JP5469531B2 - 描画データの作成方法、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
描画データの作成方法、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5469531B2 JP5469531B2 JP2010115586A JP2010115586A JP5469531B2 JP 5469531 B2 JP5469531 B2 JP 5469531B2 JP 2010115586 A JP2010115586 A JP 2010115586A JP 2010115586 A JP2010115586 A JP 2010115586A JP 5469531 B2 JP5469531 B2 JP 5469531B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- accuracy
- data
- charged particle
- particle beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 64
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 57
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 26
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 30
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 30
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 231100000628 reference dose Toxicity 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31769—Proximity effect correction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
荷電粒子ビームを用いて描画される描画精度の異なる複数のパターンが定義された描画データを記憶する記憶装置から各パターンのデータを読み出し、描画精度が低精度側のパターンのうち、描画精度が高精度側のパターンの領域端から近接効果の影響範囲内に位置する部分パターンを切り出す工程と、
切り出された低精度側の部分パターンと当該高精度側のパターンとをマージ処理する工程と、
マージ処理されたパターンのデータと切り出されずに残った低精度側の残部分パターンのデータとを出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
荷電粒子ビームを用いて描画される描画精度の異なる複数のパターンが定義された描画データを記憶する記憶装置から各パターンのデータを読み出し、描画精度が低精度側のパターンのうち、描画精度が高精度側のパターンの領域端から近接効果の影響範囲内に位置する部分パターンを切り出す工程と、
切り出された低精度側の部分パターンと当該高精度側のパターンとをマージ処理する工程と、
マージ処理されたパターンのデータと、高精度側のパターンとマージ処理されずに残った低精度側の残部分パターンのデータとに基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料にマージ処理されたパターンと残部分パターンとを異なる描画条件により描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
荷電粒子ビームを用いて描画される描画精度の異なる複数のパターンが定義された描画データを記憶する記憶装置と、
前記記憶装置から各パターンのデータを読み出し、描画精度が低精度側のパターンのうち、描画精度が高精度側のパターンの領域端から近接効果の影響範囲内に位置する部分パターンを切り出す切り出し部と、
切り出された低精度側の部分パターンと当該高精度側のパターンとをマージ処理するマージ処理部と、
マージ処理されたパターンのデータと、高精度側のパターンとマージ処理されずに残った低精度側の残部分パターンのデータとに基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料にマージ処理されたパターンと残部分パターンとを異なる描画条件により描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型(VSB型)の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング偏向器(ブランカー)212、ブランキングアパーチャ214、第1の成形アパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2の成形アパーチャ206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。描画室103内には、少なくともXY方向に移動可能なXYステージ105が配置される。XYステージ105上には、レジストが塗布された描画対象となる試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。
20 周辺パターン
21 残部分パターン
22,24,26,28 影響範囲
32,34,36,38 部分パターン
50,52,58,60 判定部
54 切り出し部
56 マージ処理部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110,120 制御計算機
111 メモリ
130 制御回路
140,142,144 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 第1の成形アパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206 第2の成形アパーチャ
207 対物レンズ
208 偏向器
212 ブランキング偏向器
214 ブランキングアパーチャ
330 電子線
340 試料
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
500 描画データ作成装置
Claims (5)
- 荷電粒子ビームを用いて描画される描画精度の異なる複数のパターンが定義された描画データを記憶する記憶装置から各パターンのデータを読み出し、描画精度が低精度側のパターンのうち、描画精度が高精度側のパターンの領域端から近接効果の影響範囲内に位置する部分パターンを切り出す工程と、
切り出された低精度側の部分パターンと当該高精度側のパターンとをマージ処理する工程と、
マージ処理されたパターンのデータと切り出されずに残った低精度側の残部分パターンのデータとを出力する工程と、
を備えたことを特徴とする描画データの作成方法。 - 荷電粒子ビームを用いて描画される描画精度の異なる複数のパターンが定義された描画データを記憶する記憶装置から各パターンのデータを読み出し、描画精度が低精度側のパターンのうち、描画精度が高精度側のパターンの領域端から近接効果の影響範囲内に位置する部分パターンを切り出す工程と、
切り出された低精度側の部分パターンと当該高精度側のパターンとをマージ処理する工程と、
マージ処理されたパターンのデータと、高精度側のパターンとマージ処理されずに残った低精度側の残部分パターンのデータとに基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料に前記マージ処理されたパターンと前記残部分パターンとを異なる描画条件により描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記マージ処理されたパターンと前記残部分パターンとを描画する際に、前記描画条件として、最大ショットサイズとビーム偏向時のセトリング時間と多重度との少なくとも1つを変えて描画することを特徴とする請求項2記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記マージ処理されたパターンと前記残部分パターンとを描画する際に、前記マージ処理されたパターンと前記残部分パターンとの一方の描画が完了した後に、他方の描画を行なうことを特徴とする請求項2又は3記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 荷電粒子ビームを用いて描画される描画精度の異なる複数のパターンが定義された描画データを記憶する記憶装置と、
前記記憶装置から各パターンのデータを読み出し、描画精度が低精度側のパターンのうち、描画精度が高精度側のパターンの領域端から近接効果の影響範囲内に位置する部分パターンを切り出す切り出し部と、
切り出された低精度側の部分パターンと当該高精度側のパターンとをマージ処理するマージ処理部と、
マージ処理されたパターンのデータと、高精度側のパターンとマージ処理されずに残った低精度側の残部分パターンのデータとに基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料に前記マージ処理されたパターンと前記残部分パターンとを異なる描画条件により描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010115586A JP5469531B2 (ja) | 2010-05-19 | 2010-05-19 | 描画データの作成方法、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
US13/108,299 US8301291B2 (en) | 2010-05-19 | 2011-05-16 | Charged particle beam writing apparatus, write data creation method and charged particle beam writing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010115586A JP5469531B2 (ja) | 2010-05-19 | 2010-05-19 | 描画データの作成方法、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011243805A JP2011243805A (ja) | 2011-12-01 |
JP5469531B2 true JP5469531B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=44972436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010115586A Active JP5469531B2 (ja) | 2010-05-19 | 2010-05-19 | 描画データの作成方法、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8301291B2 (ja) |
JP (1) | JP5469531B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104335685B (zh) * | 2012-06-01 | 2017-10-03 | 西门子公司 | 用于使带电粒子偏转的偏转板和偏转设备 |
JP2017228603A (ja) * | 2016-06-21 | 2017-12-28 | 大日本印刷株式会社 | 描画データ作成プログラム、描画データ作成装置、描画データ作成方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0766098A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-10 | Hitachi Ltd | 描画データ作成方法、及び描画データ作成装置 |
JPH10301255A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Hitachi Ltd | 電子線マスク描画方法 |
JPH10303120A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 半導体装置製造方法 |
US6313476B1 (en) | 1998-12-14 | 2001-11-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam lithography system |
JP2003077821A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | パターン描画方法と露光用マスクの製造方法 |
JP2004212482A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Fujitsu Ltd | フォトマスクの製造方法 |
JP4476975B2 (ja) | 2005-10-25 | 2010-06-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置 |
-
2010
- 2010-05-19 JP JP2010115586A patent/JP5469531B2/ja active Active
-
2011
- 2011-05-16 US US13/108,299 patent/US8301291B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110286319A1 (en) | 2011-11-24 |
JP2011243805A (ja) | 2011-12-01 |
US8301291B2 (en) | 2012-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4773224B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム | |
JP4945380B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5199896B2 (ja) | 描画方法及び描画装置 | |
JP5020849B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置、パターンの寸法誤差補正装置及びパターンの寸法誤差補正方法 | |
JP5616674B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
US8552405B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method | |
JP6057635B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
US9484185B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus, and charged particle beam writing method | |
JP5607413B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5985852B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6515835B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5841819B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6262007B2 (ja) | セトリング時間の取得方法 | |
US11443918B2 (en) | Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus | |
JP2019106499A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5469531B2 (ja) | 描画データの作成方法、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP6171062B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5758325B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5871557B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2019068000A (ja) | シミュレーション装置、荷電粒子ビーム描画システム、及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6039970B2 (ja) | セトリング時間の設定方法、荷電粒子ビーム描画方法、および荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP6478782B2 (ja) | ビームドリフト量の測定方法 | |
JP5649869B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP4746928B2 (ja) | 描画方法、描画装置及び電子ビーム描画における電子ビームの加速電圧値取得方法 | |
JP5566235B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130411 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140123 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140131 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5469531 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |