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Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie. Ferner betrifft die Erfindung ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, ein Beleuchtungssystem mit einem derartigen optischen System und eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem.
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Eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art ist bekannt aus der
DE 195 20 563 A1 . Weitere Beleuchtungsoptiken sind bekannt aus der
WO 2005/006079 A1 , der
WO 2003/046663A2 , der
DE 10 2007 055 443 A , der
US 7,209,218 A , der
US 2003/0038931 A , der
US 6,704,092 A , der
WO 2009/024 164 A und der
JP 2007/27240 A .
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass auch bei Beleuchtungswinkelverteilungen mit extrem von einer normalen Inzidenz auf das Objektfeld abweichenden Beleuchtungswinkeln eine unerwünschte Feldabhängigkeit einer vorgegebenen Beleuchtungswinkelverteilung verringert oder ganz vermieden ist.
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Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
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Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass eine unerwünschte Feldabhängigkeit einer Beleuchtungswinkelverteilung durch Einsatz einer optischen Korrekturfläche im Bereich einer Austrittsfläche des optischen Stabes verringert beziehungsweise zumindest weitgehend vermieden werden kann. Die Korrekturfläche kann refraktiv wirken. Korrekturstrukturen auf der Korrekturfläche können über eine Asphärengleichung beschreibbar sein. Die Korrekturstrukturen können eine maximale Pfeilhöhe von 20 µm, von 10 µm, von 8 µm oder von 6 µm haben. Die Korrekturstrukturen können eine maximale Strukturflankensteigung von 5 µm/mm, von 3 µm/mm, von 2 µm/mm oder von 1,5 µm/mm haben. Über eine derartige Korrekturfläche ist eine feldabhängige Korrekturmöglichkeit zugänglich, die eine unerwünschte Feldabhängigkeit einer Beleuchtungswinkelverteilung, die insbesondere durch Abbildungsfehler der Beleuchtungsoptik herbeigeführt werden kann, verringern oder weitgehend vermeiden kann.
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Eine feldnahe Anordnung der Korrekturfläche nach Anspruch 2 hat sich für die feldabhängige Kompensations- beziehungsweise Korrekturwirkung als besonders geeignet herausgestellt. Eine feldnahe Anordnung der Korrekturfläche zu einer Feldebene der Beleuchtungsoptik ist gegeben, wenn ein Parameter
P, der definiert ist in der
WO 2009/024 164 A , höchstens 0,3 beträgt.
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Eine Ausführung der Korrekturfläche nach Anspruch 3 vermeidet ein zusätzliches, die Korrekturfläche tragendes optisches Korrekturelement.
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Eine Ausführung nach Anspruch 4 erhöht die Flexibilität, die über die Korrektur durch die Korrekturfläche erreichbar ist.
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Gestaltungen nach den Ansprüchen 5 und 6 haben sich als besonders geeignet herausgestellt.
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Auch eine Kombination der vorstehend angegebenen Korrekturflächen-Anordnungsmöglichkeiten ist möglich.
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Ein Wechselhalter nach Anspruch 7 ermöglicht insbesondere eine Anpassung der Korrekturwirkung der jeweiligen Korrekturfläche an eine gewünschte Beleuchtungswinkelverteilung, also an ein gewünschtes Beleuchtungssetting. Anstelle eines Wechselns zwischen verschiedenen Korrekturelementen kann auch ein bestimmtes Korrekturelement durch den Wechselhalter zwischen einer Korrekturstellung und einer Neutralstellung ein- und ausgefahren werden, sodass in einer Arbeitsposition des Wechselhalters keines der Korrekturelemente des Wechselhalters optisch wirksam ist.
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Ein Wechselhalterantrieb nach Anspruch 8 ermöglicht einen automatisierten Korrekturelementwechsel. Der Wechselhalterantrieb kann mit einer zentralen Steuereinrichtung der Beleuchtungsoptik in Signalverbindung stehen.
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Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 9, eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 10 und einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11 entsprechen denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden. Bei der Lichtquelle kann es sich um eine DUV-Lichtquelle (tiefes Ultraviolett, deep ultraviolet) handeln.
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Mit der Projektionsbelichtungsanlage kann insbesondere ein mikro- beziehungsweise nanostrukturiertes Bauteil, besonders ein Halbleiterchip, beispielsweise ein Speicherchip, hergestellt werden.
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Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
- 1 eine schematische Übersicht einer Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage in einem Meridionalschnitt;
- 2 eine zusätzliche Details zeigende Ausschnittsvergrößerung aus 1 im Bereich eines Korrekturelements mit einer Korrekturfläche zur Korrektur einer Feldabhängigkeit einer Beleuchtungswinkelverteilung bei der Beleuchtung eines Objektfeldes, angeordnet im Bereich einer Austrittsfläche eines optischen Stabes einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1;
- 3 eine Ausschnittsvergrößerung eines Details III in 2 im Bereich der Korrekturfläche;
- 4 und 5 zur Ausschnittsvergrößerung nach 3 ähnliche Ansichten weiterer Ausführungen von Korrekturflächen, die anstelle derjenigen nach 3 bei der Beleuchtungsoptik zum Einsatz kommen können; und
- 6 eine weitere Ausführung eines optischen Stabes der Beleuchtungsoptik, in diesem Fall ausgeführt mit einer Korrekturfläche, die alternativ oder zusätzlich zu den Korrekturflächen nach den 3 bis 5 zum Einsatz kommen kann und gleichzeitig eine Austrittsfläche des optischen Stabes darstellt.
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Eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage 1 hat ein Beleuchtungssystem mit einer Beleuchtungsoptik 2 zur Ausleuchtung eines definierten Beleuchtungs- beziehungsweise Objektfelds 3 am Ort eines Objekts beziehungsweise Retikels 4, welches eine für die Produktion mikrostrukturierter beziehungsweise mikroelektronischer Halbleiterbauelemente zu projizierende Vorlage darstellt. Das Retikel 4 wird von einem nicht dargestellten Retikelhalter gehalten.
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Als Lichtquelle 5 für Beleuchtungslicht des Beleuchtungssystems dient ein Laser im tiefen Ultraviolett (DUV). Hierbei kann es sich um einen ArF-Excimer-Laser handeln. Auch andere DUV-Quellen sind möglich.
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Ein Strahlaufweiter
6, beispielsweise eine aus der
DE-A 41 24 311 bekannte Spiegelanordnung, dient zur Kohärenzreduktion und zur Erzeugung eines aufgeweiteten, kolimierten, rechteckigen Querschnitts eines Strahls des Beleuchtungslichts
7.
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Ein erstes diffraktives optisches Rasterelement (DOE) 8 ist in einer Objektebene eines Kondensors 9 angeordnet. Der Kondensor 9 hat ein Axicon-Paar 10 und eine Linse 11 mit positiver Brennweite. Der Abstand der Axicon-Elemente des Axicon-Paars 10 zueinander sowie die Position der Linse 11 sind längs einer optischen Achse 12 der Beleuchtungsoptik 2 verstellbar, wie in der 1 durch Doppelpfeile 13, 14 angedeutet. Der Kondensor 9 stellt daher eine Zoom-Optik dar.
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In einer Austritts-Pupillenebene 15 des Kondensors 9 ist ein weiteres diffraktives und/oder refraktives optisches Rasterelement (ROE) 16 angeordnet. Soweit das Rasterelement 16 diffraktiv ausgeführt ist, kann es beispielsweise als computergeneriertes Hologramm (CGH) ausgeführt sein. Alternativ oder zusätzlich zur Ausgestaltung als diffraktives optisches Element kann das ROE 16 refraktiv ausgeführt sein, beispielsweise als refraktives optisches Rasterelement, insbesondere als Mikrolinsen-Array. Obwohl auch eine diffraktive Ausführung möglich ist, wird das Rasterelement 16 nachfolgend als ROE bezeichnet.
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Mit dem ersten DOE 8 wird am Ort des ROE 16 eine definierte Intensitätsverteilung in der Pupillenebene 15 eingestellt. Hierdurch wird ein vorgegebenes sogenanntes Beleuchtungssetting, also eine definierte Verteilung von Beleuchtungswinkeln über das Objektfeld 3, erzeugt. Das erste DOE 8 stellt daher ein Beleuchtungswinkel-Vorgabeelement zur Vorgabe einer Beleuchtungswinkelverteilung über das Objektfeld 3 dar.
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Eine dem ROE 16 nachgeordnete Einkoppeloptik 17 überträgt das Beleuchtungslicht auf eine stirnseitige Eintrittsfläche 18 eines transparenten optischen Stabes in Form eines Glasstabes 19. Der Stab 19 mischt und homogenisiert das Beleuchtungslicht durch mehrfache innere Reflexion an den Mantelwänden des Stabs 19. Unmittelbar an einer der Eintrittsfläche 18 gegenüberliegenden, stirnseitigen Austrittsfläche 20 des Stabs 19 liegt eine Zwischenfeldebene, in der ein Retikel-Masking-System (REMA) 21, eine verstellbare Feldblende, angeordnet ist. Im Bereich der Austrittsfläche 20 des optischen Stabes 19 ist eine Korrekturfläche zur Korrektur einer Feldabhängigkeit einer Beleuchtungswinkelverteilung bei der Beleuchtung des Objektfeldes 3 angeordnet, zu der nachfolgend, besonders im Zusammenhang mit den 2 bis 6 noch Ausführungsbespiele beschrieben werden.
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Mit dem ROE 16 wird die Querschnittsform des Beleuchtungsstrahls 7 an die Rechteckform der Eintrittsfläche 18 des Stabs 19 angepasst. Das ROE 16 dient daher auch als Beleuchtungsintensitäts-Vorgabeelement zur Vorgabe einer Beleuchtungsintensitätsverteilung über das Objektfeld 3.
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Dem REMA 21 nachgeordnet ist ein Kondensor 22. In einer Austritts-Pupillenebene 23 des Kondensors 22 kann ein Blenden-Wechselhalter 24 mit einer Mehrzahl von Blenden beziehungsweise Filtern angeordnet sein, von denen in der 1 zwei Blenden 25, 26 dargestellt sind. Der Blenden-Wechselhalter 24 trägt die verschiedenen Blenden nach Art eines Blendenkarussells. Zum Blendenwechsel wird das Karussell um eine Antriebswelle 27 eines Antriebsmotors 28 angetrieben, der mit einer zentralen Steuereinrichtung 28a der Projektionsbelichtungsanlage 1 in Signalverbindung steht. Die Blenden des Blenden-Wechselhalters 24 sind in eine gerade Anzahl von separaten Blendenabschnitten unterteilt. Bei den Blendenabschnitten kann es sich um das Beleuchtungslicht vollständig blockende Blenden, um das Beleuchtungslicht um einen vorgegebenen Anteil schwächende Graufilter oder um das Beleuchtungslicht linear polarisierende Polarisationsfilter handeln.
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Der dem Stab 19 nachgeordneten Pupillenebene 23 ist ein weiterer Kondensor mit Linsengruppen 29, 30 nachgeordnet. Zwischen den beiden Linsengruppen 29, 30 ist ein 90 °-Umlenkspiegel 31 für das Beleuchtungslicht angeordnet. Der Kondensor 22 sowie der weitere Kondensor mit den beiden Linsengruppen 29, 30 bilden ein Objektiv 31a, das die Zwischenfeldebene des REMA 21 auf das Retikel 4 abbildet. Die Pupillenebene 23 stellt eine interne Pupillenebene dieses Objektivs 31a dar.
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Ein Projektionsobjektiv 32 bildet das Objektfeld 3, das in einer Objektebene 33 liegt, in ein Bildfeld 34 in einer Bildebene 35 ab. Das Bildfeld 34 ist Teil der Oberfläche eines zu belichtenden Wafers 36, der mit einer für das Beleuchtungslicht empfindlichen Beschichtung versehen ist. Der Wafer 36 wird von einem nicht dargestellten Waferhalter gehalten. Bei der Projektionsbelichtung werden das Retikel 4 und der Wafer 36 synchron zueinander gescannt. Auch eine intermittierende Verlagerung der Halter des Retikels 4 und des Wafers 36, ein sogenannter Stepper-Betrieb, ist möglich.
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Die verschiedenen bündelführenden beziehungsweise bündelformenden Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 sind mit Ausnahme des Umlenkspiegels 31 als refraktive Komponenten angedeutet. Genauso kann es sich auch um katadioptrische oder um reflektive Komponenten handeln.
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2 zeigt eine weitere Details verdeutlichende Ausschnittsvergrößerung der Beleuchtungsoptik 2 im Bereich der Austrittsfläche 20 des Stabs 19 und der REMA-Feldblende 21.
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Im Strahlengang des Beleuchtungslichts 7 zwischen der Austrittsfläche 20 und der REMA-Feldblende 21 ist ein optisches Korrekturelement 37 angeordnet.
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3 zeigt eine Ausschnittsvergrößerung des Korrekturelements 37. Eine Austrittsfläche des Korrekturelements 37 ist als optische Korrekturfläche 38 mit Korrekturstrukturen 39 ausgeführt. Die Korrekturfläche 38 dient zur Korrektur einer Feldabhängigkeit einer Beleuchtungswinkelverteilung des Beleuchtungslichts 7 bei der Beleuchtung des Objektfeldes 3. Die Korrekturfläche 38 kann refraktiv wirken. Die Korrekturstrukturen 39 haben eine maximale Pfeilhöhe, also eine maximale Amplitude in Bezug auf eine Best Fit-Referenzfläche, beispielsweise in Bezug auf eine sphärische Referenzfläche, von 20 µm. Die maximale Pfeilhöhe kann auch 10 µm, 8 µm, 6 µm betragen oder kann auch noch geringer sein. Die Korrekturstrukturen 39 haben eine maximale Strukturflankensteigung von 5 µm/mm. Diese maximale Steigung kann auch 3 µm/mm, 2 µm/mm oder auch 1,5 µm/mm betragen und kann auch noch geringer sein.
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Aufgrund der Anordnung nahe der REMA-Feldblende 21 ist die Korrekturfläche 38 nahe einer zur Objektebene 33 des Objektfeldes 3 konjugierten Ebene angeordnet.
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Zur Charakterisierung einer Feldnähe der Position der Korrekturfläche
38 innerhalb der Beleuchtungsoptik
2 kann folgender Parameter P herangezogen werden:
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Hierbei gilt:
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D(SA) ist der Durchmesser einer Subapertur auf der Korrekturfläche 38; D(CR) ist der maximale Abstand von Hauptstrahlen des vom Objektiv 31a abgebildeten Objektfeldes 3, gemessen in einer Referenzebene (zum Beispiel in einer Symmetrie- oder Meridionalebene), auf der Korrekturfläche 38;
in einer Feldebene gilt: P = 0, da D(CR) ungleich 0 und D(SA) = 0;
in einer Pupillenebene gilt: P = 1, da D(CR) = 0 und D(SA) ungleich 0.
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Die optische Korrekturfläche 38 ist so angeordnet, dass gilt: P ≤ 0,3, insbesondere P ≤ 0,2; P ≤ 0,1 oder P ≤ 0,05.
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Eine Korrekturwirkung der Korrekturfläche 38 findet besonders bei Beleuchtungssettings statt, bei denen stark von einer senkrechten Beleuchtung des Objektfeldes 3 abweichende Beleuchtungswinkel auftreten, insbesondere Beleuchtungswinkel, die von einem maximal möglichen Beleuchtungswinkel, der begrenzt ist zum Beispiel von einer objektseitigen numerischen Apertur des Objektivs 31a, um nicht mehr als 20 % oder um nicht mehr als 10 % abweichen. Ein derartige extreme Beleuchtungswinkel charakterisierender Parameter, σ, stellt das Verhältnis zwischen einem maximalen Durchmesser einer für das Objektiv 31a nutzbaren Pupille zur Pupillenposition dar, von der ein Beleuchtungsstrahl ausgeht, der den größten Beleuchtungswinkel aufweist, der bei einem aktuell genutzten Beleuchtungssetting auftritt, σ = 1 bedeutet in diesem Fall, dass der aufgrund der nutzbaren Pupille maximal mögliche Beleuchtungswinkel tatsächlich genutzt wird. σ = 0 bedeutet eine ausschließlich senkrechte Inzidenz auf dem Objektfeld 3. Die Wirkung der Korrekturfläche 38 ist besonders bei Beleuchtungssettings mit Werten σ ≥ 0,8 und insbesondere σ ≥ 0,9 von Vorteil. Die Korrekturstrukturen 39 sind dabei so ausgeführt, dass sie auch bei extremen Beleuchtungswinkeln im Bereich von σ ≥ 0,8 dazu führen, dass ein möglichst hoher Anteil des Beleuchtungslichts 7 die Aperturblende 25 beziehungsweise 26 in der Pupillenebene 23 ohne unerwünschte Schwächung passieren kann.
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Über die Korrekturfläche 38 können insbesondere Abbildungsfehler korrigiert beziehungsweise kompensiert werden, die bei der Abbildung zwischen einer Anordnungsebene der REMA-Feldblende 21 und der Objektebene 33 auftreten, beispielsweise Abbildungsfehler des Typs schiefe sphärische Aberration, Koma sowie Verzeichnung. Diese Abbildungsfehler können sich insbesondere unerwünscht auf eine Telezentrie der Abbildung und/oder auf eine Uniformität der Feldausleuchtung auswirken.
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Diese Abbildungsfehler würden, sofern sie unkorrigiert beziehungsweise unkompensiert blieben, zu einem unerwünschten Abschneiden von Beleuchtungslicht 7 an den Blenden 25 beziehungsweise 26 der Pupillenebene 23 führen, wobei dieses Abschneiden unerwünscht abhängig vom jeweiligen Feldpunkt wäre. Ein Komafehler würde beispielsweise dazu führen, dass bei einer Dipolbeleuchtung an einem Feldrand einer der beiden Pole des Dipol-Beleuchtungssettings teilweise über die Blende 25 beziehungsweise 26 abgeschnitten würde, wohingegen am gegenüberliegenden Feldrand der andere Pol des Dipol-Beleuchtungssettings teilweise an dieser Blende 25 beziehungsweise 26 abgeschnitten würde. Ein feldabhängiger Telezentriefehler wäre die Folge.
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Ein ähnlicher Effekt ergäbe sich aufgrund einer schiefen sphärischen Aberration.
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Die Korrekturstrukturen 39 sind so ausgeführt, dass sie im Ergebnis zu einem feldabhängigen Kipp des Beleuchtungssettings führen. Hierdurch kann die unerwünschte Wirkung der vorstehend beschriebenen Abbildungsfehler kompensiert beziehungsweise korrigiert werden. In Feldbereichen, wo der Abbildungsfehler beispielsweise dazu führen würde, dass ein Pol eines Beleuchtungssettings von der Blende 25 beziehungsweise 26 teilweise abgeschnitten würde, können die Korrekturstrukturen 39 so wirken, dass dieser Pol in diesen Feldbereichen innerhalb durchlässiger Blendenbereiche bleibt.
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Mit Kenntnis der feldabhängigen Wirkung der Objektiv-Abbildungsfehler auf eine Deformation beziehungsweise Verschiebung des Beleuchtungssettings in der Pupillenebene 23 lässt sich durch Anwendung beispielsweise des Brechungsgesetzes und in Kenntnis der Brennweite des Kondensors 22 die zur Korrektur beziehungsweise Kompensation notwendige Form der Korrekturstrukturen 39 berechnen. Als Ergebnis für die Form der Korrekturfläche 38 kann sich beispielsweise eine Asphäre ergeben, die als Polynomfit mit einem x2- und einem x4-Term beschrieben werden kann und deren Pfeilhöhe von einer sphärischen Fläche um maximal 6 µm abweicht und deren Korrekturstruktur eine maximale Flankensteigung von 1,5 µm/mm hat.
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4 zeigt eine alternative Ausführung des optischen Korrekturelements 37. Dort ist anstelle der Austrittsfläche die Eintrittsfläche als Korrekturfläche 40 ausgeführt, deren Wirkung derjenigen entspricht, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Korrekturfläche 38 der Ausführung nach 4 erläutert wurde.
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5 zeigt eine weitere Ausführung des optischen Korrekturelements 37, wobei dort sowohl eine Eintrittsfläche als auch eine Austrittsfläche als Korrekturflächen 41, 42 ausgeführt sind. Eine Kombination der Wirkungen dieser beiden Korrekturflächen 41, 42 entspricht derjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Korrekturfläche 38 erläutert wurde.
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6 zeigt eine Ausführung, bei der eine Korrekturfläche 43 gleichzeitig die Austrittsfläche 20 des optischen Stabs 19 darstellt. Die optische Wirkung der Korrekturfläche 43 entspricht wiederum derjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Korrekturfläche 38 erläutert wurde.
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Auch Kombinationen von Anordnungen mit den Korrekturflächen 39, 40, 41, 42 und 43 sind möglich. So kann eine Korrektur beispielsweise gleichzeitig mit der Korrekturfläche 43 und mit mindestens einer Korrekturfläche auf dem optischen Korrekturelement 37 erfolgen.
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Gestrichelt ist in der 2 am Ort 37' noch eine weitere Anordnungsmöglichkeit für das optische Korrekturelement 37 mit Korrekturflächen 38 (vergleiche 3), 40 (vergleiche 4) oder 41, 42 (vergleiche 5) angedeutet. Diese alternative Anordnung des optischen Korrekturelements 37' ist im Strahlengang des Beleuchtungslichts 7 nach der REMA-Feldblende 21. Auch die Anordnung des optischen Korrekturelements 37' ist im oben erläuterten Sinne feldnah zur Feldebene der REMA-Feldblende 21.
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Das optische Korrekturelement 37 in den Ausführungen nach den 3 bis 5 kann Bestandteil eines Korrekturelement-Wechselhalters 44 sein. Letzterer hat neben dem in der 2 dargestellten, aktiven optischen Korrekturelement 37 mindestens ein weiteres optisches Korrekturelement 45, welches über einen Wechselhalterantrieb 46 zum Austausch des optischen Korrekturelements 37 zwischen einer in der 2 dargestellten Neutralposition und einer aktiven Position verlagert werden kann, in der das optische Korrekturelement 45 an die Stelle des optischen Korrekturelements 37 zum Austausch von diesem gelangt. Der Korrekturelement-Wechselhalter 44 kann nach Art eines Wechselhalterkarussells ausgeführt sein. Zum Korrekturelementwechsel wird das Karussell um eine Antriebswelle 47 eines um eine Antriebswelle 47 eines Antriebsmotors des Wechselhalterantriebs 46 angetrieben. Der Wechselhalterantrieb 46 steht mit der zentralen Steuereinrichtung 28a in Signalverbindung.
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Die Korrekturstrukturen der verschiedenen optischen Korrekturelemente 37, 45, ... des Korrekturelement-Wechselhalters 44 können an verschiedene Beleuchtungssettings angepasst sein, die bei der Projektionsbelichtungsanlage 1 zum Einsatz kommen können.
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Anstelle eines Auswechsels zwischen verschiedenen optischen Korrekturelementen kann der Korrekturelement-Wechselhalter 44 auch so betrieben werden, dass in einer Stellung des Korrekturelement-Wechselhalters 44 keines der optischen Korrekturelemente aktiv ist.
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Bei der mikrolithografischen Herstellung eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauelements wird zunächst der Wafer 36 zumindest abschnittsweise mit einer lichtempfindlichen Schicht beschichtet. Dann wird eine Struktur auf dem Retikel 4 mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 auf den Wafer 36 projiziert. Sodann wird der belichtete Wafer 36 zur Ausbildung des mikrostrukturierten Bauelements bearbeitet.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 19520563 A1 [0002]
- WO 2005/006079 A1 [0002]
- WO 2003/046663 A2 [0002]
- DE 102007055443 A [0002]
- US 7209218 A [0002]
- US 2003/0038931 A [0002]
- US 6704092 A [0002]
- WO 2009/024164 A [0002, 0006]
- JP 2007027240 A [0002]
- DE 4124311 A [0018]
