JP2849184B2 - 荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［概要］ LSI製造工程において使用される電子ビーム露光装置
等、荷電粒子ビーム露光装置に関し、 ワンショットで形成できるパターンの種類を増加し、
スループットの向上を図ることができるようにすること
を目的とし、 光軸上に、荷電粒子ビーム発生源側から順に、１個の
透過パターンを形成してなる第１のマスク板及び複数の
透過パターンを形成してなる第２、第３・・・第ｎのマ
スク板を配置し、前記荷電粒子ビーム発生源から発生す
る荷電粒子ビームを偏向し、前記第１、第２・・・第ｎ
のマスク板の透過パターンの種々の重ね合わせを実現す
ることにより、前記荷電粒子ビームを所望の形状に整形
するように構成される荷電粒子ビーム露光装置におい
て、前記第２、第３・・・第ｎのマスク板の少なくとも
１個の透過パターンは、繰り返しパターンの両端に非繰
り返しパターンを有してなるパターンを露光するために
設け、前記第２、第３・・・第ｎのマスク板の１個は、
前記繰り返しパターンの両端に非繰り返しパターンを有
してなるパターンを露光するための透過パターンとし
て、前記繰り返しパターンの基本パターンに対応する透
過パターンの両端に、前記非繰り返しパターンに対応す
る透過パターンを形成した部分を含めて構成する。

［産業上の利用分野］ 本発明は、LSI製造工程において使用される電子ビー
ム露光装置及び露光方法などの荷電粒子ビーム露光装置
及び露光方法に関する。

［従来の技術］ 従来、電子ビーム露光装置として第25図にその概念図
を示すようなものが提案されている。

図中、１は電子銃、２は電子ビーム、３、４、５はマ
スク板、６、７は静電偏向器、８は電磁偏向器、９はウ
エハであり、マスク板３、４、５には、それぞれ正方形
の透過パターン（スリット）3A、4A、5Aが形成されてい
る。但し、透過パターン3Aと4Aとは、その対角線が一致
し、透過パターン5Aは、その対角線が透過パターン3A、
4Aと45゜の傾きを持つように形成されている。

かかる電子ビーム露光装置は、電子ビーム２を偏向す
ることにより、透過パターン3A、4A、5Aの重ね合わせを
実現し、電子ビーム２の断面を整形するというものであ
る。なお、この第25図では、電子ビーム２を、先ず透過
パターン3Aにより正方形に形成し、次に、透過パターン
4Aにより長方形に形成し、最後に、透過パターン5Aによ
り台形に整形している例を示している。

かかる電子ビーム露光装置によれば、可変矩形以外に
も、可変台形や可変三角形を形成することができるの
で、いわゆるポイントビーム方式の電子ビーム露光装置
よりも高いスループットを得ることができるという利点
を有している。

しかしながら、かかる電子ビーム露光装置は、DRAMや
SRAM等の半導体メモリのように、ある基本パターンを繰
り返してなる、いわゆる繰り返しパターンを持つものの
製造に使用する場合には、繰り返しパターンを形成する
につき、その基本パターンを１回で露光することができ
ず、矩形や三角形を繰り返して露光することにより基本
パターンを形成し、以後、この操作を連続して行う必要
があり、必ずしも、高いスループットを得ることができ
ないという問題点があった。

そこでまた、従来、第26図にその概念図を示すような
電子ビーム露光装置が提案されている。

図中、11は電子銃、12は電子ビーム、13はマスク板
（矩形整形アパチャー）、14は電磁レンズ、15は後述す
るブロックパターンを選択するためのブロックパターン
選択用偏向器、16はブロックマスク（ステンシルマス
ク）、17は縮小レンズ系、18はウエハであり、ブロック
マスク16は、基板19に種々の透過パターン、いわゆるブ
ロックパターン（マスクパターンとも称される）20を形
成して構成されている。なお、第27図はブロックパター
ン20の一例の平面図である。

かかる電子ビーム露光装置は、繰り返して使用する頻
度の高い基本パターンを予めブロックマスク16にブロッ
クパターン20として形成しておくことにより、繰り返し
パターンの基本パターンを１回の露光で行えるように
し、スループットの向上を図ろうとするものである。確
かに、かかる電子ビーム露光装置によれば、繰り返しパ
ターンを形成する必要があるものに対する露光を行う場
合には、スループットの向上を図ることができる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、ブロックマスク16に形成することがで
きるブロックパターン20の数にはおのずから限界があ
り、また、ブロックマスク16の大きさにも限界があるこ
とから、第26図従来例のように、光軸上にブロックマス
ク16を１個のみ配置して構成される電子ビーム露光装置
においては、ワンショットで形成できるパターンとし
て、現在以上の数のパターンが求められているにも拘ら
ず、これに応えることができないという問題点があっ
た。

なお、この場合、複数のブロックマスクを用意し、こ
れを差し替えるようにすることによって、ワンショット
で形成できるパターンの種類を増加する方法がある。し
かし、このようにする場合には、ブロックマスクの差し
替えに時間がかかり、かえって、スループットの低下を
招いてしまうという問題点があった。

本発明は、かかる点に鑑み、ワンショットで形成でき
るパターンの種類を増加し、スループットの向上を図る
ことができるようにした荷電粒子ビーム露光装置及び露
光方法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明による荷電粒子ビーム露光装置は、光軸上に、
荷電粒子ビーム発生源側から順に、１個の透過パターン
を形成してなる第１のマスク板及び複数の透過パターン
を形成してなる第２、第３・・・第ｎのマスク板（但
し、ｎ＝３以上の整数）を配置し、前記荷電粒子ビーム
発生源から発生する荷電粒子ビームを偏向し、前記第
１、第２・・・第ｎのマスク板の透過パターンの種々の
重ね合わせを実現することにより、前記荷電粒子ビーム
を所望の形状に整形するように構成される荷電粒子ビー
ム露光装置において、第２、第３・・・第ｎのマスク板
の少なくとも１個の透過パターンは、繰り返しパターン
の両端に非繰り返しパターンを有してなるパターンを露
光するために設け、第２、第３・・・第ｎのマスク板の
１個は、繰り返しパターンの両端に非繰り返しパターン
を有してなるパターンを露光するための透過パターンと
して、繰り返しパターンの基本パターンに対応する透過
パターンの両端に、非繰り返しパターンに対応する透過
パターンを形成した部分を含むように構成するというも
のである。

本発明による荷電粒子ビーム露光方法は、光軸上に、
荷電粒子ビーム発生源側から順に、１個の透過パターン
を形成してなる第１のマスク板及び複数の透過パターン
を形成してなる第２、第３・・・第ｎのマスク板（但
し、ｎ＝３以上の整数）を配置し、荷電粒子ビーム発生
源から発生する荷電粒子ビームを偏向し、第１、第２・
・・第ｎのマスク板の透過パターンの種々の重ね合わせ
を実現することにより、荷電粒子ビームを所望の形状に
整形するようになされている荷電粒子ビーム露光装置を
使用した荷電粒子ビーム露光方法において、第２、第３
・・・第ｎのマスク板として、第２、第３・・・第ｎの
マスク板の少なくとも１個の透過パターンは、繰り返し
パターンの両端に非繰り返しパターンを有してなるパタ
ーンを露光するために設けられており、第２、第３・・
・第ｎのマスク板の１個は、繰り返しパターンの両端に
非繰り返しパターンを有してなるパターンを露光するた
めの透過パターンとして、繰り返しパターンの基本パタ
ーンに対応する透過パターンの両端に、非繰り返しパタ
ーンに対応する透過パターンを形成した部分を含んで構
成されているものを使用して、繰り返しパターンの両端
に非繰り返しパターンを有してなるパターンを描画する
というものである。

［作用］ 本発明による荷電粒子ビーム露光装置においては、第
２、第３・・第ｎのマスク板の少なくとも１個の透過パ
ターンは、繰り返しパターンの両端に非繰り返しパター
ンを有してなるパターンを露光するために設け、第２、
第３・・・第ｎのマスク板の１個は、繰り返しパターン
の両端に非繰り返しパターンを有してなるパターンを露
光するための透過パターンとして、繰り返しパターンの
基本パターンに対応する透過パターンの両端に、非繰り
返しパターンに対応する透過パターンを形成した部分を
含むように構成するとしたことにより、必要なパターン
の効率的な圧縮を行うことができ、その分、マスク板に
他の形状の透過パターンを余分に形成することができる
ので、ワンショットで形成できるパターンの種類の増加
を図ることができる。

本発明による荷電粒子ビーム露光方法においては、第
２、第３・・・第ｎのマスク板として、第２、第３・・
・第ｎのマスク板の少なくとも１個の透過パターンは、
繰り返しパターンの両端に非繰り返しパターンを有して
なるパターンを露光するために設け、第２、第３・・・
第ｎのマスク板の１個は、繰り返しパターンの両端に非
繰り返しパターンを有してなるパターンを露光するため
の透過パターンとして、繰り返しパターンの基本パター
ンに対応する透過パターンの両端に、非繰り返しパター
ンに対応する透過パターンを形成した部分を含んで構成
されているものを使用して、繰り返しパターンの両端に
非繰り返しパターンを有してなるパターンを描画すると
したことにより、必要なパターンの効率的な圧縮を行う
ことができ、その分、マスク板に他の形状の透過パター
ンを余分に形成することができるので、ワンショットで
形成できるパターンの種類の増加を図ることができる。

［実施例］ 以下、第１図〜第24図を参照して、本発明の一実施例
につき、本発明を電子ビーム露光装置及び露光方法に適
用した場合を例にして説明する。

第１図は本発明による荷電粒子ビーム露光装置の一実
施例の要部を示す概念図である。

ここに、図中、21は電子ビーム発生源である電子銃で
あり、この電子銃21は、カソード電極22、グリッド電極
23、アノード電極24を設けて構成されている。

また、25は電子ビーム、26は電子ビーム25を矩形に整
形する矩形整形アパーチャ（第１のマスク板）であっ
て、その中央部に矩形の透過パターン26Aが形成されて
いる。

また、27は矩形整形された電子ビーム25を収束する電
磁レンズ、28は可変矩形整形用の偏向器、29は電子ビー
ム25を平行ビーム化する電磁レンズである。

また、30は第１のブロックマスク（第２のマスク
板）、31は第２のブロックマスク（第３のマスク板）、
32はマスク移動機構であり、これら第１、第２のブロッ
クマスク30、31はマスク移動機構によって水平方向に移
動可能にされている。これら第１、第２のブロックマス
ク30、31は、第２図に示すように、基板33上にエリアと
呼ばれる領域34を設けると共に、このエリア34に、第２
図、第３図に示すようにブロックと呼ばれる領域35を設
け、このブロック35に所望の透過パターン、いわゆるブ
ロックパターン36を形成して構成されている。ここに、
エリア34は、電子ビーム25を偏向できる領域であり、し
たがって、第１、第２のブロックマスク30、31における
エリア34の選択は、マスク移動機構32による第１、第２
のブロックマスク30、31の移動により行われる。

また、37、38は電子ビーム25を偏向して第１のブロッ
クマスク30のブロックパターン36を選択するための偏向
器、39、40は第１のブロックマスク30のブロックパター
ン36を通過した電子ビーム25を偏向して第２のブロック
マスク31のブロックパターン36を選択するための偏向
器、41、42は第２のブロックマスク31のブロックパター
ン36を通過した電子ビーム25の位置を光軸に戻すための
偏向器である。

また、43は電磁レンズ29により平行ビーム化された電
子ビーム25を収束する電磁レンズ、44は電子ビーム25の
遮断、通過を制御するブランキング電極、45は縮小レン
ズ、46は絞りアパーチャ、47、48は投影レンズ、49は電
磁偏向器からなるメインデフレクタ、50は静電偏向器か
らなるサブデフレクタ、51は試料であるウエハ、52はウ
エハステージである。

かかる本実施例は、偏向器37、38、39、40による電子
ビーム25の偏向を通して、矩形整形アパーチャ26の矩形
スリットと、第１のブロックマスク30のブロックパター
ン36と、第２のブロックマスク31のブロックパターン36
との重ね合わせを実現することにより、電子ビーム25を
所望のパターンに整形しようとするものである。

ここに、第４図は、いわゆるメモリパターンの一例の
一部を示す平面図であり、図中、53はメモリセル部、54
はメモリセル部53と53との間を接続する接続部、55はメ
モリセル部53とセル周辺パターン部とを接続する接続部
である。なお、メモリパターンには、この第４図で示す
パターンと左右対称、上下対称のパターンが存在するの
が一般的である。

ところで、第４図に示すパターンは、例えば、第５図
に破線で示すように、６個のパターン56〜61に分割する
ことができる。なお、62は繰り返しパターンである部分
を示している。そこで、本実施例においては、第１のブ
ロックマスク30には、第６図〜第９図に示すようなブロ
ックパターン63〜66を形成すると共に、第２のブロック
マスク31には、第10図、第11図に示すようなブロックパ
ターン67、68を形成する。

ここに、ブロックパターン67は、その一部に第５図に
示すパターン中、パターン56、57、58に対応する透過パ
ターン56A、57A、58Aのみならず、透過パターン57Aと上
下対称の関係にある透過パターン57Cと、透過パターン5
8Aと上下対称の関係にある透過パターン58Cとを形成し
て構成されている。

また、ブロックパターン68は、その一部に、第５図に
示すパターン中、パターン59、60、61に対応する透過パ
ターン59A、60A、61Aのみならず、透過パターン59Aと左
右対称の関係にある透過パターン59Bと、透過パターン6
0Aと左右対称の関係にある透過パターン60Bと、透過パ
ターン61Aと左右対称の関係にある透過パターン61Bと、
透過パターン61Aと上下対称の関係にある透過パターン6
1Cと、透過パターン61Aと回転対称の関係にある透過パ
ターン61Dとを形成して構成されている。

ここに、第５図に示すメモリパターン中、６個のパタ
ーン56〜61等を形成する場合につき説明する。

まず、パターン56は、電子ビーム25を偏向して、矩形
整形アパチャー26の透過パターン26A（第１図参照）
と、第１のブロックマスク30のブロックパターン63（第
６図参照）と、第２のブロックマスク31のブロックパタ
ーン67（第10図参照）とを、第12図に示すように重ね合
わせることによって形成することができる。

また、パターン57は、電子ビーム25を偏向して、矩形
整形アパチャー26の透過パターン26A（第１図参照）
と、第１のブロックマスク30のブロックパターン63（第
６図参照）と、第２のブロックマスク31のブロックパタ
ーン67（第10図参照）とを、第13図に示すように重ね合
わせることにより形成することができる。

また、パターン58は、電子ビーム25を偏向して、矩形
整形アパチャー26の透過パターン26A（第１図参照）
と、第１のブロックマスク30のブロックパターン63（第
６図参照）と、第２のブロックマスク31のブロックパタ
ーン67（第10図参照）とを、第14図に示すように重ね合
わせることにより形成することができる。

また、パターン59は、電子ビーム25を偏向して、矩形
整形アパチャー26の透過パターン26A（第１図参照）
と、第１のブロックマスク30のブロックパターン64（第
７図参照）と、第２のブロックマスク31のブロックパタ
ーン68（第11図参照）とを、第15図に示すように重ね合
わせることにより形成することができる。

また、パターン60は、電子ビーム25を偏向して、矩形
整形アパチャー26の透過パターン26A（第１図参照）
と、第１のブロックマスク30とブロックパターン65（第
８図参照）と、68（第11図参照）とを、第16図に示すよ
うに重ね合わせることにより形成することができる。

また、パターン61は、電子ビーム25を偏向して、矩形
整形アパチャー26の透過パターン26A（第１図参照）
と、第１のブロックマスク30のブロックパターン66（第
９図参照）と、第２のブロックマスク31のブロックパタ
ーン68（第11図参照）とを、第17図に示すように重ね合
わせることにより形成することができる。

また、パターン57と上下対称の関係にあるパターン
は、電子ビーム25を偏向して、矩形整形アパチャー26の
透過パターン26A（第１図参照）と、第１のブロックマ
スク30のブロックパターン63（第６図参照）と、第２の
ブロックマスク31のブロックパターン67（第10図参照）
とを、第18図に示すように重ね合わせることにより形成
することができる。

また、パターン58と上下対称の関係にあるパターン
は、電子ビーム25を偏向して、矩形整形アパチャー26の
透過パターン26A（第１図参照）と、第１のブロックマ
スク30のブロックパターン63（第６図参照）と、第２の
ブロックマスク31のブロックパターン67（第10図参照）
とを、第19図に示すような重ね合わせることにより形成
することができる。

また、パターン59と左右対称の関係にあるパターン
は、電子ビーム25を偏向して、矩形整形アパチャー26の
透過パターン26A（第１図参照）と、第１のブロックマ
スク30のブロックパターン64（第７図参照）と、第２の
ブロックマスク31のブロックパターン68（第11図参照）
とを、第20図に示すように重ね合わせることにより形成
することができる。

また、パターン60と左右対称の関係にあるパターン
は、電子ビーム25を偏向して、矩形整形アパチャー26の
透過パターン26A（第１図参照）と、第１のブロックマ
スク30のブロックパターン65（第８図参照）と、第２の
ブロックマスク31のブロックパターン68（第11図参照）
とを、第21図に示すように重ね合わせることにより形成
することができる。

また、パターン61と左右対称の関係にあるパターン
は、電子ビーム25を偏向して、矩形整形アパチャー26の
透過パターン26A（第１図参照）と、第１のブロックマ
スク30のブロックパターン66（第９図参照）と、第２の
ブロックマスク31のブロックパターン68（第11図参照）
とを、第22図に示すように重ね合わせることにより形成
することができる。

また、パターン61と上下対称の関係にあるパターン
は、電子ビーム25を偏向して、矩形整形アパチャー26の
透過パターン26A（第１図参照）と、第１のブロックマ
スク30のブロックパターン66（第９図参照）と、第２の
ブロックマスク31のブロックパターン68（第11図参照）
とを、第23図に示すように重ね合わせることにより形成
することができる。

また、パターン61と回転対称の関係にあるパターン
は、電子ビーム25を偏向して、矩形整形アパチャー26の
透過パターン26A（第１図参照）と、第１のブロックマ
スク30のブロックパターン66（第９図参照）と、第２の
ブロックマスク31のブロックパターン68の（第11図参
照）とを、第24図に示すように重ね合わせることにより
形成することができる。

このように、本実施例においては、電子ビーム25を３
種類のサイズの矩形に整形してブロックパターン67に部
分的に照射し、パターン56、57、59を形成する場合に、
電子ビーム25の３種類のサイズの矩形への整形を矩形整
形アパチャー26とブロックパターン63との重ね合わせで
行うことができ、かかる３種類のサイズの矩形のブロッ
クパターンを形成しておく必要がない。

また、本実施例においては、ブロックパターン67（第
10図参照）は、第５図例における繰り返しパターン62を
構成する基本パターン56に対応するパターン56Aの両端
に非繰り返しパターン57、58に対応するパターン57A、5
8Aを形成して構成されているので、これらのパターン57
A、58Aを別個独立に形成しておく必要がない。

また、このブロックパターン67は、パターン57A、58A
の部分につき、上下対称の関係にあるパターン57C、58C
を形成して構成されているので、これらのパターン57
C、58Cを別個、独立に形成しておく必要がない。

また、ブロックパターン68（第11図参照）は、パター
ン59A、60Aの部分につき、左右対称の関係にあるパター
ン59B、60Bを形成しているので、これらのパターン59
B、60Bを別個、独立に形成する必要がない。また、パタ
ーン61Aの部分につき、左右対称の関係にあるパターン6
1B、上下対称の関係にあるパターン61C、回転対称の関
係にあるパターン61Dの部分を有して形成されているの
で、これらのパターン61B、61C、61Dを別個、独立に形
成しておく必要がない。

以上のように、本実施例によれば、電子ビーム25を可
変矩形に整形し、これを第２のブロックパターンに部分
的に照射できるようにされており、また、ブロックパタ
ーンの効率的な圧縮も行われているので、第２のブロッ
クマスク31に他の形状の透過パターンを余分に形成する
ことができるようにされている。したがって、ワンショ
ットで形成できるパターンの種類を増加し、スループッ
トの向上を図ることができる。

［発明の効果］ 本発明による荷電粒子ビーム露光装置によれば、第
２、第３・・・第ｎのマスク板の少なくとも１個の透過
パターンは、繰り返しパターンの両端に非繰り返しパタ
ーンを有してなるパターンを露光するために設け、第
２、第３・・・第ｎのマスク板の１個は、繰り返しパタ
ーンの両端に非繰り返しパターンを有してなるパターン
を露光するための透過パターンとして、繰り返しパター
ンの基本パターンに対応する透過パターンの両端に、非
繰り返しパターンに対応する透過パターンを形成した部
分を含むように構成し、必要なパターンの圧縮を効率的
に行うようにしており、その分、マスク板に他の形状の
透過パターンを余分に形成することができるようにされ
ているので、ワンショットで形成できるパターンの種類
の増加を図りスループットの向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による荷電粒子ビーム露光装置の一実施
例の要部を示す概念図、 第２図はブロックマスクの平面図、 第３図はブロックマスクの１つのエリアを示す平面図、 第４図はメモリパターンの一例の一部を示す平面図、 第５図はメモリパターンの一例の一部を６個のパターン
に分割した例を示す図、 第６図〜第９図は第１のブロックマスクに形成すべきブ
ロックパターンの例を示す平面図、 第10図、第11図は第２のブロックマスクに形成すべきブ
ロックパターンの例を示す平面図、 第12図〜第24図はメモリパターンの一例の一部を構成す
るパターンを形成する方法を示す図、 第25図は従来の電子ビーム露光装置の一例の要部を示す
概念図、 第26図は従来の電子ビーム露光装置の他の例の要部を示
す概念図、 第27図は第26図例で使用されているブロックマスクに形
成されているブロックパターンの一例を示す平面図であ
る。 26……矩形整形アパーチャ（第１のマスク板） 30……第１のブロックマスク（第２のマスク板） 31……第２のブロックマスク（第３のマスク板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−57764（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−260322（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−114513（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−114221（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光軸上に、荷電粒子ビーム発生源側から順
   に、１個の透過パターンを形成してなる第１のマスク板
   及び複数の透過パターンを形成してなる第２、第３・・
   ・第ｎのマスク板（但し、ｎ＝３以上の整数）を配置
   し、 前記荷電粒子ビーム発生源から発生する荷電粒子ビーム
   を偏向し、前記第１、第２・・・第ｎのマスク板の透過
   パターンの種々の重ね合わせを実現することにより、前
   記荷電粒子ビームを所望の形状に整形するようになされ
   ている荷電粒子ビーム露光装置において、 前記第２、第３・・・第ｎのマスク板の少なくとも１個
   の透過パターンは、繰り返しパターンの両端に非繰り返
   しパターンを有してなるパターンを露光するために設け
   られており、 前記第２、第３・・・第ｎのマスク板の１個は、前記繰
   り返しパターンの両端に非繰り返しパターンを有してな
   るパターンを露光するための透過パターンとして、前記
   繰り返しパターンの基本パターンに対応する透過パター
   ンの両端に、前記非繰り返しパターンに対応する透過パ
   ターンを形成した部分を含んで構成されていることを特
   徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
2. 【請求項２】光軸上に、荷電粒子ビーム発生源側から順
   に、１個の透過パターンを形成してなる第１のマスク板
   及び複数の透過パターンを形成してなる第２、第３・・
   ・第ｎのマスク板（但し、ｎ＝３以上の整数）を配置
   し、 前記荷電粒子ビーム発生源から発生する荷電粒子ビーム
   を偏向し、前記第１、第２・・・第ｎのマスク板の透過
   パターンの種々の重ね合わせを実現することにより、前
   記荷電粒子ビームを所望の形状に整形するようになされ
   ている荷電粒子ビーム露光装置を使用した荷電粒子ビー
   ム露光方法において、 前記第２、第３・・・第ｎのマスク板として、前記第
   ２、第３・・・第ｎのマスク板の少なくとも１個の透過
   パターンは、繰り返しパターンの両端に非繰り返しパタ
   ーンを有してなるパターンを露光するために設けられて
   おり、前記第２、第３・・・第ｎのマスク板の１個は、
   前記繰り返しパターンの両端に非繰り返しパターンを有
   してなるパターンを露光するための透過パターンとし
   て、前記繰り返しパターンの基本パターンに対応する透
   過パターンの両端に、前記非繰り返しパターンに対応す
   る透過パターンを形成した部分を含んで構成されている
   ものを使用して、前記繰り返しパターンの両端に非繰り
   返しパターンを有してなるパターンを描画することを特
   徴とする荷電粒子ビーム露光方法。