JP5547567B2 - 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法 - Google Patents

Description

本発明は、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを、レジストが上面に塗布された試料に照射することによって、描画データに含まれている図形に対応するパターンを試料の描画領域に多重描画する荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法に関する。

従来から、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを、レジストが上面に塗布された試料に照射することによって、パターンデータに対応するパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１（特開２００７−２２０７２８号公報）に記載されたものがある。特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、パターンデータに対応するパターンが、レジストが上面に塗布された試料の描画領域全体に描画される。詳細には、特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置の実施の形態１では、試料の描画領域内のレジストにパターンを描画しながら近接効果補正およびかぶり補正に関する計算が実行される。

特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、５μｍ□のメッシュサイズでパターン面積密度分布が計算され、かぶり補正照射量の計算に用いられる近接効果補正照射量が計算される。そのため、特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、かぶり補正照射量の計算に用いられる近接効果補正照射量が一定値であると仮定される場合より、かぶり補正照射量の精度を向上させることができる（特許文献１の段落００４２、段落００７１、段落００７３参照）。

特開２００７−２２０７２８号公報 特開２００１−１８９２６２号公報 特開２００９−２６０２５０号公報 特開平１０−２６１５５７号公報 特開２０１０−０７３９１８号公報

ところで、特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、試料の描画領域内のレジストにパターンを描画しながら近接効果補正およびかぶり補正に関する計算を実行することが意図されているものの、描画順序が最も早いショット分割用のブロック枠内のパターンの描画を開始する前に、ショット分割用のブロック枠に対するショット分割処理、および、ショット分割用のブロック枠より少し大きい近接効果補正用のブロック枠に対する１μｍ□のメッシュサイズでのパターン面積密度分布計算および近接効果補正照射量計算の処理のみならず、ショット分割用のブロック枠よりかなり大きいかぶり補正用のブロック枠に対する５μｍ□のメッシュサイズでのパターン面積密度分布計算、近接効果補正照射量計算、１ｍｍ□のメッシュサイズでのパターン面積密度分布計算およびかぶり補正照射量計算の処理を終了させておく必要がある。そのため、特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、実際には、描画順序が最も早いショット分割用のブロック枠内のパターンの描画をすぐに開始することができない。

上述した問題点に鑑み、本発明は、かぶり補正照射量の精度を向上させると共に、描画順序が最も早いブロック枠内のパターンの描画を早期に開始することができる荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法を提供することを目的とする。詳細には、本発明は、ディストリビュータの全体の処理負荷を低減すると共に、ディストリビュータへのデータの転送時間を短縮することができ、更に、近接効果補正およびかぶり補正の全体の処理負荷を低減することができる荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、第１メッシュサイズを有し、近接効果補正照射量計算に用いられる第１パターン面積密度分布を計算すると共に、第１メッシュサイズとは異なる第２メッシュサイズを有し、かぶり補正照射量計算に用いられる第２パターン面積密度分布を計算するパターン面積密度分布計算部と、パターン面積密度分布計算部によって計算された第１パターン面積密度分布に基づいて近接効果補正照射量を計算する近接効果補正照射量計算部と、近接効果補正照射量計算部によって計算された近接効果補正照射量と、パターン面積密度分布計算部によって計算された第２パターン面積密度分布とに基づいてかぶり補正照射量を計算するかぶり補正照射量計算部と、近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算前またはかぶり補正照射量計算中に、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを、レジストが上面に塗布された試料の描画領域全体に描画し、次いで、近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算後に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、試料の描画領域全体に描画されているパターン上に同一形状のパターンを重ねて描画する描画部と、ショット分割を実行し、ショットデータを生成するショットデータ生成部と、試料の描画領域全体に対応する描画データから第１ブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、ショット分割に用いられる第１ブロック枠単位のデータを作成する第１ディストリビュータと、試料の描画領域全体に対応する描画データから、第１ブロック枠より大きい第２ブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、パターン面積密度分布計算部において用いられる第２ブロック枠単位のデータを作成する第２ディストリビュータとを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

本発明の別の一態様によれば、第１メッシュサイズを有し、近接効果補正照射量計算に用いられる第１パターン面積密度分布を計算すると共に、第１メッシュサイズとは異なる第２メッシュサイズを有し、かぶり補正照射量計算に用いられる第２パターン面積密度分布を計算するパターン面積密度分布計算部と、パターン面積密度分布計算部によって計算された第１パターン面積密度分布に基づいて近接効果補正照射量を計算する近接効果補正照射量計算部と、近接効果補正照射量計算部によって計算された近接効果補正照射量と、パターン面積密度分布計算部によって計算された第２パターン面積密度分布とに基づいてかぶり補正照射量を計算するかぶり補正照射量計算部と、近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算前または近接効果補正照射量計算中であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算前またはかぶり補正照射量計算中に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを、レジストが上面に塗布された試料の描画領域全体に描画し、次いで、近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算後に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、試料の描画領域全体に描画されているパターン上に同一形状のパターンを重ねて描画する描画部と、ショット分割を実行し、ショットデータを生成するショットデータ生成部と、試料の描画領域全体に対応する描画データからブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、パターン面積密度分布計算部において用いられると共にショット分割に用いられるブロック枠単位のデータを作成するディストリビュータとを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

本発明の別の一態様によれば、近接効果補正照射量計算およびかぶり補正照射量計算に用いられ、近接効果補正用とかぶり補正用とで共通のメッシュサイズを有するパターン面積密度分布を計算するパターン面積密度分布計算部と、パターン面積密度分布計算部によって計算されたパターン面積密度分布に基づいて近接効果補正照射量を計算する近接効果補正照射量計算部と、近接効果補正照射量計算部によって計算された近接効果補正照射量と、パターン面積密度分布計算部によって計算されたパターン面積密度分布とに基づいてかぶり補正照射量を計算するかぶり補正照射量計算部と、近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算前または近接効果補正照射量計算中であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算前またはかぶり補正照射量計算中に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを、レジストが上面に塗布された試料の描画領域全体に描画し、次いで、近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算後に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、試料の描画領域全体に描画されているパターン上に同一形状のパターンを重ねて描画する描画部と、ショット分割を実行し、ショットデータを生成するショットデータ生成部と、試料の描画領域全体に対応する描画データからブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、パターン面積密度分布計算部において用いられると共にショット分割に用いられるブロック枠単位のデータを作成するディストリビュータとを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

本発明の別の一態様によれば、補正照射量計算に用いられるパターン面積密度分布を計算するパターン面積密度分布計算部と、パターン面積密度分布計算部によって計算されたパターン面積密度分布に基づいて少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量を計算する補正照射量計算部と、補正照射量計算部による補正照射量計算前または補正照射量計算中に、少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを、レジストが上面に塗布された試料の描画領域全体に描画し、次いで、補正照射量計算部による補正照射量計算後に、少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、試料の描画領域全体に描画されているパターン上に同一形状のパターンを重ねて描画する描画部と、ショット分割を実行し、ショットデータを生成するショットデータ生成部と、試料の描画領域全体に対応する描画データからブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、パターン面積密度分布計算部において用いられると共にショット分割に用いられるブロック枠単位のデータを作成するディストリビュータとを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
この発明の補正照射量計算部では、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量のみならず、例えばローディング効果を補正する照射量、マイクロローディング効果を補正する照射量、フレア効果を補正する照射量、試料（マスク）Ｍの種類、レジストの種類によってパターン面積密度依存性が異なることに起因する近接効果補正よりも更にショートレンジの補正を実行するための補正照射量などを一体化した補正照射量を計算することができる。
この発明の変形例の荷電粒子ビーム描画装置では、代わりに、
補正照射量計算に用いられるパターン面積密度分布を計算するパターン面積密度分布計算部と、
パターン面積密度分布計算部によって計算されたパターン面積密度分布に基づいて少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量を計算すると共に、パターン面積密度分布計算部によって計算されたパターン面積密度分布に基づいて近接効果補正照射量を計算する補正照射量計算部と、
補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、補正照射量計算部による少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量計算前または補正照射量計算中に、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを、レジストが上面に塗布された試料の描画領域全体に描画し、次いで、補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、補正照射量計算部による少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量計算後に、少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、試料の描画領域全体に描画されているパターン上に同一形状のパターンを重ねて描画する描画部と、
ショット分割を実行し、ショットデータを生成するショットデータ生成部と、
試料の描画領域全体に対応する描画データからブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、パターン面積密度分布計算部において用いられると共にショット分割に用いられるブロック枠単位のデータを作成するディストリビュータとを設けることも可能である。

好ましくは、請求項５に記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、可動ステージに載置されている試料の描画領域がＸ方向に延びているＮ個（Ｎは２以上の整数）のストライプ枠によって仮想分割されており、かつ、ｎ回（ｎは３以上の整数）の多重描画が実行される場合に、Ｘ方向に直交するＹ方向に可動ステージをステップ移動させながら、試料の描画領域全体のＮ個のストライプ枠に対して、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、ｎ回の多重描画のうちの１回目の描画が実行され、次いで、Ｎ個のストライプ枠のうち、Ｙ方向の一方の側の端部に位置する第１ストライプ枠に対して、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、２回目からｎ回目の描画が実行され、次いで、可動ステージがＹ方向の他方の側にステップ移動せしめられ、次いで、第１ストライプ枠に隣接する第２ストライプ枠に対して、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、２回目からｎ回目の描画が実行される。

本発明によれば、かぶり補正照射量の精度を向上させると共に、描画順序が最も早いブロック枠内のパターンの描画を早期に開始することができる。更に、本発明によれば、ディストリビュータの全体の処理負荷を低減すると共に、ディストリビュータへのデータの転送時間を短縮することができ、更に、近接効果補正およびかぶり補正の全体の処理負荷を低減することができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の構成図である。 図１に示す制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍのレジストに描画することができるパターンＰＡの一例を説明するための図である。 図１および図２に示す描画データＤの一例を示した図である。 描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。 図５に示すストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４を仮想分割することにより作成されたブロック枠ＤＰＢ０１ａ，…，ＤＰＢ１２ａの一例を示した図である。 例えば特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置の制御計算機１０ｂ１の詳細図である。 荷電粒子の後方散乱半径Ｒ１に相当する長さだけブロック枠ＤＰＢ０１ａより大きいサイズを有するブロック枠ＤＰＢ０１ｂなどの説明図である。 荷電粒子のかぶり半径Ｒ１に相当する長さだけブロック枠ＤＰＢ０１ａより大きいサイズを有するブロック枠ＤＰＢ０１ｃなどの説明図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって例えば４回多重描画が実行される場合におけるストライプ描画♯０１，…，♯１６の順序の一例を示した図である。 第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂ１の詳細図である。 第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂ１の詳細図である。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。図２は図１に示す制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、レジストが上面に塗布された例えばマスク基板（レチクル）、ウエハなどのような試料Ｍに荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）に目的のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するための描画部１０ａが設けられている。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、Ｘ方向（図５の左右方向）およびＸ方向に直交するＹ方向（図５の上下方向）に移動可能に構成されている。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤが、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の入力部１０ｂ１ａに入力されて格納されると、例えば近接効果補正およびかぶり補正が実行されない場合には、入力部１０ｂ１ａに格納されている試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤから、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ１によって、描画順序が最も早いブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）に対応する図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）のデータが読み出され、描画データＤと同一フォーマットのブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）単位のデータが作成される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ１によって作成されたブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）単位のデータが、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによってデータ処理される。詳細には、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇでは、描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）を複数の図形に分割するショット分割処理が実行される（ショット分割の詳細については、例えば特許文献５の段落００１３等参照）。次いで、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇでは、描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を試料Ｍ（図５参照）のブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のレジストに描画するために、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射するショットデータが生成される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって生成されたショットデータが、偏向制御部１０ｂ１ｈに送られる。次いで、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆが制御され、その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、試料Ｍのブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内の所望の位置に照射される。

同様に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば近接効果補正およびかぶり補正が実行されない場合、図１および図２に示すように、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ１によって描画データＤと同一フォーマットのブロック枠ＤＰＢ０２ａ，…，ＤＰＢ１２ａ（図６参照）単位のデータが作成され、次いで、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによってショット分割処理が実行され、次いで、描画データＤに含まれている図形（図示せず）に対応するパターン（図示せず）を試料Ｍ（図５参照）のブロック枠ＤＰＢ０２ａ，…，ＤＰＢ１２ａ（図６参照）内のレジストに描画するために、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射するショットデータがショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって生成され、次いで、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆが制御され、その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍのブロック枠ＤＰＢ０２ａ，…，ＤＰＢ１２ａ（図６参照）内の所望の位置に照射される。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられて試料Ｍに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られて試料Ｍに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間を制御することができる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整することができる。

図３は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍのレジストに描画することができるパターンＰＡの一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３に示すように、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのレジストにパターンＰＡ（図３参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられる。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂをビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。次いで、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍのレジストの所定の位置に所定の照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰＡを試料Ｍのレジストに描画することができる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ４を介して偏向器１０ａ１ｅを制御することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ５を介して偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、偏向器１０ａ１ｅおよび偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整することができる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、ステージ制御部１０ｂ１ｉによってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａの移動が制御される。

図１および図２に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を荷電粒子ビーム描画装置１０用のフォーマットに変換することにより得られた描画データＤが、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される。一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）には、多数の微小なパターンが含まれており、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）のデータ量はかなりの大容量になっている。更に、一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）等を他のフォーマットに変換すると、変換後のデータのデータ量は更に増大してしまう。この点に鑑み、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）、および、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される描画データＤでは、データの階層化が採用され、データ量の圧縮化が図られている。
図４は図１および図２に示す描画データＤの一部の一例を概略的に示した図である。図４に示す例では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される描画データＤが、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。詳細には、例えば、チップ階層ＣＰの要素の一部であるチップＣＰ１が、フレーム階層ＦＲの要素の一部である３個のフレームＦＲ１，ＦＲ２，ＦＲ３に対応している。また、例えば、フレーム階層ＦＲの要素の一部であるフレームＦＲ１が、ブロック階層ＢＬの要素の一部である１８個のブロックＢＬ００，…，ＢＬ５２に対応している。更に、例えば、ブロック階層ＢＬの要素の一部であるブロックＢＬ００が、セル階層ＣＬの要素の一部である複数のセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，…に対応している。また、例えば、セル階層ＣＬの要素の一部であるセルＣＬＡが、図形階層ＦＧの要素の一部である多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…に対応している。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１、図２および図４に示すように、描画データＤに含まれている図形階層ＦＧ（図４参照）の多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）によって試料Ｍ（図１および図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）に描画される。

図５は描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。図５に示す例では、例えば、試料Ｍの描画領域ＤＡがＸ方向（図５の左右方向）に延びている例えば４個の短冊状のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４に仮想分割されている。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば近接効果補正およびかぶり補正が実行されない場合、例えば図５に示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがストライプ枠ＳＴＲ１内を図５の左側から図５の右側に向かって走査されるＦＷＤストライプ描画が実行され、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれている多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍのストライプ枠ＳＴＲ１内に描画される。次いで、例えばストライプ枠ＳＴＲ１と同様に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがストライプ枠ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４内を図５の左側から図５の右側に向かって走査されるＦＷＤストライプ描画が実行され、描画データＤに含まれている多数の図形に対応するパターン（図示せず）が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍのストライプ枠ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４内に描画される。
詳細には、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプ枠ＳＴＲ１内にパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が図５の右側から図５の左側に移動するように、ステージ制御部１０ｂ１ｉ（図２参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプ枠ＳＴＲ２内にパターン（図示せず）が描画される前に、可動ステージ１０ａ２ａが図５の左上側から図５の右下側に移動するように可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプ枠ＳＴＲ２内にパターン（図示せず）が描画される時、可動ステージ１０ａ２ａが図５の右側から図５の左側に移動するように可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
図６は図５に示すストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４を仮想分割することにより作成されたブロック枠ＤＰＢ０１ａ，…，ＤＰＢ１２ａの一例を示した図である。詳細には、図５および図６に示す例では、例えば、ストライプ枠ＳＴＲ１が３個のブロック枠ＤＰＢ０１ａ，ＤＰＢ０２ａ，ＤＰＢ０３ａに仮想分割され、ストライプ枠ＳＴＲ２が３個のブロック枠ＤＰＢ０４ａ，ＤＰＢ０５ａ，ＤＰＢ０６ａに仮想分割され、ストライプ枠ＳＴＲ３が３個のブロック枠ＤＰＢ０７ａ，ＤＰＢ０８ａ，ＤＰＢ０９ａに仮想分割され、ストライプ枠ＳＴＲ４が３個のブロック枠ＤＰＢ１０ａ，ＤＰＢ１１ａ，ＤＰＢ１２ａに仮想分割されている。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、上述したように近接効果補正およびかぶり補正を実行することなく描画を実行することができると共に、近接効果補正および／またはかぶり補正を実行しつつ、描画を実行することもできる。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の近接効果補正およびかぶり補正の詳細について説明する前に、試料の描画領域内のレジストにパターンを描画しながら近接効果補正およびかぶり補正に関する計算が実行される例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置について説明する。
図７は例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置の制御計算機１０ｂ１の詳細図である。例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図７に示すように、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤが、制御計算機１０ｂ１の入力部１０ｂ１ａに入力されて格納されると、近接効果補正およびかぶり補正が実行される場合に、入力部１０ｂ１ａに格納されている試料Ｍの描画領域ＤＡ全体に対応する描画データＤから、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ１によって、描画順序が最も早いブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）に対応する図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）のデータが読み出され、描画データＤと同一フォーマットのブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）単位のデータが作成される。次いで、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ１によって作成されたブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）単位のデータに対し、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって（あるいは、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇとは別個にショットデータ生成部１０ｂ１ｇの前段に設けられたショット分割部（図示せず）によって）ショット分割処理が実行される。
更に、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図７に示すように、入力部１０ｂ１ａに格納されている試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤから、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ２によって、少なくとも荷電粒子の後方散乱半径Ｒ１（図８（Ａ）参照）に相当する長さだけブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）より大きいサイズを有するブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８（Ａ）参照）に対応する図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）のデータが読み出され、描画データＤと同一フォーマットのブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８（Ａ）参照）単位のデータが作成される。

図８は荷電粒子の後方散乱半径Ｒ１に相当する長さだけブロック枠ＤＰＢ０１ａより大きいサイズを有するブロック枠ＤＰＢ０１ｂなどを説明するための図である。詳細には、図８（Ａ）は荷電粒子の後方散乱半径Ｒ１に相当する長さだけブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）より大きいサイズを有するブロック枠ＤＰＢ０１ｂをハッチングで示しており、図８（Ｂ）は荷電粒子の後方散乱半径Ｒ１に相当する長さだけブロック枠ＤＰＢ０２ａ（図６参照）より大きいサイズを有するブロック枠ＤＰＢ０２ｂをハッチングで示しており、図８（Ｃ）は荷電粒子の後方散乱半径Ｒ１に相当する長さだけブロック枠ＤＰＢ０３ａ（図６参照）より大きいサイズを有するブロック枠ＤＰＢ０３ｂをハッチングで示している（「荷電粒子の後方散乱半径Ｒ１」の詳細については、例えば特開２００１−１８９２６２号公報の段落０００３等参照）。
次いで、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図７に示すように、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ２によって作成されたブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８（Ａ）参照）単位のデータに基づき、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ１によって、ブロック枠ＤＰＢ０１ｂ内のパターン面積密度分布が計算される。詳細には、ブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８（Ａ）参照）を分割することによって複数の１μｍ□のメッシュが作成され、各メッシュ内のパターン面積密度が計算される。次いで、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ１によって計算されたブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８（Ａ）参照）内のパターン面積密度分布に基づき、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ１によって、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するために照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）の照射量に組み込まれる近接効果補正照射量が計算される（近接効果補正照射量計算の詳細については、例えば特開２００７−２２０７２８号公報の段落００６４等参照）。
また、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図７に示すように、入力部１０ｂ１ａに格納されている試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤから、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ３によって、少なくとも荷電粒子のかぶり半径Ｒ２（図９（Ａ）参照）に相当する長さだけブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）より大きいサイズを有するブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）に対応する図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）のデータが読み出され、描画データＤと同一フォーマットのブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）単位のデータが作成される。

図９は荷電粒子のかぶり半径Ｒ２に相当する長さだけブロック枠ＤＰＢ０１ａより大きいサイズを有するブロック枠ＤＰＢ０１ｃなどを説明するための図である。詳細には、図９（Ａ）は荷電粒子のかぶり半径Ｒ２に相当する長さだけブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）より大きいサイズを有するブロック枠ＤＰＢ０１ｃをハッチングで示しており、図９（Ｂ）は荷電粒子のかぶり半径Ｒ２に相当する長さだけブロック枠ＤＰＢ０２ａ（図６参照）より大きいサイズを有するブロック枠ＤＰＢ０２ｃをハッチングで示しており、図９（Ｃ）は荷電粒子のかぶり半径Ｒ２に相当する長さだけブロック枠ＤＰＢ０３ａ（図６参照）より大きいサイズを有するブロック枠ＤＰＢ０３ｃをハッチングで示している（「荷電粒子のかぶり半径Ｒ２」の詳細については、例えば特開２００９−２６０２５０号公報の段落００８２等参照）。
次いで、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図７に示すように、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ３によって作成されたブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）単位のデータに基づき、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ２によって、ブロック枠ＤＰＢ０１ｃ内のパターン面積密度分布が計算される。詳細には、ブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）を分割することによって複数の５μｍ□のメッシュが作成され、各メッシュ内のパターン面積密度が計算される。次いで、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ２によって計算されたブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）内のパターン面積密度分布に基づき、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ２によって、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するために照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）の照射量に組み込まれるかぶり補正照射量の計算に用いられる近接効果補正照射量が計算される（かぶり補正照射量計算に用いられる近接効果補正照射量計算の詳細については、例えば特開２００７−２２０７２８号公報の段落００７１、段落００７３等参照）。
更に、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図７に示すように、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ３によって作成されたブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）単位のデータに基づき、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ３によって、ブロック枠ＤＰＢ０１ｃ内のパターン面積密度分布が計算される。詳細には、ブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）を分割することによって複数の１ｍｍ□のメッシュが作成され、各メッシュ内のパターン面積密度が計算される。次いで、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ２によって計算された近接効果補正照射量と、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ３によって計算されたブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）内のパターン面積密度分布とに基づき、かぶり補正照射量計算部１０ｂ１ｅによって、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するために照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）の照射量に組み込まれるかぶり補正照射量が計算される（かぶり補正照射量計算の詳細については、例えば特開２００７−２２０７２８号公報の段落００７７、段落００８１等参照）。

次いで、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図７に示すように、ショット分割処理が実行されたブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）単位のデータと、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ１によって計算された近接効果補正照射量と、かぶり補正照射量計算部１０ｂ１ｅによって計算されたかぶり補正照射量とが、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによってデータ処理され、描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を試料Ｍ（図５参照）のブロック枠ＤＰＢ０１ａ内のレジストに描画するために、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射するショットデータが生成される。詳細には、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が、合成されて荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量に組み込まれる（近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量の合成については、例えば特開２００７−２２０７２８号公報の段落００８４、段落００８５等参照）。
次いで、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図７に示すように、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって生成されたショットデータが、偏向制御部１０ｂ１ｈに送られる。次いで、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆが制御され、その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、試料Ｍのブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内の所望の位置に照射される。
つまり、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置１０では、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ２（図７参照）によって５μｍ□のメッシュサイズでブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）内のパターン面積密度分布が計算され、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ２（図７参照）によって、かぶり補正照射量の計算に用いられるブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）に対応する近接効果補正照射量が計算される。そのため、従来の荷電粒子ビーム描画装置１０では、かぶり補正照射量の計算に用いられるブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）に対応する近接効果補正照射量が一定値であると仮定される場合よりも、かぶり補正照射量の精度を向上させることができる。つまり、従来の荷電粒子ビーム描画装置１０では、かぶり補正照射量の計算に用いられるブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）に対応する近接効果補正照射量が一定値であると仮定される場合よりも、近接効果補正とかぶり補正との相関による誤差を縮小することができる（「かぶり補正照射量の計算に用いられるブロック枠ＤＰＢ０１ｃに対応する近接効果補正照射量が一定値であると仮定される場合」の詳細については、例えば特開２００７−２２０７２８号公報の段落００３２等参照）。

一方、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、試料Ｍ（図５参照）の描画領域（図５参照）内のレジストにパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画しながら近接効果補正およびかぶり補正に関する計算を実行することが意図されているものの、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…の描画を開始する前に、ブロック枠ＤＰＢ０１ａに関するショット分割処理、および、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）より少し大きいブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８参照）に関するパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ１（図７参照）および近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ１（図７参照）の処理のみならず、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）よりかなり大きいブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９参照）に関するパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ２（図７参照）、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ２（図７参照）、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ３（図７参照）およびかぶり補正照射量計算部１０ｂ１ｅ（図７参照）の処理を終了させておく必要がある。そのため、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、実際には、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）の描画をすぐに開始することができない。
特に、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、かぶり補正照射量の精度を向上させるために、ブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９参照）に関するパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ２（図７参照）および近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ２（図７参照）の処理が追加されているため、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）の描画開始前の待ち時間が長くなってしまう。
また、ブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）はブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）よりかなり大きいため、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）の描画開始前にブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）に関するパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ３（図７参照）およびかぶり補正照射量計算部１０ｂ１ｅ（図７参照）の処理を終了させておく必要がある例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）の描画開始前の待ち時間が長くなってしまう。

これらの問題点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、後述する改良が施されている。具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、多重描画が実行される（多重描画の詳細については、例えば特開平１０−２６１５５７号公報等参照）。図１０は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって例えば４回多重描画が実行される場合におけるストライプ描画♯０１，…，♯１６の順序の一例を示した図である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば４回多重描画が実行される場合、４回多重描画のうちの１回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１（図１０（Ａ）参照）の描画）において、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ（図２参照）によって計算された近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量計算部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって計算されるかぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射することにより、描画データＤ（図２参照）に含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）が、レジストが上面に塗布された試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に描画される。
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、近接効果補正およびかぶり補正が実行される場合、図２に示すように、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤが、制御計算機１０ｂ１の入力部１０ｂ１ａに入力されて格納されると、入力部１０ｂ１ａに格納されている試料Ｍの描画領域ＤＡ全体に対応する描画データＤから、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ１によって、描画順序が最も早いブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）に対応する図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）のデータが読み出され、描画データＤと同一フォーマットのブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）単位のデータが作成される。次いで、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ１によって作成されたブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）単位のデータに対し、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによってショット分割処理が実行される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、入力部１０ｂ１ａに格納されている試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対応する描画データＤから、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ２によって、少なくとも荷電粒子の後方散乱半径Ｒ１（図８（Ａ）参照）に相当する長さだけブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）より大きいサイズを有するブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８（Ａ）参照）に対応する図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）のデータが読み出され、描画データＤと同一フォーマットのブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８（Ａ）参照）単位のデータが作成される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ２によって作成されたブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８（Ａ）参照）単位のデータに基づき、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃによって、ブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８（Ａ）参照）内のパターン面積密度分布が計算される。詳細には、ブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８（Ａ）参照）を分割することによって複数の例えば１μｍ□のメッシュが作成され、各メッシュ内のパターン面積密度が計算される。次いで、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃによって計算されたブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８（Ａ）参照）内のパターン面積密度分布に基づき、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄによって、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するために照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）の照射量に組み込まれる近接効果補正照射量が計算される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによってショット分割処理されたブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）単位のデータと、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄによって計算された近接効果補正照射量とが、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによってデータ処理され、描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を試料Ｍ（図５参照）のブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のレジストに描画するために、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射するショットデータが生成される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって生成されたショットデータが、偏向制御部１０ｂ１ｈに送られる。次いで、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）からの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）が、試料Ｍ（図５参照）のブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内の所望の位置に照射される。

同様に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ１によって作成されたブロック枠ＤＰＢ０２ａ，ＤＰＢ０３ａ（図６参照）単位のデータに対し、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによってショット分割処理が実行されると共に、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄによってブロック枠ＤＰＢ０２ａ，ＤＰＢ０３ａ内のパターン（図示せず）を描画するために照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）の照射量に組み込まれる近接効果補正照射量が計算され、次いで、描画データＤに含まれている図形（図示せず）に対応するパターン（図示せず）を試料Ｍ（図５参照）のブロック枠ＤＰＢ０２ａ，ＤＰＢ０３ａ内のレジストに描画するために、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射するショットデータがショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって生成され、次いで、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）からの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）が試料Ｍのブロック枠ＤＰＢ０２ａ，ＤＰＢ０３ａ（図６参照）内の所望の位置に照射される。つまり、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがストライプ枠ＳＴＲ１（図１０（Ａ）参照）に対して図１０（Ａ）の左側から右側に向かって走査され、１番目のストライプ描画♯０１（図１０（Ａ）参照）がＦＷＤストライプ描画によって実行される。次いで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＹ方向（図５の上下方向）にステップ移動せしめられる。詳細には、可動ステージ１０ａ２ａが図５の左上側から図５の右下側にステップ移動せしめられる。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、同様に、描画データＤ（図２参照）に含まれている図形（図示せず）に対応するパターン（図示せず）を試料Ｍ（図５参照）のブロック枠ＤＰＢ０４ａ，…，ＤＰＢ０６ａ（図６参照）内のレジストに描画するために、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射するショットデータがショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）によって生成され、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）からの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍのブロック枠ＤＰＢ０４ａ，…，ＤＰＢ０６ａ内の所望の位置に照射される。つまり、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがストライプ枠ＳＴＲ２（図１０（Ａ）参照）に対して図１０（Ａ）の左側から右側に向かって走査され、２番目のストライプ描画♯０２（図１０（Ａ）参照）がＦＷＤストライプ描画によって実行される。次いで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＹ方向（図５の上下方向）にステップ移動せしめられる。詳細には、可動ステージ１０ａ２ａが図５の左上側から図５の右下側にステップ移動せしめられる。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、同様に、描画データＤ（図２参照）に含まれている図形（図示せず）に対応するパターン（図示せず）を試料Ｍ（図５参照）のブロック枠ＤＰＢ０７ａ，…，ＤＰＢ０９ａ（図６参照）内のレジストに描画するために、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射するショットデータがショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）によって生成され、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）からの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍのブロック枠ＤＰＢ０７ａ，…，ＤＰＢ０９ａ内の所望の位置に照射される。つまり、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがストライプ枠ＳＴＲ３（図１０（Ａ）参照）に対して図１０（Ａ）の左側から右側に向かって走査され、３番目のストライプ描画♯０３（図１０（Ａ）参照）がＦＷＤストライプ描画によって実行される。次いで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＹ方向（図５の上下方向）にステップ移動せしめられる。詳細には、可動ステージ１０ａ２ａが図５の左上側から図５の右下側にステップ移動せしめられる。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、同様に、描画データＤ（図２参照）に含まれている図形（図示せず）に対応するパターン（図示せず）を試料Ｍ（図５参照）のブロック枠ＤＰＢ１０ａ，…，ＤＰＢ１２ａ（図６参照）内のレジストに描画するために、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射するショットデータがショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）によって生成され、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）からの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍのブロック枠ＤＰＢ１０ａ，…，ＤＰＢ１２ａ内の所望の位置に照射される。つまり、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがストライプ枠ＳＴＲ４（図１０（Ａ）参照）に対して図１０（Ａ）の左側から右側に向かって走査され、４番目のストライプ描画♯０４（図１０（Ａ）参照）がＦＷＤストライプ描画によって実行される。
つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射することにより、４回多重描画のうちの１回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１（図１０（Ａ）参照）の描画）が、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に対して実行される。
すなわち、上述したように、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）の描画を開始する前に、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）よりかなり大きいブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）に関するパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ２（図７参照）、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ２（図７参照）、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ３（図７参照）およびかぶり補正照射量計算部１０ｂ１ｅ（図７参照）の処理を終了させておく必要があるため、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）の描画をすぐに開始することができない。

それに対し、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）の描画を開始する前に、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）よりかなり大きいブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）に関するパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ（図２参照）およびかぶり補正照射量計算部１０ｂ１ｅ（図２参照）の処理を終了させておく必要がない。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）の描画を早期に開始することができる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ２によって作成された描画データＤと同一フォーマットのブロック枠ＤＰＢ０１ｂ，ＤＰＢ０２ｂ，ＤＰＢ０３ｂ，…（図８参照）単位のデータが、近接効果補正照射量計算に用いられるのみならず、かぶり補正照射量計算にも用いられる。具体的には、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ２によって作成されたブロック枠ＤＰＢ０１ｂ，ＤＰＢ０２ｂ，ＤＰＢ０３ｂ，…単位のデータに基づき、４回多重描画のうちの１回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１（図１０（Ａ）参照）の描画）中に、あるいは、４回多重描画のうちの１回目の描画後に、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃによって、かぶり補正照射量計算用のパターン面積密度分布の計算が開始される。詳細には、ブロック枠ＤＰＢ０１ｂ，ＤＰＢ０２ｂ，ＤＰＢ０３ｂ，…（図８参照）を分割することによって複数の例えば１０μｍ□のメッシュが作成され、各メッシュ内のパターン面積密度が計算される。次いで、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃによって計算されたブロック枠ＤＰＢ０１ｂ，ＤＰＢ０２ｂ，ＤＰＢ０３ｂ，…内のパターン面積密度分布に基づき、かぶり補正照射量計算部１０ｂ１ｅによって、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ，…，ＤＰＢ１２ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するために照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）の照射量に組み込まれるかぶり補正照射量が計算される。

詳細には、図６、図８および図９に示す例では、例えば、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ２（図２参照）によって描画領域ＤＡ（図５参照）内の約２分の１のブロック枠ＤＰＢ０１ｂ，ＤＰＢ０２ｂ，ＤＰＢ０３ｂ，…（図８参照）単位のデータが作成された段階で、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ（図２参照）が、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ，…，ＤＰＢ０３ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するために照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）の照射量に組み込まれるかぶり補正照射量の計算に必要なブロック枠ＤＰＢ０１ｂ，ＤＰＢ０２ｂ，ＤＰＢ０３ｂ，…（図８参照）内のパターン面積密度分布の計算を開始することができる。また、図６、図８および図９に示す例では、例えば、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ２（図２参照）によって描画領域ＤＡ（図５参照）内のすべてのブロック枠ＤＰＢ０１ｂ，ＤＰＢ０２ｂ，ＤＰＢ０３ｂ，…（図８参照）単位のデータが作成された段階で、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ（図２参照）が、描画領域ＤＡ内のすべてのパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するために照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）の照射量に組み込まれるかぶり補正照射量の計算に必要な描画領域ＤＡ全体のパターン面積密度分布の計算を実行することができる。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによってショット分割処理されたブロック枠ＤＰＢ０１ａ，…，ＤＰＢ１２ａ（図６参照）単位のデータと、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄによって計算された近接効果補正照射量と、かぶり補正照射量計算部１０ｂ１ｅによって計算されたかぶり補正照射量とが、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによってデータ処理され、描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を試料Ｍ（図５参照）のブロック枠ＤＰＢ０１ａ，…，ＤＰＢ１２ａ（図６参照）内のレジストに描画するために、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射するショットデータが生成される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、４回多重描画のうち、２回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ２（図１０（Ｂ）参照）の描画）、３回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ３（図１０（Ｃ）参照）の描画）、および、４回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ４（図１０（Ｄ）参照）の描画）において、近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ（図２参照）によって計算された近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量計算部１０ｂ１ｅ（図２参照）によって計算されたかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射することにより、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に描画されているパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）上に同一形状のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）が重ねて描画される。
つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、４回多重描画が実行される場合、１回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１（図１０（Ａ）参照）の描画）時に、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）が照射され、２回目から４回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ２，ＳＴＬ３，ＳＴＬ４（図１０（Ｂ）、図１０（Ｃ）および図１０（Ｄ）参照）の描画）時に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）が照射される。更に、１回目から４回目の描画時の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）の照射量を合計したものが、所望のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するために必要な近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）の照射量になるように、１回目から４回目のそれぞれの描画時の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）の照射量が設定される。

換言すれば、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、近接効果補正用のパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ１（図７参照）において用いられるブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８（Ａ）参照）単位のデータを作成するディストリビュータ１０ｂ１ｂ２（図７参照）と、かぶり補正用のパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ２，１０ｂ１ｃ３（図７参照）において用いられるブロック枠ＤＰＢ０１ｃ（図９（Ａ）参照）単位のデータを作成するディストリビュータ１０ｂ１ｂ３（図７参照）とが別個に設けられている。
それに対し、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ２（図２参照）によって作成されるブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）単位のデータが、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ（図２参照）において近接効果補正用のパターン面積密度分布計算に用いられると共に、かぶり補正用のパターン面積密度分布計算に用いられる。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ２（図７参照）とディストリビュータ１０ｂ１ｂ３（図７参照）とが別個に設けられている例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２（図２参照）の全体の処理負荷を低減することができ、入力部１０ｂ１ａ（図２参照）からディストリビュータ１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２（図２参照）へのデータの転送時間を短縮することができる。

また、例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、近接効果補正照射量を計算するためのパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ１（図７参照）および近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ１（図７参照）、並びにかぶり補正照射量を計算するためのパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ３（図７参照）およびかぶり補正照射量計算部１０ｂ１ｅ（図７参照）とは別個に、かぶり補正に用いられる近接効果補正照射量を計算するためのパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ２（図７参照）および近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ２（図７参照）が設けられている。
それに対し、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ（図２参照）および近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ（図２参照）によって計算される近接効果補正照射量が、近接効果補正に用いられると共に、かぶり補正に用いられる。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、かぶり補正に用いられる近接効果補正照射量を計算するためのパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ２（図７参照）および近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ２（図７参照）が別個に設けられている例えば特開２００７−２２０７２８号公報に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の荷電粒子ビーム描画装置よりも、近接効果補正およびかぶり補正の全体の処理負荷を低減することができる。また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、例えば１μｍ□のメッシュサイズを有する近接効果補正用のパターン面積密度分布が出力されると共に、例えば１０μｍ□のメッシュサイズを有するかぶり補正用のパターン面積密度分布が出力される。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、近接効果補正用のパターン面積密度分布を出力するパターン面積密度分布計算部と、かぶり補正用のパターン面積密度分布を出力するパターン面積密度分布計算部とが別個に設けられている場合よりも、近接効果補正およびかぶり補正の全体の処理負荷を低減することができる。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０（Ａ）に示すように、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）をＹ方向（図５の上下方向）にステップ移動させながら、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体の例えば４個のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４に対して、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射することにより、例えば４回の多重描画のうちの１回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１の描画）が実行される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０（Ｂ）に示すように、例えば４個のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４のうち、図１０（Ｂ）の下側の端部に位置するストライプ枠ＳＴＲ１に対して、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射することにより、例えば４回の多重描画のうちの２回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ２の描画）が実行される。詳細には、図１０（Ｂ）に示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）がストライプ枠ＳＴＲ１内を図１０（Ｂ）の右側から左側に向かって走査されるＢＷＤストライプ描画によって、５番目のストライプ描画♯０５が実行される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０（Ｃ）に示すように、ストライプ枠ＳＴＲ１に対して、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射することにより、例えば４回の多重描画のうちの３回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ３の描画）が実行される。詳細には、図１０（Ｃ）に示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）がストライプ枠ＳＴＲ１内を図１０（Ｃ）の左側から右側に向かって走査されるＦＷＤストライプ描画によって、６番目のストライプ描画♯０６が実行される。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０（Ｄ）に示すように、ストライプ枠ＳＴＲ１に対して、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射することにより、例えば４回の多重描画のうちの最後（４回目）の描画（ストライプレイヤＳＴＬ４の描画）が実行される。詳細には、図１０（Ｄ）に示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）がストライプ枠ＳＴＲ１内を図１０（Ｄ）の右側から左側に向かって走査されるＢＷＤストライプ描画によって、７番目のストライプ描画♯０７が実行される。次いで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が図５の下側にステップ移動せしめられる。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０（Ｂ）〜図１０（Ｄ）に示すように、例えば４個のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４のうち、ストライプ枠ＳＴＲ１に隣接するストライプＳＴＲ２に対して、同様に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射することにより、例えば４回の多重描画のうちの２回目から４回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ２，ＳＴＬ３，ＳＴＬ４の描画）が実行される。詳細には、８番目のストライプ描画♯０８から１０番目のストライプ描画♯１０が実行される。次いで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が図５の下側にステップ移動せしめられる。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０（Ｂ）〜図１０（Ｄ）に示すように、例えば４個のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４のうち、ストライプ枠ＳＴＲ２に隣接するストライプＳＴＲ３に対して、同様に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射することにより、例えば４回の多重描画のうちの２回目から４回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ２，ＳＴＬ３，ＳＴＬ４の描画）が実行される。詳細には、１１番目のストライプ描画♯１１から１３番目のストライプ描画♯１３が実行される。次いで、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が図５の下側にステップ移動せしめられる。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０（Ｂ）〜図１０（Ｄ）に示すように、例えば４個のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４のうち、ストライプ枠ＳＴＲ３に隣接するストライプＳＴＲ４に対して、同様に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射することにより、例えば４回の多重描画のうちの２回目から４回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ２，ＳＴＬ３，ＳＴＬ４の描画）が実行される。詳細には、１４番目のストライプ描画♯１４から１６番目のストライプ描画♯１６が実行される。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０（Ｂ）〜図１０（Ｄ）に示すように、例えば、２回目の描画（５番目のストライプ描画♯０５）と３回目の描画（６番目のストライプ描画♯０６）とのインターバル時、および、３回目の描画（６番目のストライプ描画♯０６）と４回目の描画（７番目のストライプ描画♯０７）とのインターバル時に、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＹ方向（図５の上下方向）にステップ移動せしめられない。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、２回目の描画（５番目のストライプ描画♯０５）と３回目の描画（６番目のストライプ描画♯０６）とのインターバル時および３回目の描画（６番目のストライプ描画♯０６）と４回目の描画（７番目のストライプ描画♯０７）とのインターバル時に可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＹ方向（図５の上下方向）にステップ移動せしめられる場合よりも、スループットを向上させることができる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０（Ｂ）〜図１０（Ｄ）に示すように、例えば、５番目のストライプ描画♯０５がＢＷＤストライプ描画によって実行され、６番目のストライプ描画♯０６がＦＷＤストライプ描画によって実行され、７番目のストライプ描画♯０７がＢＷＤストライプ描画によって実行される。つまり、ＦＷＤストライプ描画とＢＷＤストライプ描画とが交互に実行される。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、ＦＷＤストライプ描画が続けて実行される場合や、ＢＷＤストライプ描画が続けて実行される場合よりも、例えば、５番目のストライプ描画♯０５と６番目のストライプ描画♯０６とのインターバル時および６番目のストライプ描画♯０６と７番目のストライプ描画♯０７とのインターバル時における可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）のＸ方向（図５の左右方向）の移動量を低減することができ、スループットを向上させることができる。

更に、本発明者等の鋭意研究により、例えば図１０に示す例のように２回のＦＷＤストライプ描画と２回のＢＷＤストライプ描画とによってストライプＳＴＲ１に対する４回の多重描画が実行される場合と、例えば４回のＦＷＤストライプ描画と０回のＢＷＤストライプ描画とによってストライプＳＴＲ１に対する４回の多重描画が実行される場合と、例えば０回のＦＷＤストライプ描画と４回のＢＷＤストライプ描画とによってストライプＳＴＲ１に対する４回の多重描画が実行される場合とで、ストライプＳＴＲ１内に描画されるパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）の仕上がり具合が異なることが見い出された。
この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０に示すように、例えば４回の多重描画の一部を構成するＦＷＤストライプ描画の回数（図１０に示す例では２回）と、４回の多重描画の一部を構成するＢＷＤストライプ描画の回数（図１０に示す例では２回）とが、試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）内のすべてのストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４で等しくされている。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、複数のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４の相互間のばらつきを抑制することができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、近接効果補正照射量計算に用いられるパターン面積密度分布のメッシュサイズ（例えば１μｍ□）が、かぶり補正照射量計算に用いられるパターン面積密度分布のメッシュサイズ（例えば１０μｍ□）よりも小さくされているが、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の変形例では、代わりに、近接効果補正照射量計算に用いられるパターン面積密度分布のメッシュサイズ（例えば１μｍ□）を、かぶり補正照射量計算に用いられるパターン面積密度分布のメッシュサイズ（例えば０．１μｍ□）よりも大きくすることも可能である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、多重描画のうちの最初の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１（図１０（Ａ）参照）の描画）においてかぶり補正が実行されず、多重描画のうちの残りの描画（ストライプレイヤＳＴＬ２，ＳＴＬ３，ＳＴＬ４（図１０（Ｂ）〜図１０（Ｄ）参照）の描画）においてかぶり補正が実行されるが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、多重描画のうちの最後の描画（ストライプレイヤＳＴＬ４（図１０（Ｄ）参照）の描画）においてかぶり補正を実行し、多重描画のうちの残りの描画（ストライプレイヤＳＴＬ１，ＳＴＬ２，ＳＴＬ３（図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）参照）の描画）においてかぶり補正を実行しないことも可能である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、多重描画のうち、一部のストライプ描画（ストライプレイヤＳＴＬ１，ＳＴＬ３（図１０（Ａ）および図１０（Ｃ）参照）の描画）がＦＷＤストライプ描画によって構成され、残りのストライプ描画（ストライプレイヤＳＴＬ２，ＳＴＬ４（図１０（Ｂ）および図１０（Ｄ）参照）の描画）がＢＷＤストライプ描画によって構成されているが、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、多重描画のすべてのストライプ描画（ストライプレイヤＳＴＬ１，ＳＴＬ２，ＳＴＬ３，ＳＴＬ４（図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）参照）の描画）を同一の向きのストライプ描画によって構成することも可能である。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第５の実施形態について説明する。第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０とほぼ同様に構成されている。従って、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０とほぼ同様の効果を奏することができる。
図１１は第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、多重描画のうちの最初の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１（図１０（Ａ）参照）の描画）において近接効果補正が実行されるが、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、多重描画のうちの最初の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１（図１０（Ａ）参照）の描画）において近接効果補正が実行されない。そのため、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）より大きいサイズを有するブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８（Ａ）参照）単位のデータを作成するディストリビュータ１０ｂ１ｂ２（図２参照）が必要ない。
つまり、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ１（図１１参照）によって作成されるブロック枠ＤＰＢ０１ａ，…，ＤＰＢ１２ａ（図６参照）単位のデータが、ショット分割に用いられるのみならず、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ（図１１参照）においても用いられる。そのため、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ２（図２参照）が設けられている第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０よりも、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ１（図１１参照）の全体の処理負荷を低減することができ、入力部１０ｂ１ａ（図１１参照）からディストリビュータ１０ｂ１ｂ１（図１１参照）へのデータの転送時間を短縮することができる。
更に、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、多重描画のうちの最初の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１（図１０（Ａ）参照）の描画）において近接効果補正が実行されないため、最初の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１（図１０（Ａ）参照）の描画）の開始前にパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ（図１１参照）によるパターン面積密度分布計算および近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ（図１１参照）による近接効果補正照射量計算を実行する必要がない。その結果、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、最初の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１（図１０（Ａ）参照）の描画）の開始前にパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ（図２参照）によるパターン面積密度分布計算および近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄ（図２参照）による近接効果補正照射量計算が実行される第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０よりも、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）の描画を早期に開始することができる。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第６の実施形態について説明する。第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０は、後述する点を除き、図１１に示す第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０とほぼ同様に構成されている。従って、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、後述する点を除き、上述した第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０とほぼ同様の効果を奏することができる。
第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ（図１１参照）によって、例えば１μｍ□のメッシュサイズを有し、近接効果補正照射量計算に用いられるパターン面積密度分布が出力されると共に、例えば１０μｍ□の大きいメッシュサイズを有し、かぶり補正照射量計算に用いられるパターン面積密度分布が出力されるが、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、例えば１μｍ□の共通のメッシュサイズを有するパターン面積密度分布がパターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ（図１１参照）によって出力され、近接効果補正照射量計算に用いられると共にかぶり補正照射量計算に用いられる。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第７の実施形態について説明する。第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０は、後述する点を除き、上述した第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０とほぼ同様に構成されている。従って、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、後述する点を除き、上述した第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０とほぼ同様の効果を奏することができる。
図１２は第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように近接効果補正照射量計算部１０ｂ１ｄとかぶり補正照射量計算部１０ｂ１ｅとが別個に設けられているが、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、図１２に示すように、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃによって計算されたパターン面積密度分布に基づいて少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量を計算する補正照射量計算部１０ｂ１ｄｅが設けられている。また、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃでは、例えば１μｍ□のメッシュサイズを有し、補正照射量計算部１０ｂ１ｄｅにおける補正照射量計算に用いられるパターン面積密度分布が計算される。
詳細には、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１２に示すように、補正照射量計算部１０ｂ１ｄｅによる補正照射量計算前または補正照射量計算中に、少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）を照射することにより、描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）が、レジストが上面に塗布された試料Ｍ（図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）全体に描画され、次いで、補正照射量計算部１０ｂ１ｄｅによる補正照射量計算後に、少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することにより、試料Ｍの描画領域ＤＡ全体に描画されているパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…上に同一形状のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が重ねて描画される。
第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、４回多重描画のうちの１回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１（図１０（Ａ）参照）の描画）時に、補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）が照射されるが、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の変形例では、代わりに、４回多重描画のうちの１回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１（図１０（Ａ）参照）の描画）時に、補正照射量計算部１０ｂ１ｄｅによって計算された近接効果補正照射量のみが組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図３参照）が照射される。
つまり、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の変形例では、補正照射量計算部１０ｂ１ｅｄ（図１２参照）において、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃ（図１２参照）によって計算されたパターン面積密度分布に基づいて少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量が計算されるのみならず、４回多重描画のうちの１回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１（図１０（Ａ）参照）の描画）のために、パターン面積密度分布計算部１０ｂ１ｃによって計算されたパターン面積密度分布に基づいて近接効果補正照射量が計算される。
更に、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の変形例では、補正照射量計算部１０ｂ１ｄｅによる近接効果補正照射量計算後であって、補正照射量計算部１０ｂ１ｄｅによる少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量計算前または補正照射量計算中に、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することにより、描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が、レジストが上面に塗布された試料Ｍの描画領域ＤＡ全体に描画され、次いで、補正照射量計算部１０ｂ１ｄｅによる近接効果補正照射量計算後であって、補正照射量計算部による少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量計算後に（つまり４回多重描画のうちの２回目から４回目の描画時に）、少なくとも近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを一体化した補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することにより、試料Ｍの描画領域ＤＡ全体に描画されているパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…上に同一形状のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が重ねて描画される。
詳細には、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ１（図１２参照）によってブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）単位のデータが作成されるが、第７の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の変形例では、代わりに、４回多重描画のうちの１回目の描画（ストライプレイヤＳＴＬ１（図１０（Ａ）参照）の描画）時に近接効果補正を実行可能にするために、ディストリビュータ１０ｂ１ｂ１（図１２参照）によって、ブロック枠ＤＰＢ０１ａ（図６参照）より大きいブロック枠ＤＰＢ０１ｂ（図８参照）単位のデータが作成される。

第８の実施形態では、上述した第１から第７の実施形態および変形例並びに各例を適宜組み合わせることも可能である。

１０ 荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ 描画部
１０ａ１ｂ 荷電粒子ビーム
１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２ ディストリビュータ
１０ｂ１ｃ パターン面積密度分布計算部
１０ｂ１ｄ 近接効果補正照射量計算部
１０ｂ１ｅ かぶり補正照射量計算部
Ｍ 試料
Ｄ 描画データ
ＤＡ 描画領域

Claims (3)

1. 第１メッシュサイズを有し、近接効果補正照射量計算に用いられる第１パターン面積密度分布を計算すると共に、第１メッシュサイズとは異なる第２メッシュサイズを有し、かぶり補正照射量計算に用いられる第２パターン面積密度分布を計算するパターン面積密度分布計算部と、 パターン面積密度分布計算部によって計算された第１パターン面積密度分布に基づいて近接効果補正照射量を計算する近接効果補正照射量計算部と、 近接効果補正照射量計算部によって計算された近接効果補正照射量と、パターン面積密度分布計算部によって計算された第２パターン面積密度分布とに基づいてかぶり補正照射量を計算するかぶり補正照射量計算部と、 近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算前またはかぶり補正照射量計算中に、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを、レジストが上面に塗布された試料の描画領域全体に描画し、次いで、近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算後に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、試料の描画領域全体に描画されているパターン上に同一形状のパターンを重ねて描画する描画部と、 ショット分割を実行し、ショットデータを生成するショットデータ生成部と、 試料の描画領域全体に対応する描画データから第１ブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、ショット分割に用いられる第１ブロック枠単位のデータを作成する第１ディストリビュータと、 試料の描画領域全体に対応する描画データから、第１ブロック枠より大きい第２ブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、パターン面積密度分布計算部において用いられる第２ブロック枠単位のデータを作成する第２ディストリビュータとを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 第１メッシュサイズを有し、近接効果補正照射量計算に用いられる第１パターン面積密度分布を計算すると共に、第１メッシュサイズとは異なる第２メッシュサイズを有し、かぶり補正照射量計算に用いられる第２パターン面積密度分布を計算するパターン面積密度分布計算部と、 パターン面積密度分布計算部によって計算された第１パターン面積密度分布に基づいて近接効果補正照射量を計算する近接効果補正照射量計算部と、 近接効果補正照射量計算部によって計算された近接効果補正照射量と、パターン面積密度分布計算部によって計算された第２パターン面積密度分布とに基づいてかぶり補正照射量を計算するかぶり補正照射量計算部と、 近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算前または近接効果補正照射量計算中であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算前またはかぶり補正照射量計算中に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを、レジストが上面に塗布された試料の描画領域全体に描画し、次いで、近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算後に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、試料の描画領域全体に描画されているパターン上に同一形状のパターンを重ねて描画する描画部と、 ショット分割を実行し、ショットデータを生成するショットデータ生成部と、 試料の描画領域全体に対応する描画データからブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、パターン面積密度分布計算部において用いられると共にショット分割に用いられるブロック枠単位のデータを作成するディストリビュータとを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
3. レジストが上面に塗布された試料に荷電粒子ビームを照射することによって、描画データに含まれている図形に対応するパターンを試料の描画領域に多重描画する荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、 第１ディストリビュータによって、試料の描画領域全体に対応する描画データから第１ブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、ショット分割に用いられる第１ブロック枠単位のデータを作成し、 第２ディストリビュータによって、試料の描画領域全体に対応する描画データから、第１ブロック枠より大きい第２ブロック枠に対応する図形のデータを読み出すことにより、パターン面積密度分布計算部において用いられる第２ブロック枠単位のデータを作成し、 ショットデータ生成部によって、ショット分割を実行すると共に、ショットデータを生成し、 パターン面積密度分布計算部によって、第１メッシュサイズを有し、近接効果補正照射量計算に用いられる第１パターン面積密度分布を計算すると共に、第１メッシュサイズとは異なる第２メッシュサイズを有し、かぶり補正照射量計算に用いられる第２パターン面積密度分布を計算し、 パターン面積密度分布計算部によって計算された第１パターン面積密度分布に基づき、近接効果補正照射量計算部によって近接効果補正照射量を計算し、 近接効果補正照射量計算部によって計算された近接効果補正照射量と、パターン面積密度分布計算部によって計算された第２パターン面積密度分布とに基づき、かぶり補正照射量計算部によってかぶり補正照射量を計算し、 近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算前またはかぶり補正照射量計算中に、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを、レジストが上面に塗布された試料の描画領域全体に描画し、 近接効果補正照射量計算部による近接効果補正照射量計算後であって、かぶり補正照射量計算部によるかぶり補正照射量計算後に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、試料の描画領域全体に描画されているパターン上に同一形状のパターンを重ねて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
   

Images