JP2008311502A - パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パターン形成方法は、複数種類のパターンを形成するパターン形成方法であって、前記複数種類のパターンを、第1の照明形状の第1の照明で形成する第1のパターンと、前記第1の照明形状とは異なる第2の照明形状の第2の照明で形成する第2のパターンとに分類する工程(S101)と、前記第1の照明で前記第1のパターンを第1のレジスト層に露光する工程(S104)と、前記第2の照明で前記第2のパターンを前記第1のレジスト層とは別の第2のレジスト層に露光する工程(S110)とを含む。
【選択図】 図2
Description
S. D. Hsu et al."Diope Decomposition Mask-design for Full Chip Implementation",Proc. SPIE vol. 4691, 476 (2002)
本発明の第1の実施形態に関わるパターン形成方法を図1および図2を用いて説明する。
本発明の第2の実施形態に関わるパターン形成方法を図9乃至図17を用いて説明する。
本発明の第3の実施形態に関わるパターン形成方法を図20及び図21を用いて説明する。
しかし、先にも述べたが、図19に示されるように、もう一方の露光で露光される領域にはそのパターンよりも大きいシールディングパターン191、192を入れる必要があり、チップ面積を広げてしまうという問題があった。さらに縦横のラインをつなごうとすると、図19に示したように光学像のコントラストが低くトリッキーなシールディング部分191でつなぐ必要があり、配線の信頼性が低下するという問題があった。
その後、PEB(ステップS304)、現像(ステップS305)まで行い、一層目のレジストパターンを形成する。一層目のレジストパターンが二層目のレジスト塗布やパターニング時に溶解してしまう場合には、二層目のレジスト塗布の前に、第1、第2の実施形態と同様に、レジスト不溶化を行う(ステップS306)。
80…配線、81、91…セル部、82、92…周辺回路部、151、152…開口、
191、192…シールディングパターン、221、222、223、224…エッジ。
Claims (5)
- 複数種類のパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記複数種類のパターンを、第1の照明形状の第1の照明で形成する第1のパターンと、前記第1の照明形状とは異なる第2の照明形状の第2の照明で形成する第2のパターンとに分類する工程と、
前記第1の照明で前記第1のパターンを第1のレジスト層に露光する工程と、
前記第2の照明で前記第2のパターンを前記第1のレジスト層とは別の第2のレジスト層に露光する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記第1のパターンは周期長がpのラインアンドスペースパターンであり、
前記第1の照明は二重極照明で、照明の半径を1、投影レンズの開口数をNAとしたとき、露光波長/(2p*NA)だけ離れた2つの位置を含むように、開口部或いは光強度が周囲より高い領域が設けられており、前記2つの位置を結ぶ線が前記第1のパターンのライン方向と直交している、
前記第2のパターンはライン幅、スペース幅ともにp/2より大きい寸法を有するパターンである
ことを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 - 前記第1のパターンは同一パターンが並んだ周期パターンであり、
前記第2のパターンは複数種類のパターンを含んだ周辺回路パターンである
ことを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 - 前記第1のパターンは、周期長がp1のラインアンドスペースパターンであり、
前記第1の照明は二重極照明で、照明の半径を1、投影レンズの開口数をNA1としたとき、露光波長/(2p1*NA1)だけ離れた2つの位置を含むように、開口部或いは光強度が周囲より高い領域が設けられており、前記2つの位置を結ぶ線が前記第1のパターンのライン方向と直交している、
前記第2のパターンは、前記第1のパターンのラインアンドスペースパターンと直交する周期長がp2のラインアンドスペースパターンであり、
前記第2の照明は二重極照明で、照明の半径を1、投影レンズの開口数をNA2としたとき、露光波長/(2p2*NA2)だけ離れた2つの位置を含むように、開口部或いは光強度が周囲より高い領域が設けられており、前記2つの位置を結ぶ線が前記第2のパターンのライン方向と直交している
ことを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 - 前記第1のパターンは、それぞれの周期長がpi(i=1,2,3…)の互いに平行な複数のラインアンドスペースパターンであり、
前記第1の照明は二重極照明で、照明の半径を1、投影レンズの開口数をNA1としたとき、露光波長/(2pi*NA1)だけ離れた2つの位置を全ての周期長piに対して含むように、開口部或いは光強度が周囲より高い領域が設けられており、前記2つの位置を結ぶ線が前記第1のパターンのライン方向と直交している、
前記第2のパターンは、前記第1のパターンのラインアンドスペースパターンと直交し、且つそれぞれの周期長がqi(i=1,2,3…)の互いに平行な複数のラインアンドスペースパターンであり、
前記第2の照明は二重極照明で、照明の半径を1、投影レンズの開口数をNA2としたとき、露光波長/(2qi*NA2)だけ離れた2つの位置を全ての周期長qiに対して含むように、開口部或いは光強度が周囲より高い領域が設けられており、前記2つの位置を結ぶ線が前記第2のパターンのライン方向と直交している
ことを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007158904A JP2008311502A (ja) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | パターン形成方法 |
US12/136,368 US20090011370A1 (en) | 2007-06-11 | 2008-06-10 | Pattern forming method using two layers of resist patterns stacked one on top of the other |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007158904A JP2008311502A (ja) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | パターン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008311502A true JP2008311502A (ja) | 2008-12-25 |
Family
ID=40238843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007158904A Pending JP2008311502A (ja) | 2007-06-11 | 2007-06-15 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008311502A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2007
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