JP2001208694A - 試料処理装置および試料処理方法、フォトマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光量調整フィルタを必要としない試料処理装
置、試料処理方法を提供すること。また、スループット
の高いフォトマスクの製造方法を提供すること。 【解決手段】 試料の光像の倍率に応じて、ＴＤＩ回路
において加算するライン数を決定する手段を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、試料処理装置、試
料処理方法およびフォトマスクの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】主に半導体素子等の製造に用いられるフ
ォトマスク(以下マスクという）のマスクパター ン検査
装置は、従来は図４に示すような構成となっている。

【０００３】すなわち、光源１０１から発せられた光を
マスク１０２に照射し、そのマスク１０２のパターン像
を検知して得る検出信号と、マスク製作に使用される設
計パターンとを比較して、マスク１０２に異物の付着や
傷等がないか検査を行う構成である。以下各構成要素及
び作用について説明する。

【０００４】光源１０１は水銀ランプや紫外線レーザ等
からなる。

【０００５】光量調整装置１０３は、１０数枚のフィル
タとフィルタ切替え装置から構成されていて、光源から
発せられた光を、検査にとって最適な光量となるように
調整する機能を有している。

【０００６】この光量調整装置１０３により調整された
光は照明レンズ系１０４を介して、ＸＹΘテーブル１０
５上に載置されたマスク１０２を照射する。

【０００７】マスク１０２を載置するＸＹΘテーブル１
０５は、テーブル駆動回路１０６により、Ｘ方向、Ｙ方
向、Θ方向に駆動制御される。

【０００８】マスク１０２に照射された光によるマスク
の像は、対物レンズ１０７により拡大されたのち検出装
置であるＴＤＩセンサ１０８に結像する。

【０００９】ここでＴＤＩセンサ１０８の原理及び特徴
について述べる。

【００１０】ＴＤＩ（Ｔｉｍｅ Ｄｅｌａｙ ａｎｄ Ｉ
ｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）センサとは、時間遅延積分方式
のセンサを意味する。

【００１１】ＴＤＩセンサは、図５に示すように複数の
光電変換素子１１２の配列(以下ラインという)が、平行
に数ライン配置された光電変換素子群と、ＴＤＩ回路１
１３から構成されている。

【００１２】今、１ライン１0個の光電変換素子の配列
が、５ライン構成されているとする。

【００１３】図６においてＴＤＩセンサ１０８の撮像領
域に入った測定対象の黒点に注目すると、黒点像が最初
のラインに撮像されている状態が図６に相当する。

【００１４】さらに時間が経過すると、ＸＹΘテーブル
１０５の移動のため、測定対象である黒点像は第２番目
のラインに撮像される。この状態が図７に相当する。こ
の像の移動と同じタイミングで、ＴＤＩセンサ１０８の
各ライン上の光電変換素子１１２に蓄積された電荷を順
次次のラインの対応する光電変換素子１１２に移動させ
る。この走査をラインシフトと呼ぶ。例えば、第１ライ
ンに蓄積された電荷は、第２ラインの光電変換素子１１
２に移動される。同様に第２ラインに蓄積されていた電
荷は、第３ラインに移動される。

【００１５】ＴＤＩ回路１１３はこのように各ライン上
の光電変換素子１１２に蓄積された電荷を順次次のライ
ンの対応する光電変換素子１１２に移動させる機能を有
する。

【００１６】このようにして、ラインシフトをＴＤＩセ
ンサ１０８の撮像領域内で順次繰返し、最終ラインに到
達した時点で(図８） 、最終ラインの電荷を出力する。
従って黒点の像の信号電荷は、各ラインでそれぞれ足し
合わされて大レベルになる。それに対してノイズ等はラ
ンダムな変化をするので、このような足しあわせによっ
ても必ずしも大レベルにならない。よって従来に比べ
て、信号に対するノイズ比であるS／N比の改善された信
号を得ることができるという特長がある。

【００１７】このＴＤＩセンサ１０８を用いて、マスク
１０２を載置するＸＹΘテーブル１０５の駆動に同期し
てマスク１０２の像に対する電荷を足しあわせることに
より、Ｓ／Ｎ比の高い信号を得ることができる。

【００１８】ＴＤＩセンサ１０８から足し合わされた信
号は、A/D変換され測定データとしてデータ比較回路１
０９に出力される。

【００１９】一方、マスクパターンの設計に用いられた
設計パターンデータは、例えば磁気ディスク装置１１０
に記憶されており、ビット展開回路１１１により検査に
適した設計データに変換され、データ比較回路１０９に
送信される。この設計データと上記ＴＤＩセンサ１０８
から得られた測定データを所定のアルゴリズムにしたが
って比較を行い測定データと設計データが一致しない部
分を欠陥と判定する。

【００２０】従来は以上のような構成、作用でマスクパ
ターンの検査が行われているが、近年はマスクパターン
の微細化が顕著になっているため、以前に比べて高倍率
で検査を行う必要性が高まっている。一方、検査時間を
短縮化したいという要請もある。そこで対応策として、
通常時は普通の倍率で大まかな検査を行って検査時間の
短縮を図り、特に微細な部分や欠陥のおそれがある部分
については高倍率で検査するというように、倍率の切替
えを行うことで対処していた。

【００２１】しかしこのような倍率の切替えを行うと、
ＴＤＩセンサ１０８に入射する光量が変化する。すなわ
ち、検査倍率が高倍率になると検査視野が小さくなるた
め光電変換素子に検知される光量が小さくなるし、検査
倍率が低倍率になると検査領域が拡大するため光電変換
素子に検知される光量が大きくなる。光電変換素子に検
知される光量が過大になると、光電変換素子の飽和光量
を越えてしまう可能性が生じる。また、光電変換素子に
検知される光量が過小になると、ノイズ等の影響が無視
できなくなる。さらに、光電変換素子の信号が足し合わ
されて出力される信号も、検査倍率の切替えにともなっ
て変化するため、その結果得られる測定データの値も検
査倍率によって変化してしまうという問題が生じてい
た。

【００２２】このような問題点に対し、従来は光源の直
後に光量調整装置１０３等を配設し、好適な測定データ
が得られるように倍率毎に光量調整することで対処して
いた。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記対処
では、前記光量調整装置を配設し制御する必要があると
同時に、倍率を切り替えたときに最適な光量とするため
の調整自体にもかなりの時間が必要になるという問題点
があった。

【００２４】本発明は前記問題点を解決するためのもの
で、検査倍率の変更に伴なう光量調整を行うための装置
等を必要としない検査装置を提供することを目的とす
る。

【００２５】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明は、試料に光を照射させるための照射手段と、前
記光の照射により得られる前記試料からの光像の倍率
を、調整設定するための変倍手段と、前記変倍手段によ
り変倍された光像を受光し、電気信号に変換させる光電
変換素子を、複数個備えた光電変換手段と、前記変倍手
段により変倍された光像と、前記光電変換手段との相対
位置を移動させるための移動手段と、前記移動手段によ
る光像の移動と同期して、前記複数の光電変換素子のう
ち、所定の個数の光電変換素子が変換した電気信号の加
算を行うことにより、前記光像の同一の部位に対応する
電気信号を加算して測定データを得るためのＴＤＩ処理
手段と、前記変倍手段における倍率に基づいて、前記Ｔ
ＤＩ処理手段における前記所定の個数を決定する決定手
段と、前記測定データを用いて前記試料に所定の処理を
行うための処理手段と、を備える試料処理装置。であ
る。

【００２６】本発明は、試料の倍率に基づいて、ＴＤＩ
処理における加算ライン数を決定するものである。その
ため、低倍率で変倍させ、入射する光量が大きいとき
は、加算ライン数を少なくして試料の処理に好適な測定
データを得ることができる。また、高倍率で変倍させ、
入射する光量が小さいときは、加算ライン数を多くして
やればよい。このように本発明にかかる試料処理装置を
用いることによって、従来必要であったフィルタ等を用
いた入射光量の調整が不要となる効果があった。

【００２７】また、前記決定手段は、前記変倍手段にお
ける倍率に基づいて、前記ＴＤＩ処理手段における前記
所定の個数を決定することに加えて、前記変倍手段にお
ける倍率に基づいて、前記光電変換手段における光電変
換素子が、前記変倍された光像を受光する受光時間を決
定するように構成したことを特徴とする試料処理装置で
ある。

【００２８】本発明にかかる試料処理装置は、加算ライ
ン数の設定に加えて、光電変換素子の受光時間も変化さ
せることにより、より柔軟に入射光量の調整を行うこと
ができるものである。

【００２９】また、試料に光を照射させるための照射工
程と、前記光の照射により得られる前記試料からの光像
の倍率を、調整設定するための変倍工程と、前記変倍工
程により変倍された光像を受光し、電気信号に変換させ
る光電変換素子を、複数個備えた光電変換工程と、前記
変倍工程により変倍された光像と、前記光電変換工程と
の相対位置を移動させるための移動工程と、前記移動工
程による光像の移動と同期して、前記複数の光電変換素
子のうち、所定の個数の光電変換素子が変換した電気信
号の加算を行うことにより、前記光像の同一の部位に対
応する電気信号を加算して測定データを得るためのＴＤ
Ｉ処理工程と、前記変倍工程における倍率に基づいて、
前記ＴＤＩ処理工程における前記所定の個数を決定する
決定工程と、前記測定データを用いて前記試料に所定の
処理を行うための処理工程と、を備える試料処理方法で
ある。

【００３０】また、透明基板上に遮光膜を成膜する成膜
工程と、前記成膜工程により成膜された遮光膜の所定部
分をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング
工程により形成されたパターンの検査を行う検査工程
と、を備えるフォトマスクの製造方法において、前記検
査工程は、前記透明基板に光を照射させるための照射工
程と、前記光の照射により得られる、前記パターンの光
像の倍率を、調整設定するための変倍工程と、複数の光
電変換素子から成る光電変換手段により前記変倍工程に
より変倍された光像を受光し、電気信号に変換する光電
変換工程と、前記変倍工程により変倍された光像と、前
記光電変換手段との相対位置を移動させるための移動工
程と、前記移動工程による光像の移動と同期して、前記
複数の光電変換素子のうち、所定の個数の光電変換素子
が変換した電気信号の加算を行うことにより、前記光像
の同一の部位に対応する電気信号を加算して測定データ
を得るためのＴＤＩ処理工程と、前記変倍工程における
倍率に基づいて、前記ＴＤＩ処理工程における前記所定
の個数を決定する決定工程と、前記測定データを用いて
前記試料の検査を行うための処理工程と、を備える検査
工程であること、を特徴とするフォトマスクの製造方法
である。

【００３１】本発明に係るフォトマスクの製造方法は、
その検査工程においてＴＤＩ処理の加算ライン数を、基
板上に形成されたパターンの検査倍率に応じて設定する
ものである。このため、従来は製作したフォトマスクの
検査の際に、フィルタ等を用いて光量調整をしていた
が、その必要がなくなった。このため、製造時間の短縮
を図ることができるため、スループットの向上を図るこ
とができる。

【００３２】

【発明の実施の形態】(第１の実施の形態）以下に本発
明の第１の実施の形態である検査装置について図を用い
て説明する。

【００３３】図１は第１の実施の形態の構成図である。

【００３４】光源であるＡｒレーザ６から発せられた光
は照明光学系１によって、マスクパターンが形成されて
いるフォトマスク２を照明する。そして、フォトマスク
２の像である透過光は対物レンズ系３で拡大された後、
ＴＤＩセンサ４により検出され、このＴＤＩセンサ４の
出力信号は、測定データとして、データ比較回路５に送
信され、マスクパターンの設計に用いた設計データと比
較される。測定データと設計データの相違点を欠陥とし
て、この欠陥があるかないかでフォトマスク２の検査を
行うというのが本発明の実施の形態の検査装置である。

【００３５】以下各構成要素について説明する。

【００３６】試料に光を照射する照射手段は、Ａｒレー
ザ６である光源と照明光学系１からなる。

【００３７】照明光学系１はＡｒレーザ６から発せられ
た光をＸＹテーブル７上に載置されているフォトマスク
２にスポット状に照射する。

【００３８】このフォトマスク２は半導体装置の製作に
用いるためのもので、石英ガラス製であり、表面にはＣ
ｒのマスクパターンが形成されている。

【００３９】移動手段であるＸＹテーブル７は検査対象
であるフォトマスク２を保持し、このフォトマスク２を
任意のＸＹ方向に駆動する。このＸＹテーブル７は操作
部８に内蔵されているＸＹテーブル駆動ドライバ９によ
って動作制御される。また、ＸＹテーブル７の位置情報
は位置データとしてデータ比較回路５に送信される。

【００４０】変倍手段である対物レンズ系３はフォトマ
スク２の鉛直下方に配設され、前記照射手段によりフォ
トマスク２に照射された光の透過光を拡大するととも
に、ＴＤＩセンサ４の光電変換素子１６に結像させる機
能を有する。また、対物レンズ１０は倍率ごとに複数枚
備わっていて、操作部８に内蔵されている倍率設定回路
１１からの倍率信号を受信したレンズ切替え装置１２に
よって、設定された倍率の対物レンズに切り替えられ
る。

【００４１】ＴＤＩセンサ４は、撮像手段である光電変
換素子１６と、ＴＤＩ処理手段であるＴＤＩ回路２５と
から構成される。この光電変換素子１６は、図２に示さ
れるように、直線上に等間隔で配列された１０２４個の
光電変換素子１６の列（以下ラインという）が、平行に
６４本配置された構成となっている。一つの光電変換素
子１６が一つの画素を構成している。

【００４２】この光電変換素子１６により、前記変倍手
段で拡大された透過光によるフォトマスク２の像は撮像
され、光量および光電変換素子１６の検知時間に応じた
電気的信号に変換された後、A／D変換回路によってデジ
タル化された信号(以下光強度出力信号という)に変換さ
れる。このようにして、光電変換素子１６から構成され
る画素は、画素値を得ることができる。

【００４３】ＴＤＩ回路２５は１ラインからの光強度出
力信号と隣のラインからの光強度出力信号とを、ＸＹテ
ーブル７の駆動に同期させて順次足しあわせるというＴ
ＤＩ処理を行う。このとき足しあわせるライン数は、倍
率設定回路１１からの倍率信号によって決定される。す
なわち倍率設定回路は、足し合せるライン数を決定する
決定手段としての機能も有する。

【００４４】こうして光強度出力信号を足し合せて得ら
れたデータ(以下測定データという)は、処理手段である
データ比較回路５に送信される。このデータ比較回路５
は操作部８に内蔵されている。

【００４５】一方フォトマスク２のマスクパターンの設
計に用いられた設計パターンデータは、磁気ディスク装
置１３に記憶されておりビット展開回路１４に転送され
る。ビット展開回路１４に送信された設計パターンデー
タは、測定データとの比較に適したフィルター処理を施
され、設計データとしてデータ比較回路５に送信する。

【００４６】データ比較回路５は、上記設計データ、位
置データ、測定データを受信し、フォトマスクパターン
に欠陥がないか検査を行い、検査結果をモニタ１５に表
示する機能を有する。

【００４７】以上のような検査装置における作用につい
て以下に説明する。

【００４８】まず試料であるフォトマスク２をＸＹテー
ブル７にセットする。

【００４９】続いて検査目的に応じた検査倍率を操作部
８において設定する。例えば検査倍率を２00倍とする。

【００５０】レンズ切替え装置１２は、倍率設定回路１
１からの倍率信号を受信し、設定された倍率に応じた対
物レンズ１０に切り替える。

【００５１】また、ＴＤＩセンサ４は倍率設定回路１１
からの倍率信号に応じて、光強度出力信号を足しあわせ
るライン数を変更する。例えば足しあわせるライン数を
３２ラインとする。

【００５２】以後検査が開始される。

【００５３】光源からの光は照明光学系１を介して、フ
ォトマスク２上に照射される。照射された光の透過光は
対物レンズ１０によって所定の倍率に拡大された後、Ｔ
ＤＩセンサ４の光電変換素子１６によって撮像される。

【００５４】光電変換素子１６は撮像した光を電気的信
号に変換する。

【００５５】この電気的信号はアンプで増幅された後、
Ａ／Ｄ変換されデジタル化された信号（以下光強度出力
信号という）となる。この動作とともに、ＸＹテーブル
７は、ラインの方向と略直角方向に移動する。従って、
対物レンズ系３により拡大された像と、撮像手段である
ＴＤＩセンサの相対位置は移動することとなる。また、
その移動方向は、ラインの方向と略直角方向なので、拡
大された像の同一の部位は、この移動方向と同じ方向に
ある画素によって順次撮像されることになる。ＴＤＩ回
路２５によって画素値である前記光強度出力信号のう
ち、像の同一の部位に対する画素値を足し合わされる。
いま、３２ライン分の画素値がＴＤＩ回路２５によって
足し合わされることになる。

【００５６】以上の動作はＸＹテーブル７により、マス
クパターン全体について行われるため、マスクパターン
全体について測定データを得ることができる。

【００５７】一方、ビット展開回路１４は、まず、磁気
ディスク装置１３に記憶された設計パターンデータにフ
ィルター処理を行う。

【００５８】すなわち、Ｃｒ膜などの低透過率部分を暗
く、透明部分を明るく描き出した２次元濃淡画像から所
定の濃淡レベルでわけられる明部と暗部の境界のみを抽
出して、この境界線のみを明るく表した画像を生成す
る。パターンエッジ部のみを明るく表した濃淡画像は、
設計仕様通りに理想的に作成されたマスクパターンの像
が実際に得られるであろう画像となる。ビット展開回路
１４はこうして得られた設計データをデータ比較回路５
に送信する。

【００５９】データ比較回路５は、測定データと設計デ
ータを忠実に比較して両者の不一致部分を検出する。し
かして、マスクパターンが設計仕様通りであり、かつ表
面に異物が付着していない箇所では、マスクパターン上
の対応する位置の濃淡レベルは設計データのそれと一致
し、欠陥があれば両者の濃淡レベルは不一致となる。そ
こでデータ比較回路５は不一致部分が所定のしきい値を
超えると欠陥のおそれがあるとしてモニタ５にその位置
データを表示させる。

【００６０】判定結果から、欠陥のおそれがある部分に
ついてはさらに精密な検査を行う必要がある。この場合
改めて高倍率に設定して検査を行う。

【００６１】例えば検査倍率を500倍に設定する。する
と、上記と同様に対物レンズ１０の切替え及びＴＤＩ回
路２５の足しあわせるライン数の変更が行われる。例え
ば足しあわせるライン数は６４ラインに変更される。

【００６２】以後同様に検査が行われ、検査結果がモニ
タ５に表示される。

【００６３】以上のような検査装置を用いた結果、検査
倍率の変更に際して、従来必要であった光量調節フィル
タによる光量調整が必要でなくなるため、光量調節フィ
ルタ、フィルタ切替え装置等を省くことが可能となっ
た。それに加えて光量調整に用いる手間、時間の削減も
行うことができた。また、ＴＤＩセンサ４を用いること
によりS/N比の高いデータを短時間で得て、正確かつ高
速なマスク検査を行うことができた。

【００６４】なお、光源はＡｒレーザに限られるもので
はなく、例えば水銀ランプ等でも同等の効果を有する。

【００６５】また、像の検出は透過光に限られず反射光
でも行える。

【００６６】また、検査物はＣｒ膜のフォトマスクに限
られず、位相シフト膜、銀等のエマルジョンタイプのフ
ォトマスク、レジスト膜、半導体チップ等、ある程度の
高倍率で検査を行い、かつ倍率変更が必要な検査物なら
適用可能である。

【００６７】また、データ比較は本実施の形態では設計
データと測定データを比較する設計データ比較方式を用
いたが、複数の測定データ同士を比較するパターン比較
検査方式等、本実施の形態の方式以外の方式を用いても
良い。

【００６８】また、ＴＤＩセンサのライン数は任意であ
り、例えば５００ライン、１０００ラインでも本発明を
適用できる。同様に１ラインの画素数も１0２４個に限
られない。

【００６９】(第２の実施の形態)以下第２の実施の形態
について説明する。第２の実施の形態の構成は、第１の
実施の形態の構成と同じである。第１の実施の形態との
変更点は、以下のようなものである。第１の実施の形態
の場合、像の倍率に応じてＴＤＩ処理手段における足し
合せるライン数を決定していたが、第２の実施の形態の
場合、像の倍率に応じてＴＤＩ処理手段における足し合
せるライン数とともに、ＴＤＩセンサを構成する光電変
換素子１６の検知時間を変化させる構成としたことであ
る。

【００７０】具体的には、倍率設定回路１１からの倍率
信号によって、ＴＤＩ処理での足し合せるライン数と、
光電変換素子１６の検知時間とを決定する構成としたも
のである。

【００７１】このような構成とすることによって、例え
ば高倍率で検査や観察を行う際には、足し合せるライン
数を多くしてかつ検知時間を長くし、低倍率で検査や観
察を行う際には、足し合せるライン数を変化させずに検
知時間を短くするというように、足し合せるライン数と
検知時間の双方を変化させることが可能となりよりフレ
キシブルに検査等が可能となる効果を有する。

【００７２】また、本実施の形態においても前記したよ
うに種々変形可能である。

【００７３】（第３の実施の形態）第３の実施の形態は
フォトマスクの製造方法に関するものである。フォトマ
スクの製造工程は、透明基板上に遮光膜を成膜する成膜
工程と、前記成膜工程により成膜された遮光膜の所定部
分をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング
工程により形成されたパターンの検査を行う検査工程と
からなる。

【００７４】まず、成膜工程を行う。図３（ａ）に示さ
れるように充分に良く研磨、洗浄された合成石英ガラス
の基板１７上に、スパッタ成膜法を用いて、遮光膜とな
るクロム膜１８を約１００ｎｍの厚みに形成する。

【００７５】次にエッチング工程を行う。図３（ｂ）に
示されるように、クロム膜１８の上に電子線レジスト１
９を約５０ｎｍの厚みでスピナーを用いて塗布する。そ
の後図３（ｃ）に示されるように、電子線描画装置を用
いて所望のパターンに露光した後、現像を行う。続いて
図３（ｄ）に示されるように塩素系ガスを用いて、クロ
ム膜１８に対しプラズマエッチングを行い、パターンを
形成する。その後図３（ｅ）に示されるようにアッシン
グを行って電子線レジストを除去する。そして、形成さ
れたパターンの検査を行う。

【００７６】第１の実施の形態と同様に検査を行う。検
査倍率に基づいて、ＴＤＩ回路のたし合わせるライン数
の設定が行われる。

【００７７】クロム膜１８のパターンが形成された部分
は、光源からの光を遮光するため、パターンが形成され
た領域を暗部とし、その他の領域を明部とした２次元濃
淡画像を得ることができる。この画像から所定の濃淡レ
ベルでわけられる明部と暗部の境界を抽出して、この境
界線のみを明るくあらわした画像を生成する。こうして
得られた測定データと、パターンの設計に用いた設計デ
ータとを比較して両者の不一致部分を検出して検査を行
う。欠陥があればレーザや収束イオンビームを用いて修
正を行う。

【００７８】以上のようにしてフォトマスクの製造を行
った。その結果、従来必要であったフィルタを用いた光
量調整を行う必要がなくなり、電気的に光量調整が可能
となった。このため、迅速に検査を行うことができた。
従ってスループットの向上したフォトマスクの製造を行
うことが可能となった。

【００７９】なお、第２の実施の形態で用いた試料処理
装置を用いて、マスクの検査を行っても良い。

【００８０】なお、本発明に係るフォトマスクの製造方
法は、本実施の形態に限られるものではなく、同様の趣
旨において種々変形可能である。

【００８１】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、試料
の像の倍率に応じてＴＤＩ処理手段における足し合せる
画素の列数、あるいは像の検知時間を決定して検査や観
察等に最適な測定データを得ることができるため、従来
必要であった光量調整装置が不要になるという効果があ
る。また、スループットの高いフォトマスクの製造が可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における試料処理装
置の構成図。

【図２】本発明の第１の実施の形態におけるＴＤＩセン
サの構成図。

【図３】本発明の第３の実施の形態におけるフォトマス
クの製造工程を示した図。

【図４】従来のパターン検査装置の構成図。

【図５】ＴＤＩセンサの構成図。

【図６】ＴＤＩセンサの動作原理を説明する第１の図。

【図７】ＴＤＩセンサの動作原理を説明する第２の図。

【図８】ＴＤＩセンサの動作原理を説明する第３の図。

【符号の説明】

１…照明光学系（照射手段） ２…フォトマスク ３…対物レンズ系（変倍手段） ４…ＴＤＩセンサ（撮像手段、ＴＤＩ処理手段） ５…データ比較回路（処理手段） ６…Ａｒレーザ（照射手段） ７…ＸＹテーブル（移動手段） ８…操作部 ９…ＸＹテーブル駆動ドライバ １０…対物レンズ １１…倍率設定回路（決定手段） １６…光電変換素子 １８…クロム膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA49 BB02 CC18 DD06 EE05 FF02 FF67 GG05 HH13 HH15 JJ03 JJ09 JJ26 PP01 PP12 QQ03 QQ33 RR02 RR08 SS02 SS13 2G051 AA56 AB07 BA10 CA01 CA03 CB02 CC09 DA07 EA12 2H095 BD02 BD04 BD15 BD27 4M106 AA09 BA05 CA39 DB02 DB04 DB08 DB12 DB19 DJ04 DJ18 DJ21 DJ23

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 試料に光を照射するための照射手段と、
   前記光の照射により得られる前記試料からの光像の倍率
   を、調整設定するための変倍手段と、前記変倍手段によ
   り変倍された光像を受光し、電気信号に変換する光電変
   換素子を、複数個備えた光電変換手段と、前記変倍手段
   により変倍された光像と、前記光電変換手段との相対位
   置を移動させるための移動手段と、前記移動手段による
   光像の移動と同期して、前記複数の光電変換素子のう
   ち、所定の個数の光電変換素子が変換した電気信号の加
   算を行うことにより、前記光像の同一の部位に対応する
   電気信号を加算して測定データを得るためのＴＤＩ処理
   手段と、前記変倍手段における倍率に基づいて、前記Ｔ
   ＤＩ処理手段における前記所定の個数を決定する決定手
   段と、前記測定データを用いて前記試料に所定の処理を
   行うための処理手段と、を備えることを特徴とする試料
   処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の試料処理装置において、
   前記決定手段は、前記変倍手段における倍率に基づい
   て、前記ＴＤＩ処理手段における前記所定の個数を決定
   することに加えて、前記変倍手段における倍率に基づい
   て、前記光電変換手段における光電変換素子が、前記変
   倍された光像を受光する受光時間を決定するように構成
   したことを特徴とする試料処理装置。
3. 【請求項３】 試料に光を照射するための照射工程と、
   前記光の照射により得られる前記試料からの光像の倍率
   を、調整設定するための変倍工程と、前記変倍工程によ
   り変倍された光像を受光し、電気信号に変換する光電変
   換素子を、複数個備えた光電変換工程と、前記変倍工程
   により変倍された光像と、前記光電変換工程との相対位
   置を移動させるための移動工程と、前記移動工程による
   光像の移動と同期して、前記複数の光電変換素子のう
   ち、所定の個数の光電変換素子が変換した電気信号の加
   算を行うことにより、前記光像の同一の部位に対応する
   電気信号を加算して測定データを得るためのＴＤＩ処理
   工程と、前記変倍工程における倍率に基づいて、前記Ｔ
   ＤＩ処理工程における前記所定の個数を決定する決定工
   程と、前記測定データを用いて前記試料に所定の処理を
   行うための処理工程と、を備えることを特徴とする試料
   処理方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載の試料処理装置において、
   前記決定工程は、前記変倍工程における倍率に基づい
   て、前記ＴＤＩ処理工程における前記所定の個数を決定
   することに加えて、前記変倍工程における倍率に基づい
   て、前記光電変換工程における光電変換素子が、前記変
   倍された光像を受光する受光時間を決定するように構成
   したことを特徴とする試料処理方法。
5. 【請求項５】 透明基板上に遮光膜を成膜する成膜工程
   と、前記成膜工程により成膜された遮光膜の所定部分を
   エッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程
   により形成されたパターンの検査を行う検査工程と、を
   備えるフォトマスクの製造方法において、前記検査工程
   は、前記透明基板に光を照射するための照射工程と、前
   記光の照射により得られる、前記パターンの光像の倍率
   を、調整設定するための変倍工程と、複数の光電変換素
   子から成る光電変換手段により前記変倍工程により変倍
   された光像を受光し、電気信号に変換する光電変換工程
   と、前記変倍工程により変倍された光像と、前記光電変
   換手段との相対位置を移動させるための移動工程と、前
   記移動工程による光像の移動と同期して、前記複数の光
   電変換素子のうち、所定の個数の光電変換素子が変換し
   た電気信号の加算を行うことにより、前記光像の同一の
   部位に対応する電気信号を加算して測定データを得るた
   めのＴＤＩ処理工程と、前記変倍工程における倍率に基
   づいて、前記ＴＤＩ処理工程における前記所定の個数を
   決定する決定工程と、前記測定データを用いて前記試料
   の検査を行うための処理工程と、を備える検査工程であ
   ること、を特徴とするフォトマスクの製造方法。