JPH09115828A - 荷電粒子線によるパターン転写方法および転写装置 - Google Patents

荷電粒子線によるパターン転写方法および転写装置

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JPH09115828A JP8189463A JP18946396A JPH09115828A JP H09115828 A JPH09115828 A JP H09115828A JP 8189463 A JP8189463 A JP 8189463A JP 18946396 A JP18946396 A JP 18946396A JP H09115828 A JPH09115828 A JP H09115828A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスクから感応基板への転写を効率良く行
う。 【解決手段】 マスク１０および感応基板２０を連続移
動させ、それに伴ってマスクの特定範囲１１内の複数の
小領域１１０に荷電粒子線ＥＢを時系列的に照射しつつ
各小領域１１０のパターンを感応基板の特定範囲２１内
の複数の被転写領域２１０に選択的に投影する。一つの
被転写領域２１０に転写すべきパターンをマスク１０の
特定範囲１１に包含される二以上の特定の小領域１１０
に分割し、マスク１０から感応基板２０へのパターンの
縮小率を１／Ｍとしたとき、マスクの連続移動速度ＶM
を感応基板の連続移動速度ＶWのＮ・Ｍ倍（Ｎは１より
大きい実数）に設定し、感応基板２０に投影されるパタ
ーンの像と感応基板２０との相対速度が零となるよう
に、感応基板２０に導かれる荷電粒子線ＥＢを所定速度
で連続移動方向に偏向する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
リソグラフィー等に用いられるパターン転写方法および
転写装置に係り、詳しくは電子線やイオンビーム等の荷
電粒子線を利用してマスクのパターンを感応基板へ転写
するものに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、リソグラフィーにおける高解像と
高スループットを両立させる電子線露光装置の検討が進
められている。この種の装置における露光方法として
は、従来、１ダイ（１枚のウエハに形成される多数の集
積回路の１個分に相当する。）または複数ダイ分を一括
して転写する方法が検討されていた。しかしながら、こ
の方法は、転写の原版となるマスクの作製が困難であ
り、１ダイ以上の大きな光学フィールドで光学系の収差
を許容範囲に抑えることが困難など、解決すべき事項が
多い。そこで、最近では１ダイまたは複数ダイを小さな
領域に分割して転写する分割転写方法が検討されてい
る。この方法によれば、一回当たりの電子線の照射範囲
が小さいので、光学系の収差を抑えて高解像、高精度に
転写ができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した分割転写に
は、パターンの形状に応じて抜き穴を設けるいわゆる穴
空きステンシルマスクが主として用いられてきた。しか
し、穴空きステンシルマスクには、島状のパターン、す
なわち図１０に示すようにビーム制限部１（荷電粒子線
を散乱または吸収する部分）の周囲がビーム透過用の抜
き穴２にて囲まれたパターンを設けることができない。
島状のパターンを転写するには、図７の抜き穴２を図１
１（ａ）、（ｂ）に示すように二つの抜き穴２ａ、２ｂ
に分割してそれぞれを別々のマスク３ａ、３ｂに形成
し、各マスク３ａ、３ｂのパターン（抜き穴２ａ、２ｂ
の平面形状）をウエハ等の感応基板につなぎ合わせて転
写する必要があった。この場合、マスク３ａ、３ｂの交
換や転写装置の起動、停止の繰り返しでスループットが
低下する。
【０００４】また、上述した転写方法では、ウエハ上に
投影される転写パターンとマスク上のパターンとの比
（縮小比）と、ウエハステージとマスクステージとの移
動速度の比とが一致しない場合には、転写パターンにボ
ケが生じてしまう。
【０００５】本発明の目的は、（ａ）感応基板の一つの
転写パターンを二回以上に分けて転写する際のスループ
ットの改善、（ｂ）パターンの縮小比とステージの移動
速度の比とが一致しないときに生じる転写パターンのボ
ケの解消を図ることができる転写方法および該方法に適
した転写装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】図３（ａ）および図５に
対応付けて説明する。 （１）図３（ａ）に対応付けて説明すると、請求項１の
発明は、マスク１０および感応基板２０をそれぞれ転
写，被転写領域に平行な方向（矢印ＹM、ＹW方向）へそ
れぞれ一回以上連続移動させ、一回の連続移動で、マス
ク１０の特定範囲１１に包含される複数の小領域１１０
（その一つをハッチングにて示す。）に荷電粒子線ＥＢ
を時系列的に照射しつつ各小領域１１０のパターンを感
応基板２０の特定範囲２１に包含される複数の被転写領
域２１０のいずれかに選択的に投影するパターン転写方
法に適用され、転写露光中には、感応基板２０に投影さ
れるパターンの像と感応基板２０との相対速度が略零と
なるように、マスク１０から感応基板２０に導かれる荷
電粒子線ＥＢを所定の速度で連続移動の方向に偏向する
ことにより上述した目的を達成する。 （２）請求項２の発明は、マスク１０および感応基板２
０をそれぞれ転写，被転写領域に平行な方向（矢印
ＹM、ＹW方向）へそれぞれ一回以上連続移動させ、一回
の連続移動で、マスク１０の特定範囲１１に包含される
複数の小領域１１０（その一つをハッチングにて示
す。）に荷電粒子線ＥＢを時系列的に照射しつつ各小領
域１１０のパターンを感応基板２０の特定範囲２１に包
含される複数の被転写領域２１０のいずれかに選択的に
投影するパターン転写方法に適用され、感応基板２０の
一つの被転写領域２１０に転写すべきパターンを、マス
ク１０の特定範囲１１に包含される二以上の特定の小領
域１１０に分割して形成することにより上述した目的を
達成する。 （３）請求項３の発明は、マスク１０および感応基板２
０をそれぞれ転写，被転写領域に平行な方向（矢印
ＹM、ＹW方向）へそれぞれ一回以上連続移動させ、一回
の連続移動で、マスク１０の特定範囲１１に包含される
複数の小領域１１０（その一つをハッチングにて示
す。）に荷電粒子線ＥＢを時系列的に照射しつつ各小領
域１１０のパターンを感応基板２０の特定範囲２１に包
含される複数の被転写領域２１０のいずれかに選択的に
投影するパターン転写方法に適用され、（ａ）感応基板
２０の一つの被転写領域２１０に転写すべきパターン
を、マスク１０の特定範囲１１に包含される二以上の特
定の小領域１１０に分割して形成し、（ｂ）マスク１０
から感応基板２０へのパターンの縮小率を１／Ｍとした
ときに、マスク１０の連続移動の速度ＶMを感応基板２
０の連続移動の速度ＶWに対してＮ・Ｍ倍（但し、係数
Ｎは１より大きい実数）に設定し、（ｃ）転写露光中に
は、感応基板２０に投影されるパターンの像と感応基板
２０との相対速度が略零となるように、マスク１０から
感応基板２０に導かれる荷電粒子線ＥＢを所定の速度で
連続移動の方向に偏向することにより上述した目的を達
成する。 （４）請求項４の発明では、請求項３に記載の荷電粒子
線によるパターン転写方法において、マスク１０と感応
基板２０との間に配置された静電偏向器４３（図６参
照）により、荷電粒子線ＥＢを連続移動の方向へ偏向す
る。 （５）請求項５の発明は、マスク１０および感応基板２
０をそれぞれ転写，被転写領域に平行な方向（矢印
ＹM、ＹW方向）へそれぞれ一回以上連続移動させ、一回
の連続移動で、マスク１０の特定範囲１１に包含される
複数の小領域１１０（その一つをハッチングにて示
す。）に荷電粒子線ＥＢを時系列的に照射しつつ各小領
域１１０のパターンを感応基板２０の特定範囲２１に包
含される複数の被転写領域２１０のいずれかに選択的に
投影するパターン転写方法に適用され、（ａ）マスク１
０の複数の小領域１１０のそれぞれに対する荷電粒子線
ＥＢの照射時間の適正値と、小領域１１０のそれぞれに
対する転写準備に必要な時間とに基づいて、マスク１０
の特定範囲１１を対象としたパターン転写の開始から終
了までの所要時間を決定し、（ｂ）決定した所要時間内
に、マスク１０の特定範囲１１の一端１１ａが転写装置
のマスク側光学的フィールドＦM内にある状態からマス
ク１０の特定範囲１１の他端１１ｂがマスク側光学的フ
ィールドＦM内にある状態までマスク１０が移動し、か
つ、感応基板２０の特定範囲２１の一端２１ａが転写装
置の感応基板側光学的フィールドＦW内にある状態か
ら、特定範囲２１の他端２１ｂが感応基板側光学的フィ
ールドＦW内にある状態まで感応基板２０が移動するよ
うに、マスク１０および感応基板２０の連続移動の速度
ＶM、ＶWを設定し、（ｃ）転写露光中には、感応基板２
０に投影されるパターンの像と感応基板２０との相対速
度が略零となるように、マスク１０から感応基板２０に
導かれる荷電粒子線ＥＢを所定の速度で連続移動の方向
に偏向する。 （６）請求項６の発明は、請求項３または５に記載の荷
電粒子線によるパターン転写方法において、マスク１０
および感応基板２０の連続移動中に当該連続移動の速度
又はこれに関連した物理量を検出し、検出された値に基
づいて荷電粒子線ＥＢの連続移動方向への偏向速度を制
御する。 （７）請求項７の発明は、マスク１０および感応基板２
０を所定の方向に連続移動させる駆動手段と、駆動手段
による一回の連続移動中に、マスク１０の特定範囲１１
に包含される複数の小領域１１０に荷電粒子線を時系列
的に照射しつつ各小領域１１０のパターンを感応基板２
０の特定範囲２１に包含される複数の被転写領域２１０
のいずれかに選択的に投影する投影手段と、を備えた荷
電粒子線転写装置に適用され、マスク１０の複数の小領
域１１０のそれぞれに対する荷電粒子線の照射時間の適
正値と、小領域１１０のそれぞれに対する転写準備に必
要な時間とに基づいて、マスク１０の特定範囲１１を対
象としたパターン転写の開始から終了までの所要時間を
決定する転写時間決定手段と、転写時間決定手段が決定
した所要時間内に、マスク１０の特定範囲１１の一端１
１ａが転写装置のマスク側光学的フィールドＦM内にあ
る状態からマスク１０の特定範囲１１の他端１１ｂがマ
スク側光学的フィールドＦM内にある状態までマスク１
０が移動し、かつ、感応基板２０の特定範囲２１の一端
２１ａが転写装置の感応基板側光学的フィールドＦW内
にある状態から、特定範囲２１の他端２１ｂが感応基板
側光学的フィールドＦW内にある状態まで感応基板２０
が移動するように、駆動手段によるマスク１０および感
応基板２０の連続移動の速度を設定する連続移動速度設
定手段と、転写露光中には、感応基板２０に投影される
パターンの像と感応基板２０との相対速度が略零となる
ように、マスク１０から感応基板２０に導かれる荷電粒
子線を所定の速度で連続移動の方向に偏向する速度差解
消手段と、を設けた。 （８）請求項８の発明は、請求項７に記載の荷電粒子線
転写装置において、速度差解消手段は、マスク１０およ
び感応基板２０の連続移動中に当該連続移動の速度又は
これに関連した物理量を検出し、検出された値に基づい
て荷電粒子線ＥＢの連続移動方向への偏向速度を制御す
る。 （９）請求項９の発明は、感応基板２０を被転写領域に
平行な方向（ＹW方向）へ一回以上連続移動させ、一回
の連続移動で、マスク１０の特定範囲１１に包含される
複数の小領域１１０に荷電粒子線ＥＢを照射しつつ各小
領域１１０のパターンを感応基板２０の特定範囲２１に
包含される複数の被転写領域２１０のいずれかに選択的
に投影するパターン転写方法に適用され、（ａ）感応基
板２０の被転写領域２１０のそれぞれに対する荷電粒子
線ＥＢの照射時間の適正値と被転写領域２１０のそれぞ
れに対する転写準備に必要な時間とに基づいて、感応基
板２０の特定範囲２１を対象としたパターン転写の開始
から終了までの所要時間を決定し、（ｂ）決定した前記
所要時間内に、感応基板２１０の特定範囲２１の一端２
１ａが転写装置の感応基板側光学的フィールドＦW内に
ある状態から、感応基板２０の特定範囲２１の他端２１
ｂが感応基板側光学的フィールドＦW内にある状態まで
感応基板２０が移動するように、感応基板２０の連続移
動の速度ＶWを設定し、（ｃ）転写露光中には、感応基
板２０に投影されるパターンの像と感応基板２０との相
対速度が略零となるように、マスク１０から感応基板２
０に導かれる荷電粒子線ＥＢを所定の速度で連続移動の
方向に偏向する。 （１０）図５に対応付けて説明すると、請求項１０の発
明は、請求項９に記載の荷電粒子線によるパターン転写
方法において、マスク１０の一つの小領域１１０のパタ
ーンを、感応基板２０の特定範囲２１に包含される二以
上の特定の被転写領域２１０にそれぞれ投影する。 （１１）図１に対応付けて説明すると、請求項１１の発
明は、請求項９または１０に記載の荷電粒子線によるパ
ターン転写方法において、感応基板２０の連続移動中に
当該連続移動の速度またはこれに関連した物理量を検出
し、検出された値に基づいて荷電粒子線ＥＢの連続移動
方向への偏向速度を制御する。 （１２）請求項１２の発明は、感応基板２０を所定の方
向に連続移動させる駆動手段と、駆動手段による一回の
連続移動中に、マスク１０の特定範囲１１に包含される
複数の小領域１１０に荷電粒子線ＥＢを時系列的に照射
しつつ各小領域１１０のパターンを感応基板２０の特定
範囲２１に包含される複数の被転写領域２１０のいずれ
かに選択的に投影する投影手段と、を備えた荷電粒子線
転写装置に適用され、感応基板２０の複数の被転写領域
２１０のそれぞれに対する荷電粒子線ＥＢの照射時間の
適正値と、被転写領域２１０のそれぞれに対する転写準
備に必要な時間とに基づいて、感応基板２０の特定範囲
２１を対象としたパターン転写の開始から終了までの所
要時間を決定する転写時間決定手段と、転写時間決定手
段が決定した所要時間内に、感応基板２０の特定範囲２
１の一端２１ａが転写装置の感応基板側光学的フィール
ドＦW内にある状態から、特定範囲２１の他端２１ｂが
感応基板側光学的フィールドＦW内にある状態まで感応
基板２０が移動するように、駆動手段による感応基板２
０の連続移動の速度を設定する連続移動速度設定手段
と、転写露光中には、感応基板２０に投影されるパター
ンの像と感応基板２０との相対速度が略零となるよう
に、マスク１０から感応基板２０に導かれる荷電粒子線
ＥＢを所定の速度で連続移動の方向に偏向する速度差解
消手段と、を設けた。 （１３）請求項１３の発明は、請求項１２に記載の荷電
粒子線転写装置において、速度差解消手段は、感応基板
２０の連続移動中に当該連続移動の速度又はこれに関連
した物理量を検出し、検出された値に基づいて荷電粒子
線ＥＢの連続移動方向への偏向速度を制御する。
【０００７】（１）請求項１の発明では、マスク１０か
ら感応基板２０に導かれる荷電粒子線ＥＢを所定の速度
で連続移動方向に偏向して、感応基板２０に投影される
パターン像と感応基板２０の相対速度を略零とする。す
なわち、荷電粒子線ＥＢを偏向することにより、パター
ン像とそれが転写されるべき感応基板２０上の被転写領
域２１０との位置ずれを補正する。 （２）請求項２の発明では、マスク１０の特定範囲１１
に包含される二以上の特定の小領域１１０に分割して形
成されたパターンが、感応基板２０の一つの非転写領域
２１０に転写される。 （３）請求項３および４の発明では、マスク１０の特定
範囲１１に包含される二以上の特定の小領域１１０に分
割して形成されたパターンが、感応基板２０の一つの非
転写領域２１０に転写されるとともに、マスク１０から
感応基板２０に導かれる荷電粒子線ＥＢを所定の速度で
連続移動方向に偏向することによって、マスク１０の速
度ＶMのＮ・Ｍ倍の速度Ｖwを有する感応基板２０に投影
されるパターン像と感応基板２０の相対速度を略零とす
る。 （４）請求項５および７の発明では、マスク１０の一つ
の特定範囲１１の転写に要する所要時間内に、マスク１
０の特定範囲１１の一端１１ａから他端１１ｂまでの全
領域がマスク側光学的フィールドＦMを通過し、感応基
板２０の特定範囲２１の一端２１ａから他端２１ｂまで
の全領域が感応基板側光学的フィールドＦWを通過す
る。すなわち、マスク１０および感応基板２０の一回の
連続移動により、マスク１０の一つの特定範囲１１のパ
ターンが感応基板２０の対応する一つの特定範囲２１に
転写される。そのとき、マスク１０から感応基板２０に
導かれる荷電粒子線ＥＢを所定の速度で連続移動方向に
偏向して、感応基板２０に投影されるパターン像と感応
基板２０の相対速度を略零とする。 （５）請求項９および１２の発明では、感応基板２０の
一つの特定範囲２１の転写に要する所要時間内に、感応
基板２０の特定範囲２１の一端２１ａから他端２１ｂま
での全領域が感応基板側光学的フィールドＦWを通過す
る。すなわち、感応基板２０の一回の連続移動により、
感応基板２０の一つの特定範囲２１へのパターン転写が
行われる。そのとき、マスク１０から感応基板２０に導
かれる荷電粒子線ＥＢを所定の速度で連続移動方向に偏
向して、感応基板２０に投影されるパターン像と感応基
板２０の相対速度を略零とする。
【０００８】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１〜図１２を参照して本発明に
よるパターン転写方法に用いられるマスクと感応基板の
概略について説明する。図１は本発明によるマスク１０
の小領域１１０と感応基板２０の被転写領域２１０との
関係を例示したもので、（ａ）はマスク１０の平面図、
（ｂ）は感応基板２０の平面図、（ｃ）は（ａ）のＩｃ
部の拡大図、（ｄ）は（ｂ）のＩｄ部の拡大図である。
マスク１０および感応基板２０には、特定範囲１１、２
１がそれぞれ４列設けられている。マスク１０上の小領
域１１０は例えば荷電粒子線の１ショット領域であり、
マスク１０を図１（ａ）の左右方向に一回移動するとき
に、各特定範囲１１内のパターンが感応基板２０の対応
する特定範囲２１に転写される。ＦMおよびＦWはマスク
１０上および感応基板２０上の光学的フィールドをそれ
ぞれ示しており、所定の精度でパターン転写を行うこと
が可能な範囲であって荷電粒子線光学系の光軸ＡＸを中
心として有限の広がりを持つ。光学的フィールドＦM、
ＦWよりも外側の領域は転写に使用されない。なお、列
数は適宜変更してよい。複数の列が存在する場合、一つ
の列の転写が終了する毎にマスク１０および感応基板２
０が連続移動方向と直交する方向にステップ駆動されて
隣接する特定範囲１１、２１の列が転写装置の光学的フ
ィールドＦM、ＦWに取り込まれる。図１（ａ）に矢印Ｙ
M、ＹM’で示したように、連続移動方向は一列毎に切換
えられる。
【００１０】図１（ｄ）に示した感応基板２０の一つの
被転写領域２１０ａに転写すべきパターンが、マスク１
０の一つの特定範囲１１に包含される複数の小領域、例
えば図１（ｃ）の小領域１１０ａ1、１１０ａ2に分割し
て形成される。ここで、特定範囲１１は、マスク１０の
一回の連続移動により露光転写できる範囲である。この
ような分割は、例えば図１０に示した島状のパターンを
転写する場合に必要となるが、それ以外の場合にも適宜
分割してよい。例えば、一つの小領域１１０におけるパ
ターン（ビーム透過部）の密度が高くてクーロン効果ボ
ケの生じるおそれがあるとき、その小領域１１０のパタ
ーンを二以上に分割することもある。
【００１１】以上のようにパターンを分割した場合、転
写時には小領域１１０ａ1、１１０ａ2のパターンを同一
の被転写領域２１０ａに転写することになる。ここで、
感応基板２０の一つの特定範囲２１がＰ個の被転写領域
２１０を有し、各被転写領域２１０のそれぞれのパター
ンがマスク１０上で二つの小領域１１０に分割して形成
されていると仮定した場合、一つの特定範囲１１に包含
される小領域１１０の数は２Ｐ個である。そして、一つ
の小領域１１０のパターンの転写に必要な時間をｔsと
すれば、感応基板２０の一つの特定範囲２１のパターン
転写に必要な最小時間は２Ｐｔsである。一方、比較例
として、図１２に示すように一つの被転写領域２１０に
対応した二つの小領域１１０ａ1、１１０ａ2の一方をマ
スク１０の一つの特定範囲１１Ａに形成し、小領域１１
０ａ1、１１０ａ2の他方をマスク１０の他の特定範囲１
１Ｂに形成した場合を考える。この場合でも、感応基板
２０の一つの特定範囲２１がＰ個の被転写領域２１０を
有し、各被転写領域２１０のそれぞれのパターンがマス
ク１０上の二つの小領域１１０に分割して形成されてい
ると仮定すれば、一つの特定範囲２１の全体にパターン
を転写するのに必要な最小時間は上記と同様に２Ｐｔs
である。
【００１２】しかしながら、図１の場合には一つの被転
写領域２１０ａに対応する小領域１１０ａ1，１１０ａ2
が一つの特定範囲１１に含まれているが、図１２の場合
には二つの特定範囲１１Ａ，１１Ｂになり、転写装置の
マスク側光学的フィールドＦM内に特定範囲１１Ａ，１
１Ｂを順に取り込む際に、マスク１０，感応基板２０の
連続移動方向を逆方向に切換えて転写する必要がある。
そのため、図１２の場合は図１に比べて特定範囲の列数
が２倍となり、走査回数も２倍となる。また、マスク１
０を移動させる装置の立ち上がりや立ち下がり、移動方
向の切換え、あるいは連続移動の速度が所定値に達する
までの助走等により、転写の行われない無駄時間が発生
する。この無駄時間は、図１に示したものは図１２と比
べて略１／２になり、従って高スループットが達成され
る。
【００１３】上述した通り、マスク１０上の一つの特定
範囲１１に含まれる小領域１１０の数は、感応基板２０
の一つの特定範囲２１に含まれる被転写領域２１０の数
よりも多くなる。図２はマスク１０の一例を示す図であ
り、（ａ）は小領域１１０を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図２において、１２０は
マスク１０の機械的補強のためのストラットであり、ス
トラット１２０と小領域１１０との間には荷電粒子線遮
蔽領域であるスカート１３０が設けられる。１４０は荷
電粒子線による照明範囲である。このように、マスク１
０の特定範囲１１には、小領域１１０以外にストラット
１２０や、スカート１３０等が設けられるため、連続移
動方向に関するマスク１０の特定範囲１１の長さは、感
応基板２０の特定範囲２１の長さに対してパターン像の
縮小率１／Ｍの逆数倍よりも長くなる。
【００１４】図３（ａ）、（ｂ）に実線で示すように、
マスク１０の一端１１ａが転写装置のマスク側光学的フ
ィールドＦMに入った状態から、マスク１０の他端１１
ｂがマスク側光学的フィールドＦMに入った状態までマ
スク１０が連続移動する間に、感応基板２０もその一端
２１ａが転写装置の感応基板側光学的フィールドＦWに
入った状態から他端２１ｂが感応基板側光学的フィール
ドＦWに入った状態まで移動すると、特定範囲１１内の
全ての小領域１１０に効率良く荷電粒子線を照射でき
る。従って、転写時のマスク１０の連続移動速度Ｖ
Mを、感応基板２０の連続移動速度ＶWのＮ・Ｍ倍（Ｎは
１より大きい実数）とすることは必須である。
【００１５】一方、感応基板２０に投影されるパターン
像の移動速度Ｖimageは、縮小率が１／Ｍであるからマ
スク１０の移動速度ＶMの１／Ｍ倍、すなわちＶimage＝
ＶM／Ｍとなり、上述した感応基板２０の移動速度ＶW＝
ＶM／（Ｎ・Ｍ）と一致しない。これを放置すると、両
者の速度差によって感応基板２０に転写される像がぼけ
る。これを回避するため、連続移動中には、パターン像
と感応基板２０との相対速度が零となるように、マスク
１０から感応基板２０へ導かれる荷電粒子線を所定の速
度で連続移動方向に偏向する。この偏向操作は、応答性
に優れた静電偏向器にて行うことが望ましい。もちろ
ん、この相対速度は正確に零である必要はなく、像のボ
ケが許容される範囲での相違はかまわない。また、この
範囲でのステップ移動でもかまわない。
【００１６】ここで、連続移動中の偏向速度を決定する
方法としては、以下の、の二通りの方法がある。 転写中に、マスク１０の連続移動速度ＶMおよび感応
基板２０の連続移動速度ＶWを検出し、それぞれの検出
値と像の縮小率１／Ｍとから偏向速度ＶWDを下式（１）
により決定する。
【数１】ＶWD＝ＶW−（ＶM／Ｍ） ……（１） ただし、速度ＶMは感応基板２０に投影された像が感応
基板２０の連続移動方向に進む方向を正とする。速度Ｖ
W、ＶWDは感応基板２０の連続移動方向を正とする。な
お、連続移動方向の誤差、すなわち速度ＶM、ＶWのベク
トルがなす角度θをも検出できる場合には下式（２）を
用いる。
【数２】 ＶWD＝ＶW−（ＶM／Ｍ）・ＣＯＳθ ……（２） 速度ＶM、ＶWを直接検出せず、速度に関連した物理量と
して例えばマスク１０および感応基板２０の変位、加速
度を検出し、それらの値から速度を演算してもよい。
【００１７】感応基板２０に塗布されたレジストの感
度、荷電粒子線のビーム電流密度、マスク１０の余白
（小領域同士の境界の部分等）、転写回数等からマスク
１０および感応基板２０の連続移動速度を算出し、算出
値と像の縮小率とから偏向速度を決定する。以下、詳述
する。
【００１８】マスク１０の一つの特定範囲１１の全体に
対する荷電粒子線の照射時間（照射対象の小領域を交換
する際の照射休止時間を含む）をＴMとし、感応基板２
０の一つの特定範囲２１の全体に対するパターン転写時
間をＴWとしたとき、これらは互いに等しく、ＴM＝ＴW
＝Ｔである。この時間Ｔ内に一つの特定範囲１１、２１
を対象としたパターンの転写を終了するようにする。す
なわち、マスク１０側については、上記の時間Ｔ内に、
マスク１０の一つの特定範囲１１の一端１１ａが転写装
置のマスク側光学的フィールドＦMにある状態から、特
定範囲１１の他端１１ｂがマスク側光学的フィールドＦ
Mにある状態までマスク１０が移動するよう連続移動速
度ＶMを設定する。このときのマスク１０の移動量は図
３のようになる。
【００１９】図３（ａ）はマスク１０および感応基板２
０の移動量が最大となる場合を、図３（ｂ）はマスク１
０および感応基板２０の移動量が最小となる場合をそれ
ぞれ示しており、この範囲内で移動量を設定することが
できる。これらの図から明らかなように、マスク１０の
特定範囲１１の全長をＬM、マスク側光学的フィールド
ＦMの連続移動方向の幅をＬFM、マスク側小領域の連続
移動方向の幅をＳMとし、上述した移動量の最大および
最小を考慮すれば、上記の所定時間Ｔ内に、マスク１０
は下式（３）で示す距離Ｌａだけ移動すればよい。
【数３】 Ｌａ＝ＬM＋ＬFM−２ＳM 〜Ｌａ＝ＬM−ＬFM ……（３） 感応基板２０についても同様に考えることができ、その
特定範囲２１の全長をＬW、感応基板側光学的フィール
ドＦWの連続移動方向の幅をＬFW、感応基板側被転写領
域２１０の連続移動方向の幅をＳWとすれば、上記の所
定時間Ｔ内に感応基板２０は下式（４）で示す距離Ｌｂ
だけ移動すればよい。
【数４】 Ｌｂ＝ＬW＋ＬFW−２ＳW 〜Ｌｂ＝ＬW−ＬFW ……（４） 以上から、連続移動の速度ＶM、ＶWは、
【数５】 ＶM＝Ｌａ／Ｔ ＶW＝Ｌｂ／Ｔ ……（５） となる。
【００２０】ここで、Ｔは一つの特定範囲１１のパター
ン転写に必要な時間であるから、
【数６】Ｔ＝Σｔs＋Σｔbs ……（６） ただし、ｔsは一つの小領域１１０に対する荷電粒子線
の照射時間の適正値であり、感応基板２０に塗布された
レジストの感度をＳ（μＣ／cm2）、荷電粒子線のビー
ム電流密度をＡ（μＡ／cm2）とすれば下式（７）で与
えられる。
【数７】ｔs＝Ｓ／Ａ ……（７） また、ｔbsは一つの小領域１１０についての荷電粒子線
の照射を終了した後、次の小領域１１０に対する荷電粒
子線の照射を開始するまでの準備時間である。なお、近
接効果の補正等のため、小領域１１０毎に荷電粒子線の
照射時間が異なる場合がある。また、一つの小領域１１
０から次の小領域１１０へと荷電粒子線の照射対象を交
換する際のビーム移動量の大小により準備時間ｔbsが異
なる場合もある。さらに、マルチショットを行えば準備
時間ｔbsの加算回数が増加する。いずれにせよ、ｔsお
よびｔbsの値はマスク１０のパターンの設計データ等か
ら判別できる。以上のようにして連続移動速度ＶM、ＶW
を求めたならば、それらの値と縮小率１／Ｍとから上式
（１）に従って偏向速度ＶWDを算出できる。
【００２１】ただし、設定された偏向速度や連続移動速
度に対して実際の速度がずれるおそれがあるため、偏向
速度はの方法により決定することが望ましい。なお、
の方法を選択した場合でも、マスク１０および感応基
板２０の連続移動の速度の設定はの方法で行う。
【００２２】なお、図１では小領域１１０ａ1、１１０
ａ2を連続移動方向に隣接させたが、例えば図４のよう
に配置してもよい。図４（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１
の（ｃ）、（ｄ）と対応するもので、感応基板２０の一
つの被転写領域２１０ｂのパターンがマスク１０上で連
続移動方向と直交する方向（図示上下方向）に隣接した
一対の小領域１１０ｂ1、１１０ｂ2に分割して設けられ
る。被転写領域２１０ｂに対して連続移動方向と直交す
る方向に隣接する被転写領域２１０ｃのパターンは、上
記の小領域１１０ｂ1、１１０ｂ2の列に対して連続移動
方向に隣接する列内に位置する小領域１１０ｃ1、１１
０ｃ2にそれぞれ分割して設けられる。
【００２３】また、図１および図４では、マスク１０の
特定範囲１１に含まれる二つの小領域に形成されたパタ
ーンを、感応基板２０の特定範囲２１に含まれる一つの
被転写領域に転写する場合について説明したが、本発明
は、マスク１０の特定範囲１１に含まれる一つの小領域
のパターンを、感応基板２０の特定範囲２１に含まれる
複数の被転写領域に転写する場合についても適用するこ
とができ、図５にその一例を示す。図５（ａ），（ｂ）
はそれぞれ図１（ａ），（ｂ）と対応する図で、感応基
板２０の被転写領域２１０ａ1，２１０ａ2には、マスク
１０の小領域１１０ａに形成されたパターンが転写され
る。なお、図５（ｂ）では感応基板２０の連続移動方向
（Ｙw方向）に並んだ二つの被転写領域に転写された
が、連続移動方向と直交する方向に並んだ被転写領域に
転写される場合であっても同様に適用できる。これらの
場合にも、マスク１０および感応基板２０の連続移動方
向の切換えの回数は図１，３，４に示した場合と同一で
あるため、同様の効果（すなわち、高スループットの達
成）を得ることができる。
【００２４】また、小領域１１０のパターンを複数の被
転写領域２１０に対応させて用いるため、小領域１１０
を特定の一つの被転写領域２１０に対応させたマスクに
比べて、マスクのサイズを小さくすることができるとと
もに製作も容易となる。さらに、マスクステージの移動
速度も小さくすることができるため、装置製作のコスト
を低減できる。また、このようにしてマスク１０の小領
域１１０の数が極端に少なくなってマスク側光学的フィ
ールドＦM内にマスク１０が納まるような場合には、マ
スク１０を移動させることなく転写が行える。この場
合、転写の際にはマスクステージは停止したままで、感
応基板側のステージのみを連続移動させる。なお、異な
る特定範囲１１に移動する際には、マスクステージを連
続移動方向と直交する方向にステップ移動させる。
【００２５】図６は本発明の一実施の形態に係る電子線
縮小転写装置の概略を示す図である。なお、図において
光学系の光軸ＡＸと平行な方向にｚ軸を、ｚ軸と直交す
る面内で互いに直交する二つの方向にｘ軸およびｙ軸を
とってある。ｘ軸方向はマスク１０やウエハ２０Ａ（図
１〜図５の感応基板２０に相当）の連続移動方向であ
る。図６において３１は電子銃であり、そこから放出さ
れる電子線ＥＢはコンデンサレンズ３２、３３で集束さ
れて第１アパーチャー３４により断面矩形状のビームに
整形される。整形後の電子線ＥＢはコンデンサレンズ３
５により光軸ＡＸと平行なビームに調整されて二段の偏
向器３６Ａ、３６Ｂで所定量偏向され、マスクステージ
３７に装着されたマスク１０の所定領域に入射する。偏
向器３６Ａは、光軸ＡＸと直交する特定方向への偏向磁
場を発生する二組の偏向コイルを、それぞれの偏向方向
が互いに異なるようにして組合わせたものである。偏向
器３６Ａの各組の偏向コイルに供給する電流値を調整す
ることで、電子線ＥＢをｚ軸と直交する面内の任意の方
向に偏向可能である。偏向器３６Ｂについても同様であ
る。マスクステージ３７は、不図示のアクチュエータに
よりマスク１０を図中のｘ軸方向およびｙ軸方向にそれ
ぞれ移動させる。マスク１０は、図１および図３で説明
したように、一列以上の特定範囲１１と、それに含まれ
る複数の小領域１１０とを有する。小領域１１０の少な
くとも一部には、ウエハ２０Ａの一つの被転写領域２１
０に転写すべきパターンが分割して形成される。
【００２６】マスク１０を透過した電子線ＥＢは二段の
投影レンズ３８、３９を経てウエハステージ４０に装着
された感応基板としてのウエハ２０Ａの所定位置に入射
する。投影レンズ３８、３９は縮小光学系として構成さ
れ、その縮小率は例えば１／４に設定される。ウエハス
テージ４０は、ウエハ２０Ａをｘ軸およびｙ軸方向に移
動させる。マスクステージ３７とウエハステージ４０と
の間には、ウエハ２０Ａに対する電子線の入射位置を調
整する二段の偏向器４１Ａ、４１Ｂが設けられる。偏向
器４１Ａ、４１Ｂの概略は偏向器３６Ａ、３６Ｂと同一
である。投影レンズ３８、３９による電子線のクロスオ
ーバＣＯの近傍には、マスク１０によって所定量以上に
散乱された電子線のウエハ２０Ａへの入射を阻止する第
２アパーチャ４２が設けられる。また、第２アパーチャ
４２とウエハステージ４０との間には静電偏向器４３が
設けられる。静電偏向器４３は、光軸ＡＸをｘ軸方向に
挟む一対の電極を有し、該一対の電極間に電位差を生じ
させてマスク１０およびウエハ２０Ａの連続移動方向で
あるｘ軸方向に電子線ＥＢを偏向する。なお、図では便
宜的にｙ軸方向に対向するよう電極を描いている。４４
はマスクステージ３７のｘ軸方向およびｙ軸方向の位置
を検出するレーザ測長器、４５はウエハステージ４０の
ｘ軸方向およびｙ軸方向の位置を検出するレーザ測長器
である。これらの測長器４４、４５が検出した情報は制
御装置５０に入力される。
【００２７】制御装置５０には、コンデンサレンズ３
２、３３、３５の制御電源５１、偏向器３６Ａ、３６Ｂ
に対する制御電源５２、偏向器４１Ａ、４１Ｂに対する
制御電源５３、投影レンズ３８、３９に対する制御電源
５４、静電偏向器４３に対する制御電源５５がそれぞれ
接続される。各制御電源５１〜５４の出力電流および制
御電源５５の出力電圧は制御装置５０にて制御される。
制御装置５０は、マスクステージ３７およびウエハステ
ージ４０の動作も制御する。５６は制御装置５０に対す
る記憶装置である。転写に先立つ準備段階では、転写時
の各種の制御に必要な転写データが入力装置５７から制
御装置５５に入力されて記憶装置５６に格納される。こ
の転写データには、上述した（１）〜（７）式の演算に
必要な値として、縮小率１／Ｍ、マスク１０やウエハ２
０Ａの移動距離Ｌａ、Ｌｂ、小領域１１０毎の電子線の
照射時間ｔs、準備時間ｔbs、レジスト感度Ｓ、ビーム
電流密度Ａが含まれる。また、マスク１０の各小領域１
１０とウエハ２０Ａの被転写領域２１０との対応関係、
すなわち、各小領域１１０のパターンをウエハ２０Ａの
どの被転写領域２１０にそれぞれ転写すべきかに関する
情報も転写データとして予め与えられる。
【００２８】転写データが記憶装置５６に格納される
と、制御装置５０は図７に示す手順に従って転写中の連
続移動速度ＶM、ＶWを演算する。この処理は上述した
（５）、（６）式を用いるもので、ステップＳＰ１で転
写データを読み取り、ステップＳＰ２で（６）式から一
回の連続移動における転写時間Ｔを求める。続くステッ
プＳＰ３で（５）式により連続移動の速度ＶM、ＶWを演
算し、ステップＳＰ４で速度ＶM、ＶWを記憶して処理を
終了する。なお、以上の処理を転写装置とは別の装置で
行い、その結果を転写装置に与えるようにしてもよい。
【００２９】オペレータの操作等により制御装置５０に
対して転写開始が指示されると、制御装置５０は転写デ
ータに従って転写を開始する。この場合、マスク１０お
よびウエハ２０Ａがｙ軸方向互いに逆向きに速度ＶM、
ＶWで連続移動するよう、マスクステージ３７およびウ
エハステージ４０の動作が制御される。マスク１０およ
びウエハ２０Ａに複数列の特定範囲１１、２１が設けら
れている場合には、一回の連続移動が終了する毎に、マ
スクステージ３７およびウエハステージ４０が連続移動
方向と直交するｙ軸方向にステップ駆動されて次の転写
対象の特定範囲１１、２１がマスク側光学的フィールド
およびウエハ側光学的フィールドに取り込まれる。一回
の連続移動の間には、転写対象の特定範囲１１に包含さ
れる複数の小領域１１０に対して所定の順序で電子線Ｅ
Ｂが照射され、各小領域１１０を透過した電子線がウエ
ハ２０Ａの所定位置へと導かれる。このとき、マスク１
０に対する電子線ＥＢの照射位置は偏向器３６Ａ、３６
Ｂにて調整され、ウエハ２０Ａに対するパターン転写位
置は偏向器４１Ａ、４１Ｂにて調整される。さらに、転
写中に、パターン像とウエハ２０Ａとに速度差が生じな
いよう、図８に示す偏向速度決定処理が適当な周期で割
込み実行される。
【００３０】図８の処理では、まずステップＳＰ１１に
てレーザ測長器４４、４５の検出したステージ位置を微
分してマスク１０およびウエハ２０Ａの実際の連続移動
速度（以下、実速度）ＶMa、ＶWaを検出する。なお、測
長器４４、４５はいずれもｘ軸およびｙ軸方向の双方の
位置を検出するから、実速度ＶMa、ＶWaのｘ−ｙ平面内
における方向の誤差も特定される。続くステップＳＰ１
２では、上式（２）に実速度ＶMa、ＶWaおよび方向誤差
θを代入して偏向速度ＶWDを求める。そして、算出され
た偏向速度ＶWDにて電子線ＥＢが連続移動方向に偏向さ
れるように、ステップＳＰ１３で静電偏向器４３の電圧
を設定し、以下ステップＳＰ１１に戻って同様の処理を
繰り返す。なお、図８の処理は、それ専用の制御回路に
よって常時実行してもよい。静電偏向器４３の電圧制御
は、アナログ方式とするか、あるいは十分に細かいイン
クリメントのデジタル方式とする。
【００３１】なお、以上の形態では、レーザ測長器４
４、４５の検出した位置情報に基づいて連続移動の速度
を求めたが、マスク１０やウエハ２０Ａの速度を直接検
出してもよく、マスク１０やウエハ２０Ａの加速度を積
分してもよい。マスク１０やウエハ２０Ａの連続移動速
度の誤差が十分に小さい場合には図７の処理において上
記（１）式から偏向速度を決定し、図８の処理を省略し
てもよい。
【００３２】また、上述した装置では、第１アパーチャ
ー３４により矩形状に成形された電子線ＥＢで、図２
（ａ）に示すように小領域１１０を含む照射範囲１４０
が照射されるが、図９に示すように細く絞ったスポット
ビーム（ガウス分布型ビーム）を連続走査して小領域１
１０のパターンを転写するようにしてもよい。図９にお
いてＳＢはスポットビームであり、マスク１０をＹM’
方向に連続移動させつつスポットビームＳＢをＹM’方
向と直交する方向に偏向して経路Ｂのように走査するこ
とにより、照射範囲１４０の全体を露光する。
【００３３】発明の実施の形態と請求項との対応におい
て、マスクステージ３７およびウエハステージ４０が駆
動手段を、電子銃３１、コンデンサレンズ３２、３３、
３５、第１アパーチャ３４、偏向器３６Ａ、３６Ｂ、偏
向器４１Ａ、４１Ｂ、投影レンズ３８、３９、第２アパ
ーチャ４２が投影手段を、制御装置５０が転写時間決定
手段および連続移動速度設定手段を、静電偏向器４３、
レーザ測長器４４、４５および制御装置５０が速度差解
消手段を、それぞれ構成する。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、感応基板に投影されるパターンの像と感応基板
との相対速度が零となるよう連続移動中に荷電粒子線を
偏向するので、ボケのない高精度の転写を行える。請求
項２の発明によれば、マスクの複数の小領域に分割して
設けられたパターンを感応基板の一つの被転写領域に転
写する場合において、複数の小領域を一回の連続移動で
荷電粒子線により照射できる特定範囲に包含されるよう
に設けたので、マスクの折り返し等に伴う無駄時間を抑
えて高スループットにて転写を行える。請求項３〜１３
の発明によれば、ボケのない高精度の転写かつ高スルー
プットの転写を行うことができる。特に、請求項１０の
発明では、マスクの一つの小領域に設けられたパターン
を感応基板の同一特定範囲に含まれる複数の被転写領域
に転写するため、小領域の数を被転写領域の数より少な
くすることが可能となり、マスクをより小さくすること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されたマスクおよび感応基板の一
例を示す図で、（ａ）はマスクの平面図、（ｂ）は感応
基板の平面図、（ｃ）は（ａ）のＩｃ部の拡大図、
（ｄ）は（ｂ）のＩｄ部の拡大図。
【図２】マスクの一例を示す図であり、（ａ）は小領域
の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図。
【図３】本発明においてマスクおよび感応基板を連続移
動させる様子を示す図で、（ａ）はマスクおよび感応基
板の移動量を最大に設定した場合を、（ｂ）はマスクお
よび感応基板の移動量を最小に設定した場合をそれぞれ
示す図。
【図４】図１の変形例を示す図。
【図５】マスクおよび感応基板の他の変形例を示す図。
【図６】本発明の一実施の形態に係る転写装置の概略を
示す図。
【図７】図６の制御装置にて実行される連続移動速度の
決定処理を示すフローチャート。
【図８】図６の制御装置にて実行される偏向速度の決定
処理を示すフローチャート。
【図９】スポットビームによる走査を説明する図。
【図１０】マスクに島状パターンを設ける場合の問題点
を説明するための図。
【図１１】島状パターンを二分割してマスクに設けた例
を示す図。
【図１２】本発明に対する比較例を示す図。
【符号の説明】
１０ マスク １１ マスクの特定範囲 ２０ 感応基板 ２０Ａ 感応基板の一例としてのウエハ ２１ 感応基板の特定範囲 １１０ マスクの小領域 ２１０ 感応基板の小領域

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マスクおよび感応基板をそれぞれ一回以
    上連続移動させ、一回の連続移動で、前記マスクの特定
    範囲に包含される複数の小領域に荷電粒子線を時系列的
    に照射しつつ各小領域のパターンを前記感応基板の特定
    範囲に包含される複数の被転写領域のいずれかに選択的
    に投影するパターン転写方法において、 転写露光中には、前記感応基板に投影される前記パター
    ンの像と前記感応基板との相対速度が零となるように、
    前記マスクから前記感応基板に導かれる荷電粒子線を所
    定の速度で前記連続移動の方向に偏向することを特徴と
    する荷電粒子線によるパターン転写方法。
  2. 【請求項２】 マスクおよび感応基板をそれぞれ一回以
    上連続移動させ、一回の連続移動で、前記マスクの特定
    範囲に包含される複数の小領域に荷電粒子線を時系列的
    に照射しつつ各小領域のパターンを前記感応基板の特定
    範囲に包含される複数の被転写領域のいずれかに選択的
    に投影するパターン転写方法において、 前記感応基板の一つの被転写領域に転写すべきパターン
    を、前記マスクの前記特定範囲に包含される二以上の特
    定の小領域に分割して形成することを特徴とする荷電粒
    子線によるパターン転写方法。
  3. 【請求項３】 マスクおよび感応基板をそれぞれ一回以
    上連続移動させ、一回の連続移動で、前記マスクの特定
    範囲に包含される複数の小領域に荷電粒子線を時系列的
    に照射しつつ各小領域のパターンを前記感応基板の特定
    範囲に包含される複数の被転写領域のいずれかに選択的
    に投影するパターン転写方法において、 （ａ）前記感応基板の一つの被転写領域に転写すべきパ
    ターンを、前記マスクの前記特定範囲に包含される二以
    上の特定の小領域に分割して形成し、 （ｂ）前記マスクから前記感応基板へのパターンの縮小
    率を１／Ｍとしたときに、前記マスクの前記連続移動の
    速度を前記感応基板の前記連続移動の速度に対してＮ・
    Ｍ倍（但し、係数Ｎは１より大きい実数）に設定し、 （ｃ）転写露光中には、前記感応基板に投影される前記
    パターンの像と前記感応基板との相対速度が零となるよ
    うに、前記マスクから前記感応基板に導かれる荷電粒子
    線を所定の速度で前記連続移動の方向に偏向する、こと
    を特徴とする荷電粒子線によるパターン転写方法。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の荷電粒子線によるパタ
    ーン転写方法において、 前記マスクと前記感応基板との間に配置された静電偏向
    器により、前記荷電粒子線を前記連続移動の方向へ偏向
    することを特徴とする荷電粒子線によるパターン転写方
    法。
  5. 【請求項５】 マスクおよび感応基板をそれぞれ一回以
    上連続移動させ、一回の連続移動で、前記マスクの特定
    範囲に包含される複数の小領域に荷電粒子線を時系列的
    に照射しつつ各小領域のパターンを前記感応基板の特定
    範囲に包含される複数の被転写領域のいずれかに選択的
    に投影するパターン転写方法において、 （ａ）前記マスクの前記複数の小領域のそれぞれに対す
    る荷電粒子線の照射時間の適正値と、前記小領域のそれ
    ぞれに対する転写準備に必要な時間とに基づいて、前記
    マスクの前記特定範囲を対象としたパターン転写の開始
    から終了までの所要時間を決定し、 （ｂ）決定した前記所要時間内に、前記マスクの前記特
    定範囲の一端が転写装置のマスク側光学的フィールド内
    にある状態から前記マスクの前記特定範囲の他端が前記
    マスク側光学的フィールド内にある状態まで前記マスク
    が移動し、かつ、前記感応基板の前記特定範囲の一端が
    転写装置の感応基板側光学的フィールド内にある状態か
    ら、前記感応基板の前記特定範囲の他端が前記感応基板
    側光学的フィールド内にある状態まで前記感応基板が移
    動するように、前記マスクおよび前記感応基板の前記連
    続移動の速度を設定し、 （ｃ）転写露光中には、前記感応基板に投影される前記
    パターンの像と前記感応基板との相対速度が零となるよ
    うに、前記マスクから前記感応基板に導かれる荷電粒子
    線を所定の速度で前記連続移動の方向に偏向する、こと
    を特徴とする荷電粒子線によるパターン転写方法。
  6. 【請求項６】 請求項３または５に記載の荷電粒子線に
    よるパターン転写方法において、 前記マスクおよび前記感応基板の連続移動中に当該連続
    移動の速度又はこれに関連した物理量を検出し、検出さ
    れた値に基づいて前記荷電粒子線の前記連続移動方向へ
    の偏向速度を制御することを特徴とする荷電粒子線によ
    るパターン転写方法。
  7. 【請求項７】 マスクおよび感応基板を所定の方向に連
    続移動させる駆動手段と、 前記駆動手段による一回の連続移動中に、前記マスクの
    特定範囲に包含される複数の小領域に荷電粒子線を時系
    列的に照射しつつ各小領域のパターンを前記感応基板の
    特定範囲に包含される複数の被転写領域のいずれかに選
    択的に投影する投影手段とを備えた荷電粒子線転写装置
    において、 前記マスクの前記複数の小領域のそれぞれに対する荷電
    粒子線の照射時間の適正値と、前記小領域のそれぞれに
    対する転写準備に必要な時間とに基づいて、前記マスク
    の前記特定範囲を対象としたパターン転写の開始から終
    了までの所要時間を決定する転写時間決定手段と、 前記転写時間決定手段が決定した前記所要時間内に、前
    記マスクの前記特定範囲の一端が転写装置のマスク側光
    学的フィールド内にある状態から前記マスクの前記特定
    範囲の他端が前記マスク側光学的フィールド内にある状
    態まで前記マスクが移動し、かつ、前記感応基板の前記
    特定範囲の一端が転写装置の感応基板側光学的フィール
    ド内にある状態から、前記感応基板の前記特定範囲の他
    端が前記感応基板側光学的フィールド内にある状態まで
    前記感応基板が移動するように、前記駆動手段による前
    記マスクおよび前記感応基板の前記連続移動の速度を設
    定する連続移動速度設定手段と、 転写露光中には、前記感応基板に投影される前記パター
    ンの像と前記感応基板との相対速度が零となるように、
    前記マスクから前記感応基板に導かれる荷電粒子線を所
    定の速度で前記連続移動の方向に偏向する速度差解消手
    段と、を備えることを特徴とする荷電粒子線転写装置。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の荷電粒子線転写装置に
    おいて、 前記速度差解消手段は、前記マスクおよび前記感応基板
    の連続移動中に当該連続移動の速度又はこれに関連した
    物理量を検出し、検出された値に基づいて前記荷電粒子
    線の前記連続移動方向への偏向速度を制御することを特
    徴とする荷電粒子線転写装置。
  9. 【請求項９】 感応基板を一回以上連続移動させ、一回
    の連続移動で、マスクの特定範囲に包含される複数の小
    領域に荷電粒子線を照射しつつ各小領域のパターンを前
    記感応基板の特定範囲に包含される複数の被転写領域の
    いずれかに選択的に投影するパターン転写方法におい
    て、 （ａ）前記感応基板の前記被転写領域のそれぞれに対す
    る荷電粒子線の照射時間の適正値と前記被転写領域のそ
    れぞれに対する転写準備に必要な時間とに基づいて、前
    記感応基板の前記特定範囲を対象としたパターン転写の
    開始から終了までの所要時間を決定し、 （ｂ）決定した前記所要時間内に、前記感応基板の前記
    特定範囲の一端が転写装置の感応基板側光学的フィール
    ド内にある状態から、前記感応基板の前記特定範囲の他
    端が前記感応基板側光学的フィールド内にある状態まで
    前記感応基板が移動するように、前記感応基板の前記連
    続移動の速度を設定し、 （ｃ）転写露光中には、前記感応基板に投影される前記
    パターンの像と前記感応基板との相対速度が零となるよ
    うに、前記マスクから前記感応基板に導かれる荷電粒子
    線を所定の速度で前記連続移動の方向に偏向する、こと
    を特徴とする荷電粒子線によるパターン転写方法。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載の荷電粒子線によるパ
    ターン転写方法において、 前記マスクの一つの小領域のパターンを、前記感応基板
    の前記特定範囲に包含される二以上の特定の被転写領域
    にそれぞれ投影することを特徴とする荷電粒子線による
    パターン転写方法。
  11. 【請求項１１】 請求項９または１０に記載の荷電粒子
    線によるパターン転写方法において、 前記感応基板の連続移動中に当該連続移動の速度または
    これに関連した物理量を検出し、検出された値に基づい
    て前記荷電粒子線の前記連続移動方向への偏向速度を制
    御することを特徴とする荷電粒子線によるパターン転写
    方法。
  12. 【請求項１２】 感応基板を所定の方向に連続移動させ
    る駆動手段と、 前記駆動手段による一回の連続移動中に、前記マスクの
    特定範囲に包含される複数の小領域に荷電粒子線を時系
    列的に照射しつつ各小領域のパターンを前記感応基板の
    特定範囲に包含される複数の被転写領域のいずれかに選
    択的に投影する投影手段と、を備えた荷電粒子線転写装
    置において、 前記感応基板の前記複数の被転写領域のそれぞれに対す
    る荷電粒子線の照射時間の適正値と、前記被転写領域の
    それぞれに対する転写準備に必要な時間とに基づいて、
    前記感応基板の前記特定範囲を対象としたパターン転写
    の開始から終了までの所要時間を決定する転写時間決定
    手段と、 前記転写時間決定手段が決定した前記所要時間内に、前
    記感応基板の前記特定範囲の一端が転写装置の感応基板
    側光学的フィールド内にある状態から、前記感応基板の
    前記特定範囲の他端が前記感応基板側光学的フィールド
    内にある状態まで前記感応基板が移動するように、前記
    駆動手段による前記感応基板の前記連続移動の速度を設
    定する連続移動速度設定手段と、 転写露光中には、前記感応基板に投影される前記パター
    ンの像と前記感応基板との相対速度が零となるように、
    前記マスクから前記感応基板に導かれる荷電粒子線を所
    定の速度で前記連続移動の方向に偏向する速度差解消手
    段と、を備えることを特徴とする荷電粒子線転写装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の荷電粒子線転写装
    置において、 前記速度差解消手段は、前記感応基板の連続移動中に当
    該連続移動の速度又はこれに関連した物理量を検出し、
    検出された値に基づいて前記荷電粒子線の前記連続移動
    方向への偏向速度を制御することを特徴とする荷電粒子
    線転写装置。
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