JPH0629178A

JPH0629178A - 露光方法及び露光装置

Info

Publication number: JPH0629178A
Application number: JP4203074A
Authority: JP
Inventors: Takechika Nishi; 健爾西
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1992-07-07
Filing date: 1992-07-07
Publication date: 1994-02-04

Abstract

(57)【要約】【目的】ウエハとウエハホルダーとの間の異物による
不良品の発生確率を減少させる。【構成】レチクル１６のパターンをウエハホルダー５
に真空吸着されたウエハ１上に露光する露光装置におい
て、レーザービームＬＢ０を計測ビームＬＢ２と参照ビ
ームＬＢ１とに分割するビームスプリッター２２と、計
測ビームＬＢ２を広げてウエハ１上に照射するガイド光
学系２７，２８，２９と、ウエハ１から反射されてその
ガイド光学系を介して戻された計測ビームＬＢ２と参照
ビームＬＢ１との干渉パターンを撮像するアレイセンサ
ー２６とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばステージ上にウ
エハ又はガラスプレート等の感光基板を吸着してその感
光基板上にマスクパターンを露光する際の露光方法及び
そのような露光を行う露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をフォト
リソグラフィー技術を用いて製造する際に、フォトマス
ク又はレチクル等（以下「レチクル」と総称する）のパ
ターンを感光材が塗布されたウエハ又はガラスプレート
等の上に転写する露光装置が使用されている。感光基板
としてウエハを使用する場合、そのウエハは３次元的に
位置決めできるウエハステージ上にウエハホルダーを介
して吸着されている。

【０００３】図４は従来の露光装置のウエハステージの
近傍の構成を示し、この図４において、１は露光対象と
するウエハ、２はウエハステージである。ウエハステー
ジ２の上面にはＸ軸用の移動鏡３及びＹ軸用の移動鏡４
が取り付けられ、図示省略したレーザー干渉計からのレ
ーザービームをそれら移動鏡３及び４で反射することに
より、ウエハステージ２の投影光学系の光軸に垂直な面
内の２次元座標が常時検出されている。ウエハステージ
２の中央部にウエハホルダー５が取り付けられ、ウエハ
ホルダー５の中央部にウエハのアップダウン機構である
ピン６が植設されている。また、ウエハホルダー５の内
部には真空吸着用の溝が形成されている。

【０００４】図４において、ウエハに対する露光を行う
ときには、図示省略したウエハカセットからウエハアー
ム７に載置されたウエハ１がウエハステージ２上に導か
れる。その際、ウエハアーム７はウエハローダ８により
駆動される。また、ウエハステージ２はウエハ１がロー
ドされるときに、ウエハステージ２上の移動鏡３及び４
を用いて位置制御されているので、常に同じ位置でウエ
ハ１の受け渡しができるようになっている。ウエハの受
け渡し位置にウエハステージ２が移動すると、ウエハ１
はウエハアーム７によってウエハホルダー５の真上に運
ばれる。そこでピン６がウエハ１を支持し、このピン６
が下降することによりウエハ１がウエハホルダー５上に
載置される。そして、ウエハ１がウエハホルダー５の上
面に真空吸着された後に、すぐに露光シーケンスが開始
されていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
においては、図５（ａ）に示すように、ウエハ１とウエ
ハホルダー５との間にゴミ等の異物９が有る場合に、ウ
エハ１の表面（露光面）ではその異物９の大きさに応じ
て非線形な横ずれｕが生じてしまう。これはウエハ１の
裏面にゴミ等が付着していても、ウエハホルダー５の上
面にゴミ等が付着していても同様であり、そのために図
５（ｂ）に示すように、既に前の工程で露光された回路
パターン１０Ａ〜１０Ｄに歪が生じる。従って、そのウ
エハ１の上に更に次の層の回路パターンを重ねて露光す
ると重ね合わせ精度が悪くなり、その周辺の半導体チッ
プ等が不良品になるという不都合があった。

【０００６】本発明は斯かる点に鑑み、ウエハとウエハ
ホルダーとの間の異物による不良品の発生確率を減少さ
せることができる露光方法及び露光装置を提供すること
を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明による露光方法
は、例えば図１及び図３に示す如く、露光光を発生する
光源（１１）と、吸着機構を有する保持部材（５）を備
えこの保持部材（５）を介して感光基板（１）を保持す
るステージ（２）と、その露光光を集光してマスク（１
６）を照明する照明光学系（１４，１５）とを有し、そ
のマスク（１６）のパターンをその保持部材（５）に吸
着されたその感光基板（１）上に露光する露光装置の露
光方法において、そのステージ（２）のその保持部材
（５）にその感光基板（１）を吸着する第１工程（ステ
ップ１０１）と、この吸着後の光基板（１）の露光面の
形状を検査する第２工程（ステップ１０２）とを実行
し、この検査の結果その感光基板（１）の露光面が許容
値を超えて歪んでいる場合にはその保持部材（５）のク
リーニングを行った後に露光を行い、その検査の結果そ
の感光基板（１）の露光面の歪みが許容値以下の場合に
はそのままその感光基板（１）の露光を行うものであ
る。

【０００８】また、本発明による露光装置は、例えば図
１に示すように、露光光を発生する光源（１）と、吸着
機構を有する保持部材（５）を備えこの保持部材（５）
を介して感光基板（１）を保持すると共にこの感光基板
（１）を２次元平面内で位置決めするステージ（２）
と、その露光光を集光してマスク（１６）を照明する照
明光学系（１４，１５）とを有し、そのマスク（１６）
のパターンをその保持部材（５）に吸着されたその感光
基板（１）上に露光する露光装置において、可干渉性の
光ビームＬＢ０を発生する計測用光源（２０）と、この
光ビームを計測ビームＬＢ２と参照ビームＬＢ１とに分
割する分岐光学系（２２）と、その計測ビームＬＢ２を
少なくとも一方向に広げてそのステージ（２）上の感光
基板（１）上に照射するガイド光学系（２７，２８，２
９）と、その感光基板（１）から反射されてそのガイド
光学系を介して戻されたその計測ビームＬＢ２とその参
照ビームＬＢ１とを混合する合波光学系（２２）と、こ
の合波光学系（２２）で合波されたその計測ビームＬＢ
２とその参照ビームＬＢ１との干渉パターンを撮像する
撮像手段（２６）とを設け、その計測ビームＬＢ２とそ
の参照ビームＬＢ１との干渉パターンよりその感光基板
（１）の露光面の歪みを検出するようにしたものであ
る。

【０００９】

【作用】斯かる本発明の露光方法によれば、感光基板
（１）に露光する前に、感光基板（１）の露光面の歪み
が検査される。その露光面の歪みが許容値を超えるとき
には、その感光基板（１）と保持部材（５）との間にゴ
ミ等の異物が挟まっていることが考えられる。そこで、
その場合に保持部材（５）のクリーニングを行うことに
より、その感光基板（１）の露光面の歪みが無くなり、
不良品の発生確率が低下する。

【００１０】また、本発明の露光装置によれば、参照ビ
ームと計測ビームとの干渉パターンより、その露光方法
における感光基板（１）の露光面の歪みの検出の工程を
高速に実行することができる。更に、感光基板（１）を
保持部材（５）に搭載した際のその感光基板（１）の露
光面の凹凸状態が分かるので、その保持部材（５）の吸
着条件を変えたり、又は保持部材（５）自体に歪みを与
えて、その露光面の凹凸の補正をしたりする事も可能に
なる。更には、感光基板（１）の露光面上の各部（例え
ば個々の半導体チップ）毎の傾きも分かるので、レベリ
ング機構用の傾斜状態の検出をオープンループで行うこ
とも可能である。従って、感光基板（１）の各ショット
領域への露光毎に光学センサーでその各ショット領域の
傾きを検出する動作が短縮できる。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の一実施例につき図１〜図３を
参照して説明する。図１は本例の投影露光装置の概略構
成を示し、この図１において、水銀ランプ等の光源１１
から射出された露光光ＩＬは、楕円鏡１２で焦光された
後にインプットレンズ１３でほぼ平行な光束に変換され
てフライアイレンズ１４に入射する。フライアイレンズ
１４の後側（レチクル側）焦点面には多数の２次光源が
形成され、これら２次光源から射出された露光光ＩＬは
コンデンサーレンズ系１５により集光されてレチクル１
６を照明する。図示省略するも、コンデンサーレンズ系
１５には可変視野絞りが備えられ、この可変視野絞りに
よりレチクル１６上の照明視野を任意に設定することが
できる。その露光光ＩＬのもとでレチクル１６のパター
ンが投影光学系１７を介してウエハ１上の各ショット領
域に縮小投影される。

【００１２】露光時にはウエハ１はウエハホルダー５上
に真空吸着され、このウエハホルダー５はウエハステー
ジ２上に固定されている。ウエハステージ２は、ウエハ
１を投影光学系１７の光軸に垂直な平面内で位置決めす
るＸＹステージ、ウエハ１を投影光学系１７の光軸方向
に位置決めするＺステージ及びウエハ１の微小回転を行
うθテーブル等より構成されている。また、投影光学系
１７の光軸に垂直な平面の直交座標系をＸ軸及びＹ軸と
すると、ウエハステージ２上にはＸ軸に垂直な反射面を
有するＸ軸用の移動鏡３及びＹ軸に垂直な反射面を有す
るＹ軸用の移動鏡４が固定されている。

【００１３】１８はＸ軸用のレーザー干渉計、１９はＹ
軸用のレーザー干渉計を示し、レーザー干渉計１８から
のレーザービームＩＬ１を移動鏡３で反射し、レーザー
干渉計１９からのレーザービームＩＬ２を移動鏡４で反
射することにより、レーザー干渉計１８及び１９におい
て、ウエハステージ２のＸ座標及びＹ座標が計測され
る。また、図示省略した制御装置からの指令でウエハス
テージ２を駆動することにより、ウエハステージ２上の
ウエハ１の座標（Ｘ，Ｙ）を任意の座標に設定すること
ができる。

【００１４】図１において、２０はビームエクスパンダ
系を内蔵したレーザー光源を示し、このレーザー光源２
０からは断面形状がＸ方向にスリット状に引き延ばされ
た可干渉性の良好なレーザービームＬＢ０が射出され
る。このレーザービームＬＢ０は集光レンズ２１を経て
ビームスプリッター２２に入射し、このビームスプリッ
ター２２で反射されたレーザービーム（これを「参照ビ
ームＬＢ１」と呼ぶ）が対物レンズ２３を経て参照ミラ
ー２４に入射する。この参照ミラー２４で反射された参
照ビームＬＢ１はビームスプリッター２２に戻り、この
ビームスプリッター２２を透過した参照ビームＬＢ１は
対物レンズ２５を経て電荷結合型撮像デバイス（ＣＣ
Ｄ）よりなる１次元のアレイセンサー２６の受光面に入
射する。

【００１５】一方、レーザービームＬＢ０の入射により
ビームスプリッター２２を透過したレーザービーム（こ
れを「測長ビームＬＢ２」という）は、対物レンズ２７
を経て負のシリンドリカルレンズ２８に入射し、このシ
リンドリカルレンズ２８によりＸ方向に拡散された測長
ビームＬＢ２が正のシリンドリカルレンズ２９に入射す
る。シリンドリカルレンズ２８及び２９よりビームエク
スパンダ系が構成されている。シリンドリカルレンズ２
９により断面形状がＸ方向を長手方向とするスリット状
の平行なレーザービームに変換された測長ビームＬＢ２
が、ウエハステージ２上のＸ方向に長いスリット状の領
域３０に入射する。この領域３０のＸ方向の長さはウエ
ハ１の直径よりも大きく設定されている。従って、ウエ
ハステージ２を駆動してウエハ１をＹ方向に移動するこ
とによって、測長ビームＬＢ２はウエハ１の露光面の全
面を走査する。

【００１６】その領域３０から反射された測長ビームＬ
Ｂ２は、シリンドリカルレンズ２９、シリンドリカルレ
ンズ２８及び対物レンズ２７を経てビームスプリッター
２２に戻り、このビームスプリッター２２で反射された
測長ビームＬＢ２は対物レンズ２５を経てアレイセンサ
ー２６の受光面に入射する。この受光面では参照ビーム
ＬＢ１と測長ビームＬＢ２とが干渉し、これにより生ず
る干渉パターンを光電変換して得られた撮像信号Ｓがそ
のアレイセンサー２６から出力される。その撮像信号Ｓ
が信号処理装置３１に供給され、信号処理装置３１はそ
の撮像信号Ｓよりウエハ１の露光面の凹凸を検出して、
その凹凸の程度に応じて露光工程を変更する。

【００１７】その参照ビームＬＢ１と測長ビームＬＢ２
との干渉パターンよりウエハ１の露光面の凹凸状態を検
出する原理につき説明するに、図１において、参照ミラ
ー２３で反射された参照ビームＬＢ１の光路長と領域３
０で反射された測長ビームＬＢ２の光路長との差は可干
渉距離の範囲内であるとする。この状態で、ウエハステ
ージ２を駆動してウエハ１の露光面をその測長ビームＬ
Ｂ２で走査して、アレイセンサー２６の受光面に形成さ
れる干渉パターンを２次元的に展開して表現すると、図
２（ａ）に示すような干渉パターンが得られる。

【００１８】図２（ａ）において、１Ｐはウエハ１と共
役な像を示し、この像１Ｐ上に明部３２及び暗部３３よ
りなる干渉縞３４が形成されている。また、ＹＰ軸が図
１の走査方向に平行なＹ軸と共役であるとする。ウエハ
１がプロセスウエハである場合には、ウエハ１上に形成
されたパターン自体の凹凸やレジストの塗りムラ等によ
り、測長ビームＬＢ２のみによってもアレイセンサー２
６の受光面に干渉縞が発生し、図２（ａ）の干渉縞３４
にもその測長ビームＬＢ２のみによる干渉縞が重畳され
ている。しかしながら、その測長ビームＬＢ２のみによ
る干渉縞は、パターンが微細であり、且つ規則性がある
ので、ゴミの付着などによって生じる部分的な干渉縞と
は分離できる。

【００１９】但し、測長ビームＬＢ２と参照ビームＬＢ
１との干渉に関しては、参照ミラー２４の位置と領域３
０の位置とが大きく異なると共に、参照ミラー２４上の
照明領域とウエハステージ２上の領域３０との倍率が大
きく異なるので、レーザービームの波面収差や雰囲気の
乱れによる波面の揺らぎなどによる影響ができるだけ小
さくなるように光学系を設計する事が望ましい。また、
ウエハ１からの戻り光が入射時と同じ光路を辿るように
するためには、測長ビームＬＢ２をウエハ１に対してテ
レセントリックにする必要がある。そのためには、ビー
ムエキスパンダ系の正のシリンドリカルレンズ２９は、
ウエハ１の直径に対して同じ長さ以上にする必要があ
り、大きくなることが考えられる。従って、シリンドリ
カルレンズ２９としては、細長い矩形のフレネルレンズ
又はグレイティングを用いたレンズ等を使用してもよ
い。

【００２０】また、ウエハ１の露光面で反射されたレー
ザービームの波面及び参照ミラー２４で反射されたレー
ザービームの波面をそれぞれアレイセンサー２６の受光
面と合致させるためには、対物レンズ２３，２７，２５
により、ウエハ１の露光面と参照ミラー２４の反射面と
アレイセンサー２６の受光面とを共役関係にしておくこ
とが望ましい。

【００２１】そして、図２（ａ）の干渉パターンに対し
て図１の信号処理装置３１は例えば１次元の画像解析を
行う。この１次元の画像解析においては、図２（ａ）上
のアレイセンサー２６の配列方向であるＸ１（ｉ）方向
及びこれに垂直なＹ１Ｐ方向に撮像信号Ｓがプロットさ
れる。そのＸ１（ｉ）方向では、図２（ｂ）に示すよう
に、アレイセンサー２６のｉ番目（ｉ＝０，１，２，‥
‥，Ｎ）の画素エレメントからの撮像信号Ｓを連ねた撮
像信号３６が得られる。一方、Ｙ１Ｐ方向では、図２
（ｂ）に示すように、アレイセンサー２６の所定の画素
エレメントの撮像信号Ｓを走査方向に連ねた撮像信号３
７が得られる。

【００２２】このような１次元の画像解析を行うと、ウ
エハ１の裏面にゴミ等が付着していると考えられる領域
と共役な図２（ａ）の領域３５においては、Ｘ１（ｉ）
方向及びＹ１Ｐ方向共にコントラスト変化が密になった
撮像信号Ｓが得られる。一方、ウエハ１の傾きなどで干
渉縞が発生している場合は、像１Ｐの全面でＸ１（ｉ）
方向及びＹ１Ｐ方向に沿う撮像信号Ｓのコントラストが
密になったり、又は疎になったりするので容易に識別が
可能である。従って、その像１Ｐの全面でＸ１（ｉ）方
向の撮像信号Ｓのプロット及びＹ１Ｐ方向の撮像信号Ｓ
のプロットをそれぞれ行うことにより、ウエハ１の裏面
にゴミ等が付着していると考えられる領域を特定でき
る。

【００２３】次に、図１の投影露光装置でウエハの露光
を行う際の動作の一例につき図３のフローチャートを参
照して説明する。先ず図３のステップ１０１において、
図１のウエハステージ２のウエハホルダー５上にウエハ
１をロードする。ウエハホルダー５上にウエハ１が真空
吸着される。その後、ステップ１０２において、ウエハ
ステージ２を駆動してウエハ１をＹ方向に移動させて、
測長ビームＬＢ２でウエハ１の露光面の全面を走査す
る。これによりアレイセンサー２６から得られた撮像信
号Ｓに対して、信号処理装置３１が上述の１次元の画像
解析を施して、そのウエハ１の露光面の凹凸の形状を計
測する。

【００２４】その後、ウエハ１の露光面に許容値よりも
高い凹凸部があり、ウエハ１とウエハステージ５との間
にゴミ等の異物が挟まれているかどうかを判定し（ステ
ップ１０３）、異物が挟まれていないと判定した場合に
はそのままウエハ１にレチクル１６のパターンを露光す
る（ステップ１０４）。その後、動作はステップ１０５
に移行して、ウエハ１のウエハホルダー５からの取り出
し（アンロード）及び搬出が行われる。

【００２５】また、ステップ１０３において、ウエハ１
とウエハステージ５との間にゴミ等の異物が挟まれてい
ると判定された場合には、動作はステップ１０６又はス
テップ１１０に移行する。どちらに移行するかはプロセ
スの種類等に応じて選択される。そして、ステップ１０
６に移行した場合には、ウエハ１のウエハホルダー５か
らの取り出し（アンロード）が行われた後に、例えば自
動ホルダー洗浄機構によりウエハホルダー５のクリーニ
ングが行われる（ステップ１０７）。このクリーニング
は例えば圧縮ガスをウエハホルダー５に吹き付けること
によって行われる。それから、ウエハ１が再びウエハホ
ルダー５にロードされて（ステップ１０８）、ウエハ１
に対する露光が行われる（ステップ１０９）。その後、
動作はステップ１０５に移行して、ウエハ１のウエハホ
ルダー５からの取り出し（アンロード）及び搬出が行わ
れる。但し、ステップ１０８から直接ステップ１０９に
移行して露光を行うのではなく、ステップ１０８からス
テップ１０２に移行して再度ゴミ等の異物の検査を行う
ようにしてもよい。この動作を複数回行っても異物が検
出される場合はウエハ自身に対するゴミ付着やレジスト
塗りのむらの異常等が考えられるので、それらを示すア
ラームを発生させればよい。

【００２６】一方、ステップ１０３からステップ１１０
へ移行した場合には、信号処理装置３１がオペレータに
対してアラームを発生する。これに対して、ステップ１
１１において、オペレータは信号処理装置３１でプロッ
トされた干渉パターン等からウエハ１の露光面の凹凸の
位置及び程度を確認して、その露光面の凹凸がそのまま
露光できる程度が否かを判断する。その凹凸の程度が小
さい場合等にはウエハ１に対する露光を行ってから（ス
テップ１０９）、動作はステップ１０５に移行する。ま
た、ステップ１１１でその凹凸の程度が大きい場合等に
は、動作はそのままステップ１０５に移行してウエハ１
の取り出しが行われる。

【００２７】上述のように本例によれば、ウエハ１に対
する露光を行う前に、ウエハ１の露光面の凹凸の状態を
計測して、ウエハ１とウエハホルダー５との間にゴミ等
の異物が挟まれていないかどうかを判断し、異物が挟ま
れていると判断された場合には、ウエハホルダーのクリ
ーニングを行うか又はアラームを発生するようにしてい
る。従って、その異物によりウエハ１の露光面に歪みが
生じて、ウエハ１から得られる半導体素子等に不良が発
生する確率を低下させることができる。

【００２８】また、図１において参照ビームＬＢ１と測
長ビームＬＢ２との干渉パターンより、ウエハ１の露光
面の凹凸だけでなく、その露光面の傾きをも容易に検出
することができる。従って、ウエハ１の露光前にその干
渉パターンを用いてオープンループ制御によりウエハ１
の露光面のレベリングを行っておくことにより、ウエハ
１の露光時に個々のショット領域への露光に際して行う
レベリングの追込み時間を短縮することができ、露光の
スループットをより向上させることができる。

【００２９】なお、図１の実施例では１次元のアレイセ
ンサー２６を用いているが、そのアレイセンサー２６の
代わりに２次元のイメージセンサーを使用してもよい。
そして、ウエハ１のＹ方向の所定幅の領域の干渉パター
ンを一度に撮像信号に変換し、そのウエハ１の露光面を
Ｙ方向に間欠的に複数回移動しながら、その干渉パター
ンの撮像を繰り返すことにより、その露光面全体の干渉
パターンを得るようにしてもよい。これにより計測時間
を短縮することができる。また、クリーン度の高い環境
ではゴミ発生の頻度が低下するので、一定間隔をあけて
ゴミ検査を行えばよい。その場合は従来技術である露光
時のフォーカスセンサーを用いて微少ステッピングを行
いつつウエハ表面の状態を調べるようにしても、スルー
プットの劣化はさほど大きくない。

【００３０】更に、シリンドリカルレンズ２８及び２９
よりなるビームエクスパンダ系の代わりに軸対称レンズ
よりなるビームエクスパンダを使用し、ウエハステージ
２を大きくＹ方向に移動した状態でウエハ１の露光面の
ほぼ全面を広げられた測長ビームＬＢ２で一度に照明す
るようにしてもよい。そして、それに対応する２次元の
イメージセンサで干渉パターンを撮像することにより、
極めて短時間にウエハ１の露光面の干渉パターンの撮像
信号を得ることができる。

【００３１】また、上述実施例では、ウエハ１の露光面
に所定の凹凸があったときにウエハホルダー５のクリー
ニング等を行っているが、その凹凸が例えば比較的なだ
らかなものである場合には、ウエハホルダー５における
真空吸着の条件を変えるか、又はウエハホルダー５自体
を撓ませるかしてもよい。そして、そのウエハ１の露光
面をできるだけ平面に近づけてからウエハ１への露光を
行うことにより、ウエハ１の各ショット領域を投影光学
系１７の最良結像面により近づけて露光できる。また、
ウエハ１の露光面が平均的により平面に近づいた場合に
は、その露光面に局所的に小さな凹凸が存在しても、そ
の露光面は余裕を持って投影光学系１７の最良結像面に
対して焦点深度の範囲内で合致する。従って、より解像
度が高く（より開口数Ｎ．Ａ．が大きく）焦点深度の浅
い投影光学系を使用する場合でも、フォーカシングが容
易である。

【００３２】なお、本発明は上述実施例に限定されず本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得るこ
とは勿論である。

【００３３】

【発明の効果】本発明の露光方法及び露光装置によれ
ば、感光基板の露光面の形状より感光基板と保持部材と
の間の異物の有無を検出することができるので、その異
物に起因する不良品の発生の確率を低下させることがで
き、歩溜りが向上するという利点がある。また、感光基
板の露光面の緩やかな凹凸や傾きも容易に分かるので、
その傾き等の計測結果に基づいてオープンループ制御で
その感光基板の露光面のレベリングを行っておくことに
より、感光基板の露光直前の本来のレベリングの追い込
み時間を短縮できて、露光のスループットを向上でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の投影露光装置を示す斜視図
である。

【図２】（ａ）はアレイセンサー２６の受光面で得られ
る干渉パターンを２次元平面に展開して得られる干渉パ
ターンを示す線図、（ｂ）は図２（ａ）のＸ１（ｉ）軸
に沿う撮像信号Ｓ及びＹ１Ｐ軸に沿う撮像信号Ｓを示す
波形図である。

【図３】実施例の露光動作の一例を示すフローチャート
である。

【図４】従来の露光装置でウエハをウエハステージ上に
ロードする場合を示す平面図である。

【図５】（ａ）はウエハとウエハホルダーとの間にゴミ
等の異物が入ったときの状態を示す断面図、（ｂ）はそ
の異物に起因するウエハの表面の横シフトの状態を示す
平面図である。

【符号の説明】

１ウエハ２ウエハステージ３，４移動鏡５ウエハホルダー１１光源１４フライアイレンズ１５コンデンサーレンズ系１６レチクル１７投影光学系１８，１９レーザー干渉計２０レーザー光源２１集光レンズ２２ビームスプリッター２３，２５，２７対物レンズ２４参照ミラー２６アレイセンサー２７負のシリンドリカルレンズ２８正のシリンドリカルレンズ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】露光光を発生する光源と、吸着機構を有
する保持部材を備え該保持部材を介して感光基板を保持
するステージと、前記露光光を集光してマスクを照明す
る照明光学系とを有し、前記マスクのパターンを前記保
持部材に吸着された前記感光基板上に露光する露光装置
の露光方法において、前記ステージの前記保持部材に前記感光基板を吸着する
第１工程と、該吸着後の前記感光基板の露光面の形状を検査する第２
工程とを実行し、該検査の結果前記感光基板の露光面が許容値を超えて歪
んでいる場合には前記保持部材のクリーニングを行った
後に露光を行い、前記検査の結果前記感光基板の露光面の歪みが許容値以
下の場合にはそのまま前記感光基板の露光を行う事を特
徴とする露光方法。
【請求項２】露光光を発生する光源と、吸着機構を有
する保持部材を備え該保持部材を介して感光基板を保持
すると共に該感光基板を２次元平面内で位置決めするス
テージと、前記露光光を集光してマスクを照明する照明
光学系とを有し、前記マスクのパターンを前記保持部材
に吸着された前記感光基板上に露光する露光装置におい
て、可干渉性の光ビームを発生する計測用光源と、該光ビームを計測ビームと参照ビームとに分割する分岐
光学系と、前記計測ビームを少なくとも一方向に広げて前記ステー
ジ上の前記感光基板上に照射するガイド光学系と、前記感光基板から反射されて前記ガイド光学系を介して
戻された前記計測ビームと前記参照ビームとを混合する
合波光学系と、該合波光学系で合波された前記計測ビームと前記参照ビ
ームとの干渉パターンを撮像する撮像手段とを設け、前記計測ビームと前記参照ビームとの干渉パターンより
前記感光基板の露光面の歪みを検出するようにした事を
特徴とする露光装置。