JP2009128094A - パターン検査装置及びパターン検査方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置100は、パターンが形成されたフォトマスク101を載置するXYθテーブル102と、XYθテーブル102と相対的に移動し、フォトマスク101の光学画像を撮像するラインセンサ105と、ラインセンサ105により撮像された第1の画素データと、第1の画素データの位置に対応する位置での第1の参照データとを比較する比較部52と、第1の画素データとは撮像位置がサブ画素単位ずれた位置でラインセンサ105により撮像された第2の画素データと、第2の画素データの位置に対応する位置での第2の参照データとを比較する比較部54と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様によれば、欠陥の見落としを回避或いは低減することができる。
【選択図】図2
Description
図23(a)では、複数の受光素子80の1つに欠陥84が位置している場合を示している。ここでは、例えば、透過部の画素値(階調値)が「20」、遮光部の階調値が「0」になるように調整されているものとする。その場合に、図23(b)に示すように、例えば、遮光部となる欠陥84が無い画素82では、階調値「20」を示すのに対し、欠陥84を撮像した画素82では、階調値「10」を示す。図示していないが、参照データの階調値は、欠陥84が無いので全ての画素の階調値が「20」となる。そして、欠陥判定閾値を例えば7階調以上異なる場合とすると、欠陥84を撮像した画素82では、階調値「10」なので、7階調以上参照データの階調値と異なるので欠陥と判定することができる。
図24は、欠陥位置が画素領域の境界を跨る場合の欠陥判定の状況の一例を示す図である。図24(a)に示すように、例えば、欠陥86の中央で画素領域の境界を跨る場合、跨られた2つの受光素子80では、それぞれ欠陥86の半分ずつを撮像することになる。その場合、図24(b)に示すように、欠陥86が無い画素82では、階調値「20」を示すのに対し、欠陥86の半分を撮像した画素82では、階調値「15」を示す。そして、上述したように、欠陥判定閾値を例えば7階調以上異なる場合とすると、欠陥86の半分を撮像した画素82では、階調値「15」なので、5階調しか参照データの階調値と異ならないことになってしまう。そのため、欠陥とは判定されず、誤判定を生むことになる。
の画素とパターンの関係に一致させる技術が文献に開示されている(特許文献1参照)。また、検査装置内で設計データから参照データを作成する際に、1画素に相当する寸法よりもさらに小さいグリッドでメッシュ分割する技術が文献に開示されている(特許文献2参照)。
パターンが形成された被検査試料を載置するステージと、
ステージと相対的に移動し、被検査試料の光学画像を撮像する1つ以上のセンサと、
1つ以上のセンサのいずれかにより撮像された第1の画素データと、第1の画素データの位置に対応する位置での第1の参照データとを比較する第1の比較部と、
第1の画素データとは撮像位置がサブ画素単位ずれた位置で1つ以上のセンサのいずれかにより撮像された第2の画素データと、第2の画素データの位置に対応する位置での第2の参照データとを比較する第2の比較部と、
を備えたことを特徴とする。
パターンが形成された被検査試料を載置するステージと、
ステージと相対的に移動し、被検査試料の光学画像を撮像する1つ以上のセンサと、
1つ以上のセンサのいずれかにより撮像された第1の画素データと、第1の画素データの位置に対応する位置での第1の参照データとを比較する第1の比較部と、
第1の画素データとは撮像位置がサブ画素単位ずれた位置で1つ以上のセンサのいずれかにより撮像された第2の画素データと、第2の画素データの位置に対応する位置での第2の参照データとを比較する第2の比較部と、
第1の比較部による比較結果と第2の比較部による比較結果とを合成する合成処理部と、
を備えたことを特徴とする。
第1と第2の画素データは、異なる位置に配置される受光素子で撮像されるとより好適である。
サブ画素単位でずらした位置で被検査試料の光学画像を重複して撮像する工程と、
撮像された第1の画素データと、第1の画素データの位置に対応する位置での第1の参照データとを比較する工程と、
第1の画素データとは撮像位置がサブ画素単位ずれた位置で撮像された第2の画素データと、第2の画素データの位置に対応する位置での第2の参照データとを比較する工程と、
各比較結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
サブ画素単位でずらした位置で被検査試料の光学画像を重複して撮像する工程と、
撮像された第1の画素データと、第1の画素データの位置に対応する位置での第1の参照データとを比較する工程と、
第1の画素データとは撮像位置がサブ画素単位ずれた位置で撮像された第2の画素データと、第2の画素データの位置に対応する位置での第2の参照データとを比較する工程と、
各比較結果を合成し、合成された結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1におけるパターン検査装置の構成を示す概念図である。
図1において、試料、例えばマスクの欠陥を検査する検査装置100は、光学画像取得部150と制御系回路160を備えている。光学画像取得部150は、光源103、XYθテーブル102、照明光学系170、拡大光学系104、ラインセンサ105、センサ回路106、レーザ測長システム122、及びオートローダ130を備えている。制御系回路160では、コンピュータとなる制御計算機110が、バス120を介して、位置回路107、比較回路108、参照回路112、オートローダ制御回路113、テーブル制御回路114、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、フレシキブルディスク装置(FD)116、CRT117、パターンモニタ118、及びプリンタ119に接続されている。また、センサ回路106は、ストライプパターンメモリ123に接続され、ストライプパターンメモリ123は、比較回路108に接続されている。また、XYθテーブル102は、X軸モータ、Y軸モータ、θ軸モータにより駆動される。XYθテーブル102は、ステージの一例となる。ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。検査装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
被検査領域10は、図3に示すように、例えばX方向に向かって、スキャン幅Wの短冊状の複数の検査ストライプ20に仮想的に分割される。そして、その分割された各検査ストライプ20上をラインセンサ105が走査するようにXYθテーブル102の動作が制御される。XYθテーブル102の移動によってラインセンサ105が相対的にY方向(第1の方向)に連続移動しながら光学画像が取得される。ラインセンサ105では、図3に示されるようなスキャン幅Wの光学画像を連続的に撮像する。実施の形態1では、1つの検査ストライプ20における光学画像を撮像した後、サブ画素、例えば、1/2画素分の位置だけX方向にずれた位置で今度は逆方向に移動しながら同様にスキャン幅Wの光学画像を連続的に撮像する。すなわち、往路と復路で逆方向に向かうフォワード(FWD)−バックフォワード(BWD)の方向で撮像を繰り返す。具体的には、第1の検査ストライプ20aの1/2画素分の位置だけ−X方向にずれた位置で、検査ストライプ20aにおける画像を検査方向としてY方向に向かって撮像した後、1/2画素分の位置だけX方向に移動し、その後、今度は検査ストライプ20aにおける画像を検査方向として−Y方向に向かって撮像する。次に、スキャン幅Wから1/2画素だけ引いた分だけX方向に移動した後、今度は検査ストライプ20bにおける画像を検査方向としてY方向に向かって撮像する。次に、1/2画素分の位置だけX方向に移動し、その後、今度は検査ストライプ20bにおける画像を検査方向として−Y方向に向かって撮像する。次に、スキャン幅Wから1/2画素だけ引いた分だけX方向に移動した後、今度は検査ストライプ20cにおける画像を検査方向としてY方向に向かって撮像する。次に、1/2画素分の位置だけX方向に移動し、その後、今度は検査ストライプ20cにおける画像を検査方向として−Y方向に向かって撮像する。このように、サブ画素ずれた位置で同じ領域が重複して撮像されるように画像を取得していく。例えば、ラインセンサ105に2048画素分の検査方向(Y方向)と直交するX方向(第2の方向)に並ぶ複数の受光素子30(フォトダイオード)が配置されているものを用いると、スキャン幅Wは2048画素となる。そして、これらの受光素子30をサブ画素単位でずらして同じ検査ストライブにおける画像を撮像する。
図4において、ラインセンサ105に2048画素分のX方向に並ぶ複数の受光素子30が配置されているものを用いると、往路と復路で1/2画素(0.5画素)分だけX方向にずれた位置で撮像されることになる。このように、各画素データは、1/2画素ずれた位置で重複して撮像されると好適である。但し、1/2に限るものではない。後述するように、ずらし方は1/3画素でも1/4画素でも構わない。
図5において、往路では、例えば、欠陥31の中央でラインセンサ105の受光素子30の境界を跨る場合でも、復路ではX方向に1/2画素分ずらした位置でラインセンサ105が撮像するので、欠陥31全体をいずれかの受光素子30内に納めることができる。
ここでは、例えば、透過部の画素値(階調値)が「20」、遮光部の階調値が「0」になるように画素値が調整されているものとする。その場合に、往路では、例えば、遮光部となる欠陥31が無い画素32では、階調値「20」を示すのに対し、欠陥31の半分を撮像した画素32では、階調値「15」を示す。図示していないが、参照データの階調値は、欠陥31が無いので全ての画素の階調値が「20」となる。そして、欠陥判定閾値を例えば7階調以上異なる場合とすると、欠陥31の半分を撮像した画素32では、階調値「15」なので、5階調しか参照データの階調値と異ならないことになってしまう。そのため、欠陥とは判定されず、誤判定を生むことになる。他方、復路では、欠陥31が無い画素32では、階調値「20」を示すのに対し、欠陥31全体を撮像した画素32では、階調値「10」を示す。欠陥31を撮像した画素32では、階調値「10」なので、7階調以上参照データの階調値と異なるので欠陥と判定することができる。
図7では、実線で画素単位の領域34を示している。また、点線で1/2画素単位の領域36を示している。このように、画素単位で分割するメッシュの半分のグリッド寸法で分割することで倍メッシュ領域に仮想分割する。そして、参照画像データ12では、通常の画素単位で撮像された測定データに合わせた位置で作成される。他方、参照画像データ14は、通常の画素単位の位置から1/2画素ずらした位置で撮像された測定データに合わせた位置で作成される。このように、メッシュサイズを倍メッシュにすることで1/2画素ずらした位置の画像でも容易に作成することができる。ここでは、サブ画素として、1/2画素の場合を説明したが、これに限るものではなく、測定データを取得する際のずらし量に合わせて、1/3画素、或いは1/4画素といったその他のずらし量に合わせてメッシュ分割すればよい。また、図7では、X,Yの両方向でサブ画素サイズにしているが、例えば、Y方向だけサブ画素サイズにしてもよい。撮像される測定データのずらす方向と同一方向がサブ画素サイズで分割できればよい。
合成処理部の一例となる欠陥マージ処理部56では、比較部52,54で比較された結果、欠陥であると判定された座標(X,Y)、比較に用いたアルゴリズムの識別記号、及び欠陥寸法といった欠陥情報を基に欠陥リスト60を作成する。そして、比較部52,54の両方で欠陥と判定され、重複して欠陥リスト60に定義された欠陥情報を合成する。図8の例では、比較部52で欠陥と判定された座標(100,100)の欠陥と比較部54で欠陥と判定された座標(100,101)の欠陥については、座量及び欠陥寸法から判断して差が小さいので同一欠陥と判定する。これらの判断基準は、それぞれ閾値を設定しておけばよい。そして、欠陥マージ処理部56では、合成した結果となる欠陥リストを出力する。
図9に示す合成後の欠陥リスト62では、図8で示した比較部52で欠陥と判定された座標(100,100)の欠陥と比較部54で欠陥と判定された座標(100,101)の欠陥が合成(マージ処理)され、例えば、比較部52で欠陥と判定された座標(100,100)の欠陥だけが定義されている。もちろん、比較部54で欠陥と判定された座標(100,101)の欠陥だけが定義されても構わない。そして、欠陥リスト62は、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、FD116、CRT117、パターンモニタ118、或いはプリンタ119に出力される。或いは、外部に出力されても構わない。このように比較結果を合成することで、それぞればらばらに結果を出力する場合に比べ、検査結果を整理することができる。その結果、ユーザの利便性を向上させることができる。さらには、検査後の確認にかかる時間を短縮することができる。
図10において、往路と復路で1/3画素(0.33画素)分だけX方向にずれた位置で撮像される場合を示している。このように、各画素データは、1/3画素ずれた位置で重複して撮像されても好適である。図10において、往路では、例えば、欠陥31が1:2の割合程度でラインセンサ105の受光素子30の境界を跨る場合、復路ではX方向に1/3画素分ずらした位置でラインセンサ105が撮像するので、欠陥31全体をいずれかの受光素子30内に納めることができ得る。
ここでは、例えば、透過部の画素値(階調値)が「20」、遮光部の階調値が「0」になるように画素値が調整されているものとする。その場合に、往路では、例えば、遮光部となる欠陥31が無い画素32では、階調値「20」を示すのに対し、欠陥31の1/3を撮像した画素32では、階調値「17」を示す。そして、欠陥31の2/3を撮像した画素32では、階調値「14」を示す。図示していないが、参照データの階調値は、欠陥31が無いので全ての画素の階調値が「20」となる。そして、欠陥判定閾値を例えば7階調以上異なる場合とすると、階調値「14」や「17」では、7階調以上参照データの階調値と異ならないことになってしまう。そのため、欠陥とは判定されず、誤判定を生むことになる。他方、復路では、欠陥31が無い画素32では、階調値「20」を示すのに対し、欠陥31全体を撮像した画素32では、階調値「10」を示す。欠陥31を撮像した画素32では、階調値「10」なので、7階調以上参照データの階調値と異なるので欠陥と判定することができる。
実施の形態1では、1つのラインセンサ105を使って、サブ画素ずれた位置で同じ領域を重複撮像したが、これに限るものではない。実施の形態2では、複数のラインセンサを使って、サブ画素ずれた位置で同じ領域を重複撮像する構成について説明する。
図12において、ラインセンサ172が追加された点以外は、図1と同様である。
被検査領域10は、図13に示すように、例えばX方向に向かって、スキャン幅Wの短冊状の複数の検査ストライプ20に仮想的に分割される。そして、その分割された各検査ストライプ20上をラインセンサ105,172が同時期に走査するようにXYθテーブル102の動作が制御される。XYθテーブル102の移動によってラインセンサ105,172が相対的にY方向(第1の方向)に連続移動しながら光学画像が取得される。ラインセンサ105は、図13に示されるようなスキャン幅Wの光学画像を連続的に撮像する。そして、ラインセンサ105とはサブ画素、例えば、1/2画素分の位置だけX方向にずれた位置に配置されたラインセンサ172が、図13に示されるようなスキャン幅Wの光学画像を連続的に撮像する。実施の形態2では、1/2画素分の位置だけX方向にずれた2つのラインセンサ105,172が、1つの検査ストライプ20における光学画像を同時に撮像した後、スキャン幅WだけX方向にずれた位置で、2つのラインセンサ105,172が、今度は逆方向に移動しながら同様にスキャン幅Wの光学画像を連続的に撮像する。すなわち、往路と復路で逆方向に向かうフォワード(FWD)−バックフォワード(BWD)の方向で撮像を繰り返す。具体的には、第1の検査ストライプ20aの−1/2画素分の位置だけX方向にずれた位置でラインセンサ105が、第1の検査ストライプ20aの正規の位置でラインセンサ172が、それぞれ検査ストライプ20aにおける画像を検査方向としてY方向に向かって撮像した後、スキャン幅WだけX方向に移動し、その後、今度は検査ストライプ20bの−1/2画素分の位置だけX方向にずれた位置でラインセンサ105が、そして検査ストライプ20bの正規の位置でラインセンサ172が、それぞれ検査ストライプ20bにおける画像を検査方向として−Y方向に向かって撮像する。次に、スキャン幅WだけX方向に移動し、その後、今度は検査ストライプ20cの1/2画素分の位置だけ−X方向にずれた位置でラインセンサ105が、そして検査ストライプ20cの正規の位置でラインセンサ172が、それぞれ検査ストライプ20cにおける画像を検査方向としてY方向に向かって撮像する。このように、サブ画素ずれた位置で同じ領域が同時期に重複して撮像されるように画像を取得していく。
図14において、ラインセンサ105,172にそれぞれ2048画素分のX方向に並ぶ複数の受光素子30が配置されているものを用いると、往路でも復路でも1/2画素(0.5画素)分だけX方向にずれた位置で重複して撮像されることになる。また、上述したように、各画素データは、1/2画素ずれた位置に限るものではない。後述するように、ずらし方は1/3画素でも1/4画素でも構わない。
図15において、往路では、例えば、欠陥31の中央でラインセンサ105の受光素子30の境界を跨る場合でも、ラインセンサ172ではX方向に1/2画素分ずらした位置で撮像するので、欠陥31全体をいずれかの受光素子30内に納めることができる。
ここでは、例えば、透過部の画素値(階調値)が「20」、遮光部の階調値が「0」になるように画素値が調整されているものとする。その場合に、例えば、ラインセンサ105で撮像した、遮光部となる欠陥31が無い画素32では、階調値「20」を示すのに対し、欠陥31の半分を撮像した画素32では、階調値「15」を示す。図示していないが、参照データの階調値は、欠陥31が無いので全ての画素の階調値が「20」となる。そして、欠陥判定閾値を例えば7階調以上異なる場合とすると、欠陥31の半分を撮像した画素32では、階調値「15」なので、5階調しか参照データの階調値と異ならないことになってしまう。そのため、欠陥とは判定されず、誤判定を生むことになる。他方、ラインセンサ172で撮像した、欠陥31が無い画素32では、階調値「20」を示すのに対し、欠陥31全体を撮像した画素32では、階調値「10」を示す。欠陥31を撮像した画素32では、階調値「10」なので、7階調以上参照データの階調値と異なるので欠陥と判定することができる。その他の構成および動作は実施の形態1と同様である。
実施の形態1では、往路と復路でサブ画素の位置ずらしを行なった構成について説明したが、実施の形態3では、画素単位でずらした上で、さらに、サブ画素ずらす構成について説明する。装置構成は、実施の形態1と同様である。
被検査領域10は、図17に示すように、例えばX方向に向かって、スキャン幅Wの短冊状の複数の検査ストライプ20に仮想的に分割される。そして、被検査領域10は、検査ストライプ20とは別に、スキャン幅Wの短冊状の複数の検査ストライプ22に仮想的に分割される。各検査ストライプ22は、各検査ストライプ20とスキャン幅Wの1/2からサブ画素分を引いた分だけX方向にずれるように分割される。そして、その分割された各検査ストライプ20(或いは検査ストライプ22)が連続的に走査されるようにXYθテーブル102の動作が制御される。XYθテーブル102の移動によってラインセンサ105が相対的にY方向(第1の方向)に連続移動しながら光学画像が取得される。ラインセンサ105では、図17に示されるようなスキャン幅Wの光学画像を連続的に撮像する。実施の形態3では、1つの検査ストライプ20(或いは検査ストライプ22)における光学画像を撮像した後、スキャン幅Wの1/2からサブ画素分だけX方向或いは−X方向にずれた位置で今度は逆方向に移動しながら同様にスキャン幅Wの光学画像を連続的に撮像する。すなわち、往路と復路で逆方向に向かうフォワード(FWD)−バックフォワード(BWD)の方向で撮像を繰り返す。具体的には、第1の検査ストライプ20aのスキャン幅Wの1/2+サブ画素を含む検査ストライプ22aにおける画像を検査方向としてY方向に向かって撮像した後、スキャン幅Wの1/2−サブ画素分だけX方向に移動し、その後、今度は検査ストライプ20aにおける画像を検査方向として−Y方向に向かって撮像する。次に、スキャン幅Wの1/2+サブ画素分だけX方向に移動した後、今度は検査ストライプ22bにおける画像を検査方向としてY方向に向かって撮像する。次に、スキャン幅Wの1/2−サブ画素分だけX方向に移動した後、今度は検査ストライプ20bにおける画像を検査方向として−Y方向に向かって撮像する。次に、スキャン幅Wの1/2+サブ画素分だけX方向に移動した後、今度は検査ストライプ22cにおける画像を検査方向としてY方向に向かって撮像する。次に、スキャン幅Wの1/2−サブ画素分だけX方向に移動した後、今度は検査ストライプ20cにおける画像を検査方向として−Y方向に向かって撮像する。このように、スキャン幅Wの1/2からサブ画素分だけずらしながら連続的に画像を取得していく。これにより、被検査領域10は、往路と復路でスキャン幅Wの1/2からサブ画素分だけずれながらラインセンサ105によって重複して撮像される。
図18において、ラインセンサ105に2048画素分のX方向に並ぶ複数の受光素子30が配置されているものを用いると、往路と復路で1024−1/2画素分だけX方向にずれた位置で撮像されることになる。このように、各画素データは、複数の受光素子30の素子数の1/2ずれた位置付近で重複して撮像されると好適である。但し、1/2に限るものではない。複数の受光素子30の素子数より少ない素子数分X方向に画素単位でずらせば構わない。そして、その位置からサブ画素ずらせばよい。これにより被検査領域10の各画素はサブ画素ずれた位置で重複して撮像されることになる。
実施の形態2では、複数のラインセンサ間でサブ画素の位置ずらしを行なった構成について説明したが、実施の形態4では、画素単位でずらした上で、さらに、サブ画素ずらす構成について説明する。装置構成は、実施の形態2と同様である。
被検査領域10は、図19に示すように、例えばX方向に向かって、スキャン幅Wの短冊状の複数の検査ストライプ20に仮想的に分割される。そして、被検査領域10は、検査ストライプ20とは別に、スキャン幅Wの短冊状の複数の検査ストライプ22に仮想的に分割される。各検査ストライプ22は、各検査ストライプ20とスキャン幅Wの1/2からサブ画素分を引いた分だけX方向にずれるように分割される。また、2つのラインセンサ105,172は、スキャン幅Wの1/2からサブ画素分を引いた分だけX方向にずれるように配置される。そして、その分割された各検査ストライプ20と検査ストライプ22が連続的に走査されるようにXYθテーブル102の動作が制御される。XYθテーブル102の移動によって2つのラインセンサ105,172が相対的にY方向(第1の方向)に連続移動しながら光学画像が取得される。ラインセンサ105,172では、図19に示されるようなスキャン幅Wの光学画像をそれぞれ連続的に撮像する。実施の形態4では、1つの検査ストライプ20と1つの検査ストライプ22における光学画像を撮像した後、スキャン幅Wの1/2だけX方向にずれた位置で今度は逆方向に移動しながら同様にスキャン幅Wの光学画像を連続的に撮像する。すなわち、往路と復路で逆方向に向かうフォワード(FWD)−バックフォワード(BWD)の方向で撮像を繰り返す。具体的には、第1の検査ストライプ20aのスキャン幅Wの1/2+サブ画素を含む検査ストライプ22aにおける画像をラインセンサ105が、検査ストライプ20aにおける画像をラインセンサ172が、一緒に検査方向としてY方向に向かって撮像した後、スキャン幅Wの1/2だけX方向に移動し、その後、今度は検査ストライプ22bにおける画像をラインセンサ105が、検査ストライプ20bにおける画像をラインセンサ172が、一緒に検査方向として−Y方向に向かって撮像する。次に、スキャン幅Wの1/2だけX方向に移動した後、今度は検査ストライプ22cにおける画像をラインセンサ105が、検査ストライプ20cにおける画像をラインセンサ172が、一緒に検査方向としてY方向に向かって撮像する。このように、被検査領域10は、2つのラインセンサ105,172を使って、サブ画素分だけずれた位置で重複して撮像される。
図20において、ラインセンサ105に2048画素分のX方向に並ぶ複数の受光素子30が配置されているものを用いると、ラインセンサ172が1024−1/2画素分だけX方向にずれた位置に配置されることになる。ずらすサブ画素量は、1/2画素に限るものではないことは上述した通りである。
図23は、2次元センサの一例を示す図である。
図23において、2次元センサ174は、X方向に複数の受光素子30が配置された1列目のライン部176aと、1列目とはサブ画素、例えば、1/2画素だけX方向にずれて複数の受光素子30が配置された2列目のライン部176bとを備えている。そして、実施の形態2におけるラインセンサ105,172の代わりに、この2次元センサ174を用いて構成しても同様な効果を得ることができる。
図24において、2次元センサ178は、X方向に複数の受光素子30が配置された1列目のライン部179aと、1列目とはサブ画素、例えば、1/2画素だけX方向にずれて複数の受光素子30が配置された2列目のライン部179bと、1列目と合わせた位置で複数の受光素子30が配置された3列目のライン部179cと、2列目と合わせた位置で複数の受光素子30が配置された4列目のライン部179dと、を備えている。もちろん、4列に限らず、もっと多くの列で配置されても構わない。そして、1列目のライン部179aの各受光素子30と3列目のライン部179cの各受光素子30とが連続して画像を撮像していくように、そして、2列目のライン部179bの各受光素子30と4列目のライン部179dの各受光素子30とが連続して画像を撮像していくように、ステージとの相対速度を調整してそれぞれ光学画像を取得していくようにすると良い。そして、実施の形態2におけるラインセンサ105,172の代わりに、この2次元センサ178を用いて構成することで、TDIセンサと同様の効果を得ながらかつ実施の形態2と同様な効果を得ることができる。
12,14 参照画像データ
20,22 検査ストライプ
30,80 受光素子
31,84 欠陥
32,82 画素
34,36 領域
40,44 参照データメモリ
42,46 測定データメモリ
48,50 位置合わせ部
52,54 比較部
56 欠陥マージ処理部
60,62 欠陥リスト
61,63 検査系
100 検査装置
101 フォトマスク
102 XYθテーブル
103 光源
104 拡大光学系
105,172 ラインセンサ
106 センサ回路
107 位置回路
108 比較回路
109 磁気ディスク装置
110 制御計算機
112 参照回路
113 オートローダ制御回路
114 テーブル制御回路
115 磁気テープ装置
116 FD
117 CRT
118 パターンモニタ
119 プリンタ
120 バス
122 レーザ測長システム
123 ストライプパターンメモリ
130 オートローダ
131 ダイ−データベース比較回路
170 照明光学系
174,178 2次元センサ
176,179 ライン部
Claims (5)
- パターンが形成された被検査試料を載置するステージと、
前記ステージと相対的に移動し、前記被検査試料の光学画像を撮像する1つ以上のセンサと、
前記1つ以上のセンサのいずれかにより撮像された第1の画素データと、前記第1の画素データの位置に対応する位置での第1の参照データとを比較する第1の比較部と、
前記第1の画素データとは撮像位置がサブ画素単位ずれた位置で前記1つ以上のセンサのいずれかにより撮像された第2の画素データと、前記第2の画素データの位置に対応する位置での第2の参照データとを比較する第2の比較部と、
を備えたことを特徴とするパターン検査装置。 - パターンが形成された被検査試料を載置するステージと、
前記ステージと相対的に移動し、前記被検査試料の光学画像を撮像する1つ以上のセンサと、
前記1つ以上のセンサのいずれかにより撮像された第1の画素データと、前記第1の画素データの位置に対応する位置での第1の参照データとを比較する第1の比較部と、
前記第1の画素データとは撮像位置がサブ画素単位ずれた位置で前記1つ以上のセンサのいずれかにより撮像された第2の画素データと、前記第2の画素データの位置に対応する位置での第2の参照データとを比較する第2の比較部と、
前記第1の比較部による比較結果と前記第2の比較部による比較結果とを合成する合成処理部と、
を備えたことを特徴とするパターン検査装置。 - 前記センサは、前記ステージと相対的に移動する第1の方向と直交する第2の方向に並ぶ複数の受光素子を有し、
前記第1と第2の画素データは、異なる位置に配置される受光素子で撮像されることを特徴とする請求項1又は2記載のパターン検査装置。 - サブ画素単位でずらした位置で被検査試料の光学画像を重複して撮像する工程と、
撮像された第1の画素データと、前記第1の画素データの位置に対応する位置での第1の参照データとを比較する工程と、
前記第1の画素データとは撮像位置がサブ画素単位ずれた位置で撮像された第2の画素データと、前記第2の画素データの位置に対応する位置での第2の参照データとを比較する工程と、
各比較結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とするパターン検査方法。 - サブ画素単位でずらした位置で被検査試料の光学画像を重複して撮像する工程と、
撮像された第1の画素データと、前記第1の画素データの位置に対応する位置での第1の参照データとを比較する工程と、
前記第1の画素データとは撮像位置がサブ画素単位ずれた位置で撮像された第2の画素データと、前記第2の画素データの位置に対応する位置での第2の参照データとを比較する工程と、
各比較結果を合成し、合成された結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とするパターン検査方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007301296A JP5305641B2 (ja) | 2007-11-21 | 2007-11-21 | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
US12/274,034 US8031932B2 (en) | 2007-11-21 | 2008-11-19 | Pattern inspection apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007301296A JP5305641B2 (ja) | 2007-11-21 | 2007-11-21 | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009128094A true JP2009128094A (ja) | 2009-06-11 |
JP5305641B2 JP5305641B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=40642019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007301296A Expired - Fee Related JP5305641B2 (ja) | 2007-11-21 | 2007-11-21 | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8031932B2 (ja) |
JP (1) | JP5305641B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4476975B2 (ja) | 2005-10-25 | 2010-06-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5695924B2 (ja) | 2010-02-01 | 2015-04-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 欠陥推定装置および欠陥推定方法並びに検査装置および検査方法 |
JP5764364B2 (ja) | 2011-03-31 | 2015-08-19 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体装置の製造方法、描画装置、プログラム及びパターン転写装置 |
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2007
- 2007-11-21 JP JP2007301296A patent/JP5305641B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-11-19 US US12/274,034 patent/US8031932B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090129664A1 (en) | 2009-05-21 |
US8031932B2 (en) | 2011-10-04 |
JP5305641B2 (ja) | 2013-10-02 |
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