JP2010267908A - 荷電粒子ビーム描画装置およびその描画データ処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】描画データのデータ処理を効率的に並列処理し総処理時間を短縮する。
【解決手段】荷電粒子ビーム10a1bを照射することにより試料M上にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置において、仮想チップVCPを少なくとも仮想チップフレームVFR1と仮想チップフレームVFR2とに分割した場合に、仮想チップフレームVFR1中の図形に基づくデータ処理FRVFR1,dsVFR1をデータ並列処理部10b1b1により開始し、仮想チップフレームVFR2中の図形に基づくデータ処理FRVFR2,dsVFR2をデータ並列処理部10b1b2により開始し、データ並列処理部10b1b1によるデータ処理FRVFR1,dsVFR1の終了時であって、データ並列処理部10b1b2によるデータ処理FRVFR2,dsVFR2の終了前に、データ並列処理部10b1b1によるデータ処理FRVFR1,dsVFR1の結果に基づく補正処理exVFR1をデータ並列処理部10b1b1により開始する。
【選択図】図１

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置およびその描画データ処理方法に関する。

従来から、可動ステージに載置された試料に対して荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応するパターンを試料上に描画する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１（特開２００９−１００７７号公報の図１）に記載されたものがある。

特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、制御ユニットに入力された描画データが、複数のデータ処理部（データ処理回路）によって並列処理されている。

特開２００９−１００７７号公報の図１

ところで、特許文献１には、制御ユニットに入力された描画データが、複数のデータ処理部（データ処理回路）のそれぞれにどのように分配され、どのような順序で各データ処理部（データ処理回路）によってデータ処理されるかについて記載されていない。

特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置のように描画データのデータ処理の並列処理が採用されていても、複数のデータ処理部に対する描画データの分配のされ方、各データ処理部における描画データのデータ処理順序などによっては、描画データのデータ処理の効率的な並列処理を行うことができない場合がある。

上述した問題点に鑑み、本発明は、描画データのデータ処理を効率的に並列処理し、総処理時間を短縮することができる荷電粒子ビーム描画装置およびその描画データ処理方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、可動ステージに載置された試料に対して荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応するパターンを試料上に描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、仮想チップ階層と、仮想チップ階層よりも下位のチップ階層と、チップ階層よりも下位の図形階層とが設けられており、少なくとも１個の仮想チップが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも１個のチップが仮想チップに含まれており、少なくとも１個の仮想チップフレームが仮想チップに含まれている描画データを入力可能な荷電粒子ビーム描画装置の描画データ処理方法において、
少なくとも１個の仮想チップが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも第１チップと第２チップとが仮想チップに含まれている描画データが荷電粒子ビーム描画装置に入力される場合であって、仮想チップが少なくとも第１仮想チップフレームと第２仮想チップフレームとに分割される場合に、
第１仮想チップフレームに含まれており、かつ、第１チップおよび／または第２チップに含まれている図形に基づくデータ処理を第１データ並列処理部によって開始し、次いで、
第２仮想チップフレームに含まれており、かつ、第１チップおよび／または第２チップに含まれている図形に基づくデータ処理を第２データ並列処理部によって開始し、次いで、
第１データ並列処理部によるデータ処理が終了した時であって、第２データ並列処理部によるデータ処理が終了する前に、第１データ並列処理部によるデータ処理結果に基づく補正処理を第１データ並列処理部によって開始することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の描画データ処理方法が提供される。

本発明の別の一態様によれば、可動ステージに載置された試料に対して荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応するパターンを試料上に描画する描画部と、
仮想チップ階層と、仮想チップ階層よりも下位のチップ階層と、チップ階層よりも下位の図形階層とが設けられており、少なくとも１個の仮想チップが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも１個のチップが仮想チップに含まれており、少なくとも１個の仮想チップフレームが仮想チップに含まれている描画データを入力可能な入力部と、
少なくとも１個の仮想チップが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも第１チップと第２チップとが仮想チップに含まれている描画データが入力部に入力された場合であって、仮想チップが少なくとも第１仮想チップフレームと第２仮想チップフレームとに分割された場合に、
第１仮想チップフレームに含まれており、かつ、第１チップおよび／または第２チップに含まれている図形に基づくデータ処理を開始する第１データ並列処理部と、
第２仮想チップフレームに含まれており、かつ、第１チップおよび／または第２チップに含まれている図形に基づくデータ処理を開始する第２データ並列処理部と、
第１データ並列処理部によるデータ処理が終了した時であって、第２データ並列処理部によるデータ処理が終了する前に、第１データ並列処理部によるデータ処理結果に基づく補正処理を開始する補正処理部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

本発明によれば、描画データのデータ処理を効率的に並列処理し、総処理時間を短縮することができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。 図１に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。 描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・，ＦＧＢ１，ＦＧＢ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。 描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・，ＦＧＢ１，ＦＧＢ２，・・に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，・・，ＰＢ１，ＰＢ２，・・が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。 描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ１に対応するパターンＰＡ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。 図３に示す描画データ上の仮想チップＶＣＰの詳細図である。 図１に示す第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細を示した図である。 図８に示すデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１（および、それと同様に構成されたデータ並列処理部１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８）を詳細に示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８による描画データ処理方法を示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８による描画データ処理方法を示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８による描画データ処理方法を示した図である。 補正処理が仮想チップＶＣＰ全体のショット密度の計算およびパターン面積密度の計算の処理が終了した後に仮想チップＶＣＰ全体のデータ処理結果に基づいて実行される例を示した図である。 近接効果を説明するための一例を示した図である。 かぶり（フォギング効果）を説明するための一例を示した図である。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えばマスク（ブランク）、ウエハなどのような試料Ｍ上に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって、試料Ｍ上に目的のパターンを描画するための描画部１０ａが設けられている。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、例えば試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、Ｘ方向（図１の左右方向）およびＹ方向（図１の手前側−奥側方向）に移動可能に構成されている。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、例えば荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられて試料Ｍに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られて試料Ｍに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのビーム照射時間を制御することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの全部または一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整することができる。

図２は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上にパターンＰ（図２（Ａ）参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの全部または一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍ上の所定の位置に所定のビーム照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰ（図２（Ａ）参照）を試料Ｍ上に描画することができる。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向される量および向きを制御することにより、例えば、図２（Ｂ）に示すような最大サイズの概略正方形のパターンＰ、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも小さい図２（Ｃ）、図２（Ｄ）および図２（Ｅ）に示すような概略矩形（正方形または長方形）のパターンＰ、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも小さい図２（Ｆ）、図２（Ｇ）、図２（Ｈ）および図２（Ｉ）に示すような概略三角形のパターンＰなどを、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ４を介して主偏向器１０ａ１ｅを制御することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ５を介して副偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、副偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅおよび副偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整することができる。

図１に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を荷電粒子ビーム描画装置１０用のフォーマットに変換することにより得られた描画データＤが、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される。一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）には、多数の微小なパターンが含まれており、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）のデータ量はかなりの大容量になっている。更に、一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を他のフォーマットに変換しようとすると、変換後のデータのデータ量は更に増大してしまう。この点に鑑み、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）、および、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される描画データＤでは、データの階層化が採用され、データ量の圧縮化が図られている。

図３は図１に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。図３に示す例では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される描画データＤ（図１参照）が、例えば、仮想チップ階層、仮想チップチップ階層よりも下位のチップ階層、チップ階層よりも下位の図形階層に階層化されている。

詳細には、図３に示す例では、例えば、描画データＤ（図１参照）の仮想チップ階層に仮想チップＶＣＰが含まれている。更に、チップＣＰＡと、チップＣＰＢと、チップＣＰＣと、チップＣＰＤとが、仮想チップＶＣＰに含まれている。

更に、図３に示す例では、例えば、多数の図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・がチップＣＰＡに含まれており、多数の図形ＦＧＢ１，ＦＧＢ２，・・がチップＣＰＢに含まれており、多数の図形（図示せず）がチップＣＰＣに含まれており、多数の図形（図示せず）がチップＣＰＤに含まれている。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３に示すように、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形階層（図３参照）の多数の図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・，ＦＧＢ１，ＦＧＢ２，・・（図３参照）に対応するパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上に描画される。

図４は描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・，ＦＧＢ１，ＦＧＢ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。図４に示す例では、例えば８本のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６，ＳＴＲ７，ＳＴＲ８と呼ばれる帯状の仮想領域が試料Ｍ上に設定されている。

図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ１内をＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって走査され、例えば、チップＣＰＡ（図３参照）に含まれる多数の図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内に描画され、チップＣＰＢ（図３参照）に含まれる多数の図形ＦＧＢ１，ＦＧＢ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ２内をＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって走査され、描画データＤ（図１参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２内に描画される。

次いで、図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ３内をＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって走査され、描画データＤ（図１参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ３内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ４内をＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって走査され、描画データＤ（図１参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ４内に描画される。

同様に、図４に示す例では、例えば、描画データＤ（図１参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ５，ＳＴＲ６，ＳＴＲ７，ＳＴＲ８内に描画される。

詳細には、図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって移動するように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のステージ制御部１０ｂ１ｉ（図８参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２（図４参照）内にパターンが描画される前に、可動ステージ１０ａ２ａがＹ軸のプラス側（図４の上側）からマイナス側（図４の下側）に向かって移動するように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のステージ制御部１０ｂ１ｉによってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

次いで、図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって移動するように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のステージ制御部１０ｂ１ｉ（図８参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

図５は描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・，ＦＧＢ１，ＦＧＢ２，・・に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，・・，ＰＢ１，ＰＢ２，・・が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。

図５に示す例では、例えば、試料Ｍ（図４参照）上のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６，ＳＴＲ７，ＳＴＲ８（図４参照）内の領域が、サブフィールドＳＦｍ，ＳＦｍ＋１，・・，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ，・・と呼ばれる複数の矩形の仮想領域によって更に分割されている。詳細には、図５に示す例では、例えば、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧＡ１（図３参照）に対応するパターンＰＡ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される場合、まず最初に、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがサブフィールドＳＦｍ内に照射されるように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）の主偏向制御部１０ｂ１ｇ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御される。

次いで、図５に示す例では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰＡ１が描画されるように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）の副偏向制御部１０ｂ１ｈ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰＡ１を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のブランキング偏向制御部１０ｂ１ｅ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰＡ１を描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のビーム寸法可変偏向制御部１０ｂ１ｆ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。

次いで、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによるパターンＰＡ１の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のブランキング偏向制御部１０ｂ１ｅ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧＡ２（図３参照）に対応するパターンＰＡ２が描画されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の副偏向制御部１０ｂ１ｈ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。

次いで、図５に示す例では、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰＡ２を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のブランキング偏向制御部１０ｂ１ｅ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰＡ２を描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のビーム寸法可変偏向制御部１０ｂ１ｆ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。

また、図５に示す例では、サブフィールドＳＦｎ−１内のすべてのパターン（図示せず）の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがサブフィールドＳＦｎ内に照射され、描画データＤ（図１および図８参照）に含まれる図形ＦＧＢ１，ＦＧＢ２，・・（図３参照）に対応するパターンＰＢ１，ＰＢ２，・・が描画されるように、上述した制御と同様の制御が実行される。

図６は描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ１に対応するパターンＰＡ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。詳細には、図６は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において描画データＤに含まれる図形ＦＧＡ１に対応するパターンＰＡ１を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数の一例を説明するための図である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤ（図１および図８参照）に含まれる図形ＦＧＡ１（図３参照）に対応するパターンＰＡ１（図５参照）が、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも大きい場合などに、図６に示すように、複数回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが行われる。換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤ（図１および図８参照）に含まれる図形ＦＧＡ１（図３参照）に対応するパターンＰＡ１（図５参照）が、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも大きい場合などに、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）において、描画データＤ（図１および図８参照）に含まれる図形ＦＧＡ１（図３参照）が、パターンＰＡ１ａ，ＰＡ１ｂ，ＰＡ１ｃ，ＰＡ１ｄ，ＰＡ１ｅ，ＰＡ１ｆ，ＰＡ１ｇ，ＰＡ１ｈ，ＰＡ１ｉに対応する複数の小さい図形（図示せず）に描画データ上で分割される。この分割処理が、一般に、「ショット分割」などと呼ばれている。

詳細には、図６に示す例では、例えば、まず最初に、図６（Ａ）に示すように、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰＡ１ａが試料Ｍ上に描画される。

更に詳細には、図６に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）をサブフィールドＳＦｍ（図５参照）に位置決めするための主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰＡ１ａ（図６（Ａ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）の副偏向制御部１０ｂ１ｈ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰＡ１ａ（図６（Ａ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のブランキング偏向制御部１０ｂ１ｅ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰＡ１ａを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のビーム寸法可変偏向制御部１０ｂ１ｆ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、パターンＰＡ１ａ（図６（Ａ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のブランキング偏向制御部１０ｂ１ｅ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｂ）に示すように、２回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰＡ１ｂが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図６（Ｃ）に示すように、３回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰＡ１ｃが試料Ｍ上に描画される。

次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｄ）に示すように、４回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰＡ１ｄが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図６（Ｅ）に示すように、５回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰＡ１ｅが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図６（Ｆ）に示すように、６回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰＡ１ｆが試料Ｍ上に描画される。

次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｇ）に示すように、７回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰＡ１ｇが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図６（Ｈ）に示すように、８回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰＡ１ｈが試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図６（Ｉ）に示すように、９回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰＡ１ｉが試料Ｍ上に描画される。

その結果、図６に示す例では、描画データＤ（図１および図８参照）に含まれる図形ＦＧＡ１（図３参照）に対応するパターンＰＡ１が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）によって試料Ｍ上に描画される。

図６に示す例では、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰＡ１ａ，ＰＡ１ｂ，ＰＡ１ｄ，ＰＡ１ｅを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットを４回行っても試料Ｍ上にパターンＰＡ１を描画することができず、試料Ｍ上にパターンＰＡ１を描画するためには９回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが必要であることをわかりやすく説明するために、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰＡ１ａ，ＰＡ１ｂ，ＰＡ１ｄ，ＰＡ１ｅを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の４回のショットと、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰＡ１ｃ，ＰＡ１ｆ，ＰＡ１ｇ，ＰＡ１ｈ，ＰＡ１ｉを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の５回のショットとにショット分割されている。実際の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えばパターンＰＡ１ｉ（図６（Ｉ）参照）のような微小パターンの描画を回避するように、ショット分割が実行される。つまり、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の９回のショットによってパターンＰＡ１（図６（Ｉ）参照）を描画する場合には、パターンＰＡ１をＸ方向（図６の左右方向）３列×Ｙ方向（図６の上下方向）３列に９等分したパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の１回のショットによって描画される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６（Ａ）〜図６（Ｉ）に示すように、描画データＤ（図１および図８参照）に含まれる図形ＦＧＡ１（図３参照）に対応するパターンＰＡ１が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）によって試料Ｍ上に描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって例えば等速で移動するように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図８参照）のステージ制御部１０ｂ１ｉ（図８参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

更に詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図４に示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内に例えばパターンＰＡ１（図５および図６参照），ＰＡ２（図５参照），・・ＰＢ１（図５参照），ＰＢ２（図５参照），・・などの多数のパターンが描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって例えば等速で移動するように、描画データＤ（図１および図８参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および８参照）のステージ制御部１０ｂ１ｉ（図８参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

図７は図３に示す描画データ上の仮想チップＶＣＰの詳細図である。図７に示す例では、例えば、仮想チップＶＣＰに含まれているチップＣＰＡが、例えば１０個の概略帯状のフレームＦＲＡ１，ＦＲＡ２，ＦＲＡ３，ＦＲＡ４，ＦＲＡ５，ＦＲＡ６，ＦＲＡ７，ＦＲＡ８，ＦＲＡ９，ＦＲＡ１０と呼ばれる仮想領域に分割されている。また、仮想チップＶＣＰに含まれているチップＣＰＢが、例えば１３個の概略帯状のフレームＦＲＢ１，ＦＲＢ２，ＦＲＢ３，ＦＲＢ４，ＦＲＢ５，ＦＲＢ６，ＦＲＢ７，ＦＲＢ８，ＦＲＢ９，ＦＲＢ１０，ＦＲＢ１１，ＦＲＢ１２，ＦＲＢ１３と呼ばれる仮想領域に分割されている。更に、仮想チップＶＣＰに含まれているチップＣＰＣが、例えば４個の概略帯状のフレームＦＲＣ１，ＦＲＣ２，ＦＲＣ３，ＦＲＣ４と呼ばれる仮想領域に分割されている。また、仮想チップＶＣＰに含まれているチップＣＰＤが、例えば５個の概略帯状のフレームＦＲＤ１，ＦＲＤ２，ＦＲＤ３，ＦＲＤ４，ＦＲＤ５と呼ばれる仮想領域に分割されている。つまり、図７に示す例では、チップ階層（図３参照）よりも下位であって図形階層（図３参照）よりも上位のフレーム階層が設けられている。

図８は図１に示す第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細を示した図である。図９は図８に示すデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１（および、それと同様に構成されたデータ並列処理部１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８）を詳細に示した図である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、描画データＤ（図８参照）が制御計算機１０ｂ１（図８参照）に入力されると、例えば、ショット分割部１０ｂ１ｃによって、描画データＤ（図８参照）に含まれる図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・，ＦＧＢ１，ＦＧＢ２，・・（図３参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の１回のショットによって描画可能なパターン（例えばパターンＰＡ１ａ，ＰＡ１ｂ，ＰＡ１ｃ，ＰＡ１ｄ，ＰＡ１ｅＰＡ１ｆ，ＰＡ１ｇ，ＰＡ１ｈ，ＰＡ１ｉ（図６参照））に対応する複数の図形（図示せず）に分割される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、描画データＤ（図８参照）が、制御計算機１０ｂ１（図８参照）に入力されると、例えば、入力部１０ｂ１ａ（図８参照）によって、仮想チップフレーム作成部１０ｂ１ｊ（図８参照）を介して複数のデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８（図８参照）に振り分けられる。仮想チップフレーム作成部１０ｂ１ｊ（図８参照）では、仮想チップＶＣＰ（図７参照）が例えば８個の概略帯状の仮想チップフレームＶＦＲ１，ＶＦＲ２，ＶＦＲ３，ＶＦＲ４，ＶＦＲ５，ＶＦＲ６，ＶＦＲ７，ＶＦＲ８（図７参照）に分割される。図８および図９に示す例では、例えば、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８（図８および図９参照）が同様に構成されている。

詳細には、図８に示す例では、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＶＣＰ（図３および図７参照）に含まれている仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）に振り分けられる。また、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＶＣＰ（図３および図７参照）に含まれている仮想チップフレームＶＦＲ２（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）に振り分けられる。更に、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＶＣＰ（図３および図７参照）に含まれている仮想チップフレームＶＦＲ３（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）に振り分けられる。また、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＶＣＰ（図３および図７参照）に含まれている仮想チップフレームＶＦＲ４（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）に振り分けられる。

更に、図８に示す例では、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＶＣＰ（図３および図７参照）に含まれている仮想チップフレームＶＦＲ５（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）に振り分けられる。また、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＶＣＰ（図３および図７参照）に含まれている仮想チップフレームＶＦＲ６（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）に振り分けられる。更に、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＶＣＰ（図３および図７参照）に含まれている仮想チップフレームＶＦＲ７（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）に振り分けられる。また、描画データＤ（図８参照）のうち、仮想チップＶＣＰ（図３および図７参照）に含まれている仮想チップフレームＶＦＲ８（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）に振り分けられる。

図１０〜図１２は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８による描画データ処理方法を示した図である。図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔａ０（図１０（Ａ）および図１２参照）に描画データＤ（図８参照）の処理が開始される。

詳細には、図１０〜図１２に示す例では、描画データＤのうち、仮想チップＶＣＰ（図７参照）の仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）に含まれているチップＣＰＡ（図７参照）のフレームＦＲＡ１（図７参照）に関するデータ、チップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ１（図７参照）に関するデータ、チップＣＰＡ（図７参照）のフレームＦＲＡ２（図７参照）に関するデータ、チップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ２（図７参照）に関するデータ、チップＣＰＡ（図７参照）のフレームＦＲＡ３（図７参照）に関するデータ、および、チップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ３（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）に入力され、図１０（Ａ）に示すように、チップＣＰＡのフレームＦＲＡ１、チップＣＰＢのフレームＦＲＢ１、チップＣＰＡのフレームＦＲＡ２、チップＣＰＢのフレームＦＲＢ２、チップＣＰＡのフレームＦＲＡ３、チップＣＰＢのフレームＦＲＢ３毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（これらの処理が、図１２中の処理ＦＲＶＦＲ１に相当する）。

具体的には、フォーマット検査では、入力された描画データＤ（図８参照）のフォーマットが荷電粒子ビーム描画装置１０のフォーマットに整合しているか等のチェックが行われる。また、ショット密度計算では、例えばショット分割部１０ｂ１ｃ（図８参照）によるショット分割後における所定面積当たりの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショット数が算出される。ショット密度計算において算出されるショット密度は、例えば可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）の移動速度を算出するためなどに用いられる（詳細については、例えば特開２００７−２００９６８号公報の段落〔００２４〕等参照）。更に、パターン面積密度計算では、例えばメッシュのような所定面積当たりに占める図形ＦＧＡ１，ＦＧＡ２，・・（図３参照）の面積の割合が算出される。パターン面積密度計算において算出されるパターン面積密度は、例えば近接効果補正などを実行するために用いられる。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔａ１（図１０（Ａ）および図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＶＦＲ１（図１２参照）が実行される。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔａ２（図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）によるデータ処理結果に基づき、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）によって、仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）のデータに関する補正処理ｅｘＶＦＲ１（図１２参照）が実行される。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）による補正処理ｅｘＶＦＲ１（図１２参照）として、例えば近接効果補正が実行される。

図１４は近接効果を説明するための一例を示した図である。図１４に示す例では、図１４（Ａ）に示すように、例えば、図形ＦＧＡ２１および図形ＦＧＡ２２が仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）に含まれている。また、図１４に示す例では、図１４（Ｂ）に示すように、仮に近接効果補正処理が行われることなく、図形ＦＧＡ２１（図１４（Ａ）参照）に対応するパターンＰＡ２１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上に描画されると共に、図形ＦＧＡ２２（図１４（Ａ）参照）に対応するパターンＰＡ２２が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上に描画される場合に、パターンＰＡ２１およびパターンＰＡ２２の相互近接効果によって、パターンＰＡ２１に太りＰＡ２１ａが生じてしまうと共に、パターンＰＡ２２に太りＰＡ２２ａが生じてしまう。また、パターンＰＡ２１の自己近接効果によってパターンＰＡ２１の角部に細りＰＡ２１ｂが生じてしまうと共に、パターンＰＡ２２の自己近接効果によってパターンＰＡ２２の角部に細りＰＡ２２ｂが生じてしまう。このように、実際に描画されるパターンＰＡ２１，ＰＡ２２の形状が近接効果によって図形ＦＧＡ２１，ＦＧＡ２２（図１４（Ａ）参照）の形状に対応する目標のパターンの形状からずれてしまうのを回避するために、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１４（Ｃ）に示すような近接効果補正処理ｅｘＶＦＲ１（図１２参照）が行われる。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＶＦＲ１（図１２参照）によって、例えば、図１４（Ｃ）に示すように、パターンＰＡ２１，ＰＡ２２がメッシュ状に分割され、各メッシュ内のパターン面積密度が算出される。次いで、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）によって近接効果補正処理ｅｘＶＦＲ１（図１２参照）が実行される。詳細には、例えば、隣接メッシュ（図１４（Ｃ）参照）間で面積密度が変化する部分の寸法変動を低減するための平滑化が行われ、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射量マップ（図示せず）が作成される。更に、例えば、その照射量マップに基づいて、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の１回のショットの照射量（ビーム照射時間）が補正される（詳細については、例えば特開２００８−３４７８１号公報参照）。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、このような近接効果補正処理ｅｘＶＦＲ１（図１２参照）を行うことにより、目標のパターンの形状に対する実際に描画されるパターンの形状のずれを低減することができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）による補正処理ｅｘＶＦＲ１（図１２参照）として、例えば近接効果補正処理が実行されるが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）による補正処理ｅｘＶＦＲ１（図１２参照）として、例えば、近接効果補正処理の代わりに、あるいは、近接効果補正処理に加えて、例えばかぶり（フォギング効果）補正処理が実行される。

図１５はかぶり（フォギング効果）を説明するための一例を示した図である。詳細には、図１５は図１の一部の概略拡大図である。図１５に示す例では、例えば仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）に含まれる図形ＦＧＡ１（図３参照）に対応するパターンＰＡ１（図５参照）を描画するために照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂに含まれる一部の荷電粒子１０ａ１ｂ１が、マスク基板Ｍ２上に塗布されたレジスト膜Ｍ１内において前方散乱する。更に、前方散乱した荷電粒子１０ａ１ｂ１のうちの一部の荷電粒子１０ａ１ｂ２が、マスク基板Ｍ２の上面によって反射されて後方散乱し、上述した近接効果の主な原因になる。

更に、図１５に示す例では、後方散乱した荷電粒子１０ａ１ｂ２のうちの一部の荷電粒子１０ａ１ｂ３がレジスト膜Ｍ１を抜け、例えば描画室１０ａ２の天井面あるいは光学鏡筒１０ａ１の下部の部品の下面に到達する。また、描画室１０ａ２の天井面あるいは光学鏡筒１０ａ１の下部の部品の下面に到達した荷電粒子１０ａ１ｂ３のうちの一部の荷電粒子１０ａ１ｂ４が反射され、広範囲にわたって試料Ｍ上に再照射され、かぶり（フォギング効果）の原因になる。その結果、実際に描画されるパターンＰＡ１（図５参照）の形状が、図形ＦＧＡ１（図３参照）の形状に対応する目標のパターンの形状からずれてしまうおそれがある。

この点に鑑み、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、実際に描画されるパターンＰＡ１（図５参照）の形状がかぶり（フォギング効果）によって図形ＦＧＡ１（図３参照）の形状に対応する目標のパターンの形状からずれてしまうのを回避するために、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）によってかぶり補正処理ｅｘＶＦＲ１（図１２参照）が実行される。具体的には、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）によるかぶり補正処理ｅｘＶＦＲ１（図１２参照）では、例えば、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）によるデータ処理ｄｓＶＦＲ１（図１２参照）の結果が利用され、更に、再照射される荷電粒子１０ａ１ｂ４のエネルギー分布が算出され、そのエネルギー分布に基づいて、図形ＦＧＡ１（図３参照）の形状に対応するパターンＰＡ１（図５参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射量などが補正される（詳細については、例えば特開２００７−２５８６５９号公報参照）。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）による補正処理ｅｘＶＦＲ１（図１２参照）として例えば近接効果補正処理が実行され、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）による補正処理ｅｘＶＦＲ１（図１２参照）として例えば近接効果補正処理および／またはかぶり（フォギング効果）補正処理が実行されるが、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）による補正処理ｅｘＶＦＲ１（図１２参照）として、例えば、近接効果補正処理および／またはかぶり（フォギング効果）補正処理の代わりに、あるいは、近接効果補正処理および／またはかぶり（フォギング効果）補正処理に加えて、例えば帯電補正処理などのような他の補正処理が実行される。

具体的には、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）による帯電補正処理ｅｘＶＦＲ１（図１２参照）では、例えば、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）による仮想チップフレームＶＦＲ１全体のショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ｄｓＶＦＲ１（図１２参照）の結果が利用され、更に、パターンＰＡ１，ＰＡ２，・・（図５参照）の描画順序、描画位置、電荷分布データ、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射量（ドーズ量）、メッシュ（図１４（Ｃ）参照）毎の照射電荷分布などに基づき、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射位置などが補正される（詳細については、例えば特開２００７−３２４１７５号公報参照）。

図１０〜図１２の説明に戻り、図１０〜図１２に示す例では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）による処理に並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８（図８参照）による処理が実行される。

詳細には、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｂ０（図１０（Ｂ）および図１２参照）に、描画データＤのうち、仮想チップＶＣＰ（図７参照）の仮想チップフレームＶＦＲ２（図７参照）に含まれているチップＣＰＡ（図７参照）のフレームＦＲＡ４（図７参照）に関するデータ、チップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ４（図７参照）に関するデータ、チップＣＰＡ（図７参照）のフレームＦＲＡ５（図７参照）に関するデータ、チップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ５（図７参照）に関するデータ、チップＣＰＡ（図７参照）のフレームＦＲＡ６（図７参照）に関するデータ、および、チップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ６（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）に入力され、図１０（Ｂ）に示すように、チップＣＰＡのフレームＦＲＡ４、チップＣＰＢのフレームＦＲＢ４、チップＣＰＡのフレームＦＲＡ５、チップＣＰＢのフレームＦＲＢ５、チップＣＰＡのフレームＦＲＡ６、チップＣＰＢのフレームＦＲＢ６毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（これらの処理が、図１２中の処理ＦＲＶＦＲ２に相当する）。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｂ１（図１０（Ｂ）および図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ２（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ２（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＶＦＲ２（図１２参照）が実行される。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｂ２（図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）によるデータ処理結果に基づき、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）によって、仮想チップフレームＶＦＲ２（図７参照）のデータに関する補正処理ｅｘＶＦＲ２（図１２参照）が実行される。

また、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｃ０（図１０（Ｃ）および図１２参照）に、描画データＤのうち、仮想チップＶＣＰ（図７参照）の仮想チップフレームＶＦＲ３（図７参照）に含まれているチップＣＰＡ（図７参照）のフレームＦＲＡ７（図７参照）に関するデータ、チップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ７（図７参照）に関するデータ、チップＣＰＡ（図７参照）のフレームＦＲＡ８（図７参照）に関するデータ、チップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ８（図７参照）に関するデータ、チップＣＰＡ（図７参照）のフレームＦＲＡ９（図７参照）に関するデータ、および、チップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ９（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）に入力され、図１０（Ｃ）に示すように、チップＣＰＡのフレームＦＲＡ７、チップＣＰＢのフレームＦＲＢ７、チップＣＰＡのフレームＦＲＡ８、チップＣＰＢのフレームＦＲＢ８、チップＣＰＡのフレームＦＲＡ９、チップＣＰＢのフレームＦＲＢ９毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（これらの処理が、図１２中の処理ＦＲＶＦＲ３に相当する）。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｃ１（図１０（Ｃ）および図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ３（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ３（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＶＦＲ３（図１２参照）が実行される。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｃ２（図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）によるデータ処理結果に基づき、データ並列処理部１０ｂ１ｂ３（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）によって、仮想チップフレームＶＦＲ３（図７参照）のデータに関する補正処理ｅｘＶＦＲ３（図１２参照）が実行される。

更に、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｄ０（図１０（Ｄ）および図１２参照）に、描画データＤのうち、仮想チップＶＣＰ（図７参照）の仮想チップフレームＶＦＲ４（図７参照）に含まれているチップＣＰＡ（図７参照）のフレームＦＲＡ１０（図７参照）に関するデータ、チップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ１０（図７参照）に関するデータ、チップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ１１（図７参照）に関するデータ、および、チップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ１２（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）に入力され、図１０（Ｄ）に示すように、チップＣＰＡのフレームＦＲＡ１０、チップＣＰＢのフレームＦＲＢ１０、チップＣＰＢのフレームＦＲＢ１１、チップＣＰＢのフレームＦＲＢ１２毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（これらの処理が、図１２中の処理ＦＲＶＦＲ４に相当する）。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｄ１（図１０（Ｄ）および図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ４（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ４（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＶＦＲ４（図１２参照）が実行される。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｄ２（図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）によるデータ処理結果に基づき、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）によって、仮想チップフレームＶＦＲ４（図７参照）のデータに関する補正処理ｅｘＶＦＲ４（図１２参照）が実行される。

更に、図１０〜図１２に示す例では、時間ｔｄ３（図１２参照）の時点でチップＣＰＡ（図７参照）のフレームＦＲＡ１，ＦＲＡ２，ＦＲＡ３，ＦＲＡ４，ＦＲＡ５，ＦＲＡ６，ＦＲＡ７，ＦＲＡ８，ＦＲＡ９，ＦＲＡ１０（図７参照）のそれぞれに対するデータ処理が終了している点に鑑み、例えば、時間ｔｄ３（図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）によって、チップＣＰＡ（図７参照）中の全図形に基づくチップＣＰＡ（図７参照）全体のインターフレームチェックｆｃＣＰＡ（図１２参照）が実行され、チップＣＰＡ（図７参照）中の全図形に基づくチップＣＰＡ（図７参照）全体のショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ｄｓＣＰＡ（図１２参照）が実行される。詳細には、インターフレームチェックｆｃＣＰＡ（図１２参照）では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂｅ（図９参照）によって、隣接する２つのフレームＦＲＡ１，ＦＲＡ２，ＦＲＡ３，ＦＲＡ４，ＦＲＡ５，ＦＲＡ６，ＦＲＡ７，ＦＲＡ８，ＦＲＡ９，ＦＲＡ１０（図７参照）にまたがる図形（図示せず）などに関する検査が実行される。また、データ処理ｄｓＣＰＡ（図１２参照）では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｆ（図９参照）によって、チップＣＰＡ（図７参照）全体のショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｇ（図９参照）によって、チップＣＰＡ（図７参照）全体のパターン面積密度の計算が実行される。

また、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｅ０（図１１（Ａ）および図１２参照）に、描画データＤのうち、仮想チップＶＣＰ（図７参照）の仮想チップフレームＶＦＲ５（図７参照）に含まれているチップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ１３（図７参照）に関するデータ、および、チップＣＰＣ（図７参照）のフレームＦＲＣ１（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）に入力され、図１１（Ａ）に示すように、チップＣＰＢのフレームＦＲＢ１３、チップＣＰＣのフレームＦＲＣ１毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（これらの処理が、図１２中の処理ＦＲＶＦＲ５に相当する）。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｅ１（図１１（Ａ）および図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ５（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ５（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＶＦＲ５（図１２参照）が実行される。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｅ２（図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）によるデータ処理結果に基づき、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）によって、仮想チップフレームＶＦＲ５（図７参照）のデータに関する補正処理ｅｘＶＦＲ５（図１２参照）が実行される。

更に、図１０〜図１２に示す例では、時間ｔｅ３（図１２参照）の時点でチップＣＰＢ（図７参照）のフレームＦＲＢ１，ＦＲＢ２，ＦＲＢ３，ＦＲＢ４，ＦＲＢ５，ＦＲＢ６，ＦＲＢ７，ＦＲＢ８，ＦＲＢ９，ＦＲＢ１０，ＦＲＢ１１，ＦＲＢ１２，ＦＲＢ１３（図７参照）のそれぞれに対するデータ処理が終了している点に鑑み、例えば、時間ｔｅ３（図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）によって、チップＣＰＢ（図７参照）中の全図形に基づくチップＣＰＢ（図７参照）全体のインターフレームチェックｆｃＣＰＢ（図１２参照）が実行され、チップＣＰＢ（図７参照）中の全図形に基づくチップＣＰＢ（図７参照）全体のショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ｄｓＣＰＢ（図１２参照）が実行される。詳細には、インターフレームチェックｆｃＣＰＢ（図１２参照）では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂｅ（図９参照）によって、隣接する２つのフレームＦＲＢ１，ＦＲＢ２，ＦＲＢ３，ＦＲＢ４，ＦＲＢ５，ＦＲＢ６，ＦＲＢ７，ＦＲＢ８，ＦＲＢ９，ＦＲＢ１０，ＦＲＢ１１，ＦＲＢ１２，ＦＲＢ１３（図７参照）にまたがる図形（図示せず）などに関する検査が実行される。また、データ処理ｄｓＣＰＢ（図１２参照）では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｆ（図９参照）によって、チップＣＰＢ（図７参照）全体のショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ５（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｇ（図９参照）によって、チップＣＰＢ（図７参照）全体のパターン面積密度の計算が実行される。

更に、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｆ０（図１１（Ｂ）および図１２参照）に、描画データＤのうち、仮想チップＶＣＰ（図７参照）の仮想チップフレームＶＦＲ６（図７参照）に含まれているチップＣＰＣ（図７参照）のフレームＦＲＣ２，ＦＲＣ３，ＦＲＣ４（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）に入力され、図１１（Ｂ）に示すように、チップＣＰＣのフレームＦＲＣ２，ＦＲＣ３，ＦＲＣ４毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（これらの処理が、図１２中の処理ＦＲＶＦＲ６に相当する）。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｆ１（図１１（Ｂ）および図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ６（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ６（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＶＦＲ６（図１２参照）が実行される。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｆ２（図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）によるデータ処理結果に基づき、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）によって、仮想チップフレームＶＦＲ６（図７参照）のデータに関する補正処理ｅｘＶＦＲ６（図１２参照）が実行される。

更に、図１０〜図１２に示す例では、時間ｔｆ３（図１２参照）の時点でチップＣＰＣ（図７参照）のフレームＦＲＣ１，ＦＲＣ２，ＦＲＣ３，ＦＲＣ４（図７参照）のそれぞれに対するデータ処理が終了している点に鑑み、例えば、時間ｔｆ３（図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）によって、チップＣＰＣ（図７参照）中の全図形に基づくチップＣＰＣ（図７参照）全体のインターフレームチェックｆｃＣＰＣ（図１２参照）が実行され、チップＣＰＣ（図７参照）中の全図形に基づくチップＣＰＣ（図７参照）全体のショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ｄｓＣＰＣ（図１２参照）が実行される。詳細には、インターフレームチェックｆｃＣＰＣ（図１２参照）では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂｅ（図９参照）によって、隣接する２つのフレームＦＲＣ１，ＦＲＣ２，ＦＲＣ３，ＦＲＣ４（図７参照）にまたがる図形（図示せず）などに関する検査が実行される。また、データ処理ｄｓＣＰＣ（図１２参照）では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｆ（図９参照）によって、チップＣＰＣ（図７参照）全体のショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ６（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｇ（図９参照）によって、チップＣＰＣ（図７参照）全体のパターン面積密度の計算が実行される。

また、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｇ０（図１１（Ｃ）および図１２参照）に、描画データＤのうち、仮想チップＶＣＰ（図７参照）の仮想チップフレームＶＦＲ７（図７参照）に含まれているチップＣＰＤ（図７参照）のフレームＦＲＤ１，ＦＲＤ２（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）に入力され、図１１（Ｃ）に示すように、チップＣＰＤのフレームＦＲＤ１，ＦＲＤ２毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（これらの処理が、図１２中の処理ＦＲＶＦＲ７に相当する）。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｇ１（図１１（Ｃ）および図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ７（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ７（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＶＦＲ７（図１２参照）が実行される。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｇ２（図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）によるデータ処理結果に基づき、データ並列処理部１０ｂ１ｂ７（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）によって、仮想チップフレームＶＦＲ７（図７参照）のデータに関する補正処理ｅｘＶＦＲ７（図１２参照）が実行される。

更に、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｈ０（図１１（Ｄ）および図１２参照）に、描画データＤのうち、仮想チップＶＣＰ（図７参照）の仮想チップフレームＶＦＲ８（図７参照）に含まれているチップＣＰＤ（図７参照）のフレームＦＲＤ３，ＦＲＤ４，ＦＲＤ５（図７参照）に関するデータが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）に入力され、図１１（Ｄ）に示すように、チップＣＰＤのフレームＦＲＤ３，ＦＲＤ４，ＦＲＤ５毎に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂａ（図９参照）によってフォーマット検査され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）によってショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）によってパターン面積密度の計算が実行される（これらの処理が、図１２中の処理ＦＲＶＦＲ８に相当する）。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｈ１（図１１（Ｄ）および図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｂ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ８（図７参照）全体のショット密度の計算、および、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｃ（図９参照）による仮想チップフレームＶＦＲ８（図７参照）全体のパターン面積密度の計算の処理ｄｓＶＦＲ８（図１２参照）が実行される。

次いで、図１０〜図１２に示す例では、例えば、時間ｔｈ２（図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）によるデータ処理結果に基づき、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）の補正処理部１０ｂ１ｂｄ（図９参照）によって、仮想チップフレームＶＦＲ８（図７参照）のデータに関する補正処理ｅｘＶＦＲ８（図１２参照）が実行される。

更に、図１０〜図１２に示す例では、時間ｔｈ３（図１２参照）の時点でチップＣＰＤ（図７参照）のフレームＦＲＤ３，ＦＲＤ４，ＦＲＤ５（図７参照）のそれぞれに対するデータ処理が終了している点に鑑み、例えば、時間ｔｈ３（図１２参照）に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）によって、チップＣＰＤ（図７参照）中の全図形に基づくチップＣＰＤ（図７参照）全体のインターフレームチェックｆｃＣＰＤ（図１２参照）が実行され、チップＣＰＤ（図７参照）中の全図形に基づくチップＣＰＤ（図７参照）全体のショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ｄｓＣＰＤ（図１２参照）が実行される。詳細には、インターフレームチェックｆｃＣＰＤ（図１２参照）では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）のフォーマット検査部１０ｂ１ｂｅ（図９参照）によって、隣接する２つのフレームＦＲＤ３，ＦＲＤ４，ＦＲＤ５（図７参照）にまたがる図形（図示せず）などに関する検査が実行される。また、データ処理ｄｓＣＰＤ（図１２参照）では、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）のショット密度計算部１０ｂ１ｂｆ（図９参照）によって、チップＣＰＤ（図７参照）全体のショット密度の計算が実行され、データ並列処理部１０ｂ１ｂ８（図８参照）のパターン面積密度計算部１０ｂ１ｂｇ（図９参照）によって、チップＣＰＤ（図７参照）全体のパターン面積密度の計算が実行される。

換言すれば、第１から第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、仮想チップＶＣＰ（図７参照）全体のショット密度の計算およびパターン面積密度の計算の処理が終了した後に仮想チップＶＣＰ（図７参照）全体のデータ処理結果に基づいて仮想チップＶＣＰ（図７参照）全体のデータの補正処理が実行されるのではなく、仮想チップＶＣＰ（図７参照）が、補正処理に適したサイズの複数の仮想チップフレームＶＦＲ１，ＶＦＲ２，ＶＦＲ３，ＶＦＲ４，ＶＦＲ５，ＶＦＲ６，ＶＦＲ７，ＶＦＲ８（図７参照）に分割され、各仮想チップフレームＶＦＲ１，ＶＦＲ２，ＶＦＲ３，ＶＦＲ４，ＶＦＲ５，ＶＦＲ６，ＶＦＲ７，ＶＦＲ８（図７参照）全体のショット密度の計算およびパターン面積密度の計算の処理が終了した段階で、各仮想チップフレームＶＦＲ１，ＶＦＲ２，ＶＦＲ３，ＶＦＲ４，ＶＦＲ５，ＶＦＲ６，ＶＦＲ７，ＶＦＲ８（図７参照）のデータ処理結果に基づいて、仮想チップフレームＶＦＲ１，ＶＦＲ２，ＶＦＲ３，ＶＦＲ４，ＶＦＲ５，ＶＦＲ６，ＶＦＲ７，ＶＦＲ８（図７参照）毎にデータの補正処理が実行される。そのため、第１から第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、補正処理を早期に開始することができると共に、補正処理を並列処理によって実行することができる。

図１３は補正処理が仮想チップＶＣＰ全体のショット密度の計算およびパターン面積密度の計算の処理が終了した後に仮想チップＶＣＰ全体のデータ処理結果に基づいて実行される例を示した図である。図１３に示す例では、仮想チップフレームＶＦＲ１，ＶＦＲ２，ＶＦＲ３，ＶＦＲ４，ＶＦＲ５，ＶＦＲ６，ＶＦＲ７，ＶＦＲ８（図７参照）毎に並列処理が実行されるのではなく、チップＣＰＡ，ＣＰＢ，ＣＰＣ，ＣＰＤ（図７参照）毎に並列処理が実行される。更に、図１３に示す例では、チップＣＰＡ，ＣＰＢ，ＣＰＣ，ＣＰＤ（図７参照）毎の並列処理が終了した後に、仮想チップＶＣＰ（図７参照）全体のショット密度の計算およびパターン面積密度の計算の処理が実行され、それらの処理が終了した後に、仮想チップＶＣＰ（図７参照）全体のデータ処理結果に基づいて仮想チップＶＣＰ（図７参照）全体のデータの補正処理が実行される。そのため、図１３に示す例では、補正処理を早期に開始することができない。また、補正処理が並列処理されない。そのため、図１３に示す例では、図１２に示す第１から第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の例の総処理時間（時間ｔａ０〜時間ｔｈ４（図１２参照））よりも総処理時間（時間ｔａ０〜時間ｔｄ５’（図１３参照））が長くなってしまう。

つまり、従来においては、仮想チップＶＣＰ（図７参照）全体のデータ処理が終了した後でなければ、つまり、仮想チップＶＣＰ（図７参照）全体のデータ処理結果に基づかなければ、正確な補正処理を実行することができないと考えられていた。本発明者等の鋭意研究により、本発明者等は、補正の種類に応じて適切なサイズの仮想チップフレームＶＦＲ１，ＶＦＲ２，ＶＦＲ３，ＶＦＲ４，ＶＦＲ５，ＶＦＲ６，ＶＦＲ７，ＶＦＲ８（図７参照）を設定すれば、仮想チップＶＣＰ（図７参照）全体のデータ処理結果に基づかなくても、仮想チップフレームＶＦＲ１，ＶＦＲ２，ＶＦＲ３，ＶＦＲ４，ＶＦＲ５，ＶＦＲ６，ＶＦＲ７，ＶＦＲ８（図７参照）毎のデータ処理結果に基づいて各仮想チップフレームＶＦＲ１，ＶＦＲ２，ＶＦＲ３，ＶＦＲ４，ＶＦＲ５，ＶＦＲ６，ＶＦＲ７，ＶＦＲ８（図７参照）に関するデータの補正処理を仮想チップフレームＶＦＲ１，ＶＦＲ２，ＶＦＲ３，ＶＦＲ４，ＶＦＲ５，ＶＦＲ６，ＶＦＲ７，ＶＦＲ８（図７参照）毎に正確に実行できることを見い出したのである。

換言すれば、第１から第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の図１２に示す例では、少なくともチップＣＰＡ（図７参照）とチップＣＰＢ（図７参照）とが仮想チップＶＣＰ（図７参照）に含まれている描画データＤ（図８参照）が、荷電粒子ビーム描画装置１０に入力される。次いで、仮想チップＶＣＰ（図７参照）が少なくとも仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）と仮想チップフレームＶＦＲ２（図７参照）とに分割される。次いで、仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）に含まれており、かつ、チップＣＰＡ，ＣＰＢ（図７参照）に含まれている図形に基づくデータ処理ＦＲＶＦＲ１，ｄｓＶＦＲ１がデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）によって開始される。次いで、仮想チップフレームＶＦＲ２（図７参照）に含まれており、かつ、チップＣＰＡ，ＣＰＢに含まれている図形に基づくデータ処理ＦＲＶＦＲ２，ｄｓＶＦＲ２がデータ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）によって開始される。次いで、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）によるデータ処理ＦＲＶＦＲ１，ｄｓＶＦＲ１が終了した時であって、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）によるデータ処理ＦＲＶＦＲ２，ｄｓＶＦＲ２が終了する前に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）によるデータ処理ＦＲＶＦＲ１，ｄｓＶＦＲ１の結果に基づく補正処理ｅｘＶＦＲ１がデータ並列処理部１０ｂ１ｂ１の補正処理部１０ｂ１ｂｄによって開始される。

また、第１から第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の図１２に示す例では、仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）に含まれているチップＣＰＡ，ＣＰＢ（図７参照）中の図形に基づくフレームＦＲＡ１，ＦＲＢ１，ＦＲＡ２，ＦＲＢ２，ＦＲＡ３，ＦＲＢ３（図７参照）毎のフォーマット検査、ショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ＦＲＶＦＲ１が、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）による処理ＦＲＶＦＲ２と並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）によって実行される。つまり、仮想チップフレームＦＲＶ２（図７参照）に含まれているチップＣＰＡ，ＣＰＢ（図７参照）中の図形に基づくフレームＦＲＡ４，ＦＲＢ４，ＦＲＡ５，ＦＲＢ５，ＦＲＡ６，ＦＲＢ６（図７参照）毎のフォーマット検査、ショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ＦＲＶＦＲ２が、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）による処理ＦＲＶＦＲ１と並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）によって実行される。また、仮想チップフレームＦＲＶ１（図７参照）に含まれているチップＣＰＡ，ＣＰＢ（図７参照）中の図形に基づくフレームＦＲＡ１，ＦＲＢ１，ＦＲＡ２，ＦＲＢ２，ＦＲＡ３，ＦＲＢ３（図７参照）毎のフォーマット検査、ショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ＦＲＶＦＲ１の終了後に、仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）に含まれている全図形に基づく仮想チップフレームＶＦＲ１全体のショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ｄｓＶＦＲ１が、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）による処理ＦＲＶＦＲ２と並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）によって実行される。更に、仮想チップフレームＶＦＲ２（図７参照）に含まれているチップＣＰＡ，ＣＰＢ中の図形に基づくフレームＦＲＡ４，ＦＲＢ４，ＦＲＡ５，ＦＲＢ５，ＦＲＡ６，ＦＲＢ６（図７参照）毎のフォーマット検査、ショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ＦＲＶＦＲ２の終了後に、仮想チップフレームＶＦＲ２（図７参照）に含まれている全図形に基づく仮想チップフレームＶＦＲ２（図７参照）全体のショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ｄｓＶＦＲ２が、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）による処理ｄｓＶＦＲ１と並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）によって実行される。

更に、第１から第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の図１２に示す例では、仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）に含まれている全図形に基づく仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）全体のショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ｄｓＶＦＲ１が、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）による処理ＦＲＶＦＲ２と並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図７参照）によって実行される。また、仮想チップフレームＶＦＲ２（図７参照）に含まれている全図形に基づく仮想チップフレームＶＦＲ２（図７参照）全体のショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ｄｓＶＦＲ２が、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）による処理ｄｓＶＦＲ１と並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）によって実行される。更に、仮想チップフレームＶＦＲ１（図７参照）に含まれている全図形に基づく仮想チップフレームＶＦＲ１全体のショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ｄｓＶＦＲ１の終了後に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）によるデータ処理ＦＲＶＦＲ１，ｄｓＶＦＲ１の結果に基づく補正処理ｅｘＶＦＲ１が、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）による処理ｄｓＶＦＲ２と並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）によって実行される。また、仮想チップフレームＶＦＲ２（図７参照）に含まれている全図形に基づく仮想チップフレームＶＦＲ２（図７参照）全体のショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ｄｓＶＦＲ２の終了後に、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）によるデータ処理ＦＲＶＦＲ２，ｄｓＶＦＲ２の結果に基づく補正処理ｅｘＶＦＲ２が、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１（図８参照）による処理ｅｘＶＦＲ１と並列して、データ並列処理部１０ｂ１ｂ２（図８参照）によって実行される。

また、第１から第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の図１２に示す例では、仮想チップフレームＶＦＲ５（図７参照）にチップＣＰＡが含まれていないため、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）によるデータ処理ＦＲＶＦＲ４，ｄｓＶＦＲ４の結果に基づく補正処理ｅｘＶＦＲ４の終了後に、チップＣＰＡ（図７参照）中の全図形に基づくチップＣＰＡ（図７参照）全体のインターフレームチェックｆｃＣＰＡとショット密度計算およびパターン面積密度計算の処理ｄｓＣＰＡとが、データ並列処理部１０ｂ１ｂ４（図８参照）によって実行される。

図８の説明に戻り、図８に示す例では、例えば、ショット分割部１０ｂ１ｃによる処理結果、データ並列処理部１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３，１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６，１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８，１０ｂ１ｂ９，１０ｂ１ｂ１０によるデータ処理結果、補正処理結果などに基づいて、ショットデータ生成部１０ｂ１ｄによってショットデータが生成される。

更に、図８に示す例では、例えば、ブランキング偏向制御部１０ｂ１ｅ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御され、ビーム寸法可変偏向制御部１０ｂ１ｆ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御され、主偏向制御部１０ｂ１ｇ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御され、副偏向制御部１０ｂ１ｈ（図８参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、ステージ制御部１０ｂ１ｉ（図８参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可変ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が制御される。その結果、描画データに含まれる図形に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上に描画される。

図７に示す例では、例えば４個のチップＣＰＡ，ＣＰＢ，ＣＰＣ，ＣＰＤが仮想チップＶＣＰに含められている描画データＤ（図１参照）が第１から第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に対して入力され、仮想チップＶＣＰが例えば８個の仮想チップフレームＶＦＲ１，ＶＦＲ２，ＶＦＲ３，ＶＦＲ４，ＶＦＲ５，ＶＦＲ６，ＶＦＲ７，ＶＦＲ８に分割されて描画データＤが処理されているが、第１から第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０には、１個以上の任意の数の仮想チップを有し、仮想チップ内に１個以上の任意の数のチップが含められている描画データを入力可能であり、第１から第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、仮想チップを複数の仮想チップフレームに分割することなく描画データＤを処理することも可能である。

第５の実施形態では、上述した第１から第４の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。

１０ 荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ 描画部
１０ａ１ａ 荷電粒子銃
１０ａ１ｂ 荷電粒子ビーム
１０ａ２ａ ステージ
１０ｂ 制御部
１０ｂ１ 制御計算機
１０ｂ１ａ 入力部
１０ｂ１ｂ１，１０ｂ１ｂ２，１０ｂ１ｂ３ データ並列処理部
１０ｂ１ｂ４，１０ｂ１ｂ５，１０ｂ１ｂ６ データ並列処理部
１０ｂ１ｂ７，１０ｂ１ｂ８ データ並列処理部
１０ｂ１ｂｄ 補正処理部
１０ｂ１ｊ 仮想チップフレーム作成部
Ｄ 描画データ
Ｍ 試料

Claims (5)

1. 可動ステージに載置された試料に対して荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応するパターンを試料上に描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、仮想チップ階層と、仮想チップ階層よりも下位のチップ階層と、チップ階層よりも下位の図形階層とが設けられており、少なくとも１個の仮想チップが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも１個のチップが仮想チップに含まれており、少なくとも１個の仮想チップフレームが仮想チップに含まれている描画データを入力可能な荷電粒子ビーム描画装置の描画データ処理方法において、
   少なくとも１個の仮想チップが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも第１チップと第２チップとが仮想チップに含まれている描画データが荷電粒子ビーム描画装置に入力される場合であって、仮想チップが少なくとも第１仮想チップフレームと第２仮想チップフレームとに分割される場合に、
   第１仮想チップフレームに含まれており、かつ、第１チップおよび／または第２チップに含まれている図形に基づくデータ処理を第１データ並列処理部によって開始し、次いで、
   第２仮想チップフレームに含まれており、かつ、第１チップおよび／または第２チップに含まれている図形に基づくデータ処理を第２データ並列処理部によって開始し、次いで、
   第１データ並列処理部によるデータ処理が終了した時であって、第２データ並列処理部によるデータ処理が終了する前に、第１データ並列処理部によるデータ処理結果に基づく補正処理を第１データ並列処理部によって開始することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の描画データ処理方法。
2. 第１仮想チップフレームに含まれている第１チップおよび／または第２チップ中の図形に基づくフォーマット検査とショット密度計算とパターン面積密度計算とを第１データ並列処理部によって実行し、
   第２仮想チップフレームに含まれている第１チップおよび／または第２チップ中の図形に基づくフォーマット検査とショット密度計算とパターン面積密度計算とを、第１データ並列処理部による処理と並列して、第２データ並列処理部によって実行し、
   第１仮想チップフレームに含まれている第１チップおよび／または第２チップ中の図形に基づくフォーマット検査、ショット密度計算およびパターン面積密度計算の終了後に、第１仮想チップフレームに含まれている全図形に基づく第１仮想チップフレーム全体のショット密度計算とパターン面積密度計算とを第１データ並列処理部によって実行し、
   第２仮想チップフレームに含まれている第１チップおよび／または第２チップ中の図形に基づくフォーマット検査、ショット密度計算およびパターン面積密度計算の終了後に、第２仮想チップフレームに含まれている全図形に基づく第２仮想チップフレーム全体のショット密度計算とパターン面積密度計算とを、第１データ並列処理部による処理と並列して、第２データ並列処理部によって実行することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置の描画データ処理方法。
3. 第１仮想チップフレームに含まれている全図形に基づく第１仮想チップフレーム全体のショット密度計算とパターン面積密度計算とを第１データ並列処理部によって実行し、
   第２仮想チップフレームに含まれている全図形に基づく第２仮想チップフレーム全体のショット密度計算とパターン面積密度計算とを、第１データ並列処理部による処理と並列して、第２データ並列処理部によって実行し、
   第１仮想チップフレームに含まれている全図形に基づく第１仮想チップフレーム全体のショット密度計算およびパターン面積密度計算の終了後に、第１データ並列処理部によるデータ処理結果に基づく補正処理を第１データ並列処理部によって実行し、
   第２仮想チップフレームに含まれている全図形に基づく第２仮想チップフレーム全体のショット密度計算およびパターン面積密度計算の終了後に、第２データ並列処理部によるデータ処理結果に基づく補正処理を、第１データ並列処理部による処理と並列して、第２データ並列処理部によって実行することを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子ビーム描画装置の描画データ処理方法。
4. 仮想チップに第３仮想チップフレームが含まれており、第３仮想チップフレームに第１チップが含まれていない場合に、
   第２データ並列処理部によるデータ処理結果に基づく補正処理の終了後に、第１チップ中の全図形に基づく第１チップ全体のインターフレームチェックとショット密度計算とパターン面積密度計算とを、第２データ並列処理部によって実行することを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画装置の描画データ処理方法。
5. 可動ステージに載置された試料に対して荷電粒子ビームを照射することにより、描画データに含まれている複数の図形に対応するパターンを試料上に描画する描画部と、
   仮想チップ階層と、仮想チップ階層よりも下位のチップ階層と、チップ階層よりも下位の図形階層とが設けられており、少なくとも１個の仮想チップが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも１個のチップが仮想チップに含まれており、少なくとも１個の仮想チップフレームが仮想チップに含まれている描画データを入力可能な入力部と、
   少なくとも１個の仮想チップが仮想チップ階層に含まれており、少なくとも第１チップと第２チップとが仮想チップに含まれている描画データが入力部に入力された場合であって、仮想チップが少なくとも第１仮想チップフレームと第２仮想チップフレームとに分割された場合に、
   第１仮想チップフレームに含まれており、かつ、第１チップおよび／または第２チップに含まれている図形に基づくデータ処理を開始する第１データ並列処理部と、
   第２仮想チップフレームに含まれており、かつ、第１チップおよび／または第２チップに含まれている図形に基づくデータ処理を開始する第２データ並列処理部と、
   第１データ並列処理部によるデータ処理が終了した時であって、第２データ並列処理部によるデータ処理が終了する前に、第１データ並列処理部によるデータ処理結果に基づく補正処理を開始する補正処理部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。

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