JPH05335221A - 荷電粒子線露光法および露光装置 - Google Patents
荷電粒子線露光法および露光装置Info
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- JPH05335221A JPH05335221A JP13649492A JP13649492A JPH05335221A JP H05335221 A JPH05335221 A JP H05335221A JP 13649492 A JP13649492 A JP 13649492A JP 13649492 A JP13649492 A JP 13649492A JP H05335221 A JPH05335221 A JP H05335221A
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- charged particle
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- particle beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路装置等の製造に用いる荷電粒
子線露光法および露光装置に関し、ぼかした荷電粒子線
によって主パターンを取り囲む補助パターンの露光を行
う近接効果補正法をより効率化する。 【構成】 現像後に実パターンとして残る主パターン１
の露光と、現像後に実パターンとして残らない主パター
ンを取り囲む補助パターン２の露光によって近接効果を
補正する荷電粒子線露光法において、この主パターン１
をブロック露光法または可変矩形ビーム露光法を用いて
露光し、補助パターン２をブロックパターン化し、ぼか
した補助パターン５によって露光する。また、この場
合、適数の支持部４を残して閉ループ状に形成された開
口３を有するブロックマスクを用い、レンズの焦点を外
してビームをぼかして補助露光を行う。
子線露光法および露光装置に関し、ぼかした荷電粒子線
によって主パターンを取り囲む補助パターンの露光を行
う近接効果補正法をより効率化する。 【構成】 現像後に実パターンとして残る主パターン１
の露光と、現像後に実パターンとして残らない主パター
ンを取り囲む補助パターン２の露光によって近接効果を
補正する荷電粒子線露光法において、この主パターン１
をブロック露光法または可変矩形ビーム露光法を用いて
露光し、補助パターン２をブロックパターン化し、ぼか
した補助パターン５によって露光する。また、この場
合、適数の支持部４を残して閉ループ状に形成された開
口３を有するブロックマスクを用い、レンズの焦点を外
してビームをぼかして補助露光を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置等
の製造に用いる荷電粒子線露光法および露光装置に関す
るものである。
の製造に用いる荷電粒子線露光法および露光装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム露光法等の荷電粒子線露光法
は、光学的露光法の限界を超えるパターンの微細化が可
能であるため注目されているが、この荷電粒子線露光法
は、細い荷電粒子線を用いて一筆書きのように所望のパ
ターンを塗り潰す方法であるため、スループットが悪い
という最大の欠点を有しており、この欠点を克服する方
法として荷電粒子線を用いたブロック露光法が研究され
ている。
は、光学的露光法の限界を超えるパターンの微細化が可
能であるため注目されているが、この荷電粒子線露光法
は、細い荷電粒子線を用いて一筆書きのように所望のパ
ターンを塗り潰す方法であるため、スループットが悪い
という最大の欠点を有しており、この欠点を克服する方
法として荷電粒子線を用いたブロック露光法が研究され
ている。
【０００３】例えば、電子ビームを用いたブロック露光
法は、目的とするパターンを分析して現出頻度の高い類
型化したパターンの単位を選択し、現出頻度の高い順に
複数個の類型化したパターン形状の開口を形成したステ
ンシルマスクを用い、この開口より広い断面を有する電
子ビームを目的とするパターン形状の開口に照射し、開
口を透過した電子ビームを縮小投影することによってレ
ジスト上に一括転写する方法であり、ＤＲＡＭのセル部
等の繰り返しパターンから構成されている領域に適用す
ることにより露光時間の短縮を図るものである。
法は、目的とするパターンを分析して現出頻度の高い類
型化したパターンの単位を選択し、現出頻度の高い順に
複数個の類型化したパターン形状の開口を形成したステ
ンシルマスクを用い、この開口より広い断面を有する電
子ビームを目的とするパターン形状の開口に照射し、開
口を透過した電子ビームを縮小投影することによってレ
ジスト上に一括転写する方法であり、ＤＲＡＭのセル部
等の繰り返しパターンから構成されている領域に適用す
ることにより露光時間の短縮を図るものである。
【０００４】図３（Ａ）〜（Ｄ）は、従来のブロック露
光法の説明図である。この図において、（Ａ），
（Ｂ），（Ｃ）はブロック露光マスク、（Ｄ）は露光パ
ターンである。この図に示された露光パターン（Ｄ）
は、６４ＭＤＲＡＭの一例であり、（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ）に示される３種のブロック露光マスクを選択し、
破線で示すように縮小投影して組み合わせることによっ
て完成されている。特に露光パターンの大部分を占める
連続模様のセル部においては、ブロック露光マスク
（Ｃ）のみを用いて露光されるため極めて効率よく、短
時間で露光を完了することができる。
光法の説明図である。この図において、（Ａ），
（Ｂ），（Ｃ）はブロック露光マスク、（Ｄ）は露光パ
ターンである。この図に示された露光パターン（Ｄ）
は、６４ＭＤＲＡＭの一例であり、（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ）に示される３種のブロック露光マスクを選択し、
破線で示すように縮小投影して組み合わせることによっ
て完成されている。特に露光パターンの大部分を占める
連続模様のセル部においては、ブロック露光マスク
（Ｃ）のみを用いて露光されるため極めて効率よく、短
時間で露光を完了することができる。
【０００５】ところが、一般に電子ビーム露光法におい
ては、電子ビームの被照射体の後方における散乱によっ
て近接するパターンの形状が歪む近接効果が生じること
が知られており、この近接効果を補正する方法として大
きく分けると次の２つが知られている。 （１）個々の露光パターンについて寸法と照射量の最適
化を行う方法。 （２）主パターンに補助パターンを重ねて露光すること
によって近接効果の影響を実質的に相殺する方法。
ては、電子ビームの被照射体の後方における散乱によっ
て近接するパターンの形状が歪む近接効果が生じること
が知られており、この近接効果を補正する方法として大
きく分けると次の２つが知られている。 （１）個々の露光パターンについて寸法と照射量の最適
化を行う方法。 （２）主パターンに補助パターンを重ねて露光すること
によって近接効果の影響を実質的に相殺する方法。
【０００６】上記（１）の、個々の露光パターンについ
て寸法と照射量の最適化を行う方法としては、以下に説
明する照射強度変更法，補正点ビーム照射法，図形削除
法等が知られている。
て寸法と照射量の最適化を行う方法としては、以下に説
明する照射強度変更法，補正点ビーム照射法，図形削除
法等が知られている。
【０００７】図４（Ａ），（Ｂ）は、近接効果と従来の
近接効果補正法の説明図である。図４（Ａ）は、単独図
形で形状歪みを生じる図形内近接効果とその補正法を示
している。図形内近接効果は図形の端部において蓄積電
荷量が不足することが原因で、例えば矩形状のパターン
（ａ）の端部が丸くなる（ｂ）効果である。この効果を
補正するには、図形端部の蓄積電荷量の不足を補うため
に、端部（斜線部分）における電子ビームの走査速度を
他の領域よりも遅くして、電子ビームの照射エネルギー
を実質的に高める照射強度変更法（ｃ）が知られてい
る。また、図形の端部近傍（黒点と矢印で示す部分）に
補正用の点ビームを照射して、電子ビームの照射エネル
ギーを実質的に高める補正点ビーム照射法（ｄ）が知ら
れている。
近接効果補正法の説明図である。図４（Ａ）は、単独図
形で形状歪みを生じる図形内近接効果とその補正法を示
している。図形内近接効果は図形の端部において蓄積電
荷量が不足することが原因で、例えば矩形状のパターン
（ａ）の端部が丸くなる（ｂ）効果である。この効果を
補正するには、図形端部の蓄積電荷量の不足を補うため
に、端部（斜線部分）における電子ビームの走査速度を
他の領域よりも遅くして、電子ビームの照射エネルギー
を実質的に高める照射強度変更法（ｃ）が知られてい
る。また、図形の端部近傍（黒点と矢印で示す部分）に
補正用の点ビームを照射して、電子ビームの照射エネル
ギーを実質的に高める補正点ビーム照射法（ｄ）が知ら
れている。
【０００８】図４（Ｂ）は、隣接する図形のパターンが
接触する図形間近接効果とその補正法を示している。図
形間近接効果は隣接する図形（ａ）の露光パターンが一
部または全部接触する（ｂ）効果である。この効果を補
正するには、図形が隣接する部分（斜線部分）における
電子ビームの走査速度を他の領域よりも早めて、電子ビ
ームの照射エネルギーを実質的に下げる照射強度変更法
（ｃ）が知られている。また、図形の隣接する部分（縦
二重線の間隔が広い方の線まで）を予め削除しておいて
電子ビームを照射する図形削除法（ｄ）が知られてい
る。
接触する図形間近接効果とその補正法を示している。図
形間近接効果は隣接する図形（ａ）の露光パターンが一
部または全部接触する（ｂ）効果である。この効果を補
正するには、図形が隣接する部分（斜線部分）における
電子ビームの走査速度を他の領域よりも早めて、電子ビ
ームの照射エネルギーを実質的に下げる照射強度変更法
（ｃ）が知られている。また、図形の隣接する部分（縦
二重線の間隔が広い方の線まで）を予め削除しておいて
電子ビームを照射する図形削除法（ｄ）が知られてい
る。
【０００９】ところが、本発明の対象であるブロック露
光法における近接効果補正法としては、元々ブロック露
光法では電子ビームを走査しないこと、ステンシルマス
クに形成する開口がきわめて微細でこれ以上削除できな
い等の理由で、前記の（１）の方法を用いることはでき
ず、前記（２）の、主パターンに補助パターンを重ねて
露光する方法を採用せざるを得ない。
光法における近接効果補正法としては、元々ブロック露
光法では電子ビームを走査しないこと、ステンシルマス
クに形成する開口がきわめて微細でこれ以上削除できな
い等の理由で、前記の（１）の方法を用いることはでき
ず、前記（２）の、主パターンに補助パターンを重ねて
露光する方法を採用せざるを得ない。
【００１０】この主パターンに補助パターンを重ねて露
光する方法には、ゴースト（ＧＨＯＳＴ）露光法とファ
ントム（ＰＨＡＮＴＯＭ）露光法と呼ばれている方法等
が知られている。
光する方法には、ゴースト（ＧＨＯＳＴ）露光法とファ
ントム（ＰＨＡＮＴＯＭ）露光法と呼ばれている方法等
が知られている。
【００１１】図５（Ａ）〜（Ｃ）は、補助パターン露光
による近接効果補正法の説明図である。図５（Ａ）は、
主パターン（ａ）と、この主パターンとは白黒反転し、
ぼかした補助パターン（ｂ）（斜線で示されている部
分）を重ねて露光するゴースト露光法を示している
（Ｇ．Ｏｗｅｎ ａｎｄ Ｐ．Ｒｉｓｓｍａｎ，Ｊ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，５４，３５７３（１９８３），Ｍ
ｉｃｈｅｌ Ｅ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．
Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｂ６（１），Ｊａｎ／Ｆｅｂ １９
８８，ｐ４３６，Ｍ．Ｅ．Ｈａｓｌａｍ ｅｔ ａｌ，
Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｂ３（１），
Ｊａｎ／Ｆｅｂ １９８５，ｐ１６５，Ｍ．Ｅ．Ｈａｓ
ｌａｍ ｅｔ ａｌ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎ
ｏｌ．，Ｂ４（１），Ｊａｎ／Ｆｅｂ １９８６，ｐ１
６８参照）。
による近接効果補正法の説明図である。図５（Ａ）は、
主パターン（ａ）と、この主パターンとは白黒反転し、
ぼかした補助パターン（ｂ）（斜線で示されている部
分）を重ねて露光するゴースト露光法を示している
（Ｇ．Ｏｗｅｎ ａｎｄ Ｐ．Ｒｉｓｓｍａｎ，Ｊ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，５４，３５７３（１９８３），Ｍ
ｉｃｈｅｌ Ｅ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．
Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｂ６（１），Ｊａｎ／Ｆｅｂ １９
８８，ｐ４３６，Ｍ．Ｅ．Ｈａｓｌａｍ ｅｔ ａｌ，
Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｂ３（１），
Ｊａｎ／Ｆｅｂ １９８５，ｐ１６５，Ｍ．Ｅ．Ｈａｓ
ｌａｍ ｅｔ ａｌ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎ
ｏｌ．，Ｂ４（１），Ｊａｎ／Ｆｅｂ １９８６，ｐ１
６８参照）。
【００１２】補助パターンの露光を行わない場合は、露
光パターンが変形していたが、補助パターンの露光を行
うと、露光量全体のレベルが上昇するものの、近接効果
による露光パターンの変形は補正される。なお、露光量
のレベルの上昇の影響は、レジストの感度や現像条件を
調節することによって除くことができる。また、主パタ
ーンの露光と補助パターンの露光の順序は近接効果の補
正に関係しない。この露光法によると、主パターンに対
して白黒反転した補助パターンを形成するための煩雑な
工程が必要である。
光パターンが変形していたが、補助パターンの露光を行
うと、露光量全体のレベルが上昇するものの、近接効果
による露光パターンの変形は補正される。なお、露光量
のレベルの上昇の影響は、レジストの感度や現像条件を
調節することによって除くことができる。また、主パタ
ーンの露光と補助パターンの露光の順序は近接効果の補
正に関係しない。この露光法によると、主パターンに対
して白黒反転した補助パターンを形成するための煩雑な
工程が必要である。
【００１３】図５（Ｂ）は、主パターンに（ａ）を白黒
反転させたパターンをさらに矩形パターン（ｂ）によっ
て代表させて露光するファントム露光法を示している。
反転させたパターンをさらに矩形パターン（ｂ）によっ
て代表させて露光するファントム露光法を示している。
【００１４】ここで、ファントム露光法の概要を説明す
る。図６（Ａ）〜（Ｃ）は、ファントム露光法の概要説
明図である。この図において、（Ａ）は主パターン、
（Ｂ）は反転パターン、（Ｃ）は補助パターンを示して
いる。以下にファントム露光法の手順を説明する。
る。図６（Ａ）〜（Ｃ）は、ファントム露光法の概要説
明図である。この図において、（Ａ）は主パターン、
（Ｂ）は反転パターン、（Ｃ）は補助パターンを示して
いる。以下にファントム露光法の手順を説明する。
【００１５】第１段階（Ａ） 主パターンの存在領域を２〜４μｍ程度の領域に分割
し、その領域内に占める主パターンの面積比を算出し
て、これをηとおく。 第２段階（Ｂ） 主パターンの反転パターンを発生させる。この反転パタ
ーンの面積は（１−η）である。
し、その領域内に占める主パターンの面積比を算出し
て、これをηとおく。 第２段階（Ｂ） 主パターンの反転パターンを発生させる。この反転パタ
ーンの面積は（１−η）である。
【００１６】第３段階（Ｃ） 反転パターンの面積比（１−η）の面積比をもつ補助パ
ターン（矩形）を、反転パターンの重心位置に発生させ
る（代表図形パターンの発生）。 第４段階 主パターン（Ａ）を露光する。 第５段階 主パターンの密度に応じた露光量で、補助パターンをぼ
かしたビームを用いて露光する（Ｔ．Ａｂｅ，Ｓ．Ｙａ
ｍａｓａｋｉ，Ｔ．Ｔａｋｉｇａｗａ，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｂ３，Ｌ５２８（１９９１），Ｔ．
Ａｂｅ，Ｓ．Ｙａｍａｓａｋｉ，Ｔ．Ｙａｍａｇｕｃｈ
ｉ，Ｒ．Ｙｏｓｈｉｋａｗａ，Ｔ．Ｔａｋｉｇａｗａ，
Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．掲載予定，Ｔ．Ａｂ
ｅ，Ｓ．Ｙａｍａｓａｋｉ，Ｒ．Ｙｏｓｈｉｋａｗａ，
Ｔ．Ｔａｋｉｇａｗａ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ
ｎｏｌ．Ｂ９（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ １９９１ ｐ．
３０５９〜３０６２参照）。
ターン（矩形）を、反転パターンの重心位置に発生させ
る（代表図形パターンの発生）。 第４段階 主パターン（Ａ）を露光する。 第５段階 主パターンの密度に応じた露光量で、補助パターンをぼ
かしたビームを用いて露光する（Ｔ．Ａｂｅ，Ｓ．Ｙａ
ｍａｓａｋｉ，Ｔ．Ｔａｋｉｇａｗａ，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｂ３，Ｌ５２８（１９９１），Ｔ．
Ａｂｅ，Ｓ．Ｙａｍａｓａｋｉ，Ｔ．Ｙａｍａｇｕｃｈ
ｉ，Ｒ．Ｙｏｓｈｉｋａｗａ，Ｔ．Ｔａｋｉｇａｗａ，
Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．掲載予定，Ｔ．Ａｂ
ｅ，Ｓ．Ｙａｍａｓａｋｉ，Ｒ．Ｙｏｓｈｉｋａｗａ，
Ｔ．Ｔａｋｉｇａｗａ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ
ｎｏｌ．Ｂ９（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ １９９１ ｐ．
３０５９〜３０６２参照）。
【００１７】この露光法によると、補助パターンを矩形
パターンによって代表させるため補助パターンマスクの
形成が容易になる利点を有しているが、露光ショット数
が多いという不利な点を有している。
パターンによって代表させるため補助パターンマスクの
形成が容易になる利点を有しているが、露光ショット数
が多いという不利な点を有している。
【００１８】ところが、規則的に繰り返すパターンから
構成されている主パターンにおいては、その領域内で
は、後方散乱による近接効果の影響は飽和して均一化し
ており、近接効果の補正が必要なのは領域の周辺部のみ
であることを利用した第三の露光法が提案された。
構成されている主パターンにおいては、その領域内で
は、後方散乱による近接効果の影響は飽和して均一化し
ており、近接効果の補正が必要なのは領域の周辺部のみ
であることを利用した第三の露光法が提案された。
【００１９】図５（Ｃ）は、主パターン（ａ）、特に規
則的に繰り返すパターンから構成されている主パターン
の周辺を焦点を外してぼかした補助パターン（ｂ）によ
って露光する第三の露光法を示している。この露光法に
よると、補助パターンのマスクの形成が容易であり、露
光が１ショットで行なえる利点を有している。
則的に繰り返すパターンから構成されている主パターン
の周辺を焦点を外してぼかした補助パターン（ｂ）によ
って露光する第三の露光法を示している。この露光法に
よると、補助パターンのマスクの形成が容易であり、露
光が１ショットで行なえる利点を有している。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第三の
露光法においては、可変矩形ビーム露光法によって適当
な大きさの矩形状の電子ビーム等の荷電粒子線を形成
し、これを繰り返し位置をずらして照射することによっ
て主パターンを取り囲む枠状の補助パターンを完成する
方法を採用するため、この近接効果補正法をブロック露
光法に適した場合、ブロック露光法の最大の利点である
描画の高速性を減殺することになる。
露光法においては、可変矩形ビーム露光法によって適当
な大きさの矩形状の電子ビーム等の荷電粒子線を形成
し、これを繰り返し位置をずらして照射することによっ
て主パターンを取り囲む枠状の補助パターンを完成する
方法を採用するため、この近接効果補正法をブロック露
光法に適した場合、ブロック露光法の最大の利点である
描画の高速性を減殺することになる。
【００２１】本発明は、焦点を外してぼかした荷電粒子
線によって主パターンを取り囲む補助パターンの露光を
行う近接効果補正法をより効率化することを目的とす
る。
線によって主パターンを取り囲む補助パターンの露光を
行う近接効果補正法をより効率化することを目的とす
る。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる、現像後
に実パターンとして残る主パターンの露光と、現像後に
実パターンとしては残らない該主パターンを取り囲む補
助パターンの露光によって近接効果を補正する荷電粒子
線露光法においては、該主パターンをブロック露光法ま
たは可変矩形ビーム露光法を用いて露光し、該補助パタ
ーンをブロックパターン化し、ぼかしたビームによって
露光する。
に実パターンとして残る主パターンの露光と、現像後に
実パターンとしては残らない該主パターンを取り囲む補
助パターンの露光によって近接効果を補正する荷電粒子
線露光法においては、該主パターンをブロック露光法ま
たは可変矩形ビーム露光法を用いて露光し、該補助パタ
ーンをブロックパターン化し、ぼかしたビームによって
露光する。
【００２３】また本発明にかかる、現像後に実パターン
として残る主パターンの露光と、現像後に実パターンと
しては残らない該主パターンを取り囲む補助パターンの
露光によって近接効果を補正する荷電粒子線露光装置に
おいては、ブロック露光法または可変矩形ビーム露光法
による主パターン露光手段と、適宜の数の支持部を残し
た閉ループ状の開口を有するブロックマスクを用い、荷
電粒子線のレンズの焦点を外してビームをぼかす補助パ
ターン露光手段を具えている。
として残る主パターンの露光と、現像後に実パターンと
しては残らない該主パターンを取り囲む補助パターンの
露光によって近接効果を補正する荷電粒子線露光装置に
おいては、ブロック露光法または可変矩形ビーム露光法
による主パターン露光手段と、適宜の数の支持部を残し
た閉ループ状の開口を有するブロックマスクを用い、荷
電粒子線のレンズの焦点を外してビームをぼかす補助パ
ターン露光手段を具えている。
【００２４】
【作用】図１（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の荷電粒子線露
光法の原理説明図である。この図において、１は主パタ
ーン、２は補助パターン、３は開口、４は支持部、５は
ぼかした補助パターンである。
光法の原理説明図である。この図において、１は主パタ
ーン、２は補助パターン、３は開口、４は支持部、５は
ぼかした補助パターンである。
【００２５】図１（Ａ）は、主パターン１を取り囲んだ
補助パターン２の位置関係を示している。主パターン１
が規則的なパターンによって構成されている場合には、
この主パターン１の内部では、荷電粒子線の後方散乱に
よる近接効果は飽和して均一化するから、補助パターン
２に示すように、主パターン１を取り囲む周囲のみに補
助露光すれば近接効果を有効に低減することができる。
この補助露光量は、主パターンの露光量に応じて決定さ
れる。
補助パターン２の位置関係を示している。主パターン１
が規則的なパターンによって構成されている場合には、
この主パターン１の内部では、荷電粒子線の後方散乱に
よる近接効果は飽和して均一化するから、補助パターン
２に示すように、主パターン１を取り囲む周囲のみに補
助露光すれば近接効果を有効に低減することができる。
この補助露光量は、主パターンの露光量に応じて決定さ
れる。
【００２６】図１（Ｂ）は、補助パターンを形成するた
めのステンシルマスク上の開口３を示している。この補
助パターンの形状は、原理的には主パターン１を取り囲
む閉ループ状であるから、これを板状体の開口３によっ
て形成するためには、閉ループ状の開口３によって囲ま
れる内部の板状体を支えるために、適宜の数の支持部４
を残す必要がある。
めのステンシルマスク上の開口３を示している。この補
助パターンの形状は、原理的には主パターン１を取り囲
む閉ループ状であるから、これを板状体の開口３によっ
て形成するためには、閉ループ状の開口３によって囲ま
れる内部の板状体を支えるために、適宜の数の支持部４
を残す必要がある。
【００２７】図１（Ｃ）は、電子レンズの焦点を外して
ぼかしたレジスト上のぼかした補助パターン５の形状を
示している。支持部４を有するステンシル上の開口を透
過する荷電粒子線は、支持部４によって遮蔽されるが、
この荷電粒子線は電子レンズの焦点を外すことによって
ぼかされ、レジスト上では大きく広がるため、レジスト
上にはこの支持部４の陰は生じない。ブロックパターン
に、このぼかした補助パターン５を重ねて露光すること
により１ショットで近接効果の補正を行うことができ
る。
ぼかしたレジスト上のぼかした補助パターン５の形状を
示している。支持部４を有するステンシル上の開口を透
過する荷電粒子線は、支持部４によって遮蔽されるが、
この荷電粒子線は電子レンズの焦点を外すことによって
ぼかされ、レジスト上では大きく広がるため、レジスト
上にはこの支持部４の陰は生じない。ブロックパターン
に、このぼかした補助パターン５を重ねて露光すること
により１ショットで近接効果の補正を行うことができ
る。
【００２８】
【実施例】以下に、本発明の実施例を説明する。図２
は、本発明の一実施例の荷電粒子線露光装置の構成説明
図である。この図において、１１は電子銃、１２は電子
ビームの軌道、１３は矩形開口を有する第１のマスク
板、１４はブロック選択偏向器、１５はステンシルマス
ク、１６は主パターン開口、１７は補助パターン開口、
１８は最終レンズ、１９は補助パターン、２０はレジス
トを塗布されたウェハである。
は、本発明の一実施例の荷電粒子線露光装置の構成説明
図である。この図において、１１は電子銃、１２は電子
ビームの軌道、１３は矩形開口を有する第１のマスク
板、１４はブロック選択偏向器、１５はステンシルマス
ク、１６は主パターン開口、１７は補助パターン開口、
１８は最終レンズ、１９は補助パターン、２０はレジス
トを塗布されたウェハである。
【００２９】この実施例の荷電粒子線露光装置において
は、電子銃１１から放射された電子ビームは、電子ビー
ムの軌道１２に示されるように、矩形開口を有する第１
のマスク板１３に照射され、この矩形開口を透過した電
子ビームはこの矩形開口の形状に成形され、ブロック選
択偏向器１４によってステンシルマスク１５に形成され
た主パターン開口１６に偏向され、この主パターン開口
１６を透過した電子ビームはレジストを塗布されたウェ
ハ２０上に主パターンを形成してレジストを露光する
（この主パターンは図示されていない）。
は、電子銃１１から放射された電子ビームは、電子ビー
ムの軌道１２に示されるように、矩形開口を有する第１
のマスク板１３に照射され、この矩形開口を透過した電
子ビームはこの矩形開口の形状に成形され、ブロック選
択偏向器１４によってステンシルマスク１５に形成され
た主パターン開口１６に偏向され、この主パターン開口
１６を透過した電子ビームはレジストを塗布されたウェ
ハ２０上に主パターンを形成してレジストを露光する
（この主パターンは図示されていない）。
【００３０】次いで、電子ビームは、図１（Ｂ）に示さ
れた形状の補助パターン開口１７に偏向されて、先にレ
ジストを露光した主パターンを取り囲むようにウェハ２
０上のレジストを照射するが、この補助パターンの露光
に際しては、最終レンズ１８の焦点が外されぼかした補
助パターン１９（詳細は図１（Ｃ）参照）として露光さ
れる。
れた形状の補助パターン開口１７に偏向されて、先にレ
ジストを露光した主パターンを取り囲むようにウェハ２
０上のレジストを照射するが、この補助パターンの露光
に際しては、最終レンズ１８の焦点が外されぼかした補
助パターン１９（詳細は図１（Ｃ）参照）として露光さ
れる。
【００３１】この実施例によると、補助パターンの露光
を１ショットで行うことができるため露光に要する時間
を著しく短縮することができる。
を１ショットで行うことができるため露光に要する時間
を著しく短縮することができる。
【００３２】上記の実施例においては、主パターンの露
光をブロック露光法によって露光するものとして説明し
たが、これを可変矩形ビーム露光法によって露光して
も、第１実施例と同様の効果を奏する。この場合は、矩
形開口を有する第１のマスク板１３の他に矩形開口を有
する第２のマスク板を用い、その平面内の相対的位置関
係を調節して、両マスク板の矩形開口が重なる形状の電
子ビームを形成することによって目的とする主パターン
を形成する。
光をブロック露光法によって露光するものとして説明し
たが、これを可変矩形ビーム露光法によって露光して
も、第１実施例と同様の効果を奏する。この場合は、矩
形開口を有する第１のマスク板１３の他に矩形開口を有
する第２のマスク板を用い、その平面内の相対的位置関
係を調節して、両マスク板の矩形開口が重なる形状の電
子ビームを形成することによって目的とする主パターン
を形成する。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
微細なパターンを形成できる荷電粒子線露光法における
近接効果を、短時間で容易に低減することができ、超微
細構造の半導体集積回路装置の製造技術分野等において
寄与するところが大きい。
微細なパターンを形成できる荷電粒子線露光法における
近接効果を、短時間で容易に低減することができ、超微
細構造の半導体集積回路装置の製造技術分野等において
寄与するところが大きい。
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の荷電粒子線露光法の
原理説明図である。
原理説明図である。
【図２】本発明の一実施例の荷電粒子線露光装置の構成
説明図である。
説明図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は従来のブロック露光法の説明
図である。
図である。
【図４】（Ａ），（Ｂ）は近接効果と従来の近接効果補
正法の説明図である。
正法の説明図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は補助パターン露光による近接
効果補正法の説明図である。
効果補正法の説明図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）はファントム露光法の概要説明
図である。
図である。
１ 主パターン ２ 補助パターン ３ 開口 ４ 支持部 ５ ぼかした補助パターン
Claims (5)
- 【請求項１】 現像後に実パターンとして残る主パター
ンの露光と、現像後に実パターンとしては残らない該主
パターンを取り囲む補助パターンの露光によって近接効
果を補正する荷電粒子線露光法において、 該主パターンをブロック露光法を用いて露光し、該補助
パターンをブロックパターン化し、ぼかしたビームによ
って露光することを特徴とする荷電粒子線露光法。 - 【請求項２】 現像後に実パターンとして残る主パター
ンの露光と、現像後に実パターンとしては残らない該主
パターンを取り囲む補助パターンの露光によって近接効
果を補正する荷電粒子線露光法において、 該主パターンを可変矩形ビーム露光法を用いて露光し、
該補助パターンをブロックパターン化し、ぼかしたビー
ムによって露光することを特徴とする荷電粒子線露光
法。 - 【請求項３】 主パターンがＤＲＡＭのセル領域のよう
に繰り返しパターンによって構成されていることを特徴
とする請求項１または請求項２に記載の荷電粒子線露光
法。 - 【請求項４】 現像後に実パターンとして残る主パター
ンの露光と、現像後に実パターンとしては残らない該主
パターンを取り囲む補助パターンの露光によって近接効
果を補正する荷電粒子線露光装置において、 ブロック露光法による主パターン露光手段と、適宜の数
の支持部を残した閉ループ状の開口を有するブロックマ
スクを用い、荷電粒子線のレンズの焦点を外してビーム
をぼかす補助パターン露光手段を具えることを特徴とす
る荷電粒子線露光装置。 - 【請求項５】 現像後に実パターンとして残る主パター
ンの露光と、現像後に実パターンとしては残らない該主
パターンを取り囲む補助パターンの露光によって近接効
果を補正する荷電粒子線露光装置において、 可変矩形ビーム露光法による主パターン露光手段と、適
宜の数の支持部を残した閉ループ状の開口を有するブロ
ックマスクを用い、荷電粒子線のレンズの焦点を外して
ビームをぼかす補助パターン露光手段を具えることを特
徴とする荷電粒子線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13649492A JPH05335221A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 荷電粒子線露光法および露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13649492A JPH05335221A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 荷電粒子線露光法および露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335221A true JPH05335221A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15176478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13649492A Withdrawn JPH05335221A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 荷電粒子線露光法および露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335221A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-05-28 JP JP13649492A patent/JPH05335221A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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