DE102008042462A1

DE102008042462A1 - Beleuchtungssystem für die EUV-Mikrolithographie

Info

Publication number: DE102008042462A1
Application number: DE102008042462A
Authority: DE
Inventors: Michael Layh; Ralf STÜTZLE; Damian Fiolka; Martin Endres; Holger Weigand
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2008-09-30
Filing date: 2008-09-30
Publication date: 2010-04-08
Anticipated expiration: 2028-10-01
Also published as: JP2015111740A; JP6045003B2; WO2010037437A1; KR20110059801A; JP2012504319A; US9304400B2; US20110177463A1; DE102008042462B4; KR101606227B1

Abstract

Ein Beleuchtungssystem für die EUV-Mikrolithographie hat eine EUV-Lichtquelle (3), die EUV-Beleuchtungslicht (10) mit einem Lichtleitwert erzeugt, der größer ist als 0,01 mm2. Die EUV-Lichtquelle (3) erzeugt insbesondere eine Folge von EUV-Lichtimpulsen insbesondere mit einer Impulsfolgefrequenz. Eine Beleuchtungsoptik des Beleuchtungssystems dient zur Führung des Beleuchtungslichts (10) von der Lichtquelle (3) hin zu einem Objektfeld. Mindestens eine optische Modulationskomponente (25) des Beleuchtungssytems ist synchronisiert mit der Impulsfolgefrequenz modulierbar. Es resultiert ein Beleuchtungssystem, bei dem eine Homogenität einer Ausleuchtung des Objektfeldes verbessert ist.

Description

Die Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem für die EUV-Mikrolitho-graphie mit einer EUV-Lichtquelle und einer Beleuchtungsoptik zur Führung von durch diese erzeugtem Beleuchtungslicht hin zu einem Objektfeld. Weiter betrifft die Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem und einer Projektionsoptik zur Abbildung des Objektfeldes in ein Bildfeld, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements und ein mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement.
Ein Beleuchtungssystem der eingangs genannten Art ist bekannt aus der WO 2007/128407 A1 und aus der EP 1 200 879 A1 .
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Homogenität einer Ausleuchtung des Objektfeldes, die mit dem Beleuchtungssystem erreichbar ist, zu verbessern.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Beleuchtungssystem für die EUV-Mikrolithographie

– mit einer Lichtquelle, die derart ausgeführt ist, dass Beleuchtungslicht mit einem Lichtleitwert, der größer ist 0,01 mm², in eine nachfolgende Beleuchtungsoptik des Beleuchtungssystems geleitet wird,
– wobei die Beleuchtungsoptik zur Führung des Beleuchtungslichts von der Lichtquelle hin zu einem Objektfeld ausgestaltet ist,
– wobei das Beleuchtungssystem mindestens eine optische Modulationskomponente aufweist.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass Modulationskonzepte, die im Zusammenhang mit EUV-Lichtquellen mit kleineren Lichtleitwerten, nämlich mit synchrotron basierten Lichtquellen, angedachte Modulationsprinzipien, bei denen über die Modulation erst eine Ausleuchtung des gesamten Objektfeldes überhaupt herbeigeführt wird, auch zur Verbesserung der Homogenisierung einer Objektfeldausleuchtung bei EUV-Lichtquellen mit von Haus aus größerem Lichtleitwert zum Einsatz kommen können, bei denen auch ohne Modulation schon eine Ausleuchtung des gesamten Objektfeldes möglich ist. Derartige EUV-Lichtquellen mit von Haus aus im Vergleich zu synchrotronbasierten Lichtquellen größerem Lichtleitwert sind insbesondere LPP-Lichtquellen, bei denen mit Hilfe eines Lasers ein Plasma gezündet wird. Die Modulationskomponente sorgt dafür, dass das Beleuchtungslicht durch das Beleuchtungssystem verschiedene Wege nimmt, so dass sich auf diesen Wegen unterscheidende Einflüsse auf das Beleuchtungslicht ausmitteln können. Es kann dadurch eine Homogenisierung der Objektfeldbeleuchtung verbessert werden, ohne dass die Anzahl der optischen Komponenten zur Führung des EUV-Beleuchtungslichts innerhalb des Beleuchtungssystems vergrößert werden muss. Als Modulationskomponente kann eine der nachfolgend noch erläuterten Komponenten zum Einsatz kommen. Auch andere, prinzipiell aus dem Stand der Technik in anderem Zusammenhang bereits bekannte Modulationskomponenten können eingesetzt werden, beispielsweise ein Spiegel, bei dem elastische Schwingungen der Spiegeloberfläche durch Oberflächendeformationen erzeugt werden, wie in der EP 1 120 670 A2 beschrieben. Der Lichtleitwert, der in die Beleuchtungsoptik geleitet wird, kann größer sein als 0,02 mm² oder auch größer sein als 0,2 mm².
Die EUV-Lichtquelle kann eine Folge von EUV-Lichtimpulsen mit einer Impulsfolgefrequenz erzeugen, wobei die optische Modulationskomponente synchronisiert mit der Impulsfolgefrequenz modulierbar ist. Bei einem derartigen Beleuchtungssystem werden die einzelnen Lichtimpulse gezielt auf ihrem Weg zum Objektfeld zur Homogenisierung von dessen Ausleuchtung beeinflusst. Dabei kann eine Änderung der Beeinflussung aller aufeinander folgenden Lichtimpulse geschehen, sodass keine zwei aufeinanderfolgenden Lichtimpulse exakt den gleichen Weg durch die Beleuchtungsoptik nehmen. Alternativ ist es möglich, die Lichtimpulse paketweise zu beeinflussen, wobei innerhalb eines derartigen Lichtimpulspakets alle Lichtimpulse exakt den gleichen Weg durch die Beleuchtungsoptik nehmen.
Die Beleuchtungsoptik kann mindestens einen Facettenspiegel mit einer Mehrzahl von Facetten zur Beleuchtung des Objektfeldes über eine Mehrzahl von mittels der Lichtquelle gleichzeitig ausgeleuchteten Ausleuchtungskanälen aufweisen. Bei einer derartigen kanalweisen Ausleuchtung des Objektfeldes kommen die Vorteile der optischen Modulations komponente besonders zum Tragen. Im Unterschied zu im Zusammenhang mit synchrotron basierten Strahlungsquellen bekannt gewordenen Modulationskomponenten in Form von Scaneinrichtungen, beispielsweise aus der EP 1 200 879 A1 , 2b wird beim erfindungsgemäßen Beleuchtungssystem eine Mehrzahl der über die Facetten definierten Ausleuchtungskanäle gleichzeitig ausgeleuchtet. Die Modulationskomponente kann vor dem Facettenspiegel angeordnet sein.
Die Modulationskomponente kann derart ausgeführt sein, dass die Beleuchtung innerhalb eines Ausleuchtungskanals ohne Wechsel einer Facetten-Zuordnung zu den Ausleuchtungskanälen moduliert ist. Bei einer derartigen Modulationskomponente kann beispielsweise die Position der Lichtquelle moduliert werden. Es kann auch die Beleuchtungslichtführung innerhalb eines Ausleuchtungskanals verändert werden. Bei dieser Variante findet kein Wechsel eines Beleuchtungslicht-Anteils zwischen einem Ausleuchtungskanal und einem anderen Ausleuchtungskanal statt. Auf diese Weise lassen sich beispielsweise Abschattungseffekte kompensieren oder es lässt sich die Füllung einer Eintrittspupille einer Projektionsoptik, die dem Objektfeld nachgeordnet ist, erhöhen. Ein solches Beleuchtungssystem kann einen einzigen Facettenspiegel aufweisen. In diesem Fall ist die Facetten-Zuordnung in einer ersten Relativposition des Facettenspiegels zu einem diesen beleuchtenden Bündel des EUV-Beleuchtungslichts gegeben durch die Anteile des Bündels, die in dieser Position auf jeweilige Facetten des Facettenspiegels auftreffen. Die Facetten-Zuordnung wird dann nicht gewechselt, wenn bei der Modulation durch die Modulationskomponente die Zuordnung der jeweiligen Anteile des Bündels zu den Facetten erhalten bleibt. Das Beleuchtungssystem kann auch zwei Facettenspiegel aufweisen. In diesem Fall sind die Ausleuchtungskanäle durch Anteile des EUV-Beleuchtungslichtbündels definiert, die über die Facetten des zunächst im Strahlengang ersten und danach des im Strahlengang nachfolgenden Facettenspiegels geführt werden. Eine Modulierung ohne Wechsel der Facetten-Zuordnung findet dann statt, wenn jeder Ausleuchtungskanal immer über die gleichen Facetten einerseits des ersten und andererseits des zweiten Facettenspiegels geführt wird.
Die Modulationskomponente kann durch eine Verlagerungseinrichtung für die Lichtquelle ausgebildet sein. Eine derartige Verlagerungseinrichtung für die Lichtquelle erfordert keine beweglichen nachgeordneten Komponenten innerhalb des Beleuchtungssystems.
Die Modulationskomponente kann durch eine Verlagerungseinrichtung für einen verlagerbaren Spiegel zwischen der Lichtquelle und dem ersten Facettenspiegel ausgebildet sein. Eine derartige Verlagerungseinrichtung für einen Spiegel ermöglicht eine Variation der Ausleuchtung des ersten Facettenspiegels. Der Spiegel kann auch gemeinsam mit der Lichtquelle verlagerbar sein.
Die Modulationskomponente kann eine gesteuerte Verstellung eines Plasma-Zündortes der Lichtquelle herbeiführen, wobei letztere als LPP-Lichtquelle ausgeführt ist. Eine derartige Zündortverstellung ist eine besonders elegante Variante einer Verlagerungseinrichtung für die Lichtquelle.
Die Modulationskomponente kann derart ausgeführt sein, dass die Beleuchtung durch einen Wechsel der Zuordnung von Facetten moduliert ist. Ein derartiger Zuordnungswechsel ermöglicht eine Homogenisierung einer Beleuchtungswinkelverteilung und gegebenenfalls auch einer Ortsverteilung der Beleuchtung über das Objektfeld. Dies ist insbesondere dann möglich, wenn als Beleuchtungswinkelverteilung ein annulares Setting, also eine Beleuchtung mit ringförmiger Beleuchtungswinkelverteilung, oder ein Multipolsetting, also eine Beleuchtung mit Multipol-Verteilung der Beleuchtungswinkel, eingestellt ist. Bei dieser Variante wechseln Anteile des Beleuchtungslichts unter dem Einfluss der Modulationskomponente zwischen verschiedenen Ausleuchtungskanälen.
Das Beleuchtungssystem kann verkippbare Facetten mit einem Kippantrieb als Modulationskomponente aufweisen. Derart kippbare Facetten können zur Realisierung von modulierten Beleuchtungen innerhalb eines Ausleuchtungskanals oder auch zum modulierten Ausleuchtungskanalwechsel herangezogen werden.
Die verkippbaren Facetten können einen piezoelektrischen Kippantrieb aufweisen. Ein derartiger piezoelektrischer Kippantrieb ist hinsichtlich der Bauraumanforderungen und der erforderlichen Kippwinkel gut an die Bedürfnisse zur Facettenverkippung angepasst. Durch eine modulierte Spannungsansteuerung des piezoelektrischen Kippantriebs lässt sich auch eine Synchronisation mit einer Impulsfolgefrequenz der Lichtquelle herbeiführen.
Das Beleuchtungssystem kann zwei einander nachgeordnete Facettenspiegel aufweisen, wobei erste Facetten des ersten Facettenspiegels zweiten Facetten des zweiten Facettenspiegels zur Vorgabe der Ausleuchtungskanäle zugeordnet sind. Zwei solche Facettenspiegel haben sich zur definierten Objektfeldausleuchtung, was einerseits die Intensitätsverteilung und andererseits die Beleuchtungswinkelverteilung über das Objektfeld angeht, als gut geeignet herausgestellt. Dabei kann es sich um eine Anordnung handeln, bei der der erste Facettenspiegel in einer der Objektfeldebene konjugierten Feldebene einer dem Objektfeld nachordenbaren Projektionsoptik und bei der der zweite Facettenspiegel in einer der dem Objektfeld nachordenbaren Projektionsoptik zugeordneten Pupillenebene angeordnet ist. Alternativ ist auch eine Facettenspiegelanordnung nach Art eines spekularen Reflektors möglich, wie er beispielsweise in der US 2006/0132747 A1 beschrieben ist.
Die ersten Facetten und/oder die zweiten Facetten können verkippbar mit einem Kippantrieb als Modulationskomponente ausgeführt sein. Derart verkippbare Facetten ermöglichen Homogenisierungsvarianten, deren Vorteile vorstehend schon diskutiert wurden. Die Verkippung der Facetten kann piezoelektrisch erfolgen. Alternativ ist es möglich, eine Verkippung dadurch herbeizuführen, dass die Facetten mechanisch oder elektrostatisch in einer mechanisch drehbaren Aufhängung bewegt werden.
Die Beleuchtungsoptik kann derart ausgeführt sein, dass eine Abbildung der Lichtquelle auf die zweiten Facetten erfolgt, wobei die zweiten Facetten eine Facettenfläche aufweisen, die größer ist als auf diesen abgebildete Lichtquellen-Bilder. Zweite Facetten mit einer solchen Größe ermöglichen es, die Lichtquellen-Bilder definiert auf den zweiten Facetten wandern zu lassen, ohne hierdurch Beleuchtungslicht zu verlieren. Eine solche Wanderung der Licht quellen-Bilder auf den zweiten Facetten kann durch Modulation des Lichtwegs des Beleuchtungslichts durch entsprechende Verkippung der ersten Facetten erzielt werden.
Die Vorteile einer Projektionsbelichtungsanlage mit einem erfindungsgemäßen Beleuchtungssystem und einer Projektionsoptik zur Abbildung des Objektfeldes in ein Bildfeld, die Vorteile eines Herstellungsverfahrens mit folgenden Verfahrensschritten:

– Bereitstellen eines Retikels,
– Bereitstellen eines Wafers mit einer für das Beleuchtungslicht lichtempfmdlichen Beschichtung,
– Projizieren zumindest eines Abschnitts des Retikels auf den Wafer mit Hilfe der erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungsanlage,
– Entwickeln der mit dem Beleuchtungslicht belichteten Schicht auf dem Wafer,

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
1 schematisch und im Bereich eines Beleuchtungssystems im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie;
2 vergrößert einen Ausschnitt aus dem Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 im Bereich einer Lichtquelle von diesem;
3 schematisch eine Aufsicht auf einen Feldfacettenspiegel einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1;
4 schematisch eine Aufsicht auf einen Pupillenfacettenspiegel einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1;
5 schematisch und stark vergrößert eine perspektivische Ansicht einer einzelnen Feldfacette des Feldfacettenspiegels nach 3;
6 schematisch zwei Ausleuchtungskanäle der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 in einer ersten Momentanstellung zweier Feldfacetten und zweier Pupillenfacetten;
7 schematisch zwei Ausleuchtungskanäle der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 in einer weiteren Momentanstellung der beiden Feldfacetten und der beiden Pupillenfacetten nach 6;
8 bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik in einer zur 6 ähnlichen Darstellung zwei Ausleuchtungskanäle der Beleuchtungsoptik in einer ersten Momentanstellung zweier Feldfacetten;
9 in einer zur 6 ähnlichen Darstellung der beiden Ausleuchtungskanäle der Beleuchtungsoptik nach 8 in weiteren Momentanstellungen der beiden Feldfacetten;
10 in einer zu 2 ähnlichen Darstellung einen Ausschnitt aus dem Beleuchtungssystem in zwei verschiedenen Momentanstellungen eines gemeinsam mit der Lichtquelle verlagerbaren Kollektorspiegels;
11 die bei den Momentanstellungen nach 10 zugeordneten Intensitätsverteilungen einer Ausleuchtung eines Objektfeldes der Projektionsbelichtungsanlage quer zu einer Objektverlagerungsrichtung;
12 bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik in einer zu 6 ähnlichen Darstellung zwei Ausleuchtungskanäle in einer ersten Momentanstellung zweier Pupillenfacettenspiegel; und
13 in einer zu 6 ähnlichen Darstellung der beiden Ausleuchtungskanäle nach 12 in einer weiteren Momentanstellung der beiden Pupillenfacettenspiegel.
1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie. Ein Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines Objektfelds 5 in einer Objektebene 6. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes und in der 1 nicht dargestelltes Retikel, das eine mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 zur Herstellung mikro- bzw. nanostrukturierter Halbleiter-Bauelemente zu projizierende Struktur trägt.
Eine Projektionsoptik 7 dient zur Abbildung des Objektfelds 5 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9. Abgebildet wird die Struktur auf dem Retikel auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 8 in der Bildebene 9 angeordneten Wafers, der in der Zeichnung nicht dargestellt ist.
Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung, die auch als Beleuchtungslicht 10 bezeichnet ist, im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der dargestellten Ausführung handelt es sich um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, Laser Produced Plasma). Es kann sich dabei auch um eine andere Plasmaquelle, beispielsweise um eine DPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, Discharge Produced Plasma) handeln.
Die Strahlungsquelle 3 wird mittels eines Kollektors 11 in den sogenannten Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 12 abgebildet. Der typische geometrische Lichtleitwert (Etendue) E an der Stelle des Zwischenfokuses einer LPP-Quelle liegt zwischen 0,01 mm² und 1 mm².
Der geometrische Lichtleitwert E ist dabei definiert als
(siehe Guenther Derra and Wolfgang Singer, Proc SPIE 5037,728 (2003)). Dabei ist F die sogenannte Aperturfunktion. Fällt auf den Ort x, y, in der Ebene in welcher die Lichtleitwert berechnet wird, Licht aus der Richtung p_x, p_y, (dabei ist p_x und p_y, der jeweilige Richtungskosinus) ist die Funktion F(x, y, p_x, p_y)) = 1 und ansonsten = 0. Für Ebenen in denen die Lichteinsfallsrichtungen aus einem kreisförmigen, zusammenhängenden Gebiet im Winkelraum mit einer ortsunabhängigen Apertur NA = sin(α) besteht, lässt sich der geometrische Lichtleitwert mit der vereinfachten Formel E = QOFNA2π. berechnen.
In diesem Fall ist Q_OF die ausgeleuchtete Fläche und NA = sin(α), wobei α der halbe Öffnungswinkel der Winkelverteilung in dieser Ebene ist.
Die EUV-Strahlungsquelle 3 erzeugt eine Folge von EUV-Lichtimpulsen mit einer Impulsfolgefrequenz von 50 kHz. Auch andere Impulsfolgefrequenzen, beispielsweise zwischen 1 kHz und 100 kHz sind möglich.
Die EUV-Strahlung 10, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird vom Kollektor 11 gebündelt. Der Kollektor 11 ist als ellipsoidaler Spiegel ausgebildet. Die Strahlungsquelle 3 liegt dabei in einem ersten der beiden Ellipsen-Brennpunkte. Nach dem Kollektor 11 propagiert die EUV-Strahlung 10 durch die Zwischenfokusebene 12, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel 13 trifft. Der Zwischenfokus in der Zwischenfokusebene 12 liegt dabei im anderen Brennpunkt des Kollektors 11. Wie das Objektfeld 5 befindet sich der Feldfacettenspiegel 13 in einer Feldebene des Beleuchtungssystems 2.
Die EUV-Strahlung 10 wird nachfolgend auch als Beleuchtungslicht oder als Abbildungslicht bezeichnet.
Nach dem Feldfacettenspiegel 13 wird die EUV-Strahlung 10 von einem Pupillenfacettenspiegel 14 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 14 ist in einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 angeordnet. Mithilfe des Pupillenfacettenspiegels 14 und einer abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertragungsoptik 15 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs für die EUV-Strahlung 10 bezeichneten Spiegeln 16, 17 und 18 werden Feldfacetten 19 (vgl. 3) des Feldfacettenspiegels 13 einander überlagernd in das Objektfeld 5 abgebildet. Der letzte Spiegel 18 der Übertragungsoptik 15 ist ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing incidence Spiegel”). Die Übertragungsoptik 15 wird zusammen mit dem Pupillenfacettenspiegel 14 auch als Folgeoptik zur Überführung der EUV-Strahlung 10 vom Feldfacettenspiegel 13 hin zum Objektfeld 5 bezeichnet.
Zur Erleichterung der Erläuterung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein kartesisches xyz-Koordinatensystem verwendet. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene auf den Betrachter zu. Die y-Achse verläuft in der 1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der 1 nach oben.
Das Retikel, das von einem nicht dargestellten Retikelhalter gehalten ist, und der Wafer, der von einem nicht dargestellten Waferhalter gehalten ist, werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 synchron in der y-Richtung gescannt.
Das Objektfeld 5 kann bogenförmig oder rechteckig ausgeführt sein. Das Aspektverhältnis aus x- und y-Erstreckung des Objektfelds 5 entspricht dem Aspektverhältnis der Feldfacetten 19. In der 3 ist dem Feldfacettenspiegel 13 ein die jeweiligen Feldfacetten 19 aufspannendes, lokales kartesisches xy-Koordinatensystem zugeordnet. Die x-Achse, die in der 3 nach rechts verläuft, verläuft dabei parallel zur x-Achse in der 1. Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Feldfacetten 19 rechteckig. Auch die Feldfacetten 19 können bei einer nicht dargestellten Ausführungsform bogenförmig sein, wobei das Verhältnis der Erstreckungen derart bogenförmiger Feldfacetten in der x- und in der y-Richtung dem Aspektverhältnis der rechteckigen Feldfacetten 19 der dargestellten Ausführung entspricht.
Das x/y-Aspektverhältnis der Feldfacetten 19 und des Objektfeldes 5 beträgt beispielsweise 13/1. Auch andere Aspektverhältnisse, die größer sind als 1, sind möglich. Aufgrund dieser Aspektverhältnisse wird die x-Achse auch als lange Feldachse und die y-Achse auch als kurze Feldachse bezeichnet. Eine bestimmte x-Koordinate innerhalb des Objektfelds 5 wird auch als Feldhöhe bezeichnet.
Die Feldfacetten 19 des Feldfacettenspiegels 13 sind in Feldfacettenblöcke 20 mit jeweils einer Mehrzahl von Feldfacetten 19 zusammengefasst. Bei der schematischen Darstellung des Feldfacettenspiegels 13 nach 3 liegen insgesamt vier Feldfacettenblöcke 20 mit jeweils vier bzw. sechs Feldfacetten 19 vor. In der Praxis liegt eine wesentlich höhere Anzahl derartiger Feldfacettenblöcke 20 und auch eine wesentlich höhere Anzahl der Feldfacetten 19 innerhalb eines der Feldfacettenblöcke 20 vor. Der Feldfacettenspiegel 13 hat in der Praxis mehrere hundert Feldfacetten 19. Die Feldfacettenblöcke 20 sind auf einem Feldfacettenträger angeordnet, der in der Praxis in mehreren Freiheitsgraden justierbar ist. Je nach Ausführung des Feldfacettenspiegels 13 können auch die Feldfacettenblöcke 20 gegenüber dem Feldfacettenträger justierbar ausgeführt sein.
Der Pupillenfacettenspiegel 14 (vergleiche 4) hat eine Mehrzahl runder Pupillenfacetten 21, die beispielsweise hexagonal dicht gepackt auf einem Pupillenfacettenträger 22 angeordnet sind. In der 4 sind schematisch neun der Pupillenfacetten 21 nicht maßstäblich zueinander beabstandet dargestellt.
Die Feldfacetten 19 und die Pupillenfacetten 21 können eine abbildende Wirkung haben und beispielsweise sphärisch konkav geformt sein.
Der Pupillenfacettenträger 22 kann entsprechend dem Feldfacettenträger justierbar ausgeführt sein. Eine hochreflektierende Beschichtung auf den Facetten 19, 21 ist in der Praxis eine Multilager-Beschichtung mit alternierenden Molybdän- und Silizium-Schichten. Bei den Facetten 19, 21 handelt es sich um Spiegelfacetten für die EUV-Strahlung 10.
Die Feldfacetten 19 sind den Pupillenfacetten 21 jeweils individuell zugeordnet, so dass auf jeweils eine der Feldfacetten 19 treffende Anteile des Beleuchtungslicht-Bündels der EUV-Strahlung 10 über die zugeordnete Pupillenfacette 21 weiter zum Objektfeld 5 geführt werden. Durch die beiden Facettenspiegel 13, 14 ist daher eine Mehrzahl von Ausleuchtungskanälen definiert, die die EUV-Strahlung 10 kanalweise hin zum Objektfeld 5 führen. Auf den Pupillenfacetten 22 wird in jedem der Ausleuchtungskanäle die Strahlungsquelle 3 abgebildet.
Die Projektionsoptik 7 hat eingangsseitig eine numerische Apertur NA von 0,0625, und bildet das Objektfeld 5 mit einer Ausdehnung in der x-Richtung von 100 mm und in der y-Richtung von 8 mm auf das Bildfeld 8 ab.
Mit der EUV-Strahlungsquelle 3 wird mit einem einzelnen Lichtimpuls der Impulsfolge gleichzeitig eine Mehrzahl der Ausleuchtungskanäle der Beleuchtungsoptik 4 ausgeleuchtet.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 hat eine optische Modulationskomponente, die synchronisiert mit der Impulsfolgefrequenz der Strahlungsquelle 3 modulierbar ist. Die Strahlungsquelle 3 hat eine Medienquelle 23, die einerseits eine Folge von Zinntröpfchen 24 und andererseits einen Zünd-Laserstrahl 24a zur Verfügung stellt. Die mit der Medienquelle 23 in Signalverbindung stehende Modulationskomponente 25 ist so mit der Impulsfolge der Strahlungsquelle 3 synchronisiert, dass die Zinntröpfchen 24 innerhalb aufeinander folgender Impulse oder innerhalb aufeinander folgende Impulspakete an unterschiedlichen Orten zu einem das Beleuchtungslicht 10 generierenden Plasma gezündet werden. Die Modulationskomponente 25 sorgt je nach dem vorzugebenden Zündort 24₁ bis 24₃ dafür, dass an diesem Ort eine räumliche und zeitliche Überlagerung des Zinntröpfchens 24 mit dem Zünd-Laserstrahl 24a stattfindet. Schematisch ist in der 2 angedeutet, dass der Zünd-Laserstrahl 24a aus Richtung der Medienquelle 23 kommt. In der Praxis ist dies nicht so. Praxisnähere Beispiele für die Verhältnisse bei einer LPP-Lichtquelle können der WO 2004/092693 A2 entnommen werden. In der 2 sind drei derart unterschiedliche Orte dargestellt und von oben nach unten mit 24₁ , 24₂ und 24₃ indiziert. Die 2 zeigt die unterschiedlichen Rand-Strahlengänge des Beleuchtungslichts 10, ausgehend von den Zinntröpfchenorten 24₁ bis 24₃ bis nach dem Durchgang durch die Zwischenfokusebene 12. Am Ort der Zwischenfokusebene 12 ist eine Zwischenfokusblende 26 angeordnet, die das Beleuchtungslicht 10 unabhängig vom Zündort 24₁ bis 24₃ durchlässt.
3 zeigt eine abhängig vom Zündort 24₁ bis 24₃ verschobene Fernfeld-Lichtverteilung 27₁ , 27₂ , 27₃ des Beleuchtungslichts 10 auf dem Feldfacettenspiegel 13. Die drei Fernfeld-Lichtverteilungen 27₁ bis 27₃ miteinander beleuchten alle Feldfacetten 19 des Feldfacettenspiegels 13. Jede der Fernfeld-Lichtverteilungen 27₁ bis 27₃ beleuchtet eine Mehrzahl der Feldfacetten 19. Etwa die Hälfte aller Feldfacetten 19 des Feldfacettenspiegels 13 wird von allen drei Fernfeld-Lichtverteilungen 27₁ bis 27₃ , also unabhängig vom Zündort 24₁ bis 24₃ , beleuchtet. Eine Fernfeld-Abschattung 28 einer schematisch in der 2 angedeuteten Haltestruktur 29 im Strahlengang des Beleuchtungslichts 10 zwischen dem Kollektor 11 und der Zwischenfokusebene 12 verschiebt sich entsprechend der Verschiebung des Zündortes 24₁ bis 24₃ , was in der 3 durch die entsprechende Abfolge der Fernfeld-Abschattungen 28₁ bis 28₃ wiedergegeben ist. Die Feldfacetten 19, die die Fernfeld-Abschattung 28₁ sehen, werden durch die Fernfeld-Lichtverteilung 27₃ beispielsweise umabgeschattet beleuchtet, da sich dann die Fernfeld-Abschattung 28₃ hin zu anderen Feldfacetten 19 verschoben hat. Innerhalb einer Zündort-Sequenz 24₁ bis 24₃ trägt also jede der Feldfacette 19 zumindest einmal vollständig unabgeschattet zur Beleuchtung des Objektfeldes 5 bei.
Alternativ kann die Fernfeld-Lichtverteilung auch in deutlich geringerem Maße variiert werden, so dass zwar zu jedem Zeitpunkt alle Feldfacetten vollständig ausgeleuchtet sind, jedoch durch den Fernfeldversatz mit einer über die Zeit variierenden Intensitätsverteilung. Diese Variation der Intensitätsverteilung über die Feldfacetten führt auch zu einer zeitlichen Homogenisierung der Retikelausleuchtung.
Ein Wechsel der Zündorte kann mit genau der Impulsfolgefrequenz der Lichtquelle 3 geschehen. Alternativ ist es möglich, den Zündortwechsel mit niedrigerer Frequenz herbeizuführen. Beispielsweise kann eine Folge von zehn EUV-Lichtimpulsen am Zündort 24₁ und anschließend eine Folge weiterer zehn Lichtimpulse am Zündort 24₂ und schließlich eine Folge von weiteren zehn Lichtimpulsen am Zündort 24₃ gezündet werden. Die Modulationskomponente 25 arbeitet dann mit einer gegenüber der Impulsfolgefrequenz der EUV-Lichtquelle 3 um einen Faktor 10 niedrigeren Frequenz.
4 verdeutlicht die Auswirkung der Wechsel der Zündorte 24₁ bis 24₃ auf die Abbildung der Lichtquelle 3 auf den Pupillenfacettenspiegeln 21. Je nach dem Zündort 24₁ bis 24₃ ergeben sich zueinander auf den Pupillenfacetten 21 verlagerte Lichtquellen-Bilder 30₁ , 30₂ , 30₃ auf den individuellen Pupillenfacetten 21. Die Pupillenfacetten 21 sind so groß ausgeführt, dass unabhängig von der Lage der Lichtquellen-Bilder 30₁ bis 30₃ diese vollständig auf den Pupillenfacetten 21 liegen, sodass das Beleuchtungslicht 10 unabhängig vom Zündort 24₁ bis 24₃ vollständig von den Pupillenfacetten 21 reflektiert wird und es zu keinem Abschneiden der Lichtquellen-Bilder 30₁ bis 30₃ am Rand der Pupillenfacetten 21 kommt.
Bei der Ausführung des Beleuchtungssystems 2 mit der Modulationskomponente 25 wird die Beleuchtung innerhalb eines Ausleuchtungskanals moduliert, ohne dass ein Wechsel der Zuordnung der Facetten 19, 21 zu den Ausleuchtungskanälen erfolgt.
Durch die Modulationskomponente 25 wird über die Zündort-Verlagerung eine Verlagerung der Lichtquelle 3 herbeigeführt. Die Modulationskomponente 25 stellt daher eine Verlagerungseinrichtung für die Lichtquelle 3 dar.
Alternativ oder zusätzlich zur Modulationskomponente 25 können weitere Modulationskomponenten in Form verkippbarer Facetten 19, 21 vorhanden sein. Eine derartige verkippbare Facette ist in der 5 am Beispiel einer der Feldfacetten 19 schematisch dargestellt. Ein Feldfacetten-Trägerkörper 31 der Feldfacette 19 ist zumindest abschnittsweise aus einem piezoelektrischen Kristall 32 gebildet. Dieser ist über Leitungen 33, 34 elektrisch mit einer Wechselspannungsquelle 35 verbunden. Aufgrund dieser Wechselspannung ergibt sich eine Verlagerung einer Reflektions- bzw. Facettenfläche 36 der Feldfacette 19 von einer spannungsfreien Stellung, die in der 5 durchgezogen dargestellt ist, hin zu einer um einen Betrag ΔL verlagerten, verkippten Verlagerungsstellung, die in der 5 gestrichelt dargestellt ist. Ein Verhältnis dieser Verlagerung ΔL zu einer Gesamthöhe L des piezoelektrischen Kristalls 32 liegt im Bereich von 1/1000.
Die Wechselspannungsquelle 35 stellt ein weiteres Beispiel einer Modulationskomponente dar. Die Wechselspannungsquelle 35 ist wiederum mit der Impulsfolgefrequenz der Lichtquelle 3 synchronisiert.
Anhand der 6 bis 9 werden nun Anwendungen entsprechend piezoelektrisch verkippbarer Facetten beschrieben. Bei diesen Ausführungen ist die Lichtquelle 3 im Unterschied zur Ausführung nach den 1 bis 5 ortsfest ausgeführt.
In der 6 sind schematisch zwei Ausleuchtungskanäle I, II zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 in der Objektebene 6 dargestellt. Gezeigt sind zwei diesen beiden Ausleuchtungskanälen I, II zugeordnete Feldfacetten 19₁ , 19₂ sowie zwei diesen Ausleuchtungskanälen zugeordnete Pupillenfacetten 21₁ , 21₂ . Ein erster Ausleuchtungskanal I ist vorgegeben durch einen Anteil des Beleuchtungslichts 10 und wird, ausgehend von der Lichtquelle 3, zunächst von der Feldfacette 19₁ und anschließend von der Pupillenfacette 21₂ reflektiert, bevor er das Objektfeld 5 beaufschlagt. Der zweite Ausleuchtungskanal II ist vorgegeben durch einen weiteren Anteil des Beleuchtungslichts 10, der zunächst, ausgehend von der Lichtquelle 3, von der Feldfacette 19₂ und anschließend von der Pupillenfacette 21₁ reflektiert wird, bevor er das Objektfeld 5 beaufschlagt.
Im Ausleuchtungskanal I wird, beispielsweise aufgrund der Tatsache, dass im Ausrichtungskanal II eine Abschattung vorliegt, mehr Beleuchtungslicht 10 transportiert als im Ausleuchtungskanal II. In der 6 ist im Strahlengang hinter der Objektebene 6 eine Winkelverteilung der Beleuchtung eines randseitigen Feldpunktes des Objektfeldes 5 schematisch dargestellt. Da der Ausleuchtungskanal I mehr Beleuchtungslicht 10 transportiert als der Ausleuchtungskanal II, sieht dieser Objektfeldpunkt aus Richtung des Ausleuchtungs kanals I eine größere Beleuchtungsintensität ++, während er aus Richtung des Ausleuchtungskanals II eine geringere Beleuchtungsintensität + sieht.
7 zeigt die Situation, wobei über eine einerseits den Feldfacetten 19₁ , 19₂ und andererseits den Pupillenfacetten 21₁ , 21₂ zugeordnete Wechselspannungsquelle 35, die in den 6 und 7 nicht dargestellt ist, eine Piezoverkippung dieser vier in der 7 dargestellten Facetten erfolgt. Die Verkippung der beiden Feldfacetten 19₁ , 19₂ führt dazu, dass im Ausleuchtungskanal I nun die Feldfacette 19₁ und anschließend die Pupillenfacette 21₁ zugeordnet ist. Im Ausleuchtungskanal II ist nach der Feldfacette 19₂ nun die Pupillenfacette 21₂ zugeordnet. Die Verkippung der beiden Pupillenfacetten 21₁ , 21₂ sorgt dafür, dass beide Ausleuchtungskanäle I, II sich wiederum im Objektfeld 5 überlagern. Da der Ausleuchtungskanal I mehr Beleuchtungslicht 10 transportiert als der Ausleuchtungskanal II hat sich nun, wie in der 7 nach der Objektebene 6 dargestellt, die Beleuchtungswinkelverteilung genau umgekehrt.
Im Mittel der Beleuchtungssituationen nach den 6 und 7 sieht das Objektfeld 5 aus den beiden durch die Lage der Pupillenfacetten 21₁ und 21₂ vorgegebenen Ausleuchtungsrichtungen also die gleiche Beleuchtungsintensität, nämlich jeweils die Addition aus den Beleuchtungsintensitäten + und ++.
Alternativ zu einer Piezoverkippung der Facetten, beispielsweise der Pupillenfacetten 21 bei der Anordnung nach 7, ist es möglich, die Feldfacetten 19 oder die Pupillenfacetten 21 mechanisch oder elektrostatisch in einer mechanisch drehbaren Aufhängung zu bewegen.
Anhand der 8 und 9 wird die Anwendung verkippbarer Facetten zur Angleichung des Lichtleitwerts der Lichtquelle 3 an den größeren Lichtleitwert der das Objektfeld 5 abbildenden Projektionsoptik 7 erläutert.
Bei der Ausführung nach den 8 und 9 sind die Feldfacetten 19₁ , 19₂ piezoelektrisch nach Art der Darstellung nach 5 verkippbar ausgeführt. Der Kippwinkel der Feldfacetten 19₁ , 19₂ ist im Unterschied zum Kippwinkel bei der Ausführung nach den 6 und 7 so klein, dass nach erfolgter Verkippung durch Anlegen einer Spannung am piezoelektrischen Kristall 32 die verkippte Feldfacette 19 immer noch die gleiche Pupillenfacette 21 mit dem Beleuchtungslicht 10 beleuchtet.
8 zeigt die Situation, bei der die beiden Feldfacetten 19₁ , 19₂ jeweils das Zentrum der Pupillenfacetten 21₁ , 21₂ ausleuchten.
9 zeigt die Situation, bei der durch Anlegen der Spannung an den piezoelektrischen Kristallen 32 der Feldfacetten 19₁ , 19₂ diese den in den 8 und 9 unteren Rand der zugeordneten Pupillenfacetten 21₁ , 21₂ beleuchten. In einer zur 9 analogen, gegenüber der Situation nach 8 in genau der anderen Richtung verkippten Stellung der Feldfacetten 19₁ , 19₂ , die nicht dargestellt ist, beleuchten diese den in den 8 und 9 oberen Rand der Pupillenfacetten 21₁ , 21₂ . Durch die Verkippung der Feldfacetten 19₁ , 19₂ und das entsprechende Wandern der Lichtquellen-Bilder 30 auf den Pupillenfacetten 21₁ , 21₂ ergibt sich eine Ausleuchtung des Objektfeldes 5 mit einer im Vergleich zur stationären Situation nach 8 vergrößerten Winkelbandbreite. Hiermit einher geht eine vollständigere Ausnutzung der ausleuchtbaren Eintrittspupille der dem Objektfeld 5 nachfolgenden Projektionsoptik 7. Dies ergibt sich anschaulich aus einem Vergleich der in den 8 und 9 jeweils im Strahlengang nach der Objektebene 6 angedeuteten Winkelverteilungen der Beleuchtung eines Objektfeldpunktes aus Richtung der beiden Pupillenfacetten 21₁ , 21₂ .
10 zeigt eine Variante des Beleuchtungssystems 2 bei dem die Modulationskomponente als Verlagerungseinrichtung 37 für den Kollektor 11 ausgebildet ist. Die Verlagerungseinrichtung 37 ist mechanisch mit diesem Kollektor 11 gekoppelt. Die Verlagerungseinrichtung 37 ist synchronisiert mit der Impulsfolgefrequenz der Lichtquelle 3 modulierbar. Gemeinsam mit dem Kollektor 11 wird auch die Lichtquelle 3 verlagert.
Durchgezogen ist in der 10 eine erste Momentanstellung des Kollektors 11 dargestellt. Gestrichelt ist in 10 eine weitere, verlagerte Momentanstellung des Kollektors 11 und der Lichtquelle 3 sowie diese hieraus ergebende, geänderte Beleuchtung dreier Feldfacetten 19₁ , 19₂ , 19₃ dargestellt. Aufgrund der Verlagerung des Kollektors 11 ergibt sich eine entsprechende Überlagerung der Fernfeld-Lichtverteilung 27 auf den Feldfacetten 19₁ , bis 19₃ .
11 zeigt die Auswirkungen dieser Verlagerung der Fernfeld-Lichtverteilung 27 auf eine Intensitätsverteilung der Beleuchtung des Objektfeldes 5 mit dem Beleuchtungslicht 10 quer zur Verlagerungsrichtung y des Retikels, also in der x-Richtung. Aufgrund der Verlagerung der Fernfeld-Verteilung 27 ergibt sich eine entsprechende Überlagerung von Maxima und Minima der Beleuchtungslicht-Verteilung in x-Richtung. Die Verlagerung führt daher zu einer zeitlichen Homogenisierung der Objektfeldausleuchtung in x-Richtung.
Anhand der 12 und 13 wird nachfolgend eine weitere Anwendung entsprechend der 5 verkippbarer Facetten 19, 21 zu Homogenisierung der Ausleuchtung des Objektfeldes beschrieben.
Bei der Ausführung nach den 12 und 13 sind ausschließlich die Pupillenfacetten 21, in der Darstellung nach den 12 und 13 die Pupillenfacetten 21₁ , 21₂ , in der xz-Ebene verkippbar ausgeführt. Eine Verkippung der Feldfacetten 19 findet bei der Ausführung nach den 12 und 13 nicht statt.
12 zeigt eine Momentanstellung der Pupillenfacetten 21₁ , 21₂ in der die beiden Ausleuchtungskanäle I, II sich in der x-Richtung gesehen etwa in der Mitte des insgesamt auszuleuchtenden Objektfeldes 5 überlagern. 13 zeigt die Situation, bei der die beiden Facettenspiegel 21₁ , 21₂ durch entsprechende Spannungsansteuerung über die Wechselspannungsquelle 35 so verkippt vorliegen, dass sich die beiden Ausleuchtungskanäle I, II in positiver x-Richtung versetzt im Objektfeld 5 überlagern. Auf diese Weise findet eine Homogenisierung einer Intensitätsverteilung I(x) senkrecht zur Retikelverlagerungsrichtung y statt, die sich als zeitliche Mittelung der Intensitätsverteilungen I₁(x), I₂(x), die in den verschiedenen Momentanstellungen vorliegen und in den 12 und 13 dargestellt sind, ergibt.
Zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauelements, insbesondere eines Halbleiterbauelements, beispielsweise eines Mikrochips, wird zunächst das Retikel und der Wafer bereitgestellt. Der Wafer trägt eine für das Beleuchtungslicht 10 lichtempfindliche Beschichtung. Nach der Bereitstellung wird zumindest ein Abschnitt des Retikels auf den Wafer mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Hierbei kommt mindestens eine der vorstehend beschriebenen optischen Modulationskomponenten 25, 35, 37 zum Einsatz. Anschießend wird die mit dem Beleuchtungslicht 10 belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer entwickelt, sodass die gewünschte Struktur resultiert. Bei der Projektionsbelichtung wird das Retikel in einer Objektverlagerungsrichtung, nämlich in der 1 in der y-Richtung, verlagert.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

- WO 2007/128407 A1 [0002]
- EP 1200879 A1 [0002, 0007]
- EP 1120670 A2 [0005]
- US 2006/0132747 A1 [0015]
- WO 2004/092693 A2 [0054]

Zitierte Nicht-Patentliteratur

- Guenther Derra and Wolfgang Singer, Proc SPIE 5037,728 (2003) [0037]

Claims

Beleuchtungssystem (2) für die EUV-Mikrolithographie – mit einer Lichtquelle (3), die derart ausgeführt ist, dass Beleuchtungslicht (10) mit einem Lichtleitwert, der größer ist 0,01 mm², in eine nachfolgende Beleuchtungsoptik (4) des Beleuchtungssystems (2) geleitet wird, – wobei die Beleuchtungsoptik (4) zur Führung des Beleuchtungslichts (10) von der Lichtquelle (3) hin zu einem Objektfeld (5) ausgestaltet ist, – wobei das Beleuchtungssystem (2) mindestens eine optische Modulationskomponente (25; 35; 37) aufweist.
Beleuchtungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die EUV-Lichtquelle (3) eine Folge von EUV-Lichtimpulsen mit einer Impulsfolgefrequenz erzeugt, wobei die optische Modulationskomponente (25; 35; 37) synchronisiert mit der Impulsfolgefrequenz modulierbar ist.
Beleuchtungssystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungsoptik (4) mindestens einen Facettenspiegel (13, 14) mit einer Mehrzahl von Facetten (19, 21) zur Beleuchtung des Objektfeldes (5) über eine Mehrzahl von mittels der Lichtquelle (3) gleichzeitig ausgeleuchteten Ausleuchtungskanälen (I, II) aufweist.
Beleuchtungssystem nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Modulationskomponente (25; 35; 37) derart ausgeführt ist, dass die Beleuchtung innerhalb eines Ausleuchtungskanals (I, II) ohne Wechsel einer Facetten-Zuordnung (19₁ , 19₂ , 21₁ , 21₂ ) zu den Ausleuchtungskanälen (I, II) moduliert ist.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Modulationskomponente (25; 37) durch eine Verlagerungseinrichtung für die Lichtquelle (3) ausgebildet ist.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Modulationskomponente (37) durch eine Verlagerungseinrichtung für einen verlagerbaren Spiegel (11) zwischen der Lichtquelle (3) und dem ersten Facettenspiegel (13) ausgebildet ist.
Beleuchtungssystem nach Anspruch 5 oder 6, gekennzeichnet durch eine LPP-Lichtquelle (3), wobei die Modulationskomponente (25) derart ausgeführt ist, dass sie eine gesteuerte Verstellung eines Plasma-Zündortes (24₁ bis 24₃ ) herbeiführt.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass Modulationskomponente (35) derart ausgeführt ist, dass die Beleuchtung durch Wechsel der Zuordnung von Facetten (19, 21) moduliert ist.
Beleuchtungssystem nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch verkippbare Facetten (19, 21) mit einem Kippantrieb als Modulationskomponente (35).
Beleuchtungssystem nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die verkippbaren Facetten (19, 21) einen piezoelektrischen Kippantrieb (35) aufweisen.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass zwei einander nachgeordnete Facettenspiegel (13, 14) vorhanden sind, wobei erste Facetten (19) des ersten Facettenspiegels (13) zweiten Facetten (21) des zweiten Facettenspiegels (14) zur Vorgabe der Ausleuchtungskanäle (I, II) zugeordnet sind.
Beleuchtungssystem nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Facetten (19) verkippbar mit einem Kippantrieb als Modulationskomponente (35) ausgeführt sind.
Beleuchtungssystem nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die zweiten Facetten (21) verkippbar mit einem Kippantrieb als Modulationskomponente (35) ausgeführt sind.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungsoptik (4) derart ausgeführt ist, dass eine Abbildung der Lichtquelle (3) auf die zweiten Facetten (21) erfolgt, wobei die zweiten Facetten (21) eine Facettenfläche aufweisen, die größer ist als auf diesen abgebildete Lichtquellen-Bilder (30).
Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem Beleuchtungssystem (2) nach einem der Ansprüche 1 bis 14 und einer Projektionsoptik (7) zur Abbildung des Objektfeldes (5) in ein Bildfeld (8).
Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements mit folgenden Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Retikels, – Bereitstellen eines Wafers mit einer für das Beleuchtungslicht (10) lichtempfindlichen Beschichtung, – Projizieren zumindest eines Abschnitts des Retikels auf den Wafer mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 15, – Entwickeln der mit dem Beleuchtungslicht (10) belichteten Schicht auf dem Wafer.
Bauelement, hergestellt nach dem Verfahren nach Anspruch 17.