WO2016046088A1 - Beleuchtungsoptik für die projektionslithographie sowie hohlwellenleiter-komponente hierfür - Google Patents

Beleuchtungsoptik für die projektionslithographie sowie hohlwellenleiter-komponente hierfür Download PDF

Info

Publication number
WO2016046088A1
WO2016046088A1 PCT/EP2015/071482 EP2015071482W WO2016046088A1 WO 2016046088 A1 WO2016046088 A1 WO 2016046088A1 EP 2015071482 W EP2015071482 W EP 2015071482W WO 2016046088 A1 WO2016046088 A1 WO 2016046088A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
illumination
hollow waveguide
waveguide component
optics
component
Prior art date
Application number
PCT/EP2015/071482
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Markus DEGÜNTHER
Thomas Stammler
Original Assignee
Carl Zeiss Smt Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss Smt Gmbh filed Critical Carl Zeiss Smt Gmbh
Priority to JP2017516112A priority Critical patent/JP6347895B2/ja
Publication of WO2016046088A1 publication Critical patent/WO2016046088A1/de
Priority to US15/385,289 priority patent/US10151929B2/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/0994—Fibers, light pipes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/0095—Relay lenses or rod lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/16—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use in conjunction with image converters or intensifiers, or for use with projectors, e.g. objectives for projection TV
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0096—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the lights guides being of the hollow type
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements

Definitions

  • the invention relates to an illumination optical system for projection lithography for guiding illuminating light of a light source to an object field in which an object to be imaged can be arranged. Furthermore, the invention relates to a hollow waveguide component for such an illumination optical system, an optical system and an illumination system with such illumination optics, a projection exposure apparatus with such an optical system, a method for producing a micro- or nanostructured component using such a projection exposure apparatus and a As a result produced micro- or nano-structured component.
  • An illumination optical system of the aforementioned type is known from WO 201 1/157601 A2 and US 2010/0283985 AI.
  • the hollow waveguide component according to the invention which is arranged in front of the mirror array, ensures homogenization and stabilization of the incident on the mirror array illuminating light beam.
  • the requirements for the mirror array itself for generating prescribed illumination parameters within narrow tolerances are clearly relaxed due to the stabilization and homogenization function of the upstream hollow waveguide component.
  • a mirror array with less than 10,000 individual mirrors can be used.
  • the light mixture in the hollow waveguide component can take place at very low optical conductivity.
  • the light conductance can typically be in the range between
  • a random-phase element may be arranged between the primary light source and the optical waveguide component, which also promotes light mixing in the phase space, so that in particular a desirably low sensitivity of the illumination optics results against mode instabilities of the light source.
  • the random-phase element can be arranged in a plane of the illumination optical system that is optically conjugate to the light source.
  • an optic can be arranged between the light source and the random-phase element, which ensures that an arrangement plane of the random-phase element represents an optically conjugate plane of the light source.
  • the illumination optics can have a condensing optics for transferring an arrangement plane of the mirror array into a pupil plane of the illumination optics.
  • a condenser optics is not mandatory.
  • An arrangement according to claim 2 allows a hollow waveguide component, which is passed by the illumination light with very low losses.
  • Throughput values of the illumination light can be determined by the Achieve hollow waveguide components greater than 90%.
  • the internal reflection angle can be greater than 88 °, for example.
  • a ratio of waveguide length to waveguide cross section according to claim 3 allows a sufficiently high number of internal reflections in the hollow waveguide component and thus a good mixing of the illumination light, resulting in a corresponding homogenization and stabilization.
  • a rectangular waveguide cross section according to claim 4 is advantageous with respect to the manufacture of the hollow waveguide component.
  • the waveguide cross section may in particular be square.
  • An aspect ratio of rectangular dimensions of a rectangular waveguide cross section may coincide with an aspect field of an area to be illuminated, that is to say a surface of the mirror array to be illuminated.
  • Embodiments of the hollow waveguide component according to claims 5 and 6 have been found to be particularly suitable for the production. Particularly advantageous is an embodiment according to claim 7, wherein here in particular identically constructed mirror cuboid can be used. As such mirror cuboid components can be used, which are already known in this or similar form in rod lighting systems, which are described for example in the
  • a relay optics according to claim 9 may have two or four lenses.
  • the embodiment with four lenses allows the specification of an advantageously large working distance between the beam exit surface and a first lens of the relay optics, so that a power density of the illumination light incident on this first lens is sufficiently low.
  • the advantages of a hollow waveguide component according to claim 10 correspond to those which have already been explained above with reference to the illumination optics.
  • the advantages of an optical system according to claim 1 1, an illumination system according to claim 12, a projection exposure apparatus according to claim 13, a manufacturing method according to claim 14 and a micro- or nano-structured component according to claim 15 correspond to those already above with reference to the illumination optics were explained.
  • the microstructured or nanostructured component is a semiconductor component, in particular a microchip, for example a very highly integrated memory chip.
  • FIG. 1 schematically shows a meridional section through an inventive illumination system within a microlithography projection exposure apparatus with an illumination optical system with a mirror array with control actuated tilt actuators and a raster module with a two-stage grid arrangement;
  • FIG. 2 shows a detail of the beam path of the illumination system of FIG. 1 between a primary light source and the light source
  • FIG. 1 schematically shows a microlithography projection exposure apparatus 1, which is designed as a wafer scanner and is used in the production of semiconductor components and other finely structured components.
  • the projection exposure apparatus 1 works to achieve resolutions down to fractions of a micron with light, in particular from the deep ultraviolet region (DUV or VUV).
  • DUV deep ultraviolet region
  • a Cartesian xyz coordinate system is shown in the drawing.
  • the x-direction extends in the figure 1 upwards.
  • the y-direction runs in the figure 1 perpendicular to the plane and out of this.
  • the z-direction runs in the figure 1 to the right.
  • a scanning direction of the projection exposure apparatus 1 extends in the y direction, that is to say perpendicular to the plane of the drawing in FIG. 1.
  • meridional section is the majority of the optical components of the projection exposure apparatus 1 along a z-direction extending optical axis 2 lined up. It is understood that other folds of the optical axis 2 are possible as shown in Figure 1, in particular to make the projection exposure system 1 compact.
  • an illumination system of the projection exposure apparatus 1 is used, designated overall by 5.
  • the illumination system 5 comprises a primary light source 6 and an illumination optical unit 7 with the optical components for guiding illumination or image light 8 toward the object field 3.
  • the primary light source 6 is an excimer laser, in particular an ArF laser with a working wavelength of 193 nm, whose Illuminating light beam is aligned coaxially to the optical axis 2.
  • Other UV light sources such as an F 2 excimer laser with 157 nm working wavelength, a Krf excimer laser with 248 nm working wavelength and primary light sources with larger or smaller operating wavelengths are also possible.
  • the homogenizing optics 9 may include elements that reduce undesirable effects of the coherence of the illumination light 8. Details of in Fig. 1 only indicated homogenization optics 9, in addition to the Homogenization also serves to stabilize an illumination light beam, will be explained below in particular with reference to FIG. 2.
  • the micromirror array 10 has a multiplicity of rectangular individual mirrors 1 1 arranged in an xy-aster. Each of the individual mirrors 1 1 is connected to an associated tilting actuator 12. Each of the tilt actuators 12 is connected via a control line 13 to a controller 14 for controlling the actuators 12. About the controller 14, the actuators 12 can be controlled independently.
  • Each of the actuators 12 can set a predetermined x-tilt angle (tilting in the xz plane) and independently thereof a y-tilt angle (tilt in the yz plane) of the individual mirror 1 1, so that a failure angle AS X of one of the associated individual mirror 1 1 reflected illumination light sub-beam 15 in the xz plane and correspondingly not shown in the drawing angle of failure AS y in the yz plane can be specified.
  • the condenser 16 serves to transfer an arrangement plane 10a of the MMA 10 into a pupil plane of the illumination optics 7.
  • the intensity distribution thus generated is therefore present in a first illumination plane 17 of the illumination system 5.
  • the MMA 10 thus represents a light distribution device for generating a two-dimensional illumination light intensity distribution.
  • a first raster arrangement 18 of a raster module 19 is arranged, which is also referred to as a honeycomb condenser.
  • Angle of incidence ER X in the xz plane (see Figure 1) and ER y in the yz plane (not shown in the drawing) of the illumination light 8 on the raster module 19 are the failure angles AS X (see Figure 1), AS y (Not shown in the drawing) of the illumination light sub-beams 15 from the MMA 10 and / or the location from which the respective illumination light sub-beam 15 emanating from the MMA 10, ie the respective individual mirror 1 1 correlated. This correlation is predetermined by the Fourier lens arrangement 16.
  • the raster module 19 is used to generate a spatially distributed arrangement of secondary light sources, ie images of the primary light source 6, and thus for generating a defined illumination angle distribution of emerging from the raster module 19 illumination light.
  • a second raster arrangement 21 is arranged in a further illumination plane 20, a second raster arrangement 21 is arranged.
  • the illumination plane 17 is in or near a front focal plane of individual elements of the second raster arrangement 21.
  • the two raster arrangements 18, 21 represent a honeycomb condenser of the illumination optical unit 7.
  • the further illumination plane 20 is a pupil plane of the illumination system 5 or is a pupil plane of the illumination system 5 adjacent.
  • the raster module 19 is therefore also referred to as field-defining element (Field Defming Element, FDE).
  • a further condenser 22 Downstream of the raster module 19 is a further condenser 22, which is also referred to as a field lens. Together with the second raster arrangement 21, the condenser 22 images the first illumination plane 17 into a field intermediate plane 23 of the illumination system 5.
  • a reticle masking system (REMA) 24 can be arranged, which serves as an adjustable shading diaphragm for producing a sharp edge of the illumination light intensity distribution.
  • a subsequent objective 25 forms the field intermediate plane 23 on the reticle, that is to say the lithographic original, which is located in the reticle plane 4.
  • the reticle plane 4 is imaged onto a wafer or image plane 27 on the wafer, not shown in FIG. 1, which is displaced intermittently or continuously in the scan direction (y).
  • the first raster arrangement 18 and the second raster arrangement 21 each have individual raster elements 28 which are arranged in columns and lines in the xy plane.
  • the raster elements 28 have a rectangular aperture with an x / y aspect ratio of, for example, 1/1.
  • the meridional section of Figure 1 is along a grid column.
  • the raster elements 28 are microlenses, z. B. with positive refractive power, formed.
  • the raster elements 28 are arranged directly adjacent to one another in a grid corresponding to their rectangular shape, that is to say they are substantially surface-filling.
  • the first raster elements 28 of the first raster arrangement 18 are also referred to as field honeycombs, and the second raster elements 28 of the second raster arrangement 21 are also referred to as pupil honeycombs.
  • Fig. 2 shows the optical path of the illumination light 8 between the primary light source 6 and the MMA 10 more in detail.
  • the homogenizing optics 9 has in the beam path of the illumination light 8 after the primary light source 6, first a coupling optics 29 in the form of a coupling lens.
  • the lens 29 may be designed as a plano-convex lens.
  • the coupling optics 29 has an incident illuminating light beam 30 having a typical diameter of 25 mm and a typical divergence of 2 mrad.
  • the coupling optics 29 serves to couple the illumination light bundle 30 into a hollow waveguide optical component 31.
  • the hollow waveguide component 31 is designed as a hollow rod.
  • a power density of the illumination light 8 when entering the hollow waveguide component 31 is, for example, greater than 10 kW / cm 2 .
  • a typical cross-sectional dimension A of the hollow waveguide of the hollow waveguide component 31 is 1 mm.
  • a typical length B of the waveguide of the hollow waveguide component is 500 mm.
  • a ratio B / A of waveguide length B to waveguide cross-section A is thus 500 in the described embodiment, which is not reproduced to scale in FIG. 2.
  • Another ratio B / A of at least 100 is possible, for example ratio values B / A of 150, 200, 250, 300, 350, 400, 450, or even greater than 500, such as a B / A ratio of 600, 750, 900, 1,000, 1,500, 2,000, or even greater.
  • a cavity 33 of the waveguide of the hollow waveguide component 31, in which the illumination light 8 is guided by multiple reflection, has a rectangular and in the described embodiment a square waveguide cross section.
  • An internal angle of incidence ⁇ of the illumination light 8 on the cavity 33 bounding eflexions vom the waveguide is greater than 85 ° and is in the described embodiment.
  • a larger internal reflection angle or angle of incidence ⁇ is also possible, for example 86 °, 88 °, 89 ° or an even greater angle of incidence. Due to the multiple reflection of the illumination light 8 in the hollow waveguide component 31, a homogenization and stabilization of an intensity distribution of the illumination light 8 via the beam exit surface 35 results.
  • the number of reflections of the illumination light 8 at the reflection surfaces of the cavity 33 can be greater than 5 and is especially greater than 10.
  • a relay optics 34 Downstream of the hollow waveguide component 31 is a relay optics 34 for enlarged illustration of a bundle exit surface 35 of the hollow waveguide component 31 on the MMA 10.
  • another magnification ⁇ in the range between 10 and 500 can also be realized, for example ⁇ equal 20, 25, 30, 40, 60, 75, 100 or 200.
  • the relay optics 34 of Fig. 2 has two lenses 36, 37, each with positive refractive power.
  • the lenses 36, 37 may be designed as plano-convex lenses.
  • the hollow waveguide component 31 can be made monolithic. Alternatively, the hollow waveguide component 31 may be made of at least two separate components, of which each component limits at least one internal reilexion surface 38 of the hollow waveguide component 31. In the longitudinal section of Fig. 2 above and below the cavity 33 cut portions 31a, 31b, the hollow waveguide component 31 may thus be two separate components. When mounting these components 31a, 31b, the components 31a, 31b are guided together in such a way that the waveguide, that is, the reflecting hollow space 33, results seamlessly.
  • FIG. 3 shows a further embodiment of a hollow waveguide component 39 which can be used instead of the hollow waveguide component 31.
  • Components and functions which correspond to those which have already been explained above with reference to the hollow waveguide component 31 have the same reference numbers and will not be discussed again in detail.
  • the hollow waveguide component 39 is composed of four separate components 39a, 39b, 39c and 39d, of which each component 39a to 39d defines an internal reilexion surface 38 of the cavity 33.
  • the components 39a to 39d are in the region of the internal Reilexions Solution 38 teilverLitete mirror cuboid with basic bodies of a glass or quartz material, such as SiO 2 .
  • the components 39a to 39d each have the identical construction, which has the cuboid dimensions and the relative position of the partial mirroring of the internal reilexion surface 38. Alternatively, an entire, the internal Reilexions composition 38-containing side surface of the respective mirror cuboid 39a to 39d for the illumination light 8 to be highly reflective mirrored.
  • the four mirror cuboids 39a to 39d seamlessly attached to each other, as shown in Fig. 3, so that due to the dimensional difference of the cuboid width dimensions centrally of the cavity 38 also in this case has a square waveguide cross-section seamlessly arises.
  • the number of reflections of the illumination light 8 at the internal reflection surfaces 38 can be greater than 5 and in particular greater than 10.
  • the mirror cuboids 39a to 39d can be braced against each other in a common version or can be glued together.
  • relay optics 40 which can be used instead of the relay optics 34.
  • Components and functions that correspond to those already discussed above with respect to relay optics 34 bear the same reference numerals and will not be discussed again in detail.
  • the relay optics 40 has a total of four lenses 41, 42, 43 and 44.
  • a distance D of the first lens 41 in the beam path of the illumination light 8 to an arrangement plane 45 of the bundle exit surface 35, for example the hollow waveguide component 31, is significantly larger in the relay optics 40 than in the relay optics 34 and is in particular greater than 30 mm.
  • the following table shows optical design data of relay optics 40 again.
  • the relay optics 40 is designed for a design wavelength of 193 nm.
  • Lens 41 convex Asphere -3,12E-10 -1,06E-12 2,63E-15
  • the participating optical surfaces of the elayoptik 40 are designated, starting with an object plane, which coincides with the adjusted illumination optical system 7 with the arrangement plane 45.
  • the optical surfaces involved in the lenses 41 to 44 follow in the sequence of the beam path.
  • the distance D between the plane of arrangement 45 and the entrance surface of the first lens 41 is more than 275 mm.
  • another distance for example of at least 50 mm, at least 100 mm, at least 150 mm, at least 200 mm or at least 250 mm may also be present.
  • radii of the optical surfaces of the lenses 41 to 44 are indicated.
  • the first column of Table 2 again stands for the assignment of the surfaces involved, listed in the sequence of the beam path as in Table 1 to the lenses 41 to 44.
  • the next column of Table 2 indicates whether the area considered in each case convex or concave. Except for the first entrance surface and the last exit surface, which are each convex, all optical surfaces of the lenses 41 to 44 are concave.
  • the lenses 41 and 44 are designed as aspherical lenses.
  • the last columns of Table 2 give for these aspheric lenses coefficients ⁇ and cl to c4 according to the following aspheric equation:
  • h distance from the lens vertex, ie to the optical axis
  • a random-phase element (Random Phase Element, RPE) 46 is arranged in front of the optical waveguide component 31, which is indicated by dashed lines in FIG.
  • the RPE 46 ensures that in the area of the beam exit surface 35 no disturbing interference of the illumination light 8 occur.
  • the RPE 46 is designed as a plate of optical material, for example CaF 2 or CAF2HL.
  • the RPE is divided over its area used for the passage of the illumination light 8 in several areas of different thickness, so different optical path length for the illumination light 8. Each area is limited by plane-parallel inlet and outlet surfaces of the RPE 46. Transitions between the areas of different optical path length are step-like.
  • the associated thickness differences ⁇ ie the step widths, are random.
  • ⁇ is between 0 and ⁇ / 2 (nRp E - n 0 ).
  • ⁇ is the operating wavelength of the illumination light 8
  • nRp E is the refractive index of the optical material of the RPE 46
  • n 0 is the refractive index of the optically thinner medium, for example of air.
  • the areas of the RPE 46 of constant thickness can be arranged like a grid, especially in the manner of a chess board.
  • An areal extent of the regions of constant thickness is chosen such that a lateral mode expansion on the RPE 46 always covers several of these areas of constant thickness, for example five such areas. A lateral mode thus always experiences phase differences. Due to the random distribution In the case of the constant thickness regions of the RPE 46, the interference pattern of each mode differs from the interference pattern of another mode. The sensitivity of the homogeneity of the illumination, in particular with regard to mode instabilities of the primary light source 6, is thereby reduced.
  • the RPE 46 is disposed at a position in the optical path of the illumination optical system 7 at which the modes of the primary light source 6 in the spatial space are separated.
  • the RPE 46 may be disposed in a plane conjugate to the primary light source 6.
  • a non-illustrated optics between the primary light source 6 and the RPE 46 ensures that the assembly plane of the RPE 46 is conjugate to the primary light source.
  • a substrate or a wafer is firstly provided in the wafer plane 27. On the wafer is at least partially applied a layer of a photosensitive material. Furthermore, a reticle having structures to be imaged is provided in the reticle plane 4. With the projection exposure apparatus 1, the part of the reticle arranged in the object field 3 is then projected onto a region of the layer arranged in the image field.

Abstract

Eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie zur Führung von Beleuchtungslicht (8) einer Lichtquelle (6) hin zu einem Objektfeld, in dem ein abzubildendes Objekt anordenbar ist, hat ein Spiegelarray (10) mit einer Vielzahl von Einzelspiegeln, die unabhängig voneinander aktorisch verkippbar sind und mit zugehörigen Kippaktoren verbunden sind. Eine Kondensoroptik dient zur Überführung einer Anordnungsebene (10a) des Spiegelarrays (10) in eine Puppillenebene der Beleuchtungsoptik. Eine optische Hohlwellenleiter-Komponente (31) der Beleuchtungsoptik ist im Strahlengang des Beleuchtungslichts (8) dem Spiegelarray (10) vorgeordnet und dient zur Homogenisierung und Stabilisierung eines auf das Spiegelarray (10) auftreffenden Beleuchtungslicht-Bündels (32). Der Hohlwellenleiter-Komponente (31) ist eine Einkoppeloptik (29) zur Einkopplung eines einfallenden Beleuchtungslicht-Bündels (30) in die Hohlwellenleiter-Komponente (31) vorgeordnet. Zur Abbildung einer Bündel-Austrittsiläche (35) der Hohlwellenleiter-Komponente (31) auf das Spiegelarray (10) dient eine Relayoptik (34). Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, die unempfindlich gegen Lichtquelleninstabilitäten ist.

Description

Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie sowie Hohlwellenleiter-Komponente hierfür
Die vorliegende Patentanmeldung nimmt die Priorität der deutschen Pa- tentanmeldung DE 10 2014 219 1 12.2 in Anspruch, deren Inhalt durch Bezugnahme hierin aufgenommen wird.
Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie zur Führung von Beleuchtungslicht einer Lichtquelle hin zu einem Objektfeld, in dem ein abzubildendes Objekt anordenbar ist. Ferner betrifft die Erfindung eine Hohlwellenleiter-Komponente für eine derartige Beleuchtungsoptik, ein optisches System und ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils unter Einsatz einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein hierdurch hergestelltes mikro- bzw. nano strukturiertes Bauteil.
Eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art ist bekannt aus der WO 201 1/157601 A2 und der US 2010/0283985 AI .
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Beleuchtungsoptik unempfindlich gegen Lichtquelleninstabilitäten zu machen. Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den in Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
Die erfindungsgemäße Hohlwellenleiter-Komponente, die vor dem Spie- gelarray angeordnet ist, sorgt für eine Homogenisierung und Stabilisierung des auf das Spiegelarray auftreffenden Beleuchtungslicht-Bündels. Die Anforderungen an das Spiegelarray selbst zur Erzeugung vorgegebener Beleuchtungsparameter innerhalb enger Toleranzen sind aufgrund der Stabili- sierungs- und Homogenisierungsfunktion der vorgelagerten Hohlwellenlei- ter-Komponente deutlich relaxiert. Insbesondere kann ein Spiegelarray mit weniger als 10.000 Einzelspiegeln zum Einsatz kommen. Die Lichtmischung in der Hohlwellenleiter-Komponente kann bei sehr kleinem Lichtleitwert statt finden. Der Lichtleitwert kann typisch im Bereich zwischen
1 x 10" 10 sr m 2 und 1 x 10" 8 sr m 2 , insbesondere im Bereich zwischen 1 x 10" 10 sr m 2 bis 1 x 10" 9 sr m 2 liegen. Zwischen der primären Lichtquelle und der optischen Hohlenwellenleiter-Komponente kann ein Zufallsphasen-Element (Random Phase Element, RPE) angeordnet sein, welches eine Lichtmischung auch im Phasenraum unterstützt, sodass insbesondere eine erwünscht geringe Sensibilität der Beleuchtungsoptik gegen Modeninstabi- litäten der Lichtquelle resultiert. Das Zufallsphasen-Element kann in einer zur Lichtquelle optisch konjugierten Ebene der Beleuchtungsoptik angeordnet sein. Hierzu kann zwischen der Lichtquelle und dem Zufallsphasen- Element eine Optik angeordnet sein, die dafür sorgt, dass eine Anordnungsebene des Zufallsphasen-Elements eine optisch konjugierte Ebene der Lichtquelle darstellt.
Die Beleuchtungsoptik kann eine Kondensoroptik zur Überführung einer Anordnungsebene des Spiegelarrays in eine Pupillenebene der Beleuchtungsoptik aufweisen. Eine derartige Kondensoroptik ist allerdings nicht zwingend.
Eine Anordnung nach Anspruch 2 ermöglicht eine Hohlwellenleiter- Komponente, die vom Beleuchtungslicht mit sehr geringen Verlusten passiert wird. Es lassen sich Durchsatzwerte des Beleuchtungslichts durch die Hohlwellenleiter-Komponente erzielen, die größer sind als 90%. Der interne Reflexionswinkel kann beispielsweise größer sein als 88°.
Ein Verhältnis aus Wellenleiterlänge zu Wellenleiterquerschnitt nach An- spruch 3 ermöglicht eine ausreichend hohe Anzahl interner Reflexionen in der Hohlwellenleiter-Komponente und damit eine gute Durchmischung des Beleuchtungslichts, was zu einer entsprechenden Homogenisierung und Stabilisierung führt. Ein rechteckiger Wellenleiterquerschnitt nach Anspruch 4 ist in Bezug auf die Fertigung der Hohlwellenleiter-Komponente vorteilhaft. Der Wellenleiterquerschnitt kann insbesondere quadratisch sein. Ein Aspektverhältnis von Rechteckdimensionen eines rechteckigen Wellenleiterquerschnitts kann mit einem Aspektfeld einer auszuleuchtenden Fläche, also einer zu beleuchtenden Fläche des Spiegelarrays, übereinstimmen.
Ausführungen der Hohlwellenleiter-Komponente nach den Ansprüchen 5 und 6 haben sich als besonders geeignet für die Fertigung herausgestellt. Besonders vorteilhaft ist eine Ausführung nach Anspruch 7, wobei hierbei insbesondere identisch aufgebaute Spiegelquader zum Einsatz kommen können. Als derartige Spiegelquader können Bauteile zum Einsatz kommen, die in dieser oder ähnlicher Form bei Stab-Beleuchtungssystemen bereits bekannt sind, die beispielsweise beschrieben sind in der
US 2010/0283985 AI und der DE 195 20 563 AI . Im Unterschied zu die- sen bekannten Stab-Beleuchtungssystemen werden die Spiegelflächen der Spiegelquader bei der Hohlwellenleiter-Komponente nicht zur Reflexion am optisch dünneren, sondern zur Reflexion am optisch dichteren Medium genutzt. Ein Abbildungsmaßstab der Relayoptik nach Anspruch 8 ist gut an typische Bauteildimensionierungen angepasst.
Eine Relayoptik nach Anspruch 9 kann zwei oder vier Linsen aufweisen. Insbesondere die Ausführung mit vier Linsen erlaubt die Vorgabe eines vorteilhaft großen Arbeitsabstandes zwischen der Bündel- Austrittsfläche und einer ersten Linse der Relayoptik, sodass eine Leistungsdichte des Beleuchtungslichts, welches auf diese erste Linse auftrifft, ausreichend niedrig ist.
Die Vorteile einer Hohlwellenleiter-Komponente nach Anspruch 10 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden. Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 1 1, eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 12, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 14 sowie eines mikro- bzw. nano strukturierten Bauteils nach Anspruch 15 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden. Bei dem mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteil handelt es sich um ein Halbleiter-Bauteil, insbesondere um einen Mikrochip, beispielsweise um einen höchstintegrierten Speicherchip.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
Fig. 1 schematisch einen Meridionalschnitt durch ein erfindungsgemäßes Beleuchtungssystem innerhalb einer Mikrolithographie- Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungsoptik mit einem Spiegelarray mit über eine Steuerung angesteuerten Kipp- Aktoren und einem Rastermodul mit einer zweistufigen Rasteranordnung;
Fig. 2 einen Ausschnitt aus dem Strahlengang des Beleuchtungssys- tems der Fig. 1 zwischen einer primären Lichtquelle und dem
Spiegelarray, einschließlich einer Homogenisierungsoptik, die eine optische Hohlwellenleiter-Komponente aufweist; eine Ausführung für die Hohlwellenleiter-Komponente nach Fig. 2; und eine Ausführung für eine Relay-Optik zwischen der Hohlwellenleiter-Komponente und dem Spiegelarray. Figur 1 zeigt schematisch eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungs- anlage 1 , die als Wafer-Scanner ausgeführt ist und bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen und anderen fein strukturierten Bauteilen eingesetzt wird. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 arbeitet zur Erzielung von Auflösungen bis zu Bruchteilen von Mikrometern mit Licht insbesondere aus dem tiefen Ultraviolettbereich (DUV oder VUV).
Zur Erleichterung der Darstellung von Lagebeziehungen ist in der Zeichnung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem wiedergegeben. Die x- Richtung verläuft in der Figur 1 nach oben. Die y-Richtung verläuft in der Figur 1 senkrecht zur Zeichenebene und aus dieser heraus. Die z-Richtung verläuft in der Figur 1 nach rechts.
Eine Scanrichtung der Projektionsbelichtungsanlage 1 verläuft in der y- Richtung, also senkrecht zur Zeichenebene der Fig. 1. Im in der Figur 1 dargestellten Meridionalschnitt ist die Mehrzahl der optischen Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 längs einer in z-Richtung verlaufenden optischen Achse 2 aufgereiht. Es versteht sich, dass auch andere Faltungen der optischen Achse 2 möglich sind als in der Figur 1 gezeigt, insbesondere um die Projektionsbelichtungsanlage 1 kompakt zu gestalten.
Zur definierten Ausleuchtung eines Objekt- bzw. Beleuchtungsfeldes 3 in einer Objekt- oder Retikelebene 4, in der eine zu übertragende Struktur in Form eines nicht näher dargestellten Retikels angeordnet ist, dient ein ins- gesamt mit 5 bezeichnetes Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage 1. Das Beleuchtungssystem 5 umfasst eine primäre Lichtquelle 6 und eine Beleuchtungsoptik 7 mit den optischen Komponenten zur Führung von Beleuchtungs- bzw. Abbildungslicht 8 hin zum Objektfeld 3. Die primäre Lichtquelle 6 ist ein Excimer-Laser, insbesondere ein ArF-Laser mit einer Arbeitswellenlänge von 193 nm, dessen Beleuchtungslichtstrahl koaxial zur optischen Achse 2 ausgerichtet ist. Andere UV-Lichtquellen, beispielsweise ein F2-Excimer-Laser mit 157 nm Arbeitswellenlänge, ein Krf-Excimer-Laser mit 248 nm Arbeitswellenlänge sowie primäre Lichtquellen mit größeren oder kleineren Arbeitswellenlängen sind ebenfalls möglich.
Ein von der Lichtquelle 6 kommender Strahl des Beleuchtungslichts 8 mit kleinem Rechteckquerschnitt trifft zunächst auf eine Homogenisierungsoptik 9, die einen austretenden Strahl des Beleuchtungslichts 8 mit weitge- hend parallelem Licht und größerem Rechteckquerschnitt erzeugt. Die Homogenisierungsoptik 9 kann Elemente enthalten, die unerwünschte Auswirkungen der Kohärenz des Beleuchtungslichts 8 reduzieren. Details der in der Fig. 1 nur angedeuteten Homogenisierungsoptik 9, die neben der Homogenisierung auch der Stabilisierung eines Beleuchtungslicht-Bündels dient, werden nachfolgend noch insbesondere anhand der Fig. 2 erläutert.
Das nach der Homogenisierungsoptik 9 weitgehend parallelisierte Beleuch- tungslicht 8 trifft anschließend auf ein Mikrospiegelarray (Multi Mirror Array, MMA) 10 zur Erzeugung einer Beleuchtungslicht- Winkelverteilung. Das Mikrospiegelarray 10 hat eine Vielzahl von in einem xy- aster angeordneten, rechteckigen Einzelspiegeln 1 1. Jeder der Einzelspiegel 1 1 ist mit einem zugehörigen Kipp-Aktor 12 verbunden. Je- der der Kipp-Aktoren 12 ist über eine Steuerleitung 13 mit einer Steuerung 14 zur Ansteuerung der Aktoren 12 verbunden. Über die Steuerung 14 können die Aktoren 12 unabhängig voneinander angesteuert werden. Jeder der Aktoren 12 kann einen vorgegebenen x-Kippwinkel (Kippung in der xz-Ebene) und unabhängig hiervon einen y-Kippwinkel (Kippung in der yz-Ebene) des Einzelspiegels 1 1 einstellen, sodass ein Ausfallswinkel ASX eines vom zugehörigen Einzelspiegel 1 1 reflektierten Beleuchtungslicht- Teilbündels 15 in der xz-Ebene und entsprechend ein in der Zeichnung nicht dargestellter Ausfallswinkel ASy in der yz-Ebene vorgegeben werden kann.
Die durch das MMA 10 erzeugte Winkelverteilung von Ausfallswinkeln AS der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 wird beim Durchtritt durch eine Fourier-Linsenanordnung bzw. einen Kondensor 16, der im Abstand seiner Brennweite vom MMA 10 positioniert ist, in eine zweidimensionale, also senkrecht zur optischen Achse 2 ortsabhängige Beleuchtungslicht- Intensitätsverteilung umgewandelt. Der Kondensor 16 dient zur Überführung einer Anordnungsebene 10a des MMA 10 in eine Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 7. Die so erzeugte Intensitätsverteilung ist daher in einer ersten Beleuchtungsebene 17 des Beleuchtungssystems 5 vorhanden. Zusammen mit der Fourier-Linsenanordnung 16 stellt das MMA 10 also eine Lichtverteilungseinrichtung zur Erzeugung einer zweidimensionalen Beleuchtungslicht- Intensitätsverteilung dar. Im Bereich der ersten Beleuchtungsebene 17 ist eine erste Rasteranordnung 18 eines Rastermoduls 19 angeordnet, das auch als Wabenkondensor bezeichnet wird. Einfallswinkel ERX in der xz-Ebene (vgl. Figur 1) und ERy in der yz-Ebene (nicht in der Zeichnung dargestellt) des Beleuchtungslichts 8 auf das Rastermodul 19 sind den Ausfallswinkeln ASX (vgl. Figur 1), ASy (nicht in der Zeichnung dargestellt) der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 vom MMA 10 und/oder dem Ort, von dem das jeweilige Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 vom MMA 10 ausgeht, also dem jeweiligen Einzelspiegel 1 1 , korreliert. Diese Korrelation wird durch die Fourier- Linsenanordnung 16 vorgegeben. Bei Verwendung einer Fourier- Linsenanordnung 16, also nicht eines Kondensors, sind die Auftreff orte der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf die erste Rasteranordnung 18 den Ausfallswinkeln ASX, ASy der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 vom MMA 10 direkt korreliert, da die Fourier-Linsenanordnung 16 näherungsweise zu einer Umsetzung von Winkeln in Ortskoordinaten führt. Sowohl bei der Verwendung einer Fourier-Linsenanordnung 16 als auch bei Verwendung eines Kondensors 16 sind die Einfallswinkel ERX, ERy der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf das Rastermodul 19 direkt mit den Positionen der Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 auf dem MMA 10, also mit dem Einzelspiegel 1 1, von dem das jeweilige Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 aus- geht, korreliert, da sowohl die Verwendung einer Fourier-Linsenanordnung 16 als auch die Verwendung eines Kondensors 16 zu einer Umsetzung von Ortskoordinaten in Winkel führt. Das Rastermodul 19 dient zur Erzeugung einer räumlich verteilten Anordnung von sekundären Lichtquellen, also von Bildern der primären Lichtquelle 6, und damit zur Erzeugung einer definierten Beleuchtungswinkelverteilung des aus dem Rastermodul 19 austretenden Beleuchtungslichts.
In einer weiteren Beleuchtungsebene 20 ist eine zweite Rasteranordnung 21 angeordnet. Die Beleuchtungsebene 17 steht in oder in der Nähe einer vorderen Brennebene von Einzelelementen der zweiten Rasteranordnung 21. Die beiden Rasteranordnungen 18, 21 stellen einen Wabenkondensor der Beleuchtungsoptik 7 dar. Die weitere Beleuchtungsebene 20 ist eine Pupillenebene des Beleuchtungssystems 5 oder ist einer Pupillenebene des Beleuchtungssystems 5 benachbart. Das Rastermodul 19 wird daher auch als felddefmierendes Element (Field Defming Element, FDE) bezeichnet. Ausfallswinkel ARX in der xz-Ebene (vgl. Figur 1) und ARy in der yz- Ebene (nicht in der Zeichnung dargestellt), unter denen die Beleuchtungslicht-Teilbündel 15 die zweite Rasteranordnung 21 verlassen, sind einem Ortsbereich im Objektfeld 3, auf dem das jeweilige Beleuchtungslicht- Teilbündel 15 auf das Objektfeld 3 trifft, eindeutig zugeordnet.
Dem Rastermodul 19 nachgeordnet ist ein weiterer Kondensor 22, der auch als Feldlinse bezeichnet wird. Zusammen mit der zweiten Rasteranordnung 21 bildet der Kondensor 22 die erste Beleuchtungsebene 17 in eine Feld- Zwischenebene 23 des Beleuchtungssystems 5 ab. In der Feld-Zwischen- ebene 23 kann ein Retikel-Masking- System (REMA) 24 angeordnet sein, welches als verstellbare Abschattungsblende zur Erzeugung eines scharfen Randes der Beleuchtungslicht-Intensitätsverteilung dient. Ein nachfolgendes Objektiv 25 bildet die Feld-Zwischenebene 23 auf das Retikel, das heißt die Lithographievorlage ab, das sich in der Retikelebene 4 befindet. Mit einem Projektionsobjektiv 26 wird die Retikelebene 4 auf eine Wafer- oder Bildebene 27 auf den in der Figur 1 nicht dargestellten Wafer abgebildet, der intermittierend oder kontinuierlich in der Scan-Richtung (y) verschoben wird.
Die erste Rasteranordnung 18 und die zweite Rasteranordnung 21 weisen jeweils einzelne Rasterelemente 28 auf, die spalten- und zeilenweise in der xy-Ebene angeordnet sind. Die Rasterelemente 28 haben eine rechteckige Apertur mit einem x/y- Aspekt- Verhältnis von beispielsweise 1/1. Auch an- dere, insbesondere größere x/y-Aspektverhältnisse der Rasterelemente 28, zum Beispiel 2/1, sind möglich.
Der Meridionalschnitt nach Figur 1 geht entlang einer Rasterspalte. Die Rasterelemente 28 sind als Mikrolinsen, z. B. mit positiver Brechkraft, aus- gebildet. Die Rasterelemente 28 sind in einem ihrer Rechteckform entsprechenden Raster direkt aneinander angrenzend, das heißt im Wesentlichen flächenfüllend, angeordnet. Die ersten Rasterelemente 28 der ersten Rasteranordnung 18 werden auch als Feldwaben und die zweiten Rasterelemente 28 der zweiten Rasteranordnung 21 werden auch als Pupillenwaben bezeichnet.
Der Rasteraufbau und die Funktion des Rastermoduls 19 entsprechen grundsätzlich dem, was in der WO2007/093433 AI beschrieben ist. Fig. 2 zeigt den Strahlengang des Beleuchtungslichts 8 zwischen der primären Lichtquelle 6 und dem MMA 10 stärker im Detail. Die Homogenisierungsoptik 9 hat im Strahlengang des Beleuchtungslichts 8 nach der primären Lichtquelle 6 zunächst eine Einkoppeloptik 29 in Form einer Einkoppellinse. Die Linse 29 kann als Plankonvexlinse ausgeführt sein. Vor der Einkoppeloptik 29 hat ein einfallendes Beleuchtungslicht-Bündel 30 einen typischen Durchmesser von 25 mm und eine typische Divergenz von 2 mrad. Die Einkoppeloptik 29 dient zur Einkopplung des Beleuchtungslicht- Bündels 30 in eine optische Hohlwellenleiter-Komponente 31. Diese dient zur Homogenisierung und Stabilisierung eines auf das MMA 10 treffenden Beleuchtungslicht-Bündels 32 des Beleuchtungslichts 8. Die Hohlwellenleiter-Komponente 31 ist als Hohlstab ausgeführt. Eine Leistungsdichte des Beleuchtungslichts 8 beim Eintritt in die Hohlwellenleiter-Komponente 31 ist beispielsweise größer als 10 kW/cm2.
Eine typische Querschnittsdimension A des Hohlwellenleiters der Hohlwellenleiter-Komponente 31 beträgt 1 mm. Eine typische Länge B des Wellenleiters der Hohlwellenleiter-Komponente beträgt 500 mm. Ein Verhältnis B/A aus Wellenleiterlänge B zu Wellenleiterquerschnitt A beträgt also bei der beschriebenen Ausführung, die in der Fig. 2 nicht maßstäblich wiedergegeben ist, 500. Auch ein anderes Verhältnis B/A von mindestens 100 ist möglich, beispielsweise Verhältniswerte B/A von 150, 200, 250, 300, 350, 400, 450 oder ein noch größeres Verhältnis als 500, beispielsweise ein Verhältnis B/A von 600, 750, 900, 1.000, 1.500, 2.000 oder ein noch größeres Verhältnis.
Ein Hohlraum 33 des Wellenleiters der Hohlwellenleiter-Komponente 31, in welchem das Beleuchtungslicht 8 durch Mehrfachreflexion geführt ist, hat einen rechteckigen und in der beschriebenen Ausführung einen quadratischen Wellenleiterquerschnitt. Ein interner Einfallswinkel α des Beleuchtungslichts 8 auf den Hohlraum 33 begrenzende eflexionsflächen des Wellenleiters ist größer als 85° und beträgt in der beschriebenen Ausfüh- rung 88°, was in der Fig. 2 nicht maßstäblich dargestellt ist. Auch ein größerer interner Reflexionswinkel bzw. Einfallswinkel α ist möglich, beispielsweise 86°, 88°, 89° oder ein noch größerer Einfallswinkel. Aufgrund der Mehrfachreflexion des Beleuchtungslichts 8 in der Hohlwellenleiter-Komponente 31 ergibt sich eine Homogenisierung und auch eine Stabilisierung einer Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts 8 über die Bündel- Austrittsfläche 35. Die Zahl der Reflexionen des Beleuchtungslichts 8 an den Reflexionsflächen des Hohlraums 33 kann größer sein als 5 und ist insbesondere größer als 10.
Der Hohlwellenleiter-Komponente 31 nachgeordnet ist eine Relayoptik 34 zur vergrößerten Abbildung einer Bündel- Austrittsfläche 35 der Hohlwellenleiter-Komponente 31 auf das MMA 10. Bei der Ausführung nach Fig. 2 ist die Relayoptik nach Art eines Kepler-Teleskops mit Abbildungsmaßstab ß = 50 ausgeführt. Je nach den Größenverhältnissen zwischen dem Wellenleiterquerschnitt A, also den typischen Ausdehnungen der Bündel- Austrittsfläche 35, und der mit dem Beleuchtungslicht 8 zu beaufschlagenden Fläche auf dem MMA 10 kann auch ein anderer Abbildungsmaßstab ß im Bereich zwischen 10 und 500 realisiert sein, beispielsweise ß gleich 20, 25, 30, 40, 60, 75, 100 oder 200. Die Relayoptik 34 nach Fig. 2 hat zwei Linsen 36, 37, jeweils mit positiver Brechkraft. Die Linsen 36, 37 können als Plankonvexlinsen ausgeführt sein. Die Hohlwellenleiter-Komponente 31 kann monolithisch gefertigt sein. Alternativ kann die Hohlwellenleiter-Komponente 31 aus mindestens zwei getrennten Bauteilen gefertigt sein, von denen jedes Bauteil mindestens eine interne Reilexionsfläche 38 der Hohlwellenleiter-Komponente 31 be- grenzt. Bei dem im Längsschnitt der Fig. 2 oberhalb und unterhalb des Hohlraums 33 geschnittenen Abschnitten 31a, 31b, der Hohlwellenleiter- Komponente 31 kann es sich also um zwei getrennte Bauteile handeln. Beim Montieren dieser Bauteile 31a, 31b, werden die Bauteile 31a, 31b so zusammen geführt, dass sich der Wellenleiter, also der reflektierende Hohl- räum 33, nahtlos ergibt.
Fig. 3 zeigt eine weitere Ausführung einer Hohlwellenleiter-Komponente 39, die anstelle der Hohlwellenleiter-Komponente 31 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vor- stehend unter Bezugnahme auf die Hohlwellenleiter-Komponente 31 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Die Hohlwellenleiter-Komponente 39 ist aus vier getrennten Bauteilen 39a, 39b, 39c und 39d aufgebaut, von denen jedes Bauteil 39a bis 39d eine interne Reilexionsfläche 38 des Hohlraums 33 begrenzt. Die Bauteile 39a bis 39d sind im Bereich der internen Reilexionsfläche 38 teilverspiegelte Spiegelquader mit Grundkörpern aus einem Glas- oder Quarzmaterial, beispielsweise aus SiO2. Die Bauteile 39a bis 39d haben jeweils den identi- sehen Aufbau, was die Quaderabmessungen und die Relativposition der Teilverspiegelung der internen Reilexionsfläche 38 aufweist. Alternativ kann eine gesamte, die interne Reilexionsfläche 38 beinhaltende Seitenfläche des jeweiligen Spiegelquaders 39a bis 39d für das Beleuchtungslicht 8 hochreflektierend verspiegelt sein. Bei der Montage der Hohlwellenleiter- Komponente 31 werden die vier Spiegelquader 39a bis 39d nahtlos aneinander angesetzt, wie in der Fig. 3 wiedergegeben, sodass aufgrund des Dimensionsunterschiedes der Quader-Breitendimensionen zentral der auch in diesem Fall einen quadratischen Wellenleiterquerschnitt aufweisende Hohlraum 38 nahtlos entsteht.
Die Zahl der Reflexionen des Beleuchtungslichts 8 an den internen Refle- xionsflächen 38 kann größer sein als 5 und ist insbesondere größer als 10. Die Spiegelquader 39a bis 39d können in einer gemeinsamen Fassung gegeneinander verspannt sein oder können miteinander verklebt sein.
Fig. 4 zeigt eine weitere Ausführung einer Relayoptik 40, die anstelle der Relayoptik 34 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Relayoptik 34 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Anstelle von zwei Linsen weist die Relayoptik 40 insgesamt vier Linsen 41, 42, 43 und 44 auf. Auch die Relayoptik 40 hat wie die Relayoptik 34 einen Abbildungsmaßstab von ß = 50.
Ein Abstand D der im Strahlengang des Beleuchtungslichts 8 ersten Linse 41 zu einer Anordnungsebene 45 der Bündel- Austrittsfläche 35 beispiels- weise der Hohlwellenleiter-Komponente 31 ist bei der Relayoptik 40 deutlich größer als bei der Relayoptik 34 und ist insbesondere größer als 30 mm. Die nachfolgende Tabelle gibt optische Designdaten der Relayoptik 40 wieder. Die Relayoptik 40 ist ausgelegt für eine Designwellenlänge von 193 nm.
Tabelle 1 :
Figure imgf000017_0001
Tabelle 2a:
K cl
Linse 41 konvex Asphäre 2,59E+00 -l,42E-06
konkav
Linse 42 konkav
konkav
Linse 43 konkav
konkav Linse 44 konkav
konvex Asphäre -3,97E-03 1J3E-07
Tabelle 2b:
c2 c3 c4
Linse 41 konvex Asphäre -3,12E-10 -1,06E-12 2,63E-15
konkav
Linse 42 konkav
konkav
Linse 43 konkav
konkav
Linse 44 konkav
konvex Asphäre 6,99E-1 1 1,81E-14 4,32E-18
In der ersten Spalte der Tabelle 1 sind die beteiligten optischen Flächen der elayoptik 40 bezeichnet, beginnend mit einer Objektebene, die bei der justierten Beleuchtungsoptik 7 mit der Anordnungsebene 45 zusammenfällt. In der ersten Spalte folgen in der Reihenfolge des Strahlengangs die beteiligten optischen Flächen der Linsen 41 bis 44.
Der Tabelle 1 ist zu entnehmen, dass der Abstand D zwischen der Anordnungsebene 45 und der Eintrittsfläche der ersten Linse 41 mehr als 275 mm beträgt. Je nach Auslegung der Relayoptik 40 kann auch ein anderer Abstand, beispielsweise von mindestens 50 mm, mindestens 100 mm, mindestens 150 mm, mindestens 200 mm oder mindestens 250 mm vorliegen. In der zweiten Spalte der Tabelle 1 sind Radienwerte der optischen Flächen der Linsen 41 bis 44 angegeben.
In der dritten Spalte der Tabelle 1 ist jeweils der Abstand der betrachteten Ebene beziehungsweise Oberfläche zur jeweils nachfolgenden Oberfläche beziehungsweise Ebene angegeben. Die nächste Spalte der Tabelle 1 gibt Hinweise auf das Material der Linsen 41 bis 44.
Die erste Spalte der Tabelle 2 steht nochmals für die Zuordnung der betei- ligten Flächen, gelistet in der Reihenfolge des Strahlengangs wie in der Tabelle 1 zu den Linsen 41 bis 44. Die nächste Spalte der Tabelle 2 zeigt an, ob die jeweils betrachtete Fläche konvex oder konkav ist. Bis auf die erste Eintrittsfläche und die letzte Austrittsfläche, die jeweils konvex sind, sind alle optischen Flächen der Linsen 41 bis 44 konkav.
Die Linsen 41 und 44 sind als asphärische Linsen ausgeführt. Die letzten Spalten der Tabelle 2 geben für diese asphärischen Linsen Koeffizienten κ sowie cl bis c4 gemäß der nachfolgenden Asphärengleichung an:
Figure imgf000019_0001
Hierbei bedeuten:
z: Pfeilhöhe;
h: Abstand vom Linsenscheitel, also zur optischen Achse;
K: konische Konstante;
p: 1 /Radius Details zum Material CAF2HL finden sich in der WO 2008/071275 AI .
Bei einer Variante der Beleuchtungsoptik ist vor der optischen Hohlwellen- leiter-Komponente 31 ein Zufallsphasen-Element (Random Phase Element, RPE) 46 angeordnet, das in der Fig. 2 gestrichelt angedeutet ist. Das RPE 46 sorgt dafür, dass im Bereich der Bündel- Austrittsfläche 35 keine störenden Interferenzen des Beleuchtungslichts 8 auftreten. Das RPE 46 ist als Platte aus optischem Material, beispielsweise aus CaF2 beziehungsweise CAF2HL ausgeführt. Das RPE ist über seine für den Durchtritt des Beleuchtungslichts 8 genutzte Fläche in mehrere Bereiche unterschiedlicher Dicke, also unterschiedlicher optischer Weglänge für das Beleuchtungslicht 8 unterteilt. Jeder Bereich ist für sich durch planparallele Ein- und Austrittsflächen des RPE 46 begrenzt. Übergänge zwischen den Bereichen unterschiedlicher optischer Weglänge sind stufenartig. Die zugehörigen Dickenunterschiede Δζ, also die Stufenweiten, sind zufällig. Δζ liegt zwischen 0 und λ/2 (nRpE - n0). Hierbei ist λ die Betriebswellenlänge des Beleuchtungslichts 8, nRpE ist die Brechzahl des optischen Materials des RPE 46 und n0 ist die Brechzahl des optisch dünneren Mediums, beispielsweise von Luft. Durch die zufälligen Dickenunterschiede Δζ lassen sich also Phasendifferenzen beim Durchtritt durch das RPE 46 im Bereich zwischen 0 und λ/2 erzeugen.
Die Bereiche des RPE 46 konstanter Dicke können rasterartig, besonders nach Art eines Schachbretts angeordnet sein. Eine Flächenausdehnung der Bereiche konstanter Dicke ist so gewählt, dass eine laterale Modenausdehnung am RPE 46 immer mehrere dieser Bereiche konstanter Dicke, beispielsweise fünf derartiger Bereiche überdeckt. Eine laterale Mode erfährt somit immer bereichsweise Phasendifferenzen. Aufgrund der Zufallsvertei- lung der Bereiche konstanter Dicke des RPE 46 unterscheidet sich das Interferenzmuster jeder Mode vom Interferenzmuster einer anderen Mode. Die Sensibilität der Homogenität der Beleuchtung insbesondere in Bezug auf Modeninstabilitäten der primären Lichtquelle 6 ist hierdurch reduziert.
Das RPE 46 ist an einer Position im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 7 angeordnet, an der die Moden der primären Lichtquelle 6 im Ortsraum getrennt sind. Das RPE 46 kann in einer zur primären Lichtquelle 6 konjugierten Ebene angeordnet sein. Damit dies gewährleistet ist, sorgt eine nicht näher dargestellte Optik zwischen der primären Lichtquelle 6 und dem RPE 46 dafür, dass die Anordnungsebene des RPE 46 konjugiert ist zur primären Lichtquelle 6.
Zur mikrolithografischen Herstellung mikro- bzw. nano strukturierter Bau- elemente mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird zunächst ein Substrat bzw. ein Wafer in der Waferebene 27 bereitgestellt. Auf dem Wafer ist zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht. Weiterhin wird in der Retikelebene 4 ein Retikel bereitgestellt, das abzubildende Strukturen aufweist. Mit der Projektionsbelich- tungsanlage 1 wird dann der im Objektfeld 3 angeordnete Teil des Retikels auf einen im Bildfeld angeordneten Bereich der Schicht projiziert.

Claims

Patentansprüche
1. Beleuchtungsoptik (7) für die Projektionslithographie zur Führung von Beleuchtungslicht (8) einer Lichtquelle (6) hin zu einem Objektfeld (3), in dem ein abzubildendes Objekt anordenbar ist,
mit einem Spiegelarray (10) mit einer Vielzahl von Einzelspiegeln (1 1), die unabhängig voneinander aktorisch verkippbar sind und mit zugehörigen Kippaktoren (12) verbunden sind,
mit einer optischen Hohlwellenleiter-Komponente (31 ; 39), die im Strahlengang des Beleuchtungslichts (8) dem Spiegelarray (10) vorgeordnet ist, zur Homogenisierung und Stabilisierung eines auf das Spiegelarray (10) auftreffenden Beleuchtungslicht-Bündels (32),
mit einer der Hohlwellenleiter-Komponente (31 ; 39) vorgeordne- ten Einkoppeloptik (29) zur Einkopplung eines einfallenden Beleuchtungslicht-Bündels (30) in die Hohlwellenleiter-Komponente (31 ; 39),
mit einer elayoptik (34; 40) zur Abbildung einer Bündel- Austrittsfläche (35) der Hohlwellenleiter-Komponente (31 ; 39) auf das Spiegelarray (10).
2. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Anordnung derart, dass ein interner Reflexionswinkel (a) des Beleuchtungslichts (8) in der Hohlwellenleiter-Komponente (31 ; 39) größer ist als 85°.
3. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Hohlwellenleiter-Komponente (31 ; 39) ein Verhältnis aus Wellenleiterlänge (B) zu Wellenleiterquerschnitt (A) von mindestens 100 aufweist.
4. Beleuchtungsoptik nach einer der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge- kennzeichnet, dass ein Hohlraum (33) der Hohlwellenleiter- Komponente (31 ; 39) einen rechteckigen Wellenleiterquerschnitt aufweist.
5. Beleuchtungsoptik nach einer der Ansprüchen 1 bis 4, dadurch ge- kennzeichnet, dass die Hohlwellenleiter-Komponente (31 ; 39) aus mindestens zwei getrennten Bauteilen (31a, 31b; 39a, 39b, 39c, 39d) gefertigt ist, von denen jedes Bauteil (31a, 31b; 39a, 39b, 39c, 39d) mindestens eine interne Reflexionsfläche (38) der Hohlwellenleiter- Komponente (31 ; 39) begrenzt.
6. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 5, wird dadurch gekennzeichnet, dass die Hohlwellenleiter-Komponente (31 ; 39) aus vier getrennten Bauteilen (39a bis 39d) gefertigt ist, von denen jedes Bauteil (39a bis 39d) genau eine interne Reflexionsfläche (38) Hohlwellenleiter- Komponente (31 ; 39) begrenzt.
7. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Hohlwellenleiter-Komponente (31 ; 39) aus vier zumindest teilver- spiegelten Spiegelquadern (39a bis 39d) zusammengesetzt ist.
8. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Relayoptik (34; 40) einen vergrößernden Abbildungsmaßstab von mindestens 10 aufweist.
9. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Relayoptik (34; 40) mehr als eine Linse (36, 37; 41, 42, 43, 44) aufweist.
10. Hohlwellenleiter-Komponente (31 ; 39) für eine Beleuchtungsoptik (7) nach einem der Ansprüche 1 bis 9.
1 1. Optisches System
mit einer Beleuchtungsoptik (7) nach einem der Ansprüche 1 bis 9 und
mit einer Projektionsoptik (26) zur Abbildung des Objektfeldes (3) in ein Bildfeld in einer Bildebene (27), in dem ein Substrat anor- denbar ist, auf welches bei der Projektionsbelichtung abgebildet wird.
12. Beleuchtungssystem
mit einer Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 9 und mit einer Lichtquelle (6) zur Erzeugung des Beleuchtungslichts (8).
13. Projektionsbelichtungsanlage (1)
mit einem optischen System nach Anspruch 1 1 und
mit einer Lichtquelle (6) zur Erzeugung des Beleuchtungslichts (8).
14. Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikro- oder na- no strukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten:
Bereitstellen eines Substrats, auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, Bereitstellen eines Retikels, das abzubildende Strukturen aufweist, Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 13,
Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels auf einen Bereich der Schicht mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1).
15. Bauelement, das nach einem Verfahren gemäß Anspruch 14 hergestellt ist.
PCT/EP2015/071482 2014-09-23 2015-09-18 Beleuchtungsoptik für die projektionslithographie sowie hohlwellenleiter-komponente hierfür WO2016046088A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017516112A JP6347895B2 (ja) 2014-09-23 2015-09-18 投影リソグラフィのための照明光学ユニット及びそのための中空導波管構成要素
US15/385,289 US10151929B2 (en) 2014-09-23 2016-12-20 Illumination optical unit for projection lithography and hollow waveguide component therefor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014219112.2 2014-09-23
DE102014219112.2A DE102014219112A1 (de) 2014-09-23 2014-09-23 Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie sowie Hohlwellenleiter-Komponente hierfür

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/385,289 Continuation US10151929B2 (en) 2014-09-23 2016-12-20 Illumination optical unit for projection lithography and hollow waveguide component therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016046088A1 true WO2016046088A1 (de) 2016-03-31

Family

ID=54150415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2015/071482 WO2016046088A1 (de) 2014-09-23 2015-09-18 Beleuchtungsoptik für die projektionslithographie sowie hohlwellenleiter-komponente hierfür

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10151929B2 (de)
JP (1) JP6347895B2 (de)
DE (1) DE102014219112A1 (de)
WO (1) WO2016046088A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016225563A1 (de) 2016-12-20 2018-06-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Hohlwellenleiter zur Führung von EUV-Licht mit einer Nutzwellenlänge
WO2018177840A1 (en) 2017-03-31 2018-10-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical assembly for guiding an output beam of a free electron laser

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015115064A1 (de) * 2015-09-08 2017-03-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Beleuchtungseinheit und Vorrichtung zur lithografischen Belichtung
US10283456B2 (en) * 2015-10-26 2019-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography engraving machine for forming water identification marks and aligment marks
DE102018201009A1 (de) * 2018-01-23 2019-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
US11480565B2 (en) 2020-06-12 2022-10-25 Bio-Rad Laboratories, Inc. Automated immunoassay

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0230931A2 (de) * 1986-01-29 1987-08-05 International Business Machines Corporation Homogenisierungssystem für Laserstrahlung
EP0691552A2 (de) * 1994-06-28 1996-01-10 Corning Incorporated Apparat zur gleichmässigen Beleuchtung eines Lichtventils
US20060227424A1 (en) * 2005-04-08 2006-10-12 Delta Electronics, Inc. Light tunnel module
US20060227676A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical element and light irradiation apparatus
DE102010030089A1 (de) * 2010-06-15 2011-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikro-Lithografie sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102010026252A1 (de) * 2010-07-01 2012-01-05 Jenoptik Optical Systems Gmbh Lichtintegrator für rechteckige Strahlquerschnitte unterschiedlicher Abmessungen

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01114035A (ja) * 1987-10-28 1989-05-02 Hitachi Ltd 露光装置
JPH0298919A (ja) * 1988-10-06 1990-04-11 Nikon Corp レーザ装置
JP3428055B2 (ja) * 1992-11-05 2003-07-22 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、半導体製造方法および露光方法
US5636003A (en) 1992-11-05 1997-06-03 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and scanning exposure apparatus
DE19520563A1 (de) 1995-06-06 1996-12-12 Zeiss Carl Fa Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät
US5473408A (en) * 1994-07-01 1995-12-05 Anvik Corporation High-efficiency, energy-recycling exposure system
JP4182580B2 (ja) * 1999-01-18 2008-11-19 ソニー株式会社 照明装置及び画像表示装置
TW498184B (en) * 1999-06-04 2002-08-11 Asm Lithography Bv Method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus, and device manufactured in accordance with said method
JP2000353651A (ja) * 1999-06-10 2000-12-19 Nikon Corp 露光装置及びコヒーレンス低減光学系
JP2001110713A (ja) * 1999-10-12 2001-04-20 Nikon Corp 反射型光学素子及び該光学素子を備える照明光学装置、投影露光装置、デバイス製造方法
JP2001332489A (ja) * 2000-03-13 2001-11-30 Nikon Corp 照明光学系、投影露光装置、及びデバイス製造方法
US6771870B2 (en) * 2001-03-20 2004-08-03 Eele Laboratories Components and methods for manufacturing hollow integrators and angle converters
JP2003167213A (ja) * 2001-12-04 2003-06-13 Sumitomo Heavy Ind Ltd 可干渉性解消素子およびビームホモジナイザ
AU2002354418A1 (en) * 2001-12-12 2003-06-23 Nikon Corporation Reflective illuminating optical element, reflective illuminating optical system, and duv to euv exposure device
JP4474121B2 (ja) 2003-06-06 2010-06-02 キヤノン株式会社 露光装置
WO2005026843A2 (en) 2003-09-12 2005-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
TW200532351A (en) * 2004-03-29 2005-10-01 Coretronic Corp Mounting structure for hollow integration rod
WO2006058754A2 (en) * 2004-12-01 2006-06-08 Carl Zeiss Smt Ag Beam delivery system and projection exposure system
JP5019767B2 (ja) * 2005-03-31 2012-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 光学素子および光照射装置
JP5068271B2 (ja) * 2006-02-17 2012-11-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ照明システム、及びこの種の照明システムを含む投影露光装置
WO2008071275A1 (de) 2006-12-15 2008-06-19 Carl Zeiss Sms Gmbh Mikroskopobjektiv mit tubusoptik
DE102008054582A1 (de) 2007-12-21 2009-07-09 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
JP5355699B2 (ja) * 2008-10-20 2013-11-27 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 放射線ビームを案内するための光学モジュール
DE102011006100A1 (de) * 2011-03-25 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Array
WO2012139634A1 (en) * 2011-04-12 2012-10-18 Barco N.V. Laser projector with reduced speckle
US8823921B2 (en) * 2011-08-19 2014-09-02 Ultratech, Inc. Programmable illuminator for a photolithography system
US9304410B2 (en) * 2011-11-18 2016-04-05 Periodic Structures Inc. Apparatus and method of direct writing with photons beyond the diffraction limit
DE102013204444A1 (de) * 2013-03-14 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Maskeninspektionssystem sowie Maskeninspektionssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102013204442A1 (de) * 2013-03-14 2014-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optischer Wellenleiter zur Führung von Beleuchtungslicht

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0230931A2 (de) * 1986-01-29 1987-08-05 International Business Machines Corporation Homogenisierungssystem für Laserstrahlung
EP0691552A2 (de) * 1994-06-28 1996-01-10 Corning Incorporated Apparat zur gleichmässigen Beleuchtung eines Lichtventils
US20060227676A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical element and light irradiation apparatus
US20060227424A1 (en) * 2005-04-08 2006-10-12 Delta Electronics, Inc. Light tunnel module
DE102010030089A1 (de) * 2010-06-15 2011-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikro-Lithografie sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102010026252A1 (de) * 2010-07-01 2012-01-05 Jenoptik Optical Systems Gmbh Lichtintegrator für rechteckige Strahlquerschnitte unterschiedlicher Abmessungen

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016225563A1 (de) 2016-12-20 2018-06-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Hohlwellenleiter zur Führung von EUV-Licht mit einer Nutzwellenlänge
WO2018114591A1 (de) 2016-12-20 2018-06-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Hohlwellenleiter zur führung von euv-licht mit einer nutzwellenlänge
WO2018177840A1 (en) 2017-03-31 2018-10-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical assembly for guiding an output beam of a free electron laser
DE102017205548A1 (de) 2017-03-31 2018-10-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe zum Führen eines Ausgabestrahls eines Freie-Elektronen-Lasers
US10928734B2 (en) 2017-03-31 2021-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical assembly for guiding an output beam of a free electron laser

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017534902A (ja) 2017-11-24
DE102014219112A1 (de) 2016-03-24
US20170102551A1 (en) 2017-04-13
US10151929B2 (en) 2018-12-11
JP6347895B2 (ja) 2018-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1828829B1 (de) Hochaperturiges objektiv mit obskurierter pupille
DE69837358T2 (de) Beleuchtungssystem und Belichtungsapparat
WO2016046088A1 (de) Beleuchtungsoptik für die projektionslithographie sowie hohlwellenleiter-komponente hierfür
DE102005042005A1 (de) Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
DE102008054582A1 (de) Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102014208770A1 (de) Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Projektionsoptik
DE102012010093A1 (de) Facettenspiegel
DE102006014380A1 (de) Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille
DE102008043162A1 (de) Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102010039745A1 (de) Abbildende Optik
DE102011113521A1 (de) Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102009048553A1 (de) Katadioptrisches Projektionsobjektiv mit Umlenkspiegeln und Projektionsbelichtungsverfahren
DE102009006685A1 (de) Beleuchtungssystem für die Mikro-Lithographie
DE102018208710A1 (de) Blende zur Anordnung in einer Engstelle eines EUV-Beleuchtungsbündels
DE102010030089A1 (de) Beleuchtungsoptik für die Mikro-Lithografie sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102009045219A1 (de) Beleuchtungssystem für die Mikrolithographie
EP3111269B1 (de) Bündelverteilungsoptik, beleuchtungsoptik mit einer derartigen bündelverteilungsoptik, optisches system mit einer derartigen beleuchtungsoptik sowie projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen system
DE102019212017A1 (de) Optisches Beleuchtungssystem zur Führung von EUV-Strahlung
WO2019149462A1 (de) Beleuchtungsoptik für die projektionslithographie
DE102010002822A1 (de) Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
DE102015208514A1 (de) Facettenspiegel für die EUV-Projektionslithografie sowie Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Facettenspiegel
DE102012210073A1 (de) Beleuchtungsoptik für die EUV- Projektionslithographie
DE102018214437A1 (de) Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102022205273B3 (de) Beleuchtungssystem, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren
DE102014203347B4 (de) Beleuchtungsoptik für die Mikro-Lithografie sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15766814

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2015766814

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2015766814

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017516112

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15766814

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1