DE102017210990A1

DE102017210990A1 - Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld mit EUV-Abbildungslicht

Info

Publication number: DE102017210990A1
Application number: DE102017210990.4A
Authority: DE
Inventors: Toralf Gruner; Joachim Hartjes; Michael Carl
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2017-06-28
Filing date: 2017-06-28
Publication date: 2017-08-31

Abstract

Eine abbildende Optik hat eine Mehrzahl von Spiegeln zur Abbildung eines Objektfeldes in einer Objektebene in ein Bildfeld in einer Bildebene mit EUV-Abbildungslicht (3). Diese Abbildung erfolgt längs eines Abbildungsstrahlengangs, der eine Lichtröhre (24) vorgibt, innerhalb der das Abbildungslicht (3) geführt ist. Eine Lichtröhren-Detektionseinrichtung (21) dient zur Lagebestimmung der Lichtröhre (24). Die Lichtröhren-Detektionseinrichtung (21) hat mindestens drei EUV-Sensoren (25), die in Umfangsrichtung um einen Hauptstrahl (16z) eines zentralen Feldpunktes verteilt in einem Radbereich (28) der Lichtröhre (24) angeordnet sind. Es resultiert eine abbildende Optik, bei der ein unerwünschter Abbildungsverlust beziehungsweise ein unerwünschter Telezentriefehler vermieden ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine abbildende Optik bzw. Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld mit EUV-Abbildungslicht nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ferner betrifft die Erfindung eine Lichtröhren-Detektionseinrichtung zur Lagebestimmung einer Lichtröhre, innerhalb der das Abbildungslicht in einer abbildenden Optik geführt ist, ein optisches System mit einer derartigen abbildenden Optik und einer Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes, in dem das Objektfeld liegt oder welches mit dem Objektfeld zusammenfällt, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System und einer EUV-Lichtquelle, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikro- beziehungsweise nanostrukturiertes Bauelement.
Projektionsoptiken der eingangs genannten Art sind bekannt aus der WO 2016/166 080 A1 , besonders der dortigen Ausführung nach den 26 ff., der JP 2002-048977 A , der US 5,891,806 , die eine Projektionsbelichtungsanlage vom "Proximity-Type" beschreibt, und aus der WO 2008/141 686 A1 sowie aus der WO 2015/014 753 A1 .
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine abbildende Optik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass ein unerwünschter Abbildungslichtverlust bzw. ein unerwünschter Telezentriefehler vermieden ist.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine abbildende Optik mit dem in Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
Die abbildende Optik ist zum Einsatz in der EUV-Projektionslithographie ausgelegt.
Die Lichtröhren-Detektionseinrichtung sorgt für eine Lagebestimmung der Lichtröhre, sodass vermieden ist, dass die Lichtröhre unerwünscht beispielsweise am Rand einer Nutz-Reflexionsfläche mindestens eines der beteiligten Spiegel abgeschnitten wird, was zu Lichtverlusten sowie zu einem Telezentriefehler führen kann. Aufgrund der Anordnung der EUV-Sensoren in Umfangsrichtung in einem Randbereich der Lichtröhre ist eine entsprechend umfassende Lagekontrolle der Lichtröhre sichergestellt. Die EUV-Sensoren können so ausgeführt sein, dass sie ein Lage-Kontrollsignal dann ausgeben, wenn eine gemessene Ist-Intensität des Abbildungslichts von einer vorgegebenen Soll-Intensität des Abbildungslichts abweicht. Die Lagebestimmung der Lichtröhre durch die Lichtröhren-Detektionseinrichtung kann in-situ, also insbesondere während des Projektionsbetriebs der Projektionsbelichtungsanlage, erfolgen. Spiegel mit großzügigem Übermaß sind dann nicht mehr erforderlich, was die Herstellungskosten senkt. Der Vorteil der Lagekontrolle der Lichtröhre durch die Lichtröhren-Detektionseinrichtung kommt besonders bei abbildenden Optiken mit mindestens einem Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel) zum Tragen.
Eine Ausbildung nach Anspruch 2 ermöglicht es, die Lichtröhrenlage hinsichtlich Punkt und Richtung zu detektieren. Ursachen für eine Abweichung einer Ist-Lage der Lichtröhre von einer Soll-Lage können dann konkreter bestimmt und gegebenenfalls korrigiert werden. In der weiteren Sensorebene kann eine Mehrzahl von EUV-Sensoren angeordnet sein. Es können dort beispielsweise ebenfalls mindestens drei EUV-Sensoren angeordnet sein, die in Umfangsrichtung um den Hauptstrahl des zentralen Feldpunktes wiederum verteilt im Randbereich der Lichtröhre angeordnet sein können.
Eine Sensorausführung nach Anspruch 3 ist kompakt. Der Sensor erfasst zur Lagebestimmung dann direkt das im Randbereich der Lichtröhre geführte Abbildungslicht.
Eine Sensorausführung nach Anspruch 4, die alternativ oder zusätzlich bei der Lichtröhren-Detektionseinrichtung zum Einsatz kommen kann, ermöglicht auch den Einsatz einer EUV-Sensoreinheit, die nicht bis zu einem Sensorrand hin für das EUV-Abbildungslicht sensitiv ist. Der EUV-Streukörper wirkt als Umlenkelement für im Randbereich der Lichtröhre mit der EUV-Sensoreinheit zu erfassendes EUV-Abbildungslicht. Der EUV-Streukörper kann für das EUV-Abbildungslicht streuend und/oder reflektierend wirken.
Eine EUV-Streulichtblende nach Anspruch 5 sorgt für eine sehr präzise Lageabweichungskontrolle der Lichtröhre.
Eine Ausführung des EUV-Streukörpers als Spiegelträger-Konusabschnitt nach Anspruch 6 vereint im Spiegelträger elegant die Funktionen einer Spiegelhalterung einerseits und einer Umlenkeinrichtung für EUV-Abbildungslicht im Randbereich der Lichtröhre zur Lichtröhren-Lagebestimmung andererseits.
Eine Ausführung nach Anspruch 7 ermöglicht ein geregeltes Nachführen der Lichtröhre. Eine Steuer/Regeleinheit der Projektionsbelichtungsanlage kann über die EUV-Sensoren der Lichtröhren-Detektionseinrichtung und insbesondere über deren ausgegebene Lage-Kontrollsignale, eine Differenz zwischen einer Ist-Lage der Lichtröhre und einer vorgegebenen Soll-Lage bestimmen und abhängig von dieser Differenz dann den mindestens einen Verlagerungsaktor zum Nachführen der Lage der Lichtröhre ansteuern.
Die Lichtröhren-Detektionseinrichtung kann bei der Grundkonstruktion der abbildenden Optik mit vorgesehen sein und zur Grundausstattung der abbildenden Optik gehören. Alternativ ist es möglich, bestehende abbildende Optiken mit einer entsprechenden Lichtröhren-Detektionseinrichtung nachzurüsten. Zu einem derartigen Nachrüstsatz nach Anspruch 8 gehören dann die EUV-Sensoren sowie eine Auswerteeinheit für die Messsignale beziehungsweise die Lage-Kontrollsignale der Sensoren. Zusätzlich können zur Lichtröhren-Detektionseinrichtung noch gehören ein Regelalgorithmus zum Nachführen der Lichtröhre, der in einer Steuer/Regeleinheit abgelegt ist sowie gegebenenfalls mindestens ein ansteuerbarer Verlagerungsaktor.
Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 9, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 10, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 11 sowie eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils nach Anspruch 12 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die abbildende Optik sowie die Lichtröhren-Detektionseinrichtung bereits beschrieben wurden. Das Beleuchtungsfeld kann mit dem Objektfeld zusammenfallen. Mit der Projektionsbelichtungsanlage kann insbesondere ein Halbleiter-Bauteil, beispielsweise ein Speicherchip, hergestellt werden,
Die Spiegel der abbildenden Optik können eine für das EUV-Abbildungslicht hoch reflektierende Beschichtung tragen. Diese Beschichtung kann als Mehrlagenbeschichtung ausgeführt sein.
Grundsätzlich kann die EUV-Sensorik, die hier im Zusammenhang mit der Lichtröhren-Detektionseinrichtung beschrieben ist, auch unabhängig von einer Lichtröhrenlagebestimmung zum Detektieren von Streulicht innerhalb eines optischen Systems einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage genutzt werden. Dies kann insbesondere im Zusammenhang mit einer Beleuchtungsoptik geschehen, die zwischen mehreren Stellungen schaltbare Facetten, insbesondere Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels aufweist. Eine entsprechende Beleuchtungsoptik ist bekannt aus der WO 2011/154 244 A1 . Mit der EUV-Sensorik kann dann beispielsweise festgestellt werden, ob EUV-Abbildungslicht längs eines nicht für die Beleuchtung bzw. die Abbildung vorgesehenen Strahlengangs verläuft und dabei gegebenenfalls unerwünscht das Objektfeld oder das Bildfeld mit EUV-Licht beaufschlagt.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie;
2 in einem Meridionalschnitt eine Ausführung einer abbildenden Optik, die als Projektionsobjektiv in der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 einsetzbar ist, wobei ein Abbildungsstrahlengang für Hauptstrahlen und für einen oberen und einen unteren Komastrahl dreier ausgewählter Feldpunkte dargestellt ist;
3 vergrößert einen Schnitt durch ein gesamtes Abbildungslichtbündel, das auch als Lichtröhre bezeichnet ist, zwischen einem sechsten und einem siebten Spiegel im Abbildungsstrahlengang der abbildenden Optik nach 2 in einer Anordnungsebene einer Lichtröhren-Detektionseinheit einer Lichtröhren-Detektionseinrichtung;
4 wiederum vergrößert und schematisch einen Randbereich der unterbrochen dargestellten Lichtröhre einerseits in einem Strahlengang zwischen zwei Spiegeln und andererseits in einem Strahlengang bei der Reflexion an einem Spiegel für nicht streifenden Einfall (NI-Spiegel) der abbildenden Optik zusammen jeweils mit einem EUV-Sensor als Teil jeweils einer Ausführung einer Lichtröhren-Detektionseinrichtung zur Lagebestimmung der Lichtröhre;
5 stark schematisch die Lichtröhre zusammen mit einer weiteren Ausführung eines EUV-Sensors der Lichtröhren-Detektionseinrichtung; und
6 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung wiederum einen Randbereich der Lichtröhre beim Auftreffen auf einen NI-Spiegel zusammen mit einer weiteren Ausführung eines EUV-Sensors der Lichtröhren-Detektionseinrichtung.
Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie hat eine Lichtquelle 2 für Beleuchtungslicht beziehungsweise Abbildungslicht 3. Bei der Lichtquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Lichtquelle, die Licht in einem Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere zwischen 5 nm und 15 nm, erzeugt. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine plasmabasierte Lichtquelle (lasererzeugtes Plasma (laser-produced plasma, LPP), gasentladungserzeugtes Plasma (gas-discharge produced plasma, GDP)) oder auch um eine synchrotronbasierte Lichtquelle, zum Beispiel einen Freie-Elektronen-Laser (FEL) handeln. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich insbesondere um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 13,5 nm oder um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 6,9 nm handeln. Auch andere EUV-Wellenlängen sind möglich. Generell sind sogar beliebige Wellenlängen, zum Beispiel sichtbare Wellenlängen oder auch andere Wellenlängen, die in der Mikrolithographie Verwendung finden können (zum Beispiel DUV, tiefes Ultraviolett) und für die geeigneten Laserlichtquellen und/oder LED-Lichtquellen zur Verfügung stehen (beispielsweise 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 129 nm, 109 nm), für das in der Projektionsbelichtungsanlage 1 geführte Beleuchtungslicht 3 möglich. Ein Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 ist in der 1 äußerst schematisch dargestellt.
Zur Führung des Beleuchtungslichts 3 von der Lichtquelle 2 hin zu einem Objektfeld 4 in einer Objektebene 5 dient eine Beleuchtungsoptik 6. Mit einer Projektionsoptik beziehungsweise abbildenden Optik 7 wird das Objektfeld 4 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9 mit einem vorgegebenen Verkleinerungsmaßstab abgebildet.
Zur Erleichterung der Beschreibung der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie der verschiedenen Ausführungen der Projektionsoptik 7 ist in der Zeichnung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem angegeben, aus dem sich die jeweilige Lagebeziehung der in den Figuren dargestellten Komponenten ergibt. In der 1 verläuft die x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Richtung verläuft nach links und die z-Richtung nach oben.
Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 sind bei der Projektionsoptik 7 gebogen beziehungsweise gekrümmt und insbesondere teilringförmig ausgeführt. Eine Grundform einer Randkontur des Objektfeldes 4 beziehungsweise des Bildfeldes 8 ist entsprechend gebogen. Alternativ ist es möglich, das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 rechteckförmig auszuführen. Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 haben ein xy-Aspektverhältnis größer als 1. Das Objektfeld 4 hat also eine längere Objektfelddimension in der x-Richtung und eine kürzere Objektfelddimension in der y-Richtung. Diese Objektfelddimensionen verlaufen längs der Feldkoordinaten x und y.
Das Objektfeld 4 ist dementsprechend aufgespannt von der ersten kartesischen Objektfeldkoordinate x und der zweiten kartesischen Objektfeldkoordinate y. Die dritte kartesische Koordinate z, die senkrecht auf diesen beiden Objektfeldkoordinaten x und y steht, wird nachfolgend auch als Normalkoordinate bezeichnet.
Die Projektionsoptik 7 nach 2 verkleinert in einer Sagittalebene xz um einen Faktor 4 und in einer Meridionalebene yz um einen Faktor –8. Bei der Projektionsoptik 7 handelt es sich um eine anamorphotische Projektionsoptik. Auch andere Verkleinerungsmaßstäbe in den beiden Abbildungslicht-Ebenen xz, yz sind möglich, zum Beispiel 3x, 5x, 6x, 7x oder auch Verkleinerungsmaßstäbe, die größer sind als 8x. Alternativ kann die Projektionsoptik 7 auch in den beiden Abbildungslicht-Ebenen xz, yz den jeweils gleichen Verkleinerungsmaßstab aufweisen, beispielsweise eine Verkleinerung um einen Faktor 8. Auch andere Verkleinerungsmaßstäbe sind dann möglich, zum Beispiel 4x, 5x oder auch Verkleinerungsmaßstäbe, die größer sind als 8x. Der jeweilige Verkleinerungsmaßstab kann mit einer Bildumkehr (image flip) einhergehen oder nicht, was nachfolgend auch durch eine entsprechende Vorzeichenangabe des Verkleinerungsmaßstabes verdeutlicht ist.
Die Bildebene 9 ist bei der Projektionsoptik 7 in der Ausführung nach 2 parallel zur Objektebene 5 angeordnet. Abgebildet wird hierbei ein mit dem Objektfeld 4 zusammenfallender Ausschnitt einer Reflexionsmaske 10, die auch als Retikel bezeichnet wird. Das Retikel 10 wird von einem Retikelhalter 10a getragen. Der Retikelhalter 10a wird von einem Retikelverlagerungsantrieb 10b verlagert.
Die Abbildung durch die Projektionsoptik 7 erfolgt auf die Oberfläche eines Substrats 11 in Form eines Wafers, der von einem Substrathalter 12 getragen wird. Der Substrathalter 12 wird von einem Wafer- beziehungsweise Substratverlagerungsantrieb 12a verlagert.
In der 1 ist schematisch zwischen dem Retikel 10 und der Projektionsoptik 7 ein in diese einlaufendes Strahlenbündel 13 des Beleuchtungslichts 3 und zwischen der Projektionsoptik 7 und dem Substrat 11 ein aus der Projektionsoptik 7 auslaufendes Strahlenbündel 14 des Beleuchtungslichts 3 dargestellt. Eine bildfeldseitige numerische Apertur (NA) der Projektionsoptik 7 ist in der 1 nicht maßstäblich wiedergegeben.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist vom Scannertyp. Sowohl das Retikel 10 als auch das Substrat 11 werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 in der y-Richtung gescannt. Auch ein Steppertyp der Projektionsbelichtungsanlage 1, bei dem zwischen einzelnen Belichtungen des Substrats 11 eine schrittweise Verlagerung des Retikels 10 und des Substrats 11 in der y-Richtung erfolgt, ist möglich. Diese Verlagerungen erfolgen synchronisiert zueinander durch entsprechende Ansteuerung der Verlagerungsantriebe 10b und 12a.
Die 2 zeigt die Projektionsoptik 7 in einem Meridionalschnitt, also den Strahlengang des Abbildungslichts 3 in der yz-Ebene.
Dargestellt ist in der 2 der Strahlengang jeweils dreier Einzelstrahlen 15, die von drei in der 2 zueinander in der y-Richtung beabstandeten Objektfeldpunkten ausgehen. Dargestellt sind Hauptstrahlen 16, also Einzelstrahlen 15, die durch das Zentrum einer Pupille in einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 verlaufen, sowie jeweils ein oberer und ein unterer Komastrahl dieser beiden Objektfeldpunkte. Ausgehend vom Objektfeld 4 schließen die Hauptstrahlen 16 mit einer Normalen auf die Objektebene 5 einen Winkel CRA von 5,0 ° ein.
Die Projektionsoptik 7 hat eine bildseitige numerische Apertur von 0,55.
Die Projektionsoptik 7 nach 2 hat insgesamt zehn Spiegel, die in der Reihenfolge des Strahlengangs der Einzelstrahlen 15, ausgehend vom Objektfeld 4, mit M1 bis M10 durchnummeriert sind.
Dargestellt sind in der 2 Ausschnitte der berechneten Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M10. Genutzt wird ein Teilbereich dieser berechneten Reflexionsflächen. Lediglich dieser tatsächlich genutzte Bereich der Reflexionsflächen ist zuzüglich eines Überstandes bei den realen Spiegeln M1 bis M10 tatsächlich vorhanden. Diese Nutz-Reflexionsflächen werden in bekannter Weise von Spiegelkörpern getragen.
Bei der Projektionsoptik 7 nach 2 sind die Spiegel M1, M9 und M10 als Spiegel für normalen Einfall ausgeführt, also als Spiegel, auf die das Abbildungslicht 3 mit einem Einfallswinkel trifft, der kleiner ist als 45 °. Insgesamt hat die Projektionsoptik 7 nach 2 also drei Spiegel M1, M9 und M10 für normalen Einfall. Diese Spiegel für normalen Einfall werden auch als NI(Normal Incidence)-Spiegel bezeichnet.
Die Spiegel M2 bis M8 sind Spiegel für streifenden Einfall des Beleuchtungslichts 3, also Spiegel, auf die das Beleuchtungslicht 3 mit Einfallswinkeln auftritt, die größer sind als 45 ° und insbesondere größer sind als 60 °. Ein typischer Einfallswinkel der Einzelstrahlen 15 des Abbildungslichts 3 auf den Spiegeln M2 bis M8 für streifenden Einfall liegt im Bereich von 80 °. Insgesamt hat die Projektionsoptik 7 nach 2 genau sieben Spiegel M2 bis M8 für streifenden Einfall. Diese Spiegel für streifenden Einfall werden auch als GI(Grazing Incidence)-Spiegel bezeichnet.
Die Spiegel-Paare M2 bis M8 reflektieren das Abbildungslicht 3 so, dass sich die Ausfallswinkel der Einzelstrahlen 15 auf den jeweiligen Spiegeln M2 bis M8 addieren. Die Spiegel M2 bis M8 haben also alle die gleiche Richtung der Spiegel-Umlenkwirkung.
Die Spiegel M2 bis M8 für streifenden Einfall haben jeweils sehr große absolute Radiuswerte, weichen von einer ebenen Fläche also vergleichsweise gering ab. Diese Spiegel M2 bis M8 für streifenden Einfall haben eine vergleichsweise geringe Brechkraft, also eine geringere bündelformende Wirkung, wie ein insgesamt konkaver oder konvexer Spiegel. Die Spiegel M2 bis M8 tragen zur spezifischen und insbesondere zur lokalen Abbildungsfehlerkorrektur bei.
Die Spiegel M1 bis M10 tragen eine die Reflektivität der Spiegel M1 bis M10 für das Abbildungslicht 3 optimierende Beschichtung. Hierbei kann es sich um eine Ruthenium-Beschichtung, um einen Multilayer mit jeweils einer obersten Schicht aus beispielsweise Ruthenium handeln. Bei den Spiegeln M2 bis M8 für streifenden Einfall kann eine Beschichtung mit beispielsweise einer Lage aus Molybdän oder Ruthenium zum Einsatz kommen. Diese hoch reflektierenden Schichten insbesondere der Spiegel M1, M9 und M10 für normalen Einfall können als Mehrlagen-Schichten ausgeführt sein, wobei aufeinanderfolgende Schichten aus unterschiedlichen Materialien gefertigt sein können. Auch alternierende Materialschichten können zum Einsatz kommen. Eine typische Mehrlagenschicht kann fünfzig Bilagen aus jeweils einer Schicht Molybdän und einer Schicht Silizium aufweisen. Diese können zusätzliche Trennschichten aus beispielsweise C (Kohlenstoff), B₄C (Borcarbid) beinhalten und können durch eine Schutzschicht oder ein Schutzschichtsystem zum Vakuum abgeschlossen sein.
Zur Berechnung einer Gesamt-Reflektivität der Projektionsoptik 7 wird eine Systemtransmission wie folgt berechnet: Eine Spiegel-Reflektivität wird in Abhängigkeit vom Einfallswinkel eines Führungsstrahls, also eines Hauptstrahls eines zentralen Objektfeldpunktes, an jeder Spiegelfläche bestimmt und multiplikativ zur Systemtransmission zusammengefasst.
Details zur Reflektivitätsberechnung sind erläutert in der WO 2015/014 753 A1 .
Weitere Informationen zur Reflexion an einem GI-Spiegel (Spiegel für streifenden Einfall) finden sich in der WO 2012/126 867 A1 . Weitere Informationen zur Reflektivität von NI-Spiegeln (Normal Incidence Spiegeln) finden sich in der DE 101 55 711 A1 .
Eine Gesamt-Reflektivität beziehungsweise Systemtransmission der Projektionsoptik 7, die sich als Produkt der Reflektivitäten aller Spiegel M1 bis M10 der Projektionsoptik 7 ergibt, beträgt R = 9,88 %.
Der Spiegel M10, also der im Abbildungsstrahlengang letzte Spiegel vor dem Bildfeld 8, hat eine Durchtrittsöffnung 17 zum Durchtritt des Abbildungslichts 3, das vom drittletzten Spiegel M8 hin zum vorletzten Spiegel M9 reflektiert wird. Der Spiegel M10 wird um die Durchtrittsöffnung 17 herum reflektiv genutzt. Alle anderen Spiegel M1 bis M9 haben keine Durchtrittsöffnung und werden in einem lückenlos zusammenhängenden Bereich reflektiv genutzt.
Die Spiegel M1 bis M10 sind als nicht durch eine rotationssymmetrische Funktion beschreibbare Freiformflächen ausgeführt. Es sind auch andere Ausführungen der Projektionsoptik 7 möglich, bei denen mindestens einer der Spiegel M1 bis M10 als rotationssymmetrische Asphäre ausgeführt ist. Eine Asphärengleichung für eine solche rotationssymmetrische Asphäre ist bekannt aus der DE 10 2010 029 050 A1 . Auch alle Spiegel M1 bis M10 können als derartige Asphären ausgeführt sein.
Eine Freiformfläche kann durch folgende Freiformflächengleichung (Gleichung 1) beschrieben werden:
Für die Parameter dieser Gleichung (1) gilt:
Z ist die Pfeilhöhe der Freiformfläche am Punkt x, y, wobei x² + y² = r². r ist hierbei der Abstand zur Referenzachse der Freiformflächengleichung
(x = 0; y = 0).
In der Freiformflächengleichung (1) bezeichnen C₁, C₂, C₃ ... die Koeffizienten der Freiformflächen-Reihenentwicklung in den Potenzen von x und y.
Im Falle einer konischen Grundfläche ist c_x, c_y eine Konstante, die der Scheitelpunktkrümmung einer entsprechenden Asphäre entspricht. Es gilt also c_x = 1/R_x und c_y = 1/R_y. k_x und k_y entsprechen jeweils einer konischen Konstante einer entsprechenden Asphäre. Die Gleichung (1) beschreibt also eine bikonische Freiformfläche.
Eine alternativ mögliche Freiformfläche kann aus einer rotationssymmetrischen Referenzfläche erzeugt werden. Derartige Freiformflächen für Reflexionsflächen der Spiegel von Projektionsoptiken von Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie sind bekannt aus der US 2007-0058269 A1 .
Alternativ können Freiformflächen auch mit Hilfe zweidimensionaler Spline-Oberflächen beschrieben werden. Beispiele hierfür sind Bezier-Kurven oder nicht-uniforme rationale Basis-Splines (non-uniform rational basis splines, NURBS). Zweidimensionale Spline-Oberflächen können beispielsweise durch ein Netz von Punkten in einer xy-Ebene und zugehörige z-Werte oder durch diese Punkte und ihnen zugehörige Steigungen beschrieben werden. Abhängig vom jeweiligen Typ der Spline-Oberfläche wird die vollständige Oberfläche durch Interpolation zwischen den Netzpunkten unter Verwendung zum Beispiel von Polynomen oder Funktionen, die bestimmte Eigenschaften hinsichtlich ihrer Kontinuität und Differenzierbarkeit haben, gewonnen. Beispiele hierfür sind analytische Funktionen.
Eine pupillendefinierende Aperturblende AS ist bei der Projektionsoptik 7 im Abbildungslichtstrahlengang zwischen den Spiegeln M1 und M2 angeordnet. Im Bereich der Aperturblende AS ist das gesamte Abbildungslicht-Strahlenbündel über seinen gesamten Umfang zugänglich.
Die Projektionsoptik 7 hat ein Sagittal-Zwischenbild 18, also ein Zwischenbild für außerhalb der yz-Meridionalebene verlaufende Einzelstrahlen 15, im Bereich der Durchtrittsöffnung 17 im Spiegel M10 und zwei Meridional-Zwischenbilder 19, 20. Ein Abstand zwischen dem Sagittal-Zwischenbild 18 und der Durchtrittsöffnung 17 ist kleiner als ein Drittel des Abstandes zwischen dem letzten Spiegel M10 und dem Bildfeld 8.
Das erste der beiden Meridional-Zwischenbilder 19 liegt bei der Projektionsoptik 30 im Bereich einer Reflexion des Abbildungslichts 3 am GI-Spiegel M4. Das zweite der beiden Meridional-Zwischenbilder 20 liegt im Abbildungslichtstrahlengang im Bereich der Reflexion am GI-Spiegel M6.
Eine maximale Obskuration der Eintrittspupille beträgt 16 %. Ein Objekt-Bildversatz d_OIS beträgt etwa 3230 mm. Die Spiegel der Projektionsoptik 31 können in einem Quader mit xyz-Kantenlängen 891 mm × 2395 mm × 1615 mm untergebracht werden.
Ein Arbeitsabstand zwischen dem wafernächsten Spiegel M10 und der Bildebene 9 beträgt 65 mm. Ein mittlerer Wellenfrontfehler rms beträgt 7,65 mλ.
Alle Spiegel M1 bis M10 der Projektionsoptik 7 haben ein y/x-Aspektverhältnis, das kleiner ist als 1.
Der gesamte Abbildungsstrahlengang der Projektionsoptik 7 gibt eine Lichtröhre 24 vor, innerhalb der das Abbildungslicht 3 geführt ist. Die genaue Lage dieser Lichtröhre 24 wird von einer Lichtröhren-Detektionseinrichtung 21 bestimmt, für die zwei Detektionseinheiten 22, 23 schematisch in der 2 eingezeichnet sind. Diese Detektionseinheiten 22, 23 sind in Anordnungsebenen 22a, 23a angeordnet, die quer und insbesondere senkrecht zum Verlauf der Lichtröhre 24 verlaufen.
3 zeigt vergrößert die Lichtröhre 24 am Ort der Lichtröhren-Detektionseinheit 23 zwischen den Spiegeln M6 und M7 der Projektionsoptik 7. Die Lichtröhren-Detektionseinheit 23 hat insgesamt acht EUV-Sensoren 25, die in Umfangsrichtung um einen Hauptstrahl 16 _z eines zentralen Feldpunktes des Objektfeldes 4 verteilt in einem Randbereich der Lichtröhre 24 angeordnet sind. Diese Anordnung der EUV-Sensoren 25 zur Lichtröhre 24 ist so, dass die EUV-Sensoren 25 knapp außerhalb eines vorgegebenen Soll-Randes bzw. Toleranz-Randes der genutzten Lichtröhre 24 und hinsichtlich eines sensitiven Sensorbereichs nur sehr knapp beabstandet zu diesem äußeren Rand der genutzten Lichtröhre 24 angeordnet sind. Ein Abstand der Sensoren 25 zu diesem äußeren Rand der genutzten Lichtröhre 24 ist in der 3 übertrieben groß dargestellt und ist in der Praxis kleiner als 300 μm und kann kleiner sein als 250 μm und kann auch kleiner sein als 200 μm. Die Anordnung der Sensoren 25 in einem Randbereich der Lichtröhre 24 wird nachfolgend noch erläutert. Dieser Randbereich liegt außerhalb des äußeren Randes der genutzten Lichtröhre 24.
3 zeigt den Durchstoßpunkt des Hauptstrahls 16 _z des zentralen Feldpunktes in der Anordnungsebene 23a (vgl. auch 2) der Lichtröhren-Detektionseinheit 23.
Die Lichtröhren-Detektionseinheit 22 ist in vergleichbarer Weise wie die Lichtröhren-Detektionseinheit 23 in der Anordnungsebene 22a im Abbildungsstrahlengang zwischen den Spiegeln M4 und M5 angeordnet.
Die Anordnungsebenen 22a, 23a stellen Sensorebenen der Lichtröhren-Detektionseinrichtung 21 dar.
Die Anordnung der EUV-Sensoren 25 in Umfangsrichtung um den Randbereich der genutzten Lichtröhre 24 ist so, dass diese Anordnung einer Umfangskontur der genutzten Lichtröhre 24 folgt. Der Querschnitt der genutzten Lichtröhre 24 zwischen den Spiegeln M6 und M7 (vgl. 3) ist in etwa nierenförmig. Einer der EUV-Sensoren 25 ist im Bereich einer konkaven Einwölbung 26 dieses nierenförmigen Querschnitts der genutzten Lichtröhre 24 angeordnet. Die Anordnung der EUV-Sensoren kann in Umfangsrichtung um die genutzte Lichtröhre 24 in etwa gleichverteilt sein.
Je nach Ausführung der Lichtröhren-Detektionseinheit 23 kann auch eine andere Anzahl von EUV-Sensoren vorgesehen sein, beispielsweise drei EUV-Sensoren, vier EUV-Sensoren, fünf bis sieben EUV-Sensoren oder auch mehr als acht EUV-Sensoren, beispielsweise zehn oder zwölf EUV-Sensoren. Die Anzahl von EUV-Sensoren 25 der weiteren Lichtröhren-Detektionseinheit 22 kann genauso groß sein wie bei der Lichtröhren-Detektionseinheit 23.
Aufgrund des Einsatzes von zwei Lichtröhren-Detektionseinheiten 22, 23 der Lichtröhren-Detektionseinrichtung 21 kann sowohl ein Lageort der Lichtröhre 24 als auch eine Richtung der Lichtröhre 24 über die EUV-Sensoren 25 exakt bestimmt werden.
4 zeigt Anordnungsdetails eines der EUV-Sensoren im Verhältnis zum Rand der genutzten und in der 4 unterbrochen dargestellten Lichtröhre 24. Dargestellt ist lediglich ein Ausschnitt der Lichtröhre 24 in einem in der 4 rechten Lichtröhren-Randbereich. Dieser Randbereich kann mittels mehrerer funktionaler Randbegriffe spezifiziert werden:
Ein netto für die Projektionsbelichtung genutzter Rand 27, der auch als Netto-Rand bezeichnet ist, stellt eine innerste Begrenzung eines gesamten Randbereichs 28 der Lichtröhre 24 dar. Nach außen hin schließt sich an diesen Netto-Rand 27 ein Justage-Rand 29 der Lichtröhre 24 an, der die Lage- und Richtungstoleranzen der Lichtröhre 24 aufgrund der notwendigen Justage-Freiheitsgrade zum Einjustieren der Projektionsoptik 7 berücksichtigt. Noch weiter außen liegt ein Toleranz-Rand 30, innerhalb dem eine Lage der Lichtröhre 24 gerade noch toleriert wird. Der Toleranz-Rand 30 begrenzt die genutzte Lichtröhre 24. Ein am weitesten außen liegender Montage-Rand 31 gibt den Rand vor, innerhalb dem die EUV-Sensoren 25 der Lichtröhre-Detektionseinrichtung 21 maximal angeordnet sein dürfen, um nicht mit anderen Komponenten der Projektionsoptik 7 in Bauraumkonflikt zu geraten.
Die EUV-Sensoren liegen knapp außerhalb des Toleranz-Randes 30 und knapp innerhalb des Montage-Randes 31.
Ein Abstand zwischen dem Netto-Rand 27 und dem Justage-Rand 29 in x- und/oder y-Richtung (xy-Abstand) kann im Bereich zwischen 1 mm und 5 mm liegen. Ein xy-Abstand zwischen dem Justage-Rand 29 und dem Toleranz-Rand 30 kann im Bereich zwischen 2 mm und 8 mm und insbesondere im Bereich zwischen 1 mm und 5 mm liegen. Ein xy-Abstand zwischen dem Toleranz-Rand 30 und dem Montage-Rand 31 kann im Bereich zwischen 10 mm und 30 mm und insbesondere im Bereich zwischen 10 mm und 20 mm liegen. Auch andere xy-Abstände zwischen den Rändern 27, 29, 30 und 31 sind möglich.
Nachfolgend wird beispielhaft einer der EUV-Sensoren 25 noch stellvertretend für alle EUV-Sensoren der Ausführung nach den 3 und 4 näher beschrieben. Diese Beschreibung erfolgt ebenfalls beispielhaft einerseits für eine Lage des EUV-Sensors 25 zwischen zwei Spiegeln (vgl. 4 oben) und andererseits für eine Lage des EUV-Sensors nahe einer Spiegel-Reflexionsfläche am Beispiel des NI-Spiegels M1.
Der EUV-Sensor 25 hat eine EUV-empfindliche Sensorfläche 32, die der Lichtröhre 24 zugewandt ist. Diese Sensorfläche 32 wird getragen von einem Sensorgehäuse, in dem elektronische und mechanische Komponenten zur Auswertung eines Sensor-Messergebnisses, zum Beispiel eines Lage-Kontrollsignals, sowie zur Justage des Sensors untergebracht sind. Zur Justage des EUV-Sensors 25 dient ein schematisch in der 4 beim dort oben dargestellten EUV-Sensor 25 dargestellter Aktor 34, mit dem die Sensorfläche 32 in mindestens einem Freiheitsgrad der Translation bzw. der Rotation verlagerbar ist. Auch eine Verlagerbarkeit über eine Mehrzahl von Freiheitsgraden ist je nach Ausführung des Aktors 34 gegeben.
Ein Beispiel für eine Sensorkomponente, die am Ort der Sensorfläche 32 des EUV-Sensors 25 eingesetzt werden kann, ist ein Sensor des Typs AXUV100G, der vertrieben wird vom Unternehmen Opto Diode, Camarillo, CA, USA. Ein weiteres Beispiel ist der Sensortyp, der beschrieben ist im Fachartikel „Mo/B4C/Si multilayer-coated photodiode with polarization sensitivity at an extreme-ultraviolet wavelenght of 13.5 nm" von Kjornrattanawanich et al., Appl. Opt. 2004, Februar 10; 43(5): 1082–90. Der Inhalt dieses Fachartikels wird durch Bezugnahme in diese Beschreibung aufgenommen.
Im unteren Bereich der 4 ist beispielhaft eine weitere Anordnung eines der EUV-Sensoren 25 einer weiteren Ausführung der Lichtröhren-Detektionseinrichtung 21 benachbart zur Reflexionsfläche 35 eines der NI-Spiegel M1, M9, M10 der Projektionsoptik 7 dargestellt. Es kann sich hier beispielsweise um eine Anordnung im Bereich des in der 2 linken Randes des Spiegels M1 handeln. Neben den verschiedenen Rändern 27, 29, 30 und 31 des Randbereichs 28, die in gleicher Weise für diese NI-spiegelnahe Anordnung des EUV-Sensors 25 Gültigkeit haben, spielen bei dieser Anordnung auch noch ein maximaler Abstandswert 36 und ein minimaler Abstandswert 37 der Sensorfläche 32 von der Spiegel-Reflexionsfläche 35 eine Rolle. Ist der Abstand zu klein, können Streubeiträge der Reflexionsfläche eine unerwünscht große Rolle spielen. Ist der Abstand zu groß, ist ein Detektionsergebnis des EUV-Sensors 25 für die Lage der Lichtröhre 24 auf einer Nutzfläche der Spiegel-Reflexionsfläche 35 nicht mehr von optimaler Aussagekraft. Die Sensorfläche 32 einerseits und der gesamte EUV-Sensor 25 einschließlich des Sensorgehäuses 33 andererseits wird bei einer spiegelnahen Anordnung also, was die xz-Dimension angeht, zwischen den Rändern 30 und 31 und, was die z-Dimension angeht, zwischen den Abstandwerten 36 und 37 angeordnet.
Anhand der 5 wird nachfolgend eine weitere Ausführung eines EUV-Sensors 38 erläutert, der anstelle der EUV-Sensoren 25 zum Einsatz kommen kann, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 3 und 4 bereits beschrieben wurden. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die unter Bezugnahme auf die 1 und 4 und insbesondere unter Bezugnahme auf die 3 und 4 bereits erläutert wurden, tragen dieselben Bezugsziffern und werden hier nicht mehr im Einzelnen diskutiert.
Der EUV-Sensor 38 hat neben einer Sensoreinheit mit der Sensorfläche 32 und dem Sensorgehäuse 33 einen EUV-Streukörper 39, der in Form einer gezielt reflektierenden Streulichtblende ausgeführt ist. Letztere ist im Bereich des Toleranz-Randes 30 um die Lichtröhre 24 herum angeordnet, was in der 5 lediglich am dortigen rechten Rand angedeutet ist. In der 5 von oben her einfallendes und im Abbildungsstrahlengang der Lichtröhre 24 folgendes Beleuchtungslicht 3 wird, sobald es außerhalb des Toleranz-Randes 30 läuft, von dem EUV-Streukörper 39 hin zur Sensorfläche 32 des EUV-Sensors 38 reflektiert, was in der 5 für einen Lichtanteil 40 veranschaulicht ist. Über eine Ausführung des EUV-Sensors 38 mit einem derartigen EUV-Streukörper 39 lässt sich insbesondere dann eine exakte Randbestimmung der Lichtröhre 24 vornehmen, wenn dies durch direkte Beaufschlagung auf die Sensorfläche 32 beispielsweise aufgrund eines nicht sensitiven Rahmens um die Sensorfläche 32 nicht oder nur eingeschränkt möglich ist.
Anhand der 6 wird nachfolgend eine weitere Ausführung eines EUV-Sensors 38 erläutert, der anstelle der EUV-Sensoren 25 zum Einsatz kommen kann, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 5 bereits beschrieben wurden. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die unter Bezugnahme auf die 1 bis 5 und insbesondere unter Bezugnahme auf die 3 bis 5 bereits erläutert wurden, tragen dieselben Bezugsziffern und werden hier nicht mehr im Einzelnen diskutiert.
Die 6 zeigt einen Randabschnitt 41 eines der NI-Spiegel M1, M9, M10 der Projektionsoptik 7 am Beispiel des Spiegels M1. Zudem zeigt die 6 die weitere Ausführung des EUV-Sensors 42, die neben der Sensorfläche 32 und dem Sensorgehäuse 33 wiederum einen Streukörper aufweist, der im Falle der Ausführung des EUV-Sensors 42 als die Nutz-Reflexionsfläche 35 des Spiegels M1 ringförmig umgebender Konusabschnitt 43 gestaltet ist. Dieser Konusabschnitt 43 stellt eine geneigte Reflexionsfläche 44 dar. Beleuchtungslicht 3, welches außerhalb der Reflexionsfläche 35 auf den Konusabschnitt 43 trifft, wird hin zur Sensorfläche 32 des EUV-Sensors 42 reflektiert bzw. gestreut. Bei der Ausführung des EUV-Sensors 42 nach 6 bildet also ein Teil eines Spiegelkörpers, nämlich der Konusabschnitt 43, den EUV-Streukörper des EUV-Sensors 42.
Die Spiegel M1 bis M10 haben jeweils einen Verlagerungsaktor A zur Verlagerung des Spiegels in bis zu sechs Freiheitsgraden, also den drei Freiheitsgraden der Translation sowie den weiteren drei Freiheitsgraden der Rotation. Diese Verlagerungsaktoren A stehen mit der Lichtröhren-Detektionseinrichtung 21 in nicht näher dargestellter Weise in Signalverbindung. Abhängig vom Messergebnis zur Lage- und Richtungsbestimmung der Lichtröhre 24 durch die Lichtröhren-Detektionseinrichtung 21 und insbesondere abhängig von Lage-Kontrollsignalen, die von den EUV-Sensoren 25, 38 oder 42 ausgegeben werden, kann über die Verlagerungsaktoren A ein geregeltes Nachführen der Lichtröhre 24 erreicht werden. Hierzu dient eine zentrale Steuer/Regeleinheit 44 der Projektionsbelichtungsanlage 1, die in der 2 schematisch dargestellt ist.
Die Ausgabe der Lage-Kontrollsignale durch die EUV-Sensoren 25, 38 oder 42 erfolgt durch Vergleich einer gemessenen Ist-Intensität des auf die Sensorfläche 32 auftreffenden EUV-Lichts 3 mit einer vorgegebenen Soll-Intensität. Bei dieser vorgegebenen Soll-Intensität kann es sich auch um einen Soll-Intensitätsbereich handeln. Je nach Abweichung der gemessenen Ist-Intensität von der Soll-Intensität, also bei Über- oder Unterschreiten der Soll-Intensität, wird ein entsprechendes Lage-Kontrollsignal durch den EUV-Sensor 25, 38 oder 42 ausgegeben.
Die Lichtröhren-Detektionseinrichtung 21 kann einschließlich der Aktoren A Teil einer werksseitig bei der Herstellung der abbildenden Optik 7 vorgesehenen Ausstattung sein. Alternativ kann die Lichtröhren-Detektionseinrichtung 21 Teil eines Nachrüstsatzes zum Nachrüsten einer bereits vorliegenden, abbildenden Optik sein.
Die Lichtröhren-Detektionseinrichtung 21 der abbildenden Optik 7 arbeitet folgendermaßen: Nach erfolgter Grundjustage der Spiegel M1 bis M10 der abbildenden Optik 7 werden die EUV-Sensoren, beispielsweise die EUV-Sensoren 25, ebenfalls einjustiert, sodass deren Lage im Randbereich 28 der Lichtröhre 24 sowie hinsichtlich des Abstandes zu benachbarten Spiegelflächen dem entspricht, was vorstehend in Zusammenhang insbesondere mit 4 erläutert wurde. Anschließend überwacht die Lichtröhren-Detektionseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 die Lage, also die Position und/oder die Richtung, der Lichtröhre 24 auf ihrem Weg vom Objektfeld 4 hin zum Blickfeld 8. Abweichungen der Lage der Lichtröhre 24 von einer vorgegebenen Soll-Lage werden über die EUV-Sensoren 25 detektiert. Hierbei kann mithilfe der Steuer/Regeleinheit 44 eine Differenz- und/oder Quotienten-Bildung der Sensorergebnisse der einzelnen EUV-Sensoren 25 durchgeführt werden. Je nach dem Ergebnis der Messungen über die Lichtröhre-Detektionseinheiten in den verschiedenen Anordnungsebenen und den ausgegebenen Lage-Kontrollsignalen erfolgt dann über die Steuer/Regeleinheit 44 eine Ansteuerung der Aktoren A der Spiegel M1 bis M10, sodass eine Ist-Lage der Lichtröhre 24 der Soll-Lage nachgeführt wird.
Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden die Reflexionsmaske 10 beziehungsweise das Retikel und das Substrat beziehungsweise der Wafer 11 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 10 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 11 mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 11 und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

WO 2016/166080 A1 [0002]
JP 2002-048977 A [0002]
US 5891806 [0002]
WO 2008/141686 A1 [0002]
WO 2015/014753 A1 [0002, 0045]
WO 2011/154244 A1 [0016]
WO 2012/126867 A1 [0046]
DE 10155711 A1 [0046]
DE 102010029050 A1 [0049]
US 2007-0058269 A1 [0054]

Zitierte Nicht-Patentliteratur

„Mo/B4C/Si multilayer-coated photodiode with polarization sensitivity at an extreme-ultraviolet wavelenght of 13.5 nm“ von Kjornrattanawanich et al., Appl. Opt. 2004, Februar 10; 43(5): 1082–90 [0075]

Claims

Abbildende Optik (7) mit einer Mehrzahl von Spiegeln (M1 bis M10) zur Abbildung eines Objektfeldes (4) in einer Objektebene (5) in ein Bildfeld (8) in einer Bildebene (9) mit EUV-Abbildungslicht (3) längs eines Abbildungsstrahlengangs, der eine Lichtröhre (24) vorgibt, innerhalb der das Abbildungslicht (3) geführt ist, gekennzeichnet durch eine Lichtröhren-Detektionseinrichtung (21) zur Lagebestimmung der Lichtröhre (24), wobei die Lichtröhren-Detektionseinrichtung (21) aufweist: mindestens drei EUV-Sensoren (25; 38; 42), die in Umfangsrichtung um einen Hauptstrahl (16 _z) eines zentralen Feldpunktes verteilt in einem Randbereich (28) der Lichtröhre (24) angeordnet sind.
Abbildende Optik nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch mehr als drei EUV-Sensoren (25; 38; 42), wobei mindestens drei EUV-Sensoren (25; 38; 42) in einer ersten Sensorebene (22a) angeordnet sind und mindestens ein weiterer EUV-Sensor (25; 38; 42) in einer weiteren Sensorebene (23a) angeordnet ist.
Abbildende Optik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer der EUV-Sensoren (25; 38; 42) als direkt im Randbereich (28) der Lichtröhre (24) angeordneter Sensor ausgeführt ist.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer der EUV-Sensoren (25; 38; 42) einen EUV-Streukörper (39; 43) und eine EUV-Sensoreinheit (32, 33) aufweist, wobei der EUV-Streukörper (29; 43) direkt im Randbereich (28) der Lichtröhre (24) angeordnet ist und wobei die EUV-Sensoreinheit (32, 33) zur Lichtröhre (24) beabstandet derart angeordnet ist, dass vom EUV-Streukörper (39; 43) gestreutes EUV-Abbildungslicht (3) zumindest anteilig die EUV-Sensoreinheit (32, 33) erreicht.
Abbildende Optik nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der EUV-Streukörper (39) als EUV-Streulichtblende ausgeführt ist.
Abbildende Optik nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der EUV-Streukörper (43) als Konusabschnitt eines Spiegelträgers ausgeführt ist.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Spiegel (M1 bis M10) der abbildenden Optik (7) einen Verlagerungsaktor (A) zum angetriebenen Verlagern des Spielgels (M1 bis M10) aufweist, wobei der Verlagerungsaktor (A) mit der Lichtröhren-Detektionseinrichtung (21) in Signalverbindung steht.
Lichtröhren-Detektionseinrichtung (21) nach einem der Ansprüche 1 bis 7 zum Nachrüsten einer abbildenden Optik (7).
Optisches System mit einer abbildenden Optik (7) nach einem der Ansprüche 1 bis 7 und einer Beleuchtungsoptik (6) zum Beleuchten eines Beleuchtungsfeldes, in dem das Objektfeld (4) angeordnet ist.
Projektionsbelichtungsanlage mit einem optischen System nach Anspruch 9 und mit einer EUV-Lichtquelle (2) zur Erzeugung des Abbildungslichts (3).
Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Retikels (10) und eines Wafers (11), – Projizieren einer Struktur auf dem Retikel (10) auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers (11) mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 10, – Erzeugen einer Mikro- beziehungsweise Nanostruktur auf dem Wafer (11).
Strukturiertes Bauteil, hergestellt nach einem Verfahren nach An-spruch 11.