JP5764364B2 - 半導体装置の製造方法、描画装置、プログラム及びパターン転写装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法、描画装置、プログラム及びパターン転写装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5764364B2 JP5764364B2 JP2011077811A JP2011077811A JP5764364B2 JP 5764364 B2 JP5764364 B2 JP 5764364B2 JP 2011077811 A JP2011077811 A JP 2011077811A JP 2011077811 A JP2011077811 A JP 2011077811A JP 5764364 B2 JP5764364 B2 JP 5764364B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- small
- shape
- mask
- illumination light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
半導体基板に形成される予定の所望のパターンのパターン領域を複数の小領域に分割する工程と、
小領域毎に、半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状と、転写する際に用いるマスク上に形成される、所望のパターンのうち当該小領域分を示す部分パターンが補正されたマスクパターンのパターン形状との組み合わせを取得する工程と、
小領域毎に、取得された組み合わせの形状の照明光で取得された組み合わせのマスクパターンを半導体基板に転写することによって、分割された全ての小領域の部分パターンが順に転写されるように半導体基板を多重露光する工程と、
多重露光された半導体基板上に前記所望のパターンを形成する工程と、
を備え、
前記複数の小領域には、それぞれ異なる部分パターンが配置され、
前記小領域毎の部分パターン用のマスクパターンのパターン形状は、当該小領域にそれぞれ設定される転写用の照明光の形状の条件下で前記半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなるように補正されることを特徴とする。
半導体基板に形成される予定の所望のパターンのパターン領域が分割された複数の小領域の各小領域分のマスクパターンのパターンデータを入力し、記憶する記憶部と、
各小領域分のマスクパターンデータを読み出し、各小領域分のマスクパターンを分割前の位置にマージするマージ処理部と、
パターン領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域内のパターン寸法誤差を補正する補正量をマージ後のマスクパターンを用いて演算する補正量演算部と、
メッシュ領域毎に補正量で補正されたマスクパターンを、小領域毎にマスク上の独立した別々の位置に描画する描画部と、
を備え、
前記小領域毎に、前記半導体基板に転写される際、当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状が用いられ、
前記複数の小領域には、それぞれ異なる部分パターンが配置され、
前記小領域毎の部分パターン用のマスクパターンのパターン形状は、当該小領域にそれぞれ設定される転写用の照明光の形状の条件下で前記半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなるように補正されることを特徴とする。
半導体基板に形成される予定の所望のパターンの第1のパターンデータを記憶装置に記憶する処理と、
所望のパターンのパターン領域を複数の小領域に分割する処理と、
小領域毎に、半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状と、転写する際に用いるマスク上に形成される、所望のパターンのうち当該小領域分を示す部分パターンが補正されたマスクパターンのパターン形状との組み合わせを取得する処理と、
小領域毎に、取得された組み合わせの相関データと、組み合わせのパターン形状となるマスクパターンの第2のパターンデータを出力する処理と、
を備え、
前記複数の小領域には、それぞれ異なる部分パターンが配置され、
前記小領域毎の部分パターン用のマスクパターンのパターン形状は、当該小領域にそれぞれ設定される転写用の照明光の形状の条件下で前記半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなるように補正されていることを特徴とする。
半導体基板に形成される予定の所望のパターンのパターン領域が分割された複数の小領域の各小領域分のマスクパターンのパターンデータと、分割された複数の小領域の位置を示す分割領域情報と、各小領域分のマスクパターンとそれぞれ組となる照明光の形状を示す照明光情報とを入力し、記憶する記憶部と、
各小領域分のマスクパターンを、小領域毎にマスク上の独立した別々の位置に描画すると共に、各小領域分のマスクパターンと重ならないマスク上の位置に分割領域情報と照明光情報とを示すコード図形パターンを描画する描画部と、
を備え、
前記小領域毎に、前記半導体基板に転写される際、当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状が用いられ、
前記複数の小領域には、それぞれ異なる部分パターンが配置され、
前記小領域毎の部分パターン用のマスクパターンのパターン形状は、当該小領域にそれぞれ設定される転写用の照明光の形状の条件下で前記半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなるように補正されていることを特徴とする。
半導体基板に形成される予定の所望のパターンのパターン領域が分割された複数の小領域の位置を示す第1の分割領域情報と、各小領域分のマスクパターンとそれぞれ組となる照明光の形状を示す複数の第1の照明光情報とをマスクから光学的に読み出す読み出し部と、
小領域毎に、各小領域分のマスクパターンとそれぞれ組となる照明光の形状を示す複数の第2の照明光情報を入力し、小領域毎に、第1と第2の照明光情報が一致するかどうかを判定する判定部と、
小領域毎に、一致すると判定された照明光情報が示す形状の照明光で当該小領域用のマスクパターンを半導体基板に転写することによって、分割された全ての小領域の部分パターンが順に転写されるように半導体基板を多重露光する露光部と、
を備え、
前記小領域毎に、前記半導体基板に転写される際、当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状が用いられ、
前記複数の小領域には、それぞれ異なる部分パターンが配置され、
前記小領域毎の部分パターン用のマスクパターンのパターン形状は、当該小領域にそれぞれ設定される転写用の照明光の形状の条件下で前記半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなるように補正されていることを特徴とする。
図1は、実施の形態1における半導体装置の製造方法の要部工程を示すフローチャート図である。図1において、実施の形態1における半導体装置の製造方法は、描画データ生成工程(S102〜S109)と、描画工程(S110〜S112)と、マスクパターン形成工程(S114〜S116)と、転写工程(S117〜S122)と、ウェハパターン形成工程(S124〜S130)という一連の工程を実施する。描画データ生成工程では、その内部工程として、領域分割工程(S102)と、条件設定工程(S104)と、パターン補正工程(S106)と、相関データ生成工程(S107)と、シミュレーション工程(S108)と、判定工程(S109)という一連の工程を実施する。描画工程では、その内部工程として、描画工程(S110)と、マスク情報描画工程(S112)という一連の工程を実施する。マスクパターン形成工程は、その内部工程として、現像工程(S114)とエッチング工程(S116)という一連の工程を実施する。転写工程は、その内部工程として、マスク情報読み出し工程(S118)と、判定工程(S119)と、パターンA露光工程(S120)と、パターンB露光工程(S122)という一連の工程を実施する。ウェハパターン形成工程は、その内部工程として、現像工程(S124)とエッチング工程(S126)と膜形成工程(S128)と平坦化処理工程(S130)という一連の工程を実施する。
(1) Δl(x,y)=
γ・∫ρL(x−x’,y−y’)・gL(x−x’,y−y’)dx’dy’
(2) D(x,y)=D0(Δl(x,y))・d(η(Δl(x,y),x,y)
(3) d(η(Δl(x,y),x,y)=
{(1/2)+η(Δl(x,y))/{(1/2)+η(Δl(x,y))・U(x,y)}
(4) U(x,y)=
∫ρp(x−x’,y−y’)・gp(x−x’,y−y’)dx’dy’
12,14 小領域
20,22,24 OPC補正済みパターン
30,32 照明形状
40,42 瞳面形状
50,51,60,61 メッシュ領域
70 ショットデータ生成部
71 マージ処理部
72 ローディング効果補正量演算部
74 照射量演算部
76 マスク情報描画データ生成部
78 描画処理部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
120 制御回路
140,142,146,148 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
300 転写装置
301 ウェハ
302転写部
303 光源
304 制御部
305,307 光学系
306 瞳面光分布調整基板
308 照明形状調整基板
310 制御計算機
312 読み出し部
313 判定部
314 条件設定部
316 転写制御部
320 制御回路
330 電子線
400 制御計算機
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
500 ガラス基板
510 遮光膜
511,611 開口部
512,612 レジスト膜
600 シリコン基板
601 下地パターン
610 絶縁膜
613 光
Claims (5)
- 半導体基板に形成される予定の所望のパターンのパターン領域を複数の小領域に分割する工程と、
前記小領域毎に、前記半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状と、転写する際に用いるマスク上に形成される、前記所望のパターンのうち当該小領域分を示す部分パターンが補正されたマスクパターンのパターン形状との組み合わせを取得する工程と、
小領域毎に、取得された組み合わせの形状の照明光で取得された組み合わせのマスクパターンを前記半導体基板に転写することによって、分割された全ての小領域の部分パターンが順に転写されるように前記半導体基板を多重露光する工程と、
多重露光された半導体基板上に前記所望のパターンを形成する工程と、
を備え、
前記複数の小領域には、それぞれ異なる部分パターンが配置され、
前記小領域毎の部分パターン用のマスクパターンのパターン形状は、当該小領域にそれぞれ設定される転写用の照明光の形状の条件下で前記半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなるように補正されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板に形成される予定の所望のパターンのパターン領域が分割された複数の小領域の各小領域分のマスクパターンのパターンデータを入力し、記憶する記憶部と、
各小領域分のマスクパターンデータを読み出し、各小領域分のマスクパターンを分割前の位置にマージするマージ処理部と、
前記パターン領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域内のパターン寸法誤差を補正する補正量をマージ後のマスクパターンを用いて演算する補正量演算部と、
メッシュ領域毎に前記補正量で補正されたマスクパターンを、前記小領域毎にマスク上の独立した別々の位置に描画する描画部と、
を備え、
前記小領域毎に、前記半導体基板に転写される際、当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状が用いられ、
前記複数の小領域には、それぞれ異なる部分パターンが配置され、
前記小領域毎の部分パターン用のマスクパターンのパターン形状は、当該小領域にそれぞれ設定される転写用の照明光の形状の条件下で前記半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなるように補正されることを特徴とする描画装置。 - 半導体基板に形成される予定の所望のパターンの第1のパターンデータを記憶装置に記憶する処理と、
前記所望のパターンのパターン領域を複数の小領域に分割する処理と、
前記小領域毎に、前記半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状と、転写する際に用いるマスク上に形成される、前記所望のパターンのうち当該小領域分を示す部分パターンが補正されたマスクパターンのパターン形状との組み合わせを取得する処理と、
小領域毎に、取得された組み合わせの相関データと、組み合わせのパターン形状となるマスクパターンの第2のパターンデータを出力する処理と、
をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記複数の小領域には、それぞれ異なる部分パターンが配置され、
前記小領域毎の部分パターン用のマスクパターンのパターン形状は、当該小領域にそれぞれ設定される転写用の照明光の形状の条件下で前記半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなるように補正されているプログラム。 - 半導体基板に形成される予定の所望のパターンのパターン領域が分割された複数の小領域の各小領域分のマスクパターンのパターンデータと、分割された前記複数の小領域の位置を示す分割領域情報と、各小領域分のマスクパターンとそれぞれ組となる照明光の形状を示す照明光情報とを入力し、記憶する記憶部と、
各小領域分のマスクパターンを、小領域毎にマスク上の独立した別々の位置に描画すると共に、各小領域分のマスクパターンと重ならないマスク上の位置に前記分割領域情報と照明光情報とを示すコード図形パターンを描画する描画部と、
を備え、
前記小領域毎に、前記半導体基板に転写される際、当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状が用いられ、
前記複数の小領域には、それぞれ異なる部分パターンが配置され、
前記小領域毎の部分パターン用のマスクパターンのパターン形状は、当該小領域にそれぞれ設定される転写用の照明光の形状の条件下で前記半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなるように補正されていることを特徴とする描画装置。 - 半導体基板に形成される予定の所望のパターンのパターン領域が分割された複数の小領域の位置を示す第1の分割領域情報と、各小領域分のマスクパターンとそれぞれ組となる照明光の形状を示す複数の第1の照明光情報とをマスクから光学的に読み出す読み出し部と、
小領域毎に、各小領域分のマスクパターンとそれぞれ組となる照明光の形状を示す複数の第2の照明光情報を入力し、小領域毎に、前記第1と第2の照明光情報が一致するかどうかを判定する判定部と、
小領域毎に、一致すると判定された照明光情報が示す形状の照明光で当該小領域用のマスクパターンを前記半導体基板に転写することによって、分割された全ての小領域の部分パターンが順に転写されるように前記半導体基板を多重露光する露光部と、
を備え、
前記小領域毎に、前記半導体基板に転写される際、当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状が用いられ、
前記複数の小領域には、それぞれ異なる部分パターンが配置され、
前記小領域毎の部分パターン用のマスクパターンのパターン形状は、当該小領域にそれぞれ設定される転写用の照明光の形状の条件下で前記半導体基板に転写された際の当該小領域分を示す部分パターンのパターン寸法誤差がより小さくなるように補正されていることを特徴とする転写装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011077811A JP5764364B2 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 半導体装置の製造方法、描画装置、プログラム及びパターン転写装置 |
US13/431,229 US9122176B2 (en) | 2011-03-31 | 2012-03-27 | Method for fabricating semiconductor device, pattern writing apparatus, recording medium recording program, and pattern transfer apparatus |
US14/792,192 US9535327B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-07-06 | Method for fabricating semiconductor device, pattern writing apparatus, recording medium recording program, and pattern transfer apparatus |
US15/355,760 US10884336B2 (en) | 2011-03-31 | 2016-11-18 | Method for fabricating semiconductor device, pattern writing apparatus, recording medium recording program, and pattern transfer apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011077811A JP5764364B2 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 半導体装置の製造方法、描画装置、プログラム及びパターン転写装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012212793A JP2012212793A (ja) | 2012-11-01 |
JP5764364B2 true JP5764364B2 (ja) | 2015-08-19 |
Family
ID=46927797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011077811A Active JP5764364B2 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 半導体装置の製造方法、描画装置、プログラム及びパターン転写装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9122176B2 (ja) |
JP (1) | JP5764364B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5693981B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2015-04-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
US9003338B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-04-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Common template for electronic article |
US9053286B1 (en) * | 2013-03-25 | 2015-06-09 | Synopsys, Inc. | Verification of fractured mask data |
US9529959B2 (en) * | 2014-02-27 | 2016-12-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for pattern correction in e-beam lithography |
JP6349944B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-07-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
JP2016054228A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | 株式会社東芝 | シミュレーションプログラム、シミュレーション装置、およびシミュレーション方法 |
KR102418581B1 (ko) * | 2015-10-21 | 2022-07-08 | 삼성전자주식회사 | 패턴 생성 방법 및 이를 수행하기 위한 패턴 발생기 |
US10671786B2 (en) * | 2016-11-29 | 2020-06-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of modeling a mask by taking into account of mask pattern edge interaction |
US20200096876A1 (en) * | 2018-09-25 | 2020-03-26 | Asml Us, Llc F/K/A Asml Us, Inc. | Dose Map Optimization for Mask Making |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2902506B2 (ja) * | 1990-08-24 | 1999-06-07 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JPH05326359A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-12-10 | Toshiba Corp | レチクル管理システム |
JP3947755B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2007-07-25 | 株式会社ルネサステクノロジ | パタン形成方法及び集積回路の製造方法 |
JP3321096B2 (ja) * | 1998-07-14 | 2002-09-03 | 三菱電機株式会社 | 車両位置計測装置および速度計測装置 |
US6710847B1 (en) | 1998-11-06 | 2004-03-23 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
JP4352498B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2009-10-28 | ソニー株式会社 | パターン露光方法とこれに用いる処理装置 |
JP3368265B2 (ja) | 2000-03-02 | 2003-01-20 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2004153120A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Canon Inc | 転写露光方法 |
JP4586954B2 (ja) * | 2003-04-04 | 2010-11-24 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
EP1467252A1 (en) | 2003-04-07 | 2004-10-13 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing method and mask set for use in the method |
JP4461806B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2010-05-12 | 凸版印刷株式会社 | パターン描画装置及びパターン描画方法ならびにそのプログラム、フォトマスクとその製造方法および半導体集積回路とその製造方法 |
JP4744980B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2011-08-10 | 株式会社東芝 | パターン検証方法、そのプログラム、半導体装置の製造方法 |
KR100687883B1 (ko) | 2005-09-03 | 2007-02-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 노광용 포토마스크 및 이를 이용한 이중 노광 방법 |
JP4476975B2 (ja) | 2005-10-25 | 2010-06-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置 |
US7619230B2 (en) | 2005-10-26 | 2009-11-17 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing method and apparatus and readable storage medium |
TWI323004B (en) | 2005-12-15 | 2010-04-01 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam writing method and apparatus |
JP5063071B2 (ja) | 2006-02-14 | 2012-10-31 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パタン作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP4773224B2 (ja) | 2006-02-14 | 2011-09-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム |
JP4976071B2 (ja) | 2006-02-21 | 2012-07-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
US8023103B2 (en) | 2006-03-03 | 2011-09-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
WO2007100081A1 (ja) | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2008071928A (ja) | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Nuflare Technology Inc | 描画パターンのリサイズ方法及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5209200B2 (ja) | 2006-11-29 | 2013-06-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5133087B2 (ja) | 2007-02-23 | 2013-01-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体装置の製造方法 |
JP5133728B2 (ja) | 2007-03-09 | 2013-01-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5087318B2 (ja) | 2007-05-30 | 2012-12-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2008311502A (ja) | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP5079410B2 (ja) | 2007-07-06 | 2012-11-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
US7872745B2 (en) | 2007-08-08 | 2011-01-18 | Nuflare Technology, Inc. | Pattern inspection apparatus and pattern inspection method |
JP5020745B2 (ja) | 2007-08-29 | 2012-09-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5020746B2 (ja) | 2007-08-29 | 2012-09-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5123630B2 (ja) | 2007-09-27 | 2013-01-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
JP5305641B2 (ja) | 2007-11-21 | 2013-10-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
JP5020849B2 (ja) | 2008-02-13 | 2012-09-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、パターンの寸法誤差補正装置及びパターンの寸法誤差補正方法 |
US9323140B2 (en) * | 2008-09-01 | 2016-04-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
JP5350121B2 (ja) | 2008-09-11 | 2013-11-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
JP5484808B2 (ja) | 2008-09-19 | 2014-05-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置及び描画方法 |
JP5199896B2 (ja) | 2009-01-06 | 2013-05-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画方法及び描画装置 |
JP5695924B2 (ja) | 2010-02-01 | 2015-04-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 欠陥推定装置および欠陥推定方法並びに検査装置および検査方法 |
JP6339807B2 (ja) | 2014-01-16 | 2018-06-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 露光用マスクの製造方法、露光用マスクの製造システム、及び半導体装置の製造方法 |
-
2011
- 2011-03-31 JP JP2011077811A patent/JP5764364B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-27 US US13/431,229 patent/US9122176B2/en active Active
-
2015
- 2015-07-06 US US14/792,192 patent/US9535327B2/en active Active
-
2016
- 2016-11-18 US US15/355,760 patent/US10884336B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120252215A1 (en) | 2012-10-04 |
US9535327B2 (en) | 2017-01-03 |
US9122176B2 (en) | 2015-09-01 |
US10884336B2 (en) | 2021-01-05 |
JP2012212793A (ja) | 2012-11-01 |
US20150309412A1 (en) | 2015-10-29 |
US20170068172A1 (en) | 2017-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5764364B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、描画装置、プログラム及びパターン転写装置 | |
TWI496182B (zh) | 以可變束模糊技術使用帶電粒子束微影術製造表面之方法及系統 | |
TWI506672B (zh) | 用於在表面碎化及形成圓形圖案與用於製造半導體裝置之方法 | |
KR100998770B1 (ko) | 하전 입자 빔 묘화 장치, 패턴의 치수 오차 보정 장치 및 패턴의 치수 오차 보정 방법 | |
US10417376B2 (en) | Source beam optimization method for improving lithography printability | |
KR20110069044A (ko) | 가변 형상 비임 리소그래피를 이용한 레티클의 광 근접 보정, 설계 및 제조 방법 | |
JP4160203B2 (ja) | マスクパターン補正方法及びマスクパターン補正プログラムを記録した記録媒体 | |
JP2022515123A (ja) | 荷電粒子ビームの描画時間を短縮させる方法及びシステム | |
US9136092B2 (en) | Structure and method for E-beam writing | |
US20150040079A1 (en) | Method for Electron Beam Proximity Correction with Improved Critical Dimension Accuracy | |
KR20120056923A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
JP2011198922A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
TWI778337B (zh) | 帶電粒子束描繪方法及帶電粒子束描繪裝置 | |
JP2013115304A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5469531B2 (ja) | 描画データの作成方法、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2010267723A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP4939076B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6819475B2 (ja) | データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム | |
US10217606B2 (en) | Charged particle beam drawing method and charged particle beam drawing apparatus | |
JP2008311581A (ja) | 荷電粒子ビーム装置、露光データ作成方法およびパターン露光方法 | |
JP2019068000A (ja) | シミュレーション装置、荷電粒子ビーム描画システム、及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
CN116203803A (zh) | 用于光学邻近校正的方法和制造半导体器件的方法 | |
JP2010147449A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2019029567A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、及びパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141021 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150526 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150615 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5764364 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |