JPH1154403A

JPH1154403A - 荷電ビーム描画方法

Info

Publication number: JPH1154403A
Application number: JP9207910A
Authority: JP
Inventors: Hiroto Yasuse; 博人安瀬; Takayuki Abe; 隆幸阿部
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1997-08-01
Filing date: 1997-08-01
Publication date: 1999-02-26

Abstract

(57)【要約】【課題】パターンを実際に描画することなくフレーム
間の相対位置ずれ量を求めることができ、装置稼働率の
向上及び描画スループットの向上をはかる。【解決手段】試料１１を載置したステージ１２を連続
的に移動しながら、偏向制御器３３，３４により試料１
１上で電子ビームを走査して該試料１１上に所望パター
ンを描画する電子ビーム描画方法において、ステージ１
２上にキャリブレーション用マークを設け、描画前にマ
ークの座標をステージ速度を変えて測定し、その測定結
果から電子ビームの偏向制御信号の回路伝搬に起因する
時間遅れを求めて補正テーブル４９に登録しておき、実
際の描画時に補正テーブル４９に登録された時間遅れに
相当するずれ分を偏向制御器３３に与えて補正する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ等のパター
ンをマスクやウェハ等の試料上に描画する荷電ビーム描
画方法に係わり、特にステージ連続移動で描画する際の
フレーム間の相対位置ずれを補正するようにした荷電ビ
ーム描画方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩパターンは益々微細かつ複
雑になっており、従来の光露光に代わり、電子ビームを
用いてパターンを直接描画する電子ビーム描画技術が注
目されている。電子ビーム描画技術では、一括露光でな
いことから描画速度が遅く、スループットが低い問題が
ある。これを解決するために、円形断面電子ビームでは
なく可変成形ビームを用いる方法が提案されている。

【０００３】可変成形ビームを形成するには、図６
（ａ）に示すように、第１及び第２の矩形アパーチャ５
１，５２の光学的重なりを利用して矩形の投影ビーム像
５３を形成する例がある。これにより、円形ビームを用
いる場合と比較して、露光回数を大幅に少なくすること
ができる。

【０００４】また、図６（ｂ）に示すように、第１のビ
ーム成形用アパーチャ５５は矩形状に形成し、第２のビ
ーム成形用アパーチャ５６はアパーチャ５５のいずれか
の辺に平行な方形状の３辺とこれらの辺のいずれかに対
し４５°の角度を有する正方形の４つの辺との合計で、
７つの辺を有するような形状に成形する例がある。この
場合、図６（ｃ）に示すように、矩形の投影ビーム像５
７と直角二等辺三角形直角二等辺三角形５８ａ〜５８ｄ
が形成できるので、斜線を含むパターンも少ない露光回
数で描画できるようになる。

【０００５】一方、描画速度、換言すればスループット
を向上させる試みは、ビーム形状の改良だけでなく、ス
テージ制御方法や電子ビーム偏向方法の面からも検討が
なされてきた。

【０００６】ステップ＆リピート方式と呼ばれるステー
ジ制御方法は、描画中はステージを静止させ、描画可能
領域が描き終わった時点で次の領域にステップ移動する
方式である。この方式では、電子ビームの偏向領域、即
ち描画可能領域を大きく取れる長所はあるが、実際に描
画している時間の他に、次の描画領域への移動に伴う露
光を行わない時間が全描画時間に加算されるので、スル
ープットが落ちると言う問題があった。

【０００７】このような問題を解決できる技術として、
図７に示すようなステージ連続移動方式が提案されてい
る。この方式は、試料６０上の描画すべきパターン６１
を短冊状のフレームと呼ばれる領域６２に分割しステー
ジをＸ方向に連続移動させながら各フレームを描画する
ものである。そして、フレームの端部に到達したら、ス
テージをＹ方向にステップ移動の後、折り返し描画をす
る。ステージ移動中に描画をするため、ステップ＆リピ
ート方式と比較して電子ビームの偏向領域を小さくしな
ければならないが、ステージの静止はフレーム端部に限
られるので、スループットは向上する。

【０００８】また、電子ビームの偏向方式としてベクタ
走査方式（２次元走査方式）を組み合わせれば、スルー
プットは一段と向上する。ベクタ走査方式とは、図７中
のフレーム６２を更にサブフィールドと呼ばれる領域６
３に分割し、その内部を必要な部分のみ可変成形ビーム
６４を偏向して描画するものである。１次元走査方式の
ように、描画の不必要な部分にもビームをオフして走査
する動作がないので描画速度が速くなる。このとき、主
・副２段の偏向器を用い、サブフィールドの位置決めは
主偏向器で行い、サブフィールドの描画は副偏向器で行
う。

【０００９】しかしながら、現在の技術で最もスループ
ットが良いとされる、可変成形ビーム・ベクタ走査ステ
ージ連続移動方式の電子ビーム描画装置でも、例えば図
８に説明するような問題が存在する。即ち、ステージを
順方向に移動させて描画するフレーム７１（以下、ＦＷ
Ｄフレームと記す）と逆方向に移動させて描画するフレ
ーム７２（以下、ＢＷＤフレームと記す）がステージ移
動の速度に応じて、描画開始位置７３及び７４がステー
ジ連続移動方向にずれると言う問題である。

【００１０】ステージ速度が小さい時には、図８（ａ）
に示したようにＦＷＤフレーム７１とＢＷＤフレーム７
２の間にΔｄ₁ のずれが生じ、ステージ速度が大きい時
には、図８（ｂ）に示したようにΔｄ₂ のずれが生じ
る。そして、このずれはステージ速度に比例しており、
Δｄ₁ ＜Δｄ₂ の関係が常に成立する。この原因は、各
フレームの描画開始を指示してから実際にビームが照射
されるまでに、ビーム制御信号が種々の回路を伝搬する
ことで時間的な遅れが発生することによる。信号の時間
的な遅れはほぼ一定なので、ステージ速度が大きいとフ
レーム間のずれも増加する。

【００１１】従って、図８（ｃ）のようにフレーム間の
ずれを無くして高精度なパターンを形成するには、ステ
ージ速度に応じてフレーム間のずれを補正してビーム偏
向する必要がある。そのためには、種々のステージ速度
でパターン描画を行い、プロセス処理の後、座標測定装
置にて予めこのずれ量を測定しておかなければならな
い。

【００１２】また、主偏向領域がキャリブレーションし
ているにも拘らず、何がしかの原因により変形し、フレ
ームが歪んでいる場合にも、フレーム間の相対位置関係
にずれが生じるので、同様の測定を行い、ずれの程度を
認識しておく必要がある。従って、これらの測定結果か
ら補正係数が決まるまで描画装置は高精度な描画は行え
ず稼動できないので、生産上大きな障害となっている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】電子ビーム描画装置
は、ビーム形状として可変成形ビーム、ビーム偏向方法
としてベクタ走査、ステージ制御方法として連続移動の
方式を組み合わせることでスループットを向上させてき
た。しかしながら、ビーム偏向制御信号の回路伝搬に伴
う時間的な遅れやフレームの変形に起因してフレーム間
にずれが生じるので、これらのずれを補正してビーム偏
向しなければならない。そのためには、ステージの移動
速度等を変えて実際にパターンを描画し、最終的に形成
された描画パターンからフレーム間の相対位置ずれの関
係を求め、これを基に補正係数を決めなければならな
い。そして、この結果が出るまで描画装置が停止するの
で、稼動率が低下するという問題があった。

【００１４】また、上記の問題は電子ビーム描画装置に
限るものではなく、イオンビーム描画装置についても同
様に言えることである。本発明は、上記の事情を考慮し
て成されたもので、その目的とするところは、パターン
を実際に描画することなくフレーム間の相対位置ずれ量
を求めることができ、装置稼働率の向上及び描画スルー
プットの向上に寄与し得る荷電ビーム描画方法を提供す
ることにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】

（構成）上記課題を解決するために本発明は、次のよう
な構成を採用している。即ち本発明は、試料を載置した
ステージを連続的に移動しながら、偏向制御器により試
料上で荷電ビームを走査して該試料上に所望パターンを
描画する荷電ビーム描画方法において、前記ステージ上
にキャリブレーション用マークを設け、描画前に前記マ
ークの座標をステージ速度を変えて測定し、その測定結
果から荷電ビームの偏向制御信号の回路伝搬に起因する
時間遅れを求め、実際の描画時に前記求めた時間遅れ分
を前記偏向制御器に与えて補正することを特徴とする。

【００１６】また本発明は、試料を載置したステージを
連続的に移動しながら、偏向制御器により試料上で荷電
ビームをフレーム単位で走査して該試料上に所望パター
ンを描画する荷電ビーム描画方法において、前記ステー
ジ上にキャリブレーション用マークを設け、描画前に前
記マークの座標をステージ連続移動中に所望の主偏向位
置で測定し、その測定結果からステージ移動に伴うフレ
ーム間の相対位置ずれを求め、実際の描画時に前記求め
たフレームの相対位置ずれに相当する分を前記偏向制御
器に与えて補正することを特徴とする。

【００１７】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は次のものがあげられる。 (1) 荷電ビームを収束偏向制御するための荷電ビーム光
学系は、試料上に描画すべきパターンの描画データに基
づいて、荷電ビームからパターンの描画に必要な複数種
類の可変成形ビームを形成する手段を有すること。 (2) 荷電ビームを収束偏向制御するための荷電ビーム光
学系は、主・副２段の偏向器を備え、主偏向で位置決め
し、副偏向でパターンを描画すること。 (3) マーク座標の測定に際して、副偏向でマークを走査
すること。 (4) マーク座標の測定に際して、ステージの移動方向を
変えて測定すること。

【００１８】（作用）本発明によれば、ステージを移動
しながらキャリブレーション用マークの座標を測定し、
その測定結果を基に荷電ビームの偏向制御信号の回路伝
搬に起因する時間遅れやフレームの歪みを求めることが
でき、最終的にフレーム間の相対位置関係を求めること
ができる。そしてこの場合、フレーム間の相対位置関係
を描画パターンから測定して求めるのではないため、相
対位置関係を求めるためのパターン描画が不要となり、
装置稼動率が上がり、描画スループットの向上をはかる
ことが可能となる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態（以下、実施形態と言う）を説明する。（第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
使用した電子ビーム描画装置の概略構成を示す模式図で
ある。図中１０は試料室であり、この試料室１０内には
マスク等の試料１１を載置したステージ１２が収容され
ている。ステージ１２はステージ駆動回路１３によりＸ
方向に（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に
駆動される。ステージ１２の移動位置は、レーザ測長計
等を用いた位置回路１４により測定される。また、ステ
ージ１２上にはマークを形成したマーク台１５が設けら
れている。

【００２０】試料室１０の上方には、電子ビーム光学系
２０が設置されている。電子ビーム光学系２０は、電子
銃２１、各種レンズ２２，２３，２４，２５，２６、ブ
ランキング用偏向器３１、ビーム寸法可変用偏向器３
２、ビーム走査用の主偏向器３３、ビーム走査用の副偏
向器３４、及び２個のビーム成形用アパーチャ３５，３
６等から構成されている。２個のビーム成形用アパーチ
ャ３５，３６は前記図６（ｂ）にそれぞれ示したビーム
成形用アパーチャと同様に形成されている。

【００２１】そして、主偏向器３３により所定のサブフ
ィールドに位置決めし、副偏向器３４によりサブフィー
ルド内での図形描画位置の位置決めを行うと共に、ビー
ム寸法可変用偏向器３２及び成形用アパーチャ３５，３
６によりビーム形状を制御し、ステージ１２を一方向に
連続移動させながらサブフィールドを描画する。このよ
うにして１つのサブフィールドの描画が終了したら、次
のサブフィールドの描画に移る。

【００２２】さらに、複数のサブフィールドの集合であ
るフレームの描画が終了したら、ステージ１２を連続移
動方向と直交する方向にステップ移動させ上記処理を繰
り返して各フレーム領域を順次描画するようになってい
る。ここで、フレームは主偏向器３３の偏向幅で決まる
短冊状の描画領域であり、サブフィールドは副偏向器３
４の偏向幅で決まる単位描画領域である。

【００２３】一方、制御計算機４０には記憶媒体である
磁気ディスク４１に描画データが格納されている。磁気
ディスク４１から読み出された描画データは、フレーム
領域毎にパターンメモリ４２に一時的に格納される。デ
ータバッファ部４２に格納されたフレーム領域毎のパタ
ーンデータ、つまり描画位置及び描画図形データ等で構
成されるフレーム情報は、データ解析部であるパターン
データデコーダ４３及び描画データデコーダ４４により
解析される。

【００２４】パターンデータデコーダ４３の出力は、ブ
ランキング回路４５、ビーム成形器ドライバ４６へ送ら
れる。即ち、パターンデータデコーダ４３では、上記デ
ータに基づいてブランキングデータが作成され、このデ
ータがブランキング回路４５に送られる。さらに、所望
とするビーム寸法データも作成され、このビーム寸法デ
ータがビーム成形器ドライバ４６に送られる。そして、
ビーム成形器ドライバ４６から前記電子ビーム光学系２
０のビーム寸法可変用偏向器３２に所定の偏向信号が印
加され、これにより電子ビームの寸法が制御される。

【００２５】描画データデコーダ４４の出力は、主偏向
器ドライバ４７及び副偏向器ドライバ４８へ送られる。
そして、主偏向器ドライバ４７から前記電子光学系２０
の主偏向器３３に所定の偏向信号が印加され、これによ
り電子ビームは指定の主偏向位置に偏向走査される。さ
らに、副偏向器ドライバ４８から副偏向器３４に所定の
副偏向信号が印加され、これによりサブフィールド内部
の描画が行われる。

【００２６】また本実施形態では、ステージ移動に伴う
フレーム間の相対位置ずれを補正するための補正値を登
録するための補正テーブル４９が設けられている。そし
て、実際の描画時には、この補正テーブル４９から主偏
向器ドライバ４７に補正値がセットされるようになって
いる。

【００２７】次に、ステージ速度に依存して生じるフレ
ーム間のずれを描画を行わず検知し、補正する方法につ
いて述べる。以下の説明で、Ｘ方向とは紙面の左右方向
を、Ｙ方向とは紙面の上下方向のことである。

【００２８】図２（ａ）はステージ１２上に設けられた
キャリブレーションマーク８７の拡大図である。このマ
ーク８７を図２（ｂ）に示すように、仮想ＦＷＤフレー
ム８０内の位置Ｅに移動させ、ＦＷＤフレーム描画時の
ステージ移動方向８２に沿ってあるステージ速度でステ
ージ１２を動かす。キャリブレーションマーク８７はス
テージ１２に固定されているのでステージ１２と一体と
なって移動する。

【００２９】キャリブレーションマーク８７がマークス
キャン時の基準位置８４に到達したことを位置回路１４
で検出した瞬間、電子ビームでマーク８７をＸ方向にス
キャン８５し、マーク８７のＸ方向の中心座標（Ｘｆ）
を求める。続いて、キャリブレーションマーク８７を仮
想ＢＷＤフレーム８１内の位置Ｆに移動させ、ＢＷＤフ
レーム描画時のステージ移動方向８３に沿ってＦＷＤの
場合と同じステージ速度でステージ１２を動かし、基準
位置８４で電子ビームスキャン８５してマーク８７のＸ
方向の中心座標（Ｘｂ）を求める。そして、２つの座標
Ｘｆ，Ｘｂから差（Ｘｂ−Ｘｆ）を算出する。

【００３０】なお、このＦＷＤとＢＷＤでのスキャンは
主偏向領域の中心にビーム偏向した状態で副偏向でスキ
ャンして行う。これは、主偏向中心は主偏向歪みが最も
小さく、制御信号の時間遅れに起因したフレーム間のず
れを純粋に抽出できるからである。

【００３１】上記、一連のシーケンスをステージ速度を
変えて座標差を計測すると、例えば、図３のような関係
が得られる。そして、各測定点の値は制御計算機４０内
に取り込まれ、測定点間は一時関数の最小自乗フィッテ
ィングで内挿し、任意のステージ速度での座標差を与え
る関数を決定する。この関数は、制御計算機４０を通し
て補正テーブル４９に登録され、描画時には主偏向器ド
ライバ４７にセットされる。

【００３２】実際のパターン描画では、フレームの描画
ステージ速度は予め描画データに登録されているので、
この値を参照してＦＷＤフレームとＢＷＤフレームのＸ
方向スキャン時の座標差を算出し、その半分の量をＦＷ
ＤとＢＷＤフレームの描画開始座標に夫々加算し、ステ
ージ速度に依存して生じるフレーム間のずれを補正す
る。

【００３３】このように本実施形態によれば、ステージ
１２をＦＷＤ方向及びＢＷＤ方向に移動しながら、基準
位置８４でキャリブレーションマーク８７の座標をビー
ム走査により測定することにより、ビーム偏向制御信号
の回路伝搬に伴う時間的な遅れに起因して生じるフレー
ム間の相対位置ずれを求めることができる。そしてこの
場合、パターンを実際に描画することなくフレーム間の
相対位置ずれ量を求めることができ、更に補正係数も決
定できる。従って、パターンを描画し、基板をプロセス
処理し、パターン精度を測定する工程が不要となり、描
画装置の稼動率が上がると同時に高精度な描画が可能に
なる。

【００３４】（第２の実施形態）本実施形態を記述する
に際してまず、フレームと主偏向領域の関係を図４にて
説明する。これは、主偏向領域のキャリブレーションは
ステージを静止させて行うのに対し、実際の描画はステ
ージを連続的に移動させて行うからである。

【００３５】図４（ａ）において、フレーム境界は点線
で表されている。９０は主偏向領域、７１はＦＷＤフレ
ーム、７２はＢＷＤフレームである。ＦＷＤフレーム７
１では紙面の右から左に、ＢＷＤフレームでは左から右
に（図中の矢印８３）ステージが移動する。

【００３６】描画の場合には、主偏向領域９０の全てを
使用するわけではなく、通常は主偏向領域の左右の一部
分を使っている。図中のハッチングがこれに相当し、Ｆ
ＷＤフレーム７１では右側９１を、ＢＷＤフレーム７２
では左側９２を使う。これは、描画パターン密度が高い
場合、ビームの偏向がステージ移動に追従できなくなる
ことを想定して、偏向領域にゆとりを持たせるためであ
る。一方、主偏向キャリブレーションは図４（ｂ）に示
したように、ステージを静止させ、主偏向領域９０の全
ての領域を用いて行われる。

【００３７】本実施形態は、主偏向領域がキャリブレー
ションされているにも拘らず、何がしかの理由より歪む
結果生じるフレーム間の相対位置ずれを補正する方法に
関する。

【００３８】この相対位置ずれの一例を、図５に示す。
ＦＷＤフレーム７１及びＢＷＤフレーム７２が平行四辺
形状に変形する結果、フレーム境界でずれが生じるもの
である。図中のＷθに相当する量を補正しなければ高精
度なパターンを描画することはできない。

【００３９】次に、実際の描画を行うことなくＷθを算
出する方法を、前記図２及び図４を用いて説明する。図
２のキャリブレーションマーク８７を仮想ＦＷＤフレー
ム８０内の位置Ａに移動させ、ＦＷＤフレーム描画時の
ステージ移動方向８２に沿ってステージ１２を動かす。
キャリブレーションマーク８７はステージ１２に固定さ
れているのでステージ１２と一体となって移動する。キ
ャリブレーションマーク８７がマークスキャン時の基準
位置８４に到達したことを位置回路１４で検出した瞬
間、電子ビームでマークをＸ方向にスキャン８５し、キ
ャリブレーションマーク８７のＸ方向の中心座標（Ｘｆ
１）を求める。

【００４０】続いて、キャリブレーションマーク８７を
仮想ＦＷＤフレーム８０内の位置Ｂに移動させ、ＦＷＤ
フレーム描画時のステージ移動方向８２に沿って動か
し、基準位置８４で電子ビームスキャン８５してマーク
のＸ方向の中心座標（Ｘｆ２）を求める。そして、２つ
の座標Ｘｆ１，Ｘｆ２から差（Ｘｆ２−Ｘｆ１）を求め
る。この仮想ＦＷＤフレームでのスキャンは、図４
（ｂ）の主偏向領域に対して、ＦＷＤフレーム描画で使
用する部分に対応するＡ，Ｂの位置にビームを偏向した
状態で行う。

【００４１】次いで、図２のキャリブレーションマーク
８７を仮想ＢＷＤフレーム８１内の位置Ｃに移動させ、
ＢＷＤフレーム描画時のステージ移動方向８３に沿って
ステージ１２を動かす。キャリブレーションマーク８７
がマークスキャン時の基準位置８４に到達したことを位
置回路１４で検出した瞬間、電子ビームでマークをＸ方
向にスキャン８５し、キャリブレーションマーク８７の
Ｘ方向の中心座標（Ｘｂ１）を求める。

【００４２】続いて、キャリブレーションマーク８７を
仮想ＢＷＤフレーム８１内の位置Ｄに移動させ、ＢＷＤ
フレーム描画時のステージ移動方向８３に沿って動か
し、基準位置８４で電子ビームスキャン８５してマーク
のＸ方向の中心座標（Ｘｂ２）を求める。そして、２つ
の座標Ｘｂ１，Ｘｂ２から差（Ｘｂ２−Ｘｂ１）を求め
る。この仮想ＢＷＤフレームでのスキャンは、図４
（ｂ）の主偏向領域に対して、ＢＷＤフレーム描画で使
用する部分に対応するＣ，Ｄの位置にビームを偏向した
状態で行う。

【００４３】仮想ＦＷＤフレームと仮想ＢＷＤフレーム
で求めた（Ｘｆ２−Ｘｆ１），（Ｘｂ２−Ｘｂ１）を平
均してＷθの値とする。そして、この値は制御計算機４
０を通して補正テーブル４９に登録され、描画時には主
偏向ドライバ４７に登録されている主偏向キャリブレー
ションで決定された主偏向感度係数に補正値としてセッ
トされる。これにより、フレームの変形により生じるフ
レーム間のずれを補正する。

【００４４】このように本実施形態によれば、キャリブ
レーションマーク８７を仮想ＦＷＤフレーム８０内の位
置Ａ，Ｂでそれぞれビームスキャンにより測定し、さら
に仮想ＢＷＤフレーム８１内の位置Ｃ，Ｄでそれぞれビ
ームスキャンにより測定し、各々の測定結果から、主偏
向の歪みに相当する量であるＷθを求めることができ
る。主偏向領域の歪みに伴うフレーム間の相対位置ずれ
を求めることができる。従って、先の第１の実施形態と
同様に、パターンを実際に描画することなくフレーム間
の相対位置ずれ量を求めることができ、第１の実施形態
と同様の効果が得られる。

【００４５】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではない。電子ビーム描画装置の構成は図１
に何等限定されるものではなく、本発明はステージを連
続移動しながらフレーム単位でパターンを描画するもの
であれば適用できる。また、上記実施形態では、電子ビ
ームによる描画方法を例にとり説明したが、イオンビー
ム描画装置に適用することも可能である。その他、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施するこ
とができる。

【００４６】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、偏
向制御信号の回路伝播で生じる時間的な遅れが引き起こ
すフレーム間の相対位置ずれ、或いはフレームの変形で
引き起こされるフレーム間の相対位置ずれを、パターン
描画を行うことなしに求めることができる。従って、相
対位置ずれ補正に要する時間を大幅に短縮することがで
き、装置稼働率の向上及び描画スループットの向上をは
かることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態に使用した電子ビーム描画装置
の概略構成を示す模式図。

【図２】ステージ上のキャリブレーションマークを利用
してフレーム間のずれを抽出する方法を説明する模式
図。

【図３】ステージ速度とフレーム間のずれの関係を示す
図。

【図４】主偏向領域とＦＷＤフレーム及びＢＷＤフレー
ムの関係を示す図。

【図５】主偏向領域の歪みに起因して生じるフレーム間
のずれの様子を示す図。

【図６】従来技術におけるアパーチャ形状及び成形ビー
ムの例を示す図。

【図７】ステージ連続移動方式の描画方法を説明するた
めの模式図。

【図８】信号伝搬の遅延に起因して生じるフレーム間の
ずれの様子を説明する図。

【符号の説明】

１０…試料室１１…試料１２…ステージ１５…マーク台２１…電子銃２２，２３，２４，２５，２６…各種レンズ２０…電子光学鏡筒３１…ブランキング用偏向器３２…成形偏向器３３…主偏向器３４…副偏向器３５，３６…ビーム成形用アパーチャ４０…制御計算機４１…磁気ディスク４２…パターンメモリ４３…パターンデコーダ４４…描画データデコーダ４５…ブランキング回路４６…ビーム成形器ドライバ４７…主偏向器ドライバ４８…副偏向器ドライバ４９…補正テーブル７１…ＦＷＤフレーム７２…ＢＷＤフレーム７３…ＦＷＤフレームの描画開始位置７４…ＢＷＤフレームの描画開始位置８０…マーク台上の仮想ＦＷＤフレーム８１…マーク台上の仮想ＢＷＤフレーム８２…ＦＷＤフレーム描画時のステージ移動方向８３…ＢＷＤフレーム描画時のステージ移動方向８４…マークスキャン時の基準位置８５…電子ビームによるＸスキャン８７…キャリブレーションマーク９０…主偏向領域９１…ＦＷＤフレーム描画時に使用する主偏向領域部分９２…ＢＷＤフレーム描画時に使用する主偏向領域部分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｊ 37/20 Ｈ０１Ｊ 37/20 Ｚ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】試料を載置したステージを連続的に移動し
ながら、偏向制御器により試料上で荷電ビームを走査し
て該試料上に所望パターンを描画する荷電ビーム描画方
法において、前記ステージ上にキャリブレーション用マークを設け、
描画前に前記マークの座標をステージ速度を変えて測定
し、その測定結果から荷電ビームの偏向制御信号の回路
伝搬に起因する時間遅れを求め、実際の描画時に前記求
めた時間遅れ分を前記偏向制御器に与えて補正すること
を特徴とする荷電ビーム描画方法。
【請求項２】試料を載置したステージを連続的に移動し
ながら、偏向制御器により試料上で荷電ビームをフレー
ム単位で走査して該試料上に所望パターンを描画する荷
電ビーム描画方法において、前記ステージ上にキャリブレーション用マークを設け、
描画前に前記マークの座標をステージ連続移動中に所望
の主偏向位置で測定し、その測定結果からステージ移動
に伴うフレーム間の相対位置ずれを求め、実際の描画時
に前記求めたフレームの相対位置ずれに相当する分を前
記偏向制御器に与えて補正することを特徴とする荷電ビ
ーム描画方法。