JP5530724B2 - 荷電粒子ビーム描画装置およびその近接効果補正方法 - Google Patents

Description

本発明はレジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれる複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画装置およびその近接効果補正方法に関する。

従来から、レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンが試料の描画領域に描画され、高精度なパターンの描画を実現するために近接効果補正処理が実行される荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１に記載されたものがある。特許文献１の段落００７３に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、１０００μｍ□の領域の近接効果補正照射量を高精度に計算するために、その領域の周囲に２５μｍ幅のフリンジ領域が付加されて１０５０μｍ□の領域の近接効果補正照射量が計算され、１０５０μｍ□の領域の近接効果補正照射量の計算結果のうち、１０００μｍ□の領域の近接効果補正照射量の計算結果が採用されている。

特開２００３−３１８０７７号公報

試料の描画領域の面積に対するフリンジ領域の合計面積の割合は、ストライプの上下方向（短手方向）寸法が小さくなるに従って増加する傾向がある。また、試料の描画領域の面積に対するフリンジ領域の合計面積の割合は、荷電粒子銃から照射される荷電粒子ビームの加速電圧の増加に伴い、荷電粒子の後方散乱の半径が大きくなるに従って増加する傾向がある。一方、荷電粒子ビームの偏向に伴う歪を低減するために、偏向器による荷電粒子ビームの偏向量が低減される傾向があり、それに伴って、ストライプの上下方向寸法が小さくなる傾向がある。また、試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの前方散乱を低減するために、荷電粒子銃から照射される荷電粒子ビームの加速電圧が増加する傾向があり、それに伴って、荷電粒子の後方散乱の半径が大きくなる傾向がある。従って、試料の描画領域の面積に対するフリンジ領域の合計面積の割合は増加する傾向がある。つまり、フリンジ領域の近接効果補正照射量の計算負荷は増加する傾向がある。一方、フリンジ領域の近接効果補正照射量の計算負荷が増加すると、スループットの向上や計算機リソース削減の妨げになってしまうため、フリンジ領域の近接効果補正照射量の計算負荷を低減する必要がある。

本発明は、近接効果補正照射量計算用ブロック枠の周りのフリンジ領域内の近接効果補正照射量の計算負荷を低減することができる荷電粒子ビーム描画装置およびその近接効果補正方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する描画部と、各パターン面積密度計算用ブロック枠に含まれる荷電粒子ビームのショット数が概略等しくなるように試料の描画領域を複数に分割することによって複数のパターン面積密度計算用ブロック枠を作成するパターン面積密度計算用ブロック枠作成部と、複数のパターン面積密度計算用ブロック枠のパターン面積密度計算を並列に実行する複数のパターン面積密度計算部と、試料の描画領域を複数に分割することによって複数の近接効果補正照射量計算用ブロック枠を作成する近接効果補正照射量計算用ブロック枠作成部と、各近接効果補正照射量計算用ブロック枠それぞれについての第１項から第ｎ項（ｎは２以上の整数）までの近接効果補正照射量の計算を並列に実行する複数の近接効果補正照射量計算部と、パターン面積密度計算結果に基づいて近接効果補正照射量計算を実行することができる近接効果補正照射量計算用ブロック枠を複数に分割することにより、複数の近接効果補正照射量計算部によって、それぞれについての第１項から第ｍ項（ｍは１≦ｍ＜ｎの関係を満たす整数）までの近接効果補正照射量の計算が並列に実行される複数の近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠を作成する近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠作成部と、第１項から第ｍ項までの近接効果補正照射量の計算が終了した隣接している複数の近接効果補正照射量計算用ブロック枠を結合することによって、第ｍ＋１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠を作成する近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠作成部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

本発明の別の一態様によれば、レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する描画部と、試料の描画領域を複数に分割することによって複数のパターン面積密度計算用ブロック枠を作成するパターン面積密度計算用ブロック枠作成部と、複数のパターン面積密度計算用ブロック枠のパターン面積密度計算を並列に実行する複数のパターン面積密度計算部と、試料の描画領域を複数に分割することによって複数の近接効果補正照射量計算用ブロック枠を作成する近接効果補正照射量計算用ブロック枠作成部と、各近接効果補正照射量計算用ブロック枠それぞれについての第１項から第ｎ項（ｎは２以上の整数）までの近接効果補正照射量の計算を並列に実行する複数の近接効果補正照射量計算部と、第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行された後の第１の近接効果補正照射量計算用ブロック枠の一部分の近接効果補正照射量を、第１の近接効果補正照射量計算用ブロック枠に隣接する第２の近接効果補正照射量計算用ブロック枠に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算の実行時に、第２の近接効果補正照射量計算用ブロック枠の周りのフリンジ領域の一部分の近接効果補正照射量として再利用する再利用手段とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

本発明によれば、近接効果補正照射量計算用ブロック枠の周りのフリンジ領域内の近接効果補正照射量の計算負荷を低減することができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の構成図である。 図１に示す制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細図である。 荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍのレジストに描画することができるパターンＰＡの一例を説明するための図である。 描画データＤの一部の一例を概略的に示した図である。 描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３…に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。 図５に示すパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…を試料Ｍの描画領域ＤＡのストライプＳＴＲ１内のレジストに描画するために照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの後方散乱の影響などを説明するための図である。 近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ内に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの近接効果補正照射量を高精度に算出するために用いられるパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａｂなどを説明するための図である。 近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，…，Ｂ２ｆおよびそれらの周りのフリンジ領域Ｆ２ａ，…，Ｆ２ｆを示した図である。 近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，…，Ｂ２ｆおよびそれらの周りのフリンジ領域Ｆ２ａ，…，Ｆ２ｆを示した図である。 パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，…，Ｂ１ｆなどの一例を示した図である。 近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂなどの一例を示した図である。 フリンジ領域Ｆ２ａとフリンジ領域Ｆ２ｂとフリンジ領域Ｆ２ａｂとを比較して示した図である。 第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ’が作成される例を示した図である。 第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の特徴を説明するための図である。 未知領域Ｓ_１と既知領域Ｓ_２との関係などを示した図である。 未知領域Ｓ_１と既知領域Ｓ_２との関係などを示した図である。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。図２は図１に示す制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、レジストが上面に塗布された例えばマスク基板（レチクル）、ウエハなどのような試料Ｍに荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）に目的のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するための描画部１０ａが設けられている。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、Ｘ方向（図１の左右方向）およびＹ方向（図１の手前側−奥側方向）に移動可能に構成されている。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）に対応する描画データＤが、制御計算機１０ｂ１に入力されると、入力部１０ｂ１ａによって読み込まれ、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送される。次いで、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送された描画データＤが、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによってデータ処理され、試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）のレジストにパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射するためのショットデータが生成される。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、入力部１０ｂ１ａによって読み込まれた描画データＤが、近接効果補正部１０ｂ１ｂにも転送される。次いで、例えば、近接効果補正部１０ｂ１ｂでは、転送された描画データＤに基づいて、後で詳細に説明する処理が実行され、近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）（例えば、近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）＝ｄ_１（ｘ）＋ｄ_２（ｘ）＋ｄ_３（ｘ））が算出される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）のレジストにパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するために、試料Ｍの描画領域ＤＡのパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…を描画すべき位置に向かって光学鏡筒１０ａ１から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量（照射時間）が、近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）に基づいて設定される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって生成されたショットデータが、偏向制御部１０ｂ１ｈに送られる。次いで、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆが制御され、その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）内の所望の位置に照射される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられて試料Ｍに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られて試料Ｍに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間を制御することができる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整することができる。

図３は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍのレジストに描画することができるパターンＰＡの一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３に示すように、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのレジストにパターンＰＡ（図３参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられる。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂをビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。次いで、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍのレジストの所定の位置に所定の照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰＡを試料Ｍのレジストに描画することができる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ４を介して偏向器１０ａ１ｅを制御することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ５を介して偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、偏向器１０ａ１ｅおよび偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整することができる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、ステージ制御部１０ｂ１ｉによってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａの移動が制御される。

図１および図２に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を荷電粒子ビーム描画装置１０用のフォーマットに変換することにより得られた描画データＤが、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される。一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）には、多数の微小なパターンが含まれており、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）のデータ量はかなりの大容量になっている。更に、一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）等を他のフォーマットに変換しようとすると、変換後のデータのデータ量は更に増大してしまう。この点に鑑み、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）、および、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される描画データＤでは、データの階層化が採用され、データ量の圧縮化が図られている。
図４は図１および図２に示す描画データＤの一部の一例を概略的に示した図である。図４に示す例では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される描画データＤが、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。詳細には、例えば、チップ階層ＣＰの要素の一部であるチップＣＰ１が、フレーム階層ＦＲの要素の一部である３個のフレームＦＲ１，ＦＲ２，ＦＲ３に対応している。また、例えば、フレーム階層ＦＲの要素の一部であるフレームＦＲ１が、ブロック階層ＢＬの要素の一部である１８個のブロックＢＬ００，…，ＢＬ５２に対応している。更に、例えば、ブロック階層ＢＬの要素の一部であるブロックＢＬ００が、セル階層ＣＬの要素の一部である複数のセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，…に対応している。また、例えば、セル階層ＣＬの要素の一部であるセルＣＬＡが、図形階層ＦＧの要素の一部である多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…に対応している。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１、図２および図４に示すように、描画データＤに含まれている図形階層ＦＧ（図４参照）の多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１および図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）に描画される。

図５は描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。図５に示す例では、例えば、試料Ｍの描画領域ＤＡが例えばｎ個の短冊状のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，…，ＳＴＲｎに仮想分割されている。また、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ１内を図５の左側から図５の右側に向かって走査され、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれている多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ２内を図５の左側から図５の右側に向かって走査され、描画データＤに含まれている多数の図形に対応するパターン（図示せず）が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２内に描画される。次いで、同様に、描画データＤに含まれている多数の図形に対応するパターン（図示せず）が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ３，ＳＴＲ４，…，ＳＴＲｎ内に描画される。
詳細には、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプＳＴＲ１内にパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が図５の右側から図５の左側に移動するように、ステージ制御部１０ｂ１ｉ（図２参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプＳＴＲ２内にパターン（図示せず）が描画される前に、可動ステージ１０ａ２ａが図５の左上側から図５の右下側に移動するように可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプＳＴＲ２内にパターン（図示せず）が描画される時、可動ステージ１０ａ２ａが図５の右側から図５の左側に移動するように可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

図６は図５に示すパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…を試料Ｍの描画領域ＤＡのストライプＳＴＲ１内のレジストに描画するために照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの後方散乱の影響（近接効果の影響）などを説明するための図である。図６（Ａ）に示すように、例えば、パターンＰＡ１を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍの描画領域ＤＡのストライプＳＴＲ１内のレジストに照射されると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部がレジストの下面（試料Ｍの基板の上面）によって反射され、図６（Ｂ）に示すように、後方散乱した荷電粒子が試料Ｍのレジストの領域Ａ１内に蓄積される。また、図６（Ａ）に示すように、例えば、パターンＰＡ２を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍの描画領域ＤＡのストライプＳＴＲ１内のレジストに照射されると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部がレジストの下面（試料Ｍの基板の上面）によって反射され、図６（Ｂ）に示すように、後方散乱した荷電粒子が試料Ｍのレジストの領域Ａ２内に蓄積される。更に、図６（Ａ）に示すように、例えば、パターンＰＡ３を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍの描画領域ＤＡのストライプＳＴＲ１内のレジストに照射されると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部がレジストの下面（試料Ｍの基板の上面）によって反射され、図６（Ｂ）に示すように、後方散乱した荷電粒子が試料Ｍのレジストの領域Ａ３内に蓄積される。また、図６（Ａ）に示すように、例えば、パターンＰＡｎを描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍの描画領域ＤＡのストライプＳＴＲ２内のレジストに照射されると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部がレジストの下面（試料Ｍの基板の上面）によって反射され、図６（Ｂ）に示すように、後方散乱した荷電粒子が試料Ｍのレジストの領域Ａｎ内に蓄積される。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、試料Ｍ（図６（Ａ）参照）のストライプＳＴＲ１（図６（Ａ）参照）内のレジストの所望の位置に所望の形状のパターンＰＡ１（図６（Ａ）参照）を描画するために、光学鏡筒１０ａ１（図１参照）からパターンＰＡ１の位置に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図６（Ａ）参照）の前方散乱によりパターンＰＡ１の位置のレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギー（下記の数式１の左辺の左側部分（Ｄ（ｘ）／２））と、光学鏡筒１０ａ１からパターンＰＡ１の周りの位置に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの後方散乱によりパターンＰＡ１の位置のレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギー（数式１の左辺の右側部分）との和が一定の閾値Ｄ_ｔｈ（数式１の右辺）になるように、光学鏡筒１０ａ１からパターンＰＡ１の位置に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が算出され、光学鏡筒１０ａ１からパターンＰＡ１の位置に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量（照射時間）が設定される。具体的には、図６（Ｂ）に示す例では、例えば、光学鏡筒１０ａ１からパターンＰＡ２の位置のレジストに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、後方散乱してパターンＰＡ１の位置のレジストに蓄積される。

数式１において、ηは近接効果補正係数を示しており、ｇ_ｐは近接効果影響分布を示している。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、近接効果影響分布ｇ_ｐとして、例えばガウス分布（正規分布）が用いられる。更に、数式１において、ｘ’は光学鏡筒１０ａ１（図１参照）から試料Ｍ（図６（Ａ）参照）の描画領域ＤＡ（図６（Ａ）参照）のレジストへの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図６（Ａ）参照）の照射位置（詳細には、位置ベクトル）を示している。また、ｘは光学鏡筒１０ａ１から試料Ｍの描画領域ＤＡのレジストの位置ｘ’に照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが近接効果（後方散乱）によって試料Ｍのレジストに蓄積される位置（詳細には、位置ベクトル）を示している。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、試料Ｍ（図６（Ａ）参照）のストライプＳＴＲ１（図６（Ａ）参照）内のレジストの所望の位置に所望の形状のパターンＰＡ２（図６（Ａ）参照）を描画するために、光学鏡筒１０ａ１（図１参照）からパターンＰＡ２の位置に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図６（Ａ）参照）の前方散乱によりパターンＰＡ２の位置のレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギー（数式１の左辺の左側部分（Ｄ（ｘ）／２））と、光学鏡筒１０ａ１からパターンＰＡ２の周りの位置に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの後方散乱によりパターンＰＡ２の位置のレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギー（数式１の左辺の右側部分）との和が一定の閾値Ｄ_ｔｈ（数式１の右辺）になるように、光学鏡筒１０ａ１からパターンＰＡ２の位置に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が算出され、光学鏡筒１０ａ１からパターンＰＡ２の位置に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量（照射時間）が設定される。具体的には、図６（Ｂ）に示す例では、例えば、光学鏡筒１０ａ１からパターンＰＡ１の位置のレジストに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、後方散乱してパターンＰＡ２の位置のレジストに蓄積される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、試料Ｍ（図６（Ａ）参照）のストライプＳＴＲ１（図６（Ａ）参照）内のレジストの所望の位置に所望の形状のパターンＰＡ３（図６（Ａ）参照）を描画するために、光学鏡筒１０ａ１（図１参照）からパターンＰＡ３の位置に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図６（Ａ）参照）の前方散乱によりパターンＰＡ３の位置のレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギー（数式１の左辺の左側部分（Ｄ（ｘ）／２））と、光学鏡筒１０ａ１からパターンＰＡ３の周りの位置に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの後方散乱によりパターンＰＡ３の位置のレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギー（数式１の左辺の右側部分）との和が一定の閾値Ｄ_ｔｈ（数式１の右辺）になるように、光学鏡筒１０ａ１からパターンＰＡ３の位置に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が算出され、光学鏡筒１０ａ１からパターンＰＡ３の位置に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量（照射時間）が設定される。具体的には、図６（Ｂ）に示す例では、例えば、光学鏡筒１０ａ１からストライプＳＴＲ２内のパターンＰＡｎの位置のレジストに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、後方散乱してパターンＰＡ３の位置に蓄積される。
つまり、図６に示す例では、例えば試料ＭのストライプＳＴＲ１の一部分に相当する近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図６（Ｃ）参照）内に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）を高精度に算出しようとすると、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３の情報だけでは不十分であり、少なくとも荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの後方散乱の半径（図６（Ｂ）に破線で示す円の半径）の分だけ近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａより大きい領域Ｂ１ａ’（図６（Ｄ）参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，ＰＡｎの情報が必要になる。

図７は図６（Ｃ）に示す近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ内に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）を高精度に算出するために用いられるパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａｂなどを説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図６（Ｃ）参照）内に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図６（Ａ）参照）の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）を高精度に算出するために、領域Ｂ１ａ’（図６（Ｄ）参照）の大きさと等しいか、あるいは、領域Ｂ１ａ’の大きさよりも大きいパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａｂ（図７（Ａ）参照）が用いられる。詳細には、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａｂ（図７（Ａ）参照）を分割することにより、複数の例えば２μｍ□のメッシュＭＥ（図７（Ｂ）参照）が作成される。更に、各メッシュＭＥ内のパターン面積密度が算出され、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａｂ内のパターン面積密度分布ρ（ｘ）が得られる。また、下記の数式２および数式３に基づいて、第１項の近接効果補正照射量ｄ_１（ｘ）が算出される。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、下記の数式４に基づいて第２項（ｎ＝２）から第ｎ項（ｎは２以上の整数）までの近接効果補正照射量ｄ_２（ｘ），…，ｄ_ｎ（ｘ）が算出される。詳細には、例えば、ｎが３に設定されている場合には、数式４に基づいて例えば第３項（ｎ＝３）までの近接効果補正照射量ｄ_２（ｘ），ｄ_３（ｘ）が算出される。更に、数式５に基づいて第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量ｄ_１（ｘ），…，ｄ_ｎ（ｘ）が加算される。その結果、図７（Ｂ）に示すパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａｂの各メッシュＭＥ内の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が算出される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、図７（Ｂ）に示すパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａｂの複数のメッシュＭＥ内の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）のうち、図７（Ｃ）に示す近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａの複数のメッシュＭＥ内の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が用いられ、試料Ｍの描画領域ＤＡの近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３を描画すべき位置に向かって光学鏡筒１０ａ１（図１参照）から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図６（Ａ）参照）の照射量（照射時間）が、近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）に基づいて算出される。
つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図７（Ｃ）参照）の複数のメッシュＭＥ（図７（Ｃ）参照）内の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）を高精度に算出するために、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図７（Ｃ）参照）の複数のメッシュＭＥ（図７（Ｃ）参照）内の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が算出されるのみならず、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図７（Ｃ）参照）の周りのフリンジ領域Ｆ２ａ（図７（Ｄ）中のハッチング部）の複数のメッシュＭＥ内の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）を算出する必要がある。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図７（Ｃ）参照）の複数のメッシュＭＥ（図７（Ｃ）参照）内の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が算出される際に、パターンＰＡｎ（図７（Ｄ）参照）を含むフリンジ領域Ｆ２ａ（図７（Ｄ）参照）の複数のメッシュＭＥ内の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が算出される。一方、フリンジ領域Ｆ２ａ（図７（Ｄ）参照）内のパターンＰＡｎ（図７（Ｄ）参照）の位置に対応する４個のメッシュＭＥ内の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）は、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａｂ（図７（Ｄ）参照）の上側縁部の上側（図７（Ｄ）の上側）から後方散乱する荷電粒子の影響が考慮されておらず、十分に高精度な近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）ではないため、パターンＰＡｎ（図７（Ｄ）参照）を描画すべき位置に向かって光学鏡筒１０ａ１（図１参照）から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図６（Ａ）参照）の照射量（照射時間）の算出に用いられることなく破棄される。

図８および図９は近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，…，Ｂ２ｆおよびそれらの周りのフリンジ領域Ｆ２ａ，…，Ｆ２ｆを示した図である。図８および図９に示す例では、試料Ｍの描画領域ＤＡのストライプＳＴＲ１内に３個の近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ，Ｂ２ｃが設けられ、試料Ｍの描画領域ＤＡのストライプＳＴＲ２内に３個の近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｄ，Ｂ２ｅ，Ｂ２ｆが設けられている。また、フリンジ領域Ｆ２ａ（図８（Ｂ）参照）が、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａの上側縁部の上側（図８（Ｂ）の上側）および近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａの右側縁部の右側（図８（Ｂ）の右側）に設けられている。更に、フリンジ領域Ｆ２ｂ（図８（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂの上側縁部の上側（図８（Ｃ）の上側）、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂの右側縁部の右側（図８（Ｃ）の右側）および近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂの左側縁部の左側（図８（Ｃ）の左側）に設けられている。また、フリンジ領域Ｆ２ｃ（図８（Ｄ）参照）が、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｃの上側縁部の上側（図８（Ｄ）の上側）および近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｃの左側縁部の左側（図８（Ｄ）の左側）に設けられている。
更に、図８および図９に示す例では、フリンジ領域Ｆ２ｄ（図９（Ａ）参照）が、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｄの上側縁部の上側（図９（Ａ）の上側）、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｄの下側縁部の下側（図９（Ａ）の下側）および近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｄの右側縁部の右側（図９（Ａ）の右側）に設けられている。また、フリンジ領域Ｆ２ｅ（図９（Ｂ）参照）が、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｅの上側縁部の上側（図９（Ｂ）の上側）、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｅの下側縁部の下側（図９（Ｂ）の下側）、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｅの右側縁部の右側（図９（Ｂ）の右側）および近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｅの左側縁部の左側（図９（Ｂ）の右側）に設けられている。更に、フリンジ領域Ｆ２ｆ（図９（Ｃ）参照）が、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｆの上側縁部の上側（図９（Ｃ）の上側）、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｆの下側縁部の下側（図９（Ｃ）の下側）および近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｆの左側縁部の左側（図９（Ｃ）の左側）に設けられている。

試料Ｍ（図８および図９参照）の描画領域ＤＡ（図８および図９参照）の面積に対するフリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂ，Ｆ２ｃ，Ｆ２ｄ，Ｆ２ｅ，Ｆ２ｆ，…（図８および図９参照）の合計面積の割合は、例えば、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，…（図８および図９参照）の上下方向（図８および図９の上下方向）寸法が小さくなるに従って増加する傾向がある。また、試料Ｍの描画領域ＤＡの面積に対するフリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂ，Ｆ２ｃ，Ｆ２ｄ，Ｆ２ｅ，Ｆ２ｆ，…の合計面積の割合は、例えば、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の加速電圧の増加に伴い、荷電粒子の後方散乱の半径（例えば、図６（Ｂ）中の領域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａｎの半径）が大きくなるに従って増加する傾向がある。
一方、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の偏向に伴う歪を低減するために、偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）による荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの偏向量が低減される傾向があり、それに伴って、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，…（図５参照）の上下方向（図５の上下方向）寸法が小さくなる傾向がある。また、例えば、試料Ｍ（図１参照）のレジストに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの前方散乱を低減するために、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの加速電圧が増加する傾向があり、それに伴って、荷電粒子の後方散乱の半径（例えば、図６（Ｂ）中の領域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａｎの半径）が大きくなる傾向がある。従って、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）の面積に対するフリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂ，Ｆ２ｃ，Ｆ２ｄ，Ｆ２ｅ，Ｆ２ｆ，…の合計面積の割合は増加する傾向がある。
つまり、フリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂ，Ｆ２ｃ，Ｆ２ｄ，Ｆ２ｅ，Ｆ２ｆ，…（図７（Ｄ）、図８および図９参照）の複数のメッシュＭＥ（図７（Ｄ）参照）内の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）の計算負荷は増加する傾向がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、フリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂ，Ｆ２ｃ，Ｆ２ｄ，Ｆ２ｅ，Ｆ２ｆ，…（図７（Ｄ）、図８および図９参照）の複数のメッシュＭＥ（図７（Ｄ）参照）内の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）の計算負荷を低減するために、後述する対策が施されている。

図１０は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって作成されるパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，…，Ｂ１ｆなどの一例を示した図である。図１１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって作成される近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂなどの一例を示した図である。具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、入力部１０ｂ１ａによって読み込まれた描画データＤが近接効果補正部１０ｂ１ｂに転送されると、パターン面積密度計算用ブロック枠作成部１０ｂ１ｂ１によって、各パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ，Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ，Ｂ１ｅ，Ｂ１ｆ，…（図１０（Ａ）参照）に含まれる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）のショット数が概略等しくなるように試料Ｍ（図１０（Ａ）参照）の描画領域ＤＡ（図１０（Ａ）参照）が複数に分割され、複数のパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ，Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ，Ｂ１ｅ，Ｂ１ｆ，…が作成される。次いで、例えば、複数のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂ２ａ，…，１０ｂ１ｂ２ｆによって、複数のパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，…，Ｂ１ｆ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算が並列に実行される。また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、入力部１０ｂ１ａによって読み込まれた描画データＤが近接効果補正部１０ｂ１ｂに転送されると、近接効果補正照射量計算用ブロック枠作成部１０ｂ１ｂ４によって、試料Ｍ（図１１（Ａ）参照）の描画領域ＤＡ（図１１（Ａ）参照）が複数に分割され、複数の近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ（図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）参照）などが作成される。詳細には、図１０および図１１に示す例では、例えば、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂのサイズに基づいて、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａのサイズが設定される。

図１０および図１１に示す例では、例えば、パターン面積密度計算部１０ｂ１ｂ２ａ，１０ｂ１ｂ２ｂ，１０ｂ１ｂ２ｅ，１０ｂ１ｂ２ｆ（図２参照）によるパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ，Ｂ１ｅ，Ｂ１ｆ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算が、パターン面積密度計算部１０ｂ１ｂ２ｃ，１０ｂ１ｂ２ｄ（図２参照）によるパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算よりも先に終了する。次いで、パターン面積密度計算用結合ブロック枠作成部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって、パターン面積密度計算が終了した隣接しているパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ（図１０（Ａ）参照）が結合されてパターン面積密度計算用結合ブロック枠Ｂ１ａｂ（図１０（Ｂ）参照）が作成され、パターン面積密度計算が終了した隣接しているパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｅ，Ｂ１ｆ（図１０（Ａ）参照）が結合されてパターン面積密度計算用結合ブロック枠Ｂ１ｅｆ（図１０（Ｂ）参照）が作成される。
上述したように、図１０および図１１に示す例では、例えば、パターン面積密度計算用結合ブロック枠Ｂ１ａｂ（図１０（Ｂ）参照）のサイズ（つまり、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂの合計サイズ）が、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図８（Ｂ）および図１１（Ａ）参照）とその周りのフリンジ領域Ｆ２ａ（図８（Ｂ）参照）との合計サイズと等しいサイズに設定されるか、あるいは、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａとその周りのフリンジ領域Ｆ２ａとの合計サイズよりも大きいサイズに設定されている。従って、図１０および図１１に示す例では、パターン面積密度計算部１０ｂ１ｂ２ａ，１０ｂ１ｂ２ｂ（図２参照）によるパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算が終了すると、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂのパターン面積密度計算結果に基づいて、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図８（Ｂ）および図１１（Ａ）参照）の近接効果補正照射量計算を開始可能な状態になる。

次いで、図１０および図１１に示す例では、近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠作成部１０ｂ１ｂ６（図２参照）によって、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算結果に基づいて近接効果補正照射量計算を実行することができる近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図１１（Ａ）参照）が複数に分割され、複数の近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ａ１，Ｂ２ａ２，Ｂ２ａ３，Ｂ２ａ４（図１１（Ｂ）参照）が作成される。次いで、近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ａ１，Ｂ２ａ２，Ｂ２ａ３，Ｂ２ａ４（図１１（Ｂ）参照）が近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）に振り分けられる。次いで、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算結果に基づき、並列に、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）によって近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ａ１，Ｂ２ａ２，Ｂ２ａ３，Ｂ２ａ４（図１１（Ｂ）参照）に対する第１項の近接効果補正照射量の計算（数式２および数式３の演算）が実行される。

また、図１０および図１１に示す例では、パターン面積密度計算部１０ｂ１ｂ２ｃ，１０ｂ１ｂ２ｄ（図２参照）によるパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算が終了すると、パターン面積密度計算用結合ブロック枠作成部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって、パターン面積密度計算が終了した隣接しているパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｂ，Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ，Ｂ１ｅ，Ｂ１ｆ（図１０（Ａ）参照）が結合され、パターン面積密度計算用結合ブロック枠Ｂ１ｂｆ（図１０（Ｃ）参照）が作成される。
詳細には、図１０および図１１に示す例では、パターン面積密度計算用結合ブロック枠Ｂ１ｂｆ（図１０（Ｃ）参照）のサイズが、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ（図１１（Ｂ）参照）とその周りのフリンジ領域Ｆ２ｂ（図１２（Ｂ）参照）との合計サイズと等しいサイズに設定されるか、あるいは、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂとその周りのフリンジ領域Ｆ２ｂとの合計サイズよりも大きいサイズに設定されている。従って、パターン面積密度計算部１０ｂ１ｂ２ｃ，１０ｂ１ｂ２ｄ（図２参照）によるパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算が終了すると、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｂ，Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ，Ｂ１ｅ，Ｂ１ｆ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算結果に基づいて、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ（図１１（Ｂ）参照）の近接効果補正照射量計算を開始可能な状態になる。

次いで、図１０および図１１に示す例では、例えば、近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠作成部１０ｂ１ｂ６（図２参照）によって、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｂ，Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ，Ｂ１ｅ，Ｂ１ｆ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算結果に基づいて近接効果補正照射量計算を実行することができる近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ（図１１（Ｂ）参照）が複数に分割され、複数の近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ｂ１，Ｂ２ｂ２，Ｂ２ｂ３，Ｂ２ｂ４（図１１（Ｃ）参照）が作成される。次いで、近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ｂ１，Ｂ２ｂ２，Ｂ２ｂ３，Ｂ２ｂ４（図１１（Ｃ）参照）が近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）に振り分けられる。
次いで、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｂ，Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ，Ｂ１ｅ，Ｂ１ｆ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算結果に基づき、並列に、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）によって近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ｂ１，Ｂ２ｂ２，Ｂ２ｂ３，Ｂ２ｂ４（図１１（Ｃ）参照）に対する第１項の近接効果補正照射量の計算（数式２および数式３の演算）が実行される。次いで、パターン面積密度計算用結合ブロック枠作成部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって、隣接しているパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ，Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ，Ｂ１ｅ，Ｂ１ｆ（図１０（Ａ）参照）が結合され、パターン面積密度計算用結合ブロック枠Ｂ１ａｆ（図１０（Ｄ）参照）が作成される。

また、図１０および図１１に示す例では、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠作成部１０ｂ１ｂ７（図２参照）によって、第１項の近接効果補正照射量の計算（数式２および数式３の演算）が終了した隣接している複数の近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ（図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）参照）が結合され、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ（図１１（Ｄ）参照）が作成される。
詳細には、図１０および図１１に示す例では、パターン面積密度計算用結合ブロック枠Ｂ１ａｆ（図１０（Ｄ）参照）のサイズが、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ（図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）参照）とそれらの周りのフリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂ（図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）参照）との合計サイズと等しいサイズに設定されるか、あるいは、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂとそれらの周りのフリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂとの合計サイズよりも大きいサイズに設定されている。従って、図１０および図１１に示す例では、次いで、例えば、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ，Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ，Ｂ１ｅ，Ｂ１ｆ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算結果に基づき、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）によって、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ（図１１（Ｄ）参照）に対する第２項から第ｎ項（ｎは２以上の整数）までの近接効果補正照射量の計算（数式４および数式５の演算）が並列に実行される。

図１２は第１項の近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａの周りのフリンジ領域Ｆ２ａと、第１項の近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂの周りのフリンジ領域Ｆ２ｂと、第２項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂの周りのフリンジ領域Ｆ２ａｂとを比較して示した図である。図１２に示すように、第２項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ（図１２（Ｃ）参照）の周りのフリンジ領域Ｆ２ａｂ（図１２（Ｃ）参照）のサイズは、第１項の近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図１２（Ａ）参照）の周りのフリンジ領域Ｆ２ａ（図１２（Ａ）参照）と、第１項の近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ（図１２（Ｂ）参照）の周りのフリンジ領域Ｆ２ｂ（図１２（Ｂ）参照）との合計サイズより小さくなる。
そのため、第１項の近接効果補正照射量の計算が近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ（図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）参照）に対して実行され、第２項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ（図１２（Ｃ）参照）に対して実行される第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ（図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）参照）に対して実行される場合よりも、フリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂ，Ｆ２ａｂ（図１２参照）内の近接効果補正照射量の計算負荷を低減することができる。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ（図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）参照）に対して実行される場合よりも、第２項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行される時のフリンジ領域Ｆ２ａｂ（図１２参照）内の近接効果補正照射量の計算負荷を低減することができる。

上述したように、フリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂ，Ｆ２ａｂ，…（図１２参照）の合計面積（合計サイズ）は、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）内のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，…，ＳＴＲｎ（図５参照）の数ｎが増加するに従って大きくなる。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって低減されるフリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂ，Ｆ２ａｂ（図１２参照）内の近接効果補正照射量の計算負荷は、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）内のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，…，ＳＴＲｎ（図５参照）の数ｎが増加するに従って大きくなる。
また上述したように、フリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂ，Ｆ２ａｂ，…（図１２参照）の合計面積（合計サイズ）は、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の加速電圧が増加するに従って大きくなる。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって低減されるフリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂ，Ｆ２ａｂ（図１２参照）内の近接効果補正照射量の計算負荷は、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の加速電圧が増加するに従って大きくなる。
換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第１項の近接効果補正照射量の計算が実行された近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ（図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）参照）が結合されて近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ（図１２（Ｃ）参照）が作成され、結合後の大きいサイズを有する近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂに対して第２項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行される。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、第１項の近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂのサイズと第２項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂのサイズとが等しい（変更されない）場合よりも、フリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂ，Ｆ２ａｂ（図１２参照）内の近接効果補正照射量の計算負荷を低減することができる。

一方、仮に、第１項の近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用ブロック枠のサイズが結合ブロック枠Ｂ２ａｂ（図１１（Ｄ）参照）のサイズに設定されている場合には、第１項の近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用ブロック枠のサイズがブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ（図１１（Ａ）参照）のサイズに設定されている場合よりも、第１項の近接効果補正照射量の計算時のフリンジ領域Ｆ２ａｂ（図１２（Ｃ）参照）内の近接効果補正照射量の計算負荷を低減することができる。ところが、第１項の近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用ブロック枠のサイズが結合ブロック枠Ｂ２ａｂのサイズに設定されている場合には、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ，Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ，Ｂ１ｅ，Ｂ１ｆ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算がすべて終了するまで第１項の近接効果補正照射量の計算を開始できないため、近接効果補正照射量計算の進行が描画の進行に対して遅れてしまうおそれがある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂに比べてサイズが小さい近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂに対して第１項の近接効果補正照射量の計算が実行される。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、第１項の近接効果補正照射量の計算を早期に開始することができ、近接効果補正照射量計算の進行が描画の進行に対して遅れてしまうおそれを低減することができる。
すなわち、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、近接効果補正照射量計算の進行が描画の進行に対して遅れてしまうおそれを低減しつつ、フリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂ，Ｆ２ａｂ（図１２参照）内の近接効果補正照射量の計算負荷を低減することができる。

詳細には、図１０および図１１に示す例では、パターン面積密度計算が終了した隣接しているパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ（図１０（Ａ）参照）が結合されてパターン面積密度計算用結合ブロック枠Ｂ１ａｂ（図１０（Ｂ）参照）が作成され、パターン面積密度計算が終了した隣接しているパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｅ，Ｂ１ｆ（図１０（Ａ）参照）が結合されてパターン面積密度計算用結合ブロック枠Ｂ１ｅｆ（図１０（Ｂ）参照）が作成された時点で、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図１１（Ａ）参照）の近接効果補正照射量計算のみならず、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｃ（図１１（Ａ）参照）の近接効果補正照射量計算も開始可能になる。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図１１（Ａ）参照）の近接効果補正照射量計算および近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｃ（図１１（Ａ）参照）の近接効果補正照射量計算が共に開始可能になった場合に、例えば分散処理管理部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、描画順序（図５中の矢印）の上流側に位置する近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図１１（Ａ）参照）の近接効果補正照射量計算の開始が決定される。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、描画順序（図５中の矢印）の上流側に位置する近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図１１（Ａ）参照）の近接効果補正照射量計算が開始されることなく、描画順序（図５中の矢印）の下流側に位置する近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｃ（図１１（Ａ）参照）の近接効果補正照射量計算が開始されるのに伴って、近接効果補正照射量計算の進行が描画の進行に対して遅れてしまうおそれを低減することができる。

図１０および図１１に示す例では、第２項の近接効果補正照射量の計算が実行される前に近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ（図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）参照）が結合されて近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ（図１１（Ｄ）参照）が作成されるが、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、仮に、パターン面積密度計算部１０ｂ１ｂ２ｃ（図２参照）によるパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｃ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算の終了またはパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂ２ｄ（図２参照）によるパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｄ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算の終了が遅れる場合に、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ（図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）参照）が結合されて近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ（図１１（Ｄ）参照）が作成される前に、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａに対する第２項の近接効果補正照射量の計算が実行される。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、仮に、パターン面積密度計算部１０ｂ１ｂ２ｅ，１０ｂ１ｂ２ｆ（図２参照）によるパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｅ，Ｂ１ｆ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算が、パターン面積密度計算部１０ｂ１ｂ２ａ，１０ｂ１ｂ２ｂ，１０ｂ１ｂ２ｃ，１０ｂ１ｂ２ｄ（図２参照）によるパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ，Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算よりも先に終了する場合に、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ（図１１（Ａ）参照）に対する第１項の近接効果補正照射量の計算が開始される前に、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｃ（図１１（Ａ）参照）に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が開始される。次いで、例えば、パターン面積密度計算部１０ｂ１ｂ２ａ，１０ｂ１ｂ２ｂ（図２参照）によるパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算が終了すると、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｃ（図１１（Ａ）参照）に対する近接効果補正照射量の計算が中断され、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図１１（Ａ）参照）に対する第１項の近接効果補正照射量の計算が開始される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、描画順序（図５中の矢印）の下流側に位置する近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｃに対する近接効果補正照射量の計算よりも、描画順序（図５中の矢印）の上流側に位置する近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａに対する近接効果補正照射量の計算が優先して実行される。
上述した第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）によって近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ａ１，Ｂ２ａ２，Ｂ２ａ３，Ｂ２ａ４（図１１（Ｂ）参照）に対する第１項の近接効果補正照射量の計算（数式２および数式３の演算）が実行され、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）によって、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ（図１１（Ｄ）参照）に対する第２項から第ｎ項（ｎは２以上の整数）までの近接効果補正照射量の計算（数式４および数式５の演算）が並列に実行されるが、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の変形例では、代わりに、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）によって近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ａ１，Ｂ２ａ２，Ｂ２ａ３，Ｂ２ａ４（図１１（Ｂ）参照）に対する第１項から第ｍ項（ｍは１＜ｍ＜ｎの関係を満たす整数）までの近接効果補正照射量の計算（数式２、数式３および数式４の演算）を実行し、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）によって、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ（図１１（Ｄ）参照）に対する第ｍ＋１項から第ｎ項（ｎは３以上の整数）までの近接効果補正照射量の計算（数式４および数式５の演算）を並列に実行することも可能である。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０および図１１に示す例のように、２個のパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算結果に基づいて近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図１１（Ａ）参照）を作成し、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図１１（Ａ）参照）に対する第１項の近接効果補正照射量の計算（数式２および数式３の演算）を実行することができるが、仮に、２個のうちの１個のパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算の終了に対して他のパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｂ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算の終了が遅れる場合には、１個のみのパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａｂ（図７参照）のパターン面積密度計算結果に基づいて第１項の近接効果補正照射量の計算（数式２および数式３の演算）を開始することも可能である。このようにすることにより、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｂ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算が終了するのを待つ時間のロスを低減することができる。
また、第ｎ項まで近接効果補正照射量の計算を実行するに際して、近接効果補正照射量計算用ブロック枠を、複数回結合することも可能である。例えば上記の例で、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａに対する第１項の近接効果補正照射量の計算を実行している最中に、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｂのパターン面積密度計算が終了すれば、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａに対する第１項の近接効果補正照射量の計算終了後に、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｂにフリンジ領域を付加したブロックに対して第１項の近接効果補正照射量の計算を実行し、第１項の近接効果補正照射量の計算が終了した隣接しているパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ（図１０（Ａ）参照）を結合し、結合したパターン面積密度計算用結合ブロック枠Ｂ１ａｂ（図１０（Ｂ）参照）に対して、第２項の近接効果補正照射量の計算を実行することができる。さらに、ブロック枠Ｂ１ａｂ（図１０（Ｂ）参照）に対する、第２項の近接効果補正照射量の計算を実行している最中に、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｃのパターン面積密度計算が終了すれば、ブロック枠Ｂ１ａｂに対する第２項の近接効果補正照射量の計算終了後に、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｃにフリンジ領域を付加したブロックに対して第１項、第２項の近接効果補正照射量の計算を実行し、第２項の近接効果補正照射量の計算が終了した隣接しているパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａｂ，Ｂ１ｃ（図１０（Ａ）参照）を結合し、結合したパターン面積密度計算用結合ブロック枠に対して、第３項以降の近接効果補正照射量の計算を実行することができる。なお、この際、近接効果補正照射量計算の進行が描画の進行に対して遅れてしまうおそれがなければ、ストライプをまたがって近接効果補正照射量計算用ブロック枠を結合することも可能である。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第３の実施形態について説明する。図１３は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ’が作成される例を示した図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ（図１１（Ｄ）参照）のサイズに上限が設定されていないが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の最大速度、現在の描画位置と現在の近接効果補正照射量計算位置との関係などに基づいて、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ’（図１３（Ｄ）参照）のサイズに上限が設定されている。
第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｂ，Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ，Ｂ１ｅ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算結果に基づいて、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ（図１１（Ｂ）参照）の近接効果補正照射量計算が開始可能な状態になった時に、近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠作成部１０ｂ１ｂ６（図２参照）によって、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ’（図１３（Ｄ）参照）のサイズが上限値以下になるように、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ（図１１（Ｂ）参照）よりもサイズが小さい近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ’（図１３（Ｂ）参照）が複数に分割され、複数の近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ｂ１’，Ｂ２ｂ２’，Ｂ２ｂ３’，Ｂ２ｂ４’（図１３（Ｃ）参照）が作成される。

次いで、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ｂ１’，Ｂ２ｂ２’，Ｂ２ｂ３’，Ｂ２ｂ４’（図１３（Ｃ）参照）が近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）に振り分けられる。次いで、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｂ，Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ，Ｂ１ｅ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算結果に基づき、並列に、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）によって近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ｂ１’，Ｂ２ｂ２’，Ｂ２ｂ３’，Ｂ２ｂ４’（図１３（Ｃ）参照）に対する第１項の近接効果補正照射量の計算（数式２および数式３の演算）が実行される。次いで、パターン面積密度計算用結合ブロック枠作成部１０ｂ１ｂ３（図２参照）によって、隣接しているパターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ，Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ，Ｂ１ｅ（図１０（Ａ）参照）が結合され、パターン面積密度計算用結合ブロック枠が作成される。
また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠作成部１０ｂ１ｂ７（図２参照）によって、第１項の近接効果補正照射量の計算（数式２および数式３の演算）が終了した隣接している複数の近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ’（図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）および図１３（Ｃ）参照）が結合され、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ’（図１３（Ｄ）参照）が作成される。

換言すれば、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ（図１１（Ｄ）参照）のサイズが大きすぎる場合には、第２項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算（数式４および数式５の演算）の進行が描画の進行に対して遅れてしまうおそれが生じる。この点に鑑み、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂのサイズが上限値を超える場合に、上述したように、近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠作成部１０ｂ１ｂ６（図２参照）によって、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠Ｂ２ａｂ’（図１３（Ｄ）参照）のサイズが上限値以下になるように、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ（図１１（Ｂ）参照）よりもサイズが小さい近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ’（図１３（Ｂ）参照）が複数に分割され、複数の近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ｂ１’，Ｂ２ｂ２’，Ｂ２ｂ３’，Ｂ２ｂ４’（図１３（Ｃ）参照）が作成される。そのため、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、第２項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算（数式４および数式５の演算）の進行が描画の進行に対して遅れてしまうおそれを低減することができる。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第４の実施形態について説明する。第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０とほぼ同様に構成されている。従って、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０とほぼ同様の効果を奏することができる。図１４は第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の特徴を説明するための図である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、フリンジ領域Ｆ２ａ，Ｆ２ｂ，Ｆ２ａｂ（図１２参照）内の近接効果補正照射量の計算負荷を低減するために、第１項の近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ（図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）参照）のサイズと、第２項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａｂ（図１２（Ｃ）参照）のサイズとが異ならされている。それに対し、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行された後の近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図１４（Ａ）参照）の一部分（既知部分）Ｂ２ａ０（図１４（Ａ）参照）の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ（図１４（Ｂ）参照）に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行される時に、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂの周りのフリンジ領域Ｆ２ｂ（図１４（Ｂ）参照）の一部分Ｆ２ｂ０（図１４（Ｂ）参照）の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）として再利用される。
すなわち、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、数式１に示す考え方に基づいて近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が算出されるのに対し、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、既に算出された既知部分Ｂ２ａ０（図１４（Ａ）参照）（既知領域Ｓ_２（図１４（Ｃ）参照））の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）を再利用する下記の数式６に示す考え方に基づいて、未知領域Ｓ_１（図１４（Ｃ）参照）の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が算出される。

具体的には、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ａ，Ｂ１ｂ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算結果に基づき、並列に、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）によって近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ａ１，Ｂ２ａ２，Ｂ２ａ３，Ｂ２ａ４（図１１（Ｂ）参照）に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算（数式７、数式８、数式９、数式１０および数式１１の演算）が実行される。
詳細には、近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ａ１，Ｂ２ａ２，Ｂ２ａ３，Ｂ２ａ４（図１１（Ｂ）参照）に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算（数式７、数式８、数式９、数式１０および数式１１の演算）が実行される時点では、まだ第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行された近接効果補正照射量計算用ブロック枠が存在しないため、数式９中の既知領域Ｓ_２は存在しない。

次いで、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、パターン面積密度計算用ブロック枠Ｂ１ｂ，Ｂ１ｃ，Ｂ１ｄ，Ｂ１ｅ（図１０（Ａ）参照）のパターン面積密度計算結果に基づき、並列に、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）によって近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ｂ１，Ｂ２ｂ２，Ｂ２ｂ３，Ｂ２ｂ４（図１１（Ｃ）参照）に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算（数式７、数式８、数式９、数式１０および数式１１の演算）が実行される。
詳細には、近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ｂ１，Ｂ２ｂ２，Ｂ２ｂ３，Ｂ２ｂ４（図１１（Ｃ）参照）に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算（数式７、数式８、数式９、数式１０および数式１１の演算）が実行される時点で、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図１１（Ｃ）および図１４（Ａ）参照）に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が終了している。そのため、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行された後の近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図１４（Ａ）参照）の一部分（既知部分）Ｂ２ａ０（図１４（Ａ）参照）の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が、近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ｂ１，Ｂ２ｂ２，Ｂ２ｂ３，Ｂ２ｂ４（図１１（Ｃ）参照）に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行される時に、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ（図１４（Ｂ）参照）の周りのフリンジ領域Ｆ２ｂ（図１４（Ｂ）参照）の一部分Ｆ２ｂ０（図１４（Ｂ）参照）（（既知領域Ｓ_２）数式９参照）の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）として再利用される。
このように、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行された後の近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図１４（Ａ）参照）の一部分（既知部分）Ｂ２ａ０（図１４（Ａ）参照）の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ（図１４（Ｂ）参照）に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行される時に、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ（図１４（Ｂ）参照）の周りのフリンジ領域Ｆ２ｂ（図１４（Ｂ）参照）の一部分Ｆ２ｂ０（図１４（Ｂ）参照）の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）として再利用される。そのため、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ（図１４（Ｂ）参照）に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行される時に既知部分Ｂ２ａ０（図１４（Ａ）参照）の近接効果補正照射量Ｄ（ｘ）が再利用されない場合よりも、フリンジ領域Ｆ２ｂ（図１４（Ｂ）参照）内の近接効果補正照射量の計算負荷を低減することができる。

図１５および図１６は未知領域Ｓ_１と既知領域Ｓ_２との関係などを示した図である。第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）に示すように、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｃの近接効果補正照射量の計算時に、既知領域Ｓ_２の近接効果補正照射量が、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｃの周りのフリンジ領域Ｆ２ｃの一部分Ｆ２ｃ０の近接効果補正照射量として再利用される。また、図１５（Ｃ）および図１５（Ｄ）に示すように、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｄの近接効果補正照射量の計算時に、既知領域Ｓ_２の近接効果補正照射量が、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｄの周りのフリンジ領域Ｆ２ｄの一部分Ｆ２ｄ０の近接効果補正照射量として再利用される。更に、図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）に示すように、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｅの近接効果補正照射量の計算時に、既知領域Ｓ_２の近接効果補正照射量が、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｅの周りのフリンジ領域Ｆ２ｅの一部分Ｆ２ｅ０の近接効果補正照射量として再利用される。
また、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、再利用される近接効果補正照射量が分散処理管理部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって管理される。例えば、図１６に示す例では、既知領域Ｓ_２の近接効果補正照射量を算出した近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）が、分散処理管理部１０ｂ１ｃからの指示に基づいて、既知領域Ｓ_２の近接効果補正照射量を分散処理管理部１０ｂ１ｃに転送する。詳細には、例えば、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ（図８（Ａ）参照）の近接効果補正照射量の計算時に、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａのうちの既知領域Ｓ_２（図１６（Ｂ）参照）に相当する領域の近接効果補正照射量が分散処理管理部１０ｂ１ｃに転送され、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂ（図８（Ａ）参照）の近接効果補正照射量の計算時に、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｂのうちの既知領域Ｓ_２（図１６（Ｂ）参照）に相当する領域の近接効果補正照射量が分散処理管理部１０ｂ１ｃに転送され、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｃ（図８（Ａ）参照）の近接効果補正照射量の計算時に、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｃのうちの既知領域Ｓ_２（図１６（Ｂ）参照）に相当する領域の近接効果補正照射量が分散処理管理部１０ｂ１ｃに転送され、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｄ（図８（Ａ）参照）の近接効果補正照射量の計算時に、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｄのうちの既知領域Ｓ_２（図１６（Ｂ）参照）に相当する領域の近接効果補正照射量が分散処理管理部１０ｂ１ｃに転送される。

更に、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、分散処理管理部１０ｂ１ｃ（図２参照）に転送された既知領域Ｓ_２（図１６（Ｂ）参照）に相当する領域の近接効果補正照射量が結合される。また、結合された既知領域Ｓ_２（図１６（Ｂ）参照）に相当する領域の近接効果補正照射量が、例えば近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ｅ（図８（Ａ）および図１６参照）の近接効果補正照射量の計算時に、例えば必要なパターン面積密度計算結果と共に、分散処理管理部１０ｂ１ｃから近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）に転送される。更に、保存されている既知領域Ｓ_２（図１６（Ｂ）参照）に相当する領域の近接効果補正照射量は、例えば再利用されて保存の必要がなくなった時に、例えば分散処理管理部１０ｂ１ｃによって削除される。
上述したように、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）によって近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ａ１，Ｂ２ａ２，Ｂ２ａ３，Ｂ２ａ４（図１１（Ｂ）参照）に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算（数式７、数式８、数式９、数式１０および数式１１の演算）が実行され、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ，１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ（図２参照）によって近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠Ｂ２ｂ１，Ｂ２ｂ２，Ｂ２ｂ３，Ｂ２ｂ４（図１１（Ｃ）参照）に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算（数式７、数式８、数式９、数式１０および数式１１の演算）が実行されるが、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の変形例では、代わりに、特開２００９−６４８６２号公報に類似の方法で、ブロック領域のサイズが互いに略同一である複数の近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ，Ｂ２ｃ，Ｂ２ｄ，…（図８（Ａ）参照）を作成し、それぞれの近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ，Ｂ２ｃ，Ｂ２ｄ，…に近接効果補正照射量計算部を割り当て（例えば、ブロック枠Ｂ２ａに近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａを、ブロック枠Ｂ２ｂに近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ｂを、ブロック枠Ｂ２ｃに近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ｃを、ブロック枠Ｂ２ｄに近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ｄを割り当てる）、近接効果補正照射量計算用ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ，Ｂ２ｃ，Ｂ２ｄに対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算（数式７、数式８、数式９、数式１０および数式１１の演算）を実行し、その後、ブロック枠Ｂ２ｅ，Ｂ２ｆ，…（例えば、ブロック枠Ｂ２ｅに近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ａを、ブロック枠Ｂ２ｆに近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｂ５ｂを、…を割り当てる）に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算（数式７、数式８、数式９、数式１０および数式１１の演算）を実行する際に、ブロック枠Ｂ２ａ，Ｂ２ｂ，Ｂ２ｃ，Ｂ２ｄで計算した近接効果補正照射量を既知領域Ｓ_２の近接効果補正照射量として再利用することも可能である。
第５の実施形態では、上述した第１から第４の実施形態および各例を適宜組み合わせることも可能である。

１０ 荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ 描画部
１０ａ１ｂ 荷電粒子ビーム
１０ｂ１ｂ１ パターン面積密度計算用ブロック枠作成部
１０ｂ１ｂ２ａ，１０ｂ１ｂ２ｂ パターン面積密度計算部
１０ｂ１ｂ２ｃ，１０ｂ１ｂ２ｄ パターン面積密度計算部
１０ｂ１ｂ２ｅ，１０ｂ１ｂ２ｆ パターン面積密度計算部
１０ｂ１ｂ３ パターン面積密度計算用結合ブロック枠作成部
１０ｂ１ｂ４ 近接効果補正照射量計算用ブロック枠作成部
１０ｂ１ｂ５ａ，１０ｂ１ｂ５ｂ 近接効果補正照射量計算部
１０ｂ１ｂ５ｃ，１０ｂ１ｂ５ｄ 近接効果補正照射量計算部
１０ｂ１ｂ６ 近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠作成部
１０ｂ１ｂ７ 近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠作成部
Ｍ 試料
ＤＡ 描画領域

Claims (5)

1. レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する描画部と、
   各パターン面積密度計算用ブロック枠に含まれる荷電粒子ビームのショット数が概略等しくなるように試料の描画領域を複数に分割することによって複数のパターン面積密度計算用ブロック枠を作成するパターン面積密度計算用ブロック枠作成部と、
   複数のパターン面積密度計算用ブロック枠のパターン面積密度計算を並列に実行する複数のパターン面積密度計算部と、
   試料の描画領域を複数に分割することによって複数の近接効果補正照射量計算用ブロック枠を作成する近接効果補正照射量計算用ブロック枠作成部と、
   各近接効果補正照射量計算用ブロック枠それぞれについての第１項から第ｎ項（ｎは２以上の整数）までの近接効果補正照射量の計算を並列に実行する複数の近接効果補正照射量計算部と、
   パターン面積密度計算結果に基づいて近接効果補正照射量計算を実行することができる近接効果補正照射量計算用ブロック枠を複数に分割することにより、複数の近接効果補正照射量計算部によって、それぞれについての第１項から第ｍ項（ｍは１≦ｍ＜ｎの関係を満たす整数）までの近接効果補正照射量の計算が並列に実行される複数の近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠を作成する近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠作成部と、
   第１項から第ｍ項までの近接効果補正照射量の計算が終了した隣接している複数の近接効果補正照射量計算用ブロック枠を結合することによって、第ｍ＋１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行される近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠を作成する近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠作成部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 複数の近接効果補正照射量計算用ブロック枠の近接効果補正照射量計算が開始可能になった場合に描画順序の上流側に位置する近接効果補正照射量計算用ブロック枠の近接効果補正照射量計算の開始を決定する計算開始ブロック枠決定部を具備することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する描画部と、
   試料の描画領域を複数に分割することによって複数のパターン面積密度計算用ブロック枠を作成するパターン面積密度計算用ブロック枠作成部と、
   複数のパターン面積密度計算用ブロック枠のパターン面積密度計算を並列に実行する複数のパターン面積密度計算部と、
   試料の描画領域を複数に分割することによって複数の近接効果補正照射量計算用ブロック枠を作成する近接効果補正照射量計算用ブロック枠作成部と、
   各近接効果補正照射量計算用ブロック枠それぞれについての第１項から第ｎ項（ｎは２以上の整数）までの近接効果補正照射量の計算を並列に実行する複数の近接効果補正照射量計算部と、
   第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行された後の第１の近接効果補正照射量計算用ブロック枠の一部分の近接効果補正照射量を、第１の近接効果補正照射量計算用ブロック枠に隣接する第２の近接効果補正照射量計算用ブロック枠に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算の実行時に、第２の近接効果補正照射量計算用ブロック枠の周りのフリンジ領域の一部分の近接効果補正照射量として再利用する再利用手段とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
4. レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正方法において、
   各パターン面積密度計算用ブロック枠に含まれる荷電粒子ビームのショット数が概略等しくなるように試料の描画領域を複数に分割することによって複数のパターン面積密度計算用ブロック枠を作成する工程と、
   複数のパターン面積密度計算用ブロック枠のパターン面積密度計算を複数のパターン面積密度計算部によって並列に実行する工程と、
   試料の描画領域を複数に分割することによって複数の近接効果補正照射量計算用ブロック枠を作成する工程と、
   パターン面積密度計算結果に基づいて近接効果補正照射量計算を実行することができる第１の近接効果補正照射量計算用ブロック枠を分割することによって複数の近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠を作成する工程と、
   第１の近接効果補正照射量計算用ブロック枠を分割することにより作成された複数の近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠の各近接効果補正照射量計算用ブロック枠それぞれについての第１項から第ｍ項（ｍは１≦ｍ＜ｎの関係を満たす整数、ｎは２以上の整数）までの近接効果補正照射量の計算を複数の近接効果補正照射量計算部によって並列に実行する工程と、
   パターン面積密度計算結果に基づいて近接効果補正照射量計算を実行することができる第２の近接効果補正照射量計算用ブロック枠を分割することによって複数の近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠を作成する工程と、
   第２の近接効果補正照射量計算用ブロック枠を分割することにより作成された複数の近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠の各近接効果補正照射量計算用分割ブロック枠それぞれについての第１項から第ｍ項までの近接効果補正照射量の計算を複数の近接効果補正照射量計算部によって並列に実行する工程と、
   第１項から第ｍ項までの近接効果補正照射量の計算が終了した隣接している第１の近接効果補正照射量計算用ブロック枠と第２の近接効果補正照射量計算用ブロック枠とを結合することによって近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠を作成する工程と、
   近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠に対する第ｍ＋１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算を実行する工程とを含むことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正方法。
5. レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正方法において、
   試料の描画領域を複数に分割することによって複数のパターン面積密度計算用ブロック枠を作成する工程と、
   複数のパターン面積密度計算用ブロック枠のパターン面積密度計算を複数のパターン面積密度計算部によって並列に実行する工程と、
   試料の描画領域を複数に分割することによって複数の近接効果補正照射量計算用ブロック枠を作成する工程と、
   各近接効果補正照射量計算用ブロック枠それぞれについての第１項から第ｎ項（ｎは２以上の整数）までの近接効果補正照射量の計算を複数の近接効果補正照射量計算部によって並列に実行する工程と、
   第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算が実行された後の第１の近接効果補正照射量計算用ブロック枠の一部分の近接効果補正照射量を、第１の近接効果補正照射量計算用ブロック枠に隣接する第２の近接効果補正照射量計算用ブロック枠に対する第１項から第ｎ項までの近接効果補正照射量の計算の実行時に、第２の近接効果補正照射量計算用ブロック枠の周りのフリンジ領域の一部分の近接効果補正照射量として再利用する工程とを含むことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正方法。

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