CN111656252A - 投射光刻的照明光学装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种投射光刻的照明光学装置，其用于照明物场。所述照明光学装置包括具有照明光的入射面和出口面(20)的光学棒(19)。光学棒(19)设计为使得在光学棒(19)的侧壁处通过多次全内反射混合且均质化照明光。至少一个校正表面用于在照明物场期间校正照明角分布的场依赖性。校正表面布置在光学棒(19)的出口面(20)的区域中。这得到一种照明光学装置，其中甚至在照明角分布的照明角与物场的法线入射大幅偏离的情况下，也降低或完全避免预设的照明角分布的不期望的场依赖性。

Description

投射光刻的照明光学装置
本专利申请要求德国专利申请DE 10 2018 201 009.9的优先权，其内容通过引用并入本文。
本发明涉及投射光刻的照明光学单元。此外，本发明涉及包括这样的照明光学单元的光学系统，包括这样的光学系统的照明系统，以及包括这样的照明系统的投射曝光设备。
从DE 195 20 563 A1已知开篇阐述的类型的照明光学单元。从WO2005/006079A1、WO 2003/046663A2、DE 10 2007 055 443 A、US 7,209,218A、US 2003/0038931 A、US6,704,092 A、WO 2009/024 164 A和JP 2007/27240A已知其他照明光学单元。
本发明的目的是，开发一种开篇阐述的类型的照明光学单元，使得甚至在照明角分布的照明角与物场的法线入射非常偏离的情况下，降低或整体避免所指定的照明角分布的不期望的场依赖性。
根据本发明，由包括权利要求1中所指定的特征的照明光学单元实现该目的。
根据本发明，已经认识到，通过在光学棒的出口区域的区域中使用光学校正区域，可以降低或至少很大程度上避免照明角分布的不期望的场依赖性。校正区域可以具有折射效应。校正区域上的校正结构是可通过非球面等式描述的。校正结构的最大弧矢高度可以是20μm、10μm、8μm或者6μm。校正结构的最大结构侧面梯度可以是5μm/mm、3μm/mm、2μm/mm或1.5μm/mm。这样的校正区域使得可用场依赖的校正选项，后者能够降低或很大程度上避免照明角分布的不期望的场依赖性，特别是这可能由照明光学单元的成像像差引起。
如权利要求2所主张的校正区域的近场布置被发现为特别适用于场依赖的补偿或校正效应。如果WO 2009/024 164 A中限定的参数P不大于0.3，则存在来自照明光学单元的场平面中的校正区域的近场布置。
如权利要求3所主张的校正区域的实施例避免了承载校正区域的附加光学校正元件。
如权利要求4所主张的实施例提高了通过由校正区域进行校正可实现的灵活性。
如权利要求5和6所主张的设计被发现是特别适用的。
上文指定的校正区域布置选项的组合也是可能的。
如权利要求7所主张的互换保持件特别是促进了相应校正区域的校正效应适配到期望的照明角分布，即适配到期望的照明设定。代替在各种校正元件之间变化，还可以通过互换保持件在校正位置和中间位置之间延伸和收缩具体的校正元件，因而在互换保持件的一个工作位置中，互换保持件的校正元件中没有一个是光学有效的。
如权利要求8所主张的互换保持件驱动器促进了自动校正元件变化。互换保持件驱动器可以信号连接到照明光学单元的中央控制装置。
如权利要求9所主张的光学系统的优点、如权利要求10所主张的照明系统的优点以及如权利要求11所主张的投射曝光设备的优点对应于上文中参考根据本发明的照明光学单元已经解释的那些优点。光源可以是DUV(深紫外)光源。
特别是，微结构或纳米结构部件(特别是例如存储器芯片的半导体芯片)可以使用投射曝光设备来制造。
在下文参考附图更详细地解释本发明的示例性实施例。附图中：
图1以子午截面示出了微光刻投射曝光设备的示意性概览图；
图2示出了图1的放大局部图以示出具有校正区域的校正元件的区域中的附加细节，该校正元件用于在照明物场时校正照明角分布的场依赖性，设置在根据图1的投射曝光设备的照明光学单元的光学棒的出口区域的区域中；
图3示出了在校正区域的区域中图2中细节III的放大局部图；
图4和图5示出了与根据图3的放大局部图类似的校正区域的其他实施例的视图，该校正区域的其他实施例在照明光学单元中替代根据图3的校正区域来使用；以及
图6示出了照明光学单元的光学棒的其他实施例，在这种情况下实施有校正区域，其可以用作根据图3至图5的校正区域的替代例或补充且同时表示光学棒的出口区域。
微光刻投射曝光设备1具有带照明光学单元2的照明系统，用于在物体和掩模母版4的位置处照明限定的照明和物场3，该掩模母版4表示要投射的模板以制造微结构或微电子半导体部件。由掩模母版保持件保持掩模母版4，在此未示出掩模母版保持件。
对于照明系统的照明光，深紫外(DUV)的激光器作为光源5。这可以是ArF准分子激光器。还可以是其他DUV源。
例如从DE-A41 24 311已知的反射镜布置之类的扩束器6用于降低相干性并且生成照明光7的束的扩展准直矩形横截面。
第一衍射光栅元件(DOE)8设置在聚光器9的物平面中。聚光器9包括轴锥镜对10和具有正焦距的透镜元件11。轴锥镜对10的轴锥镜元件彼此之间的间隔和透镜元件11的位置沿着照明光学单元2的光轴12是可调整的，如图1的双向箭头13、14所指示的。因此，聚光器9表示变焦光学单元。
其他衍射和/或折射光栅元件(ROE)16设置在聚光器9的出瞳平面15中。例如，就光栅元件16具有衍射实施例而言，它可以实施为计算机生成全息图(CGH)。作为衍射光学元件的实施例的替代例或补充，ROE 16可以具有折射实施例，例如作为折射光栅元件，特别是微透镜阵列。虽然衍射实施例也是可能的，下文中光栅元件16表示为ROE。
使用第一DOE 8，光瞳平面15中限定的强度分布设置在ROE 16的位置处。这生成了指定的所谓的照明设定，即在物场3之上照明角度的限定分布。因此，第一DOE 8表示照明角规范元件，用于指定在物场3之上的照明角分布。
在ROE 16的下游设置的输入耦合光学单元17将照明光传输到玻璃棒19的形式的透明光学棒的端侧入口区域18。棒19在棒19的侧壁处通过多次内反射将照明光混合和均质化。中间场平面(在其中设置掩模母版遮蔽系统(REMA)，即可调场光阑)被设置为直接位于棒19的与入口区域18相对的端侧出口区域20上。在照明物场3时校正照明角分布的场依赖性的校正区域设置在光学棒19的出口区域20的区域中，下面特别是结合图2至图6仍然对所述校正区域的示例性实施例进行描述。
ROE 16用于将照明束7的横截面形状适配到棒19的入口区域18的矩形形状。因此，ROE 16还用作照明强度规范元件，用于指定在物场3之上的照明强度分布。
聚光器22设置在REMA21的下游。具有多个光阑或滤光器的光阑互换保持件24可以设置在聚光器22的出射光瞳平面23中，图1图示了所述多个光阑或滤光器的两个光阑25、26。光阑互换保持件24以光阑转盘的方式承载各种光阑。出于改变光阑的目的，绕驱动马达28的驱动轴27来驱动转盘，将该驱动马达28信号连接到投射曝光设备1的中央控制装置28a。光阑互换保持件24的光阑被细分成偶数个分开的光阑区段。光阑区段可以是完全阻挡照明光的光阑、将照明光衰减了预定百分比的中性的密度滤光器、或者使照明光线性偏振的偏振滤光器。
具有透镜元件的组合29、30的其他聚光器在棒19的下游所设置的光瞳平面23的下游移动。照明光的90°偏转反射镜31设置在两个透镜元件的组合29、30之间。聚光器22和具有两个透镜元件的组合29、30的其他聚光器形成镜头31a，其将REMA21的中间场平面成像到掩模母版4上。光瞳平面23表示该镜头31a的内部光瞳平面。
投射镜头32将位于物平面33中的物场3成像到像平面35中的像场34中。像场34是要曝光的晶片36的表面的一部分，其配备有对照明光敏感的涂层。由晶片保持件保持晶片36，在此未示出晶片保持件。在投射曝光期间，掩模母版4和晶片36可以被彼此同步地扫描。掩模母版4的保持件和晶片的保持件的间歇性位移，即所谓的步进机操作也是可能的。
除偏转反射镜31以外，投射曝光设备1的各种束引导或束成形部件表示为折射部件。然而，这些可以等同地是反射折射式或反射式部件。
图2示出了放大局部图，其阐明了在棒19的出口区域20的区域中的照明光学单元2以及REMA场光阑21的其他细节。
光学校正元件37设置在照明光7在出口区域20与REMA场光阑21之间的束路径中。
图3示出了校正元件37的放大的局部图。校正元件37的出口区域实施为具有校正结构39的光学校正区域38。校正区域38用于在照明物场3时校正照明光7的照明角分布的场依赖性。校正区域38可以具有折射效应。校正结构39的最大弧矢高度，即关于最佳拟合参考区域(例如关于球形参考区域)的最大幅值为20μm。最大弧矢高度还可以是10μm、8μm、6μm或者可以更低。校正结构39的最大结构侧面梯度可以是5μm/mm。最大梯度还可以是3μm/mm、2μm/mm、1.5μm/mm或者可以更低。
由于靠近REMA场光阑21的布置，校正区域38设置为接近与物场3的物平面33共轭的平面。
为了表征照明光学单元2内的校正区域38的位置的场接近度，可以使用以下参数P：
P(M)＝D(SA)/(D(SA)+D(CR))
在此：
D(SA)是校正区域38中的子孔径的直径；
D(CR)是在校正区域38中由镜头31a成像的物场3的主光线的最大间隔，该最大间隔在参考平面(例如对称的平面中或子午平面中)测得；
场平面中，以下适用：P＝0，因为D(CR)不等于0且D(SA)＝0；
光瞳平面中，以下适用：P＝0，因为D(CR)＝0且D(SA)不等于0。
设置光学校正区域38，使得以下适用：P≤0.3，特别是P≤0.2；P≤0.1或P≤0.05。
校正区域38的校正效应特别是在以下情况下发生：其中与物场3的垂直照明大幅偏离的照明角发生的照明设定，特别是该照明角与最大可能的照明角偏离了不大于20％或不大于10％，其例如由镜头31a的物侧数值孔径限制。表征这样的最大程度照明角的参数σ表示了由镜头31a可使用的光瞳的最大直径与光瞳位置之间的比率，其中具有在目前所使用的照明设定中发生的最大照明角的照明束从该光瞳位置出射。σ＝1在该情况下意味着由于可使用的光瞳而实际上使用最大可能照明角。σ＝0意味着仅垂直入射在物场3上。校正区域38的效应特别是在其中σ≥0.8和特别是σ≥0.9的照明设定的情况下是有利的。在此，校正结构39实施为使得它们导致在没有不期望的衰减的情况下，甚至在最大程度照明角在σ≥0.8的区域中的情况下，照明光7在光瞳平面23中能够通过孔径光阑25或26的最大可能比例。
校正区域38特别是能够校正或补偿当在REMA场光阑21的布置平面与物平面33之间成像时发生的成像像差，例如倾斜球面像差、彗差和畸变类型的成像像差。这些成像像差特别是可能对成像的远心度和/或对场照明的均匀性具有不期望的影响。
假设这些成像像差仍保持未校正或未补偿的，则它们可能导致光瞳平面23中的光阑25和26处照明光7的不期望的修剪，其中该修剪不期望地取决于相应场点。作为示例，在双极照明的情况下，彗差像差会导致双极照明设定的两个极中的一个在一个场边缘处由光阑25或26部分地修剪，然而在相对场边缘处，双极照明设定的另一极会由该光阑25或26部分地修剪。场依赖的远心性像差会是结果。
由于倾斜球面像差而会出现类似的效应。
校正结构39实施为使得因此它们导致照明设定的场依赖的倾斜。这可以补偿或校正如上所描述的成像像差的不期望的效应。在其中成像像差会导致例如照明设定的一极由光阑25或26部分地修剪的场区域中，校正结构39的效应可能是使得这些场区域中的这一极保留在透射式光阑区域内。
镜头成像像差对光瞳平面23中照明设定的形变或位移的场依赖的影响的知识允许：通过应用例如斯涅尔定律以及使用聚光器22的焦距的知识，来对出于校正或补偿目的所需的校正结构39的形式进行计算。作为示例，非球面可以因校正区域38的形式而出现，所述非球面能够被描述为具有x2和x4项的多项式拟合，所述非球面的弧矢高度与球形表面偏离不超过6μm，并且所述非球面的校正结构的最大侧面梯度为1.5μm/mm。
图4示出了光学校正元件37的替代实施例。那里，入口区域实施为替代出口区域的校正区域，所述校正区域的效应对应于上文参考根据图4的实施例的校正区域38所解释的效应。
图5示出了光学校正元件37的其他实施例，其中入口区域和出口区域二者在该情况下实施为校正区域41、42。这两个校正区域41、42的效应的组合对应于上文参考校正区域38所解释的效应。
图6示出了其中校正区域43同时表示来自光学棒19的出口区域20的实施例。校正区域43的光学效应再次对应于上文参考校正区域38所解释的效应。
具有校正区域39、40、41、42和43的布置的组合也是可能的。因此，可以例如使用校正区域43且同时使用光学校正元件37上的至少一个校正区域来实现校正。
在图2中，在位置37’处使用虚线指示了具有校正区域38(参见图3)、40(参见图4)或41、42(参见图5)的光学校正元件37的其他布置可能性。光学校正元件37’的替代布置是位于REMA场光阑21下游的照明光7的束路径中。光学校正元件37’的布置也是如上所描述的含义中相对于REMA场光阑21的场平面的近场。
根据图3至图5的实施例中的光学校正元件37可以是校正元件互换保持件44的构成部分。后者除了图2所示的活动光学校正元件37以外还包括至少一个其他光学校正元件45，其出于替换光学校正元件37的目的可以通过互换保持件驱动器46在图2所示出的中间位置与活动位置之间移动，在所述活动位置中的光学校正元件45出于替换光学校正元件37的目的而取代光学校正元件37。校正元件互换保持件44可以实施为互换保持件转盘的形式。出于交换校正元件的目的，绕互换保持件驱动器46的驱动马达的驱动轴47来驱动转盘。将互换保持件驱动器46信号连接到中央控制装置28a。
校正元件互换保持件44的各种光学校正元件37、45......的校正结构可以适配于在投射曝光设备1可使用的各种照明设定。
代替在各种光学校正元件之间的交换，还可以操作校正元件互换保持件44，使得在校正元件互换保持件44的一个位置中光学校正元件中没有一个是活动的。
在微结构或纳米结构部件的微光刻制造中，至少在区段中首先用感光层对晶片36进行涂覆。然后，使用投射曝光设备1将掩模母版4上的结构投射到晶片36上。然后，处理曝光的晶片36，以形成微结构部件。

Claims (11)

1.一种投射光刻的照明光学单元(2)，用于照明物场(3)，
-包括光学棒(19)，其
--具有照明光(7)的端侧入口区域(18)，且
--具有所述照明光(7)的相对端侧出口区域(20)，
-其中，所述光学棒(19)设计为使得在所述光学棒(19)的侧壁处通过全内反射的多个实例混合且均质化所述照明光(7)，
-包括至少一个校正区域(38；40；41，42；43)，用于当照明所述物场(3)时校正照明角分布的场依赖性，其中所述校正区域(38；40；41，42；43)设置在所述光学棒(19)的出口区域(20)的区域中。
2.根据权利要求1所述照明光学单元，其特征在于，所述校正区域(38；40；41，42；43)设置为接近与所述物场(3)的物平面(33)共轭的平面。
3.根据权利要求1或2所述照明光学单元，其特征在于，所述校正区域(43)同时表示来自所述光学棒(19)的出口区域(20)。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的照明光学单元，其特征在于，所述校正区域(38；40；41，42)是与所述光学棒(19)分开设置的校正元件(37)的构成部分。
5.根据权利要求4所述的照明光学单元，其特征在于，所述光学校正元件(37)的入口区域实施为校正区域(40；41)。
6.根据权利要求4或5所述的照明光学单元，其特征在于，所述校正元件(37)的出口区域实施为校正区域(38；42)。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的照明光学单元，其特征在于，用于交换所述校正元件(37)的校正元件互换保持件(44)具有至少一个其他校正元件(45)。
8.根据权利要求7所述的照明光学单元，其特征在于，所述校正元件互换保持件(44)的互换保持件驱动器(46)用于校正元件交换的驱动。
9.一种光学系统，包括如权利要求1至8中任一项所述的照明光学单元(2)，并且包括将所述物场(3)成像至像场(34)中的投射光学单元(32)。
10.一种照明系统，包括如权利要求9所述的光学系统和光源(5)。
11.一种投射曝光设备，包括如权利要求10所述的照明系统、在物平面(33)中保持掩模母版(4)的掩模母版保持件、将所述物场(3)成像至像平面(35)中的像场(34)中的投射镜头(31a)，并且包括在所述像平面中保持晶片(36)的晶片保持件。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050270513A1 (en) * 2002-03-18 2005-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1871689A (zh) * 2003-10-28 2006-11-29 株式会社尼康 投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
US20070285644A1 (en) * 2004-09-13 2007-12-13 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic Projection Exposure Apparatus
CN101339367A (zh) * 2008-08-14 2009-01-07 上海微电子装备有限公司 投影曝光装置及校正照明光束动态位置误差的装置与方法
CN101896869A (zh) * 2007-12-11 2010-11-24 卡尔蔡司Smt股份公司 用于微光刻的照明光学部件
US20170102551A1 (en) * 2014-09-23 2017-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for projection lithography and hollow waveguide component therefor

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6252647B1 (en) 1990-11-15 2001-06-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
DE4124311A1 (de) 1991-07-23 1993-01-28 Zeiss Carl Fa Anordnung zur kohaerenzreduktion und strahlformung eines laserstrahls
US6285443B1 (en) 1993-12-13 2001-09-04 Carl-Zeiss-Stiftung Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus
DE19520563A1 (de) 1995-06-06 1996-12-12 Zeiss Carl Fa Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät
US6554464B1 (en) * 2000-02-16 2003-04-29 Ultratech Stepper, Inc. Apparatus for and method of reducing or eliminating interference effects in a light tunnel illuminator
DE10065198A1 (de) * 2000-12-20 2002-07-11 Zeiss Carl Lichtintegrator für eine Beleuchtungseinrichtung
TW554411B (en) 2001-08-23 2003-09-21 Nikon Corp Exposure apparatus
DE10158921A1 (de) 2001-11-30 2003-06-26 Zeiss Carl Smt Ag Verfahren zum Bestimmen von mindestens einer Kenngröße, die für die Beleuchtungswinkelverteilung einer der Beleuchtung eines Gegenstandes dienenden Lichtquelle einer Projektionsbelichtungsanlage charakteristisch ist
JP3767544B2 (ja) * 2002-11-25 2006-04-19 セイコーエプソン株式会社 光学装置、照明装置及びプロジェクタ
DE10322393A1 (de) * 2003-05-12 2004-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
US7298940B2 (en) * 2003-06-10 2007-11-20 Abu-Ageel Nayef M Illumination system and display system employing same
AU2003249967A1 (en) 2003-07-07 2005-01-28 Carl Zeiss Smt Ag Lighting device for a microlithographic projection exposure system
DE102005004216A1 (de) * 2005-01-29 2006-08-03 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem, insbesondere für eine Projektionsbelichtungsanlage in der Halbleiterlithographie
JP2007027240A (ja) 2005-07-13 2007-02-01 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP4865270B2 (ja) 2005-07-28 2012-02-01 キヤノン株式会社 露光装置、及びそれを用いたデバイス製造方法
TWI456267B (zh) * 2006-02-17 2014-10-11 Zeiss Carl Smt Gmbh 用於微影投射曝光設備之照明系統
CN101836163B (zh) 2007-08-20 2012-06-27 卡尔蔡司Smt有限责任公司 包括具有反射涂层的镜元件的投射物镜
DE102007055443B4 (de) 2007-11-20 2010-09-23 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
JP2013187505A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Nikon Corp 照明装置、照明システム、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP5757428B2 (ja) * 2012-04-16 2015-07-29 大日本印刷株式会社 投射装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050270513A1 (en) * 2002-03-18 2005-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1871689A (zh) * 2003-10-28 2006-11-29 株式会社尼康 投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
US20070285644A1 (en) * 2004-09-13 2007-12-13 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic Projection Exposure Apparatus
CN101896869A (zh) * 2007-12-11 2010-11-24 卡尔蔡司Smt股份公司 用于微光刻的照明光学部件
CN101339367A (zh) * 2008-08-14 2009-01-07 上海微电子装备有限公司 投影曝光装置及校正照明光束动态位置误差的装置与方法
US20170102551A1 (en) * 2014-09-23 2017-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for projection lithography and hollow waveguide component therefor

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