JPH0815169A - 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法 - Google Patents

異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法

Info

Publication number
JPH0815169A
JPH0815169A JP16877694A JP16877694A JPH0815169A JP H0815169 A JPH0815169 A JP H0815169A JP 16877694 A JP16877694 A JP 16877694A JP 16877694 A JP16877694 A JP 16877694A JP H0815169 A JPH0815169 A JP H0815169A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
foreign matter
surface
inspection
shielding plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16877694A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyoichi Miyazaki
Seiji Takeuchi
Toshihiko Tsuji
恭一 宮崎
誠二 竹内
俊彦 辻
Original Assignee
Canon Inc
キヤノン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc, キヤノン株式会社 filed Critical Canon Inc
Priority to JP16877694A priority Critical patent/JPH0815169A/ja
Publication of JPH0815169A publication Critical patent/JPH0815169A/ja
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95676Masks, reticles, shadow masks

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レチクルやペリクル面上に付着したゴミ等の
異物を高精度に検出することのできる異物検査装置及び
それを用いた半導体デバイスの製造方法を得ること。 【構成】 光源からの光束で走査系を利用して検査面上
をスポット光で走査し、該検査面上からの散乱光を検出
光学系で受光することにより該検査面上の異物の有無を
検査する際、該検査面より受光光学系側に少なくとも1
つの開口を有する遮光板を該検査面と略平行に少なくと
も1枚設置していること。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【産業上の利用分野】本発明は異物検査装置及びそれを
用いた半導体デバイスの製造方法に関し、特に半導体デ
バイスの製造装置で使用される回路パターンが形成され
ているレチクルやフォトマスク等の原板上に、例えば不
透過性のゴミ等の異物が付着していたときに、この異物
の有無等を精度良く検出する際に好適なものである。

【0002】

【従来の技術】一般にIC製造工程においてはレチクル
又はフォトマスク等の原板上に形成されている露光用の
回路パターンを半導体焼付け装置(ステッパー又はマス
クアライナー)によりレジストが塗布されたウエハ面上
に転写して製造している。この際、原板面上にパターン
欠陥やゴミ等の異物が存在すると回路パターンを転写す
る際、異物も同時に転写されてしまい、IC製造の歩留
を低下させる原因となってくる。

【0003】特にレチクルを使用し、ステップ&リピー
ト方法により繰り返してウエハ面上に回路パターンを焼
き付ける場合、レチクル面上に有害な1個の異物が存在
していると、該異物がウエハ全面に焼き付けられてしま
い、IC工程の歩留を大きく低下させる原因となってく
る。

【0004】その為、IC製造工程においては基板上の
異物の存在を検出するのが不可欠となっており、従来よ
り種々の検査方法が提案されている。

【0005】一般には異物が等方的に光を散乱する性質
を利用する方法が多く用いられている。

【0006】図9は従来の異物検査装置の要部概略図で
ある。本装置は異物による散乱光を検出することで異物
の有無を検査している。この従来例の動作を説明する。
同図において、レーザ光源11からのレーザビームは、
コリメート光学系2によって異物検査に最適なレーザビ
ームとされ、ミラー15を介してポリゴンミラー17と
fθレンズ18からなる走査光学系3に導かれる。走査
光学系3からのレーザビームは回路パターンが形成され
る原板40上の検査面20にスポット光19として集光
し、走査光学系3によって走査線上を走査する。同時に
走査ステージ系26によってスポット光19による走査
方向と略垂直に原板40を移動させることにより検査面
20を2次元的に全面走査する。

【0007】このレーザービームの入射方向に対して後
方或は側方方向に配置した受光レンズ21とフィルタ2
2、アパーチャ23、そして光電検出器24から成る検
出手段4により検査面上19の異物からの散乱光を検出
している。

【0008】この検出手段4の配置方向については検査
面20にレーザービームを入射したときに回路パターン
等から発生する散乱光が特定の回折方向を有するので、
これを避けて検出しないような方向に設定している。

【0009】このような構成の装置によってスポット光
19内に異物が存在しない場合には検出手段4では散乱
光は検出されない。もし検査面上19に異物が存在する
場合は、異物から等方的に散乱光が発生する。このとき
の散乱光を検出手段4で検出している。このとき得られ
る検出信号を信号処理系25で処理することにより検査
面上19の異物の有無や大きさ等の検査を行っている。

【0010】

【発明が解決しようとする課題】従来の異物検査装置に
おいては、原板40を透過した光束や反射した光束が原
板40の側面やペリクル枠28等で反射して不要な散乱
光となって検出手段4に入射し、検出信号のノイズとな
ったり、異物として誤検出するという問題があった。

【0011】本発明は、異物検査に際してスポット光の
走査線上以外で発生する有害な散乱光(ノイズ光)を適
切なる形状の遮光板を設けて遮光することにより、従来
の方法では検出が難しかった検査面上の微小な異物の有
無等を高精度に検出することができる異物検査装置及び
それを用いた半導体デバイスの製造方法の提供を目的と
している。

【0012】

【課題を解決するための手段】本発明の異物検査装置
は、 (1−1) 光源からの光束で走査系を利用して検査面
上をスポット光で走査し、該検査面上からの散乱光を検
出手段で受光することにより該検査面上の異物の有無を
検査する際、 該検査面より該検出手段側に該検査面と
略平行な遮光板を少なくとも1枚設置したことを特徴と
している。

【0013】特に、(1−1−1) 前記遮光板には前
記光源からの光束が前記検査面に到達し、且つ該検査面
上に存在する異物に前記スポット光が入射したとき、該
異物からの散乱光が前記検出手段に入射する少なくとも
1つの開口が設けられている、(1−1−2) 前記遮
光板はその表面が粗面処理又は黒色塗装又は植毛等の反
射防止の表面処理がされている、(1−1−3) 前記
遮光板上には光学部品を設置している、(1−1−4)
前記遮光板の前記開口部には光学部品が設置してい
る、こと等を特徴としている。

【0014】又、本発明の半導体デバイスの製造方法
は、 (1−2) 収納装置から原板を異物検査装置に搬入
し、該異物検査装置により光源からの光束で走査系を利
用して該原板の検査面上をスポット光で走査し、該検査
面上からの散乱光を検出手段で受光することにより該検
査面上の異物の有無を検査する際、該検査面より該検出
手段側には該検査面と略平行な遮光板を少なくとも1枚
設置してしており、該異物検査装置で該検査面上の異物
の有無を検査し、該異物検査装置で該検査面上に異物が
ないと判断したときは該原板を露光装置の露光位置にセ
ットし、異物が存在すると判断したときは洗浄装置で洗
浄した後に再度該異物検査装置で検査し、異物がなくな
ったと判断したとき該原板を該露光装置の露光位置にセ
ットして、該原板上のパターンをウエハに露光転写し、
該露光転写した原板を現像処理工程を介して半導体デバ
イスを製造していることを特徴としている。

【0015】特に、(1−2−1) 前記遮光板には前
記光源からの光束が前記検査面に到達し、且つ該検査面
上に存在する異物に前記スポット光が入射したときに該
異物からの散乱光が前記検出手段に入射する少なくとも
1つの開口部が設けられている、(1−2−3) 前記
遮光板上には光学部品を設置している、(1−2−4)
前記遮光板の前記開口部には光学部品が設置してい
る、こと等を特徴としている。

【0016】

【実施例】図1は本発明の異物検査装置の実施例1の要
部概略図である。

【0017】本実施例は半導体分野等で使用される露光
用原板(レチクルやフォトマスク)やウエハ等の被検面
上の状態を検査する検査装置、具体的には被検面上に付
着するゴミ等の異物或は被検面上についた傷等の欠陥
(以下、これらを総称して「異物」という。)を検査す
る異物検査装置である。

【0018】図1(A)は本実施例の側面図、図1
(B)は本実施例の遮光板の平面図である。図中、11
はレーザー光源、12は偏光子、13はフィルタ、14
はレンズ系である。偏光子12〜レンズ系14まではレ
ーザー光を平行光にするコリメート光学系2を構成して
いる。17はポリゴン等のスキャニングミラー、18は
fθレンズであり、スキャニングミラー17とfθレン
ズとは走査光学系3を構成している。40は原板であ
り、20は異物の有無や大きさ等を検査する検査面であ
り、その面上には回路パターンが形成されている。27
は原板面(検査面)を保護しているペリクル膜である。
26は走査ステージ系である。 21は受光レンズ、2
2はフィルタ、23はアパーチャ、24は光電検出器で
ある。受光レンズ21から光電検出器24までは検出手
段4を構成している。さらに、30は遮光板であり、図
1(B)に示すように開口50を有している。遮光板3
0は原板40の近傍で、原板40に対して略平行に設置
している。

【0019】本実施例の動作を説明する。図1Aにおい
て、レーザ光源11からのレーザビームは、コリメータ
ー光学系2によって異物検査に最適なレーザビームとさ
れ、ミラー15を介して走査光学系3に導かれる。走査
光学系3からのレーザビームは遮光板30の開口50を
通って回路パターンが形成される検査面20にスポット
光19として集光し、走査光学系3によって走査線上を
走査する。同時に走査ステージ系26によってスポット
光19による走査方向と略垂直に原板40を移動させる
ことにより検査面20を2次元的に全面走査する。

【0020】検出手段4はこのレーザビームの入射方向
に対して後方散乱方向に配置している。そして検査面2
0のスポット光19からの後方散乱光のみを遮光板30
の開口50を通して受光する。

【0021】この検出手段4の配置方向は、検査面20
上の回路パターン等の散乱光が特定の回折方向を有する
ので、これを避けてその回折光を検出しないような方向
に設定している。

【0022】図2はこのときの検査面20上の異物と回
路パターン及び照射光束の位置関係を示す摸式図であ
る。図2は光束の照射側若しくは検出手段側から原板4
0上の照射位置を見たものであり、レーザービームの走
査線31上に異物170と回路パターン171が存在し
ている様子を表している。

【0023】このような構成の装置によってスポット光
19内に異物が存在しない場合には検出手段4では散乱
光は検出されない。もし異物170が存在する場合は、
微小な異物170からの散乱光が等方的に発生する為検
出手段4で散乱光が検出されることになる。このとき得
られる検出信号を信号処理系25で処理することにより
異物の有無の検査を行っている。このような構成によ
り、スポット光19内に異物が存在しない場合に例えば
検査面20による反射光などがペリクル枠28に当たっ
て散乱しても、この散乱反射光29は遮光板30に遮断
され、検出手段4には到達しない。一方異物が存在する
場合は、微小な異物からの散乱光は遮光板30の開口5
0を通って検出手段4に到達し、散乱光が検出される。
この場合も検査面20による反射は発生するが、走査線
上以外で発生する散乱光は遮光板30によって遮断さ
れ、不要なノイズ光を取り除くことができる。こうして
検出手段4からのノイズの少ない検出信号を信号処理系
25で処理することにより正確に異物の有無の検査を行
なっている。

【0024】なお、遮光板30は原板40の近傍で、原
板40に略平行に設けているので、走査ステージ系26
の移動を阻害することなく、検出手段4から見て遮光範
囲を大きく設定できる。

【0025】更に、遮光板30はその表面に当たる光を
反射して不要な反射光や散乱光を発生しないように粗面
処理、黒色塗装、或は植毛等の表面処理を施している。

【0026】図3は本発明の異物検査装置の実施例2の
要部概略図である。図3(A)は本実施例の側面図、図
3(B)は本実施例の遮光板の平面図である。実施例2
は実施例1に比べて遮光板30に設ける開口を走査ビー
ム用開口52と受光用開口53の二つに分けた部分のみ
が異なっており、その他の構成は同じである。

【0027】本実施例はレーザービームが遮光板30を
通過する部分及び走査線31上の各スポットから検出手
段4へ入射する入射光束が遮光板30を通過する部分の
みに開口部52、53を設けている。この為走査線31
上以外で発生する散乱光を遮断する効果は実施例1より
も優れている。

【0028】図4は本発明の異物検査装置の実施例3の
要部概略図である。図4(A)は本実施例の要部斜視
図、図4(B)は本実施例の遮光板の平面図である。実
施例1及び実施例2は走査線31より後方に検出手段4
を設置した後方受光の例であったが、実施例3は検出手
段4を走査線31の側方に配置した側方受光の例であ
る。図4(A)において、検査面20を走査線31に対
して直交方向に動かすステージと検出手段4の一部は省
略している。

【0029】本実施例の場合、レーザビームが検査面2
0へ入射する方向に対して側方に検出手段4を設け、検
出手段4は検査面20のスポット光からの散乱光のみを
遮光板30に設けた受光用開口55を通して受光する。
この検出手段4の配置方向は、検査面20上の回路パタ
ーン等の散乱光が特定の回折方向を有するので、これを
避けてその回折光を検出しないような方向に設定してい
る。

【0030】以上の構成により、スポット光19内に異
物が存在しない場合に例えば検査面20による反射光な
どがペリクル枠28に当たって散乱しても、この乱反射
光29は遮光板30に遮断され、検出手段4には到達し
ない。一方異物が存在する場合は、微小な異物からの散
乱光は遮光板30の受光用開口55を通って検出手段4
に到達し、散乱光が検出される。この場合も検査面20
による反射は発生するが、走査線上以外で発生する散乱
光は遮光板30によって遮断され、不要なノイズ光を取
り除くことができる。こうして検出手段4からのノイズ
の少ない検出信号を信号処理系25で処理することによ
り正確に異物の有無の検査を行なっている。

【0031】この側方受光の場合、受光の角度、即ち検
査面と受光系光軸のなす角度に応じて受光用開口55は
レーザービーム用の開口54に対して検出手段4側にず
らす必要がある。

【0032】図5は本発明の異物検査装置の実施例4の
要部概略図である。図5(A)は本実施例の側面図、図
5(B)は本実施例の遮光板の平面図である。実施例1
〜3は1つの検出手段4のみにより検査している例であ
るが、実施例4は2つの検出手段4a及び4bを用いて
2つの方向角で検査をする例である。実施例4は図3の
実施例2と比べて検出手段4を2つ設けていること、及
び遮光板30に受光用開口を二つ、即ち開口53aと開
口53bとを設けた部分が異なっており、その他の構成
は同じである。

【0033】以上の構成により、スポット光19内に異
物が存在しない場合に例えば検査面20による反射光な
どがペリクル枠28に当たって散乱しても、この乱反射
光29は遮光板30に遮断され、検出手段4a,4bに
は到達しない。一方異物が存在する場合は、微小な異物
からの散乱光は遮光板30の受光用開口53a,53b
を通って検出手段4a,4bに到達し、散乱光が検出さ
れる。この場合も検査面20による反射は発生するが、
走査線上以外で発生する散乱光は遮光板30によって効
果的に遮断され、不要なノイズ光を取り除くことができ
る。こうして検出手段4からのノイズの少ない検出信号
を信号処理系25で処理することにより正確に異物の有
無の検査を行なっている。

【0034】この実施例の場合、検出手段4は2つであ
るが、3つ以上ある場合も同様に遮光板30に検出手段
4の数だけ受光用開口を設けて走査線以外の領域から発
生する散乱光を遮断すればよい。また、複数の検出手段
4の検出角度が近い場合などでは検出手段4の数より少
ない受光用開口を設けて必要な散乱光のみを検出するこ
ともできる。

【0035】複数の照射レーザービームを検査面20に
照射して検査する場合は遮光板30に受光用開口の他に
それぞれの走査ビームに対応した走査ビーム用開口を設
けることで不要な散乱光を遮光できる。

【0036】図6は本発明の異物検査装置の実施例5の
要部概略図である。図6(A)は本実施例の要部斜視
図、図6(B)は本実施例の遮光板の平面図、図6
(C)は本実施例の遮光板の側面図である。実施例5は
本発明を本出願人が先に提案した特願平5-207078号で開
示している2つのビームのヘテロダイン干渉により異物
を検出する装置の提案に応用したものである。

【0037】図中、111はレーザー光源であり、この
場合2つの僅かに異なる周波数を直交する偏光面で出射
する2周波直交レーザを用いる。また、130は遮光板
であり、56は走査ビーム用開口、58は受光用開口で
ある。走査ビーム用開口56には偏光ビームスプリッタ
57を配置しており、受光用開口58には合波ミラー5
9を配置している。この合波ミラー59はハーフミラ
ー、偏光ビームスプリッタなどから構成している。これ
らの偏光ビームスプリッタ57及び合波ミラー59はい
ずれも前記開口部に設置した光学部品である。また61
は入射した光に対して側方に反射回折光を発生するグレ
ーティングである。

【0038】光源111から出射したビームはポリゴン
ミラー17とfθレンズ18より成る走査光学系3によ
って偏向され、ミラー60a、60bを通り、最後に遮
光板130の開口56を通って検査面20上にスポット
光119を形成し、走査線131に沿って走査する。

【0039】この時、遮光板130の走査ビーム用開口
56には偏光ビームスプリッタ57が配置されているの
で、光束中の2つの周波数の光がそれぞれの周波数成分
の2つの偏光に分離され、前記の検査面20を走査する
検査用ビームSaと回折格子61へと向かう参照ビーム
Raとに分かれる。

【0040】走査線131の側方方向には検出手段4を
配置し、検査面20のスポット光119からの散乱光の
みを遮光板130に設けた受光用開口58を通して受光
する。

【0041】一方の参照ビームRaは回折格子61によ
って回折され、そのうち1次回折光Ra1は受光用開口
58の方向へ回折される。受光用開口58には合波ミラ
ー59が配置されているので、検査面20の異物からの
側方散乱光である測定光SSaと、回折格子からの回折
光である参照光Ra1が合波ミラー59によって重ね合
わさり、検出手段4へと向かう。測定光SSaと参照光
Ra1は検出手段4で光電変換されて干渉信号として検
出されるが、この信号は2つの光の周波数が僅かに異な
るため、差周波数の変調信号として検出される。

【0042】以上の構成により、スポット光119内に
異物が存在しない場合に例えば検査面20による反射光
などがペリクル枠28に当たって散乱しても、この乱反
射光129は遮光板130に遮断され、光電検出器24
には到達しない。一方異物が存在する場合は、微小な異
物からの散乱光は遮光板130の受光用開口58に配置
された合波ミラー59で参照光と合波して検出手段4に
到達し、散乱光が干渉信号として検出される。この場合
も検査面20による反射は発生するが、走査線131上
以外で発生する散乱光は遮光板130によって遮断さ
れ、有害なノイズ光を取り除くことができる。こうして
検出手段4からのノイズの少ない検出信号を信号処理系
125で処理することにより正確に異物の有無の検査を
行なっている。

【0043】本実施例においては遮光板130を検査面
20に対して略平行に設置している。その為に偏光ビー
ムスプリッター57や合波ミラー59等の光学部品を設
置するのに特に好都合である。

【0044】グレーティング61を検査面20に対して
平行に配置するためには、図6(C)に示したように遮
光板130にホルダー62を介してグレーティング61
を遮光板に対して平行に固定し、最後に遮光板を検査面
と平行になるように調整することで容易に実現できる。

【0045】又、遮光板130はその表面に当たる光を
反射して不要な反射光や散乱光を発生しないように粗面
処理、黒色塗装、或は植毛等の表面処理を施すと良い。

【0046】更に、本実施例の遮光板130は遮光板1
30より検出手段4側で発生する不要な散乱光が検査面
20側に達するのを遮断すると共に、遮光板130と原
板40との間で発生する不要散乱光が検出手段4に達す
るのを遮っている。

【0047】実施例1〜5では走査光学系3にポリゴン
ミラーを用いた例を用いたが、ガルバノミラーなどの振
動ミラーを用いた走査光学系3でも得られる効果は同じ
である。また、入射ビームを振動させずに、検査面を光
学系に相対的に走査させる方式でも得られる効果は同じ
である。

【0048】原板40に対して検出手段が配置されてい
ない裏側から光ビームを入射させる場合は、原板40と
検出手段の間に原板40に対して略平行な遮光板を配置
し、遮光板に受光用開口のみを設けることにより、不要
な散乱光を遮断できる。

【0049】尚、以上の実施例は半導体製造分野に限ら
ず、面の表面状態の検査装置に広く適用することができ
る。

【0050】図7は本発明の半導体デバイスの製造方法
の実施例1の要部概略図である。本実施例は前記の異物
検査装置の実施例をレチクルやフォトマスク等の原板に
設けた回路パターンをウエハ上に焼き付けて半導体デバ
イスを製造する製造システムに適用した場合を示してい
る。システムは大まかに露光装置、原板の収納装置、原
板の検査装置(異物検査装置)、コントローラとを有
し、これらはクリーンルームに配置されている。

【0051】同図において901はエキシマレーザのよ
うな遠紫外光源、902はユニット化された照明系であ
り、これらによって露光位置E.P.にセットされた原
板903を上部から同時に所定のNA(開口数)で照明
している。909は投影レンズであり、原板903上に
形成された回路パターンをシリコン基板等のウエハ91
0上に投影焼付けしている。投影焼付け時にはウエハ9
10は移動ステージ911のステップ送りに従って1シ
ョット毎ずらしながら露光を繰り返す。900はアライ
メント系であり、露光動作に先立って原板903とウエ
ハ910とを位置合わせしている。アライメント系90
0は少なくても1つの原板観察用顕微鏡系を有してい
る。

【0052】以上の各部材によって露光装置を構成して
いる。

【0053】914は原板の収納装置であり、内部に複
数の原板を収納している。913は原板上の異物の有無
を検出する検査装置(異物検査装置)であり、先の各実
施例で示した構成を含んでいる。この検査装置913は
選択された原板が収納装置914から引き出されて露光
位置E.P.にセットされる前に原板上の異物検査を行
っている。

【0054】このときの異物検査の原理及び動作は前述
の各実施例で示したものを利用している。コントローラ
918はシステム全体のシーケンスを制御しており、収
納装置914、検査装置913の動作指令、並びに露光
装置の基本動作であるアライメント・露光・ウエハのス
テップ送り等のシーケンスを制御している。

【0055】以下、本実施例のシステムを用いた半導体
デバイスの製造工程について説明する。

【0056】まず収納装置914から使用する原板90
3を取り出し、検査装置913にセットする。

【0057】次に検査装置913で原板903上の異物
検査を行う。検査の結果、異物がないことが確認された
ら、この原板を露光装置の露光位置E.P.にセットす
る。

【0058】次に移動ステージ911上に被露光体であ
る半導体ウエハ910をセットする。そしてステップ&
リピート方式によって移動ステージ911のステップ送
りに従って、1ショット毎ずらしながら半導体ウエハ9
10の各領域に原板パターンを縮小投影し、露光する。
この動作を繰り返す。

【0059】1枚の半導体ウエハ910の全面に露光が
済んだら、これを収容して新たな半導体ウエハを供給
し、同様にステップ&リピート方式で原板パターンの露
光を繰り返す。

【0060】露光の済んだ露光済みウエハは本システム
とは別に設けられた装置で現像やエッチング等の公知の
所定の処理をしている。この後にダイシング、ワイヤボ
ンディング、パッケージング等のアッセンブリ工程を経
て、半導体デバイスを製造している。

【0061】本実施例によれば、従来は製造が難しかっ
た非常に微細な回路パターンを有する高集積度半導体デ
バイスを製造することができる。

【0062】図8は半導体デバイスの製造方法の実施例
2の一部分のブロック図である。本実施例は前記の異物
検査装置の実施例を半導体デバイスを製造する為のレチ
クルやフォトマスク等の原板の洗浄検査システムに適用
したものであり、一連の半導体デバイスの製造システム
の中の一部分を構成している。システムは大まかに原板
の収納装置、洗浄装置、乾燥装置、検査装置(異物検査
装置)、コントローラを有し、これらはクリーンチャン
バ内に配置される。

【0063】同図において、920は原板の収納装置で
あり、内部に複数の原板を収納し、洗浄すべき原板を供
給する。921は洗浄装置であり、純水によって原板の
洗浄を行う。922は乾燥装置であり、洗浄された原板
を乾燥させる。923は原板の検査装置(異物検査装
置)であり、先の実施例の構成を含み、洗浄された原板
上の異物検査を行う。924はコントローラでシステム
全体のシーケンス制御を行う。

【0064】以下、動作について説明する。まず、原板
の収納装置920から洗浄すべき原板を取り出し、これ
を洗浄装置921に供給する。洗浄装置921で洗浄さ
れた原板は乾燥装置922に送られて乾燥させる。乾燥
が済んだら検査装置923に送られ、検査装置923に
おいては先の実施例の方法を用いて原板上の異物を検査
する。

【0065】検査の結果、異物が確認されなければ原板
を収納装置920に戻す。又異物が確認された場合は、
この原板を洗浄装置921に戻して洗浄し、乾燥装置9
22で乾燥動作を行った後に検査装置923で再検査を
行い、異物が完全に除去されるまでこれを繰り返す。そ
して完全に洗浄がなされた原板を収納装置920に戻
す。

【0066】この後にこの洗浄された原板を露光装置に
セットして、半導体ウエハ上に原板の回路パターンを焼
き付けて半導体デバイスを製造している。これによって
従来は製造が難しかった非常に微細な回路パターンを有
する高集積度半導体デバイスを製造することができるよ
うにしている。

【0067】

【発明の効果】本発明は以上の構成により、異物検査に
際してスポット光の走査線上以外で発生する有害な散乱
光を適切な遮光板を設けて遮光することにより、従来の
方法では検出が難しかった検査面上の微小な異物の有無
及び異物の存在している位置等を高精度に検出すること
ができる異物検査装置を達成する。

【0068】更に従来困難とされているレチクル上0.
3μm以下の異物を回路パターンと分離して良好な感度
で検出できる。

【0069】更に検査面に接近して光学部品を設置した
り、原板に略平行な光学部品の設置、調整が容易にな
る。

【0070】又、本発明を半導体製造装置に応用すれ
ば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイス
を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図1】 本発明の異物検査装置の実施例1の要部概略
図 (A)側面図 (B)遮光板平面図

【図2】 図1の一部分の拡大斜視図

【図3】 本発明の異物検査装置の実施例2の要部概略
図 (A)側面図 (B)遮光板平面図

【図4】 本発明の異物検査装置の実施例3の要部概略
図 (A)要部斜視図 (B)遮光板平面図

【図5】 本発明の異物検査装置の実施例4の要部概略
図 (A)側面図 (B)遮光板平面図

【図6】 本発明の異物検査装置の実施例5の要部概略
図 (A)要部斜視図 (B)遮光板平面図 (C)遮光板
側面図

【図7】 本発明の半導体デバイスの製造方法の実施例
1の要部概略図

【図8】 本発明の半導体デバイスの製造方法の実施例
2の一部分のブロック図

【図9】 従来例の図

【符号の説明】

2 コリメート光学系 3 走査光学系 4 検出手段 11、111 レーザー光源 15、60a,60b ミラー 17 ポリゴンミラー 18 fθレンズ系 19、119 スポット光 20 検査面 21 受光レンズ 24 光電検出器 25、125 信号処理系 26 走査ステージ系 27 ペリクル膜 28 ペリクル枠 30、130 遮光板 31、131 走査線 40 原板 50 開口 52、54、56 走査ビーム用開口 53、53a,53b、55、58 受光用開口 57 偏光ビームスプリッター 59 合波ミラー 61 回折格子 62 ホルダー

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源からの光束で走査系を利用して検査
    面上をスポット光で走査し、該検査面上からの散乱光を
    検出手段で受光することにより該検査面上の異物の有無
    を検査する際、 該検査面より該検出手段側に該検査面と略平行な遮光板
    を少なくとも1枚設置したことを特徴とする異物検査装
    置。
  2. 【請求項2】 前記遮光板には前記光源からの光束が前
    記検査面に到達し、且つ該検査面上に存在する異物に前
    記スポット光が入射したとき、該異物からの散乱光が前
    記検出手段に入射する少なくとも1つの開口が設けられ
    ていることを特徴とする請求項1の異物検査装置。
  3. 【請求項3】 前記遮光板はその表面が粗面処理又は黒
    色塗装又は植毛等の反射防止の表面処理がされているこ
    とを特徴とする請求項1又は2の異物検査装置。
  4. 【請求項4】 前記遮光板上には光学部品を設置してい
    ることを特徴とする請求項1、2又は3の異物検査装
    置。
  5. 【請求項5】 前記遮光板の前記開口部には光学部品を
    設置していることを特徴とする請求項2、3又は4の異
    物検査装置。
  6. 【請求項6】 収納装置から原板を異物検査装置に搬入
    し、該異物検査装置により光源からの光束で走査系を利
    用して該原板の検査面上をスポット光で走査し、該検査
    面上からの散乱光を検出手段で受光することにより該検
    査面上の異物の有無を検査する際、 該検査面より該検出手段側には該検査面と略平行な遮光
    板を少なくとも1枚設置してしており、該異物検査装置
    で該検査面上の異物の有無を検査し、該異物検査装置で
    該検査面上に異物がないと判断したときは該原板を露光
    装置の露光位置にセットし、異物が存在すると判断した
    ときは洗浄装置で洗浄した後に再度該異物検査装置で検
    査し、異物がなくなったと判断したとき該原板を該露光
    装置の露光位置にセットして、該原板上のパターンをウ
    エハに露光転写し、該露光転写した原板を現像処理工程
    を介して半導体デバイスを製造していることを特徴とす
    る半導体デバイスの製造方法。
  7. 【請求項7】 前記遮光板には前記光源からの光束が前
    記検査面に到達し、且つ該検査面上に存在する異物に前
    記スポット光が入射したときに該異物からの散乱光が前
    記検出手段に入射する少なくとも1つの開口部が設けら
    れていることを特徴とする請求項6の半導体デバイスの
    製造方法。
  8. 【請求項8】 前記遮光板はその表面が粗面処理又は黒
    色塗装又は植毛等の反射防止の表面処理がされているこ
    とを特徴とする請求項6又は7の半導体デバイスの製造
    方法。
  9. 【請求項9】 前記遮光板上には光学部品を設置してい
    ることを特徴とする請求項6、7又は8の半導体デバイ
    スの製造方法。
  10. 【請求項10】 前記遮光板の前記開口部には光学部品
    を設置していることを特徴とする請求項7、8又は9の
    半導体デバイスの製造方法。
JP16877694A 1994-06-28 1994-06-28 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法 Pending JPH0815169A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16877694A JPH0815169A (ja) 1994-06-28 1994-06-28 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16877694A JPH0815169A (ja) 1994-06-28 1994-06-28 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法
US08/494,539 US5585918A (en) 1994-06-28 1995-06-26 Foreign particle inspecting system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0815169A true JPH0815169A (ja) 1996-01-19

Family

ID=15874257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16877694A Pending JPH0815169A (ja) 1994-06-28 1994-06-28 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5585918A (ja)
JP (1) JPH0815169A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2093611A2 (en) 2008-02-20 2009-08-26 Canon Kabushiki Kaisha Particle inspection apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4620228B2 (ja) * 2000-07-31 2011-01-26 大日本印刷株式会社 光散乱透過シートの欠点検査装置
JP2014013186A (ja) * 2012-07-04 2014-01-23 Fujifilm Corp 流延支持体の表面検査装置及び方法並びに溶液製膜方法及び設備

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3259331B2 (ja) * 1992-05-29 2002-02-25 キヤノン株式会社 表面状態検査装置
JP3517504B2 (ja) * 1995-12-15 2004-04-12 キヤノン株式会社 位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US5969820A (en) * 1996-06-13 1999-10-19 Canon Kabushiki Kaisha Surface position detecting system and exposure apparatus using the same
US6594012B2 (en) 1996-07-05 2003-07-15 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US5701174A (en) * 1996-07-15 1997-12-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Template mask for assisting in optical inspection of oxidation induced stacking fault (OISF)
JP3311319B2 (ja) 1998-10-02 2002-08-05 キヤノン株式会社 光学ユニット、光学ユニットを用いた光学機器
JP2000124122A (ja) 1998-10-19 2000-04-28 Canon Inc 半導体露光装置および同装置を用いるデバイス製造方法
US6097482A (en) * 1999-06-08 2000-08-01 Philip Morris Incorporated High speed flaw detecting system for reflective material
JP3679736B2 (ja) * 2001-07-04 2005-08-03 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、並びに、デバイス
JP2003302745A (ja) * 2002-04-12 2003-10-24 Dainippon Printing Co Ltd 異物の無害化方法
JP3689681B2 (ja) * 2002-05-10 2005-08-31 キヤノン株式会社 測定装置及びそれを有する装置群
JP2005141158A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Canon Inc 照明光学系及び露光装置
JP4217692B2 (ja) * 2005-04-20 2009-02-04 キヤノン株式会社 異物検査装置及び異物検査方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
US8582094B1 (en) * 2005-04-20 2013-11-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for inspecting specimens including specimens that have a substantially rough uppermost layer
JP4988223B2 (ja) * 2005-06-22 2012-08-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置およびその方法
JP5686394B1 (ja) * 2014-04-11 2015-03-18 レーザーテック株式会社 ペリクル検査装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5041726A (en) * 1990-06-11 1991-08-20 Hughes Aircraft Company Infrared holographic defect detector
JP3323537B2 (ja) * 1991-07-09 2002-09-09 キヤノン株式会社 微細構造評価装置及び微細構造評価法
US5416594A (en) * 1993-07-20 1995-05-16 Tencor Instruments Surface scanner with thin film gauge
JP3246811B2 (ja) * 1993-10-18 2002-01-15 三菱電機株式会社 半導体ウエハ検査装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4620228B2 (ja) * 2000-07-31 2011-01-26 大日本印刷株式会社 光散乱透過シートの欠点検査装置
EP2093611A2 (en) 2008-02-20 2009-08-26 Canon Kabushiki Kaisha Particle inspection apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7760348B2 (en) 2008-02-20 2010-07-20 Canon Kabushiki Kaisha Particle inspection apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2014013186A (ja) * 2012-07-04 2014-01-23 Fujifilm Corp 流延支持体の表面検査装置及び方法並びに溶液製膜方法及び設備

Also Published As

Publication number Publication date
US5585918A (en) 1996-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5486919A (en) Inspection method and apparatus for inspecting a particle, if any, on a substrate having a pattern
JP3458139B2 (ja) パターニングされた基板の光学検査用装置
US6184976B1 (en) Apparatus and method for measuring an aerial image using transmitted light and reflected light
US5656229A (en) Method for removing a thin film layer
KR100727168B1 (ko) 기판 검사 장치 및 방법
US5202748A (en) In situ process control system for steppers
US7630070B2 (en) Scatterometer, a lithographic apparatus and a focus analysis method
US5579147A (en) Scanning light exposure apparatus
JP3972035B2 (ja) 検査方法とデバイス製造方法
KR20110063511A (ko) 2차원 타겟을 이용한 리소그래피 포커스 및 조사량 측정
CN102460129B (zh) 物体检查系统和方法
US5098191A (en) Method of inspecting reticles and apparatus therefor
US4595289A (en) Inspection system utilizing dark-field illumination
JP2010192894A (ja) 検査装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセルおよび検査方法
US6576559B2 (en) Semiconductor manufacturing methods, plasma processing methods and plasma processing apparatuses
TWI551957B (zh) 檢查方法和裝置,微影裝置,微影製程單元及器件製造方法
US7072034B2 (en) Systems and methods for inspection of specimen surfaces
US20040032581A1 (en) Systems and methods for inspection of specimen surfaces
JP3211538B2 (ja) 検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
US20030215965A1 (en) Method and apparatus for position measurement of a pattern formed by a lithographic exposure tool
JP2008028389A (ja) インスペクション方法およびインスペクション装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルならびにデバイス製造方法
US6016186A (en) Alignment device and method with focus detection system
JP3808169B2 (ja) 検査方法およびその装置並びに半導体基板の製造方法
US8189195B2 (en) Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
JP2008311645A (ja) インスペクション方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セル、ならびにデバイス製造方法