JP2671896B2 - 異物検査装置 - Google Patents

異物検査装置

Info

Publication number
JP2671896B2
JP2671896B2 JP8155373A JP15537396A JP2671896B2 JP 2671896 B2 JP2671896 B2 JP 2671896B2 JP 8155373 A JP8155373 A JP 8155373A JP 15537396 A JP15537396 A JP 15537396A JP 2671896 B2 JP2671896 B2 JP 2671896B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
foreign matter
inspected
reticle
laser beam
photoelectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP8155373A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08313449A (ja
Inventor
史倫 早野
和則 今村
すなお 村田
欣也 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP8155373A priority Critical patent/JP2671896B2/ja
Publication of JPH08313449A publication Critical patent/JPH08313449A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2671896B2 publication Critical patent/JP2671896B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、微小なゴミ等の異物を
検査する装置、特に集積回路の製造工程において用いら
れるフォトマスク、レチクル、半導体ウェハ等の基板上
に付着した異物を検査する装置に関するものである。 【0002】 【従来の技術】集積回路の製造工程の1つであるフォト
リソグラフィ工程においては、レチクルやフォトマスク
等(以下「レチクル」と称す)による回路パターンの半
導体ウェハへの転写が行われるが、その際レチクルにゴ
ミ等の異物が付着していると、かかる異物像が半導体ウ
ェハに転写され、回路パターンの欠陥として現われる。
その結果、製造歩留りを低下させる原因となる。従っ
て、転写を行う前に、レチクルの表面に異物が付着して
いるかどうかを検査する必要がある。 【0003】かかる異物を検出する方法としては、レチ
クル上に例えばレーザービーム等を集光させて走査し、
異物から出る散乱光を受光してその散乱信号により異物
を検出する方法がある。上記の方法によって異物を検査
する場合、光をレチクルに照射すると、異物のみならず
レチクルのパターンエッジからも散乱光が発生するの
で、これらの散乱光を区別する必要がある。この場合、
パターンエッジからの散乱光は強い指向性をもっている
のに対し、異物からの散乱光は比較的無指向に発生す
る。従って、複数の光電検出手段を所定の角度で配置
し、各光電検出手段から得られる散乱信号を比較して光
の指向性を判断することにより、パターンエッジによる
散乱信号と異物による散乱信号とを区別することができ
る。以上のような手段を採ることにより、レチクルに付
着した異物を検出することが可能となる。 【0004】一方、近年レチクルの表面上から所定間隔
だけ離して異物付着防止膜(以下「ペリクル」と称す)
を取り付けることにより、レチクルに異物が付着するの
を防止する方法も行われている。この方法は、ペリクル
を支持枠を介してレチクルの表面を被覆するようにして
装着することにより、レチクル表面に直接異物が付着し
ないようにするものである。 【0005】このように、ペリクルを使用して露光装置
による投影露光を行う場合には、ペリクルの表面上に異
物が付着しても、被投影物体すなわち半導体ウェハ面上
においては異物像の焦点が合わないので、かかる異物像
は半導体ウェハには転写されないことになる。しかしこ
の場合においても,ペリクルの表面に付着した異物が比
較的大きい場合には、半導体ウェハ面上において露光ム
ラを生ずるおそれがある。また、ペリクルを使用しても
レチクルに異物が付着することがある。 【0006】従って、上述のようにペリクルを使用する
場合においても異物検査は必要である。 【0007】 【発明が解決しようとする問題点】従来の異物検査装置
においては、レチクル面及びペリクル面を同一ビーム径
すなわち同一感度により検査を行っていた。一方、ペリ
クル上の異物については、上述したように、比較的大き
なものが付着していても半導体ウェハに転写されにく
い。言い換えれば、レチクルとペリクルとでは許容され
る異物の大きさが異なり、ペリクルの方が大きい異物ま
で許容される。 【0008】従って、上記のような従来の異物検査装置
を用いてペリクル面の検査を行う場合には、かかる検査
の際に必要以上に小さな異物まで検査することになり、
その結果、異物検査に必要以上に長い時間を要してしま
うという問題点があった。本発明は上記のような従来の
問題点に鑑みてなされたもので、レチクル、ペリクルの
いずれを検査する場合であっても、最適な検査時間で検
査を行うことが可能な異物検査装置を提供することをそ
の目的とする。 【0009】 【問題点を解決するための手段】本発明に係る異物検査
装置は、被検査面に許容する異物の大きさに応じて被検
査面に照射する光ビームのビーム径を可変とするビーム
径変更手段を備えたことにより、上記問題を解決したも
のである。 【0010】 【作用】本発明においては、被検査面が許容する異物の
大きさに応じて被検査面における光ビームのビーム径を
変えるビーム径変更手段を備えたことにより、被検査面
におけるビーム径を被検査物に応じて変化させ検査する
ことが可能となるので、被検査物の異物の大きさに対す
る許容度に応じて最適な走査速度により検査を行うこと
が可能となる。 【0011】 【実施例】以下本発明の実施例について、添付図面を参
照しながら詳細に説明する。 (第一実施例)図1は本発明の一実施例の構成を示す斜
視図である。まず、本実施例の構成及び作用について説
明する。 【0012】図において、10はレチクルで、載物台1
2の上に周辺部のみ支えられた状態で載置されている。
該レチクル10には、支持枠22を介してペリクル20
が装着されている。また、前記載物台12は、モータ1
4と送りねじ16により、図のxyz座標系におけるy
方向に移動可能となっている。なお、前記載物台12の
y方向への移動量は、例えばリニアエンコーダ等の測長
器18により測定される。また、前記載物台12は、図
示しない適宜手段によりz方向にも移動可能に構成され
ている。 【0013】次に、レーザビームLは図示しない適宜の
発振手段から出力され、エキスパンダー1、集光レンズ
26及びその他の光学素子により任意のビーム径に調節
されて被検査対象としてのレチクル10またはペリクル
20上に斜入射する。なお、該レーザビームLの入射角
すなわち被検査物平面とのなす角は、該レーザビームL
が支持枠22にケラレないような角、好ましくは10゜
〜80゜程度とする。 【0014】次に、レーザビームLを被検査面上で走査
させる場合の動作について説明する。上記のように出力
されたレーザビームLは、走査鏡、例えばガルバノスキ
ャナーミラー28により、被検査面、例えばレチクル1
0上におけるx方向の所定の範囲内を走査する(以下こ
の範囲を「走査範囲S」と称す)。このとき同時にモー
タ14も駆動させて載物台12を移動させることによ
り、レーザビームLのx方向の走査速度よりも遅い速度
でレチクル10をy方向に移動させる。 【0015】以上のようにして、レーザビームLをx方
向に走査するとともにレチクル10をy方向に移動させ
ることにより、レーザビームLを被検査物としてのレチ
クル10の全面に走査させることができる。なお、レー
ザビームLのレチクル10上における照射位置について
は、y方向については測長器18の出力するレーザビー
ムLのレチクル10上におけるy方向の照射位置に対応
した測定値により、x方向についてはガルバノスキャナ
ーミラー28の振れ角を検出することにより、x、yの
各方向について知ることができる。 【0016】次に、被検査面上におけるレーザビームL
のビーム径を変更する動作について説明する。2はアパ
ーチャーであり、エキスパンダー1及びガルバノスキャ
ナーミラー28との間の光軸上に適宜挿入可能に設けら
れている。該アパーチャー2を前記光軸上に挿入した場
合と、該アパーチャー2を挿入しない場合とで比較する
と、前者の場合は集光レンズ26を透過した後における
収束ビーム開口数が小さくなる。その結果、焦点上すな
わち被検査面上におけるレーザビームLのビーム径が大
きくなる。ビーム径の変更は以上のように、前記アパー
チャー2を前記光軸上に適宜挿入または除去することに
よって行われる。 【0017】なお、ビーム径を変更して異なるビーム径
によって検査を行う場合には、それに伴って載物台12
のy方向への搬送速度を変更して検査を行うことができ
る。なぜなら、ビームLのx方向への1回の走査によっ
てカバーできるy方向の走査幅がビーム系の拡大に伴っ
て拡がるため、y方向へのレチクル10の搬送速度を速
めることができるからである。 【0018】以上のように、ビーム径を拡大する場合に
は、該載物台12の搬送速度を大きく設定することがで
きる。従って、付着した異物径に対する許容度の大きい
ペリクル20を被検査対象とする場合には、ビーム径を
拡大して検査を行うことができるので、載物台12の搬
送速度を大きくすることにより、レチクル10を被検査
対象とする通常のビーム径による場合と比較して、レー
ザビームLをペリクル20の全面に走査させるのに要す
る時間が短縮される。 【0019】次に、レーザ光検出系の構成について説明
する。載物台12の上方には、被検査面上に付着した異
物からの散乱光を検出するための光電検出器30、3
2、34が配置されている。これらの光電検出器30、
32、34の光入射側には、異物からの散乱光を集光す
るためのレンズ36、38、40がおのおの矩形状のス
リット42、44、46を介して設けられている。これ
らのスリット42、44、46は、被検査面上の走査範
囲Sとほぼ共役な位置に、走査範囲Sの像と合わせて光
電検出器30、32、34と密着または近接して配置さ
れる。 【0020】上記スリットが設けられているのは、各光
電検出器に迷光が入射するのを防止するためである。す
なわち、被検査面、例えばレチクル10上においてレー
ザビームLを走査させる場合、レーザビームLが支持枠
22に近づいたときに、レチクル10の裏面または表面
で生じた反射光がさらに支持枠22によって反射され、
該反射光が光電検出器30、32、34への迷光となっ
て露光ムラの原因となることがある。従って、かかる迷
光が各光電検出器に入るのを防止する必要があり、かか
る防止策として、上記矩形状の各スリットを各光電検出
器の光入射側に設け、かかる迷光が各光電検出器に入射
しないようにしているものである。 【0021】なお、上記のように各光電検出器とスリッ
トを密着または接近させた構成とせず、例えばリレー光
学系を介して各光電検出器とスリットとを離した構成と
してもよい。次に、レンズ35、38、40の光軸l
1、l2、l3及び光電検出器30、32、34の具体
的配置方向について、図2及び図3を参照しながら説明
する。 【0022】図2は、本実施例のxy平面における構成
を説明する平面図である。まず、本図を用いてXY平面
における配置の方向について説明する。図において、ま
ず光電検出器30は、レンズ36の光軸l1がレーザビ
ームLの走査方向の延長上の適宜位置に配置されてい
る。一方、光電検出器32、34は、レンズ38、40
の光軸l2、l3がレーザビームLの走査中心Qにおい
て交わり、かつ各光軸の走査方向に対する方位角ψa、
ψbがおのおの15゜〜80゜の範囲となるように配置
されている。 【0023】次に、z軸を含む平面内の配置について図
3を用いて説明する。図3は本実施例のz軸方向の構成
を示す側面図である。まず、光電検出器30、32、3
4は、いずれも被検査面の上方すなわち照射面側に配置
されている。そして、z軸を含む平面においては、レン
ズ36、38、40の光軸l1、l2、l3の延長線
は、いずれもレーザビームLの走査中心Qにおいて交わ
り、かつ各光軸の走査面に対する角θ1、θ2、θ3が
いずれも10゜〜80゜の範囲であって、走査中心Qか
らほぼ等距離となる位置に配置されている。 【0024】なお、受光光学系によっては、走査中心Q
から少しずれた位置に各光軸l1、l2、l3の延長線
が交わるように配置した方が、より有効に走査範囲S上
の散乱光を受光できる場合がある。次に、おのおのの被
検査面上に所定のビーム径のスポットを形成する具体的
操作について説明する。 【0025】まず、図示しない適宜手段により載物台1
2をz方向に移動し、おのおのの被検査対象の面上にレ
ーザビームLの最小スポットサイズ位置がくるように調
節する。次に、レチクル10を被検査対象とするとき
は、アパーチャー2をエキスパンダー1とガルバノスキ
ャナーミラー28との間の光軸上以外の位置とし、ペリ
クル20を被検査対象とするときは、前記アパーチャー
2を前記光軸上に位置させる。 【0026】なお、前記アパーチャー2の内径は、所定
のビーム径となるように適宜定められる。次に、光電検
出器30、32、34の出力に基づいて異物の有無及び
大きさを判断する手段について、図4を参照しながら説
明する。図4は、光電検出器からの光電信号を処理する
信号処理手段の一例を示す回路図である。 【0027】まず、その構成について説明する。図にお
いて、光電検出器30、32、34の出力側は、おのお
の増幅器70、72、74を介して電圧制御増幅器(V
CA)等の増幅度変換器76、78、80に接続されて
いる。また、これらの増幅度変換器76、78、80は
制御器82と接続され、該制御器82により増幅度変換
器76、78、80の増幅度を個別に変更できるように
なっている。 【0028】次に、増幅度変換器76、78、80の出
力側は、コンパレータ84、86、88のおのおのの一
方の入力側に接続されている。一方、これらのコンパレ
ータ84、86、88の他方の入力側は基準電圧発生器
90と接続されており、この基準電圧発生器90によっ
て所定の基準電圧が各コンパレータに入力されるように
なっている。 【0029】上記コンパレータ84、86、88の出力
側はAND回路92の入力側に接続され、このAND回
路92の論理積の値が異物の検出信号として出力され
る。次に、上記のような異物検出用の信号処理回路の処
理動作について説明する。まず、光電検出器30、3
2、34によって検出された各検出信号は、各光電検出
器と被検査位置との距離によって変化するので、増幅度
変換器76、78、80により各検出信号についておの
おの補正を行う。 【0030】すなわち、光電検出器30、32、34の
各出力光電信号は、異物の形状または大きさが同一の場
合でも、レチクル10上の位置によってその信号値が異
なることになる。具体的には、同一のビーム走査線上の
異物であっても、光電検出器に近い異物による光電信号
の方が光電検出器から離れている異物による光電信号よ
りも大きくなる。 【0031】従って、このままでは各光電信号に基づい
て異物の有無を判断するのに不都合であり、また信号値
の大小に基づいて異物の大きさを判断することもできな
い。そこで、検査位置に対応して光電信号値を補正し、
検査位置による変動を除去する必要がある。このため、
増幅器70、72、74の出力側に増幅度変換器76、
78、80をおのおの設け、制御器82によって増幅度
を設定変更することにより、異物の位置による光電信号
値の変動を補正している。 【0032】なお、制御器82による増幅度の変更動作
は、以下のシーケンスにより行う。まず、レーザビーム
Lのx方向への走査を開始するとともに前記制御器82
の増幅動作を開始する。レーザビームLの走査中は、制
御器82は増幅度変換器76、78、80の増幅度をそ
れぞれ被検査面上のビーム位置との距離に応じて連続的
に変化させる。そして、レーザビームLのx方向の走査
の終了とともに制御器82の増幅動作も終了するように
する。この一連の動作を、レーザビームLをx方向につ
いて走査を行う毎に繰り返し行うようにする。 【0033】なお、増幅度変換器76、78、80の増
幅度及びその変更量は、光電検出器30、32、34の
配置すなわち被検査面との距離によって、あらかじめ決
定される。以上のようにして各光電信号に対する増幅度
の補正を行うことにより、ビームの位置による信号値の
変動要因を除去することができる。 【0034】次に、検査位置による変動を補正された各
検出信号は、コンパレータ84、86、88によって二
値化される。前述のように、異物による散乱光は無指向
であるため、異物からの散乱光による光電検出器30、
32、34の各出力光電信号はいずれも大きな信号とな
る。これに対し、パターンエッジによる散乱光は指向性
を有するので、光電検出器30、32、34における各
出力光電信号のうち、少なくとも1つの信号は小さくな
る。 【0035】そこで、各光電信号を、基準電圧発生器9
0の出力する基準電圧と比較し、基準電圧より大きい場
合のみ出力するようにして二値化を行う。次に、AND
回路92により、各コンパレータ84、86、88によ
って二値化された各出力の論理積の値が出力される。こ
の場合、コンパレータ84、86、88の全てから出力
されている場合にのみAND回路92の出力が論理値の
「H」レベルとなり、検出信号SDとして出力される。 【0036】従って、検出信号SDが「H」であれば異
物からの散乱信号として判断し、異物の存在を検出す
る。検出信号SDが「L」の場合は、散乱信号が全くな
いか、パターンエッジからの散乱信号と判断し、異物は
存在しないと判断する。以上のようにして検出信号SD
から異物の有無を判断することができる。一方、異物を
検出した場合の異物の大きさの判定については、上記の
ように補正された増幅度変換器76、78、80の各出
力信号SA、SB、SCを用いて行う。すなわち、異物
の大きさと増幅度変換器76、78、80の各出力信号
SA、SB、SCのうち最も小さい信号レベルとの対応
関係をあらかじめ統計的に求めておき、かかるデータと
実際の出力信号とを比較することにより、異物のおよそ
の大きさを求めることができる。 【0037】ビーム径を拡大するためにアパーチャー2
を使用した場合には、開口数が小さくなるとともにレー
ザビームLの光量が低下するので、制御器82によって
増幅度変換器76、78、80の増幅度を一律に変える
か、または、基準電圧発生器90の基準電圧を変えるこ
とにより調節を行うようにする。これによってビーム径
が変った場合でも、異物の検出感度(大きさ判定等)が
ビーム径に応じて最適に保たれる。 【0038】(第二実施例)次に、本発明の第二実施例
について、図5を参照しながら説明する。図5は、本発
明の第二実施例の光学的構成部分を示す斜視図である。
本実施例においては、被検査面上でのレーザビーム径を
変える手段として、倍率の異なる2つのエキスパンダー
5a、5bと、レーザビームLを光路LaまたはLbに
切り換えるための切り換えミラー3、4とを備えてい
る。かかる構成部分以外の構成部分、例えばビーム走査
系、受光系等は全て第一実施例と同じである。 【0039】次に、本実施例における動作について説明
する。適宜の発振手段(図示せず)から出力されたレー
ザビームLは、切り換えミラー3、4が光路中に挿入さ
れていない場合には光路Laに沿って進み、エキスパン
ダー5aによって拡大されたのち、被検査面(例えばレ
チクル10上)に到達して所定のビーム径を有するスポ
ットを形成する。これにより異物検査を行う。 【0040】次に第二の被検査面(例えばペリクル20
上)の異物検査を行う場合には、図示しない適宜手段で
載物台12をz方向に移動し、かつ2つの切り換えミラ
ー3、4を同時にレーザビームLの光路中に挿入する。
これによりレーザビームLは光路Lbに沿って進み、前
記エキスパンダー5aとは倍率の異なる第二のエキスパ
ンダー5bによって拡大されたのち、ペリクル20上に
前記レチクル10上に形成したビーム径とは異なる大き
さのスポットを形成し、これにより異物検査を行う。 【0041】上記の構成において、切り替えミラー3、
4の動作及び倍率の異なるエキスパンダー5a、5bを
用いる代りに、例えばズーム系からなる倍率可変のエキ
スパンダーを用いてもよい。なお、光電検出器30、3
2、34によって検出される異物からの散乱光信号につ
いては、第一実施例と同じ信号処理回路すなわち図4の
回路によって処理される。 【0042】以上説明した第二実施例においては、レー
ザビームLの光量を損失せずに被検査面上でのビーム系
を変更できるので、光量変化による光電信号の調整も必
要がなく、また第一実施例の場合よりもレーザ光を有効
に利用することができる。 (第三実施例)次に、本発明の第三実施例について図6
を参照しながら説明する。本実施例は、被検査面に照射
するレーザビームの焦点をずらし、結果的にビーム径を
変更する手段を用いたものである。 【0043】図において各部の構成は、レンズ1a、1
bによって構成されるエキスパンダーとガルバノスキャ
ナーミラー28との間に図1中にあったアパーチャー2
が省かれていること以外は、全て第一実施例の構成と同
じである。次に、本実施例の動作を説明すると、ペリク
ル20面上の異物を検査する場合は、載物台12のz方
向の位置は変えずに、エキスパンダーの一方のレンズ
(例えばレンズ1a)を光軸上において移動させ、レー
ザビームLの焦点位置を変えることによってペリクル2
0上のビーム径を変える。 【0044】このとき、レチクル10とペリクル20と
では当然支持枠22の高さに対応して検査位置にずれが
生じる。従って、この場合においては、スリット42、
44、46によって散乱光がさえぎられることのないよ
うに、スリット42、44、46の幅を決める必要があ
る。なお、エキスパンダーのレンズ1a、1bはいっさ
い動かさずに、すなわちレーザビームLの焦点位置を変
えずに、載物台12をz方向に移動し、ペリクル20上
で所定のビーム径になるようにしてもよい。 【0045】なお、本実施例においても、光電検出器3
0、32、34によって検出される異物からの散乱光信
号については、第一実施例と同じ信号処理回路すなわち
図4の回路によって処理される。 【0046】 【発明の効果】本発明においては、被検査面における光
ビームのビーム径を変えるビーム径変更手段を設けたこ
とにより、被検査面におけるビーム径を被検査物に応じ
て変化させ検査することが可能となるので、被検査物の
異物の大きさに対する許容度に応じて最適な走査速度に
より検査を行うことが可能となる。従って、検査対象に
応じた最小限の検査時間で検査を行うことができるとい
う効果がある。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の第一実施例の光学的構成部分を示す斜
視図。 【図2】第一実施例の主要部分の平面図。 【図3】第一実施例の主要部分の側面図。 【図4】光電信号の信号処理手段の一例を示す回路図。 【図5】本発明の第二実施例の光学的構成を示す斜視
図。 【図6】本発明の第三実施例の光学的構成を示す斜視
図。 【主要部分の符号の説明】 1、5a、5b・・・エキスパンダー、1a、1b・・
・レンズ、2・・・アパーチャー、3、4・・・切り換
えミラー、10・・・レチクル、20・・・ペリクル、
22・・・支持枠、30、32、34・・・光電検出
器、42、44、46・・・スリット、L・・・レーザ
ビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−220842(JP,A) 特開 昭60−214209(JP,A) 実公 昭62−5646(JP,Y2)

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1.少なくとも1つの被検査面に光を照射する照射手段
    と、該照射手段から照射された光ビームの走査を行う走
    査手段とを備えた異物検出装置において、 前記被検査面が許容する異物の大きさに応じて前記被検
    査面に照射する前記光ビームのビーム径を可変とするビ
    ーム径変更手段を備えたことを特徴とする異物検査装
    置。
JP8155373A 1996-06-17 1996-06-17 異物検査装置 Expired - Fee Related JP2671896B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8155373A JP2671896B2 (ja) 1996-06-17 1996-06-17 異物検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8155373A JP2671896B2 (ja) 1996-06-17 1996-06-17 異物検査装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11907987A Division JPH0769272B2 (ja) 1987-01-29 1987-05-18 異物検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08313449A JPH08313449A (ja) 1996-11-29
JP2671896B2 true JP2671896B2 (ja) 1997-11-05

Family

ID=15604523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8155373A Expired - Fee Related JP2671896B2 (ja) 1996-06-17 1996-06-17 異物検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2671896B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5208896B2 (ja) * 2009-09-28 2013-06-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置およびその方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08313449A (ja) 1996-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4999510A (en) Apparatus for detecting foreign particles on a surface of a reticle or pellicle
JP5469839B2 (ja) 物体表面の欠陥検査装置および方法
US9400176B2 (en) Dynamic focus adjustment with optical height detection apparatus in electron beam system
JPS58120155A (ja) レチクル異物検出装置
JP3729156B2 (ja) パターン欠陥検出方法およびその装置
JPH07209202A (ja) 表面状態検査装置、該表面状態検査装置を備える露光装置及び該露光装置を用いてデバイスを製造する方法
JPH0333645A (ja) 表面状態検査装置、露光装置、及び表面状態検査方法
JPS6352696B2 (ja)
US7767982B2 (en) Optical auto focusing system and method for electron beam inspection tool
JP2014062940A (ja) 検査装置
JPH0769272B2 (ja) 異物検査装置
JP3185878B2 (ja) 光学的検査装置
KR100878425B1 (ko) 표면 측정 장치
JP2671896B2 (ja) 異物検査装置
JPS61260632A (ja) 異物検査装置
JP2007334212A (ja) フォトマスクの検査方法及び装置
JP2007113941A (ja) 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JPS6138448B2 (ja)
JP3336392B2 (ja) 異物検査装置及び方法
JPH0629178A (ja) 露光方法及び露光装置
JPH06186168A (ja) 欠陥検査方法及び装置
JPH0769271B2 (ja) 欠陥検査装置
JPH07119700B2 (ja) 異物検出装置
JP2947916B2 (ja) 面状態検査装置
JP2762313B2 (ja) 格子面板の異物検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees