JP5586343B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
少なくとも2種以上の多重度の1つが設定され、それぞれ異なる多重度の領域が示される複数の多重度設定領域情報を記憶する記憶部と、
複数の多重度設定領域情報に設定された多重度のうち、最大多重度に合うように、複数の図形パターンが配置されるチップ領域が仮想分割された複数の小領域で構成される複数の層を作成する作成部と、
多重回数目毎に層が分かれるように、各層の複数の小領域に当該小領域内の図形パターンを前記それぞれ異なる多重度の領域の多重度に応じてそれぞれ配置する配置部と、
荷電粒子ビームを用いて、多重度に応じて複数の小領域に当該小領域内の図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
描画部は、定義された多重度情報に沿った多重度で当該小領域内の図形パターンを描画すると好適である。
各サブフィールド領域に多重度情報を定義する情報定義部と、
をさらに備え、
描画部は、定義された多重度情報に沿った多重度で当該小領域内の図形パターンを描画するように構成しても好適である。
少なくとも2種以上の多重度の1つが設定され、それぞれ異なる多重度の領域が示される複数の多重度設定領域情報を記憶する記憶装置から複数の多重度設定領域情報を読み出し、複数の多重度設定領域情報に設定された多重度のうち、最大多重度に合うように、複数の図形パターンが配置されるチップ領域が仮想分割された複数の小領域で構成される複数の層を作成する工程と、
多重回数目毎に層が分かれるように、各層の複数の小領域に当該小領域内の図形パターンを前記それぞれ異なる多重度の領域の多重度に応じてそれぞれ配置する工程と、
荷電粒子ビームを用いて、多重度に応じて前記複数の小領域に当該小領域内の図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
実施の形態1では、処理領域単位で多重度情報が付加されたがこれに限るものではない。実施の形態2では、SF領域単位で多重度情報が付加される場合について説明する。描画装置100の構成は図1と同様である。また、以下、特に説明しない内容については実施の形態1と同様である。
実施の形態1,2では、チップ内で複数の多重度領域が設定された多重度設定領域情報を外部から入力していたが、これに限るものではない。
12,14 領域
20 ストライプ領域
30,32,34,36 セル
33,35 部分セル
40,41,42 処理領域
50 レイヤ作成部
51 描画データ処理部
52 図形配置部
54 SF展開部
56 多重度情報付加部
58 合成部
60,62 SF領域
61 多重度領域設定部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機ユニット
111 メモリ
120 制御回路
140,142,144 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 少なくとも2種以上の多重度の1つが設定され、それぞれ異なる多重度の領域が示される複数の多重度設定領域情報を記憶する記憶部と、
前記複数の多重度設定領域情報に設定された多重度のうち、最大多重度に合うように、複数の図形パターンが配置されるチップ領域が仮想分割された複数の小領域で構成される複数の層を作成する作成部と、
多重回数目毎に層が分かれるように、前記各層の前記複数の小領域に当該小領域内の図形パターンを前記それぞれ異なる多重度の領域の多重度に応じてそれぞれ配置する配置部と、
荷電粒子ビームを用いて、多重度に応じて前記複数の小領域に当該小領域内の図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記図形パターンが配置された各小領域のデータをデータ処理する各小領域を分割した処理領域毎に多重度情報を定義する情報定義部をさらに備え、
前記描画部は、定義された多重度情報に沿った多重度で当該小領域内の図形パターンを描画することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 多重回数目毎に、当該小領域よりも小さいサイズの複数のサブフィールド領域に当該小領域内の図形パターンを展開するサブフィールド展開部と、
各サブフィールド領域に多重度情報を定義する情報定義部と、
をさらに備え、
前記描画部は、定義された多重度情報に沿った多重度で当該小領域内の図形パターンを描画することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記図形パターンが配置された各小領域のデータをデータ処理する各小領域を分割した処理領域毎に多重度情報に応じて図形パターンが配置されることを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 少なくとも2種以上の多重度の1つが設定され、それぞれ異なる多重度の領域が示される複数の多重度設定領域情報を記憶する記憶装置から前記複数の多重度設定領域情報を読み出し、前記複数の多重度設定領域情報に設定された多重度のうち、最大多重度に合うように、複数の図形パターンが配置されるチップ領域が仮想分割された複数の小領域で構成される複数の層を作成する工程と、
多重回数目毎に層が分かれるように、各層の前記複数の小領域に当該小領域内の図形パターンを前記それぞれ異なる多重度の領域の多重度に応じてそれぞれ配置する工程と、
荷電粒子ビームを用いて、多重度に応じて前記複数の小領域に当該小領域内の図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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