JP5649467B2 - 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置の評価方法 - Google Patents
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一方向に隣接する少なくとも2つの矩形パターンが、この一方向と直交する方向に偏向器の最大偏向幅と実質的に等しい長さまで連続して配置された複数のラインパターンに対し、荷電粒子ビームによって、
第1のラインパターンを構成する第1の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンを構成し且つ第1の矩形パターンに隣接する第2の矩形パターンをショットする工程と、
第1の矩形パターンをショットした後に、第2のラインパターンを構成する第3の矩形パターンをショットする工程とを繰り返すよう構成されたことを特徴とするものである。
あるいは、第1のラインパターンから第2のラインパターンまでの寸法を偏向器の最大偏向幅と実質的に等しい寸法とすることができる。
一方向に隣接する矩形パターンが、この一方向と直交する方向に偏向器の最大偏向幅と実質的に等しい長さまで連続して配置された複数のラインパターンに対し、荷電粒子ビームによって、
第1のラインパターンを構成する第1の矩形パターンをショットした後に、第2のラインパターンを構成する第2の矩形パターンをショットする工程と、
第2の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンを構成し且つ第1の矩形パターンに隣接する第3の矩形パターンをショットする工程とを繰り返すよう構成されたことを特徴とするものである。
あるいは、第1のラインパターンから第2のラインパターンまでの寸法を偏向器の最大偏向幅と実質的に等しい寸法とすることができる。
一方向に隣接する少なくとも2つの矩形パターンが、この一方向と直交する方向に偏向器の最大偏向幅と実質的に等しい長さまで連続して配置された3以上のラインパターンに対し、荷電粒子ビームによって、
第1のラインパターンを構成する第1の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンに隣接しない第2のラインパターンを構成する第2の矩形パターンをショットする工程を繰り返す工程と、
第1のラインパターンを構成する第3の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンに隣接する第3のラインパターンを構成する第4の矩形パターンをショットする工程を繰り返す工程とを行うよう構成されたことを特徴とするものである。
あるいは、第1のラインパターンを構成する第3の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンに隣接する第3のラインパターンを構成する第4の矩形パターンをショットする工程を繰り返す工程を行ってから、第1のラインパターンを構成する第1の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンに隣接しない第2のラインパターンを構成する第2の矩形パターンをショットする工程を繰り返す工程を行うこともできる。
一方向に隣接する少なくとも2つの矩形パターンが、この一方向と直交する方向に偏向器の最大偏向幅と実質的に等しい長さまで連続して配置された複数のラインパターンに対し、荷電粒子ビームによって、
第1のラインパターンを構成する第1の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンを構成し且つ第1の矩形パターンに隣接する第2の矩形パターンをショットする工程と、
第1の矩形パターンをショットした後に、第2のラインパターンを構成する第3の矩形パターンをショットする工程とを有することを特徴とするものである。
あるいは、第1のラインパターンから第2のラインパターンまでの寸法を偏向器の最大偏向幅と実質的に等しい寸法とすることができる。
一方向に隣接する矩形パターンが、この一方向と直交する方向に偏向器の最大偏向幅と実質的に等しい長さまで連続して配置された複数のラインパターンに対し、荷電粒子ビームによって、
第1のラインパターンを構成する第1の矩形パターンをショットした後に、第2のラインパターンを構成する第2の矩形パターンをショットする工程と、
第2の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンを構成し且つ第1の矩形パターンに隣接する第3の矩形パターンをショットする工程とを有することを特徴とするものである。
あるいは、第1のラインパターンから第2のラインパターンまでの寸法を偏向器の最大偏向幅と実質的に等しい寸法とすることができる。
一方向に隣接する少なくとも2つの矩形パターンが、この一方向と直交する方向に偏向器の最大偏向幅と実質的に等しい長さまで連続して配置された3以上のラインパターンに対し、荷電粒子ビームによって、
第1のラインパターンを構成する第1の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンに隣接しない第2のラインパターンを構成する第2の矩形パターンをショットする工程を繰り返す工程と、
第1のラインパターンを構成する第3の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンに隣接する第3のラインパターンを構成する第4の矩形パターンをショットする工程を繰り返す工程とを有することを特徴とするものである。
第1のラインパターンを構成する第1の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンに隣接しない第2のラインパターンを構成する第2の矩形パターンをショットする工程を繰り返す工程を行ってから、第1のラインパターンを構成する第3の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンに隣接する第3のラインパターンを構成する第4の矩形パターンをショットする工程を繰り返す工程を行うことができる。
あるいは、第1のラインパターンを構成する第3の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンに隣接する第3のラインパターンを構成する第4の矩形パターンをショットする工程を繰り返す工程を行ってから、第1のラインパターンを構成する第1の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンに隣接しない第2のラインパターンを構成する第2の矩形パターンをショットする工程を繰り返す工程を行うことができる。
あるいは、第1のラインパターンを構成する第3の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンに隣接する第3のラインパターンを構成する第4の矩形パターンをショットする工程を繰り返す工程を行ってから、第1のラインパターンを構成する第1の矩形パターンをショットした後に、第1のラインパターンに隣接しない第2のラインパターンを構成する第2の矩形パターンをショットする工程を繰り返す工程を行うこともできる。
本実施の形態では、電子ビーム描画装置の評価方法について説明する。
本実施の形態では、電子ビーム描画装置の別の評価方法について説明する。
本実施の形態では、電子ビーム描画装置の他の評価方法について説明する。
本実施の形態では、本発明による電子ビーム描画装置の一形態について述べる。
20 電子ビーム
30 電子ビーム描画装置
31 試料室
32 マスク基板
33 ステージ
34 ステージ駆動回路
35 位置回路
37、38、39、41、42 各種レンズ
40 電子ビーム光学系
43 ブランキング用偏向器
44 成形偏向器
45 主偏向器
46 副偏向器
47、48 ビーム成形用アパーチャ
50 制御計算機
51 入力部
52 パターンメモリ
53 パターンデータデコーダ
54 描画データデコーダ
55 ブランキング回路
56 ビーム成形器ドライバ
57 主偏向器ドライバ
58 副偏向器ドライバ
60 副偏向領域偏向量算出部
61 セトリング時間決定部
62 偏向制御部
63 評価部
81 描画されるパターン
82 フレーム領域
83 副偏向領域
Claims (2)
- 荷電粒子ビームの光路上に配置された偏向器により前記荷電粒子ビームの位置を制御して、試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置において、
一方向に隣接する少なくとも2つの矩形パターンが、前記一方向と直交する方向に前記偏向器の最大偏向幅と実質的に等しい長さまで連続して配置された複数のラインパターンに対し、前記荷電粒子ビームによって、
第1のラインパターンを構成する第1の矩形パターンをショットした後に、前記第1のラインパターンを構成し且つ前記第1の矩形パターンに隣接する第2の矩形パターンをショットする工程と、
前記第2の矩形パターンをショットした後に、第2のラインパターンを構成する第3の矩形パターンをショットし、前記第3の矩形パターンをショットした後に、前記第2のラインパターンを構成し且つ前記第3の矩形パターンに隣接する第4の矩形パターンをショットする工程とを繰り返すよう構成されたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 荷電粒子ビームの光路上に配置された偏向器により前記荷電粒子ビームの位置を制御して、試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置の評価方法において、
一方向に隣接する少なくとも2つの矩形パターンが、前記一方向と直交する方向に前記偏向器の最大偏向幅と実質的に等しい長さまで連続して配置された複数のラインパターンに対し、前記荷電粒子ビームによって、
第1のラインパターンを構成する第1の矩形パターンをショットした後に、前記第1のラインパターンを構成し且つ前記第1の矩形パターンに隣接する第2の矩形パターンをショットする工程と、
前記第2の矩形パターンをショットした後に、第2のラインパターンを構成する第3の矩形パターンをショットし、前記第3の矩形パターンをショットした後に、前記第2のラインパターンを構成し且つ前記第3の矩形パターンに隣接する第4の矩形パターンをショットする工程を繰り返す工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の評価方法。
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