KR19980042721A - 공간 제어 가능하고 부분적으로 코히어런스한 광조사 시스템 - Google Patents

공간 제어 가능하고 부분적으로 코히어런스한 광조사 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR19980042721A
KR19980042721A KR1019970062663A KR19970062663A KR19980042721A KR 19980042721 A KR19980042721 A KR 19980042721A KR 1019970062663 A KR1019970062663 A KR 1019970062663A KR 19970062663 A KR19970062663 A KR 19970062663A KR 19980042721 A KR19980042721 A KR 19980042721A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light irradiation
different
reticle
optical element
regions
Prior art date
Application number
KR1019970062663A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100517215B1 (ko
Inventor
그래그 잘라틴
앤드류 더블유 맥컬로우
Original Assignee
에드워드 에이. 도링
에스브이지 리토그래피 시스템즈 아이엔씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에드워드 에이. 도링, 에스브이지 리토그래피 시스템즈 아이엔씨 filed Critical 에드워드 에이. 도링
Publication of KR19980042721A publication Critical patent/KR19980042721A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100517215B1 publication Critical patent/KR100517215B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70125Use of illumination settings tailored to particular mask patterns

Abstract

본 발명은 반도체 제조용 포토리소그래피에 사용되는 광조사 시스템에 관한 것으로서 상이한 광조사 영역을 구비한 광학 소자의 배치를 갖고 있어서 레티클 상에 상이한 기하 구조 패턴 영역에 잘 맞추어진다. 광학 소자의 배치는 필터, 회절 광학 소자 또는 상이한 타입의 광조사 특성 또는 쿼드러폴, 환상 또는 다른 것들 중의 상부 모자와 같은 성격을 산출할 수 있는 광조사 영역을 구비하는 마이크로렌즈가 될 수 있다. 광조사 영역의 각각은 레티클 상의 각각의 패턴 영역에 잘 맞추어지거나 대응하여 감광성 레지스트로 도포된 웨이퍼의 노광을 최적화시킬 수 있게 된다. 본 발명에 따른 광학 소자는 특정한 레티클의 독특한 특성에 관한 종래의 광조사 시스템을 종합하는데 사용될 수 있다. 더우기, 포토리소그래피 시스템의 광학체의 불완전함은 광학 소자에 의해서 보완될 수 있다. 이것은 크기가 감소한 형태의 반도체 디바이스의 제조 능력을 향상시키고 질을 개선시킬 뿐만 아니라 생산량을 증가시킨다.

Description

공간 제어 가능하고 부분적으로 코히어런스한 광조사(光照射) 시스템
본 원은 1996년 11월 25일자 미국 임시 특허 출원 제 60/031,725 호를 기초로 한 발명이다.
본 발명은 일반적으로 반도체 제조 방법에 관한 것이며, 좀 더 구체적으로 말한다면 공간적으로 제어 가능(spatially controllable)하고, 레티클(rdticle)에 잘 맞는 광조사(光照射) 시스템(illumination system)에 관한 것이다.
포토리소그래피는 종종 반도체를 제조하는데 사용된다. 회로 패턴을 장착한 레티클은 웨이퍼와 같은 감광성(photosensitive) 기판 상에서 투사된다. 이러한 공정은 수차례 반복되어 다중의 층(layer)을 형성한다. 기술이 계속적으로 발전하고 반도체 디바이스의 사이즈가 작아짐에 따라서 감광성 기판 상에 레티클의 이미지를 투사하기 위하여 광조사 소스를 개선할 필요가 있다. 따라서 감광성 기판 상에 레티클의 이미지를 강화시키기 위한 노력의 결과로 다수의 광조사 시스템이 공개되어 있다. 그러한 광조사 시스템 중 하나는 미국 특허 번호 제 5,296,892 호에 개시된 것으로서, 1994년 3월 22일자에 모리(Mori)에 의하여 등록받아 본원 명세서에서 참고 자료로 인용되고 있으며, 발명의 명칭은 광조사 장치 및 광조사 장치가 구비된 투사 노광 장치(Illuminating Apparatus and Projection Exposure Apparatus Provided with Such Illumination Appartus)이다. 여기에서 공개되어 있는 것은 광학 적분기(optical integrator) 또는 플라이 아이 렌즈(fly's eye lens)가 콘덴서 다음에 배치되어 있는 광조사 시스템이다. 광학 적분기 또는 플라이 아이 렌즈는 광조사 시스템이 방출면 상에서 다수의 개구(aperture)가 다양하게 변화할 수 있도록 교환 가능하게 설계된다. 또 다른 광조사 시스템이 미국 특허 번호 제 5,357,312 호에 개시되어 있는 바, 1994년 10월 18일 토우나이(Tounai)에 의하여 등록받아 본원 명세서의 참고 자료로 인용되고 있으며, 발명의 명칭은 포토리소그래피용 노광 장치에서의 광조사 시스템(Illuminating System in Exposure Apparatus for Photolithography)이다. 여기에는 개구 조리개(aperture diaphragm)를 방해함으로써 광조사량의 손실을 감소시키고 균일화된 광 빔(light beam)이 원하는 형태로 된 광조사 시스템이 개시되어 있다. 더우기, 광 빔의 단면 형상은 환상(annular)으로 될 수 있다. 또 다른 광조사 시스템은 미국 특허 번호 제 5,329,336 호에 개시되어 있는데, 1994년 7월 12일 히라노(Hirano) 등에 의해서 등록받은 것으로 발명의 명칭은 노광 방법 및 장치(Exposure Method and Apparatus)이다. 여기에는 노광 장치에 코히어런스 변화가 있기 때문에 보정되는 검출기가 구비된 노광 장치가 개시되어 있다. 게다가 존(zone)의 개념 및 수정된 광조사 소스는 레티클 패턴의 이미지를 최적화하기 위한 목적으로 개시되어 있다. 따라서, 상이한 레티클 기하 구조 또는 패턴을 위하여 광조사 특성이 상이해야 할 필요가 있다. 그러나, 광조사 소스가 복잡하고 특정의 레티클 패턴 또는 기하 구조에 맞게 소스를 수정하는 것이 어렵기 때문에, 특정의 레티클에 맞는 최적화된 광조사 패턴을 제공하는 것은 때때로 어려움을 준다. 결과적으로, 레티클의 어떤 부분은 적절하게 광조사될 수 있는 반면, 다른 부분은 그렇지 않을 수 있다. 이것은 웨이퍼의 상이한 부분 상에서 이미징(imaging)이 상이하게 되는 결과가 된다. 그러므로 광조사 시스템에 있어서 감광성 기판에 포함되는 레티클 패턴 또는 기하 구조가 상이한 것과는 무관하게 되도록 감광성 기판의 노광을 최적화시킬 필요가 있다.
본 발명은 광학 소자(optical element)의 사용에 관한 것으로서 광학 소자는 다수의 상이한 광조사 영역(illumination region)으로 나누어져 있고 각 영역마다 상이한 광조사 특성 또는 프로파일(profile)을 제공하는 마이크로렌즈 배치(microlens array)가 될 수 있다. 다수의 상이한 영역을 갖는 광학 소자는 레티클 상에 공간적으로 상이한 기하 구조 또는 패턴을 포함하는 다수의 상이한 패턴 영역(parrern region)을 가진 레티클에 꼭 맞추어지게 된다. 광학 소자 상의 다수의 상이한 광조사 영역의 각각은 레티클 상의 다수의 상이한 패턴 영역에 꼭 맞추어지게 되어 전체적으로 최적화된 광조사 패턴을 제공하고, 레티클 상에 포함되는 상이한 패턴 또는 기하 구조와는 무관하도록 개선된 레티클의 이미징을 제공한다.
본 발명의 목적은 레티클 패턴 또는 기하 구조와 무관하게 광조사 시스템의 성능을 최적화시키는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 포토리소그래피 광학 기기에서 발생할 수 있는 임의의 불완전함을 용이하게 보정할 수 있도록 하는 것이다.
본 발명의 효과는 광조사 시스템이 특정한 레티클에 맞도록 용이하게 변화될 수 있다는 것이다.
본 발명의 특징은 광학 소자의 상이한 광조사 영역이 레티클의 상이한 패턴 영역에 맞우어진다는 점이다.
상기 목적, 효과 및 특징들은 후술하는 상세한 설명으로서 좀 더 분명해질 것이다.
도 1은 포토리소그래픽 시스템의 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 실시예를 개략적으로 도시한다.
도 3은 광학 소자의 평면도를 도시한다.
도 4는 레티클에 대한 평면도이다.
도 1은 포토리소그래픽 시스템(10)을 개략적으로 도시한다. 광조사 소스(12)는 광학 소자(14)를 통하여 레티클(16) 상에 전자기 방사(electromagnetic radiation)를 투사한다. 광조사 평면은 레티클(16)에 형성되어 있다. 레티클(16)의 이미지는 투사 광학체(projection optics)(18)에 의해서 웨이퍼(20)상에 투사된다. 웨이퍼(20)은 레티클(16)의 이미지에 의해서 노광되는 감광성 레지스트로 도포되어 있다. 웨이퍼(20)은 X 및 Y 방향으로 이동 가능한 웨이퍼 스테이지(22) 상에 설치된다. 어떤 포토리소그래피 동작의 경우에는 웨이퍼 스테이지(22)는 하나의 축을 따라서 스캔될 수 있다. 광조사 소스(12)는 임의의 광조사 소스 또는 시스템이 될 수 있으며, 그 한가지 예는 1995년 5월 24일자에 스탠튼(Stanton) 외에 의해서 출원된 미국 특허출원번호 제 08/449,301 호로서 발명의 명칭은 포토리소그래피용 하이브리드 광조사 시스템(Hybrid Illumination System for Use in Photolithography)에 잘 개시되어 있으며 본 명세서에서는 참고 자료로 인용되고 있다.
도 2는 도 1에 도시된 광조사 소스(12)에 의해서 발생하는 광조사 프로파일(24)을 도시한다. 일반적으로 강도 프로파일(intensity profile)(24)은 비교적 균일한 것이 바람직하디. 비교적 균일한 광조사 강도 프로파일(24)은 광학 소자(14)를 통과하여 투사된다. 그런 다음 광학 소자(14)는 레티클(16) 또는 그 주위에 광조사 필드(field) 또는 평면(plane)을 발생시킨다. 레티클(16)에 형성된 광조사 평면은 레티클(16)의 이미지를 도 1에 도시되어 있고 감광성 레지스트가 도포된 웨이퍼(20) 상에 투사된다. 라인(15)로 표시되어 있는 전자기 방사는 광학 소자(14)에 의하여 레티클의 영역 너머로 제공되는 것으로 개구수(numerical aperture), 필 기하 구조(fill geometry) 및 기타와 같은 상이한 광조사 특성을 도시한다. 라인(17)로 표시되어 있는 전자기 방사는 라인(15)로 표시되어 있는 것과는 다른 광조사 특성을 보여준다. 단지 몇개의 상이한 광조사 특성만이 도시되어 있으나, 광학 소자(14)에 의해서 레티클(16) 너머로 공간상 분포하는 수많은 서로 다른 광조사 특성이 있을 수 있음은 자명하다. 상이한 광조사 영역의 수는 레티클(14) 및 바람직한 매칭 범위(degree of matching desired)에 의존한다.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 광학 소자(14)를 일반적으로 도시한다. 광학 소자(14)는 그 위에 수개의 광조사 영역(26), (28), (30) 및 (32)를 구비한다. 상기 광조사 영역(26), (28), (30) 및 (32)는 필터, 회절 광학 소자 또는 바람직하게는 마이크로렌즈 배치에 의해서 형성될 수 있다. 다수의 상이한 광조사 영역(26), (28), (30) 및 (32)의 각각은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 레티클(16)의 이미지를 감광성 레지스트가 도포된 웨이퍼(20) 상에 투사할 때 사용되는 결과적인 광조사 특성 즉, 예를 들면 개구수, 코히어런스(coherence), 필 및 세그(sag)와 같은 광조사 특성을 제어하기 위하여 사용된다. 상기 광조사 영역(26), (28), (30) 및 (32)의 각각은 공지 기술에 의하여 짜맞추어질 수 있고 바람직한 광조서 프로파일 또는 특정의 광조사 영역을 위한 특성을 얻을 수 있게 된다. 예를 들어, 광조사 영역(26)은 쿼드러폴(quadrupole)을 도시한다. 쿼드러폴 광조사는 축에서 벗어난 곳에 배치되고 어두운 부분(34)에 의해서 둘러싸여진 수개의 밝은 원형 부분(36)에 의해서 특징지워진다. 쿼드러폴 광조사는 마이크로렌즈 배치에서 형성되는 피라미드 렌즈리트(pyramidal lenslet)로 수행될 수 있다. 광조사 영역(28)은 밝은 원 부분(39)을 어두운 환상 링 부분(40)이 둘러싸고 다시 밝은 부분(40)이 환상 링(40)을 둘러싸는 환상 광조사 영역을 도시한다. 광조사 영역(30)은 중앙에 어두운 부분(46)이 있고 이를 밝은 환상 부분(44)가 둘러싸며 다시 어두운 부분(42)가 그를 둘러싸는 것을 보여준다. 광조사 영역(30) 및 (28)에 도시된 환상 광조사 패턴은 마이크로렌즈 배치에서 원뿔형의 렌즈리트(conical lenslet)에 의하여 형성될 수 있다. 광조사 영역(32)는 상부 모자를 구성하는 밝은 원 부분(50)이 어두운 부분(48)에 의하여 둘러싸여져서 형성되어 있다. 상부 모자 영역(32)에서 도시된 광조사 패턴은 마이크로렌즈 배치에서 육각 밀폐 포장된 포물선형 렌즈리트(hexagonal close packed parabolic lenslet)에 의해서 형성될 수 있다. 광조사 영역(26), (28), (30) 및 (32)는 바람직한 수개의 상이한 광조사 특성을 그래픽하게 도시하고 있다. 도 3에 그래픽하게 도시된 광조사 특성을 발생시키기 위하여 사용되는 실제의 광학 소자는 물리적으로는 완전히 다른 모습일 수 있다.
도 4는 다수의 상이한 패턴 영역 (52), (54), (56) 및 (58)을 갖는 레티클에 대한 평면도를 도시한다. 상이한 패턴 영역 (52), (54), (56) 및 (58)은 각각 그 위에 상이한 기하 구조적 패턴을 갖는다. 예를 들어, 패턴 영역(52)는 그 위에 형성된 오른 방향 그리드 패턴(right angle grid pattern)(60)을 갖는다. 패턴 영역(54)는 그 위에 경사 패턴(angled pattern)(62)를 갖는다. 패턴 영역(56)은 그 위에 오른 방향 및 경사 패턴이 혼합된 패턴(mixed right angle and angled pattern)(64)를 구비한다. 패턴 영역(58)은 그 위에 커브된 패턴(curved pattern)을 구비한다. 패턴 영역 (60), (62), (64) 및 (68)로 도시된 패턴의 구별은 오로지 보기(example)에 나타난 방식에 의하며, 상이한 패턴 또는 기하 구조적 배치는 종종 상이한 영역으로 나누어질 수 있는 단일의 레티클(16)상에 존재한다는 것을 도시한다. 기타 다른 다수의 상이한 패턴 또는 기하 구조적 배치가 사용될 수 있음은 물론이다. 기하 구조적 배치는 상이한 패턴을 그래픽하게 도시한다. 도 4에 도시된 실질적인 패턴은 판이하게 다르게 나타날 수 있다.
도 1 내지 도 4를 참조하면 본 발명의 실시에 따른 동작 또는 효과가 용이하게 이해될 수 있다. 광학 소자(14)에 의해서 형성된 각각의 광조사 영역 (26), (28), (30) 및 (32)는 코히어런스(coherence)한 광조사 프로파일 및 레티클(16) 상에 대응하는 패턴 영역 (52), (54), (56) 및 (58)을 고려한 최적화된 이미지를 제공하도록 잘 맞추어진 필 기하구조를 발생시킨다. 따라서 좀 더 균일한 이미지가 단일의 레티클 상에서 발견되는 상이한 패턴 기하 구조에 무관하게 얻어질 수 있다. 이것은 포토리소그래피 기기의 이미지 성능을 개선시키며, 코히어런스 및 기타 광조사 특성이 광조사 필드 또는 평면 내에서 공간 위치의 함수로써 보정 가능하게 하고, 레티클 상의 상이한 공간 위치에서 상이한 패턴에 기초하여 최적화된다. 더우기, 코히어런스와 같은 광조사 특성은 상이한 점들에서 공간적으로 변화할 수 있기 때문에 광조사 필드 또는 평면이 바람직한 성능에서 어느 정도 이탈되는 점을 수정 보완할 수 있다. 예를 들어, 광조사 특성은 하나의 축을 따라서 변화할 수 있음으로써 수직의 광조사 필드가 레티클을 가로질러 스케닝되는 스케닝 타입 포토리소그래피 기기의 광학 투사체에 있어서 임의의 불완전함을 보완할 수 있다. 이것은 본 발명에 따른 특별한 효과로서, 광조사 특성이 스케닝되는 수직 슬릿의 종축 방향으로 변화할 수 있기 때문에 광학 투사체에 존재할 수 있는 임의의 불완전함을 보완할 수 있게 된다는 점이다. 그러므로 상이한 광조사 영역을 갖는 광학 소자는 레티클 상에서 기하 구조를 구별하기 위한 보완의 용도가 있을 뿐만 아니라 상이한 광조사 영역이 감광성 레지스터가 도포된 웨이퍼 또는 기판의 노광을 개선시키기 위하여 광학 투사체와 같은 다른 광학 소자의 불완전함을 보완하는데 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명은 다수의 실질적인 응용예를 가지고 있으며, 상이한 광조사 영역은 감광성 레지스트가 도포된 웨이퍼의 노광을 최적화함으로써 전반적인 시스템 성능을 크게 향상시키는데 사용되는 단일의 광학 소자 상에서 만들어질 수 있다.
비록 본 발명은 다수의 실시예에 관하여 개시되어 있으나, 당 업자의 수준에서 본 발명의 기술적 사상 및 범위와 크게 벗어남이 없어 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 자명하다.
내용 없음.

Claims (25)

  1. 광학 소자에 있어서, 상기 광학 소자는 다수의 상이한 광조사 영역을 구비하며, 상기 다수의 상이한 광조사 영역의 각각은 레티클의 광조사 및 감광성 기판의 노광을 최적화하기 위하여 상이한 광조사 특성을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 다수의 상이한 광조사 영역은 마이크로렌즈 배치에 의해서 형성되며, 상기 다수의 상이한 광조사 영역은 광학 포토리소그래피 기기에 잘 맞추어지는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 다수의 상이한 광조사 영역은 회절 광학 소자에 의해서 형성되며, 상기 다수의 상이한 광조사 영역은 광학 포토리소그래피 기기에 잘 맞추어지는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 레티클은 다수의 상이한 패턴 영역을 구비하고 있으며, 상기 다수의 상이한 광조사 영역은 레티클의 다수의 상이한 패턴 영역에 잘 맞추어지는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  5. 제 4 항에 있어서, 다수의 상이한 광조사 영역은 마이크로렌즈 배치에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  6. 제 5 항에 있어서, 마이크로렌즈 배치는 육각 밀폐 포장된 포물선 렌즈리트를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  7. 제 5 항에 있어서, 마이크로렌즈 배치는 원뿔형 렌즈리트를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  8. 제 5 항에 있어서, 마이크로렌즈 배치는 피라미드형 렌즈리트를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  9. 제 5 항에 있어서, 마이크로렌즈 배치는 육각 밀폐 포장된 포물선 렌즈리트, 원뿔형 렌즈리트 및 피라미드형 렌즈리트를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  10. 제 4 항에 있어서, 다수의 상이한 광조사 영역은 회절 광학 소자에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  11. 제 1 항에 있어서, 광조사 특성을 코히어런스를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  12. 제 1 항에 있어서, 광조사 특성은 필 기하 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  13. 최적화된 이미징 시스템에 있어서, 시스템은:
    다수의 상이한 패턴 영역을 그 위에 포함하는 레티클로서, 상기 다수의 상이한 패턴 영역을 재생산될 수 있는 상이한 기하 구조 패턴을 가지고 있는 레티클; 및
    다수의 상이한 광조사 영역을 그 위에 포함하고 있는 광학 소자로서, 상기 다수의 상이한 광조사 영역의 각각은 상기 레티클 상에서 상이한 패턴 영역에 잘 맞추어지는 상이한 광조사 특성을 생산해내는 광학 배치를 구비할 때의 광학 소자를 포함하며,
    여기에서 감광성 기판의 노광은 최적화되어 있는 것을 특징으로 하는 최적화된 이미징 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서, 다수의 상이한 광조사 영역은 마이크로렌즈 배치에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 최적화된 이미징 시스템.
  15. 제 13 항에 있어서, 다수의 상이한 광조사 영역은 회절 광학 소자에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 최적화된 이미징 시스템.
  16. 제 13 항에 있어서, 광조사 특성은 코히어런스를 포함하는 것을 특징으로 하는 최적화된 이미징 시스템.
  17. 제 13 항에 있어서, 광조사 특성은 필 기하 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 최적화된 이미징 시스템.
  18. 제 14 항에 있어서, 마이크로렌즈 배치는 육각 밀페 포장된 포물선 렌즈리트, 원뿔형 렌즈리트 및 피라이드형 렌즈리트를 포함하는 것을 특징으로 하는 최적화된 이미징 시스템.
  19. 감광성 기판 상에 이미지를 투사하는데 사용되는 포토리소그래피 기기에 있어서, 포토리소그래피 기기는:
    광조사 소스;
    다수의 상이한 광조사 영역을 그 위에 포함하는 광학 소자로서, 상기 다수의 상이한 광조사 영역의 각각의 상이한 광조사 특성을 산출하기 위한 광학 배치를 구비하는 광학 소자;
    다수의 상이한 패턴 영역을 갖는 레티클로서, 상기 다수의 상이한 패턴 영역의 각각은 재생산될 수 있는 상이한 우세 기하 구조 패턴을 구비하며, 다수의 상이한 광조사 영역의 각각은 다수의 상이한 패턴의 어느 하나에 잘 맞추어지는 레티클; 및
    광조사 소스로부터 감광성 기판 상으로 전자기 광조사를 투사하기 위한 광학 투사체를 포함하며,
    여기에서 상이한 광조사 패턴은 감광성 기판의 최적화된 노광을 제공하는 상기 레티클에 잘 맞추어져 있는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 기기.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 광학 소자는 마이크로렌즈 배치인 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 기기.
  21. 제 19 항에 있어서, 상기 광학 소자는 회절 광조사인 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 기기.
  22. 제 19 항에 있어서, 광조사 특성은 코히어런스를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 기기.
  23. 제 19 항에 있어서, 광조사 특성은 필 기하 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 기기.
  24. 제 20 항에 있어서, 마이크로렌즈 배치는 육각 밀폐 포장된 포물선 렌즈리트, 원뿔형 렌즈리트 및 피라미드형 렌즈리트를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 기기.
  25. 전자 디바이스를 제조하기 위한 포토리소그래피 기기에 있어서, 포토리소그래피 기기는:
    전자기 방사를 방출하기 위한 광조사 수단;
    전자기 방사를 받을 수 있도록 배치되고, 상이한 광조사 특성을 가진 다수의 상이한 광조사 영역을 제공하기 위한 광학 소자 수단;
    상기 광학 소자 수단 주위에 배치되고, 감광성 기판 상에 다수의 상이한 기하 구조 패턴 영역을 이미징하기 위한 레티클 수단; 및
    상기 레티클 수단을 통과하여 지나가는 전자기 방사를 받을 수 있도록 배치되고, 감광성 기판 상에 레티클 수단의 이미지를 투사하기 위한 광학 투사체 수단을 포함하며,
    다수의 상이한 광조사 영역은 공간적으로 다수의 상이한 기하 구조 패턴 영역에 잘 맞추어져 있으며,
    여기에서 감광성 기판의 노광은 최적화되어 있는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 기기.
KR1019970062663A 1996-11-25 1997-11-25 부분 간섭성을 공간적으로 조정가능한 광학소자, 이미징 장치 및 포토리소그래피 장치 KR100517215B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3172596P 1996-11-25 1996-11-25
US60/031,725 1996-11-25
US08/799,107 1997-02-11
US8/799,107 1997-02-11
US08/799,107 US6259513B1 (en) 1996-11-25 1997-02-11 Illumination system with spatially controllable partial coherence

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980042721A true KR19980042721A (ko) 1998-08-17
KR100517215B1 KR100517215B1 (ko) 2005-12-06

Family

ID=26707543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970062663A KR100517215B1 (ko) 1996-11-25 1997-11-25 부분 간섭성을 공간적으로 조정가능한 광학소자, 이미징 장치 및 포토리소그래피 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6259513B1 (ko)
EP (1) EP0844529B1 (ko)
JP (1) JP4222650B2 (ko)
KR (1) KR100517215B1 (ko)
CA (1) CA2222110A1 (ko)
DE (1) DE69739228D1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100699111B1 (ko) * 2005-06-09 2007-03-22 동부일렉트로닉스 주식회사 노광용 빛 투과율 설정장치
KR100878938B1 (ko) * 2006-05-01 2009-01-19 캐논 가부시끼가이샤 노광장치

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6628370B1 (en) * 1996-11-25 2003-09-30 Mccullough Andrew W. Illumination system with spatially controllable partial coherence compensating for line width variances in a photolithographic system
US6930754B1 (en) * 1998-06-30 2005-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Multiple exposure method
US6563567B1 (en) * 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
JP2001174615A (ja) * 1999-04-15 2001-06-29 Nikon Corp 回折光学素子、該素子の製造方法、該素子を備える照明装置、投影露光装置、露光方法、及び光ホモジナイザー、該光ホモジナイザーの製造方法
TW546550B (en) * 1999-12-13 2003-08-11 Asml Netherlands Bv An illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus
US6563566B2 (en) * 2001-01-29 2003-05-13 International Business Machines Corporation System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle
TWI285295B (en) * 2001-02-23 2007-08-11 Asml Netherlands Bv Illumination optimization in lithography
FR2822969B1 (fr) * 2001-04-03 2003-08-22 St Microelectronics Sa Procede d'illumination d'une couche d'une matiere, en particulier d'une resine photosensible
US6573975B2 (en) 2001-04-04 2003-06-03 Pradeep K. Govil DUV scanner linewidth control by mask error factor compensation
JP2002359176A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Canon Inc 照明装置、照明制御方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
US6784975B2 (en) * 2001-08-30 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for irradiating a microlithographic substrate
US6794100B2 (en) 2001-08-30 2004-09-21 Micron Technology, Inc. Method for controlling radiation beam intensity directed to microlithographic substrates
US6888615B2 (en) * 2002-04-23 2005-05-03 Asml Holding N.V. System and method for improving linewidth control in a lithography device by varying the angular distribution of light in an illuminator as a function of field position
US6784976B2 (en) * 2002-04-23 2004-08-31 Asml Holding N.V. System and method for improving line width control in a lithography device using an illumination system having pre-numerical aperture control
JP4305611B2 (ja) * 2002-07-18 2009-07-29 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
US6894765B2 (en) * 2003-10-14 2005-05-17 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing
WO2005069082A1 (en) 2003-12-19 2005-07-28 International Business Machines Corporation Differential critical dimension and overlay metrology apparatus and measurement method
WO2005076083A1 (en) * 2004-02-07 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
US6963434B1 (en) 2004-04-30 2005-11-08 Asml Holding N.V. System and method for calculating aerial image of a spatial light modulator
US7400381B2 (en) * 2004-05-26 2008-07-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7446855B2 (en) * 2005-07-25 2008-11-04 Micron Technology, Inc Methods and apparatuses for configuring radiation in microlithographic processing of workpieces using an adjustment structure
US20070109520A1 (en) * 2005-11-17 2007-05-17 Whitney Theodore R Modular illuminator for a scanning printer
US20080259304A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7838178B2 (en) * 2007-08-13 2010-11-23 Micron Technology, Inc. Masks for microlithography and methods of making and using such masks
JP4971932B2 (ja) 2007-10-01 2012-07-11 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、デバイス製造方法および偏光制御ユニット
DE102010030089A1 (de) * 2010-06-15 2011-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikro-Lithografie sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3336963A1 (de) * 1983-08-12 1985-02-21 Werner Dr. Vaduz Tabarelli Vorrichtung zum projektionskopieren einer maske auf ein werkstueck
DE69127335T2 (de) * 1990-10-08 1998-01-15 Canon Kk Projektionsbelichtungsapparat mit einer Vorrichtung zur Ausgleichung der Verzeichnung einer Projektionslinse
EP0486316B1 (en) 1990-11-15 2000-04-19 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
US6078380A (en) * 1991-10-08 2000-06-20 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method involving variation and correction of light intensity distributions, detection and control of imaging characteristics, and control of exposure
JPH05217855A (ja) 1992-02-01 1993-08-27 Nikon Corp 露光用照明装置
JP3278896B2 (ja) 1992-03-31 2002-04-30 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US5329336A (en) * 1992-07-06 1994-07-12 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
KR970003593B1 (en) * 1992-09-03 1997-03-20 Samsung Electronics Co Ltd Projection exposure method and device using mask
JP2917704B2 (ja) 1992-10-01 1999-07-12 日本電気株式会社 露光装置
US5383000A (en) 1992-11-24 1995-01-17 General Signal Corporation Partial coherence varier for microlithographic system
US5642183A (en) * 1993-08-27 1997-06-24 Sharp Kabushiki Kaisha Spatial filter used in a reduction-type projection printing apparatus
KR0153796B1 (ko) 1993-09-24 1998-11-16 사토 후미오 노광장치 및 노광방법
JP3099933B2 (ja) 1993-12-28 2000-10-16 株式会社東芝 露光方法及び露光装置
JP3128396B2 (ja) 1993-09-24 2001-01-29 株式会社東芝 露光方法及び露光装置
US5684566A (en) * 1995-05-24 1997-11-04 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system and method employing a deformable mirror and diffractive optical elements
US5631721A (en) * 1995-05-24 1997-05-20 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
JP4310816B2 (ja) * 1997-03-14 2009-08-12 株式会社ニコン 照明装置、投影露光装置、デバイスの製造方法、及び投影露光装置の調整方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100699111B1 (ko) * 2005-06-09 2007-03-22 동부일렉트로닉스 주식회사 노광용 빛 투과율 설정장치
KR100878938B1 (ko) * 2006-05-01 2009-01-19 캐논 가부시끼가이샤 노광장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10233362A (ja) 1998-09-02
KR100517215B1 (ko) 2005-12-06
JP4222650B2 (ja) 2009-02-12
CA2222110A1 (en) 1998-05-25
DE69739228D1 (de) 2009-03-12
EP0844529A3 (en) 2000-01-05
US6259513B1 (en) 2001-07-10
EP0844529B1 (en) 2009-01-21
EP0844529A2 (en) 1998-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19980042721A (ko) 공간 제어 가능하고 부분적으로 코히어런스한 광조사 시스템
EP1168083B1 (en) Line with compensation using spatial variations in partial coherence
US7277155B2 (en) Exposure apparatus and method
US4609259A (en) Process for producing micro Fresnel lens
JP2817615B2 (ja) 縮小投影露光装置
KR100609109B1 (ko) 디바이스 제조방법, 상기 방법에 사용되는 마스크 세트,프로그램가능한 패터닝 디바이스를 제어하는 데이터 세트,마스크 패턴을 생성하는 방법 및 컴퓨터 프로그램
JPH09219358A (ja) 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US7399558B2 (en) Mask and manufacturing method thereof and exposure method
JP3200244B2 (ja) 走査型露光装置
TW200839460A (en) Exposure apparatus and semiconductor device fabrication method
US5919605A (en) Semiconductor substrate exposure method
JPH0766121A (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP2891219B2 (ja) 露光装置及びそれを用いた素子製造方法
JP3376043B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US6067145A (en) Light exposing device for manufacturing semiconductor device which further removes asymmetrical aberration
JPH0936026A (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP2894922B2 (ja) 投影露光方法および装置
JPS6329930A (ja) 縮小投影露光装置
JP2587133B2 (ja) 投影露光装置及びその装置により露光され製造された半導体装置
KR19980050140A (ko) 위상반전마스크와 비대칭 변형조명을 결합한 결상방법
JP2023148840A (ja) 照明光学系、露光装置および物品製造方法
JP2947038B2 (ja) 縮小投影露光装置
JP2891217B2 (ja) 露光装置及びそれを用いた素子製造方法
JPH10189430A (ja) 照明光学系及びそれを用いた露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee