JP2009300426A - レチクル欠陥検査装置およびレチクル欠陥検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】TDIセンサ11の各画素の出力がセンサアンプ15により増幅される。増幅された各画素の光量信号のボトム値が、オフセット/ゲイン調整手段16のボトム値記憶手段16aにより記憶され、ピーク値がピーク値記憶手段16bにより記憶される。各画素のボトム値に基づいて、オフセット算出手段16cにより各画素のオフセットが算出される。各画素のオフセットと、各画素のピーク値とに基づいて、ゲイン算出手段16dにより各画素のゲインが算出される。算出された各画素のオフセット及びゲインがレジスタ153に記憶されることで、センサアンプ15のオフセット及びゲインが調整される。
【選択図】図3
Description
また、ステージを一方向と他方向の両方に同時に移動させながら画像センサによりレチクルのパターンを撮像してもよい。
また、ステージを一方向と他方向の両方に同時に移動させながら画像センサによりレチクルのパターンを撮像してもよい。
図1は、本発明の第1の実施の形態によるレチクル欠陥検査装置100の構成を示す概略図である。図2は、図1に示されたTDIセンサ11及びセンサアンプ15の構成を示す概略図である。図3は、図1に示されたオフセット/ゲイン調整手段16の構成を示す概略図である。
次に、図7乃至図11を参照して、本発明の第2の実施の形態について説明する。
上記ボトム値記憶手段16a及びピーク値記憶手段16bにより各画素のボトム値及びピーク値を記憶する際、通常は、ステージ2の移動速度と、TDIセンサ11内のTDI動作速度と同期させることが考えられる。このように同期させた場合に図7に示すTDIセンサ11を用いて撮像された画像の例を図8に示す。図8に示す画像210は、レチクル透過光をTDIセンサ11によって撮像したものである。従って、図8におけるハッチング部分は遮光部に対応し、白部分は透過部に対応する。このハッチング部分のセンサ出力はボトム値に近いレベルになり、白部分のセンサ出力はピーク値に近いレベルになる。
次に、図12乃至図14を参照して、本発明の第3の実施の形態について説明する。図12は、第3の実施の形態において、TDIセンサにより撮像するパターンを示す図である。
次に、図17から図20を参照して、本発明の第4の実施の形態について説明する。
Y=Y1+(Y2-Y1)/(P2-P1)×(Pth-P1)・・・(1)
tanθ=(Yb-Ya)/(Xb-Xa)・・・(2)
1 レチクル
2 ステージ
4A,4B,4C モータ
11,11A TDIセンサ
15 センサアンプ
151 アナログアンプ
152 デジタルアンプ
153 レジスタ
16 オフセット/ゲイン調整手段(オフセット/ゲイン設定手段)
16a ボトム値記憶手段
16b ピーク値記憶手段
16c オフセット算出手段
16d ゲイン算出手段
19 比較回路
20 制御計算機
21 記憶装置
Claims (10)
- 画像センサをレチクルに対して相対的に移動させ、前記画像センサの各画素の出力をセンサアンプにより増幅して得られる光学画像と、前記光学画像に対する基準画像となる参照画像とを比較することで前記レチクルの欠陥検査を行う方法であって、
前記センサアンプは画素毎に信号振幅のゲイン及びオフセットを調整可能であり、
前記欠陥検査の前に、前記レチクルのパターンの一部を前記画像センサにより撮像し、前記センサアンプにより増幅された各画素の光量信号のボトム値及びピーク値を記憶するステップと、
記憶された各画素のボトム値に基づいて、前記センサアンプの各画素の信号振幅のオフセットを設定するステップと、
前記各画素の信号振幅のオフセットと、記憶された各画素のピーク値とに基づいて、前記センサアンプの各画素の信号振幅のゲインを設定するステップとを含むことを特徴とするレチクル欠陥検査方法。 - 前記画像センサは複数段のラインを有するTDIセンサであることを特徴とする請求項1記載のレチクル欠陥検査方法。
- 前記各画素のボトム値及びピーク値を記憶する際に、前記レチクルの相対移動速度が、前記画像センサの画素寸法と撮像周期で決まる画素移動速度に比して遅くされることを特徴とする請求項1又は請求項2記載のレチクル欠陥検査方法。
- 前記各画素のボトム値及びピーク値を記憶する際に、前記画像センサの相対移動方向に概略平行なレチクルパターンの複数箇所のエッジ位置を取得するステップと、
取得されたエッジ位置から前記レチクルの回転誤差量を算出するステップと、
算出された回転誤差量に基づいて、前記レチクルの回転アライメントを実行するステップとを更に含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のレチクル欠陥検査方法。 - 前記レチクルのメインチップ領域に形成された製品パターンの一部を前記画像センサにより撮像し、前記ボトム値及びピーク値を記憶することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のレチクル欠陥検査方法。
- パターンが形成されたレチクルに光を照射する光照射機構と、
前記レチクルを保持するステージを駆動する駆動手段と、
前記レチクルの透過光もしくは反射光の光量信号を複数の画素で検出する画像センサと、
前記画像センサの各画素の出力を画素毎に増幅し、光学画像を生成すると共に、画素毎に信号振幅のゲイン及びオフセットを調整可能なセンサアンプと、
前記光学画像に対する基準画像となる参照画像を生成する参照画像生成手段と、
前記光学画像と前記参照画像とを比較することにより、前記レチクルのパターンの欠陥を検査する検査手段とを備えたレチクル欠陥検査装置であって、
前記検査手段による検査の前に、前記駆動手段により前記ステージを駆動して前記パターンの一部を前記画像センサにより撮像し、前記センサアンプにより増幅された各画素の光量信号のボトム値及びピーク値を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段により記憶された各画素のボトム値に基づいて、前記センサアンプの各画素の信号振幅のオフセットを設定するオフセット設定手段と、
前記各画素の信号振幅のオフセットと前記記憶手段により記憶された各画素のピーク値とに基づいて、前記センサアンプの各画素の信号振幅のゲインを設定するゲイン設定手段とを備えたことを特徴とするレチクル欠陥検査装置。 - 前記画像センサは前記光量信号を複数段のラインで蓄積するTDIセンサであることを特徴とする請求項6記載のレチクル欠陥検査装置。
- 前記記憶手段により前記ボトム値及びピーク値を記憶する際の前記ステージの駆動速度が、前記画像センサの画素寸法と撮像周期で決まる画素移動速度に比して遅くされることを特徴とする請求項6又は請求項7記載のレチクル欠陥検査装置。
- 前記画像センサの相対移動方向に概略平行なレチクルのパターンの複数箇所のエッジ位置を取得するエッジ位置取得手段と、
前記エッジ位置取得手段により取得されたエッジ位置から前記レチクルの回転誤差量を算出する回転誤差量算出手段と、
前記回転誤差量算出手段により算出された回転誤差量に基づいて、前記レチクルの回転アライメントを実行するアライメント手段とを更に備えたことを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか1項記載のレチクル欠陥検査装置。 - 前記レチクルのメインチップ領域に形成された製品パターンの一部を前記画像センサにより撮像し、前記センサアンプにより増幅された各画素の光量信号のボトム値及びピーク値を前記記憶手段により記憶することを特徴とする請求項6乃至請求項9のいずれか1項記載のレチクル欠陥検査装置。
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