CN105374715A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能抑制在处理单元检测出异常的情况下的生产率的降低的基板处理装置和基板处理方法。本发明的基板处理装置包括处理单元；以及控制部，其用于使处理单元执行基板处理。控制部使处理单元实施基板处理，并根据包含在基板处理后利用基板表面测定检测出的异常的内容的异常检测信息，使被检测出异常的处理单元执行改善处理，改善处理由使异常的内容和改善处理相互对应而得到的改善处理信息确定。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
以往，在具有用于对半导体晶圆、玻璃基板等基板进行处理的多个处理单元的基板处理装置中，对各处理单元的动作状况进行定期检查。
例如，在专利文献1中，公开了一种通过监视蚀刻液的流量、温度等来判断各处理单元的动作状况是否存在异常的技术。在该专利文献1所记载的技术中，在检测出处理单元的动作状况存在异常的情况下，检索数据库并确定值班中的操作者，用电子邮件向确定了的操作者通知包含异常的内容等的信息。
专利文献1：日本特开2005－064214号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在所述以往技术中，当要进行改善作业的操作者花费时间赶到现场时，改善作业会产生延迟，改善作业的延迟相应地导致处理单元的修复延迟，在此期间不能使用处理单元，从而有可能使基板处理装置的运转率降低。
尤其是，近年来，工厂的无人化不断发展，操作者赶到现场所花费的时间变长。因此，如何抑制因操作者不在而导致处理单元的修复的延迟成为一个问题。
此外，在基板处理装置中，作为专利文献1所记载的检查方法以外的检查方法，有时在将检查用的监控晶圆输入到处理单元中并使处理单元执行一系列的基板处理之后，使用外部的测定器调查处理后的监控晶圆的表面，由此对处理单元的动作状况进行检查。在进行这样的检查时也同样地可能产生所述问题。
一技术方案的目的在于，提供能够抑制在检测出处理单元存在异常的情况下的运转率的降低的基板处理装置和基板处理方法。
用于解决问题的方案
本发明的一技术方案提供一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括：处理单元，其用于对基板进行处理；以及控制部，其用于使所述处理单元执行基板处理，所述控制部使所述处理单元实施基板处理，并根据包含在所述基板处理后利用基板表面测定检测出的异常的内容的异常检测信息，使被检测出异常的处理单元执行改善处理，所述改善处理由使所述异常的内容和所述改善处理相互对应而得到的改善处理信息确定
本发明的又一技术方案提供一种基板处理方法，其是基板处理装置中的基板处理方法，该基板处理装置包括：处理单元，其用于处理基板；以及控制部，其用于使所述处理单元执行基板处理，其特征在于，该基板处理方法包括：基板处理工序，在该基板处理工序中，利用用于对基板进行处理的处理单元来进行基板处理；以及改善处理工序，在该改善处理工序中，进行改善处理，该改善处理基于包含利用在所述基板处理工序后实施的基板表面测定检测出的异常的内容的异常检测信息，针对被检测出异常的处理单元执行所述改善处理工序，所述改善处理由使所述异常的内容和所述改善处理相互对应而得到的改善处理信息确定。
发明的效果
采用本发明的一技术方案，能够抑制在处理单元检测出异常的情况下的生产率的降低。
附图说明
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。
图2是表示处理单元的概略结构的图。
图3是检查处理的概要说明图。
图4是表示处理单元的具体结构的一个例子的图。
图5是表示处理单元所执行的一系列的基板处理的处理步骤的流程图。
图6是表示改善处理信息的一个例子的图。
图7是表示在检查处理中控制部所执行的处理步骤的一个例子的流程图。
图8是表示在检查处理中控制部所执行的处理步骤的另一个例子的流程图。
图9是第2实施方式的检查处理的概要说明图。
图10是表示在第2实施方式的检查处理中控制部所执行的处理步骤的一个例子的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本申请的基板处理装置和基板处理方法的实施方式。此外，本发明并不受以下所示的实施方式的限定。
第1实施方式
1.基板处理系统的概略结构
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。以下，为了使位置关系清楚，对互相正交的X轴、Y轴及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1包括输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻地设置。
输入输出站2包括承载件载置部11和输送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件C，该多个承载件C用于将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称作晶圆W)以水平状态收纳。
输送部2与承载件载置部11相邻地设置，在输送部12的内部具有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间输送晶圆W。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在输送部15的两侧的方式设置。
输送部15在内部具有基板输送装置17。基板输送装置17具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间输送晶圆W。
处理单元16用于对由基板输送装置17输送过来的晶圆W进行预先设定的基板处理。
另外，基板处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，其包括控制部18和存储部19。在存储部19中存储有用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行被存储在存储部19中的程序来控制基板处理系统1的动作。
此外，该程序既可以是存储在可由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)以及存储卡等。
在如所述那样构成的基板处理系统1中，首先，输入输出站2的基板输送装置13将晶圆W自载置于承载件载置部11的承载件C取出，并将取出后的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板输送装置17将被载置于交接部14的晶圆W自交接部14取出并将其输入到处理单元16中。
在利用处理单元16对被输入到处理单元16中的晶圆W进行处理之后，利用基板输送装置17将该晶圆W自处理单元16输出并将其载置于交接部14。然后，利用基板输送装置13将载置于交接部14的处理完成后的晶圆W返回到载置部11的承载件C。
2.处理单元的概略结构
接下来，参照图2说明处理单元16的结构。图2是表示处理单元16的概略结构的图。
如图2所示，处理单元16包括腔室20、基板保持机构30、处理流体供给部40、以及回收杯50。
腔室20用于收纳基板保持机构30、处理流体供给部40、以及回收杯50。在腔室20的顶部设有FFU(FanFilterUnit：风机过滤单元)21。FFU21用于在腔室20内形成下降流。
基板保持机构30包括保持部31、支柱部32、以及驱动部33。保持部31水平保持晶圆W。支柱部32是沿铅垂方向延伸的构件，其基端部被驱动部33支承为能够旋转，支柱部32在顶端部水平支承保持部31。驱动部33用于使支柱部32绕铅垂轴线旋转。该基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转而使由支柱部32支承着的保持部31旋转，由此，使由保持部31保持着的晶圆W旋转。
处理流体供给部40用于对晶圆W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70相连接。
回收杯50以包围旋转保持部31的方式配置，以收集因保持部31的旋转而自晶圆W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，自该排液口51将由回收杯50收集到的处理液排出到处理单元16的外部。另外，在回收杯50的底部形成有排气口52，该排气口52用于将自FFU21供给过来的气体排出到处理单元16的外部。
3.检查处理的概要
另外，在基板处理系统1中，在各处理单元16处理产品晶圆之前，定期地进行用于对各处理单元16的动作状况进行检查的检查处理。参照图3说明该检查处理的概要。图3是检查处理的概要说明图。此外，在图3中，以实线的箭头表示监控晶圆的流动，以虚线的箭头表示数据的流动。
此外，在此，示出了使用监控晶圆进行检查处理的情况的例子，但也可以是，不使用监控晶圆进行检查处理，而使用产品晶圆进行检查处理。另外，在此，示出定期地进行检查处理的情况的例子，但也可以是，不定期地进行检查处理，例如在处理单元的维护后等不定期地进行检查处理。
如图3所示，在设有基板处理系统1的工厂100内，除了设有基板处理系统1、控制装置4以外，还设有测定器5。测定器5是用于对晶圆W的表面(被处理面)的状态进行测定的装置。例如，测定器5是用于对附着于晶圆W的表面的微粒数进行检测的微粒计数器501、用于对形成在晶圆W上的膜的膜厚进行测定的膜厚测定装置502等。此外，在图3中示出了微粒计数器501和膜厚测定装置502，但也可以是，在工厂100内，根据测定项目而设置多个测定器5。
另外，在工厂100的外部设有主机终端6。主机终端6例如是PC(PersonalComputer：个人电脑)，其经由局域网(LAN)、因特网这样的网络与测定器5和控制装置4相连接。
在检查处理中，首先，将检查用的监控晶圆输入到各处理单元16中(S01)，使各处理单元16执行一系列的基板处理。接着，将处理后的监控晶圆自基板处理系统1输出并将其输入到测定器5中(S02)。测定器5对处理后的监控晶圆进行微粒测定、膜厚测定等表面测定，并将其测定结果经由网络发送至主机终端6(S03)。
接着，主机终端6在自测定器5取得测定结果时，根据取得的测定结果来对各处理单元16的动作状况的好坏进行判断。在本实施方式中，主机终端6根据膜厚测定的测定结果来判断蚀刻处理的好坏，并根据微粒测定的测定结果来判断微粒增加数的好坏。
在检查处理中使用的监控晶圆例如是以预先决定的膜厚形成有氧化膜等膜且附着有预先决定的数量的微粒的晶圆。主机终端6通过对一系列的基板处理后的监控晶圆的膜厚的测定结果和膜厚的初始值进行比较，从而判断蚀刻量是否在规定范围内。并且，在蚀刻量超过规定范围的情况下，主机终端6判断为该处理单元16的蚀刻处理产生异常。
另外，主机终端6通过对基板处理后的监控晶圆的微粒数的测定结果和微粒数的初始值进行比较来判断微粒的增加数是否在规定范围内。然后，在微粒的增加数超过规定范围的情况下，主机终端6判断为在该处理单元16中产生微粒。此外，在此，由主机终端6对各处理单元16的动作状况的好坏进行判断，但也可以由测定器5进行好坏的判断。另外，在此，对蚀刻处理的好坏和微粒增加数的好坏进行判断，但也可以仅对蚀刻处理的好坏和微粒增加数的好坏中的任意一者进行判断。
接着，在主机终端6进行好坏判断而结果在任意一个处理单元16处检测出异常的情况下，生成包含被检测出异常的处理单元16的识别符(单元ID)和表示所检测出的异常的内容的识别符(异常ID)的异常检测信息并将该异常检测信息发送至控制装置4(S04)。
然后，在控制装置4取得异常检测信息时，通过参照包含在取得的异常检测信息中的单元ID来确定被检测出异常的处理单元16，使确定了的处理单元16向监控模式转移(S05)。
此处，监控模式指的是禁止对产品晶圆执行一系列的基板处理的模式。通过如此使被检测出异常的处理单元16转移到监控模式，能够事先防止产品晶圆的处理不良。
此外，在本实施方式中，使检查处理的结果为被检测出异常的处理单元16向监控模式转移，但并不限于此，也可以在开始检查处理之前使处理单元16向监控模式转移。在该情况下，只要对检查处理的结果为被检测出异常的处理单元16维持监控模式并对检查处理的结果为没有被检测出异常的正常的处理单元16解除监控模式即可。
此处，以往，在使被检测出异常的处理单元转移到监控模式之后，操作者赶到现场进行改善作业，之后，在再次对处理单元实施检查处理而没有检测出异常的情况下，解除了监控模式。
然而，在该方法中，当操作者要花费时间赶到现场时，改善作业会产生延迟，改善作业的延迟相应地导致处理单元的修复延迟，从而有可能使基板处理装置的运转率降低。尤其是，近年来，工厂的无人化不断发展，操作者赶到现场所花费的时间变长。因此，如何抑制因操作者不在而导致运转率的降低成为一个问题。
因此，在本实施方式的基板处理系统1中，在使被检测出异常的处理单元16转移到监控模式之后，根据自主机终端6取得的异常检测信息，使处理单元16执行与异常的内容相对应的改善处理(S06)。由此，由于无论有无操作者均能够执行改善处理，因此能够抑制基板处理系统1的运转率的降低。
此外，改善处理是根据存储在存储部19中的改善处理信息191执行的。在后面叙述改善处理信息191、改善处理的具体内容。
4.处理单元的具体结构和基板处理的内容
接下来，参照图4说明本实施方式的处理单元16的具体结构的一个例子。图4是表示处理单元16的具体结构的一个例子的图。
如图4所示，在基板保持机构30所具有的保持部31的上表面设有用于从侧面保持晶圆W的卡盘311。该卡盘311以晶圆W与保持部31的上表面略微分开的状态水平保持晶圆W。
另外，处理流体供给部40包括喷嘴41、用于水平支承喷嘴41的臂42、以及用于使臂42旋转和升降的旋转升降机构43。喷嘴41经由阀61与HF供给源71相连接。另外，喷嘴41经由阀62与DIW供给源72相连接。处理流体供给部40用于自喷嘴41将从HF供给源71供给过来的HF或从DIW供给源72供给过来的DIW向由基板保持机构30保持着的晶圆W供给。
此外，HF是氢氟酸，是在一系列的基板处理中使用的蚀刻液的一个例子。另外，DIW是常温(23度～25度左右)的纯水，是在一系列的基板处理中使用的冲洗液的一个例子。另外，DIW也是在后述的卡盘清洗、喷嘴清洗、杯清洗以及腔室清洗中使用的清洗液的一个例子。
另外，处理单元16在腔室20内还包括喷嘴槽80和腔室清洗部90。喷嘴槽80是喷嘴清洗部的一个例子，用于对喷嘴41进行清洗的喷嘴清洗处理。具体而言，喷嘴槽80经由阀63与DIW供给源73相连接，通过朝向喷嘴41喷射自DIW供给源73供给过来的DIW来对喷嘴41进行清洗。将使用于喷嘴41的清洗后的清洗水经由排出路径81向外部排出。
另外，喷嘴槽80也是虚拟分配部的一个例子。即，在喷嘴槽80中，也进行喷嘴41的虚拟分配处理。虚拟分配处理指的是，为了例如防止处理液的劣化而在没有向晶圆W喷射处理液的待机过程中自喷嘴41适当喷射处理液的处理。将自喷嘴41喷射的处理液经由排出路径81向外部排出。
在此，喷嘴槽80是喷嘴清洗部和虚拟分配部的一个例子，示出了在喷嘴槽80处进行喷嘴清洗处理和虚拟分配处理这两个处理的情况下的例子，但处理单元16也可以分别具有喷嘴清洗部和虚拟分配部。
腔室清洗部90用于对腔室20的内壁进行清洗的腔室清洗处理。腔室清洗部90包括喷嘴91、用于水平支承喷嘴91的臂92、以及用于使臂92旋转和升降的旋转升降机构93。喷嘴91经由阀64与DIW供给源74相连接。该腔室清洗部90通过自喷嘴91将从DIW供给源74供给过来的DIW朝向腔室20的内壁喷射来对腔室20清洗。
接着，参照图5说明处理单元16所执行的一系列的基板处理的一个例子。图5是表示处理单元16所执行的一系列的基板处理的处理步骤的流程图。
此外，利用控制装置4所具有的控制部18来对由处理单元16进行的一系列的基板处理进行控制。控制部18例如是CPU(CentralProcessingUnit：中央处理器)，其通过读取并执行被存储在存储部19中的未图示的程序来使处理单元16执行一系列的基板处理。此外，控制部18也可以仅由硬件构成，而不使用程序。
如图5所示，在处理单元16中，首先，进行晶圆W的输入处理(步骤S101)。在该输入处理中，基板输送装置17(参照图1)将晶圆W载置于保持部31的未图示的支承销上，之后，卡盘311保持晶圆W。
接着，在处理单元16中，进行蚀刻处理(步骤S102)。在该蚀刻处理中，首先，驱动部33使保持部31旋转，由此，使由保持部31保持着的晶圆W以预先设定的转速旋转。接着，使处理流体供给部40的喷嘴41位于晶圆W的中央上方。之后，通过将阀61打开规定时间，从而自喷嘴41向晶圆W的表面(被处理面)供给自HF供给源71供给过来的HF。供给到了晶圆W上的HF在随着晶圆W的旋转而产生的离心力的作用下在晶圆W的整个表面上扩展。由此，形成于晶圆W的表面的膜被HF蚀刻。
接着，在处理单元16中，进行利用DIW冲洗晶圆W的表面的冲洗处理(步骤S103)。在该冲洗处理中，通过将阀62打开规定时间，从而自喷嘴41向晶圆W的表面供给自DIW供给源72供给过来的DIW，将残留在晶圆W上的DHF冲掉。接着，在处理单元16中，进行干燥处理(步骤S104)。在该干燥处理中，通过使晶圆W的转速加快来将晶圆W上的DIW甩出，从而使晶圆W干燥。
此外，步骤S103和步骤S104的处理是基板清洗处理的一个例子。在此，在冲洗处理后，进行了干燥处理，但也可以是，在冲洗处理后，在进行将晶圆W上的DIW置换为IPA(异丙醇：isopropylalcohol)的置换处理的基础上，进行干燥处理。
接着，在处理单元16中，进行输出处理(步骤S105)。在该输出处理中，使利用驱动部33进行的晶圆W的旋转停止，之后，利用基板输送装置17(参照图1)将晶圆W自处理单元16输出。在完成该输出处理时，就完成了对1张晶圆W进行的一系列的基板处理。
此外，在检查处理中，针对监控晶圆执行图5所示的一系列的基板处理。
5.改善处理信息的内容
接下来，参照图6说明在存储部19中存储的改善处理信息191的一个例子。图6是表示改善处理信息191的一个例子的图。
改善处理信息191是使由检查处理检测到的异常的内容和应执行的改善处理的内容相互对应而得到的信息。具体而言，如图6所示，在改善处理信息191中存储有“异常内容”项目和“改善处理”项目。
在“异常内容”项目中含有“类型”项目和“级别”项目。“类型”项目是存储表示“产生微粒”、“蚀刻不良”等异常的类型的信息的项目。另外，“级别”项目是存储有“Lv1”、“Lv2”等表示每个类型的异常的程度的信息的项目。例如，“产生微粒”的“Lv1”是表示一系列的基板处理后的监控晶圆的微粒增加数为“1个～50个”的信息，“产生微粒”的“Lv2”是表示一系列的基板处理后的监控晶圆的微粒增加数为“51个～100个”的信息。另外，对于“蚀刻不良”，也同样地，从偏离规定范围的偏离量较少的情况起依次被细化为“Lv1”、“Lv2”。
另一方面，“改善处理”项目是存储有表示应由处理单元16执行的改善处理的内容的信息的项目。例如，在“改善处理”项目中，与“异常内容”项目中的“产生微粒”的“Lv1”相互对应地存储有“卡盘清洗”，与“蚀刻不良”的“Lv1”相互对应地存储有“虚拟分配(Lv1)”。
此外，“异常内容”项目与包含在异常检测信息中的异常ID相对应，实际上存储有与异常ID相同的ID。另外，在“改善处理”项目中，实际上也存储有表示改善处理的内容的识别符(改善处理ID)。
6.检查处理中的控制部的具体动作
接下来，参照图7说明检查处理中的控制部18的具体动作。图7是表示在检查处理中控制部18所执行的处理步骤的一个例子的流程图。
如图7所示，控制部18判断是否自主机终端6取得了异常检测信息(步骤S201)。在该处理中，在判断为取得了异常检测信息的情况下(在步骤S201中为“是”)，控制部18使与包含在取得的异常检测信息中的单元ID相对应的处理单元16向监控模式转移(步骤S202)。此外，也可以是，在进行步骤S202的处理之后，控制部18向主机终端6输出以已使处理单元16转移到监控模式为内容的通知。
这样，控制部18根据是否自主机终端6取得了异常检测信息来判断能否使用该处理单元16。然后，在取得了异常检测信息的情况下，控制部18判断为不能使用该处理单元16而使处理单元16向监控模式转移。此外，并不限于此，也可以是，控制部18根据取得的异常检测信息的内容而判断能否使用处理单元16。
接着，控制部18向被检测出异常的处理单元16发出执行与检测出的异常的内容相对应的改善处理的指示(步骤S203)。具体而言，控制部18参照改善处理信息191来确定与包含在异常检测信息中的异常ID相对应的改善处理ID，并使处理单元16执行与确定了的改善处理ID相对应的改善处理。
例如，在异常ID表示“产生微粒”的“Lv1”的情况下，控制部18根据改善处理信息191来确定作为所对应的改善处理的“卡盘清洗”的改善处理ID。然后，控制部18使该处理单元16执行与确定了的改善处理ID相对应的“卡盘清洗”。“卡盘清洗”是通过自喷嘴41向基板保持机构30所具有的卡盘311(参照图4)喷射从DIW供给源72供给过来的DIW来将附着于卡盘311的污垢去除的处理。
另外，在异常ID表示“产生微粒”的“Lv2”的情况下，控制部18使该处理单元16执行相当于“卡盘清洗+喷嘴清洗”的处理作为所对应的改善处理。“卡盘清洗+喷嘴清洗”是不仅执行所述“卡盘清洗”、而且还执行“喷嘴清洗”的处理。“喷嘴清洗”是通过使用喷嘴槽80来对喷嘴41进行清洗来将附着于喷嘴41的污垢去除的处理。
另外，在异常ID表示“产生微粒”的“Lv3”的情况下，控制部18使该处理单元16执行相当于“卡盘清洗+喷嘴清洗+杯清洗”的处理作为所对应的改善处理。“卡盘清洗+喷嘴清洗+杯清洗”是不仅执行所述“卡盘清洗”和“喷嘴清洗”、而且还执行“杯清洗”的处理。“杯清洗”是通过自喷嘴41向回收杯50喷射自DIW供给源72供给过来的DIW来将附着于回收杯50的污垢去除的处理。
另外，在异常ID表示“产生微粒”的“Lv4”的情况下，控制部18使该处理单元16执行相当于“卡盘清洗+喷嘴清洗+杯清洗+腔室清洗”的处理作为所对应的改善处理。“卡盘清洗+喷嘴清洗+杯清洗+腔室清洗”是不仅执行所述“卡盘清洗”、“喷嘴清洗”以及“杯清洗”、而且还执行“腔室清洗”的处理。“腔室清洗”是通过自腔室清洗部90的喷嘴91朝向腔室20的内壁喷射DIW来将附着于腔室20的内壁的污垢去除的处理。
另外，在异常ID表示“蚀刻不良”的“Lv1”的情况下，控制部18使该处理单元16执行相当于“虚拟分配(Lv1)”的处理作为所对应的改善处理。另外，在异常ID表示“蚀刻不良”的“Lv2”的情况下，控制部18使该处理单元16执行相当于“虚拟分配(Lv2)”的处理作为所对应的改善处理。“虚拟分配(Lv1)”是以时间T1来执行虚拟分配处理的处理，“虚拟分配(Lv2)”是以比时间T1长的时间T2来执行所述虚拟分配处理的处理。换言之，“虚拟分配(Lv2)”是自喷嘴41喷射比“虚拟分配(Lv1)”多的处理液的处理。
如上所述，在基板处理系统1中，根据异常的类型而使改善处理的内容不同，并且，即使是同一类型的异常，也按照每个级别而使改善处理的内容不同。具体而言，异常的级别越高，越增加作为改善处理而执行的处理的种类，或者，即使是单种处理，使处理时间越长。由此，能够使处理单元16执行与异常的级别相对应的最合适的改善处理。
此外，图6所示的改善处理信息191终归是一个例子，改善处理的内容、各处理的组合并不限定于图示。
接着，在完成所述改善处理时，控制部18向主机终端6输出再检查要求(步骤S204)。再检查要求是包含执行了改善处理后的处理单元16的单元ID且以要求对该处理单元16再实施检查处理为内容的通知。这样，通过向主机终端6输出再检查要求，能够尽可能地缩短在再次实施检查处理之前的时间。在完成了步骤S204的处理的情况下、或者在步骤S201中没有取得异常检测信息的情况下(在步骤S201中为“否”)，控制部18使检查处理中的一系列的处理步骤结束。
此外，也可以是，在之后利用测定器5进行再检查的结果为处理单元16被再次检测出异常的情况下，控制部18根据再检查的结果来使该处理单元16再次进行改善处理。在该情况下，也可以是，在改善处理的重试次数超过预先设定的阈值(例如，3次)的情况下，控制部18进行向操作者告知的告知处理，而不进行改善处理。告知处理例如是利用电子邮件向操作者通知包含被检测出异常的处理单元16的单元ID和表示异常的内容的异常ID的异常检测信息的处理、使设于基板处理系统1的显示器显示所述异常检测信息的内容的处理等。
另外，在此，在处理单元16被检测出异常的情况下，必须使被检测出异常的处理单元16实施改善处理，但也可以是，在检测出的异常的级别为预先设定的级别以上的情况下，控制部18进行对操作者告知的告知处理，而不使处理单元16执行改善处理。
图8是表示在检查处理中控制部18所执行的处理步骤的另一个例子的流程图。此外，由于图8所示的步骤S301～步骤S303与图7所示的步骤S201～步骤S203的处理相同，因此省略说明。
如图8所示，也可以是，控制部18在发出执行改善处理的指示(步骤S303)之后，进行将执行了改善处理后的处理单元16的监控模式解除的处理(步骤S304)。由此，由于处理单元16成为能够处理产品晶圆的状态，因此能够进一步抑制基板处理系统1的运转率的降低。
此外，也可以是，控制部18通过设定以能够在执行图7所示的处理步骤(步骤S201～步骤S204)的模式和执行图8所示的处理步骤(步骤S301～步骤S304)的模式之间变更。
如所述那样，第1实施方式的基板处理系统1(相当于“基板处理装置”的一个例子)包括处理单元16和控制部18。处理单元16对晶圆W进行处理。控制部18使处理单元16执行一系列的基板处理。另外，控制部18根据对由被处理单元16实施了一系列的基板处理后的监控晶圆实施的表面测定所检测出的异常的内容来判断能否使用处理单元16，在判断为不能使用处理单元的情况下，使被检测出异常的处理单元16执行与检测出的异常的内容相对应的改善处理。
因而，采用第1实施方式的基板处理系统1，能够抑制在被处理单元16检测出异常的情况下的运转率的降低。
另外，也可以使主机终端6具有以下的功能。根据对被实施了一系列的基板处理后的监控晶圆实施的表面测定所检测出的异常的内容来判断能否使用处理单元16的功能。在判断不能使用处理单元16的情况下，使取得的所述异常的内容和存储在所述存储部中的所述改善处理信息相互对应来确定所述改善处理的功能。使基板处理装置的控制部18向被检测出异常的处理单元16发出使该处理单元16执行与被检测出的异常的内容相对应的改善处理的要求的功能。并且，也可以是，根据来自该主机终端6的要求，基板处理装置的控制部18使被检测出异常的处理单元16执行与被检测出的异常的内容相对应的改善处理。
第2实施方式
另外，在所述第1实施方式中，说明了测定器5设于基板处理系统1的外部的情况下的例子，但也可以将测定器5一体地组装到基板处理系统1中。在第2实施方式中，说明将测定器5组装到基板处理系统1中的情况下的检查处理的内容。
图9是第2实施方式的检查处理的概要说明图。此外，在以下的说明中，对于与已经说明的部分相同的部分，标注与已经说明的部分相同的附图标记而省略重复说明。
如图9所示，在第2实施方式的基板处理系统1A中内置有测定器5。测定器5配置于例如基板处理系统1A的处理站3(参照图1)。另外，第2实施方式的控制装置4A经由局域网(LAN)、因特网这样的网络与测定器5相连接。
在第2实施方式的检查处理中，首先，将检查用的监控晶圆输入到各处理单元16中，使各处理单元16执行一系列的基板处理(S31)。接着，将一系列的基板处理后的监控晶圆自处理单元16输出并将其输入到测定器5中(S32)。测定器5对一系列的基板处理后的监控晶圆进行微粒测定、膜厚测定等表面测定，并将其测定结果发送至控制装置4A(S33)。
接着，控制装置4A的控制部18A在自测定器5取得测定结果时，根据取得的测定结果来对各处理单元16的动作状况的好坏进行判断。此外，也可以由测定器5进行该好坏判断。
接着，在控制部18A进行判断的结果为在任意一个处理单元16处检测出异常的情况下，生成包含被检测出异常的处理单元16的单元ID和表示所检测出的异常的内容的异常ID的异常检测信息。然后，控制部18A在根据所生成的异常检测信息来使该处理单元16转移到监控模式(S34)之后，使处理单元16实施在第1实施方式中所述的改善处理(S35)。
接下来，参照图10说明第2实施方式的检查处理中的控制部18A的具体动作。图10是表示在第2实施方式的检查处理中控制部18A所执行的处理步骤的一个例子的流程图。
如图10所示，控制部18A在自测定器5取得测定结果时(步骤S401)，对是否在任意一个处理单元16处检测出异常进行判断(步骤S402)。然后，在任意一个处理单元16处检测出异常的情况下(在步骤S402中为“是”)，控制部18A将被检测出异常的处理单元16判断为不能使用，并生成包含被检测出异常的处理单元16的单元ID和表示异常的内容的异常ID的异常检测信息(步骤S403)。
接着，控制部18A在使与包含在异常检测信息中的单元ID相对应的处理单元16转移到监控模式(步骤S404)之后，向该处理单元16发出执行改善处理的指示(步骤S405)。此外，步骤S404和步骤S405的处理与图7所示的步骤S202和步骤S203的处理相同。
接着，在完成改善处理之后，控制部18A使执行了改善处理后的处理单元16再次执行检查处理(步骤S406)。具体而言，控制部18A将监控晶圆输入到执行了改善处理后的处理单元16中并使执行了改善处理后的处理单元16执行一系列的基板处理。接着，控制部18A使监控晶圆自处理单元16输出并将其输入到测定器5中，使测定器5对监控晶圆的表面进行测定。
接着，控制部18A自测定器5取得测定结果(步骤S407)，对在进行了再检查处理后的任意一个处理单元16处是否检测出异常进行判断(步骤S408)。然后，控制部18A对未被检测出异常的处理单元16(在步骤S408中为中为“否”)进行解除监控模式的处理(步骤S409)，在存在被检测出异常的处理单元16的情况下(在步骤S408中为“是”)，进行告知处理(步骤S410)。控制部18A进行例如利用电子邮件向操作者通知包含被检测出异常的处理单元16的单元ID和表示异常的内容的异常ID的异常检测信息的处理、使设于基板处理系统1A的显示器显示所述异常检测信息的内容的处理等作为告知处理。
在完成步骤S409或步骤S410的处理时、或者在步骤S402中所有的处理单元16均未检测出异常的情况下(在步骤S402中为“否”)，控制部18A使第2实施方式的检查处理中的一系列的处理步骤结束。
如上所述，在第2实施方式的基板处理系统1A中，内置有测定器5，在不借助主机终端6的情况下执行异常检测信息的生成、再检查处理或监控模式解除处理等。因此，采用第2实施方式的基板处理系统1A，能够进一步抑制在处理单元16被检测出异常的情况下的运转率的降低。
本领域的技术人员能够容易地得出进一步的效果、变形例。因此，本发明的更广泛的形态并不限定于以上那样表示和记载的特定的详细内容以及代表性的实施方式。因而，本发明能够在不脱离附带的权利要求书和由其同等范围所定义的概括性的发明的概念的精神或范围的情况下进行各种变更。
附图标记说明
1、基板处理系统；2、输入输出站；3、处理站；4、控制装置；5、测定器；6、主机终端；16、处理单元；18、控制部；19、存储部；20、腔室；30、基板保持机构；40、处理流体供给部；41、喷嘴；50、回收杯；71、HF供给源；72～74、DIW供给源；80、喷嘴槽；90、腔室清洗部；100、工厂；191、改善处理信息；311、卡盘。

Claims (15)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
处理单元，其用于对基板进行处理；以及
控制部，其用于使所述处理单元执行基板处理，
所述控制部使所述处理单元实施基板处理，并根据包含在所述基板处理后利用基板表面测定检测出的异常的内容的异常检测信息，使被检测出异常的处理单元执行改善处理，
所述改善处理是根据使所述异常的内容和所述改善处理相互对应而得到的改善处理信息确定的。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述改善处理信息中，作为所述异常的内容，按照异常的每个类型而包含表示异常的程度的信息，应执行的所述改善处理与各类型中的每个异常的程度相互对应。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括用于存储所述改善处理信息的存储部，
所述控制部经由网络取得包含所述异常的内容的所述异常检测信息，
使取得的所述异常的内容和存储在所述存储部中的所述改善处理信息相互对应来确定所述改善处理。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括用于存储所述改善处理信息的存储部，
所述控制部经由网络取得包含所述异常的内容的所述异常检测信息，
以所述异常的内容为基础来判断能否使用所述处理单元，
在判断为不能使用所述处理单元时，
使取得的所述异常的内容和存储在所述存储部中的所述改善处理信息相互对应来确定所述改善处理。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部经由网络取得所述改善处理，
使被检测出异常的处理单元执行所述改善处理。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在使被检测出所述异常的处理单元执行了所述改善处理之后，使执行了所述改善处理后的处理单元再次执行所述基板处理。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部使被检测出所述异常的处理单元向禁止对产品基板执行所述基板处理的监控模式转移，在使被检测出所述异常的处理单元执行了所述改善处理之后，将该处理单元的所述监控模式解除。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部使被检测出所述异常的处理单元向禁止对产品基板执行所述基板处理的监控模式转移，在使被检测出所述异常的处理单元执行了所述改善处理之后，使执行了所述改善处理后的处理单元再次执行所述基板处理，
在所述控制部判断为能够使用所述处理单元时，将该处理单元的所述监控模式解除。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括用于实施所述表面测定的测定器。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理单元包括：
基板保持机构，其用于保持所述基板并使所述基板旋转；以及
喷嘴，其用于喷射预先设定的处理液，
在所述异常的内容为产生微粒的情况下，所述控制部使被检测出所述异常的处理单元执行自所述喷嘴朝向所述基板保持机构喷射清洗液而对所述基板保持机构进行清洗的处理作为所述改善处理。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理单元包括：
基板保持机构，其用于保持所述基板并使所述基板旋转；
喷嘴，其用于喷射预先设定的处理液；以及
喷嘴清洗部，其用于对所述喷嘴进行清洗，
在所述异常的内容为产生微粒的情况下，所述控制部使被检测出所述异常的处理单元执行使用所述喷嘴清洗部来对所述喷嘴进行清洗的处理作为所述改善处理。
12.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理单元包括：
基板保持机构，其用于保持所述基板并使所述基板旋转；
喷嘴，其用于喷射预先设定的处理液；以及
回收杯，其包围由所述基板保持机构保持着的基板的周围，用于回收自所述基板飞散的处理液，
在所述异常的内容为产生微粒的情况下，所述控制部使被检测出所述异常的处理单元执行自所述喷嘴朝向所述回收杯喷射清洗液而对所述回收杯进行清洗的处理作为所述改善处理。
13.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理单元包括：
基板保持机构，其用于保持所述基板并使所述基板旋转；
喷嘴，其用于喷射预先设定的处理液；以及
腔室，其用于收纳所述基板保持机构和所述喷嘴，
在所述异常的内容为产生微粒的情况下，所述控制部使被检测出所述异常的处理单元执行自所述喷嘴朝向所述腔室的内壁喷射清洗液而对所述腔室的内壁进行清洗的处理作为所述改善处理。
14.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理单元包括：
基板保持机构，其用于保持所述基板并使所述基板旋转；
喷嘴，其用于喷射蚀刻液；以及
虚拟分配部，其用于接收自所述喷嘴喷射的蚀刻液并将该蚀刻液排出，
在所述异常的内容为蚀刻不良的情况下，所述控制部使被检测出所述异常的处理单元执行自所述喷嘴向所述虚拟分配部喷射所述蚀刻液的虚拟分配处理作为所述改善处理。
15.一种基板处理方法，其是基板处理装置中的基板处理方法，该基板处理装置包括：处理单元，其用于处理基板；以及控制部，其用于使所述处理单元执行基板处理，其特征在于，
该基板处理方法包括：
基板处理工序，在该基板处理工序中，利用用于对基板进行处理的处理单元来进行基板处理；以及
改善处理工序，在该改善处理工序中，进行改善处理，该改善处理基于包含利用在所述基板处理工序后实施的基板表面测定检测出的异常的内容的异常检测信息，
针对被检测出异常的处理单元执行所述改善处理工序，
所述改善处理是根据使所述异常的内容和所述改善处理相互对应而得到的改善处理信息确定的。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111326445A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 东京毅力科创株式会社 基片处理方法和基片处理装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6793048B2 (ja) 2017-01-27 2020-12-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、ダミーディスペンス方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN111630637A (zh) * 2018-01-26 2020-09-04 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
JP7330053B2 (ja) 2019-10-09 2023-08-21 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、基板処理装置および異常判断方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1790614A (zh) * 2004-11-10 2006-06-21 东京毅力科创株式会社 基板处理装置的恢复方法、恢复程序、及基板处理装置
CN101095214A (zh) * 2004-12-28 2007-12-26 东京毅力科创株式会社 半导体制造装置、该半导体制造装置进行异常检测、异常原因的确定或异常预测的方法、和记录有用于实施该方法的计算机程序的存储介质
TW201032270A (en) * 2008-12-19 2010-09-01 Tokyo Electron Ltd System and method for rinse optimization
CN102160164A (zh) * 2008-09-19 2011-08-17 应用材料公司 自我诊断的半导体设备
US20120130525A1 (en) * 2010-11-18 2012-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Adaptive and automatic determination of system parameters
CN102760644A (zh) * 2011-04-27 2012-10-31 大日本网屏制造株式会社 清洗处理方法
CN103367103A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 无锡华润上华科技有限公司 半导体产品生产方法及系统
US20140207271A1 (en) * 2013-01-23 2014-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Tool optimizing tuning systems and associated methods

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251328A (ja) * 1992-03-05 1993-09-28 Nec Yamagata Ltd フォトレジスト膜塗布装置
JPH0629178A (ja) * 1992-07-07 1994-02-04 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP3876059B2 (ja) * 1997-09-29 2007-01-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および周辺部材の洗浄方法
US6197123B1 (en) * 1997-12-18 2001-03-06 Texas Instruments Incorporated Method for cleaning a process chamber used for manufacturing substrates during nonproduction intervals
JPH11204390A (ja) * 1998-01-14 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造装置およびデバイス製造方法
JP3811376B2 (ja) * 2001-08-08 2006-08-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP4068404B2 (ja) * 2002-06-26 2008-03-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム、基板処理装置、基板処理方法、プログラム及び記録媒体
JP2005064214A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理システム、基板処理装置、および基板処理方法
JP4490797B2 (ja) * 2004-01-23 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4377295B2 (ja) * 2004-07-28 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理システム
JP4874580B2 (ja) * 2005-06-14 2012-02-15 株式会社東芝 異常原因特定方法および異常原因特定システム
KR20070001641A (ko) * 2005-06-29 2007-01-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 정렬 장치 및 그의 파티클 검출 방법, 그리고 이를구비하는 반도체 제조 설비 및 그의 처리 방법
US7535349B2 (en) * 2006-12-08 2009-05-19 International Business Machines Corporation Determining root cause for alarm in processing system
KR100885284B1 (ko) * 2007-08-09 2009-02-23 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
US20100162029A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Caterpillar Inc. Systems and methods for process improvement in production environments
JP2013207186A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 雰囲気監視方法と雰囲気監視装置およびこれを用いた基板処理装置
US9240360B2 (en) * 2012-07-25 2016-01-19 International Business Machines Corporation Run-to-run control utilizing virtual metrology in semiconductor manufacturing
TWI549007B (zh) * 2013-02-07 2016-09-11 先知科技股份有限公司 製程參數的搜尋與分析方法及其電腦程式產品
TWI497632B (zh) * 2013-04-01 2015-08-21 Process monitoring method and surface analysis system
JP6224359B2 (ja) * 2013-06-20 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1790614A (zh) * 2004-11-10 2006-06-21 东京毅力科创株式会社 基板处理装置的恢复方法、恢复程序、及基板处理装置
CN101095214A (zh) * 2004-12-28 2007-12-26 东京毅力科创株式会社 半导体制造装置、该半导体制造装置进行异常检测、异常原因的确定或异常预测的方法、和记录有用于实施该方法的计算机程序的存储介质
CN102160164A (zh) * 2008-09-19 2011-08-17 应用材料公司 自我诊断的半导体设备
TW201032270A (en) * 2008-12-19 2010-09-01 Tokyo Electron Ltd System and method for rinse optimization
US20120130525A1 (en) * 2010-11-18 2012-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Adaptive and automatic determination of system parameters
CN102760644A (zh) * 2011-04-27 2012-10-31 大日本网屏制造株式会社 清洗处理方法
CN103367103A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 无锡华润上华科技有限公司 半导体产品生产方法及系统
US20140207271A1 (en) * 2013-01-23 2014-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Tool optimizing tuning systems and associated methods

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111326445A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 东京毅力科创株式会社 基片处理方法和基片处理装置

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Publication number Publication date
TW201619725A (zh) 2016-06-01
TWI663490B (zh) 2019-06-21
US20160054719A1 (en) 2016-02-25
KR102456823B1 (ko) 2022-10-19
JP6316703B2 (ja) 2018-04-25
JP2016042565A (ja) 2016-03-31
US10474139B2 (en) 2019-11-12
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