JP2001281159A - 検査方法、マスクの製造方法および検査装置、マスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスク検査において、マスクの個体差に基づ
く誤検査を補正すること。 【解決手段】 マスク上にメインパターンとは別に補正
用パターンを設け、その補正用パターンを撮像して得ら
れた補正用信号に基づいて、信号補正やフォーカス補正
を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】 本発明は、例えば半導体製
造に使用するマスクやウエハ等に形成されるパターンの
欠陥検査のための検査方法、マスクの製造方法、検査装
置、マスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】 半導体装置の製造等に用いられるマス
クに傷がついた状態や、ごみ等が付着した状態で露光を
行うと、そうした傷等が基板に転写するおそれがある。
従ってマスクに傷等がついていないかマスクの製作後に
検査を行う必要がある。一般に、マスクの検査方法は、
水銀ランプ等でマスクを照射して、透過光をセンサで受
光し、得られた電気信号を処理して検査を行う方法が用
いられている。こうした検査の際、予めセンサの感度補
正およびフォーカスオフセットの補正を行う必要があ
る。センサの感度補正とは、センサに備えられている各
受光素子が、一定の光量を受光したときに、受光素子ご
とに、変換する電気量にばらつきが生じるためこのばら
つきを補正することをいう。具体的には、パターンが一
面に形成されて、全く光を通さない暗部を撮像して得ら
れた電気信号を検出してオフセット値を設定する。次に
パターンが全く形成されておらず、完全に光を透過する
明部を撮像して得られた電気信号を検出してゲイン値を
センサに設定する。以上のように感度補正が行われる。
また、フォーカスオフセットの補正とは、ラインアンド
スペースのパターンが形成された部分を撮像して行われ
る。ライン部分は遮光されるので、この部分に対応する
電気信号はほとんど得られない。また、スペース部は、
光を透過するので、この部分に対応する電気信号は大き
な値となる。焦点位置を少しずつずらしながら電気信号
の検出を行い、スペース部に対応する電気信号と、ライ
ン部に対応する電気信号との値の差がもっとも大きくな
った焦点位置を、もっとも検査に適した焦点位置として
補正が行われる。

【０００３】このようなセンサの感度補正およびフォー
カスオフセットの補正は、従来は補正用のパターンが形
成された補正用の基準マスクを用いて行われていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、基準
マスクの板厚と実際にパターン検査に用いられるマスク
の板厚とは微妙に異なる。また、補正時の光源の光量と
検査時の光源の光量とは時間の経過に伴い、光量が微妙
に異なる。以上の２つの原因で、補正時に行った補正
は、必ずしも検査にとって最適な補正とは限られない。
補正が適正に行われないと、パターンが正確に形成され
ている部分を欠陥と判定するおそれが生じ、検査に支障
が生じる。特に近年のパターンの微細化に伴い、補正は
厳密に行う要求が高まっている。そこで本発明は、上記
した２つの補正誤差の原因を解消し、最適な検査を行う
ための検査装置、検査方法を提供することを目的とす
る。また、この検査方法に適したマスクの製造方法を提
供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、被検査
物に形成されたパターンに光を照射する照射工程と、前
記パターンの光像を撮像して電気信号に変換する変換工
程と、前記電気信号の補正を行うための補正工程と、前
記補正された電気信号に基づいてパターンを検査する検
査工程と、を備える検査方法において、前記補正は被検
査物に形成された補正用パターンを撮像して得られた電
気信号に基づいて行うことを特徴とする検査方法であ
る。本発明によれば、被検査物に形成されたパターンに
光を照射する照射工程と、前記パターンの光像の焦点を
結ばせるフォーカス工程と、前記焦点を結んだ光像を撮
像して電気信号に変換する変換工程と、前記電気信号に
基づいて前記パターンを検査する検査工程と、を備える
検査方法において、前記フォーカス工程のための焦点合
わせは、被検査物に形成された補正用パターンを撮像し
て得られた電気信号に基づいて行うことを特徴とする検
査方法である。本発明によれば、被検査物に形成された
パターンに光を照射する照射工程と、前記パターンの光
像の焦点を結ばせるフォーカス工程と、前記焦点を結ん
だ光像を撮像して電気信号に変換する変換工程と、前記
電気信号の補正を行うための補正工程と、前記補正され
た電気信号に基づいて前記パターンを検査する検査工程
と、を備える検査方法において、前記フォーカス工程の
ための焦点合わせおよび前記補正工程における補正は、
被検査物に形成された補正用パターンを撮像して得られ
た電気信号に基づいて行うことを特徴とする検査方法で
ある。

【０００６】本発明によれば、透明基板上に薄膜を成膜
する成膜工程と、前記成膜工程により成膜された薄膜の
所定部分をエッチングしてパターンを形成するエッチン
グ工程と、前記エッチング工程により形成されたパター
ンの検査を行う検査工程と、を備えるマスクの製造方法
において、前記エッチング工程は補正用パターンとメイ
ンパターンとを形成することとし、前記検査工程は、前
記補正用パターンに光を照射する工程と、前記補正用パ
ターンの光像を撮像して補正用信号を得る工程と、前記
補正用信号に基づいて焦点合わせをする工程と、前記メ
インパターンに光を照射する工程と、前記メインパター
ンの光像の焦点を結ばせるフォーカス工程と、前記焦点
を結んだ光像を撮像して電気信号に変換する変換工程
と、前記電気信号に基づいてメインパターンを検査する
検査工程と、を備えることを特徴とするマスクの製造方
法である。本発明によればメインパターンおよび補正用
パターンが形成された被検査物に光を照射する照射手段
と、前記補正用パターンの光像を撮像して補正用信号を
得る撮像手段と、前記メインパターンの光像の焦点を結
ばせるフォーカス手段と、前記焦点位置を、前記補正用
信号に基づいて調整設定するための焦点位置調整手段
と、前記焦点を結んだ光像を撮像して電気信号に変換す
る変換手段と、この電気信号に基づいてメインパターン
を検査する検査手段と、を備えることを特徴とする検査
装置である。

【０００７】本発明によれば、メインパターンおよび補
正用パターンが形成された被検査物に光を照射する照射
手段と、前記補正用パターンの光像を撮像して補正用信
号を得る撮像手段と、前記メインパターンの光像を撮像
して電気信号に変換する変換手段と、前記電気信号を前
記補正用信号に基づいて補正する補正手段と、前記補正
された電気信号に基づいてメインパターンを検査する検
査手段と、を備えることを特徴とする検査装置である。
本発明によれば前記検査装置において、前記補正用パタ
ーンは、ラインアンドスペースパターンであることを特
徴とする検査装置である。また、基板上に半導体素子製
造用のメインパターンが形成され、このメインパターン
に照射された光の光像を撮像して得られた電気信号に基
づいて前記メインパターンの検査を行うことが可能なマ
スクにおいて、光を照射しその光像を撮像することによ
り、前記電気信号の補正を行うための補正用信号を得る
ことが可能な補正用パターンが、前記基板上に形成され
ていることを特徴とするマスクである。また、基板上に
半導体素子製造用のメインパターンが形成され、このメ
インパターンに照射された光の光像の焦点を所定の位置
に結ばせ、その焦点を結んだ光像を撮像して得られた電
気信号に基づいて前記メインパターンの検査を行うこと
が可能なマスクにおいて、光を照射しその光像を撮像す
ることにより、前記焦点位置を調整するための補正用信
号を得ることが可能な補正用パターンが、前記基板上に
形成されていることを特徴とするマスクである。

【０００８】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）図１は第１
の実施の形態に係る検査装置の構成図である。この検査
装置は、マスクＭに形成されたパターンを照射するため
のアルゴンレーザ１および照明光学系２と、パターンの
光像の焦点を結ばせるためのフォーカス手段３と、その
焦点位置を調整するためのオートフォーカス機構４と、
この光像を撮像して電気信号に変換するラインセンサ５
と、マスクＭに形成された補正用パターンを撮像して得
られた電気信号に基づいて補正値を算出する補正値算出
回路６と、メインパターンを撮像して得られた電気信号
の補正を行うためのセンサ回路７と、設計データが記憶
されている磁気ディスク装置８と、設計データをビット
パターンに展開するためのビット展開回路９と、補正さ
れた電気信号と設計データとの比較を行い欠陥検出する
ための欠陥判定回路１０と、マスクＭを支持するＸＹテ
ーブル１１と、このＸＹテーブル１１を駆動するＸＹテ
ーブル駆動ドライバ１２とを備える。以下各構成要素に
ついて説明する。試料に光を照射するための照射手段
は、光源であるアルゴンレーザ１と照明光学系２とから
なる。

【０００９】照明光学系２はアルゴンレーザ１から発せ
られた光をＸＹテーブル１１に載置されているマスクＭ
にスポット状に照射する。ＸＹテーブル１１は検査対象
であるマスクＭを保持し、このマスクＭを任意のＸＹ方
向に駆動する。このＸＹテーブル１１はＸＹテーブル駆
動ドライバ１２によって動作制御される。また、ＸＹテ
ーブル１１の位置情報は位置データとして欠陥判定回路
１０に送信される。フォーカス手段３はマスクＭの鉛直
下方に配設され、照射手段によりマスクＭに照射された
光の透過光を拡大するとともに、ラインセンサ５に備わ
っている光電変換素子上に焦点を結ばせる機能を有す
る。焦点位置調整手段であるオートフォーカス機構４
は、後述する補正値算出回路６から送信されるフォーカ
スオフセット値に基づいて、フォーカス手段３による焦
点位置を調整設定できる機構となっている。ラインセン
サ５は、撮像手段である光電変換素子から構成されるＴ
ＤＩセンサ（時間遅延積分型センサ）であり、直線上に
等間隔で配列された１０２４個の光電変換素子の配列が
たとえば１０列備わったものである。パターンの光像は
撮像され、電気的信号に変換された後、センサ回路５に
送信される。

【００１０】センサ回路５は、この電気信号をＡ／Ｄ変
換した後、オフセット補正とゲイン補正を行う。この補
正は後述する補正値算出回路６から送信されるオフセッ
ト値およびゲイン値に基づいて行われる。補正された信
号は測定データとして欠陥判定回路１０に送信される。
一方マスクＭのパターンの設計に用いられた設計パター
ンデータは、磁気ディスク装置８に記憶されておりビッ
ト展開回路９に転送される。ビット展開回路９に送信さ
れた設計パターンデータは、測定データとの比較に適し
たビット展開処理を施され、設計データとして欠陥判定
回路１０に送信する。欠陥判定回路１０は、この設計デ
ータ、ＸＹテーブル駆動ドライバ１２から送信される位
置データ、測定データを受信し、マスクＭのパターンに
欠陥がないか検査を行う機能を有する。以上の構成のも
と、検査装置の作用について説明する。図２に、欠陥検
査のフローチャートを示す。まず、マスクＭがＸＹテー
ブル１１にロードされる（Ｓ１）。このマスクＭは合成
石英ガラスの基板上にクロム膜のパターンが形成されて
いるものである。このマスクＭ表面には図３に示される
ように、半導体装置を製造するために用いるメインパタ
ーンと、この光学系補正に用いる補正用パターンが形成
されている。補正用パターンはメインパターンの周囲に
たとえば４つ形成されている。この補正用パターンは、
図４に示されるように、センサ感度補正のための黒部パ
ターン１５と透明パターン１６およびフォーカスオフセ
ット補正のためのラインアンドスペースパターン１７が
形成されている。ラインアンドスペースパターン１７
は、線幅が、０．３μｍ、０．５μｍ、１．０μｍの３
種類のパターンが設けられている。

【００１１】続いて補正が行われる。まずフォーカスオ
フセット補正が行われ、続いてセンサ感度補正が行われ
る。フォーカスオフセット補正は以下のように行われ
る。ＸＹテーブル１１が移動し、線幅０．５μｍのライ
ンアンドスペースパターンが撮像される（Ｓ２）。図５
に示されるように、光電変換素子の配列方向と、ライン
アンドスペースの方向とが直交するように、パターンが
撮像される。各光電変換素子から出力される信号値の標
準偏差がコントラスト値として記憶される。フォーカス
オフセット量を所定量ずつ変化させながらこのコントラ
スト値の算出が行われる。図６（ａ）はコントラスト値
が大きいとき、図６（ｂ）はコントラスト値が小さいと
きの各光電変換素子の信号値を示している。そしてコン
ストラスト値が最大の時を合焦点とし、このときのフォ
ーカスオフセット量がフォーカスオフセット値として記
憶される。そしてフォーカスオフセット値に基づいて、
オートフォーカス機構４によって結象位置が調整設定さ
れる。以上によりフォーカスオフセット補正が終了する
（Ｓ３）。続いてセンサ感度補正が行われる。センサ感
度補正は、オフセット値の設定と、ゲイン値の設定が行
われる。まずオフセット値の設定が行われる。

【００１２】ＸＹテーブル１１の移動により黒部パター
ン１５が撮像される（Ｓ４）。黒部パターン１５を撮像
した場合、理想的には各光電変換素子から得られる電気
信号はゼロだが、実際にはオフセット電流等の影響で図
７に示されるように各光電変換素子は微弱な電気信号を
出力し、かつその電気信号は光電変換素子ごとにばらつ
きを有する。黒部パターン１５を撮像したときのこの電
気信号を検出し、センサ回路５に設定してオフセット値
の設定が終了する（Ｓ５）。続いてゲイン値の設定が行
われる。ＸＹテーブル１１の移動により透明パターン１
６が撮像される（Ｓ６）。透明パターン１６を撮像した
場合、理想的には全ての光電変換素子が一定値を出力す
る。しかし実際には図８に示されるように、光電変換素
子ごとに出力信号はばらつきを有する。そこで、透明パ
ターン１６を撮像した場合に一定の目標値を出力するよ
うに受光素子ごとにゲインを算出し、このゲイン値をセ
ンサ回路５に設定することにより、ゲイン値の設定が終
了する（Ｓ７）。以上で補正が終了する。その後、メイ
ンパターンの検査が行われる（Ｓ８）。上記オートフォ
ーカス機構４により光像はもっともコントラストが大き
いように調整されている。また、ラインセンサ５の出力
は、センサ回路７に設定されたオフセット値に基づいて
オフセット補正された後、センサ回路７に設定されたゲ
イン値に基づいてゲイン補正される。こうして補正され
て得られた測定データは欠陥判定回路１０に送られる。
以上の動作はＸＹテーブル１１の移動により、マスクＭ
全体について行われるため、マスクＭ全体について測定
データを得ることができる。

【００１３】一方、ビット展開回路９は、まず、磁気デ
ィスク装置８に記憶された設計パターンデータにビット
展開処理を行う。すなわち、パターンが形成されている
低透過率部分を暗く、透明部分を明るく描き出した２次
元濃淡画像から所定の濃淡レベルでわけられる明部と暗
部の境界のみを抽出して、この境界線のみを明るく表し
た画像を生成する。パターンエッジ部のみを明るく表し
た濃淡画像は、設計仕様通りに理想的に作成されたマス
クＭのパターン像が実際に得られるであろう画像とな
る。ビット展開回路９はこうして得られた設計データを
欠陥判定回路１０に送信する。欠陥判定回路１０は、測
定データと設計データを忠実に比較して両者の不一致部
分を検出する。しかして、マスクパターンが設計仕様通
りであり、かつ表面に異物が付着していない箇所では、
マスクパターン上の対応する位置の濃淡レベルは設計デ
ータのそれと一致し、欠陥があれば両者の濃淡レベルは
不一致となる。そこで欠陥判定回路１０は不一致部分が
所定のしきい値を超えると欠陥として認識する。以上の
検査がマスクＭ全面について行われた後、マスクＭはア
ンロードされ（Ｓ９）、新たなマスクがステージにロー
ドされる。新たなマスクにも補正用パターンが形成され
ており、上記と同様に検査が繰り返される。

【００１４】以上のように検査が進められる。このよう
に全てのマスクに対して補正用パターンを作成させ、そ
の補正用パターンを用いて、マスクごとに補正を行うた
め、従来よりも高精度の検査が可能となる。なお、光源
はアルゴンレーザに限られるものではなく、例えば水銀
ランプ等でも同等の効果を有する。また、本実施の形態
ではフォーカスオフセット補正とセンサ感度補正が行わ
れたが、いずれか一方のみの補正を行うようにしても良
い。また、センサ感度補正の順番も本実施の形態に限定
されるものではなく、先にゲイン値の設定を行っても良
い。また、パターンの検出は透過光に限られず反射光で
も行える。また、補正用パターンの数は４つに限られな
い。また、本実施の形態ではＴＤＩセンサを用いたが、
エリアセンサ等を用いてもよい。また、検査物は位相シ
フト膜、銀等のエマルジョンタイプのフォトマスク、レ
ジスト膜、半導体チップ等でも当然検査可能である。ま
た、データ比較方式は本実施の形態では設計データと測
定データを比較する設計データ比較方式を用いたが、複
数の測定データ同士を比較するパターン比較検査方式
等、本実施の形態の方式以外の方式を用いても良い。

【００１５】その他同趣旨において種々変形可能であ
る。 （第２の実施の形態）第２の実施の形態はフォトマスク
の製造方法に関するものである。フォトマスクの製造工
程は、透明の基板３０上に遮光膜を成膜する成膜工程
と、前記成膜工程により成膜された遮光膜３１の所定部
分をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング
工程により形成されたパターンの検査を行う検査工程と
からなる。まず、成膜工程が行われる。図９（ａ）に示
されるように充分に良く研磨、洗浄された合成石英ガラ
スの基板３０上に、スパッタ成膜法を用いて、遮光膜と
なるクロム膜３１が約１００ｎｍの厚みに形成される。
次にエッチング工程が行われる。図９（ｂ）に示される
ように、クロム膜３１の上に電子線レジスト３２が約５
０ｎｍの厚みでスピナーを用いて塗布される。その後電
子線描画装置を用いて所望のパターンに露光される。パ
ターンは半導体装置の製造のためのメインパターンと、
補正用パターンとが露光される。補正用パターンは、メ
インパターンの周囲に４つ露光される。補正用パターン
は図４に示される。その後、現像が行われて、パターン
部分以外の電子線レジストが除去される。続いて図９
（ｃ）に示されるように塩素系ガスを用いて、クロム膜
に対しプラズマエッチングが行れ、パターンが形成され
る。その後図９（ｄ）に示されるようにアッシングを行
って電子線レジストが除去される。

【００１６】そして、形成されたパターンの検査が行わ
れる。第１の実施の形態と同様に検査が行われる。クロ
ム膜のパターンが形成された部分は、光源からの光を遮
光するため、パターンが形成された領域を暗部とし、そ
の他の領域を明部とした２次元濃淡画像を得ることがで
きる。この画像から所定の濃淡レベルでわけられる明部
と暗部の境界を抽出して、この境界線のみを明るくあら
わした画像が生成される。こうして得られた測定データ
と、パターンの設計に用いた設計データとを比較して両
者の不一致部分を検出して検査が行われる。欠陥があれ
ばレーザや収束イオンビームを用いて修正を行われる。
以上のようにしてマスクの製造を行われた。従来の検査
工程においては、基準マスクを用いてフォーカスオフセ
ット補正およびセンサ感度補正を行っていたので、マス
クの個体差を考慮した正確な補正を行うことができなか
った。そのため検査精度も十分でなく、その結果正確に
パターンが形成されている部分を欠陥と認識する等の問
題が生じていて、マスクの製造に支障をきたしていた。
しかし本発明ではマスクごとに補正を行っているため正
確な検査を行うことが可能となったため、検査に支障を
きたすことがなくなった。結果としてマスク製造のスル
ープット向上を図ることができる。さらに、補正が自動
的に行われるためマスク製造時間も全体として短縮化す
ることが可能となる。

【００１７】なお、本発明に係るフォトマスクの製造方
法は、本実施の形態に限られるものではなく、同様の趣
旨において種々変形可能である。

【００１８】

【発明の効果】被検査物に形成された補正用パターンを
撮像して得た電気信号を用いてフォーカスオフセット補
正およびセンサ感度補正を行えるような検査装置、検査
方法を提供したので、より正確な検査を行うことが可能
となった。また、この検査方法を用いてスループットを
向上させるマスクの製造方法を提供した。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態に係る検査装置の構成図。

【図２】第１の実施の形態におけるパターン検査のフロ
ーチャート。

【図３】第１の実施の形態におけるマスクのパターンの
形成位置を示した図。

【図４】第１の実施の形態における補正用パターンを示
した図。

【図５】第１の実施の形態においてラインアンドスペー
スパターンを撮像している図。

【図６】第１の実施の形態においてラインアンドスペー
スパターンを撮像したときの出力の一例。

【図７】第１の実施の形態において黒部パターンを撮像
したときの出力の一例。

【図８】第１の実施の形態において透明パターンを撮像
したの時の出力の一例。

【図９】第２の実施の形態におけるマスクのパターンの
形成工程を示した図。

【符号の説明】

アルゴンレーザ １、オートフォーカス機構 ４、ライ
ンセンサ ５、補正値算出回路 ６、センサ回路 ７、
欠陥判定回路 １０。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G051 AA51 AA56 AB01 AB02 AC11 BA10 BA20 CA03 CA04 CB01 CB02 DA07 EA12 EA14 EA23 EB01 EB02 2H095 BD04 BD12 BD15 BD20 BD24 4M106 AA09 AB20 CA39 DB04 DB07 DB12 DB20 DH31 DH38 DJ19

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被検査物に形成されたパターンに光を照
   射する照射工程と、 前記パターンの光像を撮像して電気信号に変換する変換
   工程と、 前記電気信号の補正を行うための補正工程と、 前記補正された電気信号に基づいてパターンを検査する
   検査工程と、 を備える検査方法において、 前記補正は被検査物に形成された補正用パターンを撮像
   して得られた電気信号に基づいて行うことを特徴とする
   検査方法。
2. 【請求項２】 被検査物に形成されたパターンに光を照
   射する照射工程と、 前記パターンの光像の焦点を結ばせるフォーカス工程
   と、 前記焦点を結んだ光像を撮像して電気信号に変換する変
   換工程と、 前記電気信号に基づいて前記パターンを検査する検査工
   程と、 を備える検査方法において、 前記フォーカス工程のための焦点合わせは、被検査物に
   形成された補正用パターンを撮像して得られた電気信号
   に基づいて行うことを特徴とする検査方法。
3. 【請求項３】 被検査物に形成されたパターンに光を照
   射する照射工程と、 前記パターンの光像の焦点を結ばせるフォーカス工程
   と、 前記焦点を結んだ光像を撮像して電気信号に変換する変
   換工程と、 前記電気信号の補正を行うための補正工程と、 前記補正された電気信号に基づいて前記パターンを検査
   する検査工程と、 を備える検査方法において、 前記フォーカス工程のための焦点合わせおよび前記補正
   工程における補正は、被検査物に形成された補正用パタ
   ーンを撮像して得られた電気信号に基づいて行うことを
   特徴とする検査方法。
4. 【請求項４】 透明基板上に薄膜を成膜する成膜工程
   と、 前記成膜工程により成膜された薄膜の所定部分をエッチ
   ングしてパターンを形成するエッチング工程と、 前記エッチング工程により形成されたパターンの検査を
   行う検査工程と、 を備えるマスクの製造方法において、 前記エッチング工程は補正用パターンとメインパターン
   とを形成することとし、 前記検査工程は、 前記補正用パターンに光を照射する工程と、 前記補正用パターンの光像を撮像して補正用信号を得る
   工程と、 前記補正用信号に基づいて焦点合わせをする工程と、 前記メインパターンに光を照射する工程と、 前記メインパターンの光像の焦点を結ばせるフォーカス
   工程と、 前記焦点を結んだ光像を撮像して電気信号に変換する変
   換工程と、 前記電気信号に基づいてメインパターンを検査する検査
   工程と、 を備えることを特徴とするマスクの製造方法。
5. 【請求項５】 メインパターンおよび補正用パターンが
   形成された被検査物に光を照射する照射手段と、 前記補正用パターンの光像を撮像して補正用信号を得る
   撮像手段と、 前記メインパターンの光像の焦点を結ばせるフォーカス
   手段と、 前記補正用信号に基づいて前記焦点位置を調整設定する
   ための焦点位置調整手段と、 前記焦点を結んだ光像を撮像して電気信号に変換する変
   換手段と、 この電気信号に基づいてメインパターンを検査する検査
   手段と、 を備えることを特徴とする検査装置。
6. 【請求項６】 メインパターンおよび補正用パターンが
   形成された被検査物に光を照射する照射手段と、 前記補正用パターンの光像を撮像して補正用信号を得る
   撮像手段と, 前記メインパターンの光像を撮像して電気信号に変換す
   る撮像手段と、 前記電気信号を前記補正用信号に基づいて補正する補正
   手段と、 前記補正された電気信号に基づいてメインパターンを検
   査する検査手段と、 を備えることを特徴とする検査装置。
7. 【請求項７】 前記補正用パターンは、ラインアンドス
   ペースパターンであることを特徴とする請求項５記載の
   検査装置。
8. 【請求項８】 基板上に半導体素子製造用のメインパタ
   ーンが形成され、このメインパターンに照射された光の
   光像を撮像して得られた電気信号に基づいて前記メイン
   パターンの検査を行うことが可能なマスクにおいて、 光を照射しその光像を撮像することにより、前記電気信
   号の補正を行うための補正用信号を得ることが可能な補
   正用パターンが、前記基板上に形成されていることを特
   徴とするマスク。
9. 【請求項９】 基板上に半導体素子製造用のメインパタ
   ーンが形成され、このメインパターンに照射された光の
   光像の焦点を所定の位置に結ばせ、その焦点を結んだ光
   像を撮像して得られた電気信号に基づいて前記メインパ
   ターンの検査を行うことが可能なマスクにおいて、 光を照射しその光像を撮像することにより、前記焦点位
   置を調整するための補正用信号を得ることが可能な補正
   用パターンが、前記基板上に形成されていることを特徴
   とするマスク。