JPH0815167A - 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法 - Google Patents
異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法Info
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- JPH0815167A JPH0815167A JP16589594A JP16589594A JPH0815167A JP H0815167 A JPH0815167 A JP H0815167A JP 16589594 A JP16589594 A JP 16589594A JP 16589594 A JP16589594 A JP 16589594A JP H0815167 A JPH0815167 A JP H0815167A
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レチクルやペリクル面上に付着したゴミ等の
異物を高精度に検出することのできる異物検査装置及び
それを用いた半導体デバイスの製造方法を得ること。 【構成】 光源からの光束で走査系を利用して検査面を
スポット光で走査し、該検査面上からの異物からの散乱
光を受光レンズを通して光電検出器で検出することによ
り該検査面上の異物の存在を検査する検査装置におい
て、該スポット光によって該検査面上に形成される走査
線の該受光レンズによる像に沿って短冊状の反射部材を
配置し、該スポット光で照射された異物からの散乱光を
該反射部材で反射させた後、該光電検出器で検出する。
異物を高精度に検出することのできる異物検査装置及び
それを用いた半導体デバイスの製造方法を得ること。 【構成】 光源からの光束で走査系を利用して検査面を
スポット光で走査し、該検査面上からの異物からの散乱
光を受光レンズを通して光電検出器で検出することによ
り該検査面上の異物の存在を検査する検査装置におい
て、該スポット光によって該検査面上に形成される走査
線の該受光レンズによる像に沿って短冊状の反射部材を
配置し、該スポット光で照射された異物からの散乱光を
該反射部材で反射させた後、該光電検出器で検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は異物検査装置及びそれを
用いた半導体デバイスの製造方法に関し、特に半導体デ
バイスの製造装置で使用される回路パターンが形成され
ているレチクルやフォトマスク等の原板上に、例えば不
透過性のゴミ等の異物が付着していたときに、この異物
の有無等を精度良く検出する際に好適なものである。
用いた半導体デバイスの製造方法に関し、特に半導体デ
バイスの製造装置で使用される回路パターンが形成され
ているレチクルやフォトマスク等の原板上に、例えば不
透過性のゴミ等の異物が付着していたときに、この異物
の有無等を精度良く検出する際に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にＩＣ製造工程においてはレチクル
又はフォトマスク等の原板上に形成されている露光用の
回路パターンを半導体焼付け装置（ステッパー又はマス
クアライナー）によりレジストが塗布されたウエハ面上
に転写して製造している。この際、原板面上にパターン
欠陥やゴミ等の異物が存在すると回路パターンを転写す
る際、異物も同時に転写されてしまい、ＩＣ製造の歩留
を低下させる原因となってくる。
又はフォトマスク等の原板上に形成されている露光用の
回路パターンを半導体焼付け装置（ステッパー又はマス
クアライナー）によりレジストが塗布されたウエハ面上
に転写して製造している。この際、原板面上にパターン
欠陥やゴミ等の異物が存在すると回路パターンを転写す
る際、異物も同時に転写されてしまい、ＩＣ製造の歩留
を低下させる原因となってくる。
【０００３】特にレチクルを使用し、ステップ＆リピー
ト方法により繰り返してウエハ面上に回路パターンを焼
き付ける場合、レチクル面上に有害な１個の異物が存在
していると、該異物がウエハ全面に焼き付けられてしま
い、ＩＣ工程の歩留を大きく低下させる原因となってく
る。
ト方法により繰り返してウエハ面上に回路パターンを焼
き付ける場合、レチクル面上に有害な１個の異物が存在
していると、該異物がウエハ全面に焼き付けられてしま
い、ＩＣ工程の歩留を大きく低下させる原因となってく
る。
【０００４】その為、ＩＣ製造工程においては原板上の
異物の存在を検出するのが不可欠となっており、従来よ
り種々の検査方法が提案されている。
異物の存在を検出するのが不可欠となっており、従来よ
り種々の検査方法が提案されている。
【０００５】一般には異物が等方的に光を散乱する性質
を利用する方法が多く用いられている。
を利用する方法が多く用いられている。
【０００６】図７は従来の異物検査装置の要部概略図で
ある。本装置は異物による散乱光を検出することで異物
の有無を検査している。この従来例の動作を説明する。
同図において、レーザ光源１１からのレーザビームは、
スキャンミラー１２により偏向され、走査レンズ１３を
介して回路パターンが形成されているレチクル等の原板
４０の検査面１６上にスポット光１として集光する。こ
のスポット光１で検査面１６上を走査する。２はこのと
きのスポット光１により検査面１６上に形成される走査
線である。同時に不図示の走査ステージ系によってスポ
ット光１による走査方向と略垂直に原板４０を移動させ
ることにより検査面１６を２次元的に全面走査する。
ある。本装置は異物による散乱光を検出することで異物
の有無を検査している。この従来例の動作を説明する。
同図において、レーザ光源１１からのレーザビームは、
スキャンミラー１２により偏向され、走査レンズ１３を
介して回路パターンが形成されているレチクル等の原板
４０の検査面１６上にスポット光１として集光する。こ
のスポット光１で検査面１６上を走査する。２はこのと
きのスポット光１により検査面１６上に形成される走査
線である。同時に不図示の走査ステージ系によってスポ
ット光１による走査方向と略垂直に原板４０を移動させ
ることにより検査面１６を２次元的に全面走査する。
【０００７】この走査レーザービームの入射方向に対し
て後方或は側方方向には受光レンズ１４及び光電検出器
２０等からなる検出手段５０を配置している。
て後方或は側方方向には受光レンズ１４及び光電検出器
２０等からなる検出手段５０を配置している。
【０００８】このような構成の装置によって検査面１６
上におけるスポット光１内に異物が存在しない場合には
光電検出器２０では散乱光は検出されない。もし異物が
存在する場合は、微小な異物から等方的に散乱光が発生
する為光電検出器２０で散乱光が検出されることにな
る。このとき得られる検出信号を不図示の信号処理系で
処理することにより異物の有無の検査を行っている。
上におけるスポット光１内に異物が存在しない場合には
光電検出器２０では散乱光は検出されない。もし異物が
存在する場合は、微小な異物から等方的に散乱光が発生
する為光電検出器２０で散乱光が検出されることにな
る。このとき得られる検出信号を不図示の信号処理系で
処理することにより異物の有無の検査を行っている。
【０００９】しかし、このような検査装置を用いて異物
の検査を行った場合、原板４０の裏面で散乱された光や
ペリクル枠で散乱された光等の不要な散乱光も光電検出
器２０に到達するため、これが異物検出信号のS/N 比を
悪化させていた。
の検査を行った場合、原板４０の裏面で散乱された光や
ペリクル枠で散乱された光等の不要な散乱光も光電検出
器２０に到達するため、これが異物検出信号のS/N 比を
悪化させていた。
【００１０】この問題を解決するための方法として例え
ば特公平3-34577 号公報においては図８に図示するよう
に、受光レンズ１４と光電検出器２０との間の走査線２
と共役の位置にスリット１７を受光レンズ１４の光軸１
５に対して斜めに傾けて配置することが開示されてい
る。
ば特公平3-34577 号公報においては図８に図示するよう
に、受光レンズ１４と光電検出器２０との間の走査線２
と共役の位置にスリット１７を受光レンズ１４の光軸１
５に対して斜めに傾けて配置することが開示されてい
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
公平3-34577 号公報で提案されている異物検査装置では
スリット１７を受光レンズ１４の光軸１５に対して斜め
に傾けて設置しなければならなかった。これにより、ス
リット部品が受光レンズ１４の光軸方向に長くなるので
光電検出器２０を走査線の像から離して設置しなければ
ならず、これにより受光レンズ１４から光電検出器２０
までの長さが長くなる問題が発生した。
公平3-34577 号公報で提案されている異物検査装置では
スリット１７を受光レンズ１４の光軸１５に対して斜め
に傾けて設置しなければならなかった。これにより、ス
リット部品が受光レンズ１４の光軸方向に長くなるので
光電検出器２０を走査線の像から離して設置しなければ
ならず、これにより受光レンズ１４から光電検出器２０
までの長さが長くなる問題が発生した。
【００１２】更に、斜めスリット部材が光軸方向の空間
を大きく占めるので光電検出器２０をスリット１７に近
接することができず、スリット１７と光電検出器２０と
の間にフィールドレンズ１９を設置して測定光をリレー
することになり、このフィールドレンズ１９の挿入によ
って光電検出器２０までの光路が更に長くなり、検出手
段５０の大きさが大型化する欠点があった。
を大きく占めるので光電検出器２０をスリット１７に近
接することができず、スリット１７と光電検出器２０と
の間にフィールドレンズ１９を設置して測定光をリレー
することになり、このフィールドレンズ１９の挿入によ
って光電検出器２０までの光路が更に長くなり、検出手
段５０の大きさが大型化する欠点があった。
【００１３】本発明は、異物検査に際してスポット光の
走査線上で発生する散乱光のみを反射し、スポット光以
外で発生する有害な散乱光を反射しない適切な手段を採
用することにより、異物検出信号のS/N 比を上げ、且つ
検出手段をコンパクトに構成して全体を小型にできる異
物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
の提供を目的としている。
走査線上で発生する散乱光のみを反射し、スポット光以
外で発生する有害な散乱光を反射しない適切な手段を採
用することにより、異物検出信号のS/N 比を上げ、且つ
検出手段をコンパクトに構成して全体を小型にできる異
物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
の提供を目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の異物検査装置
は、 （１−１） 光源からの光束で走査系を利用して検査面
をスポット光で走査し、該検査面上の異物からの散乱光
を受光レンズを通して光電検出器で検出することにより
該検査面上の異物の存在を検査する際、該スポット光に
よって該検査面上に形成される走査線の該受光レンズに
よる走査線像に沿って短冊状の反射面を有した反射部材
を配置し、該スポット光で照射された異物からの散乱光
を該反射面で反射させた後、該光電検出器で検出するこ
とを特徴としている。
は、 （１−１） 光源からの光束で走査系を利用して検査面
をスポット光で走査し、該検査面上の異物からの散乱光
を受光レンズを通して光電検出器で検出することにより
該検査面上の異物の存在を検査する際、該スポット光に
よって該検査面上に形成される走査線の該受光レンズに
よる走査線像に沿って短冊状の反射面を有した反射部材
を配置し、該スポット光で照射された異物からの散乱光
を該反射面で反射させた後、該光電検出器で検出するこ
とを特徴としている。
【００１５】特に、（１−１−１） 前記の短冊状の反
射面の縦横比が１０：１以上、１００００：１以下であ
る、（１−１−２） 前記の反射部材はその入射面の縦
横比が１０：１以上、１００００：１以下であるプリズ
ム部材である、こと等を特徴としている。
射面の縦横比が１０：１以上、１００００：１以下であ
る、（１−１−２） 前記の反射部材はその入射面の縦
横比が１０：１以上、１００００：１以下であるプリズ
ム部材である、こと等を特徴としている。
【００１６】又、本発明の半導体デバイスの製造方法
は、 （１−２） 収納装置から原板を異物検査装置に搬入
し、該異物検査装置により光源からの光束で走査系を利
用して検査面をスポット光で走査し、該検査面上の異物
からの散乱光を受光レンズを通して光電検出器で検出す
ることにより該検査面上の異物の存在を検査する際、該
スポット光によって該検査面上に形成される走査線の該
受光レンズによる像に沿って短冊状の反射面を有した反
射部材を配置し、該スポット光で照射された異物からの
散乱光を該反射面で反射させた後、該光電検出器で検出
して該検査面上の異物の有無を検査し、該異物検査装置
で該検査面上に異物がないと判断したときは該原板を露
光装置の露光位置にセットし、異物が存在すると判断し
たときは洗浄装置で洗浄した後に再度該異物検査装置で
検査し、異物がなくなったと判断したとき該原板を該露
光装置の露光位置にセットして、該原板上のパターンを
ウエハに露光転写し、該露光転写した原板を現像処理工
程を介して半導体デバイスを製造していることを特徴と
している。
は、 （１−２） 収納装置から原板を異物検査装置に搬入
し、該異物検査装置により光源からの光束で走査系を利
用して検査面をスポット光で走査し、該検査面上の異物
からの散乱光を受光レンズを通して光電検出器で検出す
ることにより該検査面上の異物の存在を検査する際、該
スポット光によって該検査面上に形成される走査線の該
受光レンズによる像に沿って短冊状の反射面を有した反
射部材を配置し、該スポット光で照射された異物からの
散乱光を該反射面で反射させた後、該光電検出器で検出
して該検査面上の異物の有無を検査し、該異物検査装置
で該検査面上に異物がないと判断したときは該原板を露
光装置の露光位置にセットし、異物が存在すると判断し
たときは洗浄装置で洗浄した後に再度該異物検査装置で
検査し、異物がなくなったと判断したとき該原板を該露
光装置の露光位置にセットして、該原板上のパターンを
ウエハに露光転写し、該露光転写した原板を現像処理工
程を介して半導体デバイスを製造していることを特徴と
している。
【００１７】特に、（１−２−１） 前記の短冊状の反
射面の縦横比が１０：１以上、１００００：１以下であ
る、（１−２−２） 前記の反射部材はその入射面の縦
横比が１０：１以上、１００００：１以下であるプリズ
ム部材である、こと等を特徴としている。
射面の縦横比が１０：１以上、１００００：１以下であ
る、（１−２−２） 前記の反射部材はその入射面の縦
横比が１０：１以上、１００００：１以下であるプリズ
ム部材である、こと等を特徴としている。
【００１８】
【実施例】図１は本発明の異物検査装置の実施例１の要
部概略図である。
部概略図である。
【００１９】本実施例は半導体分野等で使用される露光
用原板（レチクルやフォトマスク）やウエハ等の被検面
（検査面）上の状態を検査する検査装置、具体的には被
検面上に付着するゴミ等の異物或は被検面上についた傷
等の欠陥（以下、これらを総称して「異物」という。）
を検査する異物検査装置である。
用原板（レチクルやフォトマスク）やウエハ等の被検面
（検査面）上の状態を検査する検査装置、具体的には被
検面上に付着するゴミ等の異物或は被検面上についた傷
等の欠陥（以下、これらを総称して「異物」という。）
を検査する異物検査装置である。
【００２０】図中、１１はレーザー光源であり、所定の
径のレーザービームを出力する。１２はスキャンミラー
であり、レーザー光源１１からのレーザービームを反射
偏向している。１３は走査レンズであり、スキャンミラ
ー１２と走査レンズ１３は走査系の一要素を構成してい
る。４０は原板であり、１６は検査面である。１は検査
面１６上に形成されたレーザービームのスポット光、２
はスポット光１の走査によって形成される走査線、１４
は受光レンズ、３は受光レンズ１４によって形成される
走査線２の走査線像、１５は受光レンズ１４の光軸、１
８はミラーユニットであり、短冊状のミラー面（反射
面）２２ａを有する平板状の反射部材２２（ミラー部
材）と平板状の保持台２１とで構成されている。１９は
フィールドレンズ、２０は光電検出器である。
径のレーザービームを出力する。１２はスキャンミラー
であり、レーザー光源１１からのレーザービームを反射
偏向している。１３は走査レンズであり、スキャンミラ
ー１２と走査レンズ１３は走査系の一要素を構成してい
る。４０は原板であり、１６は検査面である。１は検査
面１６上に形成されたレーザービームのスポット光、２
はスポット光１の走査によって形成される走査線、１４
は受光レンズ、３は受光レンズ１４によって形成される
走査線２の走査線像、１５は受光レンズ１４の光軸、１
８はミラーユニットであり、短冊状のミラー面（反射
面）２２ａを有する平板状の反射部材２２（ミラー部
材）と平板状の保持台２１とで構成されている。１９は
フィールドレンズ、２０は光電検出器である。
【００２１】図２は本発明の実施例１の光路を展開した
ときの要部説明図である。同図は走査線２と受光レンズ
１４の光軸１５とを含む面内での断面図である。走査線
２と光軸１５とは直交しておらず、傾いている。従って
受光レンズ１４による走査線２の走査線像３は矢張り光
軸１５に対して傾いている。その走査線像３に沿って短
冊状のミラー面２２ａを設けている。つまり、走査線２
とミラー面２２ａとは共役の関係にある。そしてミラー
面２２ａは走査線像３及びその極く近傍部分のみを反射
している。
ときの要部説明図である。同図は走査線２と受光レンズ
１４の光軸１５とを含む面内での断面図である。走査線
２と光軸１５とは直交しておらず、傾いている。従って
受光レンズ１４による走査線２の走査線像３は矢張り光
軸１５に対して傾いている。その走査線像３に沿って短
冊状のミラー面２２ａを設けている。つまり、走査線２
とミラー面２２ａとは共役の関係にある。そしてミラー
面２２ａは走査線像３及びその極く近傍部分のみを反射
している。
【００２２】本実施例の場合、走査線２は受光レンズ１
４の光軸１５に対して傾いているので、走査線２の両端
の点２F と点２N に対応する像点３F と像点３N とでは
結像収差の状態が大きく異なる。そこで例えば光軸１５
上で結像収差を矯正したとしても像点３F と像点３N と
では大きい残存収差が発生する。しかし、受光レンズ１
４が小口径であればこの残存収差は小さくなる。そこで
これらの事情を勘案すると、ミラー面２２ａの形状は短
冊状にし、その縦横比を１０：１以上、１００００：１
以下にすることが望ましい。
４の光軸１５に対して傾いているので、走査線２の両端
の点２F と点２N に対応する像点３F と像点３N とでは
結像収差の状態が大きく異なる。そこで例えば光軸１５
上で結像収差を矯正したとしても像点３F と像点３N と
では大きい残存収差が発生する。しかし、受光レンズ１
４が小口径であればこの残存収差は小さくなる。そこで
これらの事情を勘案すると、ミラー面２２ａの形状は短
冊状にし、その縦横比を１０：１以上、１００００：１
以下にすることが望ましい。
【００２３】なお、受光レンズ１４、ミラーユニット１
８、フィールドレンズ１９及び光電検出器２０等は検出
手段５０の一要素を構成している。この検出手段５０は
レーザービームの入射方向に対して側方方向で、検査面
１６上の回路パターン等の散乱光が特定の回折方向を有
するので、これを避けてその回折光を検出しないような
方向に設定している。
８、フィールドレンズ１９及び光電検出器２０等は検出
手段５０の一要素を構成している。この検出手段５０は
レーザービームの入射方向に対して側方方向で、検査面
１６上の回路パターン等の散乱光が特定の回折方向を有
するので、これを避けてその回折光を検出しないような
方向に設定している。
【００２４】本実施例の動作を説明する。図１におい
て、レーザ光源１１からのレーザビームは、スキャンミ
ラー１２によって反射・偏向され、走査レンズ１３を介
して検査面１６上にスポット光１を形成する。このスポ
ット光１はスキャンミラー１２の回動によって検査面１
６上を走査し、走査線２を形成する。同時に不図示の走
査ステージ系によってスポット１による走査方向と略垂
直に原板４０を移動させることにより検査面１６を２次
元的に全面走査する。
て、レーザ光源１１からのレーザビームは、スキャンミ
ラー１２によって反射・偏向され、走査レンズ１３を介
して検査面１６上にスポット光１を形成する。このスポ
ット光１はスキャンミラー１２の回動によって検査面１
６上を走査し、走査線２を形成する。同時に不図示の走
査ステージ系によってスポット１による走査方向と略垂
直に原板４０を移動させることにより検査面１６を２次
元的に全面走査する。
【００２５】検出手段５０はこのレーザビームの入射方
向に対して側方方向に配置しているから、スポット光１
からの側方散乱光のみを受光する。
向に対して側方方向に配置しているから、スポット光１
からの側方散乱光のみを受光する。
【００２６】もし、レーザービームのスポット光１の中
に異物が存在していれば、異物から等方的に散乱光が発
生し、これが受光レンズ１４を通過し、ミラー面２２ａ
で反射され、更に、フィールドレンズ１９を通過して、
光電検出器２０に到達し、異物の存在を検出する。
に異物が存在していれば、異物から等方的に散乱光が発
生し、これが受光レンズ１４を通過し、ミラー面２２ａ
で反射され、更に、フィールドレンズ１９を通過して、
光電検出器２０に到達し、異物の存在を検出する。
【００２７】そして走査線２とミラー面２２ａとは共役
の関係にあるから、検査面１６の裏面からの散乱光やペ
リクル枠からの散乱光等の走査線２以外で発生する不
要、有害な散乱光は受光レンズ１４に入射したとして
も、短冊状のミラー面２２ａの外側に入射することにな
るので、このミラー面２２ａで反射されることは無く、
従って光電検出器２０に到達しない。
の関係にあるから、検査面１６の裏面からの散乱光やペ
リクル枠からの散乱光等の走査線２以外で発生する不
要、有害な散乱光は受光レンズ１４に入射したとして
も、短冊状のミラー面２２ａの外側に入射することにな
るので、このミラー面２２ａで反射されることは無く、
従って光電検出器２０に到達しない。
【００２８】図３は図１のミラーユニット１８の斜視図
である。同図において、２１は保持台、２１ａは保持台
２１の上面であり、保持台の上面２１ａには反射防止用
の塗料を塗ってあり、光線の反射を防いでいる。２２は
短冊状の反射面２２ａを有する反射部材、２２ａは短冊
状のミラー面であり、その表面にはアルミニューム等の
金属を蒸着している。反射部材２２は保持台２１の上に
設置されている。
である。同図において、２１は保持台、２１ａは保持台
２１の上面であり、保持台の上面２１ａには反射防止用
の塗料を塗ってあり、光線の反射を防いでいる。２２は
短冊状の反射面２２ａを有する反射部材、２２ａは短冊
状のミラー面であり、その表面にはアルミニューム等の
金属を蒸着している。反射部材２２は保持台２１の上に
設置されている。
【００２９】更に、保持台２１と反射部材２２は夫々楔
状の断面を持ち、両部品を結合したときはミラー面２２
ａと保持台上面２１ａとが互いに角度θだけ傾くように
構成している。これによって保持台上面２１ａで反射し
た散乱光が光電検出器２０に入射するのを防いでいる。
状の断面を持ち、両部品を結合したときはミラー面２２
ａと保持台上面２１ａとが互いに角度θだけ傾くように
構成している。これによって保持台上面２１ａで反射し
た散乱光が光電検出器２０に入射するのを防いでいる。
【００３０】本実施例は以上の構成により、異物の検出
信号のS/N 比が高くなり、光電検出器２０からのノイズ
の少ない検出信号を信号処理系で処理することにより高
精度に異物の有無の検査を行なうことができる。それと
共に検出系の途中で光路を屈曲するので装置全体をコン
パクトに構成することができる。
信号のS/N 比が高くなり、光電検出器２０からのノイズ
の少ない検出信号を信号処理系で処理することにより高
精度に異物の有無の検査を行なうことができる。それと
共に検出系の途中で光路を屈曲するので装置全体をコン
パクトに構成することができる。
【００３１】実施例１のミラーユニット１８の反射部材
２２は１つのミラー面を持つ平板状部材であったが、本
発明はこれに限るものではない。例えば図４は反射部材
の実施例２であり、１つの入射面２４ａと２つの直交す
る全反射面２４ｂ，２４ｃを持つ短冊状のダハプリズム
２４（プリズム部材）で構成したものである。この反射
部材２４の両端を利用して、これを保持台２１に設置す
れば実施例１の反射部材２２と同じ作用を行うことがで
きる。この反射部材２４の入射面２４ａは先に述べた理
由により縦横比が１０：１以上、１００００：１以下の
形状であることが望ましい。反射部材２４を使用すれ
ば、異物からの散乱光は２つの全反射面２４ｂ，２４ｃ
によって全反射され、更に入射面２４ａでの表面反射光
も利用するので反射効率が極めて高く、検出信号のS/N
比が良好になる。
２２は１つのミラー面を持つ平板状部材であったが、本
発明はこれに限るものではない。例えば図４は反射部材
の実施例２であり、１つの入射面２４ａと２つの直交す
る全反射面２４ｂ，２４ｃを持つ短冊状のダハプリズム
２４（プリズム部材）で構成したものである。この反射
部材２４の両端を利用して、これを保持台２１に設置す
れば実施例１の反射部材２２と同じ作用を行うことがで
きる。この反射部材２４の入射面２４ａは先に述べた理
由により縦横比が１０：１以上、１００００：１以下の
形状であることが望ましい。反射部材２４を使用すれ
ば、異物からの散乱光は２つの全反射面２４ｂ，２４ｃ
によって全反射され、更に入射面２４ａでの表面反射光
も利用するので反射効率が極めて高く、検出信号のS/N
比が良好になる。
【００３２】図５は本発明の半導体デバイスの製造方法
の実施例１の要部概略図である。本実施例は本発明の異
物検査装置をレチクルやフォトマスク等の原板に設けた
回路パターンをウエハ上に焼き付けて半導体デバイスを
製造する製造システムに適用した場合を示している。シ
ステムは大まかに露光装置、原板の収納装置、原板の検
査装置（異物検査装置）、コントローラとを有し、これ
らはクリーンルームに配置されている。
の実施例１の要部概略図である。本実施例は本発明の異
物検査装置をレチクルやフォトマスク等の原板に設けた
回路パターンをウエハ上に焼き付けて半導体デバイスを
製造する製造システムに適用した場合を示している。シ
ステムは大まかに露光装置、原板の収納装置、原板の検
査装置（異物検査装置）、コントローラとを有し、これ
らはクリーンルームに配置されている。
【００３３】同図において９０１はエキシマレーザのよ
うな遠紫外光源、９０２はユニット化された照明系であ
り、これらによって露光位置Ｅ．Ｐ．にセットされた原
板９０３を上部から同時に所定のＮＡ（開口数）で照明
している。９０９は投影レンズであり、原板９０３上に
形成された回路パターンをシリコン基板等のウエハ９１
０上に投影焼付けしている。投影焼付け時にはウエハ９
１０は移動ステージ９１１のステップ送りに従って１シ
ョット毎ずらしながら露光を繰り返す。９００はアライ
メント系であり、露光動作に先立って原板９０３とウエ
ハ９１０とを位置合わせしている。アライメント系９０
０は少なくても１つの原板観察用顕微鏡系を有してい
る。
うな遠紫外光源、９０２はユニット化された照明系であ
り、これらによって露光位置Ｅ．Ｐ．にセットされた原
板９０３を上部から同時に所定のＮＡ（開口数）で照明
している。９０９は投影レンズであり、原板９０３上に
形成された回路パターンをシリコン基板等のウエハ９１
０上に投影焼付けしている。投影焼付け時にはウエハ９
１０は移動ステージ９１１のステップ送りに従って１シ
ョット毎ずらしながら露光を繰り返す。９００はアライ
メント系であり、露光動作に先立って原板９０３とウエ
ハ９１０とを位置合わせしている。アライメント系９０
０は少なくても１つの原板観察用顕微鏡系を有してい
る。
【００３４】以上の各部材によって露光装置を構成して
いる。
いる。
【００３５】９１４は原板の収納装置であり、内部に複
数の原板を収納している。９１３は原板上の異物の有無
を検出する検査装置（異物検査装置）であり、先の異物
検査装置の実施例１で示した構成を含んでいる。この検
査装置９１３は選択された原板が収納装置９１４から引
き出されて露光位置Ｅ．Ｐ．にセットされる前に原板上
の異物検査を行っている。
数の原板を収納している。９１３は原板上の異物の有無
を検出する検査装置（異物検査装置）であり、先の異物
検査装置の実施例１で示した構成を含んでいる。この検
査装置９１３は選択された原板が収納装置９１４から引
き出されて露光位置Ｅ．Ｐ．にセットされる前に原板上
の異物検査を行っている。
【００３６】このときの異物検査の原理及び動作は前述
の実施例で示したものを利用している。コントローラ９
１８はシステム全体のシーケンスを制御しており、収納
装置９１４、検査装置９１３の動作指令、並びに露光装
置の基本動作であるアライメント・露光・ウエハのステ
ップ送り等のシーケンスを制御している。
の実施例で示したものを利用している。コントローラ９
１８はシステム全体のシーケンスを制御しており、収納
装置９１４、検査装置９１３の動作指令、並びに露光装
置の基本動作であるアライメント・露光・ウエハのステ
ップ送り等のシーケンスを制御している。
【００３７】以下、本実施例のシステムを用いた半導体
デバイスの製造工程について説明する。
デバイスの製造工程について説明する。
【００３８】まず収納装置９１４から使用する原板９０
３を取り出し、検査装置９１３にセットする。
３を取り出し、検査装置９１３にセットする。
【００３９】次に検査装置９１３で原板９０３上の異物
検査を行う。検査の結果、異物がないことが確認された
ら、この原板を露光装置の露光位置Ｅ．Ｐ．にセットす
る。次に移動ステージ９１１上に被露光体である半導体
ウエハ９１０をセットする。そしてステップ＆リピート
方式によって移動ステージ９１１のステップ送りに従っ
て、１ショット毎ずらしながら半導体ウエハ９１０の各
領域に原板パターンを縮小投影し、露光する。この動作
を繰り返す。
検査を行う。検査の結果、異物がないことが確認された
ら、この原板を露光装置の露光位置Ｅ．Ｐ．にセットす
る。次に移動ステージ９１１上に被露光体である半導体
ウエハ９１０をセットする。そしてステップ＆リピート
方式によって移動ステージ９１１のステップ送りに従っ
て、１ショット毎ずらしながら半導体ウエハ９１０の各
領域に原板パターンを縮小投影し、露光する。この動作
を繰り返す。
【００４０】１枚の半導体ウエハ９１０の全面に露光が
済んだら、これを収容して新たな半導体ウエハを供給
し、同様にステップ＆リピート方式で原板パターンの露
光を繰り返す。
済んだら、これを収容して新たな半導体ウエハを供給
し、同様にステップ＆リピート方式で原板パターンの露
光を繰り返す。
【００４１】露光の済んだ露光済みウエハは本システム
とは別に設けられた装置で現像やエッチング等の公知の
所定の処理をしている。この後にダイシング、ワイヤボ
ンディング、パッケージング等のアッセンブリ工程を経
て、半導体デバイスを製造している。
とは別に設けられた装置で現像やエッチング等の公知の
所定の処理をしている。この後にダイシング、ワイヤボ
ンディング、パッケージング等のアッセンブリ工程を経
て、半導体デバイスを製造している。
【００４２】本実施例によれば、従来は製造が難しかっ
た非常に微細な回路パターンを有する高集積度半導体デ
バイスを製造することができる。
た非常に微細な回路パターンを有する高集積度半導体デ
バイスを製造することができる。
【００４３】図６は半導体デバイスの製造方法の実施例
２の一部分のブロック図である。本実施例は前記の異物
検査装置の実施例を半導体デバイスを製造する為のレチ
クルやフォトマスク等の原板の洗浄検査システムに適用
したものであり、一連の半導体デバイス製造システムの
中の一部分を構成している。システムは大まかに原板の
収納装置、洗浄装置、乾燥装置、検査装置（異物検査装
置）、コントローラを有し、これらはクリーンチャンバ
内に配置される。
２の一部分のブロック図である。本実施例は前記の異物
検査装置の実施例を半導体デバイスを製造する為のレチ
クルやフォトマスク等の原板の洗浄検査システムに適用
したものであり、一連の半導体デバイス製造システムの
中の一部分を構成している。システムは大まかに原板の
収納装置、洗浄装置、乾燥装置、検査装置（異物検査装
置）、コントローラを有し、これらはクリーンチャンバ
内に配置される。
【００４４】同図において、９２０は原板の収納装置で
あり、内部に複数の原板を収納し、洗浄すべき原板を供
給する。９２１は洗浄装置であり、純水によって原板の
洗浄を行う。９２２は乾燥装置であり、洗浄された原板
を乾燥させる。９２３は原板の検査装置（異物検査装
置）であり、先の実施例１の構成を含み、洗浄された原
板上の異物検査を行う。９２４はコントローラでシステ
ム全体のシーケンス制御を行う。
あり、内部に複数の原板を収納し、洗浄すべき原板を供
給する。９２１は洗浄装置であり、純水によって原板の
洗浄を行う。９２２は乾燥装置であり、洗浄された原板
を乾燥させる。９２３は原板の検査装置（異物検査装
置）であり、先の実施例１の構成を含み、洗浄された原
板上の異物検査を行う。９２４はコントローラでシステ
ム全体のシーケンス制御を行う。
【００４５】以下、動作について説明する。まず、原板
の収納装置９２０から洗浄すべき原板を取り出し、これ
を洗浄装置９２１に供給する。洗浄装置９２１で洗浄さ
れた原板は乾燥装置９２２に送られて乾燥させる。乾燥
が済んだら検査装置９２３に送られ、検査装置９２３に
おいては先の実施例の方法を用いて原板上の異物を検査
する。
の収納装置９２０から洗浄すべき原板を取り出し、これ
を洗浄装置９２１に供給する。洗浄装置９２１で洗浄さ
れた原板は乾燥装置９２２に送られて乾燥させる。乾燥
が済んだら検査装置９２３に送られ、検査装置９２３に
おいては先の実施例の方法を用いて原板上の異物を検査
する。
【００４６】検査の結果、異物が確認されなければ原板
を収納装置９２０に戻す。又異物が確認された場合は、
この原板を洗浄装置９２１に戻して洗浄し、乾燥装置９
２２で乾燥動作を行った後に検査装置９２３で再検査を
行い、異物が完全に除去されるまでこれを繰り返す。そ
して完全に洗浄がなされた原板を収納装置９２０に戻
す。
を収納装置９２０に戻す。又異物が確認された場合は、
この原板を洗浄装置９２１に戻して洗浄し、乾燥装置９
２２で乾燥動作を行った後に検査装置９２３で再検査を
行い、異物が完全に除去されるまでこれを繰り返す。そ
して完全に洗浄がなされた原板を収納装置９２０に戻
す。
【００４７】この後にこの洗浄された原板を露光装置に
セットして、半導体ウエハ上に原板の回路パターンを焼
き付けて半導体デバイスを製造している。これによって
従来は製造が難しかった非常に微細な回路パターンを有
する高集積度半導体デバイスを製造することができるよ
うにしている。
セットして、半導体ウエハ上に原板の回路パターンを焼
き付けて半導体デバイスを製造している。これによって
従来は製造が難しかった非常に微細な回路パターンを有
する高集積度半導体デバイスを製造することができるよ
うにしている。
【００４８】
【発明の効果】本発明は以上の構成により、異物検査装
置において、走査線の像に沿って短冊状の反射面を有す
る反射部材を適切に配置することにより、走査スポット
の走査線上以外で発生する不要、有害な散乱光が光電検
出器に到達することを排除し、従来の方法では検出が難
しかった検査面上の微小な異物の有無等を高精度に検出
することができると同時に検出手段の光路を途中で屈曲
して装置全体をコンパクトに構成できる異物検査装置を
達成する。
置において、走査線の像に沿って短冊状の反射面を有す
る反射部材を適切に配置することにより、走査スポット
の走査線上以外で発生する不要、有害な散乱光が光電検
出器に到達することを排除し、従来の方法では検出が難
しかった検査面上の微小な異物の有無等を高精度に検出
することができると同時に検出手段の光路を途中で屈曲
して装置全体をコンパクトに構成できる異物検査装置を
達成する。
【００４９】更に、本発明を半導体製造装置に応用すれ
ば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイス
を製造することができる。
ば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイス
を製造することができる。
【図１】 本発明の異物検査装置の実施例１の要部概略
図
図
【図２】 図１の光路を展開した説明図
【図３】 図１のミラーユニットの要部斜視図
【図４】 図１の反射部材の別実施例の要部斜視図
【図５】 本発明の半導体デバイスの製造方法の実施例
１の要部概略図
１の要部概略図
【図６】 本発明の半導体デバイスの製造方法の実施例
２の一部の要部ブロック図
２の一部の要部ブロック図
【図７】 第１の従来例の要部概略図
【図８】 第２の従来例の要部概略図
１ スポット ２ 走査線 ３ 走査線の像 １１ レーザー光源 １２ スキャンミラー １３ 走査レンズ（ｆθレンズ） １４ 受光レンズ １５ 受光レンズの光軸 １６ 検査面 １８ ミラーユニット ２０ 光電検出器 ２１ 保持台 ２１ａ 保持台の上面 ２２、２４ 反射部材 ２２ａ ミラー面 ４０ 原板 ５０ 検出手段
Claims (6)
- 【請求項１】 光源からの光束で走査系を利用して検査
面をスポット光で走査し、該検査面上の異物からの散乱
光を受光レンズを通して光電検出器で検出することによ
り該検査面上の異物の存在を検査する際、 該スポット光によって該検査面上に形成される走査線の
該受光レンズによる走査線像に沿って短冊状の反射面を
有した反射部材を配置し、該スポット光で照射された異
物からの散乱光を該反射面で反射させた後、該光電検出
器で検出することを特徴とする異物検査装置。 - 【請求項２】 前記の短冊状の反射面の縦横比が１０：
１以上、１００００：１以下であることを特徴とする請
求項１の異物検査装置。 - 【請求項３】 前記の反射部材はその入射面の縦横比が
１０：１以上、１００００：１以下であるプリズム部材
であることを特徴とする請求項１の異物検査装置。 - 【請求項４】 収納装置から原板を異物検査装置に搬入
し、該異物検査装置により光源からの光束で走査系を利
用して検査面をスポット光で走査し、該検査面上の異物
からの散乱光を受光レンズを通して光電検出器で検出す
ることにより該検査面上の異物の存在を検査する際、 該スポット光によって該検査面上に形成される走査線の
該受光レンズによる像に沿って短冊状の反射面を有した
反射部材を配置し、該スポット光で照射された異物から
の散乱光を該反射面で反射させた後、該光電検出器で検
出して該検査面上の異物の有無を検査し、該異物検査装
置で該検査面上に異物がないと判断したときは該原板を
露光装置の露光位置にセットし、異物が存在すると判断
したときは洗浄装置で洗浄した後に再度該異物検査装置
で検査し、異物がなくなったと判断したとき該原板を該
露光装置の露光位置にセットして、該原板上のパターン
をウエハに露光転写し、該露光転写した原板を現像処理
工程を介して半導体デバイスを製造していることを特徴
とする半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項５】 前記の短冊状の反射面の縦横比が１０：
１以上、１００００：１以下であることを特徴とする請
求項４の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項６】 前記の反射部材はその入射面の縦横比が
１０：１以上、１００００：１以下であるプリズム部材
であることを特徴とする請求項４の半導体デバイスの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16589594A JPH0815167A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16589594A JPH0815167A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0815167A true JPH0815167A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15821022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16589594A Pending JPH0815167A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815167A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6259158B1 (en) | 1996-12-26 | 2001-07-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device utilizing an external electrode with a small pitch connected to a substrate |
| CN111939485A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-11-17 | 西安炬光科技股份有限公司 | 一种激光点阵系统及方法、激光点阵治疗仪 |
-
1994
- 1994-06-24 JP JP16589594A patent/JPH0815167A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6259158B1 (en) | 1996-12-26 | 2001-07-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device utilizing an external electrode with a small pitch connected to a substrate |
| US6841871B2 (en) | 1996-12-26 | 2005-01-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device utilizing pads of different sizes connected to an antenna |
| CN111939485A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-11-17 | 西安炬光科技股份有限公司 | 一种激光点阵系统及方法、激光点阵治疗仪 |
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