JP6189933B2 - 荷電粒子ビームリソグラフィを用いる限界寸法均一性のための方法およびシステム - Google Patents
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Description
この出願は、「可変成形ビームリソグラフィを用いて限界寸法均一性を改善する方法およびシステム(Method And System For Improving Critical Dimension Uniformity Using Variable Shaped Beam Lithography)」と題される、2012年4月18日に提出された米国仮特許出願第61/625,932号からの優先権を主張し;1)2013年4月15日に提出された、「荷電粒子ビームリソグラフィを用いてパターンを形成する方法およびシステム(Method and System For Forming Patterns Using Charged Particle Beam Lithography)」と題されるFujimuraの米国特許出願第13/862,471号;2)2013年4月15日に提出された、「荷電粒子ビームリソグラフィを用いてパターンを形成する方法およびシステム(Method and System For Forming Patterns Using Charged Particle Beam Lithography)」と題されるFujimuraの米国特許出願第13/862,472号;3)2013年4月15日に提出された、「荷電粒子ビームリソグラフィを用いてパターンを形成する方法およびシステム(Method and System For Forming Patterns Using Charged Particle Beam Lithography)」と題されるFujimuraの米国特許出願第13/862,475号;4)2013年4月15日に提出された、「荷電粒子ビームリソグラフィを用いる限界寸法均一性のための方法およびシステム(Method And System For Critical Dimension Uniformity Using Charged Particle Beam Lithography)」と題される米国特許出願第13/862,476号;および5)「光学リソグラフィを用いて製造される基板上における像の最適化のための方法およびシステム(Method And System For Optimization Of An Image On A Substrate To Be Manufactured Using Optical Lithography)」と題される、2013年3月21日に公開された米国特許公開第2013/0070222号に関連し;それらのすべてをすべての目的のためにここに引用により援用する。
集積回路といった半導体装置を作製または製造する際、光学リソグラフィを用いて半導体装置を製造することができる。光学リソグラフィとは、レチクルから製造されたリソグラフィマスクまたはフォトマスクを用いてパターンを半導体またはシリコンウェハなどの基板に転写して集積回路(I.C.)を作成する印刷処理である。他の基板は、フラットパネルディスプレイ、ホログラフィマスクまたは他のレチクルをも含むことができる。従来の光学リソグラフィは193nmの波長を有する光源を用いるが、極紫外線(EUV)またはX線リソグラフィも本願においては光学リソグラフィの一種であると考えられる。1つのレチクルまたは複数のレチクルは、集積回路の個別の層に対応する回路パターンを含むことができ、このパターンを、フォトレジストまたはレジストとして知られている放射感応材の層で被覆された基板の特定領域上に結像できる。パターン化された層が転写されると、その層はエッチング、イオン注入(ドーピング)、金属化、酸化、および研磨といったさまざまな他の処理を受ける。これらの処理を用いて基板に個別の層を仕上げる。複数の層が必要である場合、その処理全体またはその変形などがそれぞれの新しい層に対して繰返される。最終的には、複数の装置または集積回路の組合せが、基板上に存在することになる。これら集積回路は、ダイシングまたはソーイングにより互いに分離され、個々のパッケージに取付けられてもよい。より一般的な場合、基板上のパターンを用いて、ディスプレイ画素、ホログラム、誘導自己組織化(DSA)ガードバンド、または磁気記録ヘッドといった加工品を規定してもよい。従来の光学リソグラフィ書込装置は、典型的には、光学リソグラフィプロセスの際フォトマスクパターンを4分の1に減少させる。したがって、レチクルまたはマスクに形成されるパターンは、基板またはウェハ上の所望のパターンの大きさよりも4倍大きくなければならない。
表面上にパターンを形成することが可能である荷電粒子ビームショットの組を判断し、パターンの限界寸法均一性(CDU)が、線量マージン、限界寸法分割(CD分割)低減、またはスライバ低減のような、少なくとも2つの要素を変動させることによって最適化される、マスクデータ準備(MDP)またはマスクプロセス補正(MPC)のための方法が開示される。
本開示はリソグラフィに関し、より特定的には荷電粒子ビームリソグラフィを用いる、レチクル、ウェハ、または任意の他の表面であり得る表面のデザインおよび製造に関する。
・曲線610:軌道の角度および100nmの幅に基づく従来的に計算されたショット寸法を用いる、従来の非重畳VSBショット。
・曲線612:重畳VSBショット。ある重畳VSBショットの構成が、モデルに基づく技術を用いて決定され、このショット構成は100nmの軌道を形成することが可能であり、ショットからショットへの間隔およびしたがってショット数は上記の従来の非重畳ショット構成と同じである。
・曲線614:重畳円形キャラクタ投影ショット。100nmの軌道を形成することが可能であり、ショットからショットへの間隔およびしたがってショット数が上記の従来の非重畳ショット構成と同じである、円形のショット構成が決定された。
この実験では、3つのショット構成はすべて、製造ばらつきの影響が加えられる前に、同じ事前PEC線量を用いた。他の実施の形態では、異なる割当てられた線量でのショットが、結果としての線量マージン変動とともに、さらに可能である。加えて、他の実施の形態では、スライバ低減を変動させてもよい。次いで、モンテカルロ技法を用いて、CDUに対する製造ばらつきの影響が、各ショット構成を用いて形成された軌道に対して計算された。2つのパラメータが変更された:
・ショット線量は、通常の線量の5%のシグマで、正規分布を用いて変更された。
・各ショットの位置は、1.5nmのシグマで、正規分布を用いて変更された。CD分割が存在するショット構成に関して、変動するショット位置は、CD分割の影響をモデル化する。
いくつかの実施の形態では、図6の実験ではそうではなかったが、ショットサイズを変更することも考えられる。サイズ変動は、幅、高さ、または幅および高さ共、のような要素を含み得る。図6は、グラフ600においてこの実験の結果を示し、曲線610、612および614に関して上に挙げられたショット構成を用いて形成された線形非マンハッタン軌道に対するCDの確率分布を示す。グラフ600のX軸はCDであり、100.0nmはデザイン幅である。グラフ600のy軸は条件付確率である。すべてのCD確率の和が1であるので、3つの曲線の各々の下の領域は等しい。各CD曲線の1−シグマは次のとおりである:
・曲線610:0.49nm
・曲線612:0.33nm
・曲線614:0.32nm
加えて、さまざまなショット構成のLWRは次のとおりである:
・従来の非重畳ショット(曲線610):4.13nm
・最適化された重畳VSBショット(曲線612):2.83nm
・最適化された重畳円形CPショット(曲線614):2.70nm
この例における重畳ショットの使用は、従来のショットと比較して、CDUおよびLWRが両方とも改善され得ることを示す。さらに、円形のCPショットの使用はVSBショットの使用より多くの改善を与え得る。同じショットからショットへの間隔を用いる重畳VSBショットの他の組は、CD分布612よりさらによいCDUを示し得る。同様に、同じショットからショットへの間隔を用いるCPショットの他の組は、CD分布614よりさらによいCDUを示し得る。
・曲線710は、従来の非重畳VSBショットの組に対するCD分布を示す。6シグマCDUは4.8nmである。
・曲線712は、重畳VSBショットのCDU最適化された組に対するCD分布を示し、書込時間は従来の非重畳ショットに対してと同じである。6シグマCDUは3.2nmである。
・曲線714は、重畳VSBショットのCDU最適化された組に対するCD分布を示し、書込時間は、従来の非重畳ショットに対する書込時間の70%である。6シグマCDUは4.8nmである。
図6の実験におけるように、ショット線量およびショット位置における製造ばらつきが、この実験において計算された。この実験では、3つのショット構成はすべて、製造ばらつきの影響が加えられる前に、同じ事前PEC線量を用いた。他の実施の形態では、異なる割当てられた線量でのショットが、結果としての線量マージン変動とともに、さらに可能である。図7で示されたCDU分布は、重畳ショットを用いることによって可能にされる柔軟性によって、書込時間を維持しながら、CDUが従来の非重畳ショットよりも改善されるのを可能にするか、または、CDUを維持しながら書込時間が低減されることを可能にすることを示す。他の解決策は、これらの2つの解決策の間に見出されてもよく、CDUおよび書込時間が同時に改善される。
Claims (14)
- 荷電粒子ビームシミュレーションを伴う使用のためのマスクデータ準備(MDP)またはマスクプロセス補正(MPC)のための方法であって、
荷電粒子ビームショットの組を決定するステップを含み、前記ショットの組は、荷電粒子ビームライタにおいて用いられたときに、レジストが被覆された表面に線量を生成し、前記レジストが被覆された表面の前記線量は、前記表面にパターンを形成し、製造ばらつきに起因する限界寸法均一性(CDU)が、ショット形状、一次元または二次元のショットサイズ、ショット位置、ショット間の間隔、ショット重なり、近接効果補正前のショット線量、線量マージン、限界寸法分割、スライバ低減、ショット数および書込時間からなる群から選択された要素を変化させた時に前記表面に生成されるであろうパターンを計算することによって最適化され、前記決定するステップは、コンピューティングハードウェア装置を用いて実行される、方法。 - 前記荷電粒子ビームショットの組におけるショットの構成を予め計算する、請求項1に記載の方法。
- 前記ショットの構成はショット構成ライブラリに保存される、請求項2に記載の方法。
- 前記パターンは複数の構成において多様な形状から構成され、前記ショット構成ライブラリは、所与のパターン形状および構成に対して使用するショットアスペクト比を指定する参照テーブルを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記パターンは軌道を含み、前記軌道の対向する縁部は、前記軌道の長さの大部分に関しておおよそ平行である、請求項1に記載の方法。
- 前記軌道は、少なくとも1つの幅および角度によって記述される、請求項5に記載の方法。
- 前記ショットの構成は、ショット形状、一次元または二次元のショットサイズ、ショット位置、ショット間の間隔、ショット重なり、近接効果補正前のショット線量、線量マージン、限界寸法分割、スライバ低減、ショット数および書込時間からなる群から選択された複数の要素を変更するモンテカルロシミュレーションを用いて計算される、請求項2に記載の方法。
- ショット形状を変更することは、直線および曲線の間で変化させることを含む、請求項7に記載の方法。
- 荷電粒子ビームリソグラフィを伴う使用のためのマスクデータ準備(MDP)のための方法であって、
荷電粒子ビームショットの組を入力するステップと、
コンピューティングハードウェア装置を用いて、前記荷電粒子ビームショットの組から表面上のパターンを計算するステップと、
計算されたパターンについて、製造ばらつきによって起こされる限界寸法均一性(CDU)を計算するステップと、
荷電粒子ビームショットの組を変更して、ある位置に対するCDUを、その位置に対する前記CDUが予め定められたCDU許容量を上回る場合に、改善するステップとを含み、前記変更するステップは、i)ショット形状、ショットサイズ、ショット位置または近接効果補正前のショット線量を変更すること、またはii)ショットを加えることを含む、方法。 - 前記変更するステップはモデルに基づく技術を用い、荷電粒子ビームショットの組を用いて前記表面に生成されるであろうパターンを計算することを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記CDUを計算するステップは、線量マージンを計算するステップ、限界寸法分割の影響を計算するステップ、およびスライバの影響を計算するステップの少なくとも1つを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記表面上の前記パターンを計算するステップは、荷電粒子ビームシミュレーションを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記表面上の前記パターンを計算するステップは、複数のレチクル製造条件の各々ごとに別個のパターンを計算するステップを含み、前記CDUを計算するステップは、前記複数の製造条件の各々ごとにCDUを計算するステップを含む、請求項9に記載の方法。
- 決定された荷電粒子ビームショットの組は、近接効果補正への入力として用いられ、近接効果補正において、ショット線量は、後方散乱、ローディング、フォギング、およびレジスト帯電からなる群から選択された長距離効果を明らかにするよう調整される、請求項1に記載の方法。
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JP6169876B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2017-07-26 | 日本コントロールシステム株式会社 | 電子ビーム描画装置、描画用図形データ作成装置、電子ビーム描画方法、描画用図形データ作成方法、およびプログラム |
US9170501B2 (en) * | 2013-07-08 | 2015-10-27 | GlobalFoundries, Inc. | Methods for fabricating integrated circuits including generating photomasks for directed self-assembly |
US9009634B2 (en) * | 2013-07-08 | 2015-04-14 | GlobalFoundries, Inc. | Methods for fabricating integrated circuits including generating photomasks for directed self-assembly |
US9026956B1 (en) * | 2013-10-11 | 2015-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of lithographic process evaluation |
US9023730B1 (en) | 2013-11-05 | 2015-05-05 | GlobalFoundries, Inc. | Methods for fabricating integrated circuits including generating e-beam patterns for directed self-assembly |
EP3105637A1 (en) * | 2014-02-11 | 2016-12-21 | ASML Netherlands B.V. | Model for calculating a stochastic variation in an arbitrary pattern |
US9460260B2 (en) | 2014-02-21 | 2016-10-04 | Mapper Lithography Ip B.V. | Enhanced stitching by overlap dose and feature reduction |
KR102247563B1 (ko) * | 2014-06-12 | 2021-05-03 | 삼성전자 주식회사 | 전자빔을 이용한 노광 방법과 그 노광 방법을 이용한 마스크 및 반도체 소자 제조방법 |
US10074036B2 (en) * | 2014-10-21 | 2018-09-11 | Kla-Tencor Corporation | Critical dimension uniformity enhancement techniques and apparatus |
EP3037878B1 (en) * | 2014-12-23 | 2020-09-09 | Aselta Nanographics | Method of applying vertex based corrections to a semiconductor design |
US9747408B2 (en) * | 2015-08-21 | 2017-08-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Generating final mask pattern by performing inverse beam technology process |
US9817927B2 (en) | 2015-08-31 | 2017-11-14 | Globalfoundries Inc. | Hard mask etch and dielectric etch aware overlap for via and metal layers |
EP3153926B1 (en) * | 2015-10-06 | 2020-04-22 | Aselta Nanographics | A method of reducing shot count in direct writing by a particle or photon beam |
JP6515835B2 (ja) * | 2016-02-23 | 2019-05-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
US10466586B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-11-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of modeling a mask having patterns with arbitrary angles |
WO2019161899A1 (en) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | Applied Materials, Inc. | Method for automated critical dimension measurement on a substrate for display manufacturing, method of inspecting a large area substrate for display manufacturing, apparatus for inspecting a large area substrate for display manufacturing and method of operating thereof |
US20200096876A1 (en) * | 2018-09-25 | 2020-03-26 | Asml Us, Llc F/K/A Asml Us, Inc. | Dose Map Optimization for Mask Making |
DE102018217199A1 (de) * | 2018-10-09 | 2020-04-09 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Gitterstruktur für eine diffraktive Optik |
US10884395B2 (en) | 2018-12-22 | 2021-01-05 | D2S, Inc. | Method and system of reducing charged particle beam write time |
US11604451B2 (en) | 2018-12-22 | 2023-03-14 | D2S, Inc. | Method and system of reducing charged particle beam write time |
US11756765B2 (en) | 2019-05-24 | 2023-09-12 | D2S, Inc. | Method and system for determining a charged particle beam exposure for a local pattern density |
US10748744B1 (en) | 2019-05-24 | 2020-08-18 | D2S, Inc. | Method and system for determining a charged particle beam exposure for a local pattern density |
US20220128899A1 (en) * | 2020-10-22 | 2022-04-28 | D2S, Inc. | Methods and systems to determine shapes for semiconductor or flat panel display fabrication |
Family Cites Families (117)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5425675A (en) | 1977-07-28 | 1979-02-26 | Nec Corp | Electron beam exposure unit |
JPS608844A (ja) | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Pioneer Electronic Corp | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
JPS61105839A (ja) | 1984-10-29 | 1986-05-23 | Toshiba Corp | 電子ビ−ム転写用マスク及びその製造方法 |
US4634871A (en) | 1985-01-14 | 1987-01-06 | Hughes Aircraft Company | Method and apparatus for spot shaping and blanking a focused beam |
US4698509A (en) | 1985-02-14 | 1987-10-06 | Varian Associates, Inc. | High speed pattern generator for electron beam lithography |
JPS637631A (ja) | 1986-06-27 | 1988-01-13 | Omron Tateisi Electronics Co | 電子ビ−ム描画方法 |
US4818885A (en) | 1987-06-30 | 1989-04-04 | International Business Machines Corporation | Electron beam writing method and system using large range deflection in combination with a continuously moving table |
US5173582A (en) | 1988-10-31 | 1992-12-22 | Fujitsu Limited | Charged particle beam lithography system and method |
JPH02280315A (ja) | 1989-04-20 | 1990-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム直接描画装置 |
JPH03205815A (ja) | 1990-01-08 | 1991-09-09 | Hitachi Ltd | 可変整形絞り |
JPH04137520A (ja) | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および描画方法 |
JPH04196516A (ja) | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Seiko Epson Corp | Eb露光方法および露光装置 |
US5103101A (en) | 1991-03-04 | 1992-04-07 | Etec Systems, Inc. | Multiphase printing for E-beam lithography |
JPH0536595A (ja) | 1991-08-02 | 1993-02-12 | Fujitsu Ltd | 電子線露光方法 |
JPH05267133A (ja) | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | 斜め図形描画法 |
JPH05335221A (ja) | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子線露光法および露光装置 |
JPH0620931A (ja) | 1992-07-03 | 1994-01-28 | Hitachi Ltd | 電子ビーム露光方法 |
JP3288794B2 (ja) | 1992-08-31 | 2002-06-04 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム補正方法及びマーク検出方法 |
JPH0864522A (ja) | 1994-06-16 | 1996-03-08 | Nikon Corp | 荷電粒子線転写方法 |
JP3203963B2 (ja) | 1994-07-15 | 2001-09-04 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
JP3340248B2 (ja) | 1994-08-12 | 2002-11-05 | 沖電気工業株式会社 | 電子ビーム露光方法 |
JPH08195339A (ja) | 1995-01-18 | 1996-07-30 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画方法 |
JPH08222504A (ja) | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Hitachi Ltd | 荷電粒子ビーム露光装置 |
JP3940824B2 (ja) | 1995-08-14 | 2007-07-04 | 株式会社ニコン | 荷電粒子線によるパターン転写方法および転写装置 |
JP3038141B2 (ja) * | 1995-09-19 | 2000-05-08 | ホーヤ株式会社 | レジストパターン形成条件決定方法及びレジストパターン形成方法 |
JP2956577B2 (ja) | 1996-03-28 | 1999-10-04 | 日本電気株式会社 | 電子線露光方法 |
US5825039A (en) | 1996-11-27 | 1998-10-20 | International Business Machines Corporation | Digitally stepped deflection raster system and method of use thereof |
JP3085454B2 (ja) | 1997-03-13 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | 荷電粒子線露光方法 |
JPH10294255A (ja) | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Canon Inc | 電子ビーム照明装置、および該電子ビーム照明装置を備えた露光装置 |
JP3350416B2 (ja) | 1997-10-01 | 2002-11-25 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JPH11233401A (ja) | 1998-02-09 | 1999-08-27 | Hitachi Ltd | 電子線描画方法及び電子線描画装置 |
WO1999056308A1 (fr) | 1998-04-28 | 1999-11-04 | Nikon Corporation | Systeme d'exposition et procede de production d'un microdispositif |
JP3076570B2 (ja) | 1998-08-24 | 2000-08-14 | 松下電子工業株式会社 | 荷電粒子描画方法及び荷電粒子描画装置 |
US6218671B1 (en) | 1998-08-31 | 2001-04-17 | Nikon Corporation | On-line dynamic corrections adjustment method |
JP2000091191A (ja) | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 電子線露光用のマスクと露光装置及び電子線露光方法 |
JP2000269123A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Toshiba Corp | 露光パターンデータの生成方法と荷電ビーム露光装置 |
JP2001013671A (ja) | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
US6262427B1 (en) * | 1999-07-15 | 2001-07-17 | Nikon Corporation | Variable transmission reticle for charged particle beam lithography tool |
JP2001093809A (ja) | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | パターン描画方法及び荷電ビーム描画装置 |
JP2001144008A (ja) | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Nec Corp | 電子線露光方法、並びにこれに用いるマスク及び電子線露光装置 |
US6320187B1 (en) | 1999-12-07 | 2001-11-20 | Nikon Corporation | Magnification and rotation calibration patterns for particle beam projection system |
KR100327343B1 (ko) | 2000-01-12 | 2002-03-06 | 윤종용 | 전자빔 리소그래피시 재산란된 전자빔에 의한 선폭변화를보정하는 방법 및 이를 기록한 기록매체 |
JP2001305720A (ja) | 2000-02-18 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 被転写媒体の製造方法、被転写パターン形成プログラムを記憶した記憶媒体、及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2001313253A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
JP2002050559A (ja) | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2002075830A (ja) | 2000-08-29 | 2002-03-15 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光方法、レチクル及びデバイス製造方法 |
US6372391B1 (en) | 2000-09-25 | 2002-04-16 | The University Of Houston | Template mask lithography utilizing structured beam |
JP3831188B2 (ja) | 2000-09-27 | 2006-10-11 | 株式会社東芝 | 露光処理装置及び露光処理方法 |
US6557162B1 (en) | 2000-09-29 | 2003-04-29 | Numerical Technologies, Inc. | Method for high yield reticle formation |
JP2002151387A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画方法 |
JP2002162566A (ja) | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Nikon Corp | 光学系の設計方法,光学系および投影露光装置 |
JP2002217088A (ja) | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2002217092A (ja) | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Nec Corp | レジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2002329659A (ja) | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光方法、荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2002101463A1 (en) | 2001-06-08 | 2002-12-19 | The Penn State Research Foundation | Patterning compositions using e-beam lithography and structures and devices made thereby |
US20030043358A1 (en) | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Nikon Corporation | Methods for determining focus and astigmatism in charged-particle-beam microlithography |
US6767674B2 (en) | 2001-10-26 | 2004-07-27 | Infineon Technologies Ag | Method for obtaining elliptical and rounded shapes using beam shaping |
JP3686367B2 (ja) | 2001-11-15 | 2005-08-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP4308467B2 (ja) | 2001-12-27 | 2009-08-05 | 新光電気工業株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
US6721939B2 (en) * | 2002-02-19 | 2004-04-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Electron beam shot linearity monitoring |
JP4190796B2 (ja) | 2002-04-24 | 2008-12-03 | Necエレクトロニクス株式会社 | 露光原版の作成方法 |
JP2003347192A (ja) | 2002-05-24 | 2003-12-05 | Toshiba Corp | エネルギービーム露光方法および露光装置 |
JP4327497B2 (ja) | 2002-06-26 | 2009-09-09 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法、半導体素子製造方法、マスク、及びマスク製造方法 |
JP2004134447A (ja) | 2002-10-08 | 2004-04-30 | Sony Corp | 露光方法、マスクおよび半導体装置の製造方法 |
CN101414129B (zh) | 2002-10-30 | 2012-11-28 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 电子束曝光系统 |
US7160475B2 (en) | 2002-11-21 | 2007-01-09 | Fei Company | Fabrication of three dimensional structures |
US6998217B2 (en) | 2003-01-06 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Critical dimension edge placement and slope enhancement with central pixel dose addition and modulated inner pixels |
KR100792808B1 (ko) | 2003-01-14 | 2008-01-14 | 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. | 딥 서브-파장 광학 리소그래피용 레티클 패턴에 광근접성피처들을 제공하는 방법 및 장치 |
JP2004273526A (ja) | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Nikon Corp | レチクル作製方法、レチクル及び荷電粒子線露光方法 |
JP2004304031A (ja) | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Toshiba Corp | マスクスキャン描画方法 |
JP4091470B2 (ja) | 2003-05-06 | 2008-05-28 | 株式会社東芝 | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 |
JP4046012B2 (ja) | 2003-05-29 | 2008-02-13 | ソニー株式会社 | マスク歪データの生成方法、露光方法および半導体装置の製造方法 |
US7186486B2 (en) * | 2003-08-04 | 2007-03-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method to pattern a substrate |
JP2005079111A (ja) | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置 |
US6873938B1 (en) * | 2003-09-17 | 2005-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Adaptive lithographic critical dimension enhancement |
KR100844872B1 (ko) | 2004-03-31 | 2008-07-09 | 호야 가부시키가이샤 | 전자빔 묘화방법 및 리소그래피 마스크의 제조방법 |
JP4570400B2 (ja) | 2004-06-03 | 2010-10-27 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 露光データ作成方法及び露光データ作成装置 |
EP1612835A1 (en) | 2004-06-29 | 2006-01-04 | Leica Microsystems Lithography GmbH | Method for Reducing the Fogging Effect |
JP4603305B2 (ja) | 2004-07-21 | 2010-12-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 露光方法、パターン寸法調整方法及び焦点ぼかし量取得方法 |
JP4324049B2 (ja) | 2004-07-23 | 2009-09-02 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | マスクパターンの補正装置及び方法、並びに露光補正装置及び方法 |
JP2006100336A (ja) | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Advantest Corp | 電子ビーム露光用マスク、電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
JP4808447B2 (ja) | 2005-08-01 | 2011-11-02 | 株式会社リコー | 電子ビーム描画方法及び電子ビーム描画装置 |
JP2007115999A (ja) | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Toshiba Corp | キャラクタプロジェクション(cp)方式の荷電粒子ビーム露光方法、キャラクタプロジェクション方式の荷電粒子ビーム露光装置及びプログラム |
US7788628B1 (en) | 2006-01-11 | 2010-08-31 | Olambda, Inc. | Computational efficiency in photolithographic process simulation |
JP4976071B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2012-07-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP4995261B2 (ja) | 2006-04-03 | 2012-08-08 | イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー | パターン化ビームの総合変調を持つ粒子ビーム露光装置 |
JP2007305880A (ja) | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Toshiba Corp | キャラクタパターン抽出方法、荷電粒子ビーム描画方法、及びキャラクタパターン抽出プログラム |
US20070280526A1 (en) | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Irfan Malik | Determining Information about Defects or Binning Defects Detected on a Wafer after an Immersion Lithography Process is Performed on the Wafer |
JP4843425B2 (ja) | 2006-09-06 | 2011-12-21 | エルピーダメモリ株式会社 | 可変成形型電子ビーム描画装置 |
JP4378648B2 (ja) | 2006-10-06 | 2009-12-09 | エルピーダメモリ株式会社 | 照射パターンデータ作成方法、マスク製造方法、及び描画システム |
US7772575B2 (en) | 2006-11-21 | 2010-08-10 | D2S, Inc. | Stencil design and method for cell projection particle beam lithography |
US7902528B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-03-08 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and system for proximity effect and dose correction for a particle beam writing device |
JP2008175959A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Toshiba Corp | フォトマスク製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
GB2451480B (en) | 2007-07-31 | 2011-11-02 | Vistec Lithography Ltd | Pattern writing on a rotaing substrate |
JP5090887B2 (ja) | 2007-12-18 | 2012-12-05 | 日本電子株式会社 | 電子ビーム描画装置の描画方法及び電子ビーム描画装置 |
US8542340B2 (en) | 2008-07-07 | 2013-09-24 | Asml Netherlands B.V. | Illumination optimization |
WO2010025031A2 (en) | 2008-09-01 | 2010-03-04 | D2S, Inc. | Method for optical proximity correction, design and manufacturing of a reticle using character projection lithography |
US7759027B2 (en) | 2008-09-01 | 2010-07-20 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using character projection lithography |
US8039176B2 (en) | 2009-08-26 | 2011-10-18 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using curvilinear characters with charged particle beam lithography |
US8473875B2 (en) | 2010-10-13 | 2013-06-25 | D2S, Inc. | Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography |
US7981575B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-07-19 | DS2, Inc. | Method for optical proximity correction of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
US7901850B2 (en) * | 2008-09-01 | 2011-03-08 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
US8017288B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-09-13 | D2S, Inc. | Method for fracturing circular patterns and for manufacturing a semiconductor device |
US20130070222A1 (en) * | 2011-09-19 | 2013-03-21 | D2S, Inc. | Method and System for Optimization of an Image on a Substrate to be Manufactured Using Optical Lithography |
KR20110069044A (ko) * | 2008-09-01 | 2011-06-22 | 디2에스, 인코포레이티드 | 가변 형상 비임 리소그래피를 이용한 레티클의 광 근접 보정, 설계 및 제조 방법 |
US7799489B2 (en) | 2008-09-01 | 2010-09-21 | D2S, Inc. | Method for design and manufacture of a reticle using variable shaped beam lithography |
US8312406B2 (en) * | 2009-06-22 | 2012-11-13 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and system performing RC extraction |
JP5570774B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2014-08-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および方法 |
JP2011040716A (ja) | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
US8671366B2 (en) * | 2009-08-21 | 2014-03-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Estimating shape based on comparison between actual waveform and library in lithography process |
US8404404B2 (en) | 2009-08-21 | 2013-03-26 | D2S, Inc. | Method and system for manufacturing a surface using character projection lithography with variable magnification |
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US8137871B2 (en) | 2009-12-26 | 2012-03-20 | D2S, Inc. | Method and system for fracturing a pattern using charged particle beam lithography with multiple exposure passes which expose different surface area |
JP5289343B2 (ja) | 2010-01-15 | 2013-09-11 | 株式会社東芝 | 露光量決定方法、半導体装置の製造方法、露光量決定プログラムおよび露光量決定装置 |
US8193005B1 (en) * | 2010-12-13 | 2012-06-05 | International Business Machines Corporation | MEMS process method for high aspect ratio structures |
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