JP2001313253A - 電子線描画装置及び電子線描画方法 - Google Patents
電子線描画装置及び電子線描画方法Info
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- JP2001313253A JP2001313253A JP2001051257A JP2001051257A JP2001313253A JP 2001313253 A JP2001313253 A JP 2001313253A JP 2001051257 A JP2001051257 A JP 2001051257A JP 2001051257 A JP2001051257 A JP 2001051257A JP 2001313253 A JP2001313253 A JP 2001313253A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】連続移動描画における全体のショット数を低減
し、これによって全体の描画時間の短縮を図ってスルー
プットを向上させる。 【解決手段】各ストライプ毎に図形データの分割条件を
設定可能にし、かつ、描画のショット照射時間をショッ
ト数に反比例するように制御して多重描画する。
し、これによって全体の描画時間の短縮を図ってスルー
プットを向上させる。 【解決手段】各ストライプ毎に図形データの分割条件を
設定可能にし、かつ、描画のショット照射時間をショッ
ト数に反比例するように制御して多重描画する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は描画用試料を連続移
動させて描画用試料に描画を行う新規な電子線描画装置
及びその描画方法に関するものである。
動させて描画用試料に描画を行う新規な電子線描画装置
及びその描画方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の電子線描画装置において描画用試
料に描画を行う方法としてステップ・アンド・リピート
方式が知られている。
料に描画を行う方法としてステップ・アンド・リピート
方式が知られている。
【0003】この描画方式では、描画用試料の移動時は
描画用試料への描画は実行されず、無駄時間として描画
時間短縮によるスループット向上に対する障害となって
いた。
描画用試料への描画は実行されず、無駄時間として描画
時間短縮によるスループット向上に対する障害となって
いた。
【0004】これに対して、描画用試料を連続移動する
描画方式(この場合、描画用試料を移動させるのは描画
用試料を載置したステージと呼ばれる描画用試料保持手
段を駆動して移動させる。)では描画用試料を移動させ
ながら同時に描画を行うことができる。
描画方式(この場合、描画用試料を移動させるのは描画
用試料を載置したステージと呼ばれる描画用試料保持手
段を駆動して移動させる。)では描画用試料を移動させ
ながら同時に描画を行うことができる。
【0005】このため、描画用試料の移動に伴う無駄時
間が排除され、描画時間の短縮を実現できるものであ
る。
間が排除され、描画時間の短縮を実現できるものであ
る。
【0006】描画用試料の連続移動方式としては描画用
試料の移動速度を等速で移動させる等速移動方式と、描
画パターンの疎密により描画用試料の移動速度を変化さ
せる可変速移動方式とが提案されている。
試料の移動速度を等速で移動させる等速移動方式と、描
画パターンの疎密により描画用試料の移動速度を変化さ
せる可変速移動方式とが提案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した描画用試料を
連続移動する描画方式では、描画用試料の移動によって
描画できる幅(一般には、列ストライプ幅と呼ばれてお
り、描画用試料の移動方向と直角方向に電子線を偏向す
ることによって描画できる範囲をいう。)は描画精度、
特にストライプ間の接続精度を考慮すると最大で約5m
m程度に制限されている。
連続移動する描画方式では、描画用試料の移動によって
描画できる幅(一般には、列ストライプ幅と呼ばれてお
り、描画用試料の移動方向と直角方向に電子線を偏向す
ることによって描画できる範囲をいう。)は描画精度、
特にストライプ間の接続精度を考慮すると最大で約5m
m程度に制限されている。
【0008】描画精度の向上を図るために多重描画を行
うことは平均化(アベレージング)効果により効果的で
あるが、その反面全体の描画時間を増大させ、スループ
ットを低下させるという新たな問題を発現させることに
なる。
うことは平均化(アベレージング)効果により効果的で
あるが、その反面全体の描画時間を増大させ、スループ
ットを低下させるという新たな問題を発現させることに
なる。
【0009】特に、列ストライプ内の図形データの分割
条件は描画動作を始める前に指定されるようになってお
り、多重描画にて同一の描画データを複数回重ねて描画
する場合には全体の描画ショット数(描画データを分割
して実際に試料上に描画する。)は多重描画の回数倍さ
れることになる。
条件は描画動作を始める前に指定されるようになってお
り、多重描画にて同一の描画データを複数回重ねて描画
する場合には全体の描画ショット数(描画データを分割
して実際に試料上に描画する。)は多重描画の回数倍さ
れることになる。
【0010】このため、全体の描画ショット数が多くな
り、全体の描画時間の短縮ができなく、スループットの
向上ができないという問題があった。
り、全体の描画時間の短縮ができなく、スループットの
向上ができないという問題があった。
【0011】従って、本発明の目的は全体の描画ショッ
ト数を低減し、これによって全体の描画時間の短縮を図
ってスループットを向上することにある。
ト数を低減し、これによって全体の描画時間の短縮を図
ってスループットを向上することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明の実施態様では、簡潔には、各ストライプ毎
に図形データの分割条件を任意に設定可能とする構成を
採用して、全体の描画ショット数を低減することができ
る。
め、本発明の実施態様では、簡潔には、各ストライプ毎
に図形データの分割条件を任意に設定可能とする構成を
採用して、全体の描画ショット数を低減することができ
る。
【0013】より具体的には、本発明の1つの観点に係
る電子線描画装置は、描画すべき描画用試料を移動可能
に載置する描画用試料保持手段と、前記描画用試料保持
手段を駆動する駆動手段と、前記描画用試料に描画パタ
ーンを描画するための電子ビームを発生する電子ビーム
発生手段と、前記電子ビームを前記描画用試料の所望の
位置へ偏向する偏向手段と、前記描画用試料の位置を測
定する測定手段と、多重に描画を行う際に前記描画用試
料の描画データを所望の寸法に分割する分割条件を任意
に設定し、この任意に設定された分割条件にあわせて前
記電子ビームを偏向するように前記偏向手段を制御する
制御手段とを備えている。
る電子線描画装置は、描画すべき描画用試料を移動可能
に載置する描画用試料保持手段と、前記描画用試料保持
手段を駆動する駆動手段と、前記描画用試料に描画パタ
ーンを描画するための電子ビームを発生する電子ビーム
発生手段と、前記電子ビームを前記描画用試料の所望の
位置へ偏向する偏向手段と、前記描画用試料の位置を測
定する測定手段と、多重に描画を行う際に前記描画用試
料の描画データを所望の寸法に分割する分割条件を任意
に設定し、この任意に設定された分割条件にあわせて前
記電子ビームを偏向するように前記偏向手段を制御する
制御手段とを備えている。
【0014】また、本発明の他の観点に係る改善された
電子線描画方法は、電子ビームを描画用試料の所望の位
置へ偏向し、前記描画用試料の所定位置に電子ビームを
照射するように前記偏向を制御する電子線描画方法にお
いて、多重に描画を行う際に前記描画用試料の描画デー
タを所望の寸法に分割する分割条件を任意に設定し、こ
の任意に設定された分割条件にあわせて前記電子ビーム
を偏向制御する構成を備えたものである。
電子線描画方法は、電子ビームを描画用試料の所望の位
置へ偏向し、前記描画用試料の所定位置に電子ビームを
照射するように前記偏向を制御する電子線描画方法にお
いて、多重に描画を行う際に前記描画用試料の描画デー
タを所望の寸法に分割する分割条件を任意に設定し、こ
の任意に設定された分割条件にあわせて前記電子ビーム
を偏向制御する構成を備えたものである。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づき詳細に説明する。
づき詳細に説明する。
【0016】図1は、本発明が適用される電子線描画装
置の全体構成を示している。
置の全体構成を示している。
【0017】第1図において、電子線描画装置の装置本
体1内に描画すべき描画用試料3を載置して固定する描
画用試料保持手段(以下、ステージ2という)が収納さ
れている。
体1内に描画すべき描画用試料3を載置して固定する描
画用試料保持手段(以下、ステージ2という)が収納さ
れている。
【0018】そして、描画用試料3の位置、言い換えれ
ばステージ2の位置は測長計4によって測定されるよう
になっている。
ばステージ2の位置は測長計4によって測定されるよう
になっている。
【0019】描画用試料3を移動するためステージ2は
駆動部6に連結されており、ステージ2を移動させて結
果として描画用試料3を移動させるようになっている。
駆動部6に連結されており、ステージ2を移動させて結
果として描画用試料3を移動させるようになっている。
【0020】この駆動部6は電動機器や油圧機器或いは
空圧機器等の駆動機構によって構成されている。
空圧機器等の駆動機構によって構成されている。
【0021】駆動部6にはステージ制御部5よりステー
ジ制御信号が送られるが、ステージ制御信号は制御用計
算機7からの指令に基づいてステージ2の位置を制御、
即ちステージ2を移動動作するようになっている。
ジ制御信号が送られるが、ステージ制御信号は制御用計
算機7からの指令に基づいてステージ2の位置を制御、
即ちステージ2を移動動作するようになっている。
【0022】また、制御用計算機7には描画パターン・
データ発生部8から描画パターン・データが送られ、制
御用計算機7で描画用試料3での描画順序に従って各列
ストライプ単位で描画パターン・データの並び替えが行
われる。
データ発生部8から描画パターン・データが送られ、制
御用計算機7で描画用試料3での描画順序に従って各列
ストライプ単位で描画パターン・データの並び替えが行
われる。
【0023】並び替えられた描画パターン・データ8a
は制御用計算機7からバッファ・メモリ9に転送されて
記憶されることとなる。
は制御用計算機7からバッファ・メモリ9に転送されて
記憶されることとなる。
【0024】描画制御部10は制御用計算機7によって
制御されるように構成されており、制御計算機7の起動
命令によって描画動作の起動がかかるようになってい
る。
制御されるように構成されており、制御計算機7の起動
命令によって描画動作の起動がかかるようになってい
る。
【0025】制御用計算機7によって描画動作の起動が
かかると描画制御部10はバッファ・メモリ9より所定
の順序に従って順次描画パターン・データ8aを読み出
し、ショットへの分解および各ショットの座標計算を行
ってショット・データ10aを作成すると共に追従補正
部11に転送する。
かかると描画制御部10はバッファ・メモリ9より所定
の順序に従って順次描画パターン・データ8aを読み出
し、ショットへの分解および各ショットの座標計算を行
ってショット・データ10aを作成すると共に追従補正
部11に転送する。
【0026】追従補正部11は測長計4によって測定し
たステージ位置データ4aとショット・データ10aと
から偏向データ11aを計算し、ステージ2が偏向可能
範囲に入ると、電子ビームを描画用試料上の所望の位置
へ偏向する偏向制御部12及び偏向器13よりなる電子
光学鏡体に起動をかける。
たステージ位置データ4aとショット・データ10aと
から偏向データ11aを計算し、ステージ2が偏向可能
範囲に入ると、電子ビームを描画用試料上の所望の位置
へ偏向する偏向制御部12及び偏向器13よりなる電子
光学鏡体に起動をかける。
【0027】偏向制御部12は電子ビーム発生手段(以
下、電子銃14という)より射出した電子ビーム14a
を偏向器13によって偏向データ11aに従って偏向
し、これによってステージ2上に載置されている描画用
試料3に描画パターンの描画動作を行う。
下、電子銃14という)より射出した電子ビーム14a
を偏向器13によって偏向データ11aに従って偏向
し、これによってステージ2上に載置されている描画用
試料3に描画パターンの描画動作を行う。
【0028】連続移動描画を行う場合は、各列ストライ
プ毎に制御計算機7によって描画制御部10の描画動作
の起動をかけ、次に、ステージ制御部5に対して列スト
ライプの移動動作の起動をかけることで連続移動描画を
可能としている。
プ毎に制御計算機7によって描画制御部10の描画動作
の起動をかけ、次に、ステージ制御部5に対して列スト
ライプの移動動作の起動をかけることで連続移動描画を
可能としている。
【0029】以上が電子線描画装置の基本的な構成とそ
の動作であるが、次に図2によって列ストライプ内の描
画方法を説明する。
の動作であるが、次に図2によって列ストライプ内の描
画方法を説明する。
【0030】本実施例の列ストライプ内においては、図
2に示されているように描画領域は副偏向領域及び副々
偏向領域の二段に分割されるようになっている。
2に示されているように描画領域は副偏向領域及び副々
偏向領域の二段に分割されるようになっている。
【0031】つまり、ステージ2の移動方向をYとし、
ステージ2の移動方向に直角な方向をXとした場合、描
画領域はX方向に逐次更新されながらステージ2の移動
に同期してY方向に更新されていく。
ステージ2の移動方向に直角な方向をXとした場合、描
画領域はX方向に逐次更新されながらステージ2の移動
に同期してY方向に更新されていく。
【0032】ここで、偏向器13は主偏向器13a、副
偏向器13b及び副々偏向器13cとより構成されてお
り、その配置は電子銃14から見て主偏向器13a、副
偏向器13b及び副々偏向器13cの順序で配置されて
いる。
偏向器13b及び副々偏向器13cとより構成されてお
り、その配置は電子銃14から見て主偏向器13a、副
偏向器13b及び副々偏向器13cの順序で配置されて
いる。
【0033】そして、電子ビームの偏向制御は各偏向器
の選択組み合わせで行われ、副偏向領域は偏向器13の
副偏向器13bによって偏向制御され、副偏向領域内の
副々偏向領域は偏向器13の副々偏向器13cによって
偏向制御される。
の選択組み合わせで行われ、副偏向領域は偏向器13の
副偏向器13bによって偏向制御され、副偏向領域内の
副々偏向領域は偏向器13の副々偏向器13cによって
偏向制御される。
【0034】また、副々偏向領域内での描画データの位
置決めは偏向器13の副々偏向器13cによって偏向制
御される。
置決めは偏向器13の副々偏向器13cによって偏向制
御される。
【0035】尚、主偏向器13a、副偏向器13b及び
副々偏向器13cは偏向制御部12によって各々偏向制
御されることは言うまでもない。
副々偏向器13cは偏向制御部12によって各々偏向制
御されることは言うまでもない。
【0036】次に図3に基づき本発明の一実施例による
多重描画の制御動作フローを説明するが、この制御動作
フローは制御用計算機7によって実行される。
多重描画の制御動作フローを説明するが、この制御動作
フローは制御用計算機7によって実行される。
【0037】図3において、まずステップS10で多重
描画回数Nを指定するとついでステップS20で多重描
画実行回数n=1を指定し、制御動作フローがスタート
して一回目の描画実行であることを設定する。
描画回数Nを指定するとついでステップS20で多重描
画実行回数n=1を指定し、制御動作フローがスタート
して一回目の描画実行であることを設定する。
【0038】次に、ステップS30で毎々の列ストライ
プに対して列ストライプの先頭で描画データの分割条件
を指定する。
プに対して列ストライプの先頭で描画データの分割条件
を指定する。
【0039】この場合、最大分解寸法、最小分解寸法及
び輪郭分解寸法、近接効果補正用パターン密度マップの
分割条件等の任意の描画データ分割条件や、近接効果補
正用パターン密度マップの平滑化条件及び各回の描画で
の描画データの位置決め時間等が任意に設定可能であ
る。
び輪郭分解寸法、近接効果補正用パターン密度マップの
分割条件等の任意の描画データ分割条件や、近接効果補
正用パターン密度マップの平滑化条件及び各回の描画で
の描画データの位置決め時間等が任意に設定可能であ
る。
【0040】これにより、各列ストライプ毎で多重描画
の各処理回数に対して決め細やかな条件設定をすること
が可能となる。
の各処理回数に対して決め細やかな条件設定をすること
が可能となる。
【0041】ステップS30で描画データの分割条件が
指定されると、ステップS40でショット照射時間の指
定が行われる。
指定されると、ステップS40でショット照射時間の指
定が行われる。
【0042】このショット照射時間Tは描画の繰返し回
数(多重描画の回数)に反比例して設定されている。具
体的には全照射時間Toを多重描画回数Nで割った時間
をショット照射時間Tとしている。
数(多重描画の回数)に反比例して設定されている。具
体的には全照射時間Toを多重描画回数Nで割った時間
をショット照射時間Tとしている。
【0043】尚、本実施例ではショット照射時間Tは描
画の繰返し回数に反比例して設定されているが、これに
限定されることなく種々のショット照射時間を任意に設
定して選択することができる。
画の繰返し回数に反比例して設定されているが、これに
限定されることなく種々のショット照射時間を任意に設
定して選択することができる。
【0044】次に、ステップS50で電子銃14によっ
て電子ビーム14aを照射するが、この時ステップS3
0で指定した描画データの分割条件にしたがって列スト
ライプの描画が実行される。
て電子ビーム14aを照射するが、この時ステップS3
0で指定した描画データの分割条件にしたがって列スト
ライプの描画が実行される。
【0045】この描画の処理が実行されると、ステップ
S60で描画実行回数nが設定描画回数Nに達したかど
うか判断し、設定描画回数Nに達していない場合はステ
ップS70で描画実行回数nに+1してステップS30
に戻り、同様の処理を実行する。
S60で描画実行回数nが設定描画回数Nに達したかど
うか判断し、設定描画回数Nに達していない場合はステ
ップS70で描画実行回数nに+1してステップS30
に戻り、同様の処理を実行する。
【0046】一方、設定描画実行回数に達するとステッ
プS80に移り、次の列ストライプの描画処理を実行す
る。
プS80に移り、次の列ストライプの描画処理を実行す
る。
【0047】次の列ストライプの描画についても図3に
示すステップS10からステップS80と同様の処理を
実行し、描画用試料に描画を行う。
示すステップS10からステップS80と同様の処理を
実行し、描画用試料に描画を行う。
【0048】次に、図3のステップS30で実行される
描画図形データの分割条件の指定について図4及び図5
に基づきその一例を説明する。
描画図形データの分割条件の指定について図4及び図5
に基づきその一例を説明する。
【0049】尚、図4は多重描画の例として二重描画の
例を示し、図5は三重描画の例を示している。
例を示し、図5は三重描画の例を示している。
【0050】図4において、まず図4の(a)に示す描
画データに対して多重描画の一回目の描画では図4の
(b)に示すように描画データの分割として図形分割を
大きくするように最大ショットサイズを設定する。
画データに対して多重描画の一回目の描画では図4の
(b)に示すように描画データの分割として図形分割を
大きくするように最大ショットサイズを設定する。
【0051】そして、この最大ショットサイズの条件設
定で描画データの分割を実施すると、描画データに対す
る分割後のショット数を最小化することができる。
定で描画データの分割を実施すると、描画データに対す
る分割後のショット数を最小化することができる。
【0052】これによって、ステージ2の移動速度の高
速化が可能となり列ストライプ描画時間を短縮すること
ができることになる。
速化が可能となり列ストライプ描画時間を短縮すること
ができることになる。
【0053】次に、多重描画の二回目の描画では図4の
(c)に示すように描画データの分割として図形分割を
小さくするように輪郭分解を設定する。この輪郭分解は
図形の周辺を小さい寸法に分割するものである。
(c)に示すように描画データの分割として図形分割を
小さくするように輪郭分解を設定する。この輪郭分解は
図形の周辺を小さい寸法に分割するものである。
【0054】これによって、ショットサイズが大きい場
合に問題となるビームぼけを低減することが可能とな
り、描画用試料上での図形データの描画結果に関して寸
法精度を向上できるようになる。
合に問題となるビームぼけを低減することが可能とな
り、描画用試料上での図形データの描画結果に関して寸
法精度を向上できるようになる。
【0055】従来、描画精度を低下させないためには多
重描画の各列ストライプで一回目及び二回目とも輪郭分
解を適用することが必要となって描画時間が増大してい
たが、本実施例によれば一回目は最大ショットサイズで
分割しているので全体の描画時間を低減することが可能
となる。
重描画の各列ストライプで一回目及び二回目とも輪郭分
解を適用することが必要となって描画時間が増大してい
たが、本実施例によれば一回目は最大ショットサイズで
分割しているので全体の描画時間を低減することが可能
となる。
【0056】次に三重描画の例を図5に基づき説明する
が、この場合、図形データの描画用試料上での描画精度
(寸法精度)を更に向上するために輪郭分解の条件を二
回目と三回目で変更している。
が、この場合、図形データの描画用試料上での描画精度
(寸法精度)を更に向上するために輪郭分解の条件を二
回目と三回目で変更している。
【0057】図5において、まず図5の(a)に示す描
画データに対して多重描画の一回目の描画では図5の
(b)に示すように描画データの分割として図形分割を
大きくするように最大ショットサイズを設定する。
画データに対して多重描画の一回目の描画では図5の
(b)に示すように描画データの分割として図形分割を
大きくするように最大ショットサイズを設定する。
【0058】次に、多重描画の二回目の描画では図5の
(c)に示すように描画データの分割として図形分割を
小さくするように輪郭分解を設定する。
(c)に示すように描画データの分割として図形分割を
小さくするように輪郭分解を設定する。
【0059】更に、多重描画の三回目の描画では図5の
(d)に示すように描画データの分割として(c)より
図形分割を小さくするように輪郭分解を設定する。
(d)に示すように描画データの分割として(c)より
図形分割を小さくするように輪郭分解を設定する。
【0060】この場合、多重描画の各描画にてショット
接続部が変更されるためにショット接続精度を向上する
ことになる。
接続部が変更されるためにショット接続精度を向上する
ことになる。
【0061】このような分割条件によれば、描画速度は
一回目は高速度、二回目は中速度、三回目は低速度とな
る。
一回目は高速度、二回目は中速度、三回目は低速度とな
る。
【0062】以上に述べた本発明の実施例によれば、描
画用試料を連続して移動する描画方式において、多重描
画における各列ストライプ毎に図形データの分割条件を
設定可能とすることで、全体の描画ショット数を低減す
ることができ、全体の描画時間の短縮によってスループ
ットの向上を図ることができる。
画用試料を連続して移動する描画方式において、多重描
画における各列ストライプ毎に図形データの分割条件を
設定可能とすることで、全体の描画ショット数を低減す
ることができ、全体の描画時間の短縮によってスループ
ットの向上を図ることができる。
【0063】また、描画のショット照射時間をショット
数に反比例する様に制御することで、描画時間の短縮に
よってスループットの向上を図ることが可能となる。
数に反比例する様に制御することで、描画時間の短縮に
よってスループットの向上を図ることが可能となる。
【0064】更に、ストライプ毎の図形データの分割条
件を変更する事によって、描画ショットの接続部が多重
描画の各々で異なる事になり、描画ショットの接続精度
を向上させる事が可能になる。
件を変更する事によって、描画ショットの接続部が多重
描画の各々で異なる事になり、描画ショットの接続精度
を向上させる事が可能になる。
【0065】
【発明の効果】本発明によれば、多重描画における各ス
トライプ毎に図形データの分割条件を設定可能にするこ
とで全体の描画ショット数を低減でき、全体の描画時間
の短縮によってスループットの向上を図る事ができる。
トライプ毎に図形データの分割条件を設定可能にするこ
とで全体の描画ショット数を低減でき、全体の描画時間
の短縮によってスループットの向上を図る事ができる。
【図1】電子線描画装置の全体構成図である。
【図2】試料上の列ストライプ内の描画方法を説明する
偏向領域の平面図である。
偏向領域の平面図である。
【図3】多重描画の制御動作フローを示すフロー図であ
る。
る。
【図4】二重描画での図形データの分割例を説明する偏
向領域の平面図である。
向領域の平面図である。
【図5】三重描画での図形データの分割例を説明する偏
向領域の平面図である。
向領域の平面図である。
1…装置本体、2…ステージ、3…描画用試料、4…測
長計、4a…ステージ位置データ、5…ステージ制御
部、6…駆動部、7…制御計算機、8…描画パターン・
データ、9…バッファ・メモリ、10…描画制御部、1
0a…描画ショット・データ、11…追従制御部、11
a…偏向データ、12…偏向制御部、12a…偏向デー
タ、13…偏向器、14…電子銃、14a…電子ビー
ム。
長計、4a…ステージ位置データ、5…ステージ制御
部、6…駆動部、7…制御計算機、8…描画パターン・
データ、9…バッファ・メモリ、10…描画制御部、1
0a…描画ショット・データ、11…追従制御部、11
a…偏向データ、12…偏向制御部、12a…偏向デー
タ、13…偏向器、14…電子銃、14a…電子ビー
ム。
Claims (11)
- 【請求項1】描画すべき描画用試料を移動可能に載置す
る描画用試料保持手段と、前記描画用試料保持手段を駆
動する駆動手段と、前記描画用試料に描画パターンを描
画するための電子ビームを発生する電子ビーム発生手段
と、前記電子ビームを前記描画用試料の所望の位置へ偏
向する偏向手段と、前記描画用試料の位置を測定する測
定手段と、多重に描画を行う際に前記描画用試料の描画
データを所望の寸法に分割する分割条件を任意に設定
し、この任意に設定された分割条件にあわせて前記電子
ビームを偏向するように前記偏向手段を制御する制御手
段とを備えたことを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項2】請求項1記載の電子線描画装置において、
前記偏向器は前記描画用試料の移動方向と直角な方向に
電子ビームを偏向させる複数の偏向器よりなり、前記制
御手段は任意に設定された分割条件に合わせて前記複数
の偏向器が選択組み合わされて電子ビームを偏向制御す
ることを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項3】請求項2記載の電子線描画装置において、
前記偏向器は主偏向器と副偏向器及び副々偏向器とを備
え、前記電子ビーム発生手段から見て主偏向器、副偏向
器及び副々偏向器の順序で設けられていることを特徴と
する電子線描画装置。 - 【請求項4】描画すべき描画用試料を移動可能に載置す
る描画用試料保持手段と、前記描画用試料保持手段を駆
動する駆動手段と、前記描画用試料に描画パターンを描
画するための電子ビームを発生する電子ビーム発生手段
と、前記電子ビームを前記描画用試料の所望の位置へ偏
向する偏向手段と、前記描画用試料の位置を測定する測
定手段と、前記描画用試料の所定位置に電子ビームを照
射するように前記偏向手段を制御する制御計算機を含む
制御手段とを備え、更に前記制御計算機は (1)多重描画回数Nを設定する機能部、 (2)描画図形データの分割条件を設定する機能部、 (3)電子ビームの照射時間を設定する機能部、 (4)描画用試料に描画する指示する機能部、 (5)多重描画回数Nを実行したかどうかを判定し、多
重描画回数Nを満足するまで描画を行う機能部を備えた
ことを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項5】電子ビームを描画用試料の所望の位置へ偏
向し、前記描画用試料の所定位置に電子ビームを照射す
るように前記偏向を制御する電子線描画方法において、
多重に描画を行う際に前記描画用試料の描画データを所
望の寸法に分割する分割条件を任意に設定し、この任意
に設定された分割条件にあわせて前記電子ビームを偏向
制御することを特徴とする電子線描画方法。 - 【請求項6】請求項5記載の電子線描画方法において、
多重に描画を実行するとき、各回の描画での電子ビーム
の照射時間を任意に設定して照射すること特徴とする電
子線描画方法。 - 【請求項7】請求項6記載の電子線描画方法において、
前記多重描画の各回の電子ビームの照射時間は全照射時
間を描画回数で割った時間に設定されること特徴とする
電子線描画方法。 - 【請求項8】請求項5記載の電子線描画方法において、
多重に描画するとき、各回の描画での描画データの位置
決め時間を任意に設定することを特徴とする電子線描画
方法。 - 【請求項9】請求項5記載の電子線描画方法において、
多重に描画するとき、各回の描画での近接効果補正用パ
ターン密度マップ作成時の描画データの分割条件を任意
に設定することを特徴とする電子線描画方法。 - 【請求項10】請求項5記載の電子線描画方法におい
て、多重に描画するとき、各回の描画での近接効果補正
用パターン密度マップ作成時の平滑化条件を任意に設定
することを特徴とする電子線描画方法。 - 【請求項11】電子ビームを描画用試料の所望の位置へ
偏向し、前記描画用試料の所定位置に電子ビームを照射
するように前記偏向を制御する電子線描画方法であっ
て、該制御を実行する制御計算機は前記描画用試料の一
つの列ストライプの描画処理において、 (1)多重描画回数Nを設定するステップ、 (2)描画図形データの分割条件を設定するステップ、 (3)電子ビームの照射時間を設定するステップ、 (4)描画用試料に描画を指示するステップ、 (5)多重描画回数Nを実行したかどうかを判定し、多
重描画回数Nを満足するまで描画を行うステップを実行
することを特徴とする電子線描画方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001051257A JP2001313253A (ja) | 2000-02-25 | 2001-02-26 | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000054457 | 2000-02-25 | ||
JP2000-54457 | 2000-02-25 | ||
JP2001051257A JP2001313253A (ja) | 2000-02-25 | 2001-02-26 | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001313253A true JP2001313253A (ja) | 2001-11-09 |
Family
ID=26586429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001051257A Pending JP2001313253A (ja) | 2000-02-25 | 2001-02-26 | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2001313253A (ja) |
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-
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- 2001-02-26 JP JP2001051257A patent/JP2001313253A/ja active Pending
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