DE102010029765A1

DE102010029765A1 - Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie

Info

Publication number: DE102010029765A1
Application number: DE201010029765
Authority: DE
Inventors: Michael Patra; Olaf Dittmann; Marc Kirch; Martin Endres; Markus Walter; Stig Bieling; Sebastian Dörn
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2010-06-08
Filing date: 2010-06-08
Publication date: 2011-12-08
Also published as: TW201214064A; WO2011154244A1

Abstract

Eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes, in welchem ein Objektfeld einer nachfolgenden abbildenden Optik anordenbar ist, hat einen ersten Facettenspiegel mit einer Mehrzahl von ersten Facetten (71) zur reflektierenden Führung von Teilbündeln eines Bündels von EUV-Beleuchtungslicht (3). Ein nachgeordneter zweiter Facettenspiegel (10) mit einer Mehrzahl von zweiten Facetten (11) dient zur reflektierenden Führung der von den ersten Facetten (71) reflektierten Teilbündel (31; 31'), sodass über die ersten Facetten (7) und die über die reflektierte Bündelführung zugeordneten zweiten Facetten (111; 111') Objektfeld-Ausleuchtungskanäle vorgegeben sind, denen jeweils eine erste (71) und eine zweite (111; 111') Facette zugeordnet ist. Die Reflexionsflächen zumindest einiger der ersten Facetten (71) sind jeweils kippbar zwischen mindestens einer Ausleuchtungs-Kippstellung zur Führung des Teilbündels längs eines Objektfeld-Ausleuchtungskanals (31; 31') in Richtung einer der zweiten Facetten (111; 111') und mindestens einer Abschalt-Kippstellung zur Führung des Teilbündels in Richtung eines das Objektfeld nicht beaufschlagenden Abschalt-Strahlengangs (30). Die Richtung des Abschalt-Strahlengangs (30) unterscheidet sich von der Richtung des Objektfeld-Ausleuchtungskanals (31; 31'). Zudem werden Verfahren zur Vorgabe eines Satzes von Abschalt-Kippstellungen der kippbaren ersten Facetten (7) angegeben. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, mit der eine Feineinstellung vorzugebender Beleuchtungssettings zur Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes möglich ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes, in welchem ein Objektfeld einer nachfolgend abbildenden Optik anordenbar ist. Ferner betrifft die Erfindung Verfahren zur Vorgabe von Abschalt-Kippstellungen erster Facetten eines ersten Facettenspiegels einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Vorrichtung zur Durchführung und Überwachung eines derartigen Verfahrens, ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, ein Herstellungsverfahren für mikro- oder nanostrukturierte Bauelemente unter Einsatz einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein nach einem solchen Herstellungsverfahren hergestelltes mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement.
Beleuchtungsoptiken mit zwischen verschiedenen Ausleuchtungs-Kippstellungen verlagerbaren ersten Facetten, nämlich verlagerbaren Feldfacetten, sind bekannt aus der US 6,658,084 B2 und der US 7,196,841 B2 .
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine Feineinstellung vorzugebender Beleuchtungssettings zur Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes möglich ist, also eine feine Vorgabe einer Verteilung von Beleuchtungswinkeln, mit denen das Beleuchtungsfeld ausgeleuchtet wird.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass eine Kippbarkeit bzw. Verlagerbarkeit erster Facetten auch dazu genutzt werden kann, die ersten Facetten zwischen einer Ausleuchtungs-Kippstellung und einer Abschalt-Kippstellung zu verlagern. Dies führt auf den ersten Blick zunächst dazu, dass EUV-Beleuchtungslicht, welches über erste Facetten geführt wird, die in der Abschalt-Kippstellung vorliegen, nicht zur Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes zur Verfügung steht. Es wurde erkannt, dass dieser Verlust an Beleuchtungslicht überkompensiert wird durch die Möglichkeit einer durch das gezielte Abschalten erster Facetten geschaffenen feinen Einstellung einer Beleuchtungswinkelvorgabe. Über das Abschalten erster Facetten steht ein zusätzlicher Freiheitsgrad bei der Vorgabe insbesondere von Beleuchtungswinkelverteilungen zur Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes zur Verfügung. Bei den ersten Facetten kann es sich um Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik handeln. Bei den zweiten Facetten kann es sich um Pupillenfacetten eines Pupillenfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik handeln. Beleuchtungsoptiken mit einem solchen Feldfacettenspiegel und einem solchen Pupillenfacettenspiegel sind aus der US 6,658,084 B2 und der US 7,196,841 B2 bekannt. Alle ersten Facetten können zwischen mindestens einer Ausleuchtungs-Kippstellung und einer Abschalt-Kippstellung kippbar sein. Alternativ kann auch ein Teil der ersten Facetten derart kippbar gestaltet sein. Abgeschaltete Teilbündel können zur Überwachung einer Funktion der Beleuchtungsoptik herangezogen werden. Das Abschalten der ersten Facetten kann zur Korrektur von Beleuchtungsparametern genutzt werden, die bei einer Beleuchtung des Objektfeldes innerhalb bestimmter Spezifikationen vorliegen sollen. Beispiele derartiger Beleuchtungsparameter sind Telezentrie- und/oder Uniformitätswerte. Eine Definition der Parameter Telezentrie und Uniformität findet sich in der DE 10 2008 007 449 A1 . Das gezielte Abschalten erster Facetten kann zur Beleuchtungsparameterkorrektur genutzt werden, indem der zu korrigierende Beleuchtungsparameter zunächst gemessen wird, beispielsweise über eine im Objektfeld angeordnete Detektionseinrichtung, und anschließend die Auswirkungen des gezielten Abschaltens von Feldfacetten auf den zu korrigierenden Beleuchtungsparameter wieder gemessen werden. Alternativ oder zusätzlich können die Auswirkungen des gezielten Abschaltens erster Facetten und eine hieraus resultierende geänderte Objektfeldbeleuchtung durch eine Simulation eines Entwicklungsverhaltens einer lichtempfindlichen Schicht in einem Bildfeld, in welches das Objektfeld abgebildet werden soll, überprüft werden. Es findet dann eine Beleuchtung mit einem Satz abgeschalteter Feldfacetten statt, bei denen die Vorgabewerte für die Beleuchtungsparameter erreicht sind.
Eine Beleuchtungsoptik nach Anspruch 2 kombiniert die Vorteile einer Abschaltmöglichkeit der ersten Facetten mit den Vorteilen einer Umschaltung zwischen verschiedenen Objektfeld-Ausleuchtungskanälen, wie beispielsweise in der US 6,658,084 B2 und der US 7,196,841 B2 angegeben. Die ersten Facetten sind dann nach Wahl in eine von drei Kippstellungen verkippbar, nämlich in eine von zwei Ausleuchtungs-Kippstellungen sowie zusätzlich in die Abschalt-Kippstellung. Je nach Ausführung der ersten Facetten kann die Vorgabe von mehreren Abschalt-Kippstellungen möglich sein, wobei dann die tatsächlich vorzugebende Abschalt-Kippstellung gesteuert vorgegeben werden kann.
Bei einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 3 wird das abgeschaltete Teilbündel über den Abschalt-Strahlengang definiert über die Abschalt-Facette geführt und kann dann abgeführt werden, z. B. mit einer Lichtfalle kontrolliert und ohne unerwünschte Streuung in das Objektfeld. Dadurch, dass die erste Facette und die zumindest eine Abschalt-Facette nicht dem gleichen Objektfeld-Ausleuchtungskanal zugeordnet sind, ist sichergestellt, dass das Teilbündel über die Abschalt-Facette nicht unerwünscht in Richtung des Objektfeldes geführt wird.
Ein Verfahren nach Anspruch 4 eliminiert diejenigen Abschalt-Kippstellungen, die beispielsweise aufgrund einer benachbarten Führung zu Objektfeld-Ausleuchtungskanälen unerwünscht zu Falschlicht bzw. zu Streulicht führen könnten. Dieses Verfahren setzt voraus, dass zumindest einige der ersten Facetten in mehrere Abschalt-Kippstellungen gekippt werden können. Der als Obergrenze vorgegebene Streulicht-Anteil kann abhängig von der Sensitivität einer Strukturabbildung der mit der abbildenden Optik durchzuführenden Abbildung vorgegeben werden.
Das erweiterte Verfahren nach Anspruch 5 vermeidet eine unerwünscht hohe thermische Belastung der zweiten Facetten. Durch dieses Verfahren werden Sätze von Abschalt-Kippstellungen vermieden, bei denen zu viele Teilbündel über Abschalt-Strahlengänge zur Beaufschlagung ein und derselben zweiten Facette oberhalb einer vorgegebenen thermischen Grenzlast führen würden. Zur Durchführung des Verfahrens kann aus den zunächst prinzipiell möglichen Sätzen von Abschalt-Kippstellungen eine zufällige Auswahl getroffen werden. Beim vorgegebenen Grenzanteil der Abschalt-Facetten, die von nicht mehr als einer vorgegebenen Grenzanzahl von Teilbündeln beaufschlagt werden sollen, kann es sich um 80%, um 85%, um 90%, um 95%, um 98%, um 99% oder um einen noch größeren Anteil aller Abschalt-Facetten handeln. Bei der vorgegebenen Grenzanzahl von Teilbündeln kann es sich um zwei Teilbündel, um drei Teilbündel, um vier Teilbündel, um fünf Teilbündel oder um eine noch höhere Anzahl von Teilbündeln handeln. Die vorgegebene Grenzanzahl von Teilbündeln ist in der Regel kleiner als zehn.
Bei einem Verfahren nach Anspruch 6 erfolgt ein Eliminieren von Abschalt-Kippstellungen, die zu Streulicht im Objektfeld führen würden, mit einem klar definierten Kriterium. Es werden diejenigen Abschalt-Kippstellungen eliminiert, bei denen zweite Facetten beaufschlagt werden könnten, die wiederum Objektfeld-Ausleuchtungskanälen innerhalb des Verbotsabstandes benachbarter der abzuschaltenden ersten Facette zugeordnet sind. Der Verbotsabstand kann so gewählt sein, dass lediglich die der Auswahl-Facette direkt benachbarten Facetten „verboten” sind. Auch die übernächsten Nachbarn oder auch noch weiter entfernt liegende Nachbarn können je nach Auswahl des Verbotsabstandes als „verbotene” erste Facetten in Betracht kommen. Es wurde erkannt, dass bei Vorliegen einer solchen Nachbarschaft ein resultierender Abschalt-Strahlengang unerwünscht nahe benachbart zu einem Objektfeld-Ausleuchtungskanal verlaufen würde, was die Gefahr einer unerwünschten Streuung von Abschalt-Beleuchtungslicht in das Objektfeld mit sich brächte. Die Positioniergenauigkeit einer Vorgabe der jeweiligen Kandidaten-Abschalt-Kippstellung kann als Maß für den Toleranzbereich dienen. In den Vorgabewert für den Toleranzbereich kann ein Durchmesserwert für das Teilbündel auf den zweiten Facettenspiegel eingehen. Hier kann mit dem Dreifachen eines 1/e-Durchmessers (Durchmesser, bei dem die Intensität auf den Wert 1/e² abgefallen ist) des Teilbündels auf den zweiten Facettenspiegel gerechnet werden. Auswahl-Facetten, für die nach Durchführung des Verfahrens keine Abschalt-Kippstellung zur Verfügung steht, können noch einer gesonderten Prüfung unterzogen werden mit dem Ziel, die Wahrscheinlichkeit einer Beaufschlagung zweiter Facetten, die ersten Facetten innerhalb des Verbotsabstandes zur jeweiligen Auswahl-Facette zugeordnet sind, zu minimieren. Soweit immer noch Auswahl-Facetten verbleiben, für die nach Durchführung des Verfahrens keine Abschalt-Kippstellung zur Verfügung steht, kann eine gewisse Anzahl derartiger erster Facetten toleriert werden, beispielsweise 10%, 5%, 3%, 2% oder 1% der Gesamtanzahl erster Facetten oder gegebenenfalls auch noch ein geringerer Anteil. Gegebenenfalls lässt sich das Verfahren auch über eine Variation des Toleranzbereiches oder über eine Variation einer Reihenfolge der durchzuspielenden Auswahl-Facetten noch so beeinflussen, dass für eine größere Anzahl von Auswahl-Facetten zulässige Abschalt-Kippstellungen gefunden werden können.
Beim Verfahren nach Anspruch 7 wird wiederum die maximal thermische Last auf den zweiten Facetten beim Abschalten der ersten Facetten minimiert. Bei diesem Verfahren wird das Verfahren zur streulichtminimierten Vorgabe eines Satzes von Abschalt-Kippstellungen so oft wiederholt, bis derjenige Satz von Abschalt-Kippstellungen mit der kleinsten thermischen Last auf der am stärksten thermisch belasteten zweiten Facette gefunden ist. Es kann dann abgebrochen werden, wenn der gefundene kleinste oder minimale Maximallast-Parameter unterhalb eines vorgegebenen Grenzwertes liegt.
Die vorstehend diskutierten Vorgabeverfahren können auch zur Korrektur von Objektfeld-Beleuchtungsparametern genutzt werden, um definierte Beleuchtungsverhältnisse in einem Bildfeld herbeizuführen, in welches das beleuchtete Objektfeld insbesondere bei der EUV-Projektionsbelichtung abgebildet wird. Beispiele derartiger Beleuchtungsparameter sind Telezentrie- und/oder Uniformitätswerte. Eine thermische Überlastung von zweiten Facetten, insbesondere von Pupillenfacetten der Beleuchtungsoptik, kann auch mithilfe einer Erfassungseinrichtung zur Erfassung einer thermischen Last auf den zweiten Facetten bestimmt bzw. detektiert werden. Anhand der Position einer so erfassten, thermisch überlasteten zweiten Facette kann auf die erste Facette oder diejenigen ersten Facetten geschlossen werden, die diese zweite Facette beaufschlagt bzw. beaufschlagen. Durch eine entsprechende Ansteuerung von diesen ersten Facetten zugeordneten Verlagerungsaktoren, insbesondere von Kippaktoren, und eine entsprechende Verlagerung dieser ersten Facetten kann dann die thermische Überlast auf der zweiten Facette beseitigt werden.
Bei einer Vorrichtung nach Anspruch 8 lässt sich mit geringem Aufwand überprüfen, ob in einer realen Abschalt-Situation von ersten Facetten des ersten Facettenspiegels bei einem gegebenen Beleuchtungssetting die thermische Belastung der zweiten Facetten unterhalb eines vorgegebenen Grenzwerts liegt. Die Erfassungseinrichtung kann mit dem Rechner und/oder der Steuereinrichtung in Signalverbindung stehen. Die Ortsauflösung der Erfassungseinrichtung kann so sein, dass anhand der von der Erfassungseinrichtung erfassten thermischen Lastdaten die relative thermische Last auf jeder Einzelnen der zweiten Facetten bestimmt werden kann.
Eine Erfassungseinrichtung nach Anspruch 9 ist kostengünstig und kann ohne Weiteres mit einer auch zur ortsaufgelösten Erfassung eines zweiten Facettenspiegels mit mehreren hundert zweiten Facetten notwendigen Ortsauflösung bereitgestellt werden.
Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 10, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 12 und eines Bauelements nach Anspruch 13 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik sowie die erfindungsgemäßen Verfahren bereits diskutiert wurden. Es lassen sich auf die herzustellende Bauteilstruktur exakt angepasste Beleuchtungen vorgeben, sodass insbesondere Halbleiterchips mit extrem feinen und insbesondere komplexen Strukturen hergestellt werden können.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
1 schematisch und in Bezug auf eine Beleuchtungsoptik im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie;
2 eine Aufsicht auf eine Facettenanordnung eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1;
3 eine Aufsicht auf eine Facettenanordnung eines Pupillenfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1;
4 in einer zu 2 ähnlichen Darstellung eine Facettenanordnung einer weiteren Ausführung eines Feldfacettenspiegels;
5 oben schematisch einige Pupillenfacetten eines Pupillenfacettenspiegels nach Art desjenigen nach 3, wobei jeweils Paare der Pupillenfacetten, die über Objektfeld-Ausleuchtungskanäle ein und derselbe Feldfacette des Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik zugeordnet sind, durch Verbindungslinien hervorgehoben sind; unten schematisch eine einem Paar von Pupillenfacetten zugeordnete Feldfacette in einem Schnitt senkrecht zu ihrer Reflexionsfläche;
6 die Pupillenfacetten nach 5 oben, wobei zusätzlich Auftreffregionen bzw. Auftreffpositionen von Teilbündeln eines Beleuchtungsbündels der Beleuchtungsoptik dargestellt sind, die von den Feldfacetten, die den hervorgehobenen Pupillenfacetten-Paaren zugeordnet sind, in Abschalt-Kippstellungen reflektiert werden;
7 in einer zur 6 ähnlichen Darstellung eine andere Verteilung von Teilbündel-Auftreffregionen, reflektiert von den jeweils den Pupillenfacetten-Paaren zugeordneten Feldfacetten;
8 schematisch perspektivisch alle Pupillenfacetten des Pupillenfacettenspiegels nach 5 oben zusammen mit einer Erfassungseinrichtung zur individuellen Erfassung einer thermischen Last auf den Pupillenfacetten;
9 schematisch eine Aufsicht einer Facettenanordnung einer weiteren Ausführung eines Pupillenfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1, wobei über Objektfeld-Ausleuchtungskanäle ausgeleuchtete Pupillenfacetten eines x-Dipol-Beleuchtungssettings, weitere Pupillenfacetten des x-Dipol-Beleuchtungssettings, die nicht über Objektfeld-Ausleuchtungskanäle beaufschlagt werden sowie weitere Pupillenfacetten, die über das Objektfeld nicht beaufschlagende Abschalt-Strahlengänge beaufschlagt werden, jeweils unterschiedlich hervorgehoben sind;
10 einen Detailausschnitt aus 9 mit einem Toleranzbereich einer Auftreffposition in Abschaltstellung einer Abschalt-Facette des Pupillenfacettenspiegels;
11 einen Ausschnitt der Facettenanordnung nach 9, wiederum mit hervorgehobenen über Objektfeld-Ausleuchtungskanäle eines Beleuchtungssettings beaufschlagten Pupillenfacetten, über Objektfeld-Ausleuchtungskanäle des gleichen Beleuchtungssettings nicht beaufschlagten Pupillenfacetten sowie Abschalt-Pupillenfacetten;
12 einen Ausschnitt einer Aufsicht einer Facettenanordnung einer weiteren Ausführung eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1, wobei eine Feldfacette, die einem in 11 hervorgehobenen Pupillenfacetten-Paar über Objektfeld-Ausleuchtungskanäle zugeordnet ist, eine Gruppe von Feldfacetten, die innerhalb eines Verbotsabstandes um diese Feldfacette herum angeordnet sind sowie den Abschalt-Pupillenfacetten nach 11 über Objektfeld-Ausleuchtungskanäle zugeordnete weitere Feldfacetten jeweils unterschiedlich hervorgehoben sind, und
13 bis 20 jeweils Aufsichten einer Facettenanordnung einer weiteren Ausführung eines Pupillenfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1, wobei über Objektfeld-Ausleuchtungskanäle unterschiedlicher Beleuchtungssettings ausgeleuchtete Pupillenfacetten jeweils hervorgehoben sind.
Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie dient zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten elektronischen Halbleiter-Bauelements. Eine Lichtquelle 2 emittiert zur Beleuchtung genutzte EUV-Strahlung im Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gas discharge produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser produced plasma) handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron basiert, ist für die Lichtquelle 2 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Lichtquelle findet der Fachmann beispielsweise in der US 6 859 515 B2 . Zur Beleuchtung und Abbildung innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird EUV-Beleuchtungslicht bzw. Beleuchtungsstrahlung 3 genutzt. Das EUV-Beleuchtungslicht 3 durchlauft nach der Lichtquelle 2 zunächst einen Kollektor 4, bei dem es sich beispielsweise um einen genesteten Kollektor mit einem aus dem Stand der Technik bekannten Mehrschalen-Aufbau oder alternativ um einen ellipsoidal geformten Kollektor handeln kann. Ein entsprechender Kollektor ist aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 4 durchtritt das EUV-Beleuchtungslicht 3 zunächst eine Zwischenfokusebene 5, was zur Trennung des EUV-Beleuchtungs-lichts 3 von unerwünschten Strahlungs- oder Partikelanteilen genutzt werden kann. Nach Durchlaufen der Zwischenfokusebene 5 trifft das EUV-Beleuchtungslicht 3 zunächst auf einen Feldfacettenspiegel 6.
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der Zeichnung jeweils ein kartesisches globales xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene und aus dieser heraus. Die y-Achse verläuft in der 1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der 1 nach oben.
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen bei einzelnen optischen Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird in den nachfolgenden Figuren jeweils auch ein kartesisches lokales xyz- oder xy-Koordinatensystem verwendet. Die jeweiligen lokalen xy-Koordinaten spannen, soweit nichts anderes beschrieben ist, eine jeweilige Hauptanordnungsebene der optischen Komponente, beispielsweise eine Reflexionsebene, auf. Die x-Achsen des globalen xyz-Koordinatensystems und der lokalen xyz- oder xy-Koordinatensysteme verlaufen parallel zueinander. Die jeweiligen y-Achsen der lokalen xyz- oder xy-Koordinatensysteme haben einen Winkel zur y-Achse des globalen xyz-Koordinatensystems, die einem Kippwinkel der jeweiligen optischen Komponente um die x-Achse entspricht.
2 zeigt beispielhaft eine Facettenanordnung von Feldfacetten 7 des Feldfacettenspiegels 6. Die Feldfacetten 7 sind rechteckig und haben jeweils das gleiche x/y-Aspektverhältnis. Das x/y-Aspektverhältnis kann beispielsweise 12/5, kann 25/4 oder kann 104/8 betragen.
Die Feldfacetten 7 geben eine Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 6 vor und sind in vier Spalten zu je sechs bis acht Feldfacettengruppen 8a, 8b gruppiert. Die Feldfacettengruppen 8a haben jeweils sieben Feldfacetten 7. Die beiden zusätzlichen randseitigen Feldfacettengruppen 8b der beiden mittleren Feldfacettenspalten haben jeweils vier Feldfacetten 7. Zwischen den beiden mittleren Facettenspalten und zwischen der dritten und vierten Facettenzeile weist die Facettenanordnung des Feldfacettenspiegels 6 Zwischenräume 9 auf, in denen der Feldfacettenspiegel 6 durch Haltespeichen des Kollektors 4 abgeschattet ist.
Nach Reflexion am Feldfacettenspiegel 6 trifft das in Strahlbüschel bzw. Teilbündel, die den einzelnen Feldfacetten 7 zugeordnet sind, aufgeteilte EUV-Beleuchtungslicht 3 auf einen Pupillenfacettenspiegel 10.
3 zeigt eine beispielhafte Facettenanordnung von runden Pupillenfacetten 11 des Pupillenfacettenspiegels 10. Die Pupillenfacetten 11 sind um ein Zentrum herum in ineinander liegenden Facettenringen angeordnet. Jedem von einer der Feldfacetten 7 reflektierten Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 ist mindestens eine Pupillenfacette 11 derart zugeordnet, dass jeweils ein beaufschlagtes Facettenpaar mit einer der Feldfacetten 7 und einer der Pupillenfacetten 11 einen Objektfeld-Ausleuchtungskanal für das zugehörige Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 vorgibt. Die kanalweise Zuordnung der Pupillenfacetten 11 zu den Feldfacetten 7 erfolgt abhängig von einer gewünschten Beleuchtung durch die Projektionsbelichtungsanlage 1.
Über den Pupillenfacettenspiegel 10 (vgl. 1) und eine nachfolgende, aus drei EUV-Spiegeln 12, 13, 14 bestehenden Übertragungsoptik 15 werden die Feldfacetten 7 in eine Objektebene 16 der Projektionsbelichtungsanlage 1 abgebildet. Der EUV-Spiegel 14 ist als Spiegel für streifenden Einfall (Grazing-Incidence-Spiegel) ausgeführt. In der Objektebene 16 ist ein Retikel 17 angeordnet, von dem mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 ein Ausleuchtungsbereich in Form eines Beleuchtungsfeldes ausgeleuchtet wird, das mit einem Objektfeld 18 einer nachgelagerten Projektionsoptik 19 der Projektionsbelichtungsanlage 1 zusammenfällt. Die Objektfeld-Ausleuchtungskanäle werden im Objektfeld 18 überlagert. Das EUV-Beleuchtungslicht 3 wird vom Retikel 17 reflektiert.
Die Projektionsoptik 19 bildet das Objektfeld 18 in der Objektebene 16 in ein Bildfeld 20 in einer Bildebene 21 ab. In dieser Bildebene 21 ist ein Wafer 22 angeordnet, der eine lichtempfindliche Schicht trägt, die während der Projektionsbelichtung mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 belichtet wird. Bei der Projektionsbelichtung werden sowohl das Retikel 17 als auch der Wafer 22 in y-Richtung synchronisiert gescannt. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist als Scanner ausgeführt. Die Scanrichtung wird nachfolgend auch als Objektverlagerungsrichtung bezeichnet.
Der Feldfacettenspiegel 6, der Pupillenfacettenspiegel 10 und die Spiegel 12 bis 14 der Übertragungsoptik 15 sind Bestandteile einer Beleuchtungsoptik 23 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Gemeinsam mit der Projektionsoptik 19 bildet die Beleuchtungsoptik 23 ein Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage 1.
Der Feldfacettenspiegel 6 stellt einen ersten Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik 23 dar.
Die Feldfacetten 7 stellen erste Facetten der Beleuchtungsoptik 23 dar.
Der Pupillenfacettenspiegel 10 stellt einen zweiten Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik 23 dar.
Die Pupillenfacetten 11 stellen zweite Facetten der Beleuchtungsoptik 23 dar.
4 zeigt eine weitere Ausführung eines Feldfacettenspiegels 6. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf den Feldfacettenspiegel 6 nach 2 erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nur erläutert, soweit sie sich von den Komponenten des Feldfacettenspiegels 6 nach 2 unterscheiden. Der Feldfacettenspiegel 6 nach 4 hat eine Feldfacettenanordnung mit gebogenen Feldfacetten 7. Diese Feldfacetten 7 sind in insgesamt fünf Spalten mit jeweils einer Mehrzahl von Feldfacettengruppen 8 angeordnet. Die Feldfacettenanordnung ist in eine kreisförmige Begrenzung einer Trägerplatte 24 des Feldfacettenspiegels eingeschrieben.
Die Feldfacetten 7 der Ausführung nach 4 haben alle die gleiche Fläche und das gleiche Verhältnis von Breite in x-Richtung und Höhe in y-Richtung, welches dem x/y-Aspektverhältnis der Feldfacetten 7 der Ausführung nach 2 entspricht.
Jeder der Feldfacetten 7 der jeweiligen Ausführung des Feldfacettenspiegels 6 sind über jeweils einen Objektfeld-Ausleuchtungskanal genau zwei der Pupillenfacetten 11 des Pupillenfacettenspiegels 10 zugeordnet.
Der Pupillenfacettenspiegel 10 hat also genau doppelt so viele Pupillenfacetten 11 wie der Feldfacettenspiegel 6 Feldfacetten 7 hat.
5 bis 8 verdeutlichen dies anhand einer schematisch dargestellten Facettenanordnung einer weiteren Ausführung des Pupillenfacettenspiegels 10. Die Darstellung der Facettenanordnung der 5 bis 8 ist stark schematisch. Tatsächlich hat der Pupillenfacettenspiegel 10 in der Ausführung nach den 5 bis 8 etwa 800 Pupillenfacetten 11. Jede der Pupillenfacetten 11 hat einen Durchmesser von etwa 10 mm.
Reflexionsflächen der Feldfacetten 7 des Feldfacettenspiegels 6 sind kippbar zwischen einer ersten Ausleuchtungs-Kippstellung zur Führung des auf die Feldfacette 7 auftreffenden EUV-Teilbündels längs eines ersten Objektfeld-Ausleuchtungskanals in Richtung einer der Pupillenfacetten 11i und einer weiteren Ausleuchtungs-Kippstellung zur Führung des auf die Feldfacette 7 auftreffenden EUV-Teilbündels längs eines weiteren Objektfeld-Ausleuchtungskanals in Richtung einer anderen der Pupillenfacetten 11i', die sich von derjenigen Pupillenfacette 11 unterscheidet, zu der das Teilbündel in der ersten Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacette 7 geführt wird.
5 oben zeigt schematisch hervorgehoben insgesamt vier Paare 111, 111'; 112, 112'; 113, 113'; 114, 114' der Pupillenfacetten 11, wobei die Pupillenfacetten jedes der Paare jeweils den beiden Ausleuchtungs-Kippstellungen einer der Feldfacetten 7 zugeordnet sind. Verbindungslinien 251, 252, 253, 254 zwischen den Pupillenfacetten-Paaren 111, 111'; 112, 112'; 113, 113'; 114, 114' deuten schematisch den Weg des von der zugeordneten Feldfacette 7 reflektierten EUV-Teilbündels beim Wechsel dieser Feldfacette 7 zwischen den beiden Ausleuchtungs-Kippstellungen.
Die Verbindungslinien 25 sind schematisch als gerade Linien dargestellt. Die Verbindungslinien 25 verlaufen in der Realität oft nicht gerade, sondern in Form von Kegelschnitten. Die genaue Form des Verlaufs der Verbindungslinien 25 hängt von den Geometrien einer Beleuchtung der Pupillenfacetten 11 einerseits und einer Kippmechanik für die jeweilige Feldfacette 7 andererseits ab.
Über die Paare 111, 111'; 112, 112'; 113, 113'; 114, 114' sind jeweils eine äußere Pupillenfacette 111, 112, 113, 114 und eine innere Pupillenfacette 111', 112', 113', 114' einander zugeordnet.
Die Anordnung der Pupillenfacetten 11 lässt sich grob in vier Quadranten I, II, III, IV unterteilen, wobei der Quadrant I in der 5 diejenigen der Pupillenfacetten 11 erfasst, die, gesehen von einem Mittelpunkt M der in der 4 angedeuteten Trägerplatte 24 rechts angeordneten Sektor liegen und die weiteren Quadranten II bis IV wie mathematisch üblich entgegen dem Uhrzeigersinn durchnummeriert sind.
Die Pupillenfacetten 111, 111'; 112, 112'; 113, 113'; 114, 114' jedes der Pupillenfacetten-Paare liegen jeweils in unterschiedlichen Quadranten I bis IV. Die Pupillenfacette 11 liegt im Quadranten II. Die Pupillenfacette 111' liegt im Quadranten I. Die Pupillenfacette 112 liegt im Quadranten I. Die Pupillenfacette 112' liegt im Quadranten II. Die Pupillenfacette 113 liegt im Quadranten I. Die Pupillenfacette 113' liegt im Quadranten II. Die Pupillenfacette 114 liegt im Quadranten II. Die Pupillenfacette 114' liegt im Quadranten I.
Beim Kippen einer der Feldfacetten 7, die in Pupillenfacetten-Paaren 111, 111'; 112, 112'; 113, 113'; 114, 114' zugeordnet sind, erfolgt also nicht nur ein Wechsel zwischen einer Äußersten und einer Innersten der Pupillenfacetten 11, sondern auch ein Wechsel zwischen zweien der Quadranten I bis IV auf dem Pupillenfacettenspiegel 10.
Die zwischen den Ausleuchtungs-Kippstellungen kippbaren Feldfacetten 7 sind weiterhin in eine Abschalt-Kippstellung kippbar. Während die beiden Ausleuchtungs-Kippstellungen über Endanschläge der Verkippung der verkippbaren Feldfacette 7 exakt in ihrer Lage definiert sind, ist dies für die Abschalt-Kippstellung, die zwischen den beiden Ausleuchtungs-Kippstellungen liegt, nicht der Fall. Die Abschalt-Kippstellung dient zur Führung des auf die Feldfacette 7 auftreffenden EUV-Teilbündels in Richtung eines das Objektfeld 18 nicht beaufschlagenden Abschalt-Strahlengangs, die sich von der Richtung der Objektfeld-Ausleuchtungskanäle unterscheidet.
Dies ist anhand des Inserts in der 5 verdeutlicht, welches die den Pupillenfacetten-Paar 111, 111' zugeordnete Feldfacette 71 in einem Schnitt senkrecht zu ihrer Reflexionsfläche zeigt. Die Feldfacette 71 ist relativ zu einem Feldfacettenträger 26 um eine senkrecht auf der Zeichenebene des Inserts der 5 bestehende Gelenkachse 27 zwischen den beiden durch Anschläge 28, 29 einerseits an der Feldfacette 71 und andererseits am Feldfacettenträger 26 definierten Ausleuchtungs-Kippstellungen mit Hilfe eines nicht dargestellten Aktors kippbar. Dargestellt ist die Feldfacette 71 in der zwischen diesen beiden Ausleuchtungs-Kippstellungen liegenden Abschalt-Kippstellung. Das Insert der 5 zeigt weiterhin schematisch das auf die Feldfacette 71 einfallende EUV-Teilbündel des Beleuchtungslichts 3, den der ersten Ausleuchtungs-Kippstellung zugeordneten Objektfeld-Ausleuchtungskanal 31, den der zweiten Ausleuchtungs-Kippstellung zugeordneten zweiten Objektfeld-Ausleuchtungskanal 31' sowie gestrichelt einen Abschalt-Strahlengang 30. Die Richtung des Abschalt-Strahlengangs 30 ist nicht in gleicher Weise exakt definiert wie die Richtung der beiden Objektfeld-Ausleuchtungskanäle 31, 31'. Die Richtung des Abschalt-Strahlengangs 30 hat also eine endliche Richtungstoleranz.
6 zeigt in einer Darstellung des Pupillenfacettenspiegels 10 nach 5 zusätzlich Aufreffregionen bzw. Auftreffpositionen 31, 32, 33, 34 der jeweiligen Abschalt-Strahlengänge 30 der den Pupillenfacetten-Paaren 111, 111'; 112, 112'; 113, 113'; 114, 114' zugeordneten Feldfacetten 7.
Die Auftreffregionen 31 bis 34 berühren jeweils verschiedene Pupillenfacetten 11, die ihrerseits mit keiner der Pupillenfacetten der Pupillenfacetten-Paare 111, 111'; 112, 112'; 113, 113'; 114, 114' übereinstimmen. Damit ist sichergestellt, dass keine der Pupillenfacetten 11 bei einem Abschalten der zu den Pupillenfacetten 111 bis 114 gehörenden Feldfacetten von mehr als zwei EUV-Teilbündeln beaufschlagt wird. Beispielsweise stellt die Pupillenfacette 115, die auf der Auftreffregion 34 liegt, gleichzeitig eine Abschalt-Facette 35 dar, die der Feldfacette 7 zugeordnet ist, die über ein EUV-Teilbündel in den beiden Ausleuchtungs-Kippstellungen die beiden Pupillenfacetten 114, 114' beaufschlagt. Die Pupillenfacette 115 wird also im Betrieb des Pupillenfacettenspiegels 10 dann mit zwei EUV-Teilbündeln beaufschlagt, wenn die dem Pupillenfacetten-Paar 114, 114' zugehörige Feldfacette 7 in der Abschalt-Kippstellung vorliegt und wenn die Pupillenfacette 115 gleichzeitig von ihrer über einen Objektfeld-Ausleuchtungskanal zugeordneten Feldfacette 7 beaufschlagt ist. Eine weitere Beaufschlagung der Pupillenfacette 115 über Abschalt-Strahlengänge der anderen Feldfacetten 7, die den Pupillenfacetten-Paaren 111, 111'; 112, 112'; 113, 113' zugeordnet sind, findet nicht statt.
7 zeigt eine zweite, und aufgrund der hiermit verbundenen thermischen Belastung einzelner Pupillenfacetten 11 nicht erwünschte Verteilung der Auftreffregionen 31 bis 34 von EUV-Teilbündeln, die durch entsprechend vorgegebene Abschalt-Kippstellungen der den Pupillenfacetten-Paaren 111, 111'; 112, 112'; 113, 113'; 114, 114' zugeordneten Feldfacetten 7 resultiert. Die Auftreffregionen 32 bis 34 überlappen alle auf der Pupillenfacette 116, sodass diese im ungünstigsten Fall als Abschalt-Facette 35 für drei zugeordnete Feldfacetten 7, nämlich für die den Pupillenfacetten-Paaren 112, 112'; 113, 113'; 114, 114' zugeordneten Feldfacetten und zusätzlich über einen Objektfeld-Ausleuchtungskanal von einer weiteren Feldfacette 7 beaufschlagt wird. Die Pupillenfacette 116 kann also mit insgesamt vier EUV-Teilbündeln gleichzeitig beaufschlagt sein. Dies führt zu einer thermischen Belastung der Pupillenfacette 116, die vermieden werden soll.
Nachfolgend wird ein Verfahren zur Vorgabe von Abschalt-Kippstellungen der Feldfacetten 7 mit Führung zu Abschalt-Facetten 35 bei Einsatz der Beleuchtungsoptik 22 beschrieben, wobei einerseits eine unerwünschte Beaufschlagung des Objektfeldes 18 mit Streulicht vermieden oder zumindest minimiert ist und andererseits ein vorgegebener Grenzanteil der Abschalt-Facetten 35, beispielsweise 90%, 95%, 98%, 99% oder 100% der Abschalt-Facetten 35 von nicht mehr als einer vorgegebenen Grenzanzahl, beispielsweise von nicht mehr als vier, von nicht mehr als drei oder von nicht mehr als zwei von EUV-Teilbündeln beaufschlagt wird. Hierzu wird zunächst eine der Feldfacetten 7 als Auswahl-Facette 7 ausgewählt. Dann werden alle möglichen Abschalt-Kippstellungen dieser Auswahl-Facette 7 bestimmt. Es werden dann alle Abschalt-Kippstellungen eliminiert, die durch Beaufschlagung von zugeordneten Kandidaten-Abschalt-Facetten 35 über die jeweiligen Abschalt-Strahlengänge 30 zu Streulicht im Objektfeld 18 führen würden. Diese Eliminierung kann durch versuchsweises Beaufschlagen aller der Auswahl-Facette 7 über Kandidaten-Abschalt-Strahlengänge zugeordneten Kandidaten-Abschalt-Facetten und Weiterverfolgen dieser Kandidaten-Abschalt-Strahlengänge geschehen. Wenn der jeweils verfolgte Kandidaten-Abschalt-Strahlengang zu Streulicht im Objektfeld 18 führt, wird dieser Kandidaten-Abschalt-Strahlengang und damit die zugehörige Abschalt-Kippstellung der Auswahl-Facette eliminiert, steht also unter den Abschalt-Kippstellungen des das Ergebnis des Verfahrens darstellenden Satzes nicht zur Verfügung. Die nach diesem Eliminierschritt verbleibenden Abschalt-Kippstellungen der Auswahl-Facette werden erfasst. Diese Abfolge von Verfahrensschritten wird nun für alle Feldfacetten 7 wiederholt, bis jede der zwischen Ausleuchtungs-Kippstellungen verkippbaren Feldfacetten 7 als Auswahl-Facette ausgewählt war.
Nach einmaligem Durchführen dieses Verfahrens für alle Facetten liegt nun eine im Idealfall vollständige Zuordnung von Abschalt-Kippstellungen für alle Feldfacetten 7 vor, bei der kein unerwünschtes Streulicht über die Abschalt-Strahlengänge 30 in das Objektfeld 18 gelangt. Ein geringer Streulichtanteil über unvermeidliche Abschalt-Strahlengänge 30 unterhalb eines vorgegebenen Streulicht-Grenzwertes kann hierbei toleriert werden. In der Regel kann zumindest einigen der Feldfacetten 7 eine Mehrzahl zulässiger, also nicht zu Streulicht führender, Abschalt-Kippstellungen zugeordnet werden.
Um die thermische Maximallast auf den Pupillenfacetten 11 bei der Verteilung von Abschalt-Kippstellungen, die bei einmaliger Durchführung des vorstehend beschriebenen Verfahrens für alle Feldfacetten 7 ermittelt wurden, zu minimieren, wird nachfolgend im Wege einer Monte Carlo-Simulation eine zufällige Verteilung der möglichen Abschalt-Kippstellungen, die über das durchgeführte Verfahren den Feldfacetten 7 zugeordnet wurden, vorgegeben. Bei dieser vorgegebenen Verteilung der Abschalt-Kippstellungen der Feldfacetten 7 wird diejenige Maximallast-Pupillenfacette 11 bestimmt, die bei der vorgegebenen Kippstellungs-Verteilung maximal mit EUV-Teilbündeln beaufschlagt wird. Es wird dann ein Maximallast-Parameter bestimmt, der der Anzahl der maximal bei der vorgegebenen Verteilung der Abschalt-Kippstellungen möglichen Beaufschlagungen dieser Maximallast-Pupillenfacette 11 entspricht.
Es erfolgt nun die erneute Vorgabe einer zufälligen Verteilung der nach der Eliminierung der aufgrund unerwünschten Falschlichts verbotenen Abschalt-Kippstellungen verbleibenden Verteilungen der Abschalt-Kippstellungen und jeweils ein Bestimmen der Maximallast-Pupillenfacette und des Maximallast-Parameters. Der Maximallast-Parameter wird dann minimiert. Ergebnis dieses Verfahrens ist diejenige erlaubte, also nicht zu unerwünschter Streuung führende Verteilung von Abschalt-Kippstellungen mit dem kleinsten Maximallast-Parameter.
Die Maximallast-Pupillenfacette kann mit Hilfe einer Erfassungseinrichtung 36 (vgl. 8) zur Erfassung einer thermischen Last auf mindestens einer der Pupillenfacetten 11 und bevorzugt auf allen Pupillenfacetten 11 bestimmt werden. Dies kann zur Durchführung des Vorgabeverfahrens oder auch zur Überwachung der thermischen Belastung des Pupillenfacettenspiegels 10 beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 genutzt werden. Ein Beispiel für die Erfassungseinrichtung 36 stellt eine Wärmebildkamera dar, deren Anordnung zur Bestimmung der thermischen Last auf den Pupillenfacetten 11 des Pupillenfacettenspiegels 10 in der 8 dargestellt ist. Pfeile 37 in der 8 deuten einen Erfassungsbereich der Erfassungseinrichtung 36 an. Die Erfassungseinrichtung 36 ist in der Lage, die thermische Last auf jeder einzelnen Pupillenfacette 11 örtlich aufzulösen. Mittels der Erfassungseinrichtung 36 kann also diejenige Pupillenfacette 11 in der Praxis bestimmt werden, die die größte thermische Belastung erfährt. Gegenüber einer Simulation rein auf Basis geometrischer Reflexionsdaten zu den Objektfeld-Ausleuchtungskanälen und den Abschalt-Strahlengängen hat die praktische Erfassung der thermischen Belastung auf den Pupillenfacetten 11 den Vorteil, dass hier auch vom Beaufschlagungswinkel des Beleuchtungslichts 3 abhängige Effekte von reflektierenden Beschichtungen auf den Pupillenfacettenspiegel 11 sowie gegebenenfalls durch Streulicht bedingte zusätzliche Beaufschlagungen erfasst werden können.
Die Erfassungseinrichtung 36 kann auch im laufenden Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 genutzt werden, um eine thermische Überlastung einer der Pupillenfacetten 11 aufgrund einer Beaufschlagung mit einer unerwünschten Mehrzahl von EUV-Teilbündeln zu detektieren. Anhand der Position einer so erfassten, thermisch überlasteten Pupillenfacette 11 kann auf die Feldfacette 7 oder auf die Gruppe von Feldfacetten 7 geschlossen werden, die diese Pupillenfacette 11 über einen Objektfeld-Ausleuchtungskanal oder über Abschalt-Strahlengänge beaufschlagt. Durch entsprechende Ansteuerung von diesen Feldfacetten 7 zugeordneten Kippaktoren und entsprechende Verkippung dieser Feldfacetten 7 kann dann durch Änderung von Abschalt-Strahlengängen die thermische Überlast auf der Pupillenfacette 11 beseitigt werden.
9 zeigt eine Aufsicht auf eine Pupillenfacettenanordnung einer weiteren Ausführung des Pupillenfacettenspiegels 10 zum Einsatz in der Beleuchtungsoptik 23. Komponenten und Bezugsgrößen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 8 bereits erläutert wurden, zeigen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Pupillenfacetten 11 des Pupillenfacettenspiegels 10 nach 9 haben quadratische Reflexionsflächen und sind in Form eines Rasters mit diagonal unter 45° zur x-Richtung bzw. zur y-Richtung geneigten Zeilen und Spalten angeordnet. Die quadratischen Pupillenfacetten 11 haben Reflexionsflächen von 7,5 mm × 7,5 mm. Ein Zentralbereich 38 des Pupillenfacettenspiegels 10 nach 9 weist keine Pupillenfacettenspiegel 11 auf. Die Pupillenfacetten 11 sind innerhalb der wiederum kreisförmigen Trägerplatte 24 des Pupillenfacettenspiegels 10 angeordnet, die in der 9 lediglich angedeutet ist.
Dargestellt ist der Pupillenfacettenspiegel 10 in der 9 mit einer Beaufschlagung hervorgehobener Pupillenfacetten 11 mit EUV-Teilbündeln in der Art, dass ein modifiziertes x-Dipol-Beleuchtungssetting resultiert. Dieses Beleuchtungssetting entsteht durch Modifikation eines standardisierten x-Dipol-Beleuchtungssettings, bei dem alle Pupillenfacetten 11, die in den Quadranten I und III angeordnet sind, über Objektfeld-Ausleuchtungskanäle von den zugeordneten Feldfacetten 7 mit EUV-Teilbündeln beaufschlagt werden. Zur Erzeugung des modifizierten Beleuchtungssettings werden diejenigen Feldfacetten 7, die den innerhalb eines Grenzradius R_G um ein Zentrum Z des Zentralbereichs 38 angeordneten Pupillenfacetten 11 zugeordnet sind, die beim standardisierten x-Dipol-Beleuchtungssetting beaufschlagt werden, in die Abschalt-Kippstellung verbracht. In den Quadranten I und III liegen dann zur Beleuchtung des Objektfeldes 18 beitragende, aktive Pupillenfacetten 11A (Facetten mit weiterer Schraffur „A”) und nicht zur Beleuchtung des Objektfeldes 18 beitragende inaktive Pupillenfacetten 111 (Facetten mit engerer Schraffur „I”) innerhalb des Radius R_G vor. Die den inaktiven Pupillenfacetten 111 zugehörigen Feldfacetten 7 sind wiederum zwischen zwei Ausleuchtungs-Kippstellungen verkippbar, wie vorstehend in Zusammenhang mit den 4 bis 8 bereits erläutert. In der 9 sind wiederum ausgewählte Paare 11i, 11i' von Pupillenfacetten 11 eingezeichnet, die in den beiden Ausleuchtungs-Kippstellungen der zugeordneten Feldfacette 7 jeweils mit einem EUV-Teilbündel längs eines Objektfeld-Ausleuchtungskanals beaufschlagt werden. Hervorgehoben sind insgesamt fünf Pupillenfacetten-Paare 111, 111' bis 115, 115' (i = 1 bis 5). Zwischen den jeweiligen Pupillenfacetten 11i, 11i', dieser Pupillenfacetten-Paare sind auf den zugehörigen Verbindungslinien 25i mögliche Auftreffpositionen 39ij beispielhaft dargestellt. Der Parameter j bezeichnet dabei die j-te, über die jeweilige Abschalt-Kippstellung vorgebbare Auftreffposition 39 des EUV-Teilbündels, ausgehend von der Pupillenfacette 11i längs der Verbindungslinie 25i. Die Auftreffpositionen 39ij liegen also auf Abschalt-Strahlengängen 30. Zwischen den Puppillenfacetten 111 und 111' liegen insgesamt zehn bis dreizehn Auftreffpositionen 3911 bis 39113 vor (j = 1 bis 13). Jede dieser Auftreffpositionen 39ij kann durch entsprechende Ansteuerung des Aktors zum Verkippen der zugeordneten Feldfacette 7 gesteuert vorgegeben werden. Aufgrund der vorstehend schon angesprochenen Positionierungenauigkeit bei der Vorgabe der Abschalt-Kippstellung der Feldfacette 7 kann die jeweilige Auftreffposition 39ij nicht exakt vorbestimmt werden, sondern reproduzierbar lediglich innerhalb eines Toleranzbereichs 40 um die jeweilige Auftreffposition 39. Dies ist in der 9 am Beispiel der Aufreffposition 39111 dargestellt. Wenn über die zugehörige Abschalt-Kippstellung die Auftreffposition 39111 angesteuert wird, lässt sich mit Sicherheit angeben, dass der reale Auftreffpunkt des EUV-Teilbündels, welches von der in diese Abschalt-Kippstellung erbrachten Feldfacette 7 reflektiert wird, innerhalb des Toleranzbereichs 40 um die Auftreffposition 39ij den Pupillenfacettenspiegel 10 beaufschlagt. Der Toleranzbereich 40 und die jeweilige Auftreffposition 39ij entspricht daher der Auftreffregion, die vorstehend im Zusammenhang mit den 5 bis 7 erläutert wurde. Diejenigen Pupillenfacetten 11, die zumindest teilweise innerhalb des Toleranzbereichs 40 um eine Auftreffposition 39ij liegen, werden nachfolgend auch als Pupillenfacetten 11TB bezeichnet.
Für die verschiedenen Paare 11i, 11i' von Pupillenfacetten, die jeweils von der gleichen Feldfacette 7 in ihren beiden Ausleuchtungs-Kippstellungen mit einem EUV-Teilbündel beaufschlagt werden können, sind in der 9 weitere Gruppen von zumindest teilweise in Toleranzbereichen 40 um eine auszuwählende Auftreffposition 39ij liegende Pupillenfacetten 11TB hervorgehoben. Die Anzahl dieser jeweils mit gewisser Wahrscheinlichkeit in einer Abschalt-Kippstellung einer der Feldfacetten 7 beaufschlagten Pupillenfacetten 11TB hängt von der Größe des Toleranzbereichs 40 und von der Orientierung der Verbindungslinien 25i zu den Zeilen und Spalten der Matrixanordnung der Pupillenfacetten 11 ab.
10 zeigt den Toleranzbereich 40 im Detail. Längs der jeweiligen Verbindungslinie 25i hat der Toleranzbereich 40 um die Auftreffposition 39ij eine Erstreckung mit Betrag b. Senkrecht zur Verbindungslinie 25i hat die Erstreckung des Toleranzbereichs 40 um die Auftrittsposition 39ij den Betrag a. Das EUV-Teilbündel hat in der Auftreffposition 39ij einen Strahldurchmesser (sechsfacher 1/e Radius) spot von etwa 2,5 mm.
Zwischen dem jeweiligen Rand des EUV-Teilbündels und den Rändern des Toleranzbereichs 40 bleiben längs und quer der Verbindungslinie 25i Zwischenräume Tol_p und Tol_s. Ein möglicher Wert für Tol_p ist 6 mm, 10 mm oder 20 mm. Eine zugeordnete Kippwinkel-Toleranz der Feldfacetten 7 beträgt etwa 5 mrad. Typische Werte für Tol_s sind 1 mm bis 4 mm.
Aufgrund des Toleranzbereichs 40 können bei der Auftreffposition 39111 zugeordnete Abschalt-Kippstellung der jeweiligen Feldfacette 7 die im Bereich des Toleranzbereichs 40 angeordneten Pupillenfacetten 11TB tatsächlich beaufschlagt werden. Welche der Pupillenfacetten 11TB tatsächlich beaufschlagt wird, ist zufällig abhängig von der tatsächlichen Abschalt-Kippstellung um die angesteuert vorgegebene Abschalt-Kippstellung der Feldfacette 7.
Anhand der 11 und 12 wird nachfolgend ein weiteres Verfahren zur Vorgabe von Abschalt-Kippstellungen der Feldfacetten beschrieben, bei den mit einer ersten Sequenz von Verfahrensschritten zunächst eine Minimierung von auf das Objektfeld 18 über Abschalt-Strahlengänge fallenden Streulichts erreicht wird und bei dem mit einer nachfolgenden Verfahrenssequenz eine Minimierung einer maximalen thermischen Last auf den Pupillenfacetten 11 erreicht wird, die zur Erreichung eines gegebenen Beleuchtungssettings mit EUV-Teilbündeln über Abschalt-Strahlengänge beaufschlagt werden.
Schematisch sind in der 12 weitere Komponenten zur Durchführung des Vorgabeverfahrens dargestellt, nämlich eine Steuereinrichtung 41 zur individuellen Vorgabe von Kippstellungen der Feldfacetten 7 durch Ansteuerung entsprechender Aktoren 42a, die den Feldfacetten 7 jeweils individuell zugeordnet sind, und ein Rechner 42 zur programmgesteuerten Durchführung der Verfahrensabfolge und zum Ablegen der gewonnenen Daten.
Zunächst wird eine der Feldfacetten 7 als Auswahl-Facette ausgewählt. Diese Auswahl-Facette ist in der 12 mit 7A bezeichnet. Es handelt sich hierbei um diejenige Feldfacette 7, die in einer ihrer Ausleuchtungs-Kippstellungen die Pupillenfacette 11i und in ihrer anderen Ausleuchtungs-Kippstellung die Pupillenfacette 11i' mit einem EUV-Teilbündel längs jeweils eine Objektfeld-Ausleuchtungskanals beaufschlagt.
Anschließend wird eine Auftreffposition 39ij bzw. eine Kandidaten-Abschalt-Facette 11K ausgewählt, die in einer möglichen Kandidaten-Kippstellung der Auswahl-Facette von dieser über den zugehörigen Abschalt-Strahlengang beaufschlagt würde. Im Beispiel der 11 ist dies die Auftreffposition 39i6. Anschließend werden alle Toleranzabstands-Pupillenfacetten 11TB bestimmt, die innerhalb des Toleranzbereichs (vgl. Toleranzbereich 40 in der 9) um die Kandidaten-Abschalt-Pupillenfacette 11K bzw. um die Kandidaten-Auftreffposition 39ij herum angeordnet sind. Dann werden alle Zuordnungs-Feldfacetten 7z auf dem Feldfacettenspiegel 6 bestimmt, die den Toleranzabstand-Pupillenfacetten 11K über Objektfeld-Ausleuchtungskanäle zugeordnet sind.
Einige dieser Zuordnungs-Feldfacetten 7Z sind in der 12 eingezeichnet. Die Verteilung der Zuordnungs-Feldfacetten 7Z ist mehr oder weniger zufällig um die Auswahl-Facette 7A herum. Nach der Bestimmung aller Zuordnungs-Feldfacetten 7Z erfolgt eine Prüfung, ob mindestens eine der bestimmten Zuordnungs-Feldfacetten 7Z innerhalb eines Verbotsabstandes um die Auswahl-Facette 7A herum liegt. Beim anhand der 11 und 12 dargestellten Beispiel des Vorgabeverfahrens sind die innerhalb des Verbotsabstandes um die Auswahl-Facette 7A liegenden Feldfacetten 7V die der Auswahl-Facette 7A direkt benachbarten Feldfacetten 7. Beim Beispiel nach den 11 und 12 liegt keine der Zuordnungs-Feldfacetten 7Z innerhalb des Verbotsabstandes um die Auswahl-Feldfacette 7A.
Es erfolgt in diesem Fall ein Abspeichern der Auswahl-Facette 7A und der ausgewählten Kandidaten-Kippstellung, die der Kandidaten-Abschalt-Pupillenfacette 11K der Kandidaten-Auftreffposition 39ij zugeordnet ist. Die Auswahl-Facette 7A und die zugehörige Kandidaten-Kippstellung werden dann im Rechner 42 in Form eines Eintrags in einer Abschalt-Kippstellungs-Tabelle abgelegt.
Soweit die vorstehend angesprochene Verbots-Abstands-Prüfung ergibt, dass mindestens eine der bestimmten Zuordnungs-Feldfacetten 7Z innerhalb des Verbotsabstandes um die Auswahl-Feldfacette 7A liegt, wird eine weitere Kandidaten-Abschalt-Pupillenfacette 11K' bzw. eine weitere Kandidaten-Auftreffposition 39ij ausgewählt, die in einer möglichen weiteren Kandidaten-Kippstellung der Auswahl-Feldfacette 7A von dieser über einen Abschalt-Strahlengang 30 beaufschlagt werden kann. Beim Beispiel nach 11 ist dies die Auftreffposition 39i7. Die innerhalb des Toleranzbereichs 40 um die Austrittposition 39i7 bzw. um die Kandidaten-Abschalt-Pupillenfacette 11K' herum angeordneten Toleranzbereich-Pupillenfacetten 11TB die dann entsprechend der Verschiebung der Auftreffposition 39ij hin zur Auftreffposition 39ij' mitwandern, können nun bestimmt werden. Nachfolgend können wiederum die zugeordneten Zuordnungs-Feldfacetten 7Z bestimmt werden und es kann wiederum geprüft werden, ob mindestens eine dieser Zuordnungs-Feldfacetten 7Z auch eine Verbotsabstands-Feldfacette 7V darstellt. Es wird solange eine weitere Kandidaten-Kippstellung ausgewählt, bis entweder eine Kandidaten-Kippstellung gefunden ist, bei der keine der Zuordnungs-Feldfacetten 7Z auch eine der Verbotsabstands-Feldfacetten 7V ist oder bis keine auswählbare Kandidaten-Kippstellung, also keine Auftreffposition 39ij zwischen den Pupillenfacetten 11i und 11i' mehr ausgewählt werden kann. Im letzten Falle wird die Information ausgegeben, dass für die zugehörige Auswahl-Facette 7A keine Kandidaten-Kippstellung zur Verfügung steht, die ein für das Objektfeld 18 streulichtfreies Abschalten der Auswahl-Feldfacette 7A ermöglicht.
Es wird nun die nächste Auswahl-Facette 7A auf dem Feldfacettenspiegel 6 ausgewählt und das vorstehend beschriebene Vorgabeverfahren zur Zuordnung möglicher Abschalt-Kippstellungen zu den Auswahl-Feldfacetten wiederholt. Dies wird wiederholt, bis sämtliche kippbaren Feldfacetten 7 ausgewählt wurden.
Das vorstehend beschriebene Grund-Vorgabeverfahren kann zur Minimierung einer thermischen Maximallast auf den Pupillenfacetten 11 beim Abschalten von ausgewählten der Feldfacetten 7 für ein bestimmtes Beleuchtungssetting wie folgt erweitert werden. Zunächst wird für jede der über das Vorgabeverfahren gefundenen Abschalt-Kippstellungen bestimmt, welche der Pupillenfacetten 11 innerhalb des sie umgebenden Toleranzbereichs 40 prinzipiell vom EUV-Teilbündel der jeweils in die Abschalt-Kippstellung verbrachten Feldfacette 7 beaufschlagt werden könnten. Anschließend wird diejenige Maximallast-Pupillenfacette bestimmt, die bei den meisten Abschalt-Kippstellungen beaufschlagt werden könnte. Es wird dann ein Maximallast-Parameter bestimmt, der der Anzahl der maximal möglichen Beaufschlagungen der Maximallast-Pupillenfacette 11 entspricht. Es wird nun das vorstehend beschriebene Vorgabeverfahren für eine andere Reihenfolge von Auswahl-Facetten 7A wiederholt, sodass dann im Regelfall eine andere Zuordnung von Abschalt-Kippstellungen für die abzuschaltenden Feldfacetten 7 zur Verfügung steht. Für diese weitere Zuordnung von Abschalt-Kippstellungen zu den Feldfacetten werden nun wiederum die Maximallast-Pupillenfacette und der Maximallast-Parameter bestimmt. Dies wird nun für möglichst viele gefundene Zuordnungen mittels dem Grund-Vorgabeverfahren von Abschalt-Kippstellungen zu den abzuschaltenden Feldfacetten 7 wiederholt. Für die verschiedenen geprüften Zuordnungen wird dann ein Minimum des Maximallast-Parameters gesucht.
Diejenige Zuordnung von Abschalt-Kippstellungen der beim vorgegebenen Beleuchtungssetting abzuschaltenden Feldfacetten 7, bei der der Maximallast-Parameter minimal ist, ist die hinsichtlich des Streulichts im Objektfeld 18 und gleichzeitig hinsichtlich der thermischen Last auf die Pupillenfacetten 11 optimierte Zuordnung.
Die Größe des Toleranzbereichs 40 hängt neben der Positioniergenauigkeit der Feldfacette 7 in der Abschalt-Kippstellung auch von der spotgröße spot des Teilbündels auf den Pupillenfacettenspiegel 10 ab. Die Größe des Toleranzbereichs, die beim vorstehend beschriebenen Vorgabeverfahren zum Einsatz kommt, muss daher für jeden Anwendungsfall angepasst werden. Bei ansonsten gleichen Randbedingungen gilt, dass eine Verteilung von Abschalt-Kippstellungen, die einerseits streulichtfrei ist und andererseits zu einer geringen thermischen Maximallast auf den Pupillenfacetten führt, umso leichter zu finden ist, je geringer der Toleranzbereich 40 ausgedehnt ist.
Die 13 bis 20 zeigen beispielhaft verschiedene Beleuchtungssettings, also verschiedene Verteilungen von über Objektfeld-Ausleuchtungskanäle ausleuchtbare Pupillenfacetten 11. Diese verschiedenen Beleuchtungssettings führen entsprechend zu verschiedenen Verteilungen von Beleuchtungswinkeln, mit denen das Beleuchtungsfeld, also das Objektfeld 18, ausgeleuchtet wird.
13 zeigt die Beleuchtung von innerhalb eines Grenzradius R_G liegenden Pupillenfacetten 11, also ein sogenanntes konventionelles Setting mit dem Radius R_G mit entsprechendem maximalem Beleuchtungswinkel im Objektfeld 18.
14 zeigt die Ausleuchtung von Pupillenfacetten 11, die außerhalb eines Grenzradius R_G liegen. Es handelt sich hier also um eine Ausleuchtung des Pupillenfacettenspiegels 10 zur Erzeugung eines annularen Beleuchtungssettings.
15 zeigt das vorstehend schon angesprochene standardisierte x-Dipol-Beleuchtungssetting.
16 zeigt ein zum standardisierten x-Dipol-Beleuchtungssetting komplementäres y-Dipol-Beleuchtungssetting, bei dem die Pupillenfacetten 11 in den Quadranten II und IV über Objektfeld-Ausleuchtungskanäle beleuchtet werden.
17 zeigt ein Quadrupol-Beleuchtungssetting mit in x-Richtung und y-Richtung verlaufenden Hauptachsen, wobei jeweils alternierend 4 von 8 Oktanten O₁ bis O₈ auf den Pupillenfacettenspiegel 10 ausgeleuchtet werden, nämlich die Oktanten O₁, O₃, O₅ und O₇, auf deren Winkelhalbierenden jeweils die x-Achse und die y-Achse liegen.
18 zeigt eine zur Beleuchtung nach 17 komplementäre Beleuchtung des Pupillenfacettenspiegels 10 zur Erzeugung eines Quadrupol-Beleuchtungssettings mit gegenüber dem Quadrupol-Beleuchtungssettings nach 17 um 45° verdrehten Hauptachsen. Ausgeleuchtet werden dann die Oktanten O₂, O₄, O₆ und O₈.
19 zeigt eine Ausleuchtung des Pupillenfacettenspiegels 10, die in erster Näherung eine x-Dipol-Beleuchtung ist, wobei ein radial äußerer Abschnitt des Pupillenfacettenspiegels 10, der die Oktanten O₈, O₁, O₂ sowie O₄ bis O₆ überstreicht, ausgeleuchtet wird und wobei zusätzlich zwei zwischen diesen Annularabschnitten und dem Zentralbereich 38 verlaufende Beleuchtungsspeichen 43 auf dem Pupillenfacettenspiegel 10 ausgeleuchtet werden, die sich in Umfangsrichtung um das Zentrum Z der Trägerplatte 24 des Pupillenfacettenspiegels 10 voneinander beabstandet jeweils über einen Winkelbereich von 22,5° erstrecken.
20 zeigt eine Beleuchtung des Pupillenfacettenspiegels 10, die gegenüber der Beleuchtung nach 19 um 90° um das Zentrum Z gedreht ist.
Alle Beleuchtungssettings nach den 13 bis 20 sind ohne Abschalten von Feldfacetten 7 realisierbar. Durch Abschalten von Feldfacetten kann die Anzahl der ausgeleuchteten Pupillenfacetten 11 reduziert werden, was weitere Klassen von Beleuchtungssettings eröffnet, beispielsweise ein annulares Setting mit einer geringeren Variation des absoluten Beleuchtungswinkels oder einen Schnitt aus einem annularen und einem Dipol- oder Multipolsetting. Auch ein Dipol- oder Multipolsetting ist realisierbar, bei dem eine geringere Winkelbandbreite der Beleuchtung aus Richtung der einzelnen Pole erzeugt werden kann.
Über die Abschalt-Kippstellungen lasst sich insbesondere ein Finetuning standardisierter Settings erzeugen.
Es können also beispielsweise Ringbreiten konventioneller oder annularer Beleuchtungssettings oder Polbreiten von Dipol-, Quadrupol- oder Multipolsettings vorgegeben werden.
Bei der Projektionsbelichtung werden das Retikel 17 und der Wafer 22, der eine für das EUV-Beleuchtungslicht 3 lichtempfindliche Beschichtung trägt, bereitgestellt. Anschließend wird zumindest ein Abschnitt des Retikels 17 auf den Wafer 22 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Schließlich wird die mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 22 entwickelt. Auf diese Weise wird das mikro- bzw. nanostrukturierte Bauteil, beispielsweise ein Halbleiterchip, hergestellt.
Die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele wurden anhand einer EUV-Beleuchtung beschrieben. Alternativ zu einer EUV-Beleuchtung kann auch eine UV- oder eine VUV-Beleuchtung, beispielsweise mit Beleuchtungslicht mit einer Wellenlänge von 193 nm, zum Einsatz kommen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

US 6658084 B2 [0002, 0005, 0006]
US 7196841 B2 [0002, 0005, 0006]
DE 102008007449 A1 [0005]
US 6859515 B2 [0030]
EP 1225481 A [0030]

Claims

Beleuchtungsoptik (23) für die EUV-Projektionslithografie zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes, in welchem ein Objektfeld (18) einer nachfolgenden abbildenden Optik (19) anordenbar ist, – mit einem ersten Facettenspiegel (6) mit einer Mehrzahl von ersten Facetten (7) zur reflektierenden Führung von Teilbündeln eines Bündels von EUV-Beleuchtungslicht (3), – mit einem nachgeordneten zweiten Facettenspiegel (10) mit einer Mehrzahl an zweiten Facetten (11) zur reflektierenden Führung der von den ersten Facetten (7) reflektierten Teilbündel, sodass über die ersten Facetten (7) und die über die reflektierte Bündelführung zugeordneten zweiten Facetten (11) Objektfeld-Ausleuchtungskanäle vorgegeben sind, denen jeweils eine erste (7) und eine zweite (11) Facette zugeordnet sind, – wobei die Reflexionsflächen zumindest einiger der ersten Facetten (7) jeweils kippbar sind zwischen – mindestens einer Ausleuchtungs-Kippstellung zur Führung des auf die erste Facette (71) auftreffenden Teilbündels längs eines Objektfeld-Ausleuchtungskanals (31) in Richtung einer der zweiten Facetten (11), – mindestens einer Abschalt-Kippstellung zur Führung des auf die erste Facette (71) auftreffenden Teilbündels in Richtung eines das Objektfeld (18) nicht beaufschlagenden Abschalt-Strahlengangs (30), wobei sich die Richtung des Abschalt-Strahlengangs (30) von der Richtung des Objektfeld-Ausleuchtungskanals (31) unterscheidet.
Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflexionsflächen der kippbaren ersten Facetten (7) zusätzlich kippbar sind in eine weitere Ausleuchtungs-Kippstellung zur Führung des auf die erste Facette (71) auftreffenden Teilbündels längs eines weiteren Objektfeld-Ausleuchtungskanals (31') in Richtung einer anderen (111') der zweiten Facetten (11) die sich von derjenigen zweiten Facette (111) unterscheidet, zu der das Teilbündel in der ersten Ausleuchtungs-Kippstellung der ersten Facette (71) geführt wird.
Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass in der Abschalt-Kippstellung der kippbaren ersten Facette (7) das Teilbündel in Richtung zumindest einer Abschalt-Facette (35) der zweiten Facetten (11) geführt wird, wobei die erste Facette (7) und die zumindest eine Abschalt-Facette (35) verschiedenen Objektfeld-Ausleuchtungskanälen zugeordnet sind.
Verfahren zur Vorgabe eines Satzes von Abschalt-Kippstellungen der kippbaren ersten Facetten (7) des ersten Facettenspiegels (6) zur Führung von Teilbündeln zu Abschalt-Facetten (35) bei Einsatz einer Beleuchtungsoptik (23) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, mit folgenden Schritten: – Auswählen einer der ersten Facetten (7) des ersten Facettenspiegels (6) als Auswahl-Facette, – Bestimmen aller möglichen Abschalt-Kippstellungen der Auswahl-Facette, – Eliminieren aller Abschalt-Kippstellungen der Auswahl-Facette (7), die durch Beaufschlagung von zugeordneten Kandidaten-Abschalt-Facetten (35) über die Abschalt-Strahlengänge (30) zu Streulicht im Objektfeld oberhalb eines vorgegebenen Streulichtanteils führen würden, – Erfassen der nach der Eliminierung verbleibenden Abschalt-Kippstellungen, – Wiederholen der Schrittfolge für alle ersten Facetten (7).
Verfahren nach Anspruch 4 zur Vorgabe eines Satzes von Abschalt-Kippstellungen einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 3, wobei ein vorgegebener Grenzanteil der Abschalt-Facetten (35) von nicht mehr als einer vorgegebenen Grenzanzahl von Teilbündeln beaufschlagt wird, mit folgenden weiteren Schritten: – Vorgeben eines vollständigen Satzes von nach der Eliminierung verbleibenden zweiten Abschalt-Kippstellungen, – Bestimmen von derjenigen zweiten Maximallast-Facette (11), die beim vorgegebenen Satz von Abschalt-Kippstellungen mit einer maximalen Zahl von Teilbündeln gleichzeitig beaufschlagt wird, – Bestimmen eines Maximallast-Parameters, der der maximalen Zahl der Teilbündel-Beaufschlagungen dieser Maximallast-Facette (11) entspricht, – Wiederholen der beiden letzten Bestimmungsschritte mit einem weiteren vorgegebenen vollständigen Satz von Abschalt-Kippstellungen und Durchführen der Bestimmungsschritte für diesen weiteren vorgegebenen Satz von Abschalt-Kippstellungen, – Minimieren des Maximallast-Parameters, also Bestimmen desjenigen der vorgegebenen vollständigen Sätze von Abschalt-Kippstellungen, bei dem der Maximallast-Parameter minimal ist.
Verfahren zur Vorgabe eines Satzes von Abschalt-Kippstellungen der kippbaren ersten Facetten (7) des ersten Facettenspiegels (6) zur Führung von Teilbündeln zu Abschalt-Facetten (35) bei Einsatz einer Beleuchtungsoptik (23) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, mit folgenden Schritten: a) Auswählen einer der ersten Facetten (7) des ersten Facettenspiegels (6) als Auswahl-Facette (7A), b) Auswählen einer Kandidaten-Abschalt-Facette (11K) oder einer Kandidaten-Auftreffposition (39ij), die in einer möglichen Kandidaten-Abschalt-Kippstellung der Auswahl-Facette (7A) von dieser über einen Abschalt-Strahlengang (30) beaufschlagbar ist, c) Bestimmen aller zweiten Toleranzbereichs-Facetten (11TB) die innerhalb eines Toleranzbereichs (40) um die Kandidaten-Abschalt-Facette (11K) oder um die Kandidaten-Auftreffposition (39ij) herum angeordnet sind, d) Bestimmen aller ersten Zuordnungs-Facetten (7Z), die den bestimmten zweiten Toleranzbereichs-Facetten (11TB) über Objektfeld-Ausleuchtungskanäle zugeordnet sind, e) Prüfen, ob mindestens eine der bestimmten ersten Zuordnungs-Facetten (7Z) innerhalb eines Verbotsabstandes um die Auswahl-Facette (7A) liegt, ea) falls die Prüfung ergibt, dass keine der bestimmten ersten Zuordnungs-Facetten (7Z) innerhalb des Verbotsabstandes um die Auswahl-Facette (7A) liegt: eaa) Abspeichern der Auswahl-Facette (7A) und ihrer Kandidaten-Abschalt-Kippstellung, sodass diese Zuordnung in einer Abschalt-Kippstellungs-Tabelle, in der den ersten Facetten (7) jeweils Abschalt-Kippstellungen zugeordnet sind, ablegbar ist, eb) falls die Prüfung ergibt, dass mindestens eine der bestimmten ersten Zuordnungs-Facetten (7Z) innerhalb des Verbotsabstandes um die Auswahl-Facetten (7A) liegt: ebb) Auswählen einer weiteren Kandidaten-Abschalt-Facette (11K) oder einer weiteren Kandidaten-Auftreffposition (39ij+1), die in einer weiteren möglichen Kandidaten-Abschalt-Kippstellung der Auswahl-Facette (7A) von dieser über einen weiteren Abschalt-Strahlengang (30) beaufschlagbar ist, ebc) Wiederholen der Schritte c) bis e), bis entweder die Prüfung gemäß Schritt ea) erfolgreich ist und eine zuordenbare Kandidaten-Abschalt-Kippstellung resultiert oder bis keine auswählbare Kandidaten-Abschalt-Facette (11K) oder keine auswählbare Kandidaten-Auftreffposition (39ij) mehr zur Verfügung steht; in letzteren Falle Ausgabe der Information, dass für diese Auswahl-Facette (7A) keine zuordenbare Kandidaten-Abschalt-Kippstellung zur Verfügung steht, f) Wiederholen der Schrittfolge a) bis e), bis alle kippbaren ersten Facetten (7) ausgewählt wurden.
Verfahren nach Anspruch 6 zur Vorgabe eines Satzes von Abschalt-Kippstellungen, wobei ein vorgegebener Grenzanteil der Abschalt-Facetten (35) von nicht mehr als einer vorgegebenen Grenzanzahl von Teilbündeln beaufschlagt wird, mit folgenden weiteren Schritten: g) Bestimmen für jede der gefundenen Abschalt-Kippstellungen des vorgegebenen Satzes, welche der zweiten Facetten (11) innerhalb des Toleranzbereichs (40) mit dem Teilbündel der jeweils abgeschalteten ersten Facette (7) beaufschlagt werden könnten, h) Bestimmen von derjenigen zweiten Maximallast-Facette (11) die bei den meisten Abschalt-Kippstellungen des vorgegebenen Satzes gleichzeitig beaufschlagt werden könnte und Bestimmen eines Maximallast-Parameters, der der maximalen Zahl der Teilbündel-Beaufschlagungen dieser Maximallast-Facette (11) entspricht, i) Wiederholen des Verfahrens nach Anspruch 6 für eine andere Reihenfolge von Auswahl-Facetten (7A) oder für eine andere Reihenfolge der im Schritt b) ausgewählten Kandidaten-Abschalt-Facetten (11K) oder Kandidaten-Auftreffpositionen (39ij), j) Bestimmen eines Minimums des Maximallast-Parameters für die verschiedenen im Schritt i) geprüften Reihenfolgen.
Vorrichtung zur Durchführung und Überwachung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 4 bis 7 – mit einer Beleuchtungsoptik (23) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, – mit einer Steuereinrichtung (41), die mit Aktoren der ersten Facetten (7) zur individuellen Vorgabe von Kippstellungen der ersten Facetten (7) in Signalverbindung steht, – mit einem Rechner (42), der mit der Steuereinrichtung (41) in Signalverbindung steht, zur programmgesteuerten Durchführung und Überwachung eines Verfahrens und zum Ablegen der mit dem Verfahren bestimmten Ergebnisdaten, – mit einer Erfassungseinrichtung (36) zur Erfassung einer thermischen Last auf mindestens einer der zweiten Facetten (11).
Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Erfassungseinrichtung (46) als Wärmebildkamera ausgeführt ist.
Beleuchtungssystem mit einer Beleuchtungsoptik (23) nach einem der Ansprüche 1 bis 3 und mit einer Projektionsoptik (19) zur Abbildung des Objektfeldes (18) in ein Bildfeld (20).
Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem Beleuchtungssystem nach Anspruch 10 und mit einer EUV-Lichtquelle (2).
Verfahren zur Herstellung strukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Wafers (22), auf dem zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, – Bereitstellen eines Retikels (17), das abzubildende Strukturen aufweist, – Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 11, wobei zumindest einige der kippbaren ersten Facetten (7) des ersten Facettenspiegels (6) in Abschalt-Kippstellungen gemäß einem entsprechend dem Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7 gefundenen Satz von Abschalt-Kippstellungen verbracht wurden, – Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels (17) auf einen Bereich der Schicht des Wafers (22) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1).
Strukturiertes Bauelement, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 12.