JPH07333167A

JPH07333167A - 表面状態検査装置及びそれを用いた露光装置

Info

Publication number: JPH07333167A
Application number: JP15170894A
Authority: JP
Inventors: Michio Kono; 道生河野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-06-08
Filing date: 1994-06-08
Publication date: 1995-12-22

Abstract

(57)【要約】【目的】検査面上の異物の有無を高精度に検出するこ
とができる表面状態検査装置及びそれを用いた露光装
置。【構成】光源手段からの光束で検査面上を光走査した
ときに生じる光束を検出手段で検出し、該検出手段から
の信号を用いて該検査面上の表面状態を検査する際、該
光束の光走査と同期させて、該光源手段からの光束の光
強度を変調していること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は表面状態検査方法及びそ
れを用いた露光装置に関し、特に半導体製造装置で使用
される回路パターンが形成されているレチクルやフォト
マスク等の基板（原板）上のパターン欠陥やゴミや埃等
の異物又は／及び基板にペリクル保護膜を装着したとき
のペリクル保護膜面上に異物が付着していたときに、こ
れらの異物を精度良く検出し、半導体デバイスを効果的
に製造するのに好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】一般にＩＣ製造工程においてはレチクル
又はフォトマスク等の基板上に形成されている露光用の
回路パターンを半導体焼付け装置（ステッパー又はマス
クアライナー）によりレジストが塗布されたウエハ面上
に転写して製造している。

【０００３】この際、基板面上にパターン欠陥やゴミ等
の異物が存在すると転写する際、異物も同時に転写され
てしまいＩＣ製造の歩留りを低下させる原因となってく
る。

【０００４】特にレチクルを使用し、ステップアンドリ
ピート方法により繰り返してウエハ面上に回路パターン
を焼付ける場合、レチクル面上に有害な１個の異物が存
在していると該異物がウエハ全面に焼付けられてしまい
ＩＣ製造の歩留りを大きく低下させる原因となってく
る。

【０００５】その為、ＩＣ製造工程においては基板上の
異物の存在を検出するのが不可欠となっており、従来よ
り種々の検査方法が提案されている。一般には異物が等
方的に光を散乱する性質を利用する方法が多く用いられ
ている。

【０００６】例えば図８は異物が等方的に光を散乱する
性質を利用する表面状態検査方法の一例である。同図に
おいては、走査用ミラー８１とレンズ８２を介してレー
ザ８０からの光束（ビーム）をハーフミラー８３により
２つの光束に分け、２つのミラー８４，８６により各々
基板８５の表面と裏面に入射させ、走査用ミラー８１を
回転若しくは振動させて基板８５上を走査している。そ
して基板８５からの直接の反射光及び透過光の光路から
離れた位置に複数の受光部８６，８７，８８を設け、こ
れら複数の受光部８６，８７，８８からの出力信号を用
いて基板８５上の異物の存在及び異物の大きさを検出し
ている。

【０００７】即ち回路パターンからの回折光は方向性が
強いため、各受光部からの出力値は異なるが、異物に光
束が入射すると入射光束は等方的に散乱されるため、複
数の受光部からの出力値が各々等しくなってくる。従っ
て、このときの出力値を比較することにより異物の存在
及びその大きさを検出している。

【０００８】また図９は異物が入射光束の偏光特性を乱
す性質を利用する表面状態検査方法の一例である。同図
において、偏光子８９、走査用ミラー８１、そしてレン
ズ８２を介してレーザ８０からの光束を所定の偏光状態
の光束としハーフミラー８３により２つの光束に分け、
２つのミラー８４，８６により各々基板８５の表面と裏
面に入射させて走査用ミラー８１により基板８５上を走
査している。

【０００９】そして基板８５からの直接の反射光及び透
過光の光路から離れた位置に各々検光子９０，９２を前
方に配置した２つの受光部９１，９３を設けている。そ
して回路パターンからの回折光と異物からの散乱光との
偏光比率の違いから生ずる受光量の差を２つの受光部９
１，９３より検出し、これにより基板８５上の回路パタ
ーンと異物とを弁別している。

【００１０】図８，図９に示す表面状態検査方法ではパ
ターニングされた基板を光束で走査し、異物から生じる
側方散乱光を検出している。この方向は回路パターンか
らの回折光ノイズが少なく、それに比べて異物から生じ
る散乱光が比較的多いため、Ｓ／Ｎ比の高い信号が得ら
れる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】図８，図９に示す表面
状態検査方法では、異物から生じる散乱光のうち側方散
乱光を受光しているために、光走査（ビーム走査）中に
受光光量が変動してしまう。そうすると基板上での異物
の付着位置が受光光学系に近いか遠いかで、受光光学系
に対する立体角が異なるために、同じ異物であっても受
光光量が異なってくる。その為に、異なる大きさの異物
と誤って検知してしまうという問題点があった。

【００１２】これを解決するために、ビームの走査位置
によって受光光量の光電変換ゲインを変化させたり、逆
にそのスライス電圧を変化させたりする試みがなされて
きた。しかしながら、このような試みは電気系を複雑化
させ、その分コストアップを招くという問題点があっ
た。

【００１３】また、検出すべき粒子（異物）のサイズが
１μｍ以下、更には０．５μｍ以下に小さくなると、そ
れより生じる散乱光量が激減してしまう。この為、従来
の検出方法では、このような微小の異物の検出が困難で
あった。

【００１４】特に、このような超微粒子を検出する際
に、従来例のように受光系側で感度むらの補正を行おう
とすると、以下に述べるような重大欠点が生じてくる。

【００１５】即ち、微弱光量を検知できる最も有効な手
段は、現在のところフォトマルであるが、これはショッ
トノイズを伴っている。受光光量がビーム走査位置によ
って変化すると、このショットノイズはそれの平方根に
比例して変動する。受光系側のゲインやスライスの変化
でこれに対応しようとすると、一見、感度むらは補正で
きたかのように思える。しかしながら受光光量の少ない
位置の異物からの信号はショットノイズの影響が相対的
に大きく、ノイズの有無によって検出されたり、されな
かったりする。これは出力の再現性を失うという意味
で、この種の表面状態検査装置にとっては大きな問題点
であった。

【００１６】本発明はレチクルやウエハ等の基板面上で
の光走査（ビーム走査）位置にかかわらず、一定の大き
さの異物の有無を高精度に検出することができ、基板面
上の回路パターンをウエハ面上に良好なる状態で露光転
写することのできる表面状態検査装置及びそれを用いた
露光装置の提供を目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の表面状態検査装
置は、（１−１）光源手段からの光束で検査面上を光走査した
ときに生じる光束を検出手段で検出し、該検出手段から
の信号を用いて該検査面上の表面状態を検査する際、該
光束の光走査と同期させて、該光源手段からの光束の光
強度を変調していることを特徴としている。

【００１８】特に、前記検出手段は前記検査面上から生
じる側方散乱光を検出していることを特徴としている。

【００１９】（１−２）光源手段からの波長λ１の第１
光束で検査面上を光走査したときに生じる光束と、波長
λ１と異なる波長λ２の第２光束とをヘテロダイン干渉
させ、該干渉信号を用いて該検査面上の表面状態を検査
する際、該第１光束の光走査と同期させて、該光源手段
からの第１光束の光強度を変調していることを特徴とし
ている。

【００２０】特に、音響光学素子によって前記第１光束
と第２光束を作成すると共に、該第１光束の光強度の変
調を行っていることを特徴としている。

【００２１】本発明の露光装置は、（２−１）光源手段からの光束で該マスク面上を光走査
し、このときマスク面上から生じる光束を利用して該マ
スク面上の表面状態を検査する検出手段、該マスク面上
の回路パターンを照明する照明手段、そして該マスク面
上の回路パターンをウエハ面上に露光転写する転写手段
とを有する露光装置において、該光源手段からの光束の
光強度を該光束の光走査に同期させて変調していること
を特徴としている。

【００２２】特に、前記検出手段は前記マスク面上から
生じる側方散乱光を検出していることを特徴としてい
る。

【００２３】（２−２）光源手段からの波長λ１の第１
光束でマスク面上を光走査し、このとき該マスク面から
生じる光束と波長λ１と異なる波長λ２の第２光束とを
ヘテロダイン干渉させ、該干渉信号を利用して該マスク
面上の表面状態を検査する検出手段、該マスク面上の回
路パターンを照明する照明手段、そして該マスク面上の
回路パターンをウエハ面上に露光転写する転写手段とを
有する露光装置において、該光源手段からの光束の光強
度を該光束の光走査に同期させて変調していることを特
徴としている。

【００２４】特に、前記検出手段は前記マスク面上から
生じる側方散乱光を検出していることを特徴としてい
る。

【００２５】

【実施例】図１は本発明の表面状態検査装置の要部概略
図、図２は図１の一部分の検出手段１０１近傍の拡大説
明図である。

【００２６】本実施例はレチクル等の基板面上をビーム
（レーザ光）で走査するビームスキャン系（走査系）に
おいてヘテロダイン干渉を利用して異物からの側方散乱
光よりビート信号を得ており、このとき光源手段からの
光束の光強度の変調を走査に同期させて行うことにより
一定の大きさの異物の有無を高精度に検出している。

【００２７】次に本実施例の構成を説明する。図１にお
いて、レーザ光源（光源手段）３０から発したビームＬ
₀ は位相板１００（偏光板でも良い。）によって、直交
する波長λ１と波長λ２の２つの直線偏光（第１光束，
第２光束）Ｌ_V ，Ｌ_H に分けている。第１ビームスプリ
ッター３１はこの２光束Ｌ_V ，Ｌ_H を分岐させ、夫々ミ
ラー３３，３２に導光している。途中、周波数シフター
４１，４３（これらはドライバー４０，４２で駆動され
ている）を通過させ、その作用によって光束Ｌ_H を周波
数Ｗ１に、また光束Ｌ_V を周波数Ｗ２に、双方の光束Ｌ
_H ，Ｌ_V の周波数を僅かに変位させている。

【００２８】周波数シフターとしては、例えば音響光学
素子（ＡＯＭ）のようなデバイスを用いている。第２ビ
ームスプリッター３４で、この２光束Ｌ_V ，Ｌ_H を再び
合成している。合成したビームはピンホール１０１とビ
ームエキスパンダー１０２の作用により所定の光束径に
変換した後、ミラー３５を経て走査系の一部のポリゴン
ミラー３６に入射している。尚、各要素３０，１００，
３１，４０，４１，４２，４３は光源手段の一要素を構
成している。

【００２９】ポリゴンミラー３６で反射偏向した２光束
Ｌ_H ，Ｌ_V はｆ−θ特性を有する走査レンズ１０３を通
過して、第３のビームスプリッター３７に入射し、ここ
で再度、２光束Ｌ_H ，Ｌ_V を分岐している。例えば、光
束Ｌ_V は反射してレチクル６に向かい、光束Ｌ_H は透過
して参照光作成用の回折格子１０４に入射させている。
夫々のビームＬ_H ，Ｌ_V は走査レンズ１０３の作用によ
ってレチクル面６上や回折格子１０４上に合焦してい
る。

【００３０】そしてポリゴンミラー３６を回転させて、
これにより光束Ｌ_V でレチクル６上を紙面と直交方向
（Ｘ方向）に走査している。レチクル６自身はビーム走
査と同期して、紙面内を矢印６ａに示すようにＺ方向に
移動しており、これによりレチクル６全面を光走査して
いる。このときレチクル６面上に異物が存在しており、
該異物に光束が入射すると該異物から散乱光が発生す
る。

【００３１】図２はこのときの異物からの散乱光のうち
側方散乱光を検出手段１０６で検出する様子を示した概
略図である。検出手段１０６は開口絞り７、受光レンズ
８、視野絞り９、集光レンズ１０、そして受光素子（デ
ィテクター）１１を有している。

【００３２】図２に示すようにレチクル６上に異物等が
あって、これが前述のビームＬ_V で照射すると該異物か
ら散乱光が発生する。図２はこのうち側方散乱光の一部
を検出手段１０６で検出する様子を示している。このと
きレチクル６上の点Ａ，Ｂ，Ｃから発して検出手段１０
６で検出される散乱光量は、開口絞り７と各点Ａ，Ｂ，
Ｃとの距離が変化する分だけ変動する。具体的には、開
口絞り７に対して各点Ａ，Ｂ，Ｃのはる立体角に比例し
て変化する。

【００３３】開口絞り７を通過した光束は受光レンズ８
の作用によって視野絞り９近傍に集光している。本実施
例では該視野絞り９によって、レチクル６上の検査点以
外からのノイズ光を遮断している。因みに、この視野絞
り９はレチクル６上の走査線の全体にピントを合わせる
ために光軸に対して傾いて配置している。即ちシャイン
プルーフの条件を満足するように設定している。この視
野絞り９近傍に集光した光束は発散状態となり集光レン
ズ１０の作用で収束光、ないしは平行光となって、受光
素子１１に入射している。

【００３４】一方、回折格子１０４からの光束はヘテロ
ダイン干渉によるビート信号を作成する参照光となる。
回折格子１０４の点Ａ_R ，Ｂ_R ，Ｃ_R はレチクル６の検
査点である点Ａ，Ｂ，Ｃと略共役な位置である。回折格
子１０４の点Ａ_R ，Ｂ_R ，Ｃ_R から発した回折光はハー
フミラー１０５で反射後、点Ａ，Ｂ，Ｃからの散乱光と
同じ光路を進み、受光素子１１面上で重なって干渉しビ
ート信号を形成する。

【００３５】２２はビート信号処理系であって、例えば
受光素子１１で得られた高周波ビート信号から、その包
絡線を検出し、所定のスライスレベルに対して異物の有
無を判断する機能を有している。そしてこれを実現する
ために、ビート信号処理系２２はＡ／Ｄ変換器、比較回
路、メモリー回路、そして検出した異物のマッピング回
路等を有している。

【００３６】以上の構成において、周波数シフター４１
ないしは４３は入射ビームの走査中にその光束の光強度
を変調し、検出感度の場所むらを補正する働きをしてい
る。これはドライバー４０ないしは４２から周波数シフ
ター４１又は４３に印加される電圧を加減することによ
って実行している。

【００３７】図３（Ａ）はレチクル６上のビーム走査位
置によって受光素子１１で検出する光束の立体角が変化
する状態を示す説明図である。図３（Ｂ）は従来のよう
に光源手段からの光束の光強度の変調、即ちビーム強度
変調を行わない場合の入射ビームの光強度の説明図であ
る。図３（Ｃ）は最終的にディテクター（受光素子）１
１面上で検出されるビート信号の検出光強度の説明図で
ある。

【００３８】今、光源手段からの光束の光強度の変調を
行わない従来の装置では、レチクル６面上の点Ａ，Ｂ，
Ｃに全く同じ寸法で形状の異物があったとしたとき、図
３（Ａ）に示した受光立体角の違いのために、検出手段
で検出されるビート信号の波高値がそれに比例して変動
してくる。異物からの散乱光は異物がビームによって走
査されている間しか発生しない。そして、その出力信号
の検出光強度の時間的変化はビームの空間的分布（多く
の場合ガウス状）にしたがっている。

【００３９】図３（Ｃ）はこのときの出力信号ＢＦの検
出光強度を縦軸に、時間的変位を横軸にとったときを示
している。ビート信号はこの出力信号ＢＦの範囲内で発
生する。

【００４０】今、仮に出力信号の検出光強度のスライス
レベルを図３（Ｃ）に示すように、光強度ＳＬに設定し
たとする。そうするとレチクル６面上に同じ異物が存在
していたとしても、点Ｃに付着している異物からの散乱
光に基づく出力信号ＢＦＣはスライスレベルＳＬ以下と
なり、この結果、該異物を検出することができない。

【００４１】そこで本発明では、図４（Ｂ）に示すよう
に光源手段からの光束の光強度Ｉ_Vを走査に同期させて
変調している。尚、図４（Ａ）は図３（Ａ）と同じ図で
ある。図４（Ｃ）は本発明において光源手段からの光束
の光強度を走査に同期させて変調したときの実施例１の
検出手段１０１で得られる出力信号ＢＦの検出光強度の
説明図である。

【００４２】本実施例では、図４（Ａ）によるレチクル
面上の各位置での検出手段の受光立体角の違いに基づく
値の逆数で光源手段からの光束の光強度を変調してい
る。即ち、点Ａ₁ から点Ｂ₁ ，点Ｃ₁ （点Ａ₂ ，Ｂ₂ ，
Ｃ₂ ）の順で順次光束の光強度が強くなるように変調し
ている。

【００４３】図中、点Ａ₁ ，Ｂ₁ ，Ｃ₁ は第１回目のビ
ーム走査であり、点Ａ₄ ，Ｂ₄ ，Ｃ₄ は第４回目のビー
ム走査を表わしている。この実施例では２つの入射ビー
ムのうちレチクル６への入射光Ｌ_V を変調したが、代わ
りに回折格子への入射光Ｌ_Hを変調しても良いし、また
その両方を変調しても良い。このような補正を行うこと
によって、図４（Ｃ）のような異物の付着位置によらな
い一定の波高値の出力信号ＢＦを得ている。

【００４４】本実施例によれば以上のように光源手段か
らの光束の光強度を走査に同期させて変調することによ
り、図４（Ｃ）に示すように同じ異物であればレチクル
面上のどの位置に付着していても同じ出力信号が得ら
れ、これによりレチクル全面上の異物の有無を同精度で
同様に検出することができるようにしている。

【００４５】図５は本発明の実施例２の一部分の要部概
略図である。本実施例は図１の実施例１に比べて、検出
手段１０１の光軸ＢＫをレチクル６への入射ビームの走
査方向Ｂ₁ ，Ｂ₂ に対して捩じった方向に配置して側後
方散乱光を検出していること（実際には斜入射及び斜め
受光のために、光軸は紙面に対してＹ軸方向に傾いて配
置していること）、検出手段１０１の構成を簡素化した
ことが異なっており、その他の構成は同じである。

【００４６】本実施例の検出手段１０１は開口絞り７、
受光レンズ８、視野絞り９、そして視野絞り９の直後に
配置した受光素子１１とから構成している。尚、本実施
例においては、図２に示す検出手段１０１を用いても良
い。また本実施例においては側前方散乱光も同様に受光
可能である。更には基板上を二次元的に光ビームで走査
し、その双方散乱光（側後方散乱光、側前方散乱光も含
めて）を検出するようにしても良い。

【００４７】本発明における入射光学系としてはヘテロ
ダイン干渉方式に限らず、従来例にあるような単なる集
光ビームの走査系にも適用することができる。特に、一
波長のみ用いて入射ビームをその１走査より高周波で定
常的に強度変調し、その受光信号から前記周波数帯域だ
けをフィルタリングしてとり出す方式にも本発明は適用
できる。光束の光強度の変調としては入射光学系に内蔵
し、走査に同期させて光束の光強度を調整することがで
きるものであれば、どのような構成のものでも良い。

【００４８】図６は本発明の表面状態検査装置を用いた
露光装置の実施例１の要部概略図である。

【００４９】本実施例はレチクルやフォトマスク等の原
板に設けた回路パターンをウエハ上に焼き付けて半導体
デバイスを製造する製造システムに適用した場合を示し
ている。システムは大まかに露光装置、原板の収納装
置、原板の検査装置（表面状態検査装置）、コントロー
ラとを有し、これらはクリーンルームに配置されてい
る。

【００５０】図６において９０１はエキシマレーザのよ
うな遠紫外光源、９０２はユニット化された照明系であ
り、これらによって露光位置Ｅ．Ｐ．にセットされた原
板９０３を上部から同時に所定のＮＡ（開口数）で照明
している。９０９は投影レンズであり、原板９０３上に
形成された回路パターンをシリコン基板等のウエハ９１
０上に投影焼付けしている。投影焼付け時にはウエハ９
１０は移動ステージ９１１のステップ送りに従って１シ
ョット毎ずらしながら露光を繰り返す。９００はアライ
メント系であり、露光動作に先立って原板９０３とウエ
ハ９１０とを位置合わせしている。アライメント系９０
０は少なくても１つの原板観察用顕微鏡系を有してい
る。以上の各部材によって露光装置を構成している。

【００５１】９１４は原板の収納装置であり、内部に複
数の原板を収納している。９１３は原板上の異物の有無
を検出する検査装置（表面状態検査装置）であり、先の
各実施例で示した構成を含んでいる。この検査装置９１
３は選択された原板が収納装置９１４から引き出されて
露光位置Ｅ．Ｐ．にセットされる前に原板上の異物検査
を行っている。

【００５２】このときの異物検査の原理及び動作は前述
の各実施例で示したものを利用している。コントローラ
９１８はシステム全体のシーケンスを制御しており、収
納装置９１４、検査装置９１３の動作指令、並びに露光
装置の基本動作であるアライメント・露光・ウエハのス
テップ送り等のシーケンスを制御している。

【００５３】以下、本実施例のシステムを用いた半導体
デバイスの製造工程について説明する。まず収納装置９
１４から使用する原板９０３を取り出し、検査装置９１
３にセットする。次に検査装置９１３で原板９０３上の
異物検査を行う。検査の結果、異物がないことが確認さ
れたら、この原板を露光装置の露光位置Ｅ．Ｐ．にセッ
トする。

【００５４】次に移動ステージ９１１上に被露光体であ
る半導体ウエハ９１０をセットする。そしてステップ＆
リピート方式によって移動ステージ９１１のステップ送
りに従って、１ショット毎ずらしながら半導体ウエハ９
１０の各領域に原板パターンを縮小投影し、露光する。
この動作を繰り返す。

【００５５】１枚の半導体ウエハ９１０の全面に露光が
済んだら、これを収容して新たな半導体ウエハを供給
し、同様にステップ＆リピート方式で原板パターンの露
光を繰り返す。

【００５６】露光の済んだ露光済みウエハは本システム
とは別に設けられた装置で現像やエッチング等の公知の
所定の処理をしている。この後にダイシング、ワイヤボ
ンディング、パッケージング等のアッセンブリ工程を経
て、半導体デバイスを製造している。

【００５７】本実施例によれば、従来は製造が難しかっ
た非常に微細な回路パターンを有する高集積度半導体デ
バイスを製造することができる。

【００５８】図７は半導体デバイスを製造する為の原板
の洗浄検査システムの実施例を示すブロック図である。
システムは大まかに原板の収納装置、洗浄装置、乾燥装
置、検査装置（表面状態検査装置）、コントローラを有
し、これらはクリーンチャンバ内に配置される。

【００５９】図７において、９２０は原板の収納装置で
あり、内部に複数の原板を収納し、洗浄すべき原板を供
給する。９２１は洗浄装置であり、純粋によって原板の
洗浄を行う。９２２は乾燥装置であり、洗浄された原板
を乾燥させる。９２３は原板の検査装置であり、先の実
施例の構成を含み、洗浄された原板上の異物検査を行
う。９２４はコントローラでシステム全体のシーケンス
制御を行う。

【００６０】以下、動作について説明する。まず、原板
の収納装置９２０から洗浄すべき原板を取り出し、これ
を洗浄装置９２１に供給する。洗浄装置９２１で洗浄さ
れた原板は乾燥装置９２２に送られて乾燥させる。乾燥
が済んだら検査装置９２３に送られ、検査装置９２３に
おいては先の実施例の方法を用いて原板上の異物を検査
する。

【００６１】検査の結果、異物が確認されなければ原板
を収納装置９２０に戻す。又異物が確認された場合は、
この原板を洗浄装置９２１に戻して洗浄し、乾燥装置９
２２で乾燥動作を行った後に検査装置９２３で再検査を
行い、異物が完全に除去されるまでこれを繰り返す。そ
して完全に洗浄がなされた原板を収納装置９２０に戻
す。

【００６２】この後にこの洗浄された原板を露光装置に
セットして、半導体ウエハ上に原板の回路パターンを焼
き付けて半導体デバイスを製造している。これによって
従来は製造が難しかった非常に微細な回路パターンを有
する高集積度半導体デバイスを製造することができるよ
うにしている。

【００６３】

【発明の効果】本発明によれば、従来は検出が難しかっ
た微小な異物や欠陥等を高いＳ／Ｎ比で検出することが
できる。

【００６４】また本発明によれば以上のように、各要素
を設定することにより、レチクルやウエハ等の基板面上
での光走査（ビーム走査）位置にかかわらず、一定の大
きさの異物の有無を高精度に検出することができ、基板
面上の回路パターンをウエハ面上に良好なる状態で露光
転写することのできる表面状態検査装置及びそれを用い
た露光装置を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表面状態検査装置の実施例１の要部
概略図

【図２】図１の一部分の拡大説明図

【図３】本発明に係る検出手段による受光立体角、入
射光強度、検出光強度の説明図

【図４】本発明に係る検出手段による受光立体角、入
射光強度、検出光強度の説明図

【図５】本発明の表面状態検出装置の実施例２の一部
分の要部概略図

【図６】本発明の露光装置を用いた半導体デバイスの
製造方法の説明図

【図７】本発明に係る原板の洗浄検査システムの説明
図

【図８】従来の表面状態検査装置の要部概略図

【図９】従来の表面状態検査装置の要部概略図

【符号の説明】

６レチクル（検査面）７開口絞り８受光レンズ９視野絞り１０集光レンズ１１受光素子３０レーザ３１，３４ビームスプリッター４１，４３周波数シフター１０１ピンホール１０２ビームエクスパンダー１０３走査レンズ１０４回折格子１０５ハーフミラー１０６検出手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/027 21/66 Ｊ 7514−4Ｍ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光源手段からの光束で検査面上を光走査
したときに生じる光束を検出手段で検出し、該検出手段
からの信号を用いて該検査面上の表面状態を検査する
際、該光束の光走査と同期させて、該光源手段からの光
束の光強度を変調していることを特徴とする表面状態検
査装置。
【請求項２】前記検出手段は前記検査面上から生じる
側方散乱光を検出していることを特徴とする請求項１の
表面状態検査装置。
【請求項３】光源手段からの波長λ１の第１光束で検
査面上を光走査したときに生じる光束と、波長λ１と異
なる波長λ２の第２光束とをヘテロダイン干渉させ、該
干渉信号を用いて該検査面上の表面状態を検査する際、
該第１光束の光走査と同期させて、該光源手段からの第
１光束の光強度を変調していることを特徴とする表面状
態検査装置。
【請求項４】音響光学素子によって前記第１光束と第
２光束を作成すると共に、該第１光束の光強度の変調を
行っていることを特徴とする請求項３の表面状態検査装
置。
【請求項５】光源手段からの光束で該マスク面上を光
走査し、このときマスク面上から生じる光束を利用して
該マスク面上の表面状態を検査する検出手段、該マスク
面上の回路パターンを照明する照明手段、そして該マス
ク面上の回路パターンをウエハ面上に露光転写する転写
手段とを有する露光装置において、該光源手段からの光
束の光強度を該光束の光走査に同期させて変調している
ことを特徴とする露光装置。
【請求項６】前記検出手段は前記マスク面上から生じ
る側方散乱光を検出していることを特徴とする請求項５
の露光装置。
【請求項７】光源手段からの波長λ１の第１光束でマ
スク面上を光走査し、このとき該マスク面から生じる光
束と波長λ１と異なる波長λ２の第２光束とをヘテロダ
イン干渉させ、該干渉信号を利用して該マスク面上の表
面状態を検査する検出手段、該マスク面上の回路パター
ンを照明する照明手段、そして該マスク面上の回路パタ
ーンをウエハ面上に露光転写する転写手段とを有する露
光装置において、該光源手段からの光束の光強度を該光
束の光走査に同期させて変調していることを特徴とする
露光装置。
【請求項８】前記検出手段は前記マスク面上から生じ
る側方散乱光を検出していることを特徴とする請求項７
の露光装置。