JP2538338B2 - 異物検査装置 - Google Patents

異物検査装置

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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は異物検査装置に関し、特に半導体製造工程で
使用されるレチクル、フォトマスク等の露光用パターン
以外のごみ等の異物を検出する装置に関する。
［従来の技術］ 一般に、IC製造工程においては、レチクルまたはマス
クの所望の露光用パターンを、半導体焼付け装置（ステ
ッパまたはマスクアライナ）の投影光学系等により、レ
ジストが塗布された半導体ウエハ上に転写するという方
法が採用されている。
ここで、半導体焼付け装置によりレチクルまたはマス
クからレジストを塗ってあるウエハ上にパターンを転写
する時、ごみ等の欠陥がレチクルやマスクの上に付いて
いると本来のレチクルやマスクのパターン以外に欠陥の
形も焼付けることとなり、IC製法の歩留り低下の原因と
なる。
特にレチクルを使用し、ステップアンドリピートして
ウエハに所望のパターンを焼付けるステッパを用いる場
合、レチクル上の１ケのごみがウエハ全面に焼き付けら
れることとなる。
そこで従来、光電変換によりこれら異物の有無を検査
するようにしている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、この従来技術によれば、ペリクル枠付
レチクルを検査する場合、ペリクル枠からの過大散乱光
により、光電変換部へのダメージ及び過大信号による前
置増幅器の誤動作が発生し、異物からの微弱光の検出が
不可能であるという欠点があった。
本発明の目的は、このような従来技術の問題点に鑑
み、異物検査装置において、過大散乱光による悪影響な
く異物からの微弱光を検出できるようにすることにあ
る。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため本発明の異物検査装置は、検
査領域の外側に散乱部を有する被検査物上の異物を検査
する異物検査装置であって、被検査物を光ビームで走査
する光走査手段と、該光ビームで照射された被検査物か
らの光を受光する受光手段と、光ビームが前記被検査物
の検査領域内を走査する第１の状態と、光ビームが前記
散乱部を走査する第２の状態とを比較したとき、第１の
状態の方が検出感度が高くなるように光ビームの走査位
置に応じて検出感度を変化させる手段とを有することを
特徴とする。
ここで、前記被検査物としては、例えば、ペリクルを
装着したレチクルやウエハが該当し、前記散乱部はペリ
クル枠、またはレチクルやウエハのエッジが該当する。
前記感度を変化させる領域は、例えば、予め被検査物を
低感度で検査することにより、予め決定することができ
る。また、受光手段としては、光電子増倍管（PMT）を
用いることができる。
［作用］ この構成において、被検査物を検査するにあたって
は、光ビームが散乱部にあるときは検出感度が低くな
り、検査領域にあるときは検出感度が高くなるため、検
査領域における検出感度を高く設定しても、散乱部から
の過大な散乱光による悪影響なしに異物からの微弱光が
検出される。
光電子増倍管（PMT）は光電変換素子の一種であり、
その感度を一時的に変化させるには、ゲーティングと呼
ばれる方法が使用され、そのタイミングは、感度制御手
段に設けられた制御回路により行なわれる。
［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る異物検査装置の構
成を示す。
同図において、レチクルの異物検査は以下のように行
なわれる。
まず、レチクル９は図示しないハンドによりステージ
14上に載せられる。そして、レーザ光源１から射出され
たレーザビーム11はポリゴンミラー２により一方向に振
られ、ｆ−θレンズ３、斜め入射の影響を補正する収差
補正板４を通り、ペリクル面を透過して、レチクル９面
上に集光する。レチクル９面における散乱光12およびペ
リクル10面における散乱光13は各々集光レンズ5,6で集
光され、PMT7,8に入射して電気信号に変換される。この
電気信号は判別回路36を介して計算機30に入力し処理さ
れる。ごみの有無判別する為の構成としては一例とし
て、特開昭62−188945号公報に開示されているようなも
のを適用することができる。判別回路36はこの場合受光
した信号が一定のスライスレベルを超えるか否かでごみ
の有無を判別する。
同図において、15は検査用光ビームであるレーザビー
ムのスキャン開始点を検出するための光電変換素子、16
はレーザビームのスキャン終了点を検出するための光電
変換素子、18はステージ14の移動開始点を検出するため
のフォトスイッチ、19はステージ14の移動終了点を検出
するためのフォトスイッチ、17はこれらのフォトスイッ
チ18,19の光を遮断するためステージ14と一体に移動す
る遮光板である。また、20はボールネジおよびナットを
介してステージ14を駆動するためのパルスモータ、21は
ステージ位置検出用のロータリーエンコーダである。ロ
ータリーエンコーダ21はメモリのＹアドレス指定も兼用
している。
30は異物検査の動作全体を制御する計算機、31は計算
機30にデータを入力するためのコンソールである。32は
計測時用周波数変換回路、33は非計測時用周波数変換回
路、34はこれらの出力を選択するセレクタ、35はパルス
モータ20を駆動するモータドライバである。37と41は二
値化回路、38は光電変換素子15がレーザビームを検出し
てから所定時間の後にラッチ回路39の出力を『１』とす
る遅延回路、39はラッチ回路、40はラッチ回路39の出力
が『１』の間クロックパルスCPをカウントするカウンタ
である。カウンタ40はメモリのＸアドレス用でもあり、
二値化回路41の出力が『１』でリセットされる。
第２図は、ペリクル付レチクル９の平面図でありその
座標を示す。同図において、LSはレーザビームの走査方
向を示しＸ軸に平行である。ステージ14は第１図の矢印
Ｓの方向すなわち−Ｙ方向に進行する。従って、ポリゴ
ンミラー２の回転により順次レチクル９に照射されるレ
ーザビームは、このステージ14を基準とすればＹ軸方向
に進行することとなる。
以下、第1,2図を参照して本実施例の装置による異物
検査の動作を説明する。
本実施例においては、レチクル９を載せたステージ14
を矢印Ｓの方向に移動することにより、レチクル及びペ
リクル全面の検査が行なわれる。
第２図において、斜線部はペリクル枠を表わしてお
り、この部分において過大な散乱光が発する。したがっ
て、レーザビームがＹアドレスYABにて走査された場
合、ＸアドレスXA,XBの範囲において、PMT7,8をゲーテ
ィングし、感度を一時的に低化させる。また逆に、XCの
範囲においてPMT7,8をゲーティングし、感度を上げるこ
とも計算機30の指令にて可能である。すなわち、カウン
タ40よりＸアドレス、ロータリエンコーダ21よりＹアド
レスがゲーティング制御回路45に入力されることにより
現在のビームスポットの位置に対応したX,Yのアドレス
が認識され、そのアドレスに応じてゲーティングするか
否かのデータがゲーティング回路43,44に出力される。
ゲーティング回路43,44は、その制御信号により、PMT7,
8の感度のアップダウンを行う。
ゲーティング制御回路45がX,Yアドレスに基づいて出
力するゲーティングするか否かのデータは、レチクル９
に装着するペリクル10の位置および形状により決定され
る。
この装着位置は±0.5mmの精度があり、この位置ずれ
まで含め、ペリクル10の実際の枠形状より広くゲーティ
ングすることにより事前に過大光から光電変換素子を守
ることができる。
ペリクル形状に関するデータは、後述する方法で計算
機30によりゲーティング制御回路45に設定し、レチクル
９に装着したペリクル10に応じてペリクル形状を選択す
る。
なお、上述においてはレチクル上のペリクル枠のみ注
目しているが、レチクルのエッヂ（端面）での散乱光も
大きく、このエッジについて同様に適用しても有効であ
る。また、レチクル以外にウエハのエッヂに適用するこ
とも可能であり、ウエハ用の異物検査装置としても有効
である。
PMTの感度を変える領域を予め設定する為に、検査前
に予め被検査物を全面走査し、その検出結果よりPMTの
感度を変える領域を算出する。
第３図はこの方法による検査手順を示すフローチャー
トである。
これによれば、まず、ペリクル枠からの散乱光を抑え
るためにレーザ出力部にフィルタ46を挿入する（ステッ
プ101）。これにより、ペリクル枠からの散乱光は1/100
以下に抑えられ、PMTのダメージが防止される。
なお、フィルタを挿入するかわりに、フォトダイオー
ドを用いて検出することも可能である。
次に、レチクルをステージ14上に搬入し（ステップ10
2）、レチクル全面をゲーティングをかけないで走査し
（ステップ103）、そして一定電圧以上のデータのみで
ペリクル枠形状を算出して第４図に示すようなデータを
求め、ペリクル枠形状が連続であることからこれらを第
２図に示すようなデータに補正し、これをゲーティング
制御回路45に設定する（ステップ104）。
次に、フィルタ46をはずし（ステップ105）、設定さ
れたデータに基づいてゲーティングをかけて検査を行う
（ステップ106）。
検査が終了したらレチクルを搬出して（ステップ10
7）検査手順を終了する。
なお本明細書内における『感度を下げる』は出力を減
少させる意味であり、光電子増倍管の光電子増幅率を下
げる等して受光光量に対する出力の割合を減少させるこ
と、光電子増倍管の受光部の前に減光手段（例えばフィ
ルター）を挿入する等して受光光を減少させるあるいは
遮光すること、あるいはレチクルに入射する光そのもの
を減光あるいは遮光することが含まれるものである。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、光ビームが被検
査物の検査領域内を走査する第１の状態と、光ビームが
散乱部を走査する第２の状態とを比較したとき、第１の
状態の方が検出感度が高くなるように光ビームの走査位
置に応じて検出感度を変化させるようにしたため、検査
領域における検出感度を高く設定しても、散乱部からの
過大な散乱光による悪影響なしに異物からの微弱光を検
出することができる。したがって、過大散乱光による光
電変換部のダメージや過大信号による誤動作を回避しつ
つ、異物からの微弱光を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例に係る異物検査走置の構成
図 第２図は、レーザ走査の領域を示す平面図、 第３図は、異物検査装置の動作を示すフローチャート、
そして 第４図は、第１図の装置における走査により算出された
領域を示す平面図である。 1:レーザ光源、2:ポリゴンミラー、 3:f−θレンズ、4:収差補正板、 5,6:集光レンズ、 7,8,15,16:光電変換素子、 9:レチクル、10:ペリクル、 18,19:フォトスイッチ、 20:パルスモータ、 21:ロータリ・エンコーダ、30:計算機、 31:コンソール、36:判別回路、 40:カウンタ、 43,44:ゲーティング回路、 45:ゲーティング制御図路。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−82726（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−208746（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−82727（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−141646（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−17645（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−135751（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−238454（ＪＰ，Ｕ)

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】検査領域の外側に散乱部を有する被検査物
    上の異物を検査する異物検査装置であって、 被検査物を光ビームで走査する光走査手段と、 該光ビームで照射された被検査物からの光を受光する受
    光手段と、 光ビームが前記被検査物の検査領域内を走査する第１の
    状態と、光ビームが前記散乱部を走査する第２の状態と
    を比較したとき、第１の状態の方が検出感度が高くなる
    ように光ビームの走査位置に応じて検出感度を変化させ
    る手段と、 を有することを特徴とする異物検査装置。
  2. 【請求項２】前記被検査物はペリクルを装着したレチク
    ルであり、前記散乱部はペリクル枠であることを特徴と
    する請求項１記載の異物検査装置。
  3. 【請求項３】前記被検査物はレチクルであり、前記散乱
    部はレチクルのエッジであることを特徴とする請求項１
    記載の異物検査装置。
  4. 【請求項４】前記被検査物はウエハであり、前記散乱部
    はウエハのエッジであることを特徴とする請求項１記載
    の異物検査装置。
  5. 【請求項５】予め被検査物を低感度で検査して検出感度
    を変化させる領域を決定する手段を有することを特徴と
    する請求項１記載の異物検査装置。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2933736B2 (ja) * 1991-02-28 1999-08-16 キヤノン株式会社 表面状態検査装置
US5249896A (en) * 1991-04-23 1993-10-05 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Apparatus for manufacturing lost foam pattern for use in full-mold casting
JPH0547878A (ja) * 1991-08-07 1993-02-26 Nec Yamagata Ltd 半導体ウエーハ表面検査装置
JPH0580497A (ja) * 1991-09-20 1993-04-02 Canon Inc 面状態検査装置
JP3259331B2 (ja) * 1992-05-29 2002-02-25 キヤノン株式会社 表面状態検査装置
JP3099535B2 (ja) * 1992-07-08 2000-10-16 キヤノン株式会社 表面状態検査装置
JP3253177B2 (ja) * 1993-06-15 2002-02-04 キヤノン株式会社 表面状態検査装置
US5581348A (en) * 1993-07-29 1996-12-03 Canon Kabushiki Kaisha Surface inspecting device using bisected multi-mode laser beam and system having the same
JP3211538B2 (ja) * 1994-01-13 2001-09-25 キヤノン株式会社 検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH07209202A (ja) * 1994-01-21 1995-08-11 Canon Inc 表面状態検査装置、該表面状態検査装置を備える露光装置及び該露光装置を用いてデバイスを製造する方法
JPH07270336A (ja) * 1994-03-28 1995-10-20 Nippon Seiko Kk 欠陥検査装置
JP3647100B2 (ja) * 1995-01-12 2005-05-11 キヤノン株式会社 検査装置およびこれを用いた露光装置やデバイス生産方法
US5929435A (en) * 1996-07-03 1999-07-27 Microtek International, Inc. Apparatus and method for automatically detecting and optically scanning graphic matter
US5912732A (en) * 1996-07-05 1999-06-15 Kabushiki Kaisha Topcon Surface detecting apparatus
DE29616893U1 (de) * 1996-09-27 1997-02-27 Beyss GmbH & Co. KG Maschinen- und Anlagenbau, 52078 Aachen Pumpstation für Späne enthaltende Kühl- und Schmierstoffe
US6122046A (en) * 1998-10-02 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Dual resolution combined laser spot scanning and area imaging inspection
JP2003315284A (ja) * 2002-04-24 2003-11-06 Mitsubishi Electric Corp パターン検査装置の感度調整方法
KR100542747B1 (ko) * 2003-08-01 2006-01-11 삼성전자주식회사 결함 검사 방법 및 결함 검사 장치
US7069155B1 (en) * 2003-10-01 2006-06-27 Advanced Micro Devices, Inc. Real time analytical monitor for soft defects on reticle during reticle inspection
JP5349742B2 (ja) * 2006-07-07 2013-11-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面検査方法及び表面検査装置
JP5712079B2 (ja) * 2011-07-29 2015-05-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置および欠陥検査方法
JP6836522B2 (ja) * 2018-01-26 2021-03-03 株式会社日立ハイテク 自動分析装置、及び自動分析装置の制御方法
US11874232B2 (en) * 2019-03-05 2024-01-16 Philip Morris Products S.A. Inspection station and method for inspecting sheet material

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2947212A (en) * 1956-04-30 1960-08-02 American Brass Co Method of detecting surface conditions of sheet metal
US3667846A (en) * 1969-07-28 1972-06-06 Charles Nater Optical surface inspection apparatus
SE345905B (ja) * 1970-10-21 1972-06-12 Nordstjernan Rederi Ab
US4342515A (en) * 1978-01-27 1982-08-03 Hitachi, Ltd. Method of inspecting the surface of an object and apparatus therefor
US4468120A (en) * 1981-02-04 1984-08-28 Nippon Kogaku K.K. Foreign substance inspecting apparatus
US4669875A (en) * 1982-11-04 1987-06-02 Hitachi, Ltd. Foreign particle detecting method and apparatus
JPS5982726A (ja) * 1982-11-04 1984-05-12 Hitachi Ltd ペリクル付基板の異物検査装置
US4886975A (en) * 1986-02-14 1989-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on two or more surfaces
JPH0621877B2 (ja) * 1986-02-14 1994-03-23 キヤノン株式会社 表面状態測定装置
US4795911A (en) * 1986-02-14 1989-01-03 Canon Kabushiki Kaisha Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on the surface
JPS6333834A (ja) * 1986-07-28 1988-02-13 Canon Inc 表面状態検査装置
JPH0769271B2 (ja) * 1987-02-25 1995-07-26 株式会社ニコン 欠陥検査装置
JPH02141646A (ja) * 1988-11-24 1990-05-31 Nikon Corp 異物検査装置

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Publication number Publication date
US5105092A (en) 1992-04-14
JPH032546A (ja) 1991-01-08

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