DE102010030089A1

DE102010030089A1 - Beleuchtungsoptik für die Mikro-Lithografie sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik

Info

Publication number: DE102010030089A1
Application number: DE102010030089A
Authority: DE
Inventors: Dr. Patra Michael; Dr. Degünther Markus; Dr. Layh Michael
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2010-06-15
Filing date: 2010-06-15
Publication date: 2011-12-15
Also published as: US9933704B2; TWI539240B; TW201219987A; EP2583141A2; WO2011157601A2; US20130077076A1; JP2013530534A; WO2011157601A3; JP5753260B2; EP2583141B1

Abstract

Eine Beleuchtungsoptik (7) für die Mikro-Lithografie dient zur Führung von Beleuchtungslicht (8) von einer primären Lichtquelle (6) hin zu einem Objektfeld (3). Ein Spiegelarray (10) der Beleuchtungsoptik (7) hat eine Mehrzahl unabhängig voneinander aktorisch verkippbarer Einzelspiegel (11), die mit zugehörigen Kipp-Aktoren (12) verbunden sind. Eine Steuerung (14) dient zur Ansteuerung der Aktoren (12). Ein Rastermodul (19) der Beleuchtungsoptik (7) hat eine Mehrzahl von Rasterelementen (28, 30) zur Erzeugung einer räumlich verteilten Anordnung von sekundären Lichtquellen. Das Rastermodul (19) ist im Bereich einer Ebene (20) der Beleuchtungsoptik (7) angeordnet, in der ein Ausfallswinkel (ARx), unter dem ein Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) eines der Rasterelemente (30) verlässt, einen Ortsbereich im Objektfeld (3), auf dem das Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) auf das Objektfeld (3) tr ist so ausgeführt, dass einem vorgegebenen Soll-Verlauf von Beleuchtungswinkel-Intensitätsverteilungen, mit denen über das Objektfeld (3) verteilte Objektfeldpunkte beaufschlagt werden, eine Vorgabe eines Kippwinkels für jeden Einzelspiegel (11) zugeordnet ist. Das Rastermodul (19) erzeugt abhängig von dem jeweiligen Ist-Einfallswinkel einen anderen Intensitätsverlauf im Objektfeld (3). Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, bei der eine Beleuchtungsintensität über das Objektfeld gezielt hinsichtlich der Gesamt-Beleuchtungsintensität und/oder hinsichtlich der Intensitätsbeiträge aus unterschiedlichen Beleuchtungsrichtungen beeinflusst werden kann.

Description

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die Mikro-Lithografie zur Führung von Beleuchtungslicht von einer primären Lichtquelle hin zu einem Objektfeld. Ferner betrifft die Erfindung ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik und einer Projektionsoptik zur Abbildung des Objektfeldes in ein Bildfeld. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System und einer primären Lichtquelle, ein mikrolithografisches Herstellungsverfahren für mikro- bzw. nanostrukturierte Bauelemente und ein mit einem solchen Verfahren hergestelltes Bauelement.
Beleuchtungsoptiken der Eingangs genannten Art sind bekannt aus der WO 2007/093433 A1 und der EP 1 262 836 A1 . Für anspruchsvolle Projektionsaufgaben ist es wünschenswert, die Beleuchtungslichteigenschaften über das Beleuchtungs- bzw. Objektfeld gezielt beeinflussen zu können.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass die Beleuchtungsintensität über das Objektfeld gezielt hinsichtlich der Gesamt-Beleuchtungsintensität und/oder hinsichtlich der Intensitätsbeiträge aus unterschiedlichen Beleuchtungsrichtungen beeinflusst werden kann.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Beleuchtungssystem mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
Die Erfindung macht sich die Erkenntnis zunutze, dass in der Praxis regelmäßig eine Abhängigkeit eines Ausfallswinkels der Beleuchtungslicht-Teilbündel, die das Rastermodul verlassen, von den Einfallswinkeln der Beleuchtungslicht-Teilbündel, die in das Rastermodul eintreten, vorliegt. Das Rastermodul erzeugt abhängig von dem jeweiligen Ist-Einfallswinkel auf dem Rasterelement einen anderen Intensitätsverlauf einer Beleuchtung aus einem Beleuchtungswinkel, der diesem Rasterelement entspricht, über das Objektfeld. Diese Abhängigkeit war bisher nur als störender Effekt gewertet worden. Nun wird diese Abhängigkeit gezielt genutzt, um zusätzliche Freiheitsgrade bei einer Gestaltung eines gewollten Verlaufs von Beleuchtungswinkel-Intensitätsverteilungen über das Objektfeld, also insbesondere einer feldabhängigen optischen Wirkung der Beleuchtungsoptik auf die erzeugten Beleuchtungswinkel, zu schaffen. In der Regel variiert dieser vorgegebene Soll-Verlauf über die Position des Objektfeldes. Die Vorgabe bzw. vorgegebene Zuordnung eines Ist-Kippwinkels für jeden Einzelspiegel durch die Steuerung abhängig vom gewollten Soll-Intensitätsverlauf in der Pupillenebene des Beleuchtungssystems und abhängig vom vorgegebenen Soll-Verlauf von Beleuchtungswinkel-Intensitätsverteilungen über das Feld führt dazu, dass sich sowohl eine vorgegebene Verteilung von Ist-Einfallswinkeln der Beleuchtungslicht-Teilbündel auf den Rasterelementen als auch gleichzeitig eine vorgegebene Verteilung von Ist-Einfallspositionen bzw. Auftrefforte der Beleuchtungslicht-Teilbündel auf den Rasterelementen ergibt. Die Steuerung kann so ausgeführt sein, dass z. B. an einem der Ränder des Objektfeldes senkrecht zu einer Verlagerungsrichtung eines zu beleuchtenden Objektes, also beispielsweise senkrecht zu einer Scanrichtung einer Projektionsbelichtungsanlage, bei der die Beleuchtungsoptik zum Einsatz kommen kann, ein erstes Beleuchtungssetting, also eine erste Beleuchtungswinkel-Charakteristik und am gegenüberliegenden Rand des Objektfeldes ein hiervon unterschiedliches zweites Beleuchtungssetting resultiert. Es können dann im Objektfeld angeordnete abzubildende Objekte, insbesondere Retikel mit zwischen diesen Feldrändern unterschiedlicher Gestalt der abzubildenden Strukturen mit hoher Genauigkeit und an die jeweilige Strukturgestalt angepassten Beleuchtungswinkeln abgebildet werden. Ein Beleuchtungssetting kann durch Beaufschlagung des Rastermoduls über das Spiegelarray mit einer bestimmten örtlichen Intensitätsverteilung erreicht werden. Dabei kann ein und die selbe Intensitätsverteilung der Beaufschlagung des Rastermoduls mit unterschiedlichen Eingangswinkel-Verteilungen der Beleuchtungslicht-Teilbündel auf dem Rastermodul, also mit unterschiedlichen vorgegebenen Verteilungen von Ist-Kippwinkeln der Einzelspiegel bzw. unterschiedlichen Zuordnungen der Ist-Kippwinkel zu den Einzelspiegeln, erzeugt werden, da über eine entsprechende Verkippung der Einzelspiegel ein Wechsel der Zuordnung der einzelnen Beleuchtungslicht-Teilbündel zu den Rasterelementen des Rastermoduls gewährleistet werden kann. Die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik kann sich die Abberationen sphärischer Oberflächen lichtführender Rasterlemente der Rasteranordnungen des Rastermoduls zunutze machen. Über die jeweils gewählte Eingangswinkel-Verteilung der Beleuchtungslicht-Teilbündel auf dem Rastermodul durch entsprechende Auswahl von Ist-Kippwinkelverteilungen der Einzelspiegel kann somit eine gewünschte Variation der Beleuchtungswinkel-Charakteristik über das Objektfeld erzeugt werden. Verglichen mit der Beleuchtungsoptik, die in der WO 2007/093433 A1 beschrieben ist, können stärkere Feldabhängigkeiten der optischen Wirkung der erfindungsgemäßen Beleuchtungsoptik auf die erzeugten Beleuchtungswinkel geschaffen werden. Bei der vorgegebenen Verteilung bzw. Soll-Verteilung von Ist-Kippwinkeln der Einzelspiegel, die über die Steuerung dem vorgegebenen Soll-Verlauf der Beleuchtungswinkel-Intensitätsverteilungen zugeordnet werden, handelt es sich um eine Verteilung von Kippwinkeln zu den Einzelspiegeln. Resultat dieser Soll-Verteilung ist also die Information für alle Einzelspiegel, welcher dieser Einzelspiegel welchen Kippwinkel einzunehmen hat. Gruppen der Einzelspiegel können dabei den gleichen Kippwinkel aufweisen. Bei entsprechender Symmetrie der Beleuchtung können derartige Gruppen auf Untereinheiten des Spiegelarrays untergebracht sein, die voneinander getrennt angeordnet sind.
Eine Anordnung des Rastermoduls nach Anspruch 2 vergrößert eine Abhängigkeit der Ausfallswinkel der Beleuchtungslicht-Teilbündel, ausgehend vom Rastermodul, von den jeweiligen Einfallswinkeln der Beleuchtungslicht-Teilbündel hin zum Rastermodul.
Die erste Rasteranordnung eines Rastermoduls nach Anspruch 3 kann Rasterelemente haben, die einander überlagernd in das Objektfeld abgebildet werden. Die zweite Rasteranordnung kann eine Ausfallswinkelverteilung der Beleuchtungslicht-Teilbündel herbeiführen, die einer Ortsverteilung auf dem Objektfeld direkt korreliert ist.
Ein Größenverhältnis eines Durchmessers des Beleuchtungslicht-Teilbündels zur gesamten Eintritts- oder Auftrefffläche des Rasterelements der zweiten Rasteranordnung nach Anspruch 4 führt zu entsprechend großen Freiheiten bei einer unterschiedlichen Bündelbeeinflussung der auf dieses Rasterelement an verschiedenen Orten auftreffenden Beleuchtungslicht-Teilbündel. Ein derartiges Größenverhältnis schafft die Möglichkeit einer starken feldabhängigen optischen Wirkung der Beleuchtungsoptik auf die erzeugten Beleuchtungswinkel.
Eine Ausgestaltung nach Anspruch 5 kann zum Konstanthalten insbesondere derjenigen Ausfallswinkel ausgelegt sein, die Feldränder des Objektfeldes definieren.
Ausgestaltungen nach den Ansprüchen 6 und 7 ermöglichen eine Vorgabe von Feldabhängigkeiten von Beleuchtungsintensitäten aus bestimmten Beleuchtungswinkeln.
Bei einer Gestaltung nach Anspruch 8 wird der vorgegebene Soll-Verlauf von Beleuchtungswinkel-Intensitätsverteilungen auf die zwei Dimensionen des Objektfeldes erweitert. Dies kann insbesondere dann genutzt werden, wenn das gesamte Objektfeld simultan, also nicht durch ein Scan-Verfahren abgebildet wird.
Die Vorteile eines Einstellverfahrens nach Anspruch 9 entsprechen denen, die vorstehend in Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden.
Herstellverfahren nach den Ansprüchen 10 und 11 ermöglichen eine an die jeweiligen Randbedingungen angepasste Ausnutzung der möglichen Abhängigkeiten zwischen den Einfallswinkeln und den Auftrefforten einerseits und den Ausfallswinkeln andererseits.
Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 12, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 14 und eines Bauelements nach Anspruch 15 entsprechen denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik sowie die erfindungsgemäßen Verfahren bereits erläutert wurden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
1 schematisch einen Meridionalschnitt durch ein erfindungsgemäßes Beleuchtungssystem innerhalb einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungsoptik mit einem Spiegelarray mit über eine Steuerung angesteuerten Kipp-Aktoren und einem Rastermodul mit einer zweistufigen Rasteranordnung;
2 einen Ausschnitt der Beleuchtungsoptik nach 1 mit einer Variante einer Führung von Beleuchtungslicht-Teilbündeln zwischen dem Spiegelarray und dem Rastermodul;
3 und 4 zwei Varianten einer Beleuchtung des Rastermoduls mit von Einzelspiegeln des Spiegelarrays abgelenkten Beleuchtungslicht-Teilbündeln, die zur gleichen Beleuchtungslicht-Intensitätsverteilung in einer Beleuchtungsebene des Rastermoduls führen, die mit einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik zusammenfallen kann;
5 schematisch jeweils die Feldabhängigkeit einer Beleuchtungslicht-Intensität aus vier ausgezeichneten Beleuchtungsrichtungen, dargestellt durch Intensitätsspots in der Pupillenebene;
6 vergrößert ein Rasterelement der ersten Rasteranordnung des Rastermoduls und ein zugehöriges Rasterelement der zweiten Rasteranordnung des Rastermoduls und einen Bündelverlauf des von diesen beiden Rasterelementen geführten Beleuchtungslicht-Teilbündels bei einem ersten Einfallswinkel des Beleuchtungslicht-Teilbündels auf das erste Rasterelement;
7 und 8 zur 6 ähnliche Darstellungen der beiden Rasterelemente und des Beleuchtungslicht-Teilbündels bei weiteren Einfallswinkeln des Beleuchtungslicht-Teilbündels auf das erste Rasterelement;
9 in einem Diagramm Isolinien für diejenigen Parameterpaare (Einfallswinkel des Beleuchtungslicht-Teilbündels auf dem zweiten Rasterelement; Auftreffort des Beleuchtungslicht-Teilbündels auf dem zweiten Rasterelement), die zu gleichen, die Feldränder definierenden Ausfallswinkeln der Beleuchtungslicht-Teilbündeln von dem zweiten Rasterelement führen;
10 ein zur 9 ähnliches Diagramm, welches zusätzlich eine Isolinie für das Parameterpaar (Einfallswinkel; Auftreffort) für einen die Feldmitte definierenden dritten Ausfallswinkel zeigt;
11 und 12 zur 10 ähnliche Diagramme, die unterschiedliche Verläufe der Isolinie für das Parameterpaar des die Feldmitte definierenden Ausfallswinkels zeigen;
13 ein Beispiel für einen Krümmungsverlauf einer Eingangsfläche eines Rasterelements der zweiten Rasteranordnung des Rastermoduls; und
14 bis 16 Abhängigkeiten einer Intensitätsverteilung in einer Objektebene der Beleuchtungsoptik von einer gegebenen Beleuchtung des Rastermoduls mit Beleuchtungslicht-Teilbündeln, wobei das Rastermodul eine zweite Rasteranordnung mit Rasterelementen mit gemäß 13 geformten Eingangsflächen aufweist.
1 zeigt schematisch eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage 1, die als Wafer-Scanner ausgeführt ist und bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen und anderen fein strukturierten Bauteilen eingesetzt wird. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 arbeitet zur Erzielung von Auflösungen bis zu Bruchteilen von Mikrometern mit Licht insbesondere aus dem tiefen Ultraviolettbereich (DUV oder VUV).
Zur Erleichterung der Darstellung von Lagebeziehungen ist in der Zeichnung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem wiedergegeben. Die x-Richtung verläuft in der 1 nach oben. Die y-Richtung verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene und aus dieser heraus. Die z-Richtung verläuft in der 1 nach rechts.
Eine Scanrichtung der Projektionsbelichtungsanlage 1 verläuft in der y-Richtung, also senkrecht zur Zeichenebene der 1. Im in der 1 dargestellten Meridionalschnitt ist die Mehrzahl der optischen Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 längs einer in z-Richtung verlaufenden optischen Achse 2 aufgereiht. Es versteht sich, dass auch andere Faltungen der optischen Achse 2 möglich sind als in der 1 gezeigt, insbesondere um die Projektionsbelichtungsanlage 1 kompakt zu gestalten.
Zur definierten Ausleuchtung eines Objekt- bzw. Beleuchtungsfeldes 3 in einer Objekt- oder Retikelebene 4, in der eine zu übertragende Struktur in Form eines nicht näher dargestellten Retikels angeordnet ist, dient ein insgesamt mit 5 bezeichnetes Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage 1. Das Beleuchtungssystem 5 umfasst eine primäre Lichtquelle 6 und eine Beleuchtungsoptik 7 mit den optischen Komponenten zur Führung von Beleuchtungs- bzw. Abbildungslicht 8 hin zum Objektfeld 3. Die primäre Lichtquelle 6 ist ein ArF-Laser mit einer Arbeitswellenlänge von 193 nm, dessen Beleuchtungslichtstrahl koaxial zur optischen Achse 2 ausgerichtet ist. Andere UV-Lichtquellen, beispielsweise ein F₂-Excimer-Laser mit 157 nm Arbeitswellenlänge, ein Krf-Excimer-Laser mit 248 nm Arbeitswellenlänge sowie primäre Lichtquellen mit größeren oder kleineren Arbeitswellenlängen sind ebenfalls möglich.
Ein von der Lichtquelle 6 kommender Strahl des Beleuchtungslichts 8 mit kleinem Rechteckquerschnitt trifft zunächst auf eine Strahlaufweitungsoptik 9, die einen austretenden Strahl des Beleuchtungslichts 8 mit weitgehend parallelem Licht und größerem Rechteckquerschnitt erzeugt. Die Strahlaufweitungsoptik 9 kann Elemente enthalten, die unerwünschte Auswirkungen der Kohärenz des Beleuchtungslichts 8 reduzieren. Das durch die Strahlaufweitungsoptik 7 weitgehend parallelisierte Beleuchtungslicht 8 trifft anschließend auf ein Mikrospiegelarray (Multi Mirror Array, MMA) 10 zur Erzeugung einer Beleuchtungslicht-Winkelverteilung. Das Mikrospiegelarray 10 hat eine Vielzahl von in einem xy-Raster angeordneten, rechteckigen Einzelspiegeln 11. Jeder der Einzelspiegel 11 ist mit einem zugehörigen Kipp-Aktor 12 verbunden. Jeder der Kipp-Aktoren 12 ist über eine Steuerleitung 13 mit einer Steuerung 14 zur Ansteuerung der Aktoren 12 verbunden. Über die Steuerung 14 können die Aktoren 12 unabhängig voneinander angesteuert werden. Jeder der Aktoren 12 kann einen vorgegebenen x-Kippwinkel (Kippung in der xz-Ebene) und unabhängig hiervon einen y-Kippwinkel (Kippung in der yz-Ebene) des Einzelspiegels 11 einstellen, sodass ein Ausfallswinkel AS_x eines vom zugehörigen Einzelspiegel 11 reflektierten Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 in der xz-Ebene und entsprechend ein in der Zeichnung nicht dargestellter Ausfallswinkel AS_y in der yz-Ebene vorgegeben werden kann.
Die durch das MMA 10 erzeugte Winkelverteilung von Ausfallswinkeln AS der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 wird beim Durchtritt durch eine Fourier-Linsenanordnung bzw. einen Kondensor 16, der im Abstand seiner Brennweite vom MMA 10 positioniert ist, in eine zweidimensionale, also senkrecht zur optischen Achse 2 ortsabhängige Beleuchtungslicht-Intensitätsverteilung umgewandelt. Die so erzeugte Intensitätsverteilung ist daher in einer ersten Beleuchtungsebene 17 des Beleuchtungssystems 5 vorhanden. Zusammen mit der Fourier-Linsenanordnung 16 stellt das MMA 10 also eine Lichtverteilungseinrichtung zur Erzeugung einer zweidimensionalen Beleuchtungslicht-Intensitätsverteilung dar.
Im Bereich der ersten Beleuchtungsebene 17 ist eine erste Rasteranordnung 18 eines Rastermoduls 19 angeordnet, das auch als Wabenkondensor bezeichnet wird. Einfallswinkel ER_x in der xz-Ebene (vgl. 1) und ER_y in der yz-Ebene (nicht in der Zeichnung dargestellt) des Beleuchtungslichts 8 auf das Rastermodul 19 sind den Ausfallswinkeln AS_x (vgl. 1), AS_y, (nicht in der Zeichnung dargestellt) der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 vom MMA 10 und/oder dem Ort, von dem das jeweilige Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 vom MMA 10 ausgeht, also dem jeweiligen Einzelspiegel 11, korreliert. Diese Korrelation wird durch die Fourier-Linsenanordnung 16 vorgegeben. Bei Verwendung einer Fourier-Linsenanordnung 16, also nicht eines Kondensors, sind die Auftrefforte der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf die erste Rasteranordnung 18 den Ausfallswinkeln AS_x, AS_y der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 vom MMA 10 direkt korreliert, da auf die Rasteranordnung 18 sind den Ausfallwinkeln AS_x und AS_y, da die Fourier-Linsenanordnung 16 näherungsweise zu einer Umsetzung von Winkeln in Ortskoordinaten führt. Sowohl bei der Verwendung einer Fourier-Linsenanordnung 16 als auch bei Verwendung eines Kondensors 16 sind die Einfallswinkel ER_x, ER_y der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf das Rastermodul 19 direkt mit den Positionen der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf dem MMA 10, also mit dem Einzelspiegel 11, von dem das jeweilige Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 ausgeht, korreliert, da sowohl die Verwendung einer Fourier-Linsenanordnung 16 als auch die Verwendung eines Kondensors 16 zu einer Umsetzung von Ortskoordinaten in Winkel führt.
Das Rastermodul 19 dient zur Erzeugung einer räumlich verteilten Anordnung von sekundären Lichtquellen, also von Bildern der primären Lichtquelle 6, und damit zur Erzeugung einer definierten Beleuchtungswinkelverteilung des aus dem Rastermodul 19 austretenden Beleuchtungslichts.
In einer weiteren Beleuchtungsebene 20 ist eine zweite Rasteranordnung 21 angeordnet. Die Beleuchtungsebene 17 steht in oder in der Nähe einer vorderen Brennebene von Einzelelementen der zweiten Rasteranordnung 21. Die beiden Rasteranordnungen 18, 21 stellen einen Wabenkondensor der Beleuchtungsoptik 7 dar. Die weitere Beleuchtungsebene 20 ist eine Pupillenebene des Beleuchtungssystems 5 oder ist einer Pupillenebene des Beleuchtungssystems 5 benachbart. Das Rastermodul 19 wird daher auch als felddefinierendes Element (Field Defining Element, FDE) bezeichnet.
Ausfallswinkel AR_x in der xz-Ebene (vgl. 1) und AR_y in der yz-Ebene (nicht in der Zeichnung dargestellt), unter denen die Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 die zweite Rasteranordnung 21 verlassen, sind einem Ortsbereich im Objektfeld 3, auf dem das jeweilige Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf das Objektfeld 3 trifft, eindeutig zugeordnet.
Dem Rastermodul 19 nachgeordnet ist ein weiterer Kondensor 22, der auch als Feldlinse bezeichnet wird. Zusammen mit der zweiten Rasteranordnung 21 bildet der Kondensor 22 die erste Beleuchtungsebene 17 in eine Feld-Zwischenebene 23 des Beleuchtungssystems 5 ab. In der Feld-Zwischenebene 23 kann ein Retikel-Masking-System (REMA) 24 angeordnet sein, welches als verstellbare Abschattungsblende zur Erzeugung eines scharfen Randes der Beleuchtungslicht-Intensitätsverteilung dient. Ein nachfolgendes Objektiv 25 bildet die Feld-Zwischenebene 23 auf das Retikel, das heißt die Lithographievorlage ab, das sich in der Retikelebene 4 befindet. Mit einem Projektionsobjektiv 26 wird die Retikelebene 4 auf eine Wafer- oder Bildebene 27 auf den in der 1 nicht dargestellten Wafer abgebildet, der intermittierend oder kontinuierlich in der Scan-Richtung (y) verschoben wird.
Die erste Rasteranordnung 18 weist einzelne erste Rasterelemente 28 auf, die spalten- und zeilenweise in der xy-Ebene angeordnet sind. Die ersten Rasterelemente 28 haben eine rechteckige Apertur mit einem x/y-Aspektverhältnis von beispielsweise 1/1. Auch andere, insbesondere größere x/y-Aspektverhältnisse der ersten Rasterelemente 28, zum Beispiel 2/1, sind möglich.
Der Meridionalschnitt nach 1 geht entlang einer Rasterspalte. Die ersten Rasterelemente 28 sind als Mikrolinsen, z. B. mit positiver Brechkraft, ausgebildet. Die ersten Rastelemente 28 sind in einem ihrer Rechteckform entsprechenden Raster direkt aneinander angrenzend, das heißt im Wesentlichen flächenfüllend, angeordnet. Die ersten Rastelemente 28 werden auch als Feldwaben bezeichnet.
Der Rasteraufbau und die Funktion des Rastermoduls 19 entsprechen grundsätzlich dem, was in der WO 2007/093433 A1 beschrieben ist.
2 verdeutlicht einen Verlauf zweier Beleuchtungslicht-Teilbündel 151 und 152 vom MMA 10 bis zur zweiten Rasteranordnung 21 des Rastermoduls 19. Dargestellt ist immer ein mittlerer Einfalls- bzw. Ausfallswinkel des jeweiligen Beleuchtungslicht-Teilbündels 15. Dargestellt sind in der 2 beispielhafte Ausfallswinkel AS_x zweier Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 vom MMA 10, ein Einfallswinkel ER_x eines der beiden Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf die zweite Rasteranordnung 21 (der entsprechende mittlere Einfallswinkel des anderen Beleuchtungslicht-Teilbündels ist Null) sowie Ausfallswinkel AR_x der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 aus dem Rastermodul 19.
In der 2 ist vereinfacht keine brechende Wirkung der Fourier-Linsenanordnung 16 dargestellt. Tatsächlich liegt eine solche brechende Wirkung vor, sodass ein Ausfallswinkel AS_x der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 vom MMA 10 nicht mit dem jeweiligen Einfallswinkel ER_x der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf die erste Rasteranordnung 18 übereinstimmt. Über die brechende Wirkung der Fourier-Linsenanordnung 16 ist eine Korrelation des Ausfallswinkel AS_x des jeweiligen Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 aus dem MMA 10 und des Orts, von dem das jeweilige Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 vom MMA 10 ausgeht, zum Einfallswinkel ER_x des gleichen Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 auf die erste Rasteranordnung 18 gegeben.
Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die bereits erläuterten Figuren diskutiert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen beschrieben.
Das in der 2 oben dargestellte Beleuchtungslicht-Teilbündel 151 wird vom in der 2 ganz oben dargestellten Einzelspiegel 111 des MMA 10 unter einem Ausfallswinkel AS_x1 hin über die Fourier-Linsenanordnung bzw. den Kondensator 16 zum als zweites von oben dargestellten ersten Rasterelements 28 der ersten Rasteranordnung 18 des Rastermoduls 19 geführt. Das Beleuchtungslicht-Teilbündel 151 trifft unter einem Einfallswinkel auf die erste Rasteranordnung 18 auf, der nur in der die brechende Wirkung der Fourier-Linsenanordnung 16 vernachlässigenden Darstellung der 2 dem Ausfallswinkel AS_x1 gleich ist. Nach Durchtritt durch dieses erste Rasterelement 28 trifft das Beleuchtungslicht-Teilbündel 151 auf einen ersten Ortsbereich 29 eines zweiten Rasterelements 30 der zweiten Rasteranordnung 21. Dieser erste Ortsbereich 29 entspricht dem Durchmesser des auf das zweite Rasterelement 30 auftreffenden Beleuchtungslicht-Teilbündels 151 und gibt einen ersten Auftreffort für Beleuchtungslicht auf dem zweiten Rasterelement 30 vor.
Die beiden über den Lichtweg des Beleuchtungslicht-Teilbündels 151 einander zugeordneten Rasterelemente 28, 30 einerseits der ersten Rasteranordnung 18 und andererseits der zweiten Rasteranordnung 21 geben einen Beleuchtungs-Lichtkanal vor.
Beim realen Rastermodul 19 liegt eine wesentlich höhere Anzahl von Kanälen vor als in der Zeichnung dargestellt, z. B. einige Hundert, einige Tausend oder sogar einige Zehntausend derartiger Kanäle. Im Lichtweg hinter den ersten Rasterelementen 28 der ersten Rastanordnung 18 sind, jeweils den Kanälen zugeordnet, die zweiten Rastelemente 30 der zweiten Rasteranordnung 21 angeordnet. Die zweiten Rastelemente 30 sind ebenfalls als Mikrolinsen mit insbesondere positiver Brechkraft ausgebildet. Die zweiten Rastelemente 30 werden auch als Pupillenwaben bezeichnet, die in der zweiten Beleuchtungsebene 20, also in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 7 angeordnet sind. Die zweite Beleuchtungsebene 20 ist konjugiert zu einer Pupillenebene 31 des Projektionsobjektivs 26. Die zweiten Rastelemente 30 bilden zusammen mit der Feldlinse 22 die in der zweiten Beleuchtungsebene 17 angeordneten ersten Rastelemente 28, also die Feldwaben, in die Feld-Zwischenebene 23 ab. Hierbei werden die Bilder der ersten Rastelemente 28 in der Feld-Zwischenebene 23 überlagert.
Die 1 zeigt die Rasterelemente 28, 30 schematisch als plankonvexe Linsen. In weiteren Figuren der Zeichnung sind die Rasterelemente 28, 30 auch als bikonvexe Linsen schematisch dargestellt.
Das zweite in der 2 dargestellte Beleuchtungslicht-Teilbündel 152 wird vom als zweiten von unten dargestellten Einzelspiegel 112 des MMA 10 zum selben ersten Rasterelement 28 geführt wie das erste in der 2 dargestellte Beleuchtungslicht-Teilbündel 151. Ein Ausfallswinkel AS_x2 des Beleuchtungslicht-Teilbündels 152 vom Einzelspiegel 112 hat in der die brechende Wirkung der Fourier-Linsenanordnung 16 vernachlässigenden Darstellung nach 2 das umgekehrte Vorzeichen wie der Ausfallswinkel AS_x1 des Beleuchtungs-Teilbündels 151.
Unter Berücksichtigung der brechenden Wirkung der Fourier-Linsenanordnung 16 kann der Ausfallswinkel AS_x2 des Beleuchtungslicht-Teilbündels 152 vom Einzelspiegel 112 näherungsweise identisch zum Ausfallswinkel AS_x1 des Beleuchtungslicht-Teilbündels 151 sein, wenn diese dasselbe Rasterelement 28 der ersten Rasteranordnung 18 beaufschlagen. Aufgrund der Tatsache, dass die Beleuchtungslicht-Teilbündel 151, 152 von unterschiedlichen Orten vom MMA 10, also von unterschiedlichen Einzelspiegeln 11, ausgehen und damit an unterschiedlichen Orten auf die Fourier-Linsenanordnung 16 auftreffen, ergibt sich dann trotzdem ein Unterschied zwischen den beiden Einfallswinkel der Beleuchtungslicht-Teilbündel 151, 152 auf der ersten Rasteranordnung 18. Diese Situation, bei der gleiche Einfallswinkel verschiedener Beleuchtungslicht-Teilbündel 151, 152 auf die Fourier-Linsenanordnung 16 in unterschiedliche Ausfallswinkel übersetzt werden, ist, wie bereits erwähnt, in der 2 nicht dargestellt.
Nach Durchtritt durch das erste Rasterelement 28 trifft das zweite Beleuchtungslicht-Teilbündel 152 auf einen zweiten Ortsbereich 29' desselben zweiten Rasterelements 30 auf wie das erste Beleuchtungslicht-Teilbündel 151. Der zweite Ortsbereich 29' gibt einen Auftreffort des zweiten Beleuchtungslicht-Teilbündels 152 auf dieses zweite Rasterelement 30 vor. Die beiden Ortsbereiche 29 und 29', in denen die beiden Beleuchtungslicht-Teilbündel 151, 152 auf das zweite Rasterelement 30 auftreffen, sind bei der dargestellten Ausführung voneinander räumlich getrennt. Alternative Ausführungen sind möglich, bei denen die Ortsbereiche 29, 29', in denen die beiden Beleuchtungslicht-Teilbündel 151, 152 auf das zweite Rasterelement 30 auftreffen, einander teilweise überlappen.
2 veranschaulicht zwei alternativ mögliche Wirkungen der zweiten Rasteranordnung 21 und des zweiten Rasterelements 30: Bei einer ersten, in der 2 durchgezogen dargestellten Bündelführung resultiert für beide aus dem zweiten Rasterelement 30 austretende Beleuchtungslicht-Teilbündel 151, 152 ein gleicher Ausfallswinkel AR_x1, AR_x2. In diesem Falle ist der Ausfallswinkel AR_x unabhängig vom Auftreffort 29 bzw. 29' des jeweiligen Beleuchtungslicht-Teilbündels auf das zweite Rasterelement 30. Bei einer strichpunktiert in der 2 dargestellten alternativen optischen Wirkung der zweiten Rasteranordnung 21 ist der Ausfallswinkel AR_x2 für das Beleuchtungslicht-Teilbündel 152 kleiner als der Ausfallswinkel AR_x1 für das Beleuchtungslicht-Teilbündel 151. In diesem Fall hängt der Ausfallswinkel AR_x also vom Auftreffort 29 auf das zweite Rasterelement 30 ab. Entsprechend kann der Ausfallswinkel AR_x auch von einem Einfallswinkel ER_x des jeweiligen Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 auf das zweite Rasterelement 30 der zweiten Rasteranordnung 21 abhängen. Dieser Einfallswinkel ER_x ist in der 2 beispielhaft für das Beleuchtungslicht-Teilbündel 112 dargestellt. Eine entsprechende Abhängigkeit liegt zwischen dem Einfallswinkel ER_x des jeweiligen Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 auf das erste Rasterelement 28 der ersten Rasteranordnung 18 und dem Ausfallswinkel AR_x vor. Oftmals sind die zweiten Rasterelemente 30 so ausgeführt, dass der Ausfallswinkel AR_x von einer Kombination aus dem Einfallswinkel ER_x und dem Auftreffort 29 auf dem zweiten Rasterelement 30 abhängt.
Der Auftreffort bzw. Ortsbereich 29 (bzw. 29', vgl. 2) wird nachfolgend auch als AO bezeichnet.
Die Flächengestaltung einer Eintrittsfläche 33 und/oder einer Austrittsfläche 34 der zweiten Rasterelemente 30 der zweiten Rasteranordnung 21 des Rastermoduls 19 kann so gestaltet sein, dass für bestimmte Ausfallswinkel AR_x dieser Ausfallswinkel für bestimmte Kombinationen aus dem Auftreffort des Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 auf das zweite Rasterelement 30 und dem Einfallswinkel ER_x des Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 auf dieses zweite Rasterelement 30 identisch ist, während wiederum für andere Austrittswinkel AR_x abhängig vom Auftreffort und/oder vom Einfallswinkel ER_x ist. Dies kann dazu benutzt werden, einerseits die Feldränder des Objektfeldes 3 scharf zu definieren und andererseits eine Intensitätsverteilung aus bestimmten Beleuchtungsrichtungen auf das Objektfeld 3 vorzugeben, wie nachfolgend noch erläutert wird.
Die Eingangsflächen 33 und/oder die Ausgangsflächen 34 der Rasterelemente 30 können sphärisch, asphärisch und insbesondere konisch gestaltet werden.
Die Steuerung 14 ist so ausgeführt, dass einem vorgegebenen Soll-Verlauf von Beleuchtungswinkel-Intensitätsverteilungen, mit denen Objektfeldpunkte über das Objektfeld 3 beaufschlagt werden, eine vorgegebene Verteilung von Ist-Kippwinkeln der Einzelspiegel 11 des MMA 10 und resultierend eine vorgegebene Verteilung von Ist-Einfallswinkel ER_x, ER_Y der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf den ersten Rasterelementen 28 zugeordnet ist.
Dies wird nachfolgend anhand der 3 und 4 näher erläutert. Dort ist das MMA 10 mit Einzelspiegeln 11 dargestellt, die nebeneinander unter einem von Null verschiedenen Winkel zur x-Achse angeordnet sind. Ansonsten entspricht das MMA 10 nach den 3 und 4 dem MMA 10 nach 1. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die bereits erläuterten Figuren diskutiert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen beschrieben.
In den schematischen 3 und 4 ist die Fourier-Linsenanordnung bzw. der Kondensor 16 zwischen dem MMA 10 und dem Rastermodul 19 weggelassen. Entsprechend dem, was vorstehend im Zusammenhang mit der 2 erläutert wurde, ist auch keine brechende Wirkung dieser Fourier-Linsenanordnung 16 in den schematischen 3 und 4 eingezeichnet. Für diese brechende Wirkung gilt, was vorstehend im Zusammenhang mit der 2 erläutert wurde. In der Realität ist es also nicht so, dass die Ausfallswinkel der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 vom MMA 10 mit den Einfallswinkeln der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf das Rastermodul 19 übereinstimmen.
Alternative Beleuchtungen für das Rastermodul 19, die in den 3 und 4 dargestellt sind, erzeugen in der zweiten Beleuchtungsebene 20 eine Quadrupol-Intensitätsverteilung. In der Pupillenebene 31 werden also vier Pupillen- bzw. Intensitätsspots I₁ bis I₄ beleuchtet, die in der 5 dargestellt sind und beginnend mit dem zu oberst dargestellten Intensitätsspot I₁ entgegen dem Uhrzeigersinn durchnummeriert sind.
3 zeigt eine erste Verteilung von Ist-Kippwinkeln der Einzelspiegel, die zu einer entsprechenden Verteilung von Ist-Einfallswinkeln ER_x der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf die ersten Rasterelemente 28 der ersten Rasteranordnung 18 des Rastermoduls 19 führt.
Die Ist-Kippwinkelverteilung nach 3 führt zu minimalen Einfallswinkeln ER_x, ER_y der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf den ersten Rasterelementen 28 des Rastermoduls 19 und führt im Ergebnis dazu, dass überall im Objektfeld 3, also feldunabhängig, die vier Beleuchtungsrichtungen, die den Intensitätsspots I₁ bis I₄ entsprechen, mit gleicher Intensität des Beleuchtungslichts vertreten sind.
4 zeigt eine Variante einer Verteilung von Ist-Kippwinkeln der Einzelspiegel 11 des MMA 10, die ebenfalls zum Quadrupol-Beleuchtungssetting mit den vier Intensitätsspots (Pole) I₁ bis I₄ nach 5 führt, allerdings mit einer anderen Verteilung von Ist-Einfallwinkeln ER_x, ER_y der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf den ersten Rasterelementen 28 des Rastermoduls 19. Die Ist-Kippwinkelverteilung nach 4 ist so, dass im Vergleich zur 3 wesentlich größere Einfallswinkel ER_x, ER_y resultieren. Die mit dem Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 bei der Beleuchtung nach den 3 und 4 beaufschlagten Rasterelemente 28, 30 sind so ausgeführt, dass die Vergrößerung des Einfallswinkels bei der Ist-Einfallswinkelverteilung nach 4 zu einem Kipp der Beleuchtungswinkel-Intensitäten I(x) aus Richtung der vier Intensitätsspots I₁ bis I₄ über das Objektfeld 3 führen kann. Der diesem Kipp zugrunde liegende Effekt ist erläutert in der WO 2007/093433 A1 , wo dieser Kipp über eine zusätzliche Beleuchtungswinkel-Variationseinrichtung des Rastermoduls, also nicht über ein MMA, erzeugt wurde. Ein aufgrund der Ist-Einfallswinkelverteilung nach 4 resultierender Ist-Verlauf von Beleuchtungswinkel-Intensitäts-verteilungen, mit denen Objektfeldpunkte über das Objektfeld beaufschlagt werden, ist in der 5 für die vier Beleuchtungsrichtungen I₁ bis I₄ des dortigen Quadrupol-Beleuchtungssettings dargestellt. In der 4 ist nur ein Teil der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 eingezeichnet, die zu der Feldabhängigkeit nach 5 führen. Das in 5 oben dargestellte I(x)-Diagramm zeigt die Abhängigkeit einer Intensität aus Richtung des I₁-Pols über die Feldkoordinate x. Der Kipp ist so eingestellt, dass die Intensität vom linken Feldrand (x = 0) bis zum rechten Feldrand (x = x₀) linear abfällt.
In der 5 ist links die entsprechende Feldabhängigkeit der Beleuchtungsintensität aus Richtung des Pols I₂ dargestellt. Die I₂-Intensität steigt, ausgehend vom linken Feldrand, hin zum rechten Feldrand linear an.
In der 5 unten ist die I(x)-Abhängigkeit für den I₃-Pol dargestellt. Die Intensität I₃(x) aus Richtung des I₃-Pols ist unabhängig in Bezug auf die Feldkoordinate x.
In der 5 rechts ist die I_X Abhängigkeit für die Beleuchtungsintensität aus Richtung des I₄-Pols dargestellt. Die Beleuchtungsintensität I₄(x) aus Richtung des I₄-Pols steigt ausgehend vom linken Feldrand hin zum rechten Feldrand mit einer im Vergleich zur Steigung der Abhängigkeit I₂(x) geringeren Steigung an.
Je nach Auslegung der brechenden Wirkungen der ersten Rasterelemente 28 und der zweiten Rasterelemente 30 kann eine große Bandbreite anderer Soll-Verläufe von Beleuchtungswinkel-Intensitätsverteilungen, mit denen Objektfeldpunkte über das Objektfeld beaufschlagt werden, vorgegeben werden. Zu dem vorgegebenen Soll-Verlauf wird bei der Einstellung der Beleuchtungsoptik 7 zur Vorbereitung des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage 1 dann zunächst eine Soll-Verteilung von Einfallswinkeln ER_x, ER_y der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf den Rasterelementen 28 des Rastermoduls 19 ermittelt. Dieser ermittelten Soll-Einfallswinkelverteilung wird dann eine Verteilung von Soll-Kippwinkeln der Einzelspiegel 11 zugeordnet. Für jeden Einzelspiegel 11 wird also ein Soll-Kippwinkel vorgegeben. Schließlich werden die Kipp-Aktoren 12 der Einzelspiegel 11 so angesteuert, dass die Ist-Kippwinkel der Einzelspiegel 11 mit den zugeordneten Soll-Kippwinkeln übereinstimmen.
Ein Grad der Abhängigkeit des Soll-Verlaufs I(x) der Beleuchtungswinkel-Intensitätsverteilungen, mit denen die Objektfeldpunkte über das Objektfeld 3 beaufschlagt werden, von der Verteilung von Ist-Einfallswinkeln ER_x, ER_y der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf den ersten Rasterelementen 28 bzw. ER_x, ER_y auf den zweiten Rasterelementen 30 kann durch die Lagebeziehung der beiden Rasteranordnungen 18, 21 des Rastermoduls 19 zur mindestens einen Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 7 beeinflusst werden. Je nachdem, ob beispielsweise die zweite Beleuchtungsebene 20 mit einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 7 zusammenfällt oder ob ein definierter Abstand zwischen der zweiten Beleuchtungsebene 20 und der Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 7 vorliegt, kann eine schwächere oder stärkere Abhängigkeit des Soll-Verlaufs von Beleuchtungswinkel-Intensitätsverteilungen von dem Ist-Einfallswinkel ER_x resultieren.
Je nach Vorgabe einer Ist-Kippwinkel-Verteilung der Einzelspiegel 11 des MMA 10 können vorgegebene Intensitätsverteilungen der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf dem Rastermodul 19 und entsprechend vorgegebene Intensitätsverteilungen in der Pupillenebene 31 resultieren. Ein weiteres Beispiel in Ergänzung zur vorstehend im Zusammenhang mit den 3 bis 5 erläuterten Quadrupol-Intensitätsverteilung ist eine Dipol-Intensitätsverteilung, bei der in der Pupillenebene 31 zwei Pupillen- bzw. Intensitätsspots beleuchtet werden, deren Position derjenigen der Intensitätsspots I₁ und I₃ in der Darstellung nach 5 entsprechen kann.
Anhand der 6 bis 8 werden nachfolgend im Detail die Verhältnisse bei der Führung eines Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 mit den beiden einem Lichtkanal zugeordneten Rasterelementen 28, 30 der Rasteranordnungen 18, 21 des Rastermoduls 19 erläutert. In den 6 bis 8 sind die Rasterelemente 28, 30 wiederum als Plankonvexlinsen dargestellt. Es kann sich hier genauso um Bikonvexlinsen handeln.
Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die bereits erläuterten Figuren diskutiert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen beschrieben.
Bei der Führung des Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 nach 6 trifft dieses mit einem Einfallswinkel ER_x = 0 auf das zweite Rasterelement 30. In der dargestellten xz-Ebene ist der zwischen den Rasterelementen 28 und 30 fokussierte Verlauf des Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 symmetrisch zur z-Achse. Der Ortsbereich 29, also der Durchmesser des Beleuchtungslicht-Teilbündels 15, ist kleiner als eine Hälfte 35 der gesamten Eintrittsfläche 33 des zweiten Rasterelements 30. Auch ein anderes Flächen-Größenverhältnis zwischen dem Ortsbereich 29 und der gesamten Eintrittsfläche 33 ist möglich.
7 zeigt eine Variante einer Führung des Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 mit einem Einfallswinkel ER_x auf das zweite Rasterelement 30 in der Größenordnung von 15°. Der Auftreffort 29 des Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 liegt bei der Bündelführung nach 7 vollständig in einer oberhalb der z-Achse, also einer Symmetrieachse der Rasterelemente 28, 30, gelegenen Halbebene.
8 zeigt eine weitere Variante einer Bündelführung des Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 mit einem Einfallswinkel ER_x auf das zweite Rasterelement 30 mit im Vergleich zur Situation nach 7 umgekehrtem Vorzeichen, aber gleicher absoluter Größe. Der Auftreffort 29 des Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 auf die Eintrittsfläche 33 des zweiten Rasterelements 30 liegt bei der Bündelführung nach 8 komplett in der unterhalb der z-Achse gelegenen Halbebene.
Im Vergleich der Bündelführungen nach den 7 und 8 sind die dortigen Auftrefforte 29, also die Durchmesser des Beleuchtungs-Teilbündels 15, das auf das zweite Rasterelement 30 trifft, vollständig getrennt voneinander. Durch geeignete Gestaltung der Eintrittsfläche 33 des zweiten Rasterelements 30 kann daher eine Charakteristik einer Abhängigkeit des Ausfallwinkels AR_x des Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 von dem zweiten Rasterelement 30 vom Einfallswinkel ER_x, der in den 6 bis 8 dargestellt ist, beeinflusst werden.
9 zeigt schematisch eine Abhängigkeit von Ausfallswinkeln AR_x, ausgehend vom Rastermodul 19, einerseits vom Einfallswinkel ER_x auf das jeweilige zweite Rasterelement 30 und andererseits vom Auftreffort AO des jeweiligen Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 auf das zweite Rasterelement 30. Beleuchtungslicht-Teilbündel 15, die durch jeweils einen Rand des ersten Rasterelements 28 gehen, bilden jeweils eine Gerade in der 9. Die Ränder des ersten Rasterelements 28 werden auf die Feldränder des Objektfelds 3 abgebildet. Es ergeben sich daher in der 9 Isolinien zweier Ausfallswinkel AR_xr1 und AR_xr2, die die beiden gegenüberliegenden x-Feldränder des Objektfeldes 3 definieren. Für ein gegebenes Parameterpaar (ER_x; AO) ergibt sich jeweils der eine Feldrand-Ausfallswinkel AR_xr1 und für einen anderen linearen Verlauf von Parameterpaaren (ER_x; AO) ergibt sich der andere Feldrand-Ausfallswinkel AR_xr2. Dieser Verlauf der Parameterpaare wird auch als Isolinien 36, 37 für die Feldrand-Ausfallswinkel AR_xr1, AR_xr2 bezeichnet.
Soweit die Parameterpaar-Bedingung gemäß den Isolinien 36, 37 nach 9 eingehalten wird, resultiert also immer der gleiche Ausfallswinkel AR_xr½ sodass die Feldränder des Objektfeldes 3 in der x-Richtung, also der in x-Richtung linke und der in x-Richtung rechte Feldrand des Objektfelds 3, scharf definiert bleiben. In der Praxis müssen die Parameterpaar-Abhängigkeiten nicht linear verlaufen, wie in der 9 dargestellt, sondern können auch einen anderen Verlauf haben. Der in der 9 dargestellte lineare Verlauf kann zu einer homogenen Ausleuchtung des Objektfeldes an den Feldrändern führen.
10 zeigt eine 9 entsprechende Darstellung, wobei zusätzlich zu den Isolinien 36, 37 für die beiden Feldrand-Ausfallwinkel noch eine dritte Isolinie 38 für einen eine Objektfeldmitte in x-Richtung definierenden dritten Ausfallswinkel AR_xm dargestellt ist. Die Isolinie 38 verläuft äquidistant zwischen den beiden Isolinien 36 und 37, was zu einer homogenen Ausleuchtung des Objektfeldes 3 mit dem Beleuchtungslicht 8 führt.
11 zeigt eine Variante des Verlaufs der Isolinie 38 für den die Objektfeldmitte in x-Richtung definierenden Ausfallswinkel AR_xm. Am in der 11 linken Rand der Auftrefforte AO liegen die Einfallswinkel ER_x für die Isolinien 37 und 38 dicht beieinander. Dies bedeutet, dass hinsichtlich des Auftrefforts auf das jeweilige zweite Rasterelement 30 nahe dem Einfallswinkel ER_x, der zum Ausfallswinkel AR_xr2 für beispielsweise den linken Rand des Objektfeldes 3 in der x-Richtung führt, schon der Einfallswinkel ER_xm liegt, der zum Ausfallswinkel AR_xm für die Objektfeldmitte führt. Diese „linke” Hälfte des Objektfeldes 3 wird, eine homogene Verteilung von Einfallwinkeln ER_x auf die zweiten Rasterelemente 30 vorausgesetzt, also mit geringerer Intensität ausgeleuchtet als die rechte Objektfeldhälfte. Umgekehrt sind die Verhältnisse am in der 11 rechten Rand der Auftrefforte AO, wo die beiden Isolinien 36 und 38 sich einander annähern. Soweit dieser Bereich der Auftrefforte AO genutzt wird, wird dann die andere Objektfeldhälfte mit geringerer Intensität ausgeleuchtet.
12 zeigt beispielhaft eine weitere Verlaufsmöglichkeit der Isolinie 38 für den die Objektfeldmitte definierenden Ausfallswinkel AR_xm. Im Bereich mittlerer Auftrefforte AO und Eingangswinkel ER_x wechselt die Isolinie 38 von einem zur Isolinie 37 benachbarten Verlauf hin zu einem zur Isolinie 36 benachbarten Verlauf. Entsprechend abrupter ist der Übergang zwischen einer stärkeren Ausleuchtung der linken Objektfeldhälfte hin zu einer stärkeren Ausleuchtung der rechten Objektfeldhälfte je nach dem jeweils genutzten Bereich der Auftrefforte. Die Situation nach 12 stellt angenähert einen Grenzfall dar, also eine Anordnung, bei der der Flächenbereich 29 auf einer Hälfte der Eintrittsfläche 33 des Rasterelements 30 eine Hälfte des Objekt- bzw. Beleuchtungsfelds 3 beleuchtet und der (vgl. 6 und 7) hierzu gegenüberliegende Flächenbereich 29 auf der anderen Hälfte der Eintrittsfläche 33 des Rasterelements 30 die andere Hälfte des Objekt- bzw. Beleuchtungsfelds 3 beleuchtet.
13 zeigt ein Beispiel für die Strukturierung der Eintrittsfläche 33 eines der zweiten Rasterelemente 30, um den vorstehend angesprochenen Grenzfall zu erreichen. Einem sphärischen oder hinsichtlich der Abhängigkeit vom Abstand zur optischen Achse asphärischen Grundverlauf 39 der Eintrittsfläche 33, der in der 13 gestrichelt dargestellt ist, ist ein konischer Beitrag 40 überlagert, sodass die Eintrittsfläche 33 mittig nach Art eine Dachkante überhöht ist. Der Ort dieser Überhöhung ist in der 13 mit K verdeutlicht. Die Überhöhung K kann absolut so gewählt werden, dass durch das die Überhöhung K aufweisende Rasterelement 30 das einfallende Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 um eine halbe Breite des Objektfelds 3 in x-Richtung abgelenkt wird, wie nachfolgend anhand der 14 bis 16 noch erläutert wird.
Anhand der 14 bis 16 wird die Wirkung eines Rastermoduls 19 mit einer zweiten Rasteranordnung 21 mit zweiten Rasterelementen 30 verdeutlicht, deren Eintrittsflächen 33 entsprechend der Gestaltung nach 13 geformt sind. In den 14 bis 16 sind die Rasterelemente 28, 30 wiederum als Bikonvexlinsen dargestellt. Das MMA 10 ist in zwei Teile zerteilt dargestellt, die voneinander getrennt sind. Jedes dieser Teile kann eine Mehrzahl von individuell gegeneinander verkippbaren Einzelspiegeln 11 aufweisen. Auch eine Unterteilung des MMA 10 in eine größere Anzahl von Teilen mit jeweils einer Mehrzahl von Einzelspiegeln 11 ist möglich.
Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die bereits erläuterten Figuren diskutiert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen beschrieben.
14 zeigt eine Beleuchtung des Rastermoduls 19 in der xz-Ebene aus Einfallsrichtungen mit ersten Einfallswinkeln ER_xI. In der Darstellung nach 14, bei der das MMA 10 über dem Rastermodul 19 dargestellt ist, erfolgt diese Beleuchtung schräg von links oben. Aufgrund der konischen Gestaltung der Eintrittsfläche 33 des beleuchteten zweiten Rasterelements 30 gemäß 13 ergibt sich eine Verschiebung des vom Rastermodul 19 geführten Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 im Objektfeld 3 hin zu positiven x-Werten, was im I(x)-Diagramm der 14, unten, dargestellt ist. Bei der Beleuchtung nach 14 sieht also nur die rechte Objektfeldhälfte Licht aus Richtung des Pupillenspots, der den beleuchteten Rasterelementen 28, 30 entspricht.
15 zeigt die Beleuchtung des gleichen zweiten Rasterelements 30, nun aber mit einem Einfallswinkel ER_xII mit umgekehrtem Vorzeichen, in der Anordnung nach 15 also schräg von rechts oben. Es resultiert eine Verschiebung des so geführten Beleuchtungslicht-Teilbündels 15 im Objektfeld 3 in negativer x-Richtung, wie im I(x)-Diagramm der 15 unten dargestellt. Bei der Beleuchtung nach 15 sieht also nur die linke Objektfeldhälfte Licht aus Richtung des Pupillenspots, der den beleuchteten Rasterelementen 28, 30 entspricht.
16 zeigt die Kombination der Beleuchtungen nach den 14 und 15. Nun wird das gesamte Objektfeld aus Richtung der beleuchteten Rasterelemente 28, 30, also aus Richtung des zugehörigen Pupillenspots, beleuchtet. In der 16 ist kein zusätzliches I(x)-Diagramm dargestellt. Dieses I(x)-Diagramm ergibt sich aus einer Superposition der beiden I(x)-Diagramme der 14 und 15.
Zur Herstellung des Rastermoduls 29 mit der zweiten Rasteranordnung 21 mit zweiten Rasterelementen 30 zur Vorgabe von Ausfallswinkel-Abhängigkeiten entsprechend denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 9 bis 12 erläutert wurden, kann zunächst eine Soll-Abhängigkeit AR(ER, AO) eines Verlaufs resultierender konstanter Ausfallswinkel AR_x der Beleuchtungs-Teilbündel 15 von den zweiten Rasterelementen 30 abhängig vom Auftreffort AO der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf diese Rasterelemente 30 und abhängig vom Einfallswinkel ER_x der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf diese Rasterelemente 30 vorgegeben werden. Anschließend werden die Eingangsflächen 33 und ggf. auch die Ausgangsflächen 34 der zweiten Rasterelemente 30 derart strukturiert, dass sich bei einer vorgegebenen Beleuchtung des Rastermoduls 19 eine Ist-Abhängigkeit des Ausfallwinkel-Verlaufs ergibt, die der vorgegebenen Soll-Abhängigkeit entspricht.
Bei einem alternativen Herstellungsverfahren für das Rastermodul 19 werden zunächst Klassen von Soll-Abhängigkeiten AR(ER, AO) eines Verlaufs resultierender konstanter Ausfallswinkel AR_x der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 von den zweiten Rasterelementen 30 abhängig vom Auftreffort AO der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf diese Rasterelemente 30 der zweiten Rasteranordnung 21 und abhängig vom Einfallswinkel ER_x der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf diese Rasterelemente 30 ermittelt, die mit typischen Flächengestaltungen der Eintrittsflächen 33 und/oder der Austrittsflächen 34 der zweiten Rasterelemente 30 erreicht werden können. Diese Klassen von Soll-Abhängigkeiten AR(ER, AO) können Isolinien-Verläufe von Parameterpaaren von Einfallswinkeln ER_x und von Auftrefforten AO, die zu gleichen Ausfallswinkeln AR_x führen, haben, wie vorstehend im Zusammenhang mit den 9 bis 12 erläutert. Anschließend wird eine in einer der ermittelten Klasse erhaltene Soll-Abhängigkeit AR(ER, AO) vorgegeben und die Eingangsflächen 33 und/oder die Ausgangsflächen 34 der Rasterelemente 30 der zweiten Rasteranordnung 21 derart strukturiert, dass sich bei einer vorgegebenen Beleuchtung des Rastermoduls 19 eine Ist-Abhängigkeit des Verlaufs ergibt, die der vorgegebenen Soll-Abhängigkeit innerhalb vorgegebener Toleranzgrenzen entspricht.
Vorstehend wurde die Wirkung des Rastermoduls 19 auf die Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 hauptsächlich in der xz-Ebene beschrieben. Entsprechende Wirkungen und Abhängigkeiten ergeben sich auch in der yz-Ebene. Dies kann genutzt werden, um die y-Feldränder des Objektfeldes 3 zu definieren und um eine Intensitätsverteilung aus den über ein Beleuchtungssetting vorgegebenen Beleuchtungswinkeln über das Objektfeld 3 auch in der y-Richtung vorzugeben. Dies kann insbesondere im Falle der Ausführung der Projektionsbelichtungsanlage 1 als Stepper genutzt werden, bei der das gesamte Objektfeld 3 simultan, also nicht durch ein Scan-Verfahren, beleuchtet und abgebildet wird.
Bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen handelt es sich bei den Rasterelementen 28, 30 um dioptrische, also um brechende Rasterelemente. Prinzipiell können die Rasterelemente 28, 30 auch als katoptrische, also als reflektierende Rasterelemente gestaltet sein.
Zur mikrolithografischen Herstellung mikro- bzw. nanostrukturierter Bauelemente mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird zunächst ein Substrat bzw. ein Wafer in der Waferebene 27 bereitgestellt. Auf dem Wafer ist zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht. Weiterhin wird in der Retikelebene 4 ein Retikel bereitgestellt, das abzubildende Strukturen aufweist. Mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird dann der im Objektfeld 3 angeordnete Teil des Retikels auf einen im Bildfeld angeordneten Bereich der Schicht projiziert.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

WO 2007/093433 A1 [0002, 0005, 0040, 0061]
EP 1262836 A1 [0002]

Claims

Beleuchtungsoptik (7) für die Mikro-Lithografie zur Führung von Beleuchtungslicht (8) von einer primären Lichtquelle (6) hin zu einem Objektfeld (3), – mit einem Spiegelarray (10) mit einer Mehrzahl unabhängig voneinander aktorisch verkippbarer Einzelspiegel (11), die mit zugehörigen Kipp-Aktoren (12) verbunden sind, – mit einer Steuerung (14) zur Ansteuerung der Aktoren (12), – mit einem Rastermodul (19) mit einer Mehrzahl von Rasterelementen (28, 30) zur Erzeugung einer räumlich verteilten Anordnung von sekundären Lichtquellen, – wobei das Rastermodul (19) im Bereich einer Ebene (20) der Beleuchtungsoptik (7) angeordnet ist, in der ein Ausfallswinkel (AR_x, AR_y), unter dem ein Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) eines der Rasterelemente (28, 30) verlässt, einem Ortsbereich im Objektfeld (3), auf dem das Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) auf das Objektfeld (3) trifft, eindeutig zugeordnet ist, – wobei die Steuerung (14) so ausgeführt ist, dass einem vorgegebenen Soll-Verlauf von Beleuchtungswinkel-Intensitätsverteilungen (I₁(x), I₂(x), I₃(x), I₄(x)), mit denen über das Objektfeld (3) verteilte Objektfeldpunkte beaufschlagt werden, eine Vorgabe eines Kippwinkels für jeden Einzelspiegel (11) zugeordnet ist.
Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Rastermodul (19) in einer Ebene (20) der Beleuchtungsoptik (7) angeordnet ist, die einer Pupillenebene (31) oder einer hierzu konjugierten Ebene benachbart und von dieser beabstandet ist.
Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Rastermodul (19) zwei im Strahlengang des Beleuchtungslichts (8) hintereinander angeordnete Rasteranordnungen (18, 21) mit jeweils einer Mehrzahl von Rasterelementen (28, 30) aufweist.
Beleuchtungsoptik nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine Anordnung und Ausgestaltung der beiden Rasteranordnungen (18, 21) derart, dass ein Durchmesser (29) des Beleuchtungslicht-Teilbündels (15), das auf eines der Rasterelemente (30) der zweiten Rasteranordnung (21) auftrifft, kleiner ist als eine Hälfte (35) einer gesamten Eintritts- oder Auftrefffläche (33) des Rasterelements (30) der zweiten Rasteranordnung (21).
Beleuchtungsoptik nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Rasteranordnungen (18, 21) zumindest für bestimmte Ausfallswinkel (AR_xr1, AR_xr2) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) so ausgeführt sind, dass abhängig vom Auftreffort (AO) auf die Rasterelemente (30) der zweiten Rasteranordnung (21) zumindest für dem jeweiligen Auftreffort (AO) jeweils zugeordnete Einfallswinkel (ER_x) des Beleuchtungslicht-Teilbündels (15) auf die Rasterelemente (30) der zweiten Rasteranordnung (21) der gleiche Ausfallswinkel (AR_xr1, AR_xr2) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) von den Rasterelementen (30) resultiert.
Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Rasteranordnungen (18, 21) zumindest für bestimmte Ausfallswinkel (AR_xm) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) so ausgeführt sind, dass kleine Änderungen des Einfallswinkels (ER,) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) auf die Rastereinrichtungen (30) der zweiten Rasteranordnung (21) zu großen Änderungen des Ausfallswinkels (AR_x) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) von den Rasterelementen (30) führen.
Beleuchtungsoptik nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Abhängigkeit der Änderungen des Einfallswinkels (ER_x) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) auf die Rasterelemente (30) von den Änderungen des Ausfallswinkels (AR_x) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) von den Rasterelementen (30) über den Auftreffort (AO) variiert.
Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Rastermodul (19) und die Steuerung (14) so ausgeführt sind, dass einem vorgegebenen Soll-Verlauf von Beleuchtungswinkel-Intensitätsverteilungen I₁(x, y), I₂(x, y), I₃(x, y), I₄(x, y), mit denen über das Objektfeld (3) verteilte Objektfeldpunkte beaufschlagt werden, eine vorgegebene Verteilung von Ist-Kippwinkeln der Einzelspiegel (11) und resultierend eine vorgegebene Verteilung von Ist-Einfallswinkeln (ER_x, ER_y) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) auf den Rasterelementen (28, 30) zugeordnet ist und diese Zuordnung längs zweier zueinander senkrechter Dimensionen (x, y) des Objektfeldes (3) vorliegt.
Verfahren zur Einstellung einer Beleuchtungsoptik (7) nach einem der Ansprüche 1 bis 8 mit folgenden Schritten: – Vorgeben eines Soll-Verlaufs von Beleuchtungswinkel-Intensitätsverteilungen (I₁(x), I₂(x), I₃(x), I₄(x), mit denen über das Objektfeld (3) verteilte Objektfeldpunkte beaufschlagt werden sollen, – Ermitteln einer Verteilung von Soll-Einfallswinkeln (ER_x, ER_y) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) auf den Rasterelementen (28, 30), zugeordnet zum vorgegebenen Soll-Verlauf der Beleuchtungswinkel-Intensitätsverteilungen, – Zuordnen einer Verteilung von Soll-Kippwinkeln zu den Einzelspiegeln (11) entsprechend der ermittelten Verteilung der Soll-Einfallswinkel (ER_x, ER_y), – Ansteuern der Kipp-Aktoren (12), sodass die Ist-Kippwinkel der Einzelspiegel (11) mit den Soll-Kippwinkeln übereinstimmen.
Verfahren zur Herstellung eines Rastermoduls (19) mit einer zweiten Rasteranordnung (21) mit zweiten Rasterelementen (30) für eine Beleuchtungsoptik (7) nach einem der Ansprüche 3 bis 8 mit folgenden Schritten: – Vorgabe einer Soll-Abhängigkeit (AR(ER, AO)) eines Verlaufs resultierender konstanter Ausfallwinkel (AR) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) von den Rasterelementen (30) abhängig vom Auftreffort (AO) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) auf die Rasterelemente (30) der zweiten Rasteranordnung (21) und abhängig vom Einfallswinkel (ER) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) auf die Rasterelemente (30) der zweiten Rasteranordnung (21), – Strukturieren einer Eintrittsfläche (33) und/oder einer Austrittsfläche (34) der Rasterelemente (30) der zweiten Rasteranordnung (21) derart, dass sich bei einer vorgegebenen Beleuchtung des Rastermoduls (19) eine Ist-Abhängigkeit ergibt, die der vorgegebenen Soll-Abhängigkeit entspricht.
Verfahren zur Herstellung eines Rastermoduls (19) mit einer zweiten Rasteranordnung (21) mit zweiten Rasterelementen (30) für eine Beleuchtungsoptik (7) nach einem der Ansprüche 3 bis 8 mit folgenden Schritten: – Ermitteln von Klassen von Soll-Abhängigkeiten (AR(ER, AO)) eines Verlaufs resultierender konstanter Ausfallswinkel (AR) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) von den Rasterelementen (30) der zweiten Rasteranordnung (21) abhängig vom Auftreffort (AO) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) auf die Rasterelemente (30) der zweiten Rasteranordnung (21) und abhängig vom Einfallswinkel (ER) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) auf die Rasterelemente (30) der zweiten Rasteranordnung (21), die mit typischen Flächengestaltungen der Eintrittsflächen (33) und/oder der Austrittsflächen (34) der Rasterelemente (30) der zweiten Rasteranordnung (21) erreichbar sind, – Vorgabe einer in einer der ermittelten Klassen enthaltenen Soll-Abhängigkeit (AR(ER, AO)) eines Verlaufs resultierender konstanter Ausfallswinkel (AR) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) von den Rasterelementen (30) der zweiten Rasteranordnung (21) abhängig vom Auftreffort (AO) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) auf die Rasterelemente (30) der zweiten Rasteranordnung (21) und abhängig vom Einfallswinkel (ER) der Beleuchtungslicht-Teilbündel (15) auf die Rasterelemente (30) der zweiten Rasteranordnung (21), – Strukturieren einer Eingangsfläche (33) und/oder einer Ausgangsfläche (34) der Rasterelemente (30) der zweiten Rasteranordnung (21) derart, dass sich bei einer vorgegebenen Beleuchtung des Rastermoduls (19) eine Ist-Abhängigkeit ergibt, die der vorgegebenen Soll-Abhängigkeit entspricht.
Optisches System mit einer Beleuchtungsoptik (7) nach einem der Ansprüche 1 bis 8 und mit einer Projektionsoptik (26) zur Abbildung des Objektfeldes (3) in ein Bildfeld in einer Bildebene (27).
Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem optischen System nach Anspruch 12 und einer primären Lichtquelle (6).
Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikro- oder nanostrukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Substrats, auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, – Bereitstellen eines Retikels, das abzubildende Strukturen aufweist, – Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 13, – Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels auf einen Bereich der Schicht mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1).
Bauelement, das nach einem Verfahren gemäß Anspruch 14 hergestellt ist.