JP2006275780A - パターン検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】検査対象となる試料113を載置するステージ114上に設置した補正用透過部および遮光部をセンサ116で撮像して得た電気信号により、該センサの動作条件を補正する第一の補正係数を求める第一の補正係数算出工程と、該試料113の一部を撮像して該第一の補正係数に基づいて補正した電気信号により第二の補正係数を求める第二の補正係数算出工程と、該第二の補正係数算出工程で得られた該センサ116の特性値に基づいて該センサ116の動作条件を設定する動作条件設定工程の各ステップによってキャリブレーションする。
【選択図】図1
Description
このセンサのキャリブレーションは、パターンの検査を行う試料上に形成されている明部、および暗部の領域を撮像して、その部分の明るさの値が全画素に渡って所定の値となるようにゲインやオフセットを調節することによって行われる(特許文献1参照)。図2に示すように試料の明部、および暗部の領域が十分に大きい場合はステージを静止させてTDIセンサを蓄積動作すれば、その明るさを全画素に渡って高速に取得することが出来る。しかし、試料上の明部、暗部領域を撮像する際に、図3示すようにその領域がセンサのサイズに対して小さい場合、全ての画素について撮像データを得るには何度もステージ走行を繰り返さなければならず、センサのキャリブレーションに多大な時間がかかってしまう。例えば、リソグラフィ用マスクの種類によっては、十分な大きさのキャリブレーション領域を確保できないことがあるため、キャリブレーションの実行に問題が生じている。
該試料の一部を撮像して該第一の補正係数に基づいて補正した電気信号により第二の補正係数を求める第二の補正係数算出工程と、
該第二の補正係数算出工程で得られた該センサの特性値に基づいて該センサの動作条件を設定する動作条件設定工程と、
該試料に形成されたパターンに光を照射し、該パターンの光学像を該センサにより撮像して電気信号に変換する撮像工程と、
該撮像工程によって得られた光学画像と、該パターンの設計データから求めた基準画像、もしくは、該パターンと同一の設計形状を有する他のパターンを撮像した光学画像とを比較して欠陥を検査することを特徴とするパターン検査方法である。
該試料の一部を撮像して該第一の補正係数に基づいて補正した電気信号により第二の補正係数を求める第二の補正係数算出工程と、
該第二の補正係数算出工程で得られた該センサの特性値に基づいて該センサの動作条件を設定する動作条件設定工程と、
該試料に形成されたパターンに光を照射し、該パターンの光学像を該センサにより撮像して電気信号に変換する撮像工程と、
該撮像工程によって得られた光学画像と、該パターンの設計データから求めた基準画像、もしくは、該パターンと同一の設計形状を有する他のパターンを撮像した光学画像とを比較して欠陥を検査することを特徴とするパターン検査方法である。
試料の一部を撮像して該第一の補正係数に基づいて補正した電気信号により第二の補正係数を求める第二の補正係数算出工程と、
該第二の補正係数算出工程で得られた該センサの特性値に基づいて該センサの動作条件を設定する動作条件設定工程と、
該試料に形成されたパターンに光を照射し、該パターンの光学像を該センサにより撮像して電気信号に変換する撮像工程と、
該撮像工程によって得られた光学画像と、該パターンの設計データから求めた基準画像、もしくは、該パターンと同一の設計形状を有する他のパターンを撮像した光学画像とを比較して欠陥を検査することを特徴とするパターン検査方法である。
以後、本発明の第1の実施の形態について詳細に説明する。
図1は本実施の形態において用いるのに適した欠陥検査装置の構成図である。観測データ生成部110は、光源111、試料113を載置するステージ114、試料に光を照射する照明光学系112、試料のパターンに対応した光学像を撮像する結像光学系115及びセンサ回路116、ステージの制御を行うステージ制御回路102から構成されている。
(a)ステージをキャリブレーション用の光透過部と遮光部に順次移動し、各部位における光量を測定する。キャリブレーション用の光透過部と遮光部は結像後にTDIセンサを偏りなく覆うことが出来る大きさをもつものとする。このとき、ステージは静止状態でTDIセンサを空間的な平均値L0,D0を測定する。測定は、全ての画素について行う。
TDIセンサの出力のモデルは、センサ出力(階調値)S,ゲインG,定数k,センサ信号I,オフセットOSとすると、
と表される。
暗部データD,明部データL,暗部センサ出力ID,明部センサ出力IL,初期ゲインG0,初期オフセットOS0=0とする。
採取するデータD0,L0は次式で表される。
すなわち、暗部データD,明部データL,暗部センサ出力ID,明部センサ出力IL,仮ゲイン値G1,仮オフセット値OS1とする。
採取するデータD,Lは次式で表される。この時、ステージ移動モードで画像を取得する。
一方、前記パターン検査装置のデータメモリ104に格納されている当該パターンを設計したCAD等のデータより、基準パターンデータを作成する。次いで前記測定パターンデータと、基準パターンデータとを、あらかじめ画素位置ズレ等を補正した後、両画像を比較して検査し、両画像間に所定の閾値以上の際があれば欠陥と判断する。
以後、本発明の第2の実施の形態について詳細に説明する。前記第1の実施の形態と同等の構成についてはその詳細な説明は省略する。
前記第1の実施の形態において、補正用の光透過部と遮光部を、試料を載置するステージ上に設けていたが、本実施の形態は、補正用の光透過部と遮光部を、キャリブレーション用のマスクに設け、試料の検査の前にこのキャリブレーション用のマスクを用いてキャリブレーションを行うものである。
(a)装置内部に格納されているTDIセンサキャリブレーション用の試料をステージ上に搬送する。ステージを試料上のキャリブレーション用の光透過部と遮光部に順次移動し、各部位における光量を測定する。キャリブレーション用の光透過部と遮光部は結像後にTDIセンサを偏りなく覆うことが出来る大きさをもつものとする。このとき、ステージは静止状態でTDIセンサを空間的な平均値L0,D0を測定する。測定は、全ての画素について行う。
以後、本発明の第3の実施の形態について詳細に説明する。前記第1及び第2の実施の形態と同等の構成についてはその詳細な説明は省略する。
(a)過去に行ったTDIセンサのキャリブレーション結果をデータ格納装置から読み出し、TDIセンサに設定する。
以上のステップにより、TDIセンサのキャリブレーションが完了するので、以下試料について、定法によりパターン検査を行う。
この方法は、連続して類似しているマスクを同等の条件で検査する場合に適した方法であり、この方法によれば、第一の補正係数算出工程が不要となるため、キャリブレーションの迅速化に効果がある。
また、上記説明は、撮像データ(測定パターンデータ)と設計データ(基準パターンデータ)を比較するDie to Database 方式として説明したが、撮像データ同士を比較するDie to Die方式あるいはこれら両者の併用方式でも良い。さらに、試料のパターンを撮像する方法として、試料の透過光を用いて検査を行った例を示したが、反射光あるいは透過光と反射光を同時に用いても良い。
さらに、上記実施の形態においては、センサのキャリブレーションを行った後、試料パターンの撮像を行い、パターンの検査を行う例を示したが、先に試料パターンの撮像を行い、次いで、キャリブレーションを行った後、前記キャリブレーションによって得られたセンサのゲイン及びオフセットのデータを元に、撮像データを補正してパターン検査に用いることもできる。
本発明は上述の実施の形態に限定されず、この他にも本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
101…ホスト計算機
102…ステージ制御回路
104…データメモリ
105…データ展開回路
106…参照回路
107…比較回路
108…駆動系
110…画像取得部
111…光源
112…照明光学系
113…試料
114…ステージ
115…結像光学系
116…センサ回路
117…キャリブレーション領域
Claims (3)
- 検査対象となる試料を載置するステージ上に設置した補正用透過部および遮光部を、センサで撮像して得た電気信号により、該センサの動作条件を補正する第一の補正係数を求める第一の補正係数算出工程と、
該試料の一部を撮像して該第一の補正係数に基づいて補正した電気信号により第二の補正係数を求める第二の補正係数算出工程と、
該第二の補正係数算出工程で得られた該センサの特性値に基づいて該センサの動作条件を設定する動作条件設定工程と、
該試料に形成されたパターンに光を照射し、該パターンの光学像を該センサにより撮像して電気信号に変換する撮像工程と、
該撮像工程によって得られた光学画像と、該パターンの設計データから求めた基準画像、もしくは、該パターンと同一の設計形状を有する他のパターンを撮像した光学画像とを比較して欠陥を検査することを特徴とするパターン検査方法。 - 補正用透過部及び遮光部を備えた補正用マスクのパターンをセンサで撮像して得た電気信号により第一の補正係数を求める第一の補正係数算出工程と、
該試料の一部を撮像して該第一の補正係数に基づいて補正した電気信号により第二の補正係数を求める第二の補正係数算出工程と、
該第二の補正係数算出工程で得られた該センサの特性値に基づいて該センサの動作条件を設定する動作条件設定工程と、
該試料に形成されたパターンに光を照射し、該パターンの光学像を該センサにより撮像して電気信号に変換する撮像工程と、
該撮像工程によって得られた光学画像と、該パターンの設計データから求めた基準画像、もしくは、該パターンと同一の設計形状を有する他のパターンを撮像した光学画像とを比較して欠陥を検査することを特徴とするパターン検査方法。 - 試料に形成されているパターンを撮像するセンサであって、そのセンサの動作条件補正係数を記録保存する装置を有するパターン検査装置を用い、該記録保存装置に保存されているセンサ補正係数から、センサに設定する係数を選択する係数選択工程と、
試料の一部を撮像して該第一の補正係数に基づいて補正した電気信号により第二の補正係数を求める第二の補正係数算出工程と、
該第二の補正係数算出工程で得られた該センサの特性値に基づいて該センサの動作条件を設定する動作条件設定工程と、
該試料に形成されたパターンに光を照射し、該パターンの光学像を該センサにより撮像して電気信号に変換する撮像工程と、
該撮像工程によって得られた光学画像と、該パターンの設計データから求めた基準画像、もしくは、該パターンと同一の設計形状を有する他のパターンを撮像した光学画像とを比較して欠陥を検査することを特徴とするパターン検査方法。
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