B的开闭阀、流量控制阀由控制装置100控制。
接下来，对实施方式的控制装置100进行说明。控制装置100控制基片处理装置1的各部(承载器送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6)的动作。控制装置100基于来自开关等的信号来控制基片处理装置1的各部的动作。
此处，参照图3，对在实施方式的控制装置100中执行的蚀刻处理的功能的一部分进行说明。图3是说明实施方式的控制装置100的一部分的框图。
控制装置100包括控制部60和存储部61。控制部60包括获取部70、判断部71、读取部72、生成部73和执行部74。
控制部60例如包括具有CPU(Central Processing Unit，中央处理器)、ROM(ReadOnly Memory，只读存储器)、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)、HDD(HardDisk Drive，硬盘驱动器)、输入输出端口等的计算机、各种电路。
计算机的CPU通过例如将存储于ROM的程序读取到RAM并执行，来作为控制部60的获取部70、判断部71、读取部72、生成部73和执行部74发挥作用。此时，RAM被用作CPU的工作区域。此外，RAM能够暂时存储通过蚀刻处理而得到的数据等。
此外，控制部60的至少任意一部分或全部也能够由ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit，专用集成电路)、FPGA(Field Programmable Gate Array，现场可编程逻辑门阵列)等硬件构成。
此外，存储部61是能够由计算机读取的存储介质。在存储部61能够保存控制在基片处理装置1中执行的各种处理的程序。
控制装置100通过读取并执行存储于存储部61中的程序来控制基片处理装置1的动作。另外，程序是存储于能够由计算机读取的存储部61中的程序，不过也可以是从其他存储介质安装到控制装置100的存储部61中的程序。
作为能够由计算机读取的存储部61，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
获取部70获取蚀刻处理的方案信息。方案信息可以由操作者直接输入，或者也可以经由终端装置等输入。
方案信息是作为蚀刻处理的条件的参数，是对蚀刻处理的经过时间进行设定的设定值信息。方案信息中包含与蚀刻处理的经过时间相应的磷酸浓度的设定值信息(以下，称为“磷酸设定浓度”)、内槽43内的蚀刻液的设定值信息(以下，称为“槽内设定温度”)。此外，方案信息中也可以包含关于蚀刻液中的硅浓度、内槽43的液面的高度的信息等。
此外，获取部70获取用于在蚀刻处理中进行反馈控制的信号。获取部70从检测基片处理状态的传感器，具体而言从浓度传感器54和温度传感器80获取信号。
获取部70获取关于由浓度传感器54检测到的蚀刻液中的磷酸的浓度(以下，称为“磷酸检测浓度”)的信号。此外，获取部70获取关于由温度传感器80检测到的内槽43内的蚀刻液的温度(以下，称为“槽内检测温度”)的信号。
另外，获取部70也可以从检测蚀刻液中的硅浓度的硅浓度传感器、检测内槽43的液面的高度的液面传感器等获取信号。
此外，获取部70获取环境信息。环境信息是关于开始蚀刻处理时的蚀刻处理装置23附近的环境的信息。例如，环境信息是关于蚀刻液的沸腾状态的信息。
环境信息中包含关于蚀刻处理开始时的大气压(以下，称为“开始时大气压”)的信息。开始时大气压由气压传感器81来检测。即，获取部70获取关于由气压传感器81检测到的开始时大气压的信号。此外，环境信息中也可以包含关于蚀刻处理装置23附近的温度的信息、关于蚀刻处理装置23附近的湿度的信息、基片处理装置1的排气信息等。
判断部71在开始蚀刻处理时，判断是否存在与所获取的方案信息和所获取的环境信息一致的记录。
记录中相关联地登记蚀刻处理的各种信息。各种信息中包含蚀刻处理的方案信息、环境信息和控制值信息。
控制值信息是关于与蚀刻处理的经过时间相应的控制对象的控制值的信息。控制对象是与方案信息相关联的、为了实现方案信息的各设定值而被执行控制的对象。此外，控制对象的控制值是对控制对象的实际的输出值。
例如，在方案信息是关于磷酸设定浓度的信息的情况下，控制对象是调节蚀刻液的磷酸浓度的第2流量调节器42C的流量控制阀。此外，控制对象的控制值是调节第2流量调节器42C的流量控制阀的开度，即流量控制阀的开度的执行器的输出值。另外，在下文中，将作为第2流量调节器42C的流量控制阀的开度的控制对象的控制值称作“DIW供给量”。
此外，在方案信息是关于槽内设定温度的信息的情况下，控制对象是加热器52。此外，控制对象的控制值是加热器52的输出(以下，称为“加热器输出”)。
另外，控制值信息中也可以包含关于第1流量调节器40C的流量控制阀的开度等的信息。
判断部71判断是否过去用过与所获取的方案信息相同的方案信息以及与所获取的环境信息相同的环境信息进行蚀刻处理，方案信息、环境信息和控制值信息已登记并存储于记录中。即，判断部71判断是否存在登记有与所获取的方案信息相同的方案信息以及与所获取的环境信息相同的环境信息的记录。另外，在没有登记有与所获取的方案信息相同的方案信息以及与所获取的环境信息相同的环境信息的记录的情况下，将所获取的方案信息和所获取的环境信息存储在工作区域中。
此外，判断部71判断是否基于从浓度传感器54、温度传感器80获取的信号，将控制对象的控制方法从反馈控制切换为基于存储于记录中的控制值信息的控制(以下，称为“存储控制”)。
判断部71对于与没有发生异常的传感器有关的控制对象的控制方法，判断为维持反馈控制。此外，判断部71在传感器发生异常的情况下，判断为将与发生了异常的传感器有关的控制对象的控制方法从反馈控制变更为存储控制。
传感器的异常例如是由传感器检测的值大幅偏离于正常时检测的值的状态、因断线等而没有发送信号的状态。此外，关于传感器的异常，可以从传感器发出异常信号，也可以由判断部71来进行判断。
此外，判断部71基于蚀刻处理的经过时间来判断蚀刻处理是否结束。
读取部72在蚀刻处理进行时，从存储部61读取与所获取的方案信息和所获取的环境信息一致的记录。即，读取部72从存储部61读取登记有与所获取的方案信息相同的方案信息以及与所获取的环境信息相同的环境信息的记录。
生成部73在蚀刻处理结束的情况下，生成登记有蚀刻处理的各种信息，具体而言登记有方案信息、环境信息和控制值信息的记录。生成部73按每个蚀刻处理的条件生成1个记录。具体而言，生成部73按每个方案信息和环境信息来生成记录。即，生成部73在方案信息和环境信息不同的情况下，生成不同的记录。所生成的记录被存储在存储部61中。
例如，生成部73如图4所示，生成m个记录。图4是表示实施方式的记录的概念的示意图。例如，在记录No1和记录No7中，作为方案信息的关于磷酸设定浓度的信息不同，其他方案信息和环境信息相同。
在记录No1中，作为环境信息，登记关于开始时大气压“e”的信息。此外，记录No1中，对于蚀刻处理的经过时间“t1”～“tn”，将作为方案信息的关于磷酸设定值浓度“a1”～“an”的信息相关联地登记。此外，在记录No1中，将作为控制值信息的DIW供给量，即关于第2流量调节器42C的流量控制阀的开度“c1”～“cn”的信息相关联地登记。
此外，在记录No1中，对于蚀刻处理的经过时间“t1”～“tn”，将作为方案信息的关于槽内设定值温度“b1”～“bn”的信息相关联地登记。此外，在记录No1中，将作为控制值信息的关于加热器输出“d1”～“dn”的信息相关联地登记。
在记录No7中，作为环境信息，登记关于开始时大气压“e”的信息。此外，在记录No7中，对于蚀刻处理的经过时间“t1”～“tn”，将作为方案信息的关于磷酸设定浓度“A1”～“An”的信息相关联地登记。此外，在记录No7中，将作为控制值信息的关于DIW供给量“C1”～“Cn”的信息相关联地登记。
生成部73生成每隔预先设定的时间间隔例如每隔1分钟的方案信息和控制值信息与经过时间相关联地登记的记录，存储在存储部61中。此外，生成部73也可以按方案信息的值变更的每个时间，生成将方案信息和控制值信息与经过时间相关联地登记的记录，存储在存储部61中。
在进行蚀刻处理时，生成部73在具有登记有与所获取的方案信息相同的方案信息和与所获取的环境信息相同的环境信息的记录的情况下，更新记录的控制值信息。具体而言，生成部73在蚀刻处理结束后，利用通过蚀刻处理得到的新的控制值信息，覆盖登记在记录中的控制值信息，进行更新。
在进行蚀刻处理时，生成部73在没有登记与所获取的方案信息相同的方案信息和与所获取的环境信息相同的环境信息的记录的情况下，重新生成记录。另外，生成部73在蚀刻处理中通过反馈控制控制所有控制对象而蚀刻处理正常结束了的情况下，重新生成记录。
返回图3，执行部74基于方案信息来输出对各控制对象的控制信号，执行各控制对象的控制。对控制对象的控制信号是控制对象的控制值。控制对象的控制值被存储在工作区域中。
执行部74基于传感器的检测值，对与没有发生异常的传感器有关的控制对象执行反馈控制。
执行部74对与发生了异常的传感器有关的控制对象停止反馈控制，基于所读取的记录的控制值信息来执行存储控制。即，执行部74在与控制对象的反馈控制相关联的传感器没有发生异常的情况下，对控制对象进行反馈控制。此外，执行部74在与控制对象的反馈控制相关联的传感器发生了异常的情况下，对控制对象执行存储控制。
执行部74在进行存储控制的情况下，输出基于登记在记录中的控制值信息的控制信号。
另外，执行部74对与发生了异常的传感器不相关的控制对象，继续进行反馈控制。
例如，在浓度传感器54发生了异常、温度传感器80没有发生异常的情况下，执行部74将对于第2流量调节器42C的流量控制阀的开度的控制从反馈控制切换为存储控制。此外，执行部74将对于加热器52的控制维持为反馈控制。
接下来，参照图5A和图5B，对在实施方式的蚀刻处理中浓度传感器54发生了异常的情况进行说明。图5A是表示在实施方式的蚀刻处理中，浓度传感器54没有发生异常的情况下的磷酸设定浓度、磷酸检测浓度和DIW供给量的图。图5B是表示在实施方式的蚀刻处理中，浓度传感器54发生了异常的情况下的磷酸设定浓度、磷酸检测浓度、和DIW供给量的图。另外，此处，登记有蚀刻处理的方案信息和环境信息的记录已经被存储了。
控制装置100读取与蚀刻处理的方案信息和环境信息一致的记录，在时间t0开始进行基于反馈控制的蚀刻处理，在时间tn结束蚀刻处理。
在浓度传感器54没有发生异常的情况下，控制装置100基于由浓度传感器54检测到的磷酸检测浓度，进行DIW供给量的反馈控制以使得成为磷酸设定浓度。具体而言，控制装置100控制第2流量调节器42C的流量控制阀的开度，控制DIW供给量。
与此相对，在时间ts1浓度传感器54发生了异常的情况下，控制装置100无法在时间ts1之后基于磷酸检测浓度进行DIW供给量的反馈控制。
于是，控制装置100在时间ts1之后基于所读取的记录的DIW供给量的控制值信息来控制DIW供给量。
由此，控制装置100在浓度传感器54发生了异常的情况下，也能够一边调节磷酸浓度一边继续进行蚀刻处理。
接下来，参照图6A和图6B，对在实施方式的蚀刻处理中温度传感器80发生了异常的情况进行说明。图6A是表示在实施方式的蚀刻处理中温度传感器80没有发生异常的情况下的槽内设定温度、槽内检测温度和加热器输出的图。图6B是表示在实施方式的蚀刻处理中温度传感器80发生了异常的情况下的槽内设定温度、槽内检测温度和加热器输出的图。另外，此处，登记有蚀刻处理的方案信息和环境信息的记录已经被存储了。
在温度传感器80没有发生异常的情况下，控制装置100基于由温度传感器80检测到的槽内检测温度，进行加热器输出的反馈控制以使得成为槽内设定温度。
与此相对，在时间ts2温度传感器80发生了异常的情况下，控制装置100在时间ts2之后基于所读取的记录的加热器输出的控制值信息来控制加热器输出。
由此，控制装置100在温度传感器80发生了异常的情况下，也能够一边调节槽内温度一边继续进行蚀刻处理。
另外，例如，在时间ts2浓度传感器54没有发生异常的情况下，控制装置100基于由浓度传感器54检测到的磷酸检测浓度，进行DIW供给量的反馈控制以使得成为磷酸设定浓度。
接下来，参照图7，对实施方式的蚀刻处理进行说明。图7是表示实施方式的蚀刻处理的流程图。
控制装置100获取蚀刻处理的方案信息和环境信息(S100)。步骤S100是获取步骤的一例。
控制装置100判断是否存在登记有与所获取的方案信息相同的方案信息和与所获取的环境信息相同的环境信息的记录(S101)。控制装置100在不存在登记有与所获取的方案信息相同的方案信息和与所获取的环境信息相同的环境信息的记录的情况下(S101：否(No))，将所获取的方案信息和所获取的环境信息存储在工作区域中(S102)。
控制装置100在存在登记有与所获取的方案信息相同的方案信息和与所获取的环境信息相同的环境信息的记录的情况下(S101：是(Yes))，读取与所获取的方案信息和所获取的环境信息一致的记录(S103)。步骤S103是读取步骤的一例。
控制装置100执行蚀刻处理(S104)。控制装置100对各控制对象进行反馈控制，执行蚀刻处理。此外，控制装置100将反馈控制中的各控制对象的控制值信息存储在工作区域中。步骤S104是反馈控制步骤的一例。
控制装置100判断蚀刻处理是否结束(S105)。控制装置100在蚀刻处理没有结束的情况下(S105：否)，判断浓度传感器54或温度传感器80是否发生了异常(S106)。
控制装置100在浓度传感器54和温度传感器80没有发生异常的情况下(S106：否)，继续进行蚀刻处理(S104)。
控制装置100在浓度传感器54或温度传感器80发生了异常的情况下(S106：是)，停止与发生了异常的传感器有关的控制对象的反馈控制(S107)。
控制装置100对于停止了反馈控制的控制对象，读取登记于记录中的控制值信息(S108)。
控制装置100基于所读取的控制值信息对控制对象进行存储控制(S109)，继续进行蚀刻处理(S104)。步骤S109是控制步骤的一例。
控制装置100在蚀刻处理结束了的情况下(S105：是)，存储登记有蚀刻处理的方案信息、环境信息和控制值信息的记录(S110)。步骤S110是存储步骤和生成步骤的一例。
具体而言，控制装置100在不存在登记有与所获取的方案信息相同的方案信息和与所获取的环境信息相同的环境信息的记录的情况下，在新的记录中登记方案信息、环境信息和控制值信息，存储记录。即，控制装置100生成、存储新的记录。
此外，控制装置100在存在登记有与所获取的方案信息相同的方案信息和与所获取的环境信息相同的环境信息的记录的情况下，用新获得的控制值信息覆盖登记在记录中的控制值信息，更新记录。控制装置100存储已更新的记录。
接下来，对实施方式的基片处理装置1的效果进行说明。
基片处理装置1包括：生成部73，其将基片处理的方案信息和基片处理的控制对象的控制值信息以按每个方案信息生成一个记录的方式生成记录；存储所生成的记录的存储部61；在进行基片处理时获取方案信息的获取部70；和执行部74，其基于登记有与所获取的方案信息相同的方案信息的记录的控制值信息来控制控制对象。
即，基片处理装置1中，作为基片处理方法，包括：生成步骤，其将基片处理的方案信息和基片处理的控制对象的控制值信息以按每个方案信息生成一个记录的方式生成记录；存储记录的存储步骤；在进行基片处理时获取方案信息的获取步骤；读取步骤，其读取存储有与所获取的方案信息相同的方案信息的记录；和控制步骤，其基于所读取的记录的方案信息中的控制值信息来控制控制对象。
由此，基片处理装置1能够基于存储于记录中的第2流量调节器42C的流量控制阀的开度来进行存储控制。因此，基片处理装置1能够稳定地持续进行基片处理。例如，基片处理装置1能够在发生异常时或维护时等与通常不同的状况下，继续进行蚀刻处理。
此外，基片处理装置1在与控制对象有关的传感器没有发生异常的情况下，通过反馈控制来控制控制对象。此外，基片处理装置1在与控制对象有关的传感器发生了异常的情况下，通过存储控制来控制控制对象。
由此，基片处理装置1能够通过反馈控制来高精度地控制控制对象，并且在发生了异常的情况下继续进行蚀刻处理。
此外，记录中包含基片处理的环境信息。基片处理装置1读取登记有与所获取的方案信息相同的方案信息和与所获取的环境信息相同的环境信息的记录。
由此，基片处理装置1能够在进行存储控制的情况下，基于与环境信息相应的控制值信息来进行存储控制。因此，基片处理装置1在进行存储控制的情况下，能够根据环境信息高精度地进行蚀刻处理。
此外，基片处理装置1基于新获得的控制值信息来更新记录。
由此，基片处理装置1在通过存储控制进行蚀刻处理的情况下，以与根据相同方案信息和相同环境信息进行的最新的反馈控制相近的状态来继续进行蚀刻处理。因此，基片处理装置1能够高精度地进行基于存储控制的蚀刻处理。
此外，基片处理装置1在基片处理正常结束了的情况下，即所有控制对象被反馈控制控制而结束了的情况下，生成、存储记录。
由此，基片处理装置1能够将正确的控制值信息登记在记录中，存储记录。因此，基片处理装置1在进行存储控制的情况下，能够高精度地进行蚀刻处理。
接下来，对变形例的基片处理装置1进行说明。
变形例的基片处理装置1可以在蚀刻处理时，能够由操作者选择记录。变形例的基片处理装置1可以通过由操作者选择所存储的记录，读取存储在记录中的方案信息。
此外，变形例的基片处理装置1也可以在更新登记于记录中的控制值信息时，不更新进行了存储控制的控制对象的控制值信息，而更新进行了反馈控制的控制对象的控制值信息。
此外，变形例的基片处理装置1也可以在通过反馈控制控制所有控制对象，蚀刻处理正常结束了的情况下，更新控制值信息。即，变形例的基片处理装置1在通过存储控制进行了蚀刻处理的情况下，不更新控制值信息。
由此，变形例的基片处理装置1能够用正确的控制值信息来更新登记于记录中的控制值信息。
变形例的基片处理装置1也可以例如根据操作者的操作而从反馈控制切换为存储控制，来控制控制对象。
由此，变形例的基片处理装置1例如能够在由传感器检测到的检测值发生了偏差的情况下，工作人员从反馈控制切换为存储控制而继续进行蚀刻处理。此外，变形例的基片处理装置1例如为传感器发生异常的状态，也能够通过存储控制开始蚀刻处理。
此外，变形例的基片处理装置1也可以在蚀刻处理中环境信息例如大气压超过预先设定的范围而发生变化的情况下，中止蚀刻处理。
上述实施方式和变形例中的基片处理装置1作为进行处理多片基片8的蚀刻处理的装置进行了说明，但其是一例，也可以是进行逐片清洗基片8的单片式的蚀刻处理的装置。此外，上述的存储控制也可以应用于干燥处理装置26等。即，能够对可获得方案信息和控制对象的控制值信息的所有基片处理工艺使用上述存储控制。此外，上述的存储控制也可以应用于一边用辊等在水平方向上输送基片一边对基片进行处理的基片处理。
另外，获取部70也可以从检测磷酸水溶液的流量的流量传感器、检测纯水的流量的流量传感器、检测基片处理装置1的排气压的排气压传感器等获取信号。即，获取部70可以在基片处理工艺中，从用于执行反馈控制的所有或一部分传感器获取信号。此外，控制对象包括在基片处理工艺中被执行反馈控制的对象。例如，控制对象也可以包括调节基片处理装置1的排气压的风门(damper)。该情况下，控制对象的控制值是风门的输出。
另外，应当认为，此次公开的实施方式的所有方面均是例示，而非限定性的。实际上，上述的实施方式能够通过多种方式来实现。此外，上述的实施方式也可以在不脱离所附的权利要求及其宗旨的范围内以各种方式进行省略、置换、变更。

Claims (10)

1.一种基片处理方法，其特征在于，具有：
生成步骤，其将基片处理的方案信息和所述基片处理的控制对象的控制值信息以按每个所述方案信息生成一个记录的方式生成记录；
存储所述记录的存储步骤；
在进行基片处理时获取方案信息的获取步骤；
读取步骤，其读取存储有与所获取的所述方案信息相同的方案信息的所述记录；和
控制步骤，其基于所读取的所述记录的所述方案信息中的所述控制值信息来控制所述控制对象。
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
在检测基片处理状态的传感器发生了异常的情况下，基于所述控制值信息来控制所述控制对象。
3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：
包括反馈控制步骤，其基于由所述传感器检测到的值和所获取的所述方案信息来对所述控制对象进行反馈控制，
在所述传感器没有发生异常的情况下，通过所述反馈控制来控制所述控制对象，在所述传感器发生了异常的情况下，基于所述控制值信息来控制所述控制对象。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
所述记录中包含所述基片处理的环境信息，
在所述获取步骤中，获取基片处理开始时的环境信息，
在所述读取步骤中，读取登记有与所获取的所述方案信息相同的方案信息和与所获取的所述环境信息相同的环境信息的所述记录。
5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述基片处理正常结束了的情况下，生成、存储所述记录。
6.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
基于新获得的控制值信息来更新所读取的所述记录。
7.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
生成部，其将基片处理的方案信息和所述基片处理的控制对象的控制值信息以按每个方案信息生成一个记录的方式生成记录；
存储所生成的所述记录的存储部；
在进行基片处理时获取方案信息的获取部；和
基于所述记录的所述控制值信息来控制所述控制对象的执行部，其中所述记录登记有与所获取的所述方案信息相同的方案信息。
8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：
所述执行部在检测基片处理状态的传感器发生了异常的情况下，基于所述控制值信息来控制所述控制对象。
9.如权利要求7或8所述的基片处理装置，其特征在于：
所述生成部基于新获得的控制值信息来更新所述记录。
10.如权利要求7或8所述的基片处理装置，其特征在于：
所述生成部生成包含所述基片处理的环境信息的所述记录，
所述获取部获取基片处理开始时的环境信息，
所述执行部基于所述记录的所述控制值信息来控制所述控制对象，其中所述记录登记有与所获取的所述方案信息相同的方案信息和与所获取的所述环境信息相同的环境信息。
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