JP4945380B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、近接効果による寸法変動を補正する荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画方法に関する。

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。

図７は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。まず、第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口４２１の一部を通過して、ステージ上に搭載された試料に照射される。ステージは、描画中、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動している。このように、開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、試料３４０の描画領域に描画される。開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。

上述した電子ビーム描画では、より高精度な試料面内、例えばマスク面内の線幅均一性が求められている。ここで、かかる電子ビーム描画では、電子ビームをレジストが塗布されたマスクに照射して回路パターンを描画する場合、電子ビームがレジスト層を透過してその下の層に達し、再度レジスト層に再入射する後方散乱による近接効果と呼ばれる現象が生じてしまう。これにより、描画の際、所望する寸法からずれた寸法に描画されてしまう寸法変動が生じてしまう。

この近接効果を補正するために、回路パターン全体を、０．５μｍ角の近接効果小区画に分割し影響度マップ作成を行なう。そして、５０％の所定面積密度の回路パターンを適切に描画でき照射量（固定値）と、近接効果影響値αマップと、近接効果補正係数ηマップを用いて、描画するための照射量を算出する手法についての記載が文献に開示されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−１９５７８７号公報

従来の近接効果補正計算では、チップ領域を同じ大きさの計算領域（ブロック）に分割して、このブロック毎に補正計算を行なっていた。計算を行なうには、ブロックをさらに小さくメッシュ状の小領域に分割して計算される。また、この小領域によって切り取られる内部の図形の面積を累積加算したパターン面積密度を小領域の位置で定義したパターン面積密度マップがブロック毎に作成される。そして、近接効果補正計算では、このパターン面積密度マップが用いられる。

ここで、パターン面積密度計算の計算時間は、ショット数に比例する。そのため、同じ大きさのブロックでは、ショット数にばらつきが生じるためブロック毎の計算時間がばらばらとなり効率的に計算できないといった問題があった。そこで、各ブロックに含まれるショット数が同程度になるようにブロックの大きさを変えることにより各ブロック間での計算時間を同程度にすることができる。

一方、近接効果補正計算の計算時間は、メッシュ状の小領域数に比例する。そのため、ブロックのサイズが大きい領域では計算時間が長くなり、ブロックのサイズが小さい領域では計算時間が逆に短くなる。よって、パターン面積密度の計算のためにブロックサイズを不均一にすると近接効果補正計算では、ブロック毎の計算時間がばらばらとなり効率的に計算できなくなるといった問題があった。以上のように、一方を優先すれば他方に問題が生じてしまう結果となっていた。

そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、パターン面積密度計算と近接効果補正計算とを効率的に行なうことが可能な描画装置及び方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数の第１のブロック領域に分割する第１のブロック領域分割部と、
描画領域を第１のブロック領域のいずれよりも小さい所定のサイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域を用いて、第１のブロック領域毎に、内部に位置する各小領域のパターン面積密度を計算する面積密度計算部と、
複数の第１のブロック領域に分割された描画領域を改めて小領域より大きな均一なサイズで複数の第２のブロック領域に分割する第２のブロック領域分割部と、
第２のブロック領域毎に、第２のブロック領域内部に位置する各小領域における近接効果補正照射量を対応する小領域のパターン面積密度を用いて計算する補正照射量計算部と、
各小領域における荷電粒子ビームのビーム照射量を対応する小領域の近接効果補正照射量を用いて計算するビーム照射量計算部と、
小領域毎に計算されたビーム照射量で荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。

以上のように、パターン面積密度計算と近接効果補正計算とで異なるブロック領域を用いる。そして、パターン面積密度計算では、ショット数が互いに略同一になるような第１のブロック領域を使う。他方、近接効果補正計算では、均一なサイズの第２のブロック領域を使う。これによりそれぞれ適したブロックで計算が可能となる。

そして、複数の第２のブロック領域に分割された描画領域を改めて複数の第１のブロック領域に分割し直す第３のブロック領域分割部をさらに備える。そして、ビーム照射量計算部は、第１のブロック領域内部に位置する各小領域の近接効果補正照射量を用いてビーム照射量を計算するとなお好適である。

さらに、面積密度計算部は、小領域毎のパターン面積密度マップを作成する。そして、補正照射量計算部は、パターン面積密度マップから対応する小領域のパターン面積密度を参照するとなお好適である。

さらに、補正照射量計算部は、小領域毎の近接効果補正照射量マップを作成する。そして、ビーム照射量計算部は、近接効果補正照射量マップから対応する小領域の近接効果補正照射量を参照するとなお好適である。

また、本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数の第１のブロック領域に分割する工程と、
描画領域を前記第１のブロック領域のいずれよりも小さい所定のサイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域を用いて、第１のブロック領域毎に、内部に位置する各小領域のパターン面積密度を計算する工程と、
複数の第１のブロック領域に分割された描画領域を改めて小領域より大きな均一なサイズで複数の第２のブロック領域に分割する工程と、
第２のブロック領域毎に、第２のブロック領域内部に位置する各小領域における近接効果補正照射量を対応する小領域のパターン面積密度を用いて計算する工程と、
各小領域における荷電粒子ビームのビーム照射量を対応する小領域の近接効果補正照射量を用いて計算する工程と、
小領域毎に計算されたビーム照射量で荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、パターン面積密度計算と近接効果補正計算とについて、どちらもブロック領域毎の計算時間のばらつきを回避し、それぞれ同程度にすることができる。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子を用いたビームでも構わない。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例となる。そして、描画装置１００は、試料１０１に所望するパターンを描画する。描画部１５０は、電子鏡筒１０２、描画室１０３を有している。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ブランキング（ＢＬＫ）偏向器２１２、ブランキング（ＢＬＫ）アパーチャ２１４、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８が配置されている。また、描画室１０３内には、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５が配置されている。また、ＸＹステージ１０５上には、試料１０１が配置されている。試料１０１として、例えば、ウェハにパターンを転写する露光用のマスク基板が含まれる。マスク基板としては、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。制御部１６０は、駆動回路１０８、磁気ディスク装置１０９，１４０、偏向制御回路１１０、デジタルアナログ変換機（ＤＡＣ）１１２，１１４，１１６、制御計算機１２０、及びメモリ１２１を有している。制御計算機１２０内では、ブロック領域分割部１２２，１２８，１３２、メッシュ分割部１２４、面積密度計算部１２６、近接効果補正計算部１３０、照射量計算部１３４、照射時間計算部１３６、及び描画データ処理部１３８といった各機能を有している。制御計算機１２０には、磁気ディスク装置１０９に記憶された描画データが入力される。制御計算機１２０に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ１２１に記憶される。

制御計算機１２０には、メモリ１２１、偏向制御回路１１０、磁気ディスク装置１０９，１４０が図示していないバスを介して接続されている。偏向制御回路１１０は、ＤＡＣ１１２，１１４，１１６に接続される。ＤＡＣ１１２は、ＢＬＫ偏向器２１２に接続されている。ＤＡＣ１１４は、偏向器２０５に接続されている。ＤＡＣ１１６は、偏向器２０８に接続されている。

図１では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。また、図１では、コンピュータの一例となる制御計算機１２０で、ブロック領域分割部１２２，１２８，１３２、メッシュ分割部１２４、面積密度計算部１２６、近接効果補正計算部１３０、照射量計算部１３４、照射時間計算部１３６、及び描画データ処理部１３８といった各機能の処理を実行するように記載しているがこれに限るものではない。例えば、電気的な回路によるハードウェアにより実施させても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。

照射部の一例となる電子銃２０１から電子ビーム２００が照射される。電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。その結果、電子ビーム２００は成形される。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向される。その結果、連続移動するＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。ＸＹステージ１０５の移動は、駆動回路１０８によって駆動される。偏向器２０５の偏向電圧は、偏向制御回路１１０及びＤＡＣ１１４によって制御される。偏向器２０８の偏向電圧は、偏向制御回路１１０及びＤＡＣ１１６によって制御される。

ここで、試料１０１上の電子ビーム２００が、所望する照射量を試料１０１に入射させる照射時間ｔに達した場合、以下のようにブランキングする。すなわち、試料１０１上に必要以上に電子ビーム２００が照射されないようにするため、例えば静電型のＢＬＫ偏向器２１２で電子ビーム２００を偏向すると共にＢＬＫアパーチャ２１４で電子ビーム２００をカットする。これにより、電子ビーム２００が試料１０１面上に到達しないようにする。ＢＬＫ偏向器２１２の偏向電圧は、偏向制御回路１１０及びＤＡＣ１１２によって制御される。

ビームＯＮ（ブランキングＯＦＦ）の場合、電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、図１における実線で示す軌道を進むことになる。一方、ビームＯＦＦ（ブランキングＯＮ）の場合、電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、図１における点線で示す軌道を進むことになる。また、電子鏡筒１０２内および描画室１０３内は、図示していない真空ポンプにより真空引きされ、大気圧よりも低い圧力となる真空雰囲気となっている。

ここで、発明者等は、パターン面積密度を計算する際には、ショット数が同程度になるようなサイズが不均一な複数のブロックを計算領域とし、近接効果補正量を計算する際には、サイズが均一な複数のブロックを計算領域とすることで共に効率化を図ることができることを見出した。以下、効率化を図った計算手法による描画方法について説明する。

図２は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
まず、制御計算機１２０は、磁気ディスク装置１０９から描画データを読み込む。そして、その描画データを使って以下のような演算が各ステップで行なわれる。

Ｓ（ステップ）１０２において、ブロック分割工程として、ブロック領域分割部１２２（第１のブロック領域分割部）は、描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数のブロック領域（第１のブロック領域）に分割する。

図３は、実施の形態１におけるショット数が互いに略同一なブロック領域の一例を示す図である。
図３において、描画領域となるチップ領域１０は、まず、短冊状のフレーム領域１２（或いはストライプ領域ともいう）に仮想分割される。各フレーム領域１２は、偏向器２０８で偏向可能な幅で分割される。そして、各フレーム領域１２は、描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで分割される。この不均一なサイズで分割された各領域がブロック領域１４となる。ここで、図３では、ブロック領域１４に分割する際に各フレーム領域１２を長手方向に分割しただけであるが、これに限るものではなく、各フレーム領域１２を短手方向にさらに分割してもよい。

Ｓ１０４において、ショットデータ生成工程として、描画データ処理部１３８は、描画データを装置内フォーマットのショットデータへと変換する。その際、ブロック領域１４毎に変換する。

また、チップ領域１０は、メッシュ分割部１２４によって、複数のブロック領域１４のいずれよりも小さい所定のサイズでメッシュ状の複数の小領域に仮想分割される。
図４は、実施の形態１におけるショット数が互いに略同一なあるブロック領域がメッシュ分割された一例を示す図である。チップ領域１０は、メッシュ状の複数の小領域２０に振り分けられる。図４では、チップ領域１０のうち、任意のブロック領域１４について示している。メッシュサイズは、近接効果の影響範囲σの１／１０以下が望ましい。例えば、縦横１μｍ幅以下のグリッド寸法でメッシュ分割されると好適である。

Ｓ１０６において、面積密度計算工程として、面積密度計算部１２６は、上述した複数の小領域２０を用いて、ブロック領域１４毎に、内部に位置する各小領域２０のパターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）を計算する。ここでは、面積密度計算部１２６内で、ブロック領域１４毎に分散処理を行なう。座標（ｘ，ｙ）は、例えば、ブロック領域１４の基準位置からの小領域２０の位置で定義する。但し、これに限るものではなく、チップ領域１０の基準位置からの小領域２０の位置で定義しても構わない。或いは、その他の位置を基準しても構わない。パターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）は、小領域２０内部に位置する図形の面積を累積加算した値を該当する小領域２０の面積で割った値で示すことができる。ショット数が互いに略同一になるようなブロック領域１４を使うため、ブロック領域１４間の計算時間を同程度にすることができる。そして、面積密度計算部１２６は、計算されたパターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）を用いて、小領域２０の位置で定義されたパターン面積密度マップ１４２を作成する。そして、パターン面積密度マップ１４２は、磁気ディスク装置１４０に格納される。しかし、このまま近接効果補正計算を行なったのではブロック領域１４間の計算時間を同程度にすることができないので以下のように対応する。

Ｓ１０８において、ブロック領域再分割工程として、ブロック領域分割部１２８（第２のブロック領域分割部）は、複数のブロック領域１４に分割されたチップ領域１０を改めて小領域２０より大きな均一なサイズで複数のブロック領域１６（第２のブロック領域）に分割し直す。例えば、フレーム幅よりも大きなサイズで分割される。

図５は、実施の形態１における均一なサイズのブロック領域の一例を示す図である。
図５において、描画領域となるチップ領域１０は、上述したように、短冊状のフレーム領域１２に仮想分割されている。そして、各フレーム領域１２は、均一なサイズで分割される。この均一なサイズで分割された各領域がブロック領域１６となる。ここで、図５では、ブロック領域１６に分割する際に各フレーム領域１２を長手方向に分割しただけであるが、これに限るものではなく、各フレーム領域１２を短手方向にさらに分割してもよい。

図６は、実施の形態１における均一なサイズのブロック領域がメッシュ分割された一例を示す図である。チップ領域１０は、メッシュ状の複数の小領域２０に振り分けられているのでその複数の小領域２０がここでも当てはめられる。図６では、チップ領域１０のうち、任意のブロック領域１６について示している。

Ｓ１１０において、近接効果補正計算工程として、近接効果補正計算部１３０（補正照射量計算部）は、ブロック領域１６毎に、ブロック領域１６内部に位置する各小領域２０における近接効果補正照射量Ｄｐ（ｘ，ｙ）を対応する小領域２０のパターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）を用いて計算する。ここでは、近接効果補正計算部１３０内で、ブロック領域１６毎に、分散処理を行なう。ここでの（ｘ，ｙ）は、例えば、ブロック領域１６の基準位置からの小領域２０の位置で定義する。但し、これに限るものではなく、チップ領域１０の基準位置からの小領域２０の位置で定義しても構わない。或いは、その他の位置を基準しても構わない。近接効果補正計算部１３０は、磁気ディスク装置１４０からパターン面積密度マップ１４２を読み出す。そして、パターン面積密度マップ１４２から対応する小領域２０のパターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）を参照すればよい。座標近接効果補正照射量Ｄｐは、以下の式（１）により求めることができる。

ここで、ｇ（ｘ，ｙ）は、近接効果に起因する変動量のカーネル関数を示す。式（１）で示すように、パターン面積密度ρ関数とカーネル関数との畳み込み積分（コンボリューション）計算を行い、近接効果補正係数ηを用いた係数を掛け合わせたものが近接効果補正照射量Ｄｐとして定義することができる。ここでいうカーネル関数とは、近接効果量の広がりを表す関数で、例えばガウス関数を用いると好適である。均一なサイズのブロック領域１６を使うため、ブロック領域１６間の計算時間を同程度にすることができる。そして、近接効果補正計算部１３０は、計算された近接効果補正照射量Ｄｐ（ｘ，ｙ）を用いて、小領域２０の位置で定義された近接効果補正照射量マップ１４４を作成する。そして、近接効果補正照射量マップ１４４は、磁気ディスク装置１４０に格納される。

Ｓ１１２において、ブロック領域再分割工程として、ブロック領域分割部１３２（第３のブロック領域分割部）は、複数のブロック領域１６に分割されたチップ領域１０を改めて元の複数のブロック領域１４に分割し直す。近接効果補正照射量マップ１４４の座標がブロック領域１６の基準位置から定義されているのに対して、ショットデータは、ブロック領域１４で定義されるので、近接効果補正照射量Ｄｐ（ｘ，ｙ）とショットデータとの整合性をとるのに不便である。元の複数のブロック領域１４に分割し直すことで座標系を統一することで整合性をとりやすくすることができる。但し、ここでは利便性を向上させるために分割し直したが、これに限るものではなく、ブロック領域１６のままでも構わない。

Ｓ１１４において、ビーム照射量（Ｄｏｓｅ）計算工程として、照射量計算部１３４（ビーム照射量計算部）は、各小領域２０における電子ビーム２００のビーム照射量Ｄ（ｘ，ｙ）を対応する小領域２０の近接効果補正照射量Ｄｐ（ｘ，ｙ）を用いて計算する。照射量計算部１３４は、磁気ディスク装置１４０から近接効果補正照射量マップ１４４を読み出す。そして、近接効果補正照射量マップ１４４から対応する小領域２０の近接効果補正照射量Ｄｐ（ｘ，ｙ）を参照すればよい。このようにして、ブロック領域１４内部に位置する各小領域２０の近接効果補正照射量Ｄｐ（ｘ，ｙ）を用いてビーム照射量Ｄ（ｘ，ｙ）を計算する。ビーム照射量Ｄ（ｘ，ｙ）は、基準照射量Ｄ_０を用いて以下の式（２）により求めることができる。

（２） Ｄ（ｘ，ｙ）＝Ｄｐ（ｘ，ｙ）×Ｄ_０

Ｓ１１６において、照射時間計算工程として、照射時間計算部１３６は、小領域２０毎に、得られた照射量Ｄ（ｘ，ｙ）と設定されている電流密度Ｊを用いて、照射時間ｔ（＝照射量Ｄ（ｘ，ｙ）／電流密度Ｊ）を計算する。

Ｓ１１８において、描画工程として、制御計算機１２０は、求めた照射時間ｔで試料１０１のへのビーム照射がＯＦＦになるように偏向制御回路１１０に信号を出力する。そして、偏向制御回路１１０では、かかる信号に沿って、求めた照射時間ｔに合わせて、電子ビーム２００を偏向するようにＢＬＫ偏向器２１２を制御する。そして、所望する照射量Ｄ（ｘ，ｙ）を試料１０１に照射した後、ＢＬＫ偏向器２１２により偏向された電子ビーム２００は、試料１０１に到達しないようにＢＬＫアパーチャ２１４によって遮蔽される。このようにして、描画部１５０は、小領域２０毎に計算されたビーム照射量で電子ビーム２００を照射する。これにより、試料１０１に所定のパターンを描画する。

以上のように、パターン面積密度計算と近接効果補正計算とで異なるブロック領域を用いる。そして、パターン面積密度計算では、ショット数が互いに略同一になるような第１のブロック領域を使う。他方、近接効果補正計算では、均一なサイズの第２のブロック領域を使う。これによりそれぞれ適したブロックで計算が可能となる。そのため、ショット数に疎密があっても、パターン面積密度計算と近接効果補正計算とを効率よく実行することができる。その結果、データ量が膨大となっても描画装置１００で高速に処理することができる。

以上の説明において、「〜部」或いは「〜工程」と記載したものの処理内容或いは動作内容は、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等の記録媒体に記録される。例えば、磁気ディスク装置１４０に記録される。

また、コンピュータとなる制御計算機１２０は、さらに、図示していないバスを介して、記憶装置の一例となるＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ、磁気ディスク（ＨＤ）装置、入力手段の一例となるキーボード（Ｋ／Ｂ）、マウス、出力手段の一例となるモニタ、プリンタ、或いは、入力出力手段の一例となる外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）、ＦＤ、ＤＶＤ、ＣＤ等に接続されていても構わない。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画方法及び装置は、本発明の範囲に包含される。

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態１におけるショット数が互いに略同一なブロック領域の一例を示す図である。 実施の形態１におけるショット数が互いに略同一なあるブロック領域がメッシュ分割された一例を示す図である。 実施の形態１における均一なサイズのブロック領域の一例を示す図である。 実施の形態１における均一なサイズのブロック領域がメッシュ分割された一例を示す図である。 従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。

符号の説明

１０ チップ領域
１２ フレーム領域
１４，１６ ブロック領域
２０ 小領域
１００ 描画装置
１０１，３４０ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１０８ 駆動回路
１０９，１４０ 磁気ディスク装置
１１０ 偏向制御回路
１１２，１１４，１１６ ＤＡＣ
１２０ 制御計算機
１２１ メモリ
１２２，１２８，１３２ ブロック領域分割部
１２４ メッシュ分割部
１２６ 面積密度計算部
１３０ 近接効果補正計算部
１３４ 照射量計算部
１３６ 照射時間計算部
１３８ 描画データ処理部
１４２，１４４ マップ
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３，４１０ 第１のアパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５，２０８ 偏向器
２０６，４２０ 第２のアパーチャ
２０７ 対物レンズ
２１２ ＢＬＫ偏向器
２１４ ＢＬＫアパーチャ
３３０ 電子線
４１１ 開口
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース

Claims (5)

1. 描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数の第１のブロック領域に分割する第１のブロック領域分割部と、
   前記描画領域を前記第１のブロック領域のいずれよりも小さい所定のサイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域を用いて、前記第１のブロック領域毎に、内部に位置する各小領域のパターン面積密度を計算する面積密度計算部と、
   前記複数の第１のブロック領域に分割された前記描画領域を改めて前記小領域より大きな均一なサイズで複数の第２のブロック領域に分割する第２のブロック領域分割部と、
   前記第２のブロック領域毎に、前記第２のブロック領域内部に位置する各小領域における近接効果補正照射量を対応する前記小領域のパターン面積密度を用いて計算する補正照射量計算部と、
   各小領域における荷電粒子ビームのビーム照射量を対応する前記小領域の近接効果補正照射量を用いて計算するビーム照射量計算部と、
   前記小領域毎に計算されたビーム照射量で前記荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する描画部と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 前記複数の第２のブロック領域に分割された前記描画領域を改めて前記複数の第１のブロック領域に分割し直す第３のブロック領域分割部をさらに備え、
   前記ビーム照射量計算部は、前記第１のブロック領域内部に位置する各小領域の近接効果補正照射量を用いて前記ビーム照射量を計算することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 前記面積密度計算部は、前記小領域毎のパターン面積密度マップを作成し、
   前記補正照射量計算部は、前記パターン面積密度マップから対応する前記小領域のパターン面積密度を参照することを特徴とする請求項１又は２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
4. 前記補正照射量計算部は、前記小領域毎の近接効果補正照射量マップを作成し、
   前記ビーム照射量計算部は、前記近接効果補正照射量マップから対応する前記小領域の近接効果補正照射量を参照することを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
5. 描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数の第１のブロック領域に分割する工程と、
   前記描画領域を前記第１のブロック領域のいずれよりも小さい所定のサイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域を用いて、前記第１のブロック領域毎に、内部に位置する各小領域のパターン面積密度を計算する工程と、
   前記複数の第１のブロック領域に分割された前記描画領域を改めて前記小領域より大きな均一なサイズで複数の第２のブロック領域に分割する工程と、
   前記第２のブロック領域毎に、前記第２のブロック領域内部に位置する各小領域における近接効果補正照射量を対応する前記小領域のパターン面積密度を用いて計算する工程と、
   各小領域における荷電粒子ビームのビーム照射量を対応する前記小領域の近接効果補正照射量を用いて計算する工程と、
   前記小領域毎に計算されたビーム照射量で前記荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する工程と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。

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