JPH075115A - 表面状態検査装置 - Google Patents
表面状態検査装置Info
- Publication number
- JPH075115A JPH075115A JP14362793A JP14362793A JPH075115A JP H075115 A JPH075115 A JP H075115A JP 14362793 A JP14362793 A JP 14362793A JP 14362793 A JP14362793 A JP 14362793A JP H075115 A JPH075115 A JP H075115A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inspected
- light
- optical axis
- inspection apparatus
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被検面の状態を正確に検査できる表面状態検
査装置を提供する。 【構成】 レーザーダイオード（３）からの光をレンズ
（４）により平行光（６ａ）し、当該平行光をλ／２板
（５）を介してレチクル（１）の被検面（１ａ、２ａ）
に斜入射させる照明手段と、被検面上の異物等で生じる
散乱光をレンズアレイ７によりセンサーアレイ８上に集
光する検出手段とを有し、λ／２板（５）が定める平行
光の偏光方向（２０）を照明手段の光軸と検出手段の光
軸とを含む平面にほぼ平行にしている。この構成によ
り、平行光のレチクルへの入射角度に誤差があっても、
散乱光同士の干渉による散乱光の強度変動が小さく抑え
られ、異物の大小の判別の間違いを犯しにくくなる。
査装置を提供する。 【構成】 レーザーダイオード（３）からの光をレンズ
（４）により平行光（６ａ）し、当該平行光をλ／２板
（５）を介してレチクル（１）の被検面（１ａ、２ａ）
に斜入射させる照明手段と、被検面上の異物等で生じる
散乱光をレンズアレイ７によりセンサーアレイ８上に集
光する検出手段とを有し、λ／２板（５）が定める平行
光の偏光方向（２０）を照明手段の光軸と検出手段の光
軸とを含む平面にほぼ平行にしている。この構成によ
り、平行光のレチクルへの入射角度に誤差があっても、
散乱光同士の干渉による散乱光の強度変動が小さく抑え
られ、異物の大小の判別の間違いを犯しにくくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面状態検査装置に関
し、特に半導体製造装置で使用される回路パターンが形
成されているレチクルやフォトマスク等の基板上または
／及び基板にペリクル保護膜を装着したときのペリクル
保護膜面上に、例えば不透過性のゴミ等の異物が付着し
ていた時に、この異物の有無及びその位置を精度良く検
出する表面状態検査装置に関するものである。
し、特に半導体製造装置で使用される回路パターンが形
成されているレチクルやフォトマスク等の基板上または
／及び基板にペリクル保護膜を装着したときのペリクル
保護膜面上に、例えば不透過性のゴミ等の異物が付着し
ていた時に、この異物の有無及びその位置を精度良く検
出する表面状態検査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にＩＣ製造工程においてはレチクル
又はフォトマスク等の基板上に形成されている露光用の
回路パターンを半導体焼き付け装置（ステッパー又はマ
スクアライナー）によりレジストが塗布されたウエハ面
上に転写して製造されている。
又はフォトマスク等の基板上に形成されている露光用の
回路パターンを半導体焼き付け装置（ステッパー又はマ
スクアライナー）によりレジストが塗布されたウエハ面
上に転写して製造されている。
【０００３】この際、基板面上にパターン欠陥やゴミ等
の異物が存在すると、転写する際異物も同時に転写され
てしまい、ＩＣ製造の歩留を低下させる原因となってく
る。
の異物が存在すると、転写する際異物も同時に転写され
てしまい、ＩＣ製造の歩留を低下させる原因となってく
る。
【０００４】特にレチクルを使用し、ステップアンドリ
ピート方法により繰り返してウエハ面上に回路パターン
を焼き付ける場合、レチクル面上に有害な一個の異物が
存在していると該異物がウエハ全面に焼き付けられてし
まいＩＣ製造工程の歩留を大きく低下させる原因となっ
てくる。
ピート方法により繰り返してウエハ面上に回路パターン
を焼き付ける場合、レチクル面上に有害な一個の異物が
存在していると該異物がウエハ全面に焼き付けられてし
まいＩＣ製造工程の歩留を大きく低下させる原因となっ
てくる。
【０００５】その為、ＩＣ製造工程においては基板上の
異物の存在を検出するのことが不可欠となっており、従
来より種々の検査方法が提案されている。一般には異物
が等方的に光を散乱する性質を利用する方法が多く用い
られている。
異物の存在を検出するのことが不可欠となっており、従
来より種々の検査方法が提案されている。一般には異物
が等方的に光を散乱する性質を利用する方法が多く用い
られている。
【０００６】また、検査面を対象とした検査方法は、大
別してパターニングされた基板面（パターン面）を検査
する方式（パターン面検査方式）と、パターンの無いブ
ランク面、或は防塵用に基板に装着されたペリクル面を
検査する方式（ブランク面検査方式）とに分けられる。
別してパターニングされた基板面（パターン面）を検査
する方式（パターン面検査方式）と、パターンの無いブ
ランク面、或は防塵用に基板に装着されたペリクル面を
検査する方式（ブランク面検査方式）とに分けられる。
【０００７】前者のパターン面検査方式では、検査用の
レーザービーム径も３０μｍ程度絞って基板を２次元的
に走査（スキャン）し、大きさ１〜２μｍの異物からの
散乱光を回路パターンから生じる回折光に対して選択的
に受光する光学方式が用いられている。
レーザービーム径も３０μｍ程度絞って基板を２次元的
に走査（スキャン）し、大きさ１〜２μｍの異物からの
散乱光を回路パターンから生じる回折光に対して選択的
に受光する光学方式が用いられている。
【０００８】後者のブランク面検査方式では、検査用の
レーザービーム径を１ｍｍ程度の太いビーム径とし、大
きさ２０〜３０μｍ程度の異物を検査対象としている。
一般にペリクル面やブランク面はウエハ面上でボケた状
態で投影される為に、それらの面上にある異物はウエハ
面に像として転写されることは少ない。
レーザービーム径を１ｍｍ程度の太いビーム径とし、大
きさ２０〜３０μｍ程度の異物を検査対象としている。
一般にペリクル面やブランク面はウエハ面上でボケた状
態で投影される為に、それらの面上にある異物はウエハ
面に像として転写されることは少ない。
【０００９】しかしながら異物が大きくなると焼き付け
光束を遮り、照度ムラとなり解像力が低下する原因とな
る。この為、このような表面状態検査装置には２０μｍ
程度の異物を高速でしかも精度良く検出可能なことが必
要となっている。
光束を遮り、照度ムラとなり解像力が低下する原因とな
る。この為、このような表面状態検査装置には２０μｍ
程度の異物を高速でしかも精度良く検出可能なことが必
要となっている。
【００１０】そこでレーザービームをほぼ平行に入射す
ることでレチクル上の被検査面のライン状エリアを一括
照明し、ラインセンサーにより当該ライン状エリアの異
物からの散乱光を受光し、レチクルを照明ラインに対し
て垂直方向に移動させることでレチクル全面の検査を行
うといった方式がある。
ることでレチクル上の被検査面のライン状エリアを一括
照明し、ラインセンサーにより当該ライン状エリアの異
物からの散乱光を受光し、レチクルを照明ラインに対し
て垂直方向に移動させることでレチクル全面の検査を行
うといった方式がある。
【００１１】
【発明が解決しようとしている課題】レチクルに対して
レーザービームをその表面に完全に平行に入射させる場
合、レチクルが入射レーザービームに対して傾いている
と、レチクル全面に光が照射されなくなり、全面を検査
できなくなる。
レーザービームをその表面に完全に平行に入射させる場
合、レチクルが入射レーザービームに対して傾いている
と、レチクル全面に光が照射されなくなり、全面を検査
できなくなる。
【００１２】そこで、レチクルの表面に対してレーザー
ビームを斜めに入射させる必要がある。しかしながら、
この場合、入射ビームのうち、レチクル（基板）の表面
で反射した光と異物に直接当たって反射した光とが干渉
を起こし異物からの散乱光の強度変動が生じ、大粒子か
らの散乱光強度が小粒子とからの散乱光強度よりも小さ
くなってしまうので、異物の大きさを正確に判別するこ
とができない。
ビームを斜めに入射させる必要がある。しかしながら、
この場合、入射ビームのうち、レチクル（基板）の表面
で反射した光と異物に直接当たって反射した光とが干渉
を起こし異物からの散乱光の強度変動が生じ、大粒子か
らの散乱光強度が小粒子とからの散乱光強度よりも小さ
くなってしまうので、異物の大きさを正確に判別するこ
とができない。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、異物等
の大小が正確に判別できる表面状態検査装置と当該検査
装置を備える露光装置と当該検査装置を用いて検査を行
う段階を含むデバイス製造方法とを提供することにあ
る。
の大小が正確に判別できる表面状態検査装置と当該検査
装置を備える露光装置と当該検査装置を用いて検査を行
う段階を含むデバイス製造方法とを提供することにあ
る。
【００１４】この目的を達成するための本発明の表面状
態検査装置は、被検面に光を斜入射させる照明手段と前
記被検面上の異物等で生じる散乱光を検出する検出手段
とを有する表面状態検査装置において、前記照明手段が
前記照明手段の光軸と前記検出手段の光軸とを含む平面
にほぼ平行な方向に偏光した直線偏光光を前記被検面に
入射せしめることを特徴としている。
態検査装置は、被検面に光を斜入射させる照明手段と前
記被検面上の異物等で生じる散乱光を検出する検出手段
とを有する表面状態検査装置において、前記照明手段が
前記照明手段の光軸と前記検出手段の光軸とを含む平面
にほぼ平行な方向に偏光した直線偏光光を前記被検面に
入射せしめることを特徴としている。
【００１５】また、この目的を達成するための本発明の
露光装置は、マスクの被検面に光を斜入射させる照明手
段と前記被検面上の異物等で生じる散乱光を検出する検
出手段とを有する表面状態検査装置を備える露光装置に
おいて、前記照明手段が前記照明手段の光軸と前記検出
手段の光軸とを含む平面にほぼ平行な方向に偏光した直
線偏光光を前記被検面に入射せしめることを特徴として
いる。
露光装置は、マスクの被検面に光を斜入射させる照明手
段と前記被検面上の異物等で生じる散乱光を検出する検
出手段とを有する表面状態検査装置を備える露光装置に
おいて、前記照明手段が前記照明手段の光軸と前記検出
手段の光軸とを含む平面にほぼ平行な方向に偏光した直
線偏光光を前記被検面に入射せしめることを特徴として
いる。
【００１６】また、この目的を達成するための本発明の
デバイス製造方法は、照明手段によりデバイスパターン
が形成されたマスクの被検面に光を斜入射させ、検出手
段により前記被検面上の異物等で生じる散乱光を検出す
ることにより前記マスクの使用の可否を判別する段階を
含み、前記マスクが使用できる場合に前記マスクのデバ
イスパターンを介して被露光基板を露光し、前記被露光
基板にデバイスパターンを転写するデバイス製造方法に
おいて、前記照明手段が前記照明手段の光軸と前記検出
手段の光軸とを含む平面にほぼ平行な方向に偏光した直
線偏光光を前記被検面に入射せしめることを特徴として
いる。
デバイス製造方法は、照明手段によりデバイスパターン
が形成されたマスクの被検面に光を斜入射させ、検出手
段により前記被検面上の異物等で生じる散乱光を検出す
ることにより前記マスクの使用の可否を判別する段階を
含み、前記マスクが使用できる場合に前記マスクのデバ
イスパターンを介して被露光基板を露光し、前記被露光
基板にデバイスパターンを転写するデバイス製造方法に
おいて、前記照明手段が前記照明手段の光軸と前記検出
手段の光軸とを含む平面にほぼ平行な方向に偏光した直
線偏光光を前記被検面に入射せしめることを特徴として
いる。
【００１７】本発明の好ましい形態では、前記照明手段
の光軸と前記被検面が成す角度が３．５°±３°に設定
される。
の光軸と前記被検面が成す角度が３．５°±３°に設定
される。
【００１８】本発明の露光装置やデバイス製造方法によ
り製造される対象は、例えば、半導体メモリ、半導体マ
イクロプロセッサー、磁気ヘッド、ＣＣＤ、液晶パネル
等があり、本発明の露光装置やデバイス製造方法によれ
ばマスクの使用の可否を正確に判別できるので、これら
のデバイスを製造する時の歩留まりを向上させる。
り製造される対象は、例えば、半導体メモリ、半導体マ
イクロプロセッサー、磁気ヘッド、ＣＣＤ、液晶パネル
等があり、本発明の露光装置やデバイス製造方法によれ
ばマスクの使用の可否を正確に判別できるので、これら
のデバイスを製造する時の歩留まりを向上させる。
【００１９】
【実施例】図１（Ａ）、（Ｂ）に本発明の第１の実施例
を示す。
を示す。
【００２０】図１（Ａ）は第１実施例の表面状態検査装
置の光学系の基本構成を示す。説明の簡略化のため図１
（Ａ）ではレチクルのガラス基板１の裏面（ブランク
面）１ａ側の異物検査光学系のみ記載するが、実際はレ
チクルのガラス基板１の表面（回路パターン面）を異物
から保護するペリクル膜のための異物検査光学系も備え
ている。図中の２はペリクル膜を取付けているペリクル
枠である。
置の光学系の基本構成を示す。説明の簡略化のため図１
（Ａ）ではレチクルのガラス基板１の裏面（ブランク
面）１ａ側の異物検査光学系のみ記載するが、実際はレ
チクルのガラス基板１の表面（回路パターン面）を異物
から保護するペリクル膜のための異物検査光学系も備え
ている。図中の２はペリクル膜を取付けているペリクル
枠である。
【００２１】半導体レーザー３から発散した直線偏光レ
ーザービームはコリメーターレンズ４により平行光に変
換される。平行光６ａは、光路中に設けられたλ／２板
５によりその直線偏光軸が所定の偏光方向に設定された
後、ブランク面１ａにほぼ平行に斜入射する。これによ
り、被検査面であるブランク面１ａ上にレーザービーム
による直線上照明領域９が形成される。
ーザービームはコリメーターレンズ４により平行光に変
換される。平行光６ａは、光路中に設けられたλ／２板
５によりその直線偏光軸が所定の偏光方向に設定された
後、ブランク面１ａにほぼ平行に斜入射する。これによ
り、被検査面であるブランク面１ａ上にレーザービーム
による直線上照明領域９が形成される。
【００２２】照明領域９上に異物１０が存在する場合、
異物１０から散乱光が発生する。この散乱光は照明領域
９の長手方向に沿ってレンズを並べた散乱光受光用結像
レンズ７ａ（レンズアレイ）によりラインセンサー８ａ
上に集光される。結像レンズ７ａは照明領域９をライン
センサー８ａ上に結像するよう構成してある。
異物１０から散乱光が発生する。この散乱光は照明領域
９の長手方向に沿ってレンズを並べた散乱光受光用結像
レンズ７ａ（レンズアレイ）によりラインセンサー８ａ
上に集光される。結像レンズ７ａは照明領域９をライン
センサー８ａ上に結像するよう構成してある。
【００２３】図１（Ｂ）に示すように、光学系全体１１
を照明領域９の長手方向に対して垂直でブランク面１ａ
に沿う方向、即ちＸ方向に直線的に走査することによっ
てブランク面１ａ全体の異物検査を行う。
を照明領域９の長手方向に対して垂直でブランク面１ａ
に沿う方向、即ちＸ方向に直線的に走査することによっ
てブランク面１ａ全体の異物検査を行う。
【００２４】図２はレーザービームの偏光軸の設定方向
を示す説明図である。図２に示す通り受光用結像レンズ
７ａの光軸が被検査面の法線に対してψだけ傾けられて
設定されているのに対応させてレーザービーム６ａの偏
光軸の方向２０も検査面の法線に対してψだけ傾けられ
て設定される。尚、図２においてレーザービーム６ｂ、
散乱光受光用結像レンズ７ｂ、ラインセンサー７ｂがペ
リクル膜用異物検査光学系を構成する各要素であり２１
はレーザービーム６ｂの偏光軸の方向である。
を示す説明図である。図２に示す通り受光用結像レンズ
７ａの光軸が被検査面の法線に対してψだけ傾けられて
設定されているのに対応させてレーザービーム６ａの偏
光軸の方向２０も検査面の法線に対してψだけ傾けられ
て設定される。尚、図２においてレーザービーム６ｂ、
散乱光受光用結像レンズ７ｂ、ラインセンサー７ｂがペ
リクル膜用異物検査光学系を構成する各要素であり２１
はレーザービーム６ｂの偏光軸の方向である。
【００２５】本来、粒子からの散乱光の強度は図３に示
すように粒子の散乱断面積の約２乗に比例して増加す
る。ところが、レチクルのガラス基板１で反射した光と
異物に直接当たって反射した光による干渉が生じると、
図８に示すような散乱光の強度の変動が見られる。この
干渉による散乱光の強度変動について図４に示すモデル
を考えた。このモデルは、レチクルの基板表面１ａで反
射した光と異物１０に直接当たって反射した光による干
渉の様子を幾何学的に簡単に考えたモデルである。以下
に、基板表面１ａに対して垂直な方向で反射光を受光す
る場合について説明する。レーザービームＳ１、Ｓ２が
レチクル１の法線に対する入射角θで入射する時、光ビ
ームＳ１は異物１０に直接当たって（Ａ点）反射し受光
系がある垂直方向に進み、光ビームＳ２はいったんレチ
クル１の基板の表面１ａ（Ｂ点）で反射した後に異物１
０に当たって（Ａ点近傍）さらに反射し受光系がある垂
直方向に進む。
すように粒子の散乱断面積の約２乗に比例して増加す
る。ところが、レチクルのガラス基板１で反射した光と
異物に直接当たって反射した光による干渉が生じると、
図８に示すような散乱光の強度の変動が見られる。この
干渉による散乱光の強度変動について図４に示すモデル
を考えた。このモデルは、レチクルの基板表面１ａで反
射した光と異物１０に直接当たって反射した光による干
渉の様子を幾何学的に簡単に考えたモデルである。以下
に、基板表面１ａに対して垂直な方向で反射光を受光す
る場合について説明する。レーザービームＳ１、Ｓ２が
レチクル１の法線に対する入射角θで入射する時、光ビ
ームＳ１は異物１０に直接当たって（Ａ点）反射し受光
系がある垂直方向に進み、光ビームＳ２はいったんレチ
クル１の基板の表面１ａ（Ｂ点）で反射した後に異物１
０に当たって（Ａ点近傍）さらに反射し受光系がある垂
直方向に進む。
【００２６】今、この二つの光Ｓ１、Ｓ２の干渉を考え
た場合、レチクル１の法線に対する入射角度θを８９°
近傍とすると二つの光Ｓ１、Ｓ２の異物１０の表面での
反射点の位置がほぼ同じＡ点であると近似でき、Ａ点を
基準とした際の二つの光Ｓ１、Ｓ２の光路長差ｄは次の
ようになる。
た場合、レチクル１の法線に対する入射角度θを８９°
近傍とすると二つの光Ｓ１、Ｓ２の異物１０の表面での
反射点の位置がほぼ同じＡ点であると近似でき、Ａ点を
基準とした際の二つの光Ｓ１、Ｓ２の光路長差ｄは次の
ようになる。
【００２７】ｄ＝２Ｄ′ｃｏｓθ…（１） ここでＤ′はレチクルの基板の表面１ａからＡ点までの
高さであり次の式から求まる。
高さであり次の式から求まる。
【００２８】
【外１】 Ｂ点での振幅反射率をｒ1 、Ａ点での振幅反射率をｒ
2 、とすれば振幅ｒＳは ｒＳ＝ｒ2 Ｓ１＋ｒ1 ｒ2 Ｓ２…（３） と表され、さらにその強度Ｉは Ｉ＝｜ｒＳ｜2 ＝｜ｒ2 ｜2 ・｜１＋ｒ1 ｅikd ｜2 ＝ｒ2 2 （１＋ｒ1 2 ＋２ｒ1 ｃｏｓｄ）…（４） と表される。ここでｋは
2 、とすれば振幅ｒＳは ｒＳ＝ｒ2 Ｓ１＋ｒ1 ｒ2 Ｓ２…（３） と表され、さらにその強度Ｉは Ｉ＝｜ｒＳ｜2 ＝｜ｒ2 ｜2 ・｜１＋ｒ1 ｅikd ｜2 ＝ｒ2 2 （１＋ｒ1 2 ＋２ｒ1 ｃｏｓｄ）…（４） と表される。ここでｋは
【００２９】
【外２】 また振幅反射率をｒ1 、ｒ2 は各々偏光成分ごとに以下
のように計算される。
のように計算される。
【００３０】
【外３】 上記θ′はレチクル１のガラス基板表面１ａによる屈折
角、α′は異物１０の表面での屈折角である。
角、α′は異物１０の表面での屈折角である。
【００３１】図５は上記（５）〜（８）式をもとに計算
した誘導体（ここでは屈折率ｎ≒１．５とする）表面で
の強度の反射率Ｒを示す。（Ｒ＝ｒ2 、ｒは振幅反射
率）また、図６は１５μｍ粒子の異物で得られる散乱光
の強度の入射角依存性を上記（５）〜（８）により計算
した結果を表す。
した誘導体（ここでは屈折率ｎ≒１．５とする）表面で
の強度の反射率Ｒを示す。（Ｒ＝ｒ2 、ｒは振幅反射
率）また、図６は１５μｍ粒子の異物で得られる散乱光
の強度の入射角依存性を上記（５）〜（８）により計算
した結果を表す。
【００３２】振幅反射率ｒ1 、ｒ2 がＳ偏光とＰ偏光と
で異なるため、図５に示すようにＳ偏光とＰ偏光で散乱
光の強度に差が生じる。入射角度θが８９°近傍であれ
ば、レチクル１の基板表面１ａ上のＢ点でのＳ偏光とＰ
偏光の反射率差は小さいのに対して、異物１０の表面Ａ
点ではＳ偏光とＰ偏光の反射率差が大きい。従って、異
物１０の表面Ａ点での反射率差によって図６のような散
乱光強度の変動に差が生じてくる。
で異なるため、図５に示すようにＳ偏光とＰ偏光で散乱
光の強度に差が生じる。入射角度θが８９°近傍であれ
ば、レチクル１の基板表面１ａ上のＢ点でのＳ偏光とＰ
偏光の反射率差は小さいのに対して、異物１０の表面Ａ
点ではＳ偏光とＰ偏光の反射率差が大きい。従って、異
物１０の表面Ａ点での反射率差によって図６のような散
乱光強度の変動に差が生じてくる。
【００３３】図７は粒子のサイズ別に入射角度に対する
散乱光の強度の計算値をプロットしたものである。上記
（２）式及び（４）式から理解できるように、入射角度
と粒子のサイズが散乱光強度を決めるパラメータとなる
ため、粒子のサイズによって散乱光強度の変動周期（干
渉周期）が異なる。その為、装置のレーザービームの入
射条件をある入射角度に固定した場合、入射角度のわず
かな設定誤差によって、散乱光の強度が変動したり、さ
らには受光系において大きな粒子からの信号の方が小さ
な粒子からの信号よりも小さくなってしまう恐れがあ
る。
散乱光の強度の計算値をプロットしたものである。上記
（２）式及び（４）式から理解できるように、入射角度
と粒子のサイズが散乱光強度を決めるパラメータとなる
ため、粒子のサイズによって散乱光強度の変動周期（干
渉周期）が異なる。その為、装置のレーザービームの入
射条件をある入射角度に固定した場合、入射角度のわず
かな設定誤差によって、散乱光の強度が変動したり、さ
らには受光系において大きな粒子からの信号の方が小さ
な粒子からの信号よりも小さくなってしまう恐れがあ
る。
【００３４】図８と図９はポリスチレン粒子からの散乱
光の強度の入射角度依存性を実験的に測定した結果を示
す。図８がレチクル１の基板表面に対して入射光の偏光
方向をＳ偏光としたものであり、図９が入射光の偏光方
向を当該入射光と受光系の光軸によって決定される平面
と平行にしたものである。図８と図９において各粒子サ
イズにおける散乱光強度の干渉周期に着目すれば、図７
の入射角度と粒子サイズをパラメータとした散乱光強度
（干渉強度）変化についての簡単な計算結果と定性的に
ほぼ一致している。後者の場合の方が前者の場合に比べ
て干渉による強度変動が小さいため、粒子サイズに忠実
に依存した強度を示す散乱光を得ることが可能となるこ
とが理解できる。
光の強度の入射角度依存性を実験的に測定した結果を示
す。図８がレチクル１の基板表面に対して入射光の偏光
方向をＳ偏光としたものであり、図９が入射光の偏光方
向を当該入射光と受光系の光軸によって決定される平面
と平行にしたものである。図８と図９において各粒子サ
イズにおける散乱光強度の干渉周期に着目すれば、図７
の入射角度と粒子サイズをパラメータとした散乱光強度
（干渉強度）変化についての簡単な計算結果と定性的に
ほぼ一致している。後者の場合の方が前者の場合に比べ
て干渉による強度変動が小さいため、粒子サイズに忠実
に依存した強度を示す散乱光を得ることが可能となるこ
とが理解できる。
【００３５】以上レチクル１に対して垂直方向で受光す
る場合を示したが、上記第１の実施例（図１、図２）の
ようにレチクル１の回路パターン面からの不要なノイズ
等がセンサーに入らないよう受光光軸をレチクル１の法
線から傾ける場合、上述した通り異物１０の表面での反
射率差が散乱光強度の変動の大きさに支配的であるた
め、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように入射光軸と受光
光軸１０２によって決定される平面に対して平行に入射
光の偏光軸２０を合わせれば異物１０表面１０１での反
射はＰ偏光であると考えられるので、干渉による散乱光
強度の変動を低減できることがわかる。尚、図１０
（Ａ）、（Ｂ）において、（Ａ）は垂直方向で散乱光を
受光する場合、（Ｂ）は法線からψ°傾いた方向で受光
する場合を示す。
る場合を示したが、上記第１の実施例（図１、図２）の
ようにレチクル１の回路パターン面からの不要なノイズ
等がセンサーに入らないよう受光光軸をレチクル１の法
線から傾ける場合、上述した通り異物１０の表面での反
射率差が散乱光強度の変動の大きさに支配的であるた
め、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように入射光軸と受光
光軸１０２によって決定される平面に対して平行に入射
光の偏光軸２０を合わせれば異物１０表面１０１での反
射はＰ偏光であると考えられるので、干渉による散乱光
強度の変動を低減できることがわかる。尚、図１０
（Ａ）、（Ｂ）において、（Ａ）は垂直方向で散乱光を
受光する場合、（Ｂ）は法線からψ°傾いた方向で受光
する場合を示す。
【００３６】また、図１１は受光光軸と入射光の偏光軸
とのなす角度をγとした時、γ＝０°の時を強度１とし
て変動出力の相対強度を計算したものである。このグラ
フから、干渉による出力変動を１／５以下に低減させる
には入射ビームの偏光軸を、入射光束と受光光軸とで決
定される平面に対して±５°に設定すればよいことがわ
かる。
とのなす角度をγとした時、γ＝０°の時を強度１とし
て変動出力の相対強度を計算したものである。このグラ
フから、干渉による出力変動を１／５以下に低減させる
には入射ビームの偏光軸を、入射光束と受光光軸とで決
定される平面に対して±５°に設定すればよいことがわ
かる。
【００３７】本発明の第１実施例（図１、図２）では平
行光束をレチクル１の基板表面１ａに斜入射させていた
が、本発明は、収斂光束をレチクル１の基板表面１ａに
斜入射させる形態も採用できる。
行光束をレチクル１の基板表面１ａに斜入射させていた
が、本発明は、収斂光束をレチクル１の基板表面１ａに
斜入射させる形態も採用できる。
【００３８】図１２は本発明の第２実施例を示す概略図
であり、本第２実施例では、第１実施例が結像光学系に
レンズアレイを用いていたのに対し、結像光学系に通常
の結像レンズ３０ａ、３０ｂを用いている。本第２実施
例の他の構成は、第１実施例と同じであるから、本第２
実施例も第１実施例と同様、正確な異物検査を行なえ
る。尚、図中、４０ａ、４０ｂはセンサーアレイを示
す。
であり、本第２実施例では、第１実施例が結像光学系に
レンズアレイを用いていたのに対し、結像光学系に通常
の結像レンズ３０ａ、３０ｂを用いている。本第２実施
例の他の構成は、第１実施例と同じであるから、本第２
実施例も第１実施例と同様、正確な異物検査を行なえ
る。尚、図中、４０ａ、４０ｂはセンサーアレイを示
す。
【００３９】図１３（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第３実施
例を示す概略図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面
図である。図１３において、図１４と同じ部材には図１
４と同じ符号を付してある。本第３実施例では、第１実
施例が結像光学系による結像面にセンサーアレイを設け
ていたのに対し、結像レンズ３０ａ、３０ｂの瞳面を定
める開口絞りの位置にセンサーアレイ４０ａ、４０ｂを
設けている。本第３実施例の他の構成は、第１実施例と
同じであるから、本第３実施例も第１実施例と同様、正
確な異物検査を行なえる。
例を示す概略図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面
図である。図１３において、図１４と同じ部材には図１
４と同じ符号を付してある。本第３実施例では、第１実
施例が結像光学系による結像面にセンサーアレイを設け
ていたのに対し、結像レンズ３０ａ、３０ｂの瞳面を定
める開口絞りの位置にセンサーアレイ４０ａ、４０ｂを
設けている。本第３実施例の他の構成は、第１実施例と
同じであるから、本第３実施例も第１実施例と同様、正
確な異物検査を行なえる。
【００４０】図１４（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第４実施
例を示す概略図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面
図である。図１４において、図１３と同じ部材には図１
４と同じ符号を付してある。本第４実施例では、第１実
施例が結像光学系による結像面にセンサーアレイを設け
ていたのに対し、結像レンズ３０ａ、３０ｂの結像面及
び瞳面を定める開口絞り４１ａ、４１ｂの位置にから外
れた場所にセンサーアレイ４０ａ、４０ｂを設けてい
る。本第４実施例の他の構成は、第１実施例と同じであ
るから、本第４実施例も第１実施例と同様、正確な異物
検査を行なえる。
例を示す概略図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面
図である。図１４において、図１３と同じ部材には図１
４と同じ符号を付してある。本第４実施例では、第１実
施例が結像光学系による結像面にセンサーアレイを設け
ていたのに対し、結像レンズ３０ａ、３０ｂの結像面及
び瞳面を定める開口絞り４１ａ、４１ｂの位置にから外
れた場所にセンサーアレイ４０ａ、４０ｂを設けてい
る。本第４実施例の他の構成は、第１実施例と同じであ
るから、本第４実施例も第１実施例と同様、正確な異物
検査を行なえる。
【００４１】図１、図２及び図１２〜図１４で示す各実
施例の表面状態検査装置は、半導体メモリ、半導体マイ
クロプロセッサー、磁気ヘッド、ＣＣＤ、液晶パネル等
を製造するための各種露光装置に搭載された状態で又は
単独で用いられ、半導体メモリ、半導体マイクロプロセ
ッサー、磁気ヘッド、ＣＣＤ、液晶パネル等のパターン
が描かれたレチクルやマスクの被検査面の表面状態を正
確に検査する。これらの表面状態検査装置を露光装置に
搭載する場合には、例えば露光装置のレチクルチェンジ
ャーとレチクルステージの間のレチクルの搬送経路に設
置する。
施例の表面状態検査装置は、半導体メモリ、半導体マイ
クロプロセッサー、磁気ヘッド、ＣＣＤ、液晶パネル等
を製造するための各種露光装置に搭載された状態で又は
単独で用いられ、半導体メモリ、半導体マイクロプロセ
ッサー、磁気ヘッド、ＣＣＤ、液晶パネル等のパターン
が描かれたレチクルやマスクの被検査面の表面状態を正
確に検査する。これらの表面状態検査装置を露光装置に
搭載する場合には、例えば露光装置のレチクルチェンジ
ャーとレチクルステージの間のレチクルの搬送経路に設
置する。
【００４２】次に上記説明した露光装置を利用した半導
体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図１５は半
導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるい
は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。ステッ
プ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行な
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウ
エハ製造）ではシリコーン等の材料を用いてウエハを製
造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフ
ィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図１５は半
導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるい
は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。ステッ
プ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行な
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウ
エハ製造）ではシリコーン等の材料を用いてウエハを製
造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフ
ィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４３】図１６は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
本表面状態検査装置により検査したマスクの回路パター
ンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では
露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチン
グ）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ス
テップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不
要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰
り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パタ
ーンが形成される。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
本表面状態検査装置により検査したマスクの回路パター
ンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では
露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチン
グ）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ス
テップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不
要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰
り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パタ
ーンが形成される。
【００４４】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
【００４５】
【発明の効果】以上、本発明によれば、散乱光同士の干
渉による散乱光の強度変動が小さく抑えられ、異物の大
小の判別の間違いを犯しにくくなるので、表面状態の正
確に検査を行なえる。
渉による散乱光の強度変動が小さく抑えられ、異物の大
小の判別の間違いを犯しにくくなるので、表面状態の正
確に検査を行なえる。
【図１】本発明の第１実施例を示す概略図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す断面図である。
【図３】微小粒子の粒子径と散乱光強度の関係を示すグ
ラフ図である。
ラフ図である。
【図４】被検査面からの散乱光同士の干渉現象を説明す
るための説明図である。
るための説明図である。
【図５】誘導体の表面での反射率の入射角度依存性を示
すグラフ図である。
すグラフ図である。
【図６】入射角変化に伴う散乱光の強度変動の様子を示
すグラフ図である。
すグラフ図である。
【図７】入射角変化に伴う散乱光の強度変動の様子を粒
子サイズ毎に示したグラフ図である。
子サイズ毎に示したグラフ図である。
【図８】被検面にＳ偏光光を入射させた場合の入射角変
化に伴う散乱光の強度変動の様子を粒子サイズ毎に示し
たグラフ図である。
化に伴う散乱光の強度変動の様子を粒子サイズ毎に示し
たグラフ図である。
【図９】被検面に照明手段の光軸と前記検出手段の光軸
とを含む平面にほぼ平行な方向に偏光した直線偏光光を
入射させた場合の入射角変化に伴う散乱光の強度変動の
様子を粒子サイズ毎に示したグラフ図である。
とを含む平面にほぼ平行な方向に偏光した直線偏光光を
入射させた場合の入射角変化に伴う散乱光の強度変動の
様子を粒子サイズ毎に示したグラフ図である。
【図１０】入射光の偏光方向と受光軸（光学系の光軸）
の関係を示す図であり、（Ａ）は被検面の法線方向に受
光軸を設定した場合、（Ｂ）は被検面の法線方向から傾
けて受光軸を設定した場合を示す。
の関係を示す図であり、（Ａ）は被検面の法線方向に受
光軸を設定した場合、（Ｂ）は被検面の法線方向から傾
けて受光軸を設定した場合を示す。
【図１１】本発明の第２実施例を示す概略図である。
【図１２】本発明の第３実施例を示す概略図である。
【図１３】本発明の第４実施例を示す概略図であり、
（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図である。
（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図である。
【図１４】本発明の第５実施例を示す概略図であり、
（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図である。
（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図である。
【図１５】半導体デバイスの製造フローを示す説明図で
ある。
ある。
【図１６】ウエハープロセスを示す説明図である。
１ レチクル ２ ペリクル ３ レーザーダイオード ４ コリメーターレンズ ５ λ／２板 ６ レーザービーム ７ 結像レンズ ８ ラインセンサー ９ 照明領域 １０ 異物 １１ 光学系全体
Claims (13)
- 【請求項１】 被検面に光を斜入射させる照明手段と前
記被検面上の異物等で生じる散乱光を検出する検出手段
とを有する表面状態検査装置において、前記照明手段が
前記照明手段の光軸と前記検出手段の光軸とを含む平面
にほぼ平行な方向に偏光した直線偏光光を前記被検面に
入射せしめることを特徴とする表面状態検査装置。 - 【請求項２】 前記照明手段の光軸と前記被検面が成す
角度が３．５°±３°に設定されることを特徴とする請
求項１の表面状態検査装置。 - 【請求項３】 前記照明手段と前記受光手段とを前記照
明手段の光軸と垂直で且つ前記被検面に平行な方向に一
体的に移動せしめる手段を備えることを特徴とする請求
項１の表面状態検査装置。 - 【請求項４】 前記照明手段は平行光束より成る直線偏
光光を前記被検面に入射せしめることを特徴とする請求
項１、２の表面状態検査装置。 - 【請求項５】 前記照明手段は収斂光束より成る直線偏
光光を前記被検面に入射せしめることを特徴とする請求
項１、２の表面状態検査装置。 - 【請求項６】 前記照明手段の光軸と前記検出手段の光
軸が双方とも前記被検面に対して傾けてあることを特徴
とする請求項１の表面状態検査装置。 - 【請求項７】 前記検出手段が前記被検面を結像する結
像光学系を有することを特徴とする請求項１の表面状態
検査装置。 - 【請求項８】 前記結像光学系が多数個のレンズを配列
して成るレンズアレイを含むことを特徴とする請求項７
の表面状態検査装置。 - 【請求項９】 前記検出手段が前記被検面の結像位置に
センサアレイを備えることを特徴とする請求項７の表面
状態検査装置。 - 【請求項１０】 マスクの被検面に光を斜入射させる照
明手段と前記被検面上の異物等で生じる散乱光を検出す
る検出手段とを有する表面状態検査装置を備える露光装
置において、前記照明手段が前記照明手段の光軸と前記
検出手段の光軸とを含む平面にほぼ平行な方向に偏光し
た直線偏光光を前記被検面に入射せしめることを特徴と
する露光装置。 - 【請求項１１】 前記照明手段の光軸と前記被検面が成
す角度が３．５°±３°に設定されることを特徴とする
請求項１０の露光装置。 - 【請求項１２】 照明手段によりデバイスパターンが形
成されたマスクの被検面に光を斜入射させ、検出手段に
より前記被検面上の異物等で生じる散乱光を検出するこ
とにより前記マスクの使用の可否を判別する段階を含
み、前記マスクが使用できる場合に前記マスクのデバイ
スパターンを介して被露光基板を露光し、前記被露光基
板にデバイスパターンを転写するデバイス製造方法にお
いて、前記照明手段が前記照明手段の光軸と前記検出手
段の光軸とを含む平面にほぼ平行な方向に偏光した直線
偏光光を前記被検面に入射せしめることを特徴とするデ
バイス製造方法。 - 【請求項１３】 前記照明手段の光軸と前記被検面が成
す角度が３．５°±３°に設定されることを特徴とする
請求項１２のデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14362793A JP3253177B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 表面状態検査装置 |
| US08/257,535 US5585916A (en) | 1993-06-15 | 1994-06-09 | Surface inspecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14362793A JP3253177B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 表面状態検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH075115A true JPH075115A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3253177B2 JP3253177B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=15343158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14362793A Expired - Fee Related JP3253177B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 表面状態検査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5585916A (ja) |
| JP (1) | JP3253177B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001512237A (ja) * | 1997-08-01 | 2001-08-21 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 表面の異常および／または特徴を検出するためのシステム |
| WO2005052687A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Nikon Corporation | 異物検査装置及び方法並びに露光装置 |
| JP2009257972A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Canon Inc | 異物検査装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7733471B2 (en) | 2007-04-20 | 2010-06-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Foreign substance inspection apparatus |
| US7936452B2 (en) | 2008-07-25 | 2011-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Inspection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device |
| US8330949B2 (en) | 2009-08-31 | 2012-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Foreign substance inspection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6271916B1 (en) * | 1994-03-24 | 2001-08-07 | Kla-Tencor Corporation | Process and assembly for non-destructive surface inspections |
| US6118525A (en) * | 1995-03-06 | 2000-09-12 | Ade Optical Systems Corporation | Wafer inspection system for distinguishing pits and particles |
| DE19716264C2 (de) * | 1997-04-18 | 2002-07-25 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung und Verfahren zur Überprüfung einer Oberfläche eines Gegenstands |
| US6236454B1 (en) | 1997-12-15 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Multiple beam scanner for an inspection system |
| US7139083B2 (en) * | 2000-09-20 | 2006-11-21 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a composition and a thickness of a specimen |
| US6891627B1 (en) | 2000-09-20 | 2005-05-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen |
| US7072034B2 (en) * | 2001-06-08 | 2006-07-04 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for inspection of specimen surfaces |
| DE10157244B4 (de) * | 2001-11-22 | 2006-05-04 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Defektanalyse von Wafern |
| US20040032581A1 (en) * | 2002-01-15 | 2004-02-19 | Mehrdad Nikoonahad | Systems and methods for inspection of specimen surfaces |
| US7088443B2 (en) * | 2002-02-11 | 2006-08-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | System for detecting anomalies and/or features of a surface |
| US7130039B2 (en) * | 2002-04-18 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Simultaneous multi-spot inspection and imaging |
| US20040042001A1 (en) | 2002-04-18 | 2004-03-04 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Simultaneous multi-spot inspection and imaging |
| US7365834B2 (en) * | 2003-06-24 | 2008-04-29 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Optical system for detecting anomalies and/or features of surfaces |
| US7130036B1 (en) | 2003-09-16 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of an entire wafer surface using multiple detection channels |
| KR20070001777A (ko) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | 주식회사 케이씨텍 | 표면 검사장치 및 이를 이용한 표면 검사방법 |
| JP4564910B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2010-10-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ウェハ欠陥検査方法および装置 |
| US8213024B2 (en) * | 2006-08-01 | 2012-07-03 | Applied Materials Israel, Ltd. | Method and system for aerial imaging of a reticle |
| JP2009198269A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Canon Inc | 異物検査装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
| DE102017205212A1 (de) * | 2017-03-28 | 2018-10-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Detektieren von Partikeln an der Oberfläche eines Objekts, Wafer und Maskenblank |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4669875A (en) * | 1982-11-04 | 1987-06-02 | Hitachi, Ltd. | Foreign particle detecting method and apparatus |
| US4740079A (en) * | 1984-10-29 | 1988-04-26 | Hitachi, Ltd. | Method of and apparatus for detecting foreign substances |
| US4886975A (en) * | 1986-02-14 | 1989-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on two or more surfaces |
| US4795911A (en) * | 1986-02-14 | 1989-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on the surface |
| JPS6333834A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-13 | Canon Inc | 表面状態検査装置 |
| JP3101290B2 (ja) * | 1989-03-15 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 表面状態検査装置、露光装置、及び表面状態検査方法 |
| JP2538338B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1996-09-25 | キヤノン株式会社 | 異物検査装置 |
| US5274434A (en) * | 1990-04-02 | 1993-12-28 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting foreign particles on real time basis in semiconductor mass production line |
-
1993
- 1993-06-15 JP JP14362793A patent/JP3253177B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-09 US US08/257,535 patent/US5585916A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001512237A (ja) * | 1997-08-01 | 2001-08-21 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 表面の異常および／または特徴を検出するためのシステム |
| US7869023B2 (en) | 1997-08-01 | 2011-01-11 | Kla-Tencor Corporation | System for detecting anomalies and/or features of a surface |
| WO2005052687A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Nikon Corporation | 異物検査装置及び方法並びに露光装置 |
| US7733471B2 (en) | 2007-04-20 | 2010-06-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Foreign substance inspection apparatus |
| JP2009257972A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Canon Inc | 異物検査装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| US8339568B2 (en) | 2008-04-17 | 2012-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Foreign particle inspection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device |
| US7936452B2 (en) | 2008-07-25 | 2011-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Inspection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device |
| US8330949B2 (en) | 2009-08-31 | 2012-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Foreign substance inspection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5585916A (en) | 1996-12-17 |
| JP3253177B2 (ja) | 2002-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3253177B2 (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JP4163258B2 (ja) | 光学式高さ測定器、このような高さ測定器を有する表面検査デバイス、及びこの検査デバイスを有するリソグラフィックデバイス | |
| JP3259331B2 (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JP3183046B2 (ja) | 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JPS58120155A (ja) | レチクル異物検出装置 | |
| US8339568B2 (en) | Foreign particle inspection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device | |
| JPH07209202A (ja) | 表面状態検査装置、該表面状態検査装置を備える露光装置及び該露光装置を用いてデバイスを製造する方法 | |
| US7388659B2 (en) | Particle inspection apparatus and method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JPH0815169A (ja) | 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法 | |
| JPH0792096A (ja) | 異物検査装置並びにこれを備えた露光装置及びデバイ スの製造方法 | |
| US7986403B2 (en) | Foreign substance inspection apparatus | |
| JPH0735698A (ja) | 像読取り装置、表面状態検査装置及び該装置を備える露光装置 | |
| US5453830A (en) | Spatially isolated diffractor on a calibration substrate for a pellicle inspection system | |
| KR101087628B1 (ko) | 이물질 검사장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
| JP2947916B2 (ja) | 面状態検査装置 | |
| JPS63103951A (ja) | ゴミ検査装置 | |
| JPH07128250A (ja) | 半導体装置製造用フォトマスクの異物検査装置 | |
| JPH0547091B2 (ja) | ||
| JPS6347641A (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JPH0545945B2 (ja) | ||
| JPH0815167A (ja) | 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法 | |
| JPH0569300B2 (ja) | ||
| JPH07333167A (ja) | 表面状態検査装置及びそれを用いた露光装置 | |
| JPH0815168A (ja) | 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法 | |
| JPH1154425A (ja) | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20011030 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |