JPH0769271B2

JPH0769271B2 - 欠陥検査装置

Info

Publication number: JPH0769271B2
Application number: JP4224787A
Authority: JP
Inventors: すなお村田; 欣也加藤; 和則今村; 史倫早野
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1987-02-25
Filing date: 1987-02-25
Publication date: 1995-07-26
Anticipated expiration: 2010-07-26
Also published as: JPS63208746A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は半導体素子の製造に使われるマスクやレチクル
に存在する欠点、特にマスクやレチクルに付着した異物
を検出する装置に関し、特に環境中に浮遊する微小なゴ
ミからマスクやレチクルを保護する目的で、透明な基板
（高分子薄膜又はガラス板）を一体に設けたマスクやレ
チクル又は透明基板自体等を検査する装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、マスクやレチクル（以下、レチクルで代表する）
を光ビームで走査して、付着した異物を自動検出する装
置として、特開昭58−62543号公報、特開昭58−62544号
公報等に開示されたものが知られている。この装置は集
光したレーザ光のスポットをレチクル表面に10°〜45°
の角度で入射させた状態で、例えばガルバノミラー（振
動鏡）等でｘ方向に一次元走査し、レチクルをｙ方向に
移動させ、レチクル表面から生じる反射光のうち、側方
散乱光、後方散乱光等を、レーザ光照射位置に対して特
定の空間位置に配置された複数の光電検出器で受光する
ことによって、異物の有無、付着状況、大きさ等を検査
するものである。

このような検査装置において、近年、高分子薄膜（以下
ペリクルと呼ぶ）付きのレチクルに対しても有効な検査
ができるようにすることが望まれてきた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の装置でペリクル付のレチクルをそのまま検査する
場合、以下のような問題点が生じることが本願発明者に
よって確認された。

第１点は、レーザ光がペリクル側からレチクルに入射す
る際、レーザ光が斜入射で走査されているために、走査
位置に応じて入射角が変化し、レチクル面に達するレー
ザ光のスポット光強度が変化することである。これはペ
リクルに対するレーザ光の入射角が変化することによっ
て、そのレーザ光に対する光透過率が見かけ上変化する
ことに起因する。

第２点は、光電検出器が特定の空間に配置され、異物の
付着位置、すなわちスポット光の走査位置に応じて、異
物から光電検出器に達する散乱光の光路とペリクルとの
なす角度が変化することである。これも散乱光のペリク
ルに対する入射角が変わることで生じるペリクルの見か
け上の光透過率変化に起因する現象である。

このため、ペリクルの付いていないレチクルと、ペリク
ル付きのレチクルとでは、例え同位置に同程度の異物が
付着していても、異物の検出感度が異なってしまうとい
った不都合が生じることになる。

〔問題点を解決するための手段〕そこで本発明では、被検査基板（レチクルやマスク等）
とほぼ平行に設けられる光透過性基板（ペリクル又は保
護ガラス板）の光透過率又は反射率、具体的には透過率
又は反射率の光線（レーザ光又は散乱光）の入射角変化
に依存した変化特性を入力する入力手段、例えば予め算
出、又は実験により求めた透過率の変化特性に関する情
報を記憶するメモリ、あるいは実測する測定部を設け
る。そして、レーザ光をペリクルを介してレチクルに入
射するか、異物からの散乱光をペリクルを介して光電検
出する場合には、光電検出された異物の情報（電気信号
又はソフトウェア上の数値データ）を透過率の変化特性
によって補正する補正手段を設けるようにした。

〔作用〕

上記構成により、レーザ光等がレチクルを走査するとき
に生じる各種光（レーザ光、あるいは散乱光）のペリク
ルに対する入射角が変化しても、この入射角変化に応じ
て異物の検出感度がハードウェア上、又はソフトウェア
上で補正されることになり、検査領域全面で均一な異物
検出感度を得ることができる。

この検出感度の補正は、レーザ光が一次元に走査される
場合は、一次元の走査位置に応じて光電信号に対してリ
アルタイムに加えることができる。従って検査にあたっ
て、ペリクル付レチクルか否かのみを指定すれば、その
両者に対してほぼ同一の検出感度で異物の付着の有無、
異物の大きさ、あるいは付着状況を自動的に検査するこ
とができる。

〔実施例〕

第１図は、本発明の第１の実施例に使用される入力手段
の測定部を原理的に示す斜視図であって、l₁、l₂は、ペ
リクルフレーム２に張設されたペリクル（薄膜）2a上に
直交するように定めた直線でペリクルフレーム２はl₁を
回転軸として、モータ等により回転可能である。レーザ
光源１は異物検査時に用いるレーザ光と同じ波長の光を
出力し、そのレーザ光はl₁、l₂を含むペリクル2aの面に
斜入射し、その透過光は受光素子３に入射する。直線l₂
は光源１からのレーザ光の光軸のペリクル面上での写影
である。

その際、ペリクル2aをl₁中心に回転させ、入射角に対す
る受光素子３の光電出力を測定することにより、ペリク
ル2aの該レーザ光に対する透過率の入射角依存性（透過
率の変化特性）を知ることができる。

またペリクルフレーム２及びペリクル2aがすでにレチク
ルにペリクル2aとレチクル面とが平行になるように取り
付けられていた場合は、透過率を直接測定することは不
可能だが、ペリクル2aでの反射光を受光素子４を用いて
光電検出することにより反射率の変化特性を測定するこ
とができ、この反射率の変化特性により、透過率の変化
特性を推定することができる。

この実施例では直線l₁を中心にペリクル2aを回転した
が、この回転範囲は異物検査装置における入射レーザ光
とペリクル2aとが成す角度範囲、あるいは、受光系への
散乱光の角度範囲と同じであれば好都合であるが、特に
その必要はない。なぜなら、波長の決った光線に対して
ある入射角範囲で、ペリクル2aの透過率変化特性を知る
ことができて、かつ、そのペリクル自体の特性つまり単
一物質からできているか、表面に反射防止膜を付着させ
ているか等が判れば、その特性は十分推定できるからで
ある。尚、このペリクル2aの回転範囲によっては、反射
光を検出する受光素子４を不図示の装置でペリクル2aの
回転と同期させて移動させる必要がある。

また、レーザ光源１からのレーザ光の波長も異物検査用
レーザ光と同じにする必要もなく、異なっていても透過
率は推定可能である。

さらに、光源として単色光である必要もない。

さらに本実施例ではペリクル2aの位置による厚みムラは
ないものと仮定するが、厚みムラがある場合でも後述す
る方法によって十分対応できる。またレーザ光源１から
ペリクル2aに達するレーザ光は異物検査装置側のレーザ
光と同一の開口数（N.A.）及びスポットサイズとするこ
とが望ましいが、かならずしもその必要はない。

さて第２図は、第１図の測定部を異物検査装置に組み入
れた本発明の第１実施例による構成を示す斜視図であ
る。レーザ光源11を出たレーザビーム100はハーフプリ
ズム12により透過率測定部Ａに向うレーザビーム102と
異物検査部Ｂに向うレーザビーム101に分けられる。測
定部Ａに向かうレーザビーム102は、さらにハーフプリ
ズム13によってレーザビーム103とレーザビーム104に分
けられる。レーザビーム104は光量モニター用受光素子1
4によって受光される。また、レーザビーム103はミラー
15により偏向後、測定部Ａ内の所定位置に設置されたペ
リクル2aに入射する。このペリクルフレーム２はペリク
ル2a上に定めた回転軸l₁のまわりを矢印111の方向に適
宜モータ等により回転する。ペリクル2aからの反射光10
5又は透過光106をそれぞれ受光素子４、３により受光
し、光線の入射角（又は射出角）θの関数として、それ
ぞれ受光素子14によって受光された光量を分母にとり、
受光素子３、４により受光された各光量をそれぞれ分子
にとることによって、透過率又は反射率の変化特性を実
測する。このとき、たとえば反射光105を測定する場合
はペリクル2a（フレーム２）の回転にともなって、受光
素子４も移動（直線l₁のまわりに回転）する方が、受光
素子４の受光面の小型化という点からは好都合である。
尚、第２図中の測定部Ａには光学系（レンズ等）が省略
されているが、適宜最適なものが設けられることは述べ
るまでもない。

さて、透過率測定部Ａでペリクル2aの入射角による透過
率変化特性が計測されると、異物検査部Ｂには、ペリク
ル単体又はペリクル付のレチクルが不図示の移動装置で
搬送される。本実施例ではペリクル付のレチクル22を検
査する場合を図示する。異物検査部Ｂでは、レーザビー
ム101がミラー19により光路を曲げられ、スキャナーミ
ラー20で反射されて、いわゆるレーザビーム偏向が行な
われる。走査用対物レンズ21及び不図示のビームエキス
パンダー光学系により走査レーザビームは、走査軌跡11
0（第２図ではレチクル22の表面で図示）上で焦点を結
ぶ。このとき焦点上にフレーム23に張設したペリクル23
aやレチクル22の表面が位置し、そこに異物があると、
異物から散乱光を生じるが、これを集光レンズ24、26を
介して受光素子25、27で受光して異物を検出する。異物
検出の方法は種々提案されているが、基本的には先に揚
げた特開昭58−62544号公報に開示されているように、
レーザビームの走査軌跡110のｘ座標位置（レーザ走査
方向の位置）による受光光学系Ａの散乱光のとり込み率
の変化を、各受光素子からの光電信号の電気増巾率（利
得）にフィードバックして補正するか、あるいは散乱光
であることを電気信号で２値化するためのコンパレート
電圧（スライスレベル）を変化させるかして、異物の付
着場所による検出感度の変化を一様にしている。

ここでレチクル22にはペリクル23aが貼付されている
と、レーザビーム101が斜入射であることから、レーザ
ビーム101のペリクル23aにおける透過率が１ではないこ
とがあり、さらに、入射ビーム光学系（レンズ21等）
が、いわゆるテレセントリック光学系でない場合はレー
ザビームの走査により、入射角が変化しているので透過
率も一定とならない。かつ、異物からの散乱光において
も、受光光学系（レンズ24、26）への散乱光の光線とペ
リクル23aとのなす角度がレーザビームの走査位置によ
り変化するので、たとえばレチクル22上の異物からの散
乱光信号は、ペリクルの有無によりレーザビームの例え
同一走査位置にあったとしても変化することになる。ま
たペリクル23aの内側の面に付着している異物からの散
乱光についても同様に、レーザビームの走査位置に応じ
て強度変化をうける。このときの変化は、ペリクル23a
の膜厚等が判れば、推定できるが、この情報は透過率測
定部Ａにより得ることができるので、レーザビームを走
査させた異物検出時に容易に補正することができる。

なお、この補正は異物検出時に行なう必要はなく、検出
後、異物の大きさや位置等を検査結果として表示させる
時に、ソフトウェア上の演算で補正をかけても構わな
い。このときは透過率や反射率の変化特性の測定を異物
検査の後で行なえる。異物検査は、レチクル22をｙ方向
に移動させることによりレーザビーム走査を２次元的に
行ない、全面検査を行う。また、レチクル22又はペリク
ル23aの異物検査は、不図示のＺ方向に移動するステー
ジにてレーザビームのヒポット光の走査軌跡110をレチ
クル表面上またはペリクル面上に移してから、ｙ方向移
動により、それぞれレチクル22及びペリクル23a上の異
物検査を行なう。

さて第３図は、第２図で示した実施例の電気信号処理の
ブロック図である。まず、受光素子14からの光電信号30
は電圧変換器とA/D変換器等を含む前処理回路33を介し
て、CPU35に入力する。一方、受光素子３、４のうち反
射光105を受光する受光素子４からの光電信号31は電圧
変換器とA/D変換器等を含む前処理回路34を経てCPU（計
算器）35に入力する。同時にペリクル2aの回転111を角
度にしたデータ32も、不図示のロータリーエンコーダ等
からCPU35に入力する。ペリクル2aの透過率の入射角依
存性を知るのに必要な角度範囲だけ、これらのデータを
CPU35に入力後、CPU35はレーザビーム103の入射角と透
過率の関係（透過率の変化特性）をテーブルとして作成
しておく。また、CPU35は、作成したテーブルに基づい
て、ｘ方向のレーザビームの走査位置変化に対応した透
過率を演算により求め、これをRAM36、57に各受光素子2
5、27からの信号別に記憶させる動作も行なう。従って
このRAM36、57の夫々に、トリガー発生器38からの時系
列信号（パルス信号）をカウントした値をアドレスとし
て印加すると、その走査位置での透過率が自動的に読み
出されることになる。

尚、上記前処理回路33、34、CPU35、RAM36、57、により
本発明の入力手段が構成され、掛け算器43、44、増巾度
可変器49、50により本発明の補正手段が構成される。ま
た前処理回路33、34、CPU35、RAM36、57は本発明におけ
る光透過性基板（ペリクル）に関する情報を保持する部
分なので、ここを特にペリクル情報保持部37とする。

ところで異物からの散乱光は受光素子25及び27に受光さ
れ、その光量に応じた大きさの光量信号45及び46が得ら
れる。この信号45、46は各々、電圧変換器47及び48によ
り、電圧変換される。ここで、レーザビームのｘ方向走
査位置に関しては、トリガー発生器38によるスタートパ
ルスを同期信号としてのこぎり波発生器39からの電気信
号40をスキャナーミラー20の駆動回路に入れることか
ら、トリガー発生器38からの時系列信号（位置に応じた
パルス信号）をカウントすることで知ることができる。
そこでこのカウント値に基づいて散乱光が出ているとき
のｘ方向の走査位置が判る。

ペリクルがない場合でも、受光素子25、27に入射する散
乱光量は、受光立体角がｘ方向の位置に応じて変化する
ことから、光量の規格化のために電圧変換器47、48の各
々からの信号に対して利得調整を行なう増巾度可変器4
9、50が各々設けられる。このための増巾度変換定数は
予め実験等により求めてROM42及び41に記憶してあり、
トリガー発生器38からの時系列信号に応答してROM42、4
1から順次増巾度変換値を読み出し、夫々掛け算器44、4
3を介して増巾度可変器49及び50に入力する。これによ
り、ｘ方向の走査位置に応じた散乱光量の光電信号補正
を行なっている。尚、掛け算器44、43の夫々の他方の入
力定数は、ペリクルがないレチクルの場合は１に設定さ
れ、ROM42、41からの値がそのまま増巾度可変器49、50
に指示される。ここでペリクル23が貼付されていたとき
は、そのｘ方向の走査位置に応じた補正値をさらにかえ
る必要がある。つまり、ｘ方向の異物の位置がわかれ
ば、まず、異物に入射するレーザビームの入射角が判
る。又、異物からの散乱光もある光線束として受光素子
25、27に入射することがこのときの光線束とペリクル23
aとの入射角も、受光素子25、27の幾何学的な配置から
容易に求められる。そこで、走査軌跡110上でのスポッ
ト光のｘ方向位置に対応するトリガー発生器38からの時
系列信号を、透過率（又は反射率）の変化特性を走査位
置に対する透過率のテーブルとして記憶したRAM57及びR
AM36に入力すれば、レーザビームのｘ方向の走査位置に
応じた散乱光の透過量補正値を順次得ることができる。
このようにペリクルの存在により生じるレーザビーム
（スポット光）のｘ方向の走査位置に応じた補正値は、
前記ROM42及び41にある補正値と同様なものなので、両
者の補正値を掛け算器44、43で掛け合わせてから増巾度
可変器49、50にペリクル23aがあるときの増巾度変換値
として入力すれば、ペリクル23aがあっても正しく散乱
光量を規格化できる。こうして規格化された増巾度可変
器49、50からの各信号は、基準電圧（スライスレベル）
53、54と比較されるコンパレータ51、52により一定の信
号レベル以上の散乱光量に対して２値化が行なわれる。
そして、どちらの散乱光量も一定レベル以上であるとき
にデジタル信号56を出力するAND回路55により、例え
ば、特定の方向に強く散乱光を出す、レチクルパターン
エッジからの散乱光を誤検出することなく、ほぼ等方的
に散乱光を発生する異物の存在を知ることができる。

以上で、異物からの散乱光は光線束としてペリクル23a
を透過することや散乱光が偏光性を有すること（偏向成
分による異物検出感度のちがい）などは、予め、CPU35
に各種物理条件として入れておけば、補正が正確になる
ことは明らかである。

なお、ここでペリクルによる補正手段は、この実施例と
全く同じにする必要はなく例えは、ペリクル情報保持部
37からの情報に基づいて基準電圧53−54を可変にするよ
うに構成してもよいし、又、異物を検査後、透過率測定
部Ａで透過率を測り異物検出後に異物の大きさや位置の
情報をCRTに表示するときにその表示レベルを可変する
ようにしてもよい。この表示方法については例えばPROC
EEDINGS OF SPIE vol.470（1984年３月14、15日）の242
〜249頁に記載されたものが応用できる。この場合はソ
フトウェア上の演算が本発明の補正手段に相当する。さ
らにまた、ペリクルの透過率変化特性が予め、既知であ
れば、測定部Ａを用いることはなく異物検査前に、その
ペリクルの透過率データを求めてCPU35に入力してもよ
いことは明らかである。

さらにCPU35に入力した透過率データをRAM57、36に出力
するときも、予め想定されるデータを幾つかCPU35内部
に入れておき、透過率測定部Ａで得られたデータとよく
対応するデータを選択し、走査位置に対応する透過率
（補正ファクタ）に変換してRAM57、36に出力する方法
でもよい。この場合、CPU35、RAM36、57に記憶される各
種データは例えば第４図に示したグラフのように定めら
れる。CPU35にはペリクルの種類によって予め定められ
る反射率の変化特性（入射角度依存性）のいくつかが記
憶される。ここでは第４図（ａ）、第４図（ｂ）に代表
的に示すような２つの変化特性がデータベースとして記
憶されているものとする。第４図（ａ）、（ｂ）で横軸
はペリクルと入射光線との成す角度θ（deg）を表わ
し、縦軸は反射率を表わす。さて、測定部Ａで受光素子
４により計測された角度20°〜40°の範囲での反射率の
変化特性が、CPU35によって仮りに第４図（ａ）の特性
Ａに類似するものと判断されると、CPU35は第４図
（ｃ）、（ｄ）に示した補正カーブＡ−１、Ａ−２のデ
ータを夫々RAM36、57に出力する。第４図（ｃ）、
（ｄ）で横軸はレーザビームのスポット光の走査軌跡11
0上の位置を表わし、縦軸は掛け算器43、44（すなわち
増巾度可変器49、50）に与える利得調整量を表わす。第
４図（ｃ）、（ｄ）において、補正カーブＡ−１で決ま
る利得は例えば受光素子25からの光電信号45に対して与
えられ、走査開始点x_iではほとんど補正が行なわれず
（利得１）、走査終了点x_fでは約２倍に増巾度が上げら
れる。一方補正カーブＡ−２で決まる利得は、受光素子
27からの光電信号46に対して与えられ、開始点x_iでは約
２倍、終了点x_fでは約３倍になるようにほぼ連続的に調
整される。またCPU35の判断で、実測した反射率変化特
性が第４図（ｂ）に類似することがわかると、CPU35は
第４図（ｅ）、（ｆ）に示した補正カーブＢ−１、Ｂ−
２のデータを夫々RAM36、57に出力する。

以上の反射率（又は透過率）の変化特性のデータベース
又は利得補正用のカーブ特性は、さらに細分化して多種
類の特性に関して予め用意しておけば、ペリクルの材
質、寸法等によらずきめ細かな感度補正ができることは
述べるまでもない。

第５図は、ペリクルの透過率の入射角依存性を測定する
第２実施例であって、第１の実施例で、透過率測定部Ａ
に相応するものであり、ここでは反射率を測定するもの
とする。レーザビーム103は、第２図中のミラー15のか
わりにスキャナーミラー62に入射する。スキャナーミラ
ー62は矢印63の方向に回転振動してレーザビーム103は
レーザビーム64及びレーザビーム65ではさまれる範囲で
偏向させられる。このレーザビーム64及びレーザビーム
65は集光レンズ60により屈折させられて、レチクル22に
貼付してあるペリクルフレーム23上のペリクル23aのＰ
点で光軸が交わるこれらレーザビーム64又は65も、第２
図の場合と同様に所定の開口数をもち、ペリクル23a上
にスポット光として集光されるものとする。

そしてレーザビーム64は、ペリクル23aとθ_１をなす角
で入射し、正反射光は同じくθ_１をなす角でペリクル23
aから反射される。同様にレーザビーム65はペリクル23a
とθ_２（θ_２＞θ_１）をなす角で入射し、正反射光は同
じくθ_２をなす角で正反射される。これらの正反射光は
再び集光レンズ61により受光素子４に集まる。ここで、
スキャナーミラー62の回転振動の角度は、ペリクル23a
に入射する入射角に対応するものであるから、このスキ
ャナーミラー62のエンコーダ等により検出される角度情
報と受光素子４からの光電信号とに基づいて、第１の実
施例と同様にペリクル23aの透過率（反射率）の入射角
依存性（変化特性）が推定できる。この第２の実施例に
よれば、ペリクルフレーム23を回転させたり、受光素子
を移動させることなく透過率の入射角依存性が測定でき
るという特徴がある。

以上、本発明の各実施例では、ペリクルの厚さが走査位
置のどこでも均一であるものとし、測定部Ａにおける透
過率変化特性の実測もペリクル上の１点で行なった。し
かしながら、ペリクル上の位置に応じて厚みムラがある
と、これも透過率、変化の要因となる。このため、第１
図中に示した直線l₁又はl₂に沿ってペリクルを水平移動
させて、異なる位置について同様の実測を行なうとよ
い。この場合、異物検査部Ｂでのレーザビームの走査方
向について厚みムラがある場合は、第３図中のペリクル
情報保持部37のCPU35に、そのデータを入力して同様に
増巾度可変器49、50にて補正すればよい。またレーザビ
ームの走査方向と直交するｙ方向について厚みムラがあ
る場合は、レチクル（ペリクル付）がｙ方向に単位移動
することに同期して、増巾度可変器49、50の利得を調整
すればよい。

また各実施例では、いずれも異物検査部Ｂのレーザビー
ムはペリクル23a側からレチクル22に入射するものとし
たが、レチクル22側からレーザビームを照射して、ペリ
クル23a側から異物の散乱光を光電検出する場合でも同
様に本発明を実施できる。さらにレチクル22の両面にペ
リクル23aを所定の間隔で平行に張設する場合でも同様
である。

その他、第２図に示した異物検査部Ｂと測定部Ａとは一
体の構成としてもよい。この場合、スキャナーミラー20
を走査中心部でスポット光が一時的に静止できるように
構成し、正反射光の達する位置に受光素子４を配置すれ
ば、同様にペリクルの透過率の変化特性が求められる。
さらに測定部Ａにおいて、ペリクルに入射するレーザビ
ームは必らずしも入射角を連続的に変化させる必要はな
く、最低、２つの異なった入射角に対して実測すれば、
他の入射角の場合については演算により求めることがで
きる。

尚、本発明の各実施例では、レチクル表面から所定の間
隔で防塵用のペリクルを設けた場合について説明した
が、レチクル自体のガラス基板を厚いものとし、レチク
ルのクロム等のパターンが形成された面に防塵用のガラ
ス板を一体に貼り合わせた構成のレチクルに対しても本
発明は同様に実施できる。

また、各実施例における異物検出感度の調整（補正）は
いずれも散乱光を光電検出した後に行なうようにした
が、例えば第２図中のハーフプリズム12とミラー19との
間のレーザ光路中にAOM等の光量調整器（減衰器）を設
ければ、一部の補正ファクターに関してはレチクル面、
（又はペリクル面）を走査するレーザスポット光の強度
を、走査位置に対応して予め定められた量だけ高速に変
調することにより同様に異物の検出感度を調整できる。

各実施例のようにレーザビームがレチクル面に斜入射
し、複数の受光素子が互いに異なる空間位置でレチクル
面上の走査軌跡を見込んでいるときは、レーザスポット
光の強度のみを調整するだけではペリクルの透過率の変
化特性等による感度ムラを完全に補正することは難し
い。しかし、スポット光の強度を走査位置に応じて変調
することができると、受光系側の電気系に与える補正量
（増巾度可変器49、50の可変巾等）が小さくて済み、こ
の結果異物検出の総合的なダイナミックレンジを拡大で
きるといった効果が得られる。このことはより小さな異
物から大きな異物まで適正な感度で検出できることを意
味する。尚、レーザビームを斜入射する場合でも、受光
素子の配置によってはスポット光の強度を変調させるだ
けで同様な補正ができる。

〔発明の効果〕

以上本発明によれば、マスクやレチクル等に防塵用の透
明基板（薄膜又はガラス板）が設けられている場合にお
いても、光ビームで相対走査される被検査領域の全面で
感度ムラの生じることが防止され、正確な欠陥検査が達
成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例による透過率測定部の原理
的な構成を示す斜視図、第２図は本発明の第１実施例に
よる欠陥検査装置の構成を示す斜視図、第３図は信号処
理回路の構成を示す回路ブロック図、第４図（ａ）〜
（ｆ）は予め記憶された反射率の変化特性及び増巾度の
補正特性を示すグラフ、第５図は透過率（反射率）測定
部の第２の実施例による原理構成を示す図である。（主要部分の符号の説明）１、11…レーザ光源２、23…ペリクルフレーム 2a、23a…ペリクル（薄膜） 22…レチクル３、４、25、27…受光素子 20…スキャナーミラー 37…ペリクル情報保持部 43、44…掛け算器 49、50…増巾度可変器

フロントページの続き (72)発明者早野史倫東京都品川区西大井１丁目６番３号日本光学工業株式会社大井製作所内 (56)参考文献特開昭63−238454（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−261033（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被検査基板とほぼ平行に光透過性の基板が
設けられ、前記被検査基板又は前記光透過性基板の表面
に存在する欠点部を光ビームで相対走査し、該欠点部で
生じる特有の光情報を光電検出することにより、該欠点
部を検出する装置において、前記光透過性基板の光透過率又は反射率に対応した基板
情報を入力する手段と；前記光ビームを前記光透過性基
板を介して被検査基板に入射するか、前記欠点部からの
光情報を前記光透過性基板を介して光電検出する場合
に、前記光電検出により得られた欠点部の情報を前記基
板情報に基づいて補正する補正手段とを備えたことを特
徴とする欠陥検査装置。
【請求項２】前記光ビームを前記被検査基板に斜入射の
状態で少なくとも一次元方向に走査する走査手段を有
し、前記基板情報の入力手段は該光ビームの走査による
入射角度変化に依存した前記光透過性基板の光透過率変
化の情報を、前記走査の位置に対応して記憶する記憶回
路を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
装置。
【請求項３】前記基板情報の入力手段は、前記光透過性
基板の光透過率又は減裏率に関する情報を光ビームの入
射角度に対応して実測する測定部を含むことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の装置。
【請求項４】前記補正手段は、前記光電検出された信号
の大きさに基づいて前記欠点部を検出するにあたって、
該検出の感度を前記基板情報に応じて電気的に可変する
調整回路を含むことを特徴とする特許請求の範囲第２項
又は第３項記載の装置。
【請求項５】前記補正手段は、前記光ビームによる検査
が前記被検査基板上の所定領域に関して終了した後に、
該所定領域内で得られた欠点部の情報に対して演算によ
り前記補正を加えることを特徴とする特許請求の範囲第
２項又は第３項記載の装置。