JP2829252B2 - 露光装置用組立式光束調整器具 - Google Patents
露光装置用組立式光束調整器具Info
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 27
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 26
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
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-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
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Description
ラフィ工程におけるマスクパターンの縮小投影露光装置
に用いる光束調整器具に関し、特に多様なパターン形状
に適合するように露光用の光束分布を自由に調整可能に
して、微細パターンの形成およびイメージの分解能を向
上させる組立式光束調整器具に関する。
クパターンの縮小投影露光法では、光の回折現象の影響
を最小限にして投影像の鮮明度を向上させるため、光束
分布の調整(変形照明)を光が斜めに入射される形態の
原理等を利用して行い、微細パターンを形成している。
したリソグラフィ工程においては、微細パターンの程度
および注文型半導体等のような複雑なマスクパターン形
成時にパターンの形態、パターン線幅のライン/スペー
ス割合に従って、いろいろな光束調整器具(変形照明器
具)を特殊に製作してその都度適宜なものを使用してい
る。
にパターンを形成するためには、まず、マスクの微細パ
ターンに従ってその形状に合うように光束調整器具(変
形照明器具)を選択してマスクに光を照射しなければ、
微小パターンの正確な分解能を得ることができないた
め、上記のようにいろいろな種類のパターン形態に合う
固定式形態の各種タイプの光束調整器具(変形照明器
具)を予め作っておいて、それらを使用目的に従って適
宜選択交換して使用している。
光する方式の例を図3および図4を参照して簡単に説明
すると、次のとおりである。
(変形照明器具)を利用した縮小投影露光装置の概略を
示す側面図であり、図4は、従来の技術による光束調整
器具の構成を示す平面図である。図中、符号1は光、2
は光束調整器具(変形照明器具)、3はコンデンサレン
ズ、4はホトマスク、5はプロジェクションレンズ、6
はウエハ、7は外側銅板、7aは円形透過孔をそれぞれ
示す。
ら出た光1は、所定形状の光束調整器具2を通過する。
ここで、上記光束調整器具2は、図4に示すとおり、銅
板7に光が透過するよう所定の大きさを有する円形透過
孔7aを形成し、上記円形透過孔7a内には十字形状を
形成して一定部分の光を遮断することにより、分解能と
焦点深度のマージンを大きくしている。
定波長の光を通過させるフィルタ(図示せず)を通過し
てコンデンサレンズ3により収束されて強度が増加す
る。ここで、上記コンデンサレンズ3は、光度を一定に
維持するために前後に動いたり、レンズの焦点調節を適
宜にすることにより、微細な光度変化を調節する。さら
に、上記光1を所定パターンが形成されているホトマス
ク4に照射すると、そのマスクパターンをプロジェクシ
ョンレンズ5により縮小投影して、ウエハ6上の感光膜
を露光することにより、パターンを形成するのである。
り一連の経路を経てウエハ6上にパターンを形成するリ
ソグラフィー工程では、パターン密度やマスクの置かれ
た位置に従って光束調整器具の形態を異にしなければな
らない必要があるため、パターン形状ごとにそれに合う
新たな光束調整器具を別途に作成しなければならなかっ
た。さらに、上記マスクの多様なパターン形成の要求に
従って投光する従来の光束調整器具は、それぞれが固定
的であるため、多様な照射原理を確保し難いのみなら
ず、形状が限定されているため、使用および選択が多様
でないので、露光原理を最大限に満足させることができ
なかった。このように、従来の光束調整器具は、微細パ
ターンの形態に従って多様な種類の調整器具を作ってお
かなければならず、そのために製作時間および費用が多
く所要され、また保管のための空間を占める嵩が大きい
という問題点を含んでいた。
を解決するために案出したもので、マスクに形成された
多様な微細パターン形状に合うように調整器具形態を自
由に可変させて照射することにより、微細パターンの形
成および分解能の向上を可能とする組立式光束調整器具
装置を提供することにより、製作時間および費用の節約
ならびに保管場所の削減を実現することを目的とする。
束調整器具は、ウエハの感光膜にパターンを形成する縮
小投影露光装置において、上記目的を達成するために、
光源から出た光をホトマスクの形状に合うように透過さ
せることにより、照射強度を高めるよう所定形状を形成
して、上記光を透過させる構造とするもので、その中央
部に所定の大きさの透過孔が形成された外側銅板と、上
記外側銅板の透過孔の外周近傍に具備され、上記透過孔
の実質開口半径を可変とすべく上記透過孔の中心点から
対角方向へ移動可能な少なくとも一つの透過孔覆いと、
上記透過孔覆いの下方部横軸に具備されて前後移動する
少なくとも一つの横棒型内側覆いと、上記横棒型内側覆
いと交差するように上記外側銅板覆いの下方部縦軸に具
備されて左右移動する少なくとも一つの縦棒型内側覆い
を含んで成っている。
の発明の実施例について詳細に説明する。図1は、この
発明による組立式光束調整器具を利用した縮小投影露光
装置の一実施例の概略を示す側面図であり、図2は、こ
の発明による組立式光束調整器具の一実施例の構成を示
す平面図である。図面において、7は外側銅板、7aは
透過孔、8は透過孔覆い、9および10は移動式横棒型
内側覆い、11および12は移動式縦棒型内側覆い、1
3は光束調整器具の切断側面視を示す。
導体製造工程のうちリソグラフィ工程でパターン形成に
用いられる縮小投影露光装置の一部分をなす光束調整器
具を可変型とすることにより、多様な形状の微細パター
ンの形成および分解能の向上を実現するために具現した
もので、上記光束調整器具をフライアイレンズ(fly-eye
lens)とコンデンサレンズとの間に装着して微細パター
ンを形成することができるように使用する。この光束調
整器具の構成は、図2に示すとおり、外側銅板7の中央
部に所定の大きさの円形に切開した透過孔7aが形成さ
れ、上記外側銅板7の下方にはその透過孔7aの外周近
傍(縁の内側)に扇形状の透過孔覆い8が少なくとも一
つ具備されている。
透過孔覆い8を四つに分割して、上記透過孔7aの中心
点から対角方向へ遠近移動可能にして透過孔の外周近傍
を所定部分程覆うことにより、透過孔の実質開口半径R
の大きさを可変とした構造を示している。したがって、
上記透過孔覆い8の可変は、NA(ニューメリカルアパ
ーチャ)およびステッパのσ(光のコヒーレンス因子)
を変更させて、形成しようとする微細パターンに合うよ
うに露光させるのに適しているのである。
軸に所定の大きさを有する移動式横棒型内側覆いの上層
9と下層10が所定幅に重ねられており、上記横棒型内
側覆い9および10の下側には、縦軸に所定の大きさを
有する移動式縦棒型内側覆いの上層11と下層12が同
様に互いに重ねられて具備されている。ここで、上記横
棒型内側覆い9、10および縦棒型内側覆い11、12
は、ウエハパターン層の位置および形態に従って前後・
左右に移動可能である。
0の幅を固定して、縦棒型内側覆い11、12の幅を変
形すると、上記ウエハ上にY(前後)軸長手方向を有す
るパターンの分解能および焦点深度を向上させることが
でき、逆に上記ウエハ上のパターンがX(左右)軸長手
方向であるものについては、縦棒型内側覆い11、12
を固定して、横棒型内側覆い9、10の幅を変形するこ
とにより、分解能および焦点深度を向上させることがで
きる。上記透過孔覆い8と、上記横棒型内側覆い9、1
0および縦棒型内側覆い11、12の移動は、外部から
物理的力を加えて使用したり、所定の動力装置を付加利
用して駆動させたりして、任意に移動させることができ
る。
用して縮小投影露光を行う使用状態を、図1を参照して
考察してみると、次のとおりである。水銀ランプ(図示
せず)から発する光束は、ホトマスク4の微細パターン
形態に応じて光束調整器具13に具備された透過孔覆い
8をまず移動させて調節し、次いで横棒型内側覆い9、
10と縦棒型内側覆い11、12を順次に前後・左右に
移動させて調節する。
過した光束は、フィルタ(図示せず)で特定波長のみを
透過させた後、照射強度を調節するコンデンサレンズ3
で集められる。ここで、上記コンデンサレンズ3で集め
られた照射強度の非均質性をウエハ上に均質に到達する
ようにするために、上記光束調整器具13から透過して
きた光1の分布形状が上記マスク6のパターンに合うよ
うに形成する。そして、上記コンデンサレンズ3を透過
した光1は、上記ホトマスク4の微細パターンの形態に
従って強弱の光1をプロジェクションレンズ5が縮小し
て透過させることにより、上記ウエハ6に達すると、上
記透過光は上記ウエハ6に塗布された感光膜を反応させ
て微細パターンを形成するようになるのである。なお、
0次、+1次、−1次は、光の回折次数である。
を外部の動力を利用して動くようにすれば、照射領域の
時分割指定をすることもできる。
明は、マスクパターン形態に従って適宜に移動させて使
用することにより、パターン画像の分解能を向上させる
ことができるので、光学器機またはキャムコーダ、カメ
ラの機能に適用できる。さらに、従来の固定式の光束調
整器具が有する設置空間が必要でないのみならず、簡単
に製作・組み立てて使用することにより、製作時間およ
び費用を節減することができる効果がある。
た縮小投影露光装置の一実施例の概略を示す側面図であ
る。
例の構成を示す平面図である。
た縮小投影露光装置の概略を示す側面図である。
示す平面図である。
…ホトマスク、5…プロジェクションレンズ、6…ウエ
ハ、7…外側銅板、7a…透過孔、8…外側銅板覆い、
9、10…横棒型内側覆い、11、12…縦棒型内側覆
い、13…光束調整器具
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体ウエハプロセス用の縮小投影露光
装置において、ホトマスクの形状に合わせるべく光束分
布を調整する光束調整器具であって、 中央部に所定の大きさの透過孔が形成された外側銅板
と、 上記外側銅板の透過孔の外周近傍に具備され、上記透過
孔の実質開口半径を可変とすべく上記透過孔の中心点か
ら対角方向へ移動可能な少なくとも一つの透過孔覆い
と、 上記透過孔覆いの下端部横軸に具備されて前後移動する
少なくとも一つの横棒型内側覆いと、 上記横棒型内側覆いと交差するように上記外側銅板覆い
の縦軸に具備されて左右移動する少なくとも一つの縦棒
型内側覆いとを含んで成ることを特徴とする組立式光束
調整器具。 - 【請求項2】 請求項1に記載の組立式光束調整器具で
あって、 上記透過孔覆いは、所定の大きさを有する扇形状に形成
されていることを特徴とするもの。 - 【請求項3】 請求項1に記載の組立式光束調整器具で
あって、 上記横棒型内側覆いおよび縦棒型内側覆いは、所定個数
が互いに重ねられるように形成されてマージン幅を調節
できるようにしたことを特徴とするもの。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1994-4394 | 1994-03-07 | ||
| KR1019940004394A KR100321931B1 (ko) | 1993-03-08 | 1994-03-07 | 반도체장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302756A JPH07302756A (ja) | 1995-11-14 |
| JP2829252B2 true JP2829252B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=19378474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7047584A Expired - Fee Related JP2829252B2 (ja) | 1994-03-07 | 1995-03-07 | 露光装置用組立式光束調整器具 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5598250A (ja) |
| JP (1) | JP2829252B2 (ja) |
| DE (1) | DE29503859U1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5712698A (en) * | 1996-03-04 | 1998-01-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Independently controllable shutters and variable area apertures for off axis illumination |
| US6013401A (en) * | 1997-03-31 | 2000-01-11 | Svg Lithography Systems, Inc. | Method of controlling illumination field to reduce line width variation |
| US5966202A (en) * | 1997-03-31 | 1999-10-12 | Svg Lithography Systems, Inc. | Adjustable slit |
| DE69931690T2 (de) * | 1998-04-08 | 2007-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat |
| EP0949541B1 (en) * | 1998-04-08 | 2006-06-07 | ASML Netherlands B.V. | Lithography apparatus |
| US6930754B1 (en) * | 1998-06-30 | 2005-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Multiple exposure method |
| US6563567B1 (en) * | 1998-12-17 | 2003-05-13 | Nikon Corporation | Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus |
| TW587199B (en) | 1999-09-29 | 2004-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and apparatus |
| US6784976B2 (en) * | 2002-04-23 | 2004-08-31 | Asml Holding N.V. | System and method for improving line width control in a lithography device using an illumination system having pre-numerical aperture control |
| JP2013178445A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264898A (en) * | 1991-08-29 | 1993-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
-
1995
- 1995-03-07 US US08/400,045 patent/US5598250A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-07 DE DE29503859U patent/DE29503859U1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-07 JP JP7047584A patent/JP2829252B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5598250A (en) | 1997-01-28 |
| DE29503859U1 (de) | 1995-05-04 |
| JPH07302756A (ja) | 1995-11-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980908 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080918 Year of fee payment: 10 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080918 Year of fee payment: 10 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100918 Year of fee payment: 12 |
|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120918 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130918 Year of fee payment: 15 |
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