JP5204451B2 - 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
前記試料面上で前記荷電粒子ビームの照射を制御するに際し、前記荷電粒子ビームの照射位置を移動するときに、前記荷電粒子ビームの前記試料面への前記照射終了時間に対して前記副偏向器へ電圧を印加するタイミングを調整するタイミング調整手段と、
前記タイミングを記録する機能を備えており前記タイミング調整手段を制御する制御計算機とを有することを特徴とするものである。
前記荷電粒子ビームの照射位置を移動する際に前記荷電粒子ビームの照射終了時間に対して前記副偏向器へ電圧を印加するタイミングを変えて描画を行い、得られたパターンの線幅と予め定められた線幅のずれ量の許容範囲とから適正なタイミングを決定することを特徴とするものである。
t0−△t’≦t0≦t0+△t (△t≧0、△t’≧0)
の範囲にあれば、X方向およびY方向ともに線幅が許容範囲内となる。但し、
t0−△t’=t1
t0+△t=t2
である。△tと△t’は、それぞれ独立に、ずれ量の許容範囲に応じて決定される。図5の例では、△t>△t’であるが、場合に応じて、△t<△t’であってもよく、△t=△t’であってもよい。
2 マスク
3 ステージ
4 ステージ駆動回路
5 位置回路
6 電子銃
7,8,9,11,12 各種レンズ
10 電子ビーム光学系
13 ブランキング用偏向器
14 ビーム寸法可変用偏向器
15 主偏向器
16 副偏向器
17,18 ビーム成形用アパーチャ
20 制御計算機
21 磁気ディスク
22 パターンメモリ
23 パターンデータデコーダ
24 描画データデコーダ
25 ブランキングアンプ
26 ビーム成形アンプ
27 主偏向アンプ
28 副偏向アンプ
29 ストライプ領域
30 フレーム
31 サブフィールド
32 ショット図形
33 タイミング調整回路
Claims (4)
- 荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームの位置を制御するとともに、試料面上で前記荷電粒子ビームの照射を制御するブランキング用偏向器を用いて前記荷電粒子ビームの照射開始時間および照射終了時間を制御して、前記試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記試料面上で前記荷電粒子ビームの照射を制御するに際し、前記荷電粒子ビームの照射位置を移動するときに、前記荷電粒子ビームの前記試料面への前記照射終了時間に対して前記副偏向器へ電圧を印加するタイミングを調整するタイミング調整手段と、
前記タイミングを記録する機能を備えており前記タイミング調整手段を制御する制御計算機とを有し、
前記制御計算機は、前記タイミングを変えて描画されたパターンの線幅を比較し、予め定められた線幅のずれ量の許容範囲から適正なタイミングを決定し、該タイミングに基づいて前記タイミング調整手段を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記荷電粒子ビームの照射位置の移動量に応じてセトリング時間を決定するセトリング時間決定手段をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し、ステージ上の試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
前記荷電粒子ビームの照射位置を移動する際に前記荷電粒子ビームの照射終了時間に対して前記副偏向器へ電圧を印加するタイミングを変えて描画を行い、得られたパターンの線幅と予め定められた線幅のずれ量の許容範囲とから適正なタイミングを決定することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記荷電粒子ビームの照射位置の移動量に応じてセトリング時間を決定することを特徴
とする請求項3に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
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