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Die Erfindung bezieht sich auf einen EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsvorrichtung.
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Es ist eine Aufgabe der Erfindung, einen EUV-Kollektor herzustellen, der zu einem höheren Durchsatz an nutzbarem EUV-Licht für ein optisches System in einem nachfolgenden EUV-Lichtweg der EUV-Projektionsbelichtungsvorrichtung führt.
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Diese Aufgabe wird durch einen EUV-Kollektor mit den Merkmalen nach Anspruch 1 gelöst.
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Erfindungsgemäß hat sich gezeigt, dass ein Grund für eine Begrenzung des Durchsatzes an nutzbarem EUV-Licht darin liegt, dass das Quellvolumen einer Lichtquelle, die das vom EUV-Kollektor gesammelte nutzbare EUV-Licht emittiert, oft deutlich von einer Kugel abweicht. Ein Kollektor mit unterschiedlichen Abbildungsmaßstäben entlang und quer zu einer Verbindungsachse ermöglicht eine Sammlung aus einem solchen asphärischen oder anisotrop geformten Quellvolumen in ein Sammelvolumen, das besser an eine nachfolgende Optik der EUV-Projektionsbelichtungsvorrichtung angepasst ist als im Falle solcher unterschiedslosen Abbildungsmaßstäbe.
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Insbesondere kann der EUV-Kollektor eine anisotrope Abbildungseigenschaft aufweisen, die die anisotrope Form des Quellvolumens kompensiert.
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Das Design eines solchen Kollektors mit unterschiedlichen Abbildungsmaßstäben kann mit Hilfe analytischer Ansätze erfolgen, die beispielhaft beschrieben sind in dem Beitrag „Focusing of an elliptical mirror based system with aberrations“, J. Liu et al., J. Opt. 15 (2013) 105709 (7pp) (doi: 10.1088/2040-8978/15/10/105709) und in der Veröffentlichung „Elliptical mirrors - Applications in microscopy, ed. J. Liu, Kapitel 6: Aberration analysis of an elliptical mirror with a high numerical aperture“, C. Liu et al., IOP Publishing Ltd 2018 (doi: 10.1088/978-0-7503-1629-3ch6).
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Eine Ausdehnung des Quellvolumens entlang der Verbindungsachse kann im Bereich zwischen 400 µm und 2 mm liegen, z. B. im Bereich zwischen 500 µm und 2 mm oder im Bereich zwischen 400 µm und 1,5 mm. Eine querschnittliche Quellenausdehnung kann im Bereich zwischen 100 µm und 1 mm liegen, insbesondere im Bereich zwischen 500 µm und 1 mm. Grenzen der jeweiligen Quellenausdehnung und/oder querschnittlichen Quellenausdehnung können durch ein gemessenes, zu 100 % geschlossenes Energievolumen oder durch eine gemessene Ausdehnung des EUV-Emissionsvolumens gegeben sein.
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Ein Sammelvolumenaspektverhältnis, das kleiner ist als ein Quellvolumenaspektverhältnis nach Anspruch 2, ist gut geeignet für eine Form des Quellvolumens, die entlang der Verbindungsachse größer ist und entsprechend entlang der Querschnittsachse kleiner ist. Das Quellvolumen kann zum Beispiel eine zigarren- oder ellipsenförmige Form haben, die sich entlang der Verbindungsachse erstreckt.
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Ein Unterschied im Abbildungsmaßstab gemäß Anspruch 3 hat sich als gut geeignet für typische Plasmaquellvolumenformen erwiesen. Der Unterschied zwischen dem ersten Abbildungsmaßstab und dem zweiten Abbildungsmaßstab kann mehr als 20 %, mehr als 25 %, mehr als 50 %, mehr als 100 %, mehr als 150 %, mehr als 200 %, mehr als 250 % und mehr als 300 % betragen. In der Regel beträgt der Unterschied im Abbildungsmaßstab weniger als 1000 %.
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Als besonders geeignet hat sich erwiesen, von einer ellipsoiden Grundform auszugehen und den Unterschied im Abbildungsmaßstab über eine Formabweichung von einer solchen ellipsoiden Grundform nach Anspruch 4 zu realisieren. Analytische Konzepte, die aus den oben genannten Dokumenten abgeleitet wurden, sind für ein solches Formkonzept gut geeignet.
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Die Optimierung einer Formabweichung über Zemike-Polynombeiträge nach Anspruch 5 hat sich als besonders nützlich erwiesen.
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Eine Reflexionsflächenform nach Anspruch 6 senkt die Herstellungskosten.
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Eine Reflexionsflächenform nach Anspruch 7 ist an unregelmäßige Quellvolumenformen anpassbar.
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Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 8 und einer Projektionsbelichtungsvorrichtung nach Anspruch 9 entsprechen denen, die bereits oben in Bezug auf den erfindungsgemäßen Kollektor beschrieben wurden.
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Die Vorteile eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 10 und einer nano- oder mikrostrukturierten Komponente nach Anspruch 11 entsprechen denen, die bereits oben beschrieben wurden. Bei dieser Komponente kann es sich um einen Halbleiter-Mikrochip handeln, insbesondere um einen Speicherchip mit hoher Dichte.
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Beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung werden im Folgenden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert.
- 1 zeigt schematisch eine Projektionsbelichtungsvorrichtung für EUV-Mikrolithographie;
- 2 zeigt in einem Meridionalschnitt einen Lichtweg zu und von einem Plasmaquellenbereich einer EUV-Lichtquelle der Projektionsbelichtungsvorrichtung nach 1, wobei ein EUV-Kollektor verwendet wird, um aus dem Quellvolumen austretende nutzbare EUV-Strahlung in ein separates Sammelvolumen zu überführen;
- 3 zeigt wiederum in einem Meridionalschnitt einen Lichtweg entsprechend dem von 2, wobei dieser schematischer dargestellt ist, um relevante Abmessungen zu zeigen;
- 4 zeigt eine schematische Seitenansicht eines quaderförmigen Quellvolumens der Lichtquelle aus 2; und
- 5 zeigt eine schematische Seitenansicht eines Sammelvolumens der Lichtquelle aus 2, angenähert als Würfel.
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Eine Projektionsbelichtungsvorrichtung 1 für Mikrolithographie umfasst eine Lichtquelle 2 für Beleuchtungslicht und/oder Abbildungslicht 3, die im Folgenden noch näher erläutert wird. Die Lichtquelle 2 ist eine EUV-Lichtquelle, die Licht in einem Wellenlängenbereich von z. B. zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere zwischen 5 nm und 15 nm, erzeugt. Das Beleuchtungslicht und/oder Abbildungslicht 3 ist unten auch als genutztes EUV-Licht bezeichnet.
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Insbesondere kann die Lichtquelle 2 eine Lichtquelle mit einer verwendeten EUV-Wellenlänge von 13,5 nm oder eine Lichtquelle mit einer verwendeten EUV-Wellenlänge von 6,9 nm oder 7 nm sein. Andere genutzte EUV-Wellenlängen sind auch möglich. Ein Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 ist in 1 sehr schematisch dargestellt.
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Eine Beleuchtungsoptikeinheit 6 dient dazu, das Beleuchtungslicht 3 von der Lichtquelle 2 auf ein Objektfeld 4 in einer Objektebene 5 zu lenken. Die Beleuchtungsoptikeinheit umfasst einen in 1 sehr schematisch dargestellten Feldfacettenspiegel FF und einen ebenfalls sehr schematisch dargestellten, im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 nachgelagert angeordneten Pupillenfacettenspiegel PF. Ein feldbildender Spiegel 6b für streifenden Einfall (GI-Spiegel; GI: Grazing Incidence - Spiegel mit streifendem Einfall) ist im Strahlenbündelpfad des Beleuchtungslichts 3 zwischen dem Pupillenfacettenspiegel PF, der in einer Pupillenebene 6a der optischen Beleuchtungseinheit angeordnet ist, und dem Objektfeld 4 angeordnet. Ein derartiger GI-Spiegel 6b ist nicht zwingend.
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Pupillenfacetten (nicht ausführlicher abgebildet) des Pupillenfacettenspiegels PF sind Teil einer optischen Übertragungseinheit, die Feldfacetten (gleichermaßen nicht abgebildet) des Feldfacettenspiegels FF in das Objektfeld 4 auf eine gegenseitig überlagerte Art und Weise überführt und insbesondere abbildet. Eine aus dem Stand der Technik bekannte Ausführungsform kann einerseits für den Feldfacettenspiegel FF und andererseits für den Pupillenfacettenspiegel PF verwendet werden. Beispielshalber ist eine derartige optische Beleuchtungseinheit aus
DE 10 2009 045 096 A1 bekannt.
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Unter Verwendung einer optischen Projektionseinheit oder optischen Abbildungseinheit 7 wird das Objektfeld 4 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9 mit einem vorbestimmten Verkleinerungsmaßstab abgebildet. Optische Projektionseinheiten, die zu diesem Zweck verwendet werden können, sind z. B. aus
DE 10 2012 202 675 A1 bekannt.
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Um die Beschreibung der Projektionsbelichtungsvorrichtung 1 und der verschiedenen Ausführungsformen der optischen Projektionseinheit 7 zu erleichtern, ist ein kartesisches xyz-Koordinatensystem in der Zeichnung angegeben, wobei aus diesem System die jeweilige Lagebeziehung der in den Figuren veranschaulichten Komponenten ersichtlich wird. In 1 läuft die x-Richtung senkrecht zu der Ebene der Zeichnung und in diese hinein. Die y-Richtung erstreckt sich in 1 nach links und die z-Richtung erstreckt sich in 1 nach oben. Die Objektebene 5 erstreckt sich parallel zu der xy-Ebene.
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Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 sind rechteckig. Alternativ dazu ist es auch möglich, dass das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 eine gebogene oder gekrümmte Ausführungsform aufweisen, das heißt insbesondere eine partielle Ringform. Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 weisen ein x/y-Aspektverhältnis von größer als 1 auf. Daher weist das Objektfeld 4 eine längere Objektfeldabmessung in die x-Richtung und eine kürzere Objektfeldabmessung in die y-Richtung auf. Diese Objektfeldabmessungen erstrecken sich entlang der Feldkoordinaten x und y.
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Eines der aus dem Stand der Technik bekannten Ausführungsbeispiele kann für die optische Projektionseinheit 7 verwendet werden. Was in diesem Fall als ein Objekt abgebildet wird, ist ein Teil einer Reflexionsmaske 10, auch als Retikel bezeichnet, die mit dem Objektfeld 4 zusammenfällt. Das Retikel 10 wird durch eine Retikelhalterung 10a getragen. Die Retikelhalterung 10a wird durch einen Retikelverlagerungsantrieb 10b verlagert.
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Das Abbilden mittels der optischen Projektionseinheit 7 wird auf der Oberfläche eines Substrats 11 in Form eines Wafers, der durch eine Substrathalterung 12 getragen wird, implementiert. Die Substrathalterung 12 wird durch einen Wafer oder Substratverlagerungsantrieb 12a verlagert.
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1 veranschaulicht schematisch zwischen dem Retikel 10 und der optischen Projektionseinheit 7 ein Strahlenbündel 13 des Beleuchtungslichts 3, das in die optische Projektionseinheit eintritt, und zwischen der optischen Projektionseinheit 7 und dem Substrat 11 ein Strahlenbündel 14 des Beleuchtungslichts 3, das aus der optischen Projektionseinheit 7 austritt. Eine bildfeldseitige numerische Apertur (NA) der optischen Projektionseinheit 7 ist in 1 nicht maßstabsgetreu wiedergegeben.
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Die Projektionsbelichtungsvorrichtung 1 ist ein Scanner-Typ. Sowohl das Retikel 10 als auch das Substrat 11 werden während des Betriebs der Projektionsbelichtungsvorrichtung 1 in der y-Richtung gescannt. Ein Stepper-Typ der Projektionsbelichtungsvorrichtung 1, in dem eine schrittweise Verlagerung des Retikels 10 und des Substrats 11 in die y-Richtung zwischen individuellen Belichtungen des Substrats 11 bewirkt wird, ist auch möglich. Diese Verlagerungen werden durch eine geeignete Betätigung der Verlagerungsantriebe 10b und 12a synchron zueinander bewirkt.
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2 zeigt Einzelheiten der Lichtquelle 3. Komponenten und Funktionen, die denen entsprechen, die oben unter Bezugnahme auf 1 beschrieben wurden, sind mit den gleichen Bezugsnummern versehen und werden nicht weiter erläutert.
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Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich um eine lasererzeugte Plasmaquelle (engl. „Laser-produced Plasma“, LPP). Zur Erzeugung eines Plasmas werden Zinntröpfchen 15 als kontinuierliche Tröpfchenfolge über einen Zinntröpfchengenerator 16 erzeugt. Die Trajektorie der Zinntröpfchen 15 verläuft quer zu einer Hauptstrahlrichtung 17 des nutzbaren Beleuchtungslichts 3. Die Zinntröpfchen 15 fliegen frei zwischen dem Zinntröpfchengenerator 16 und einem Zinntröpfchenempfänger 18 und passieren dabei ein Plasmaquellvolumen 19. Das nutzbare EUV-Beleuchtungslicht 3 wird aus dem Plasmaquellvolumen 19 emittiert.
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Innerhalb des Quellvolumens 19 wird das ankommende Zinntröpfchen 15 mit Pumplicht 20 einer Pumplichtquelle 21 bestrahlt. Die Pumplichtquelle 21 kann eine Infrarot-Laserquelle sein, zum Beispiel ein CO2-Laser. Die Pumplichtquelle 21 kann eine andere Laserquelle sein, insbesondere eine andere Infrarot-Laserquelle, beispielsweise ein Festkörperlaser, insbesondere ein Nd:YAG-Laser.
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Das Pumplicht 20 wird über einen Spiegel 22 und eine Fokussierlinse 23 in das Quellvolumen 19 überführt. Der Spiegel 22 kann ein gesteuerter kippbarer Spiegel sein. Steuersignale zur Steuerung eines solchen Spiegels 22 können in Abhängigkeit von einem entsprechenden Sensorsignal eines Sensors zur Überwachung von Lichtquellenparametern und insbesondere von Parametern der Pumplichtquelle 21 erzeugt werden.
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Durch das auftreffende Pumplicht wird aus dem Zinntröpfchen 15, das in das Quellvolumen 19 gelangt, ein Plasma erzeugt. Das so erzeugte Plasma emittiert das nutzbare Beleuchtungslicht 3 aus dem Quellvolumen 19. In 2 ist ein Strahlengang des nutzbaren Beleuchtungslichts 3 zwischen dem Quellvolumen 19 und dem Feldfacettenspiegel FF dargestellt, der entsprechend seiner Lage und Anordnung in 2 nur schematisch gezeigt ist. Ein solcher Beleuchtungslichtstrahlengang oder Lichtweg ist dargestellt, soweit das Beleuchtungslicht 3 von einer Reflexionsfläche 24 eines Kollektorspiegels 25 eines EUV-Kollektors 26 reflektiert wird.
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Der Kollektorspiegel 25 hat eine zentrale Durchgangsöffnung 27 für den Durchtritt des Pumplichts 20, das über die Fokussierlinse 23 auf das Quellvolumen 19 fokussiert wird.
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Der EUV-Kollektor 26 dient dazu, das nutzbare EUV-Licht 3 aus dem Quellvolumen 19 in ein Sammelvolumen 28 zu überführen, das als Zwischenfokus des EUV-Lichts 3 ausgeführt ist. Das Sammelvolumen 28 ist vom Quellvolumen 19 entlang einer Verbindungsachse zwischen einem Zentrum des Quellvolumens 19 und einem Zentrum des Sammelvolumens 28 getrennt. Diese Verbindungsachse fällt mit der Hauptstrahlrichtung 17 zusammen und verläuft entlang der z-Achse in 2.
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Das Sammelvolumen 28 befindet sich in einer Zwischenfokusebene 29 der Beleuchtungsoptikeinheit 6.
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Die Reflexionsfläche 24 des Kollektorspiegels 25 kann eine Gitterstruktur tragen, um im nachfolgenden Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 unerwünschtes, fehlerhaftes Licht mit Wellenlängen zu unterdrücken, die sich von einer EUV-Wellenlänge des Beleuchtungslichts 3 unterscheiden, das zur Beleuchtung des Retikels 10 verwendet wird. Solche fehlerhaften Lichtwellenlängen können im IR- und/oder im DUV-Wellenlängenbereich liegen.
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Der Feldfacettenspiegel FF ist in einem Fernfeld des Beleuchtungslichts 3 im Strahlengang nach dem Sammelvolumen 28 angeordnet.
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Der EUV-Kollektor 26 und weitere Komponenten der Lichtquelle 2, insbesondere der Zinntröpfchengenerator 16, der Zinntröpfchenempfänger 18 und die Fokussierlampen 23 befinden sich in einer Vakuumkammer 30. Die das Sammelvolumen 28 umgebende Vakuumkammer 30 hat eine Durchgangsöffnung 31. Am Eintritt des Pumplichts 20 in die Vakuumkammer 30 befindet sich ein Pumplichteintrittsfenster 32.
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Die 3 bis 5 zeigen typische Abmessungen, die im Hinblick auf die Abbildungseigenschaften des Kollektorspiegels 25 des EUV-Kollektors 26 wichtig sind. Da die in diesem Zusammenhang erörterten Abmessungen rotationssymmetrisch zur z-Achse sind, wird kein Unterschied zu den Koordinaten x und y gemacht, die in den 3 bis 5 beide vertikal verlaufen. Die z-Achse in den 3 bis 5 verläuft horizontal. Zur Darstellung eines Fernfeldes ist in 3 eine Fernfeldebene 33 gezeigt.
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Ein Abstand A zwischen der Rückseite eines Substrats des Kollektorspiegels 25 und der Mitte des Quellvolumens 19 kann im Bereich zwischen 150 mm und 300 mm liegen.
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Ein Abstand B zwischen dem Zentrum des Quellvolumens 19 und dem Zentrum des Sammelvolumens 28 kann größer als 1 m sein und im Bereich zwischen 1 m und 1,5 m liegen.
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Ein Abstand C zwischen dem Zentrum des Sammelvolumens 28 und der Fernfeldebene 33 kann größer als 500 mm sein und im Bereich zwischen 500 mm und 1500 mm liegen.
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Aufgrund der Wechselwirkung Zinntröpfchen/Pumplicht hat das Quellvolumen 19 eine erste Quellenausdehnung zs entlang der Verbindungsachse z zwischen dem Zentrum des Quellvolumens 19 und dem Zentrum des Sammelvolumens 28. Diese z-Quellenausdehnung zs kann im Bereich zwischen 200 µm und 1,5 mm und insbesondere im Bereich zwischen 300 µm und 1 mm liegen.
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Ferner hat das Quellvolumen 19 eine zweite, querschnittliche Quellenausdehnung xs, ys entlang seiner Querschnittsachsen x und y senkrecht zur Verbindungsachse z. Diese querschnittliche Quellenausdehnung xs, ys kann im Bereich zwischen 100 µm und 1 mm und insbesondere im Bereich zwischen 200 µm und 600 µm, z. B. um 500 µm, liegen.
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Ein Verhältnis zs/xs (= zs/ys) kann im Bereich zwischen 1,5 und 5 und insbesondere im Bereich zwischen 2 und 4, z. B. im Bereich von 3 liegen.
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Das Sammelvolumen 28 hat eine erste Sammelvolumenausdehnung zc entlang der Verbindungsachse z und eine zweite, querschnittliche Sammelausdehnung xc, yc entlang der Querschnittsachsen x und y.
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xc (= yc und zc) kann in einem Bereich zwischen 1 mm und 5 mm liegen.
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Der EUV-Kollektorspiegel 25 ist so beschaffen, dass er das Quellvolumen 19 in das Sammelvolumen 28 mit unterschiedlichen Abbildungsmaßstäben in Bezug auf die z-Achse einerseits und in Bezug auf die x- und y-Achse andererseits überführt bzw. überträgt. Diese Abbildung über den Kollektorspiegel 25 erfolgt mit einem ersten Abbildungsmaßstab iz (iz = zc/zs) entlang der Verbindungsachse z und mit einem zweiten, querschnittlichen Abbildungsmaßstab ix (= iy = xc/xs = yc/ys) entlang der Querschnittsachsen x und y. Der erste Abbildungsmaßstab iz unterscheidet sich vom zweiten Abbildungsmaßstab ix, iy um mindestens 10 %. Insbesondere liegt ein Verhältnis zwischen dem ersten Abbildungsmaßstab iz und dem zweiten Abbildungsmaßstab ix, iy im Bereich von 1,5 bis 5, insbesondere im Bereich von 2 bis 4, z. B. im Bereich von 3. Insbesondere und wie in den 4 und 5 gezeigt, ist ein solches Abbildungsmaßstabsverhältnis iz/ix, y komplementär zum Verhältnis zs/xs, ys, was zu einer Kompensation der Ausdehnungsanisotropie des Quellvolumens 19 über die Kollektorabbildung in das Sammelvolumen 28 führt.
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In den schematischen Darstellungen der 4 und 5 ist das Quellvolumen als Quader mit rechteckigem Querschnitt und das Sammelvolumen als Würfel mit quadratischem Querschnitt dargestellt. In der Praxis haben die Volumina 19 und 28 keine kantige Form, sondern eine eher glatte Außenform, die im Falle des Quellvolumens einem Ellipsoid oder einem deformierten Ellipsoid und im Falle des Sammelvolumens einer Kugel oder einer deformierten Kugel ähneln kann.
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Insbesondere sind die Abbildungseigenschaften des Kollektorspiegels 25 so beschaffen, dass ein z/x, z/y-Sammelvolumenaspektverhältnis kleiner ist als ein z/x, z/y-Quellvolumenaspektverhältnis. In der beispielhaften Ausführungsform der 4 und 5 beträgt das z/x-Sammelvolumenaspektverhältnis 1 und das z/x-Quellvolumenaspektverhältnis 3.
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Die Reflexionsfläche 24 des Kollektorspiegels 25 hat eine ellipsoide Grundform mit einem ersten Brennpunkt, der sich im Quellvolumen 19 befindet, und einem zweiten Brennpunkt, der im Sammelvolumen 28 liegt.
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Eine Differenz zwischen dem ersten Abbildungsmaßstab iz und den zweiten Abbildungsmaßstäben ix, iy ergibt sich aus einer Formabweichung der Reflexionsfläche 24 von einer solchen ellipsoiden Grundform.
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Die Form der Reflexionsfläche 24 des Kollektorspiegels 25 kann durch eine Zemike-Polynomentwicklung beschrieben werden. Die Formabweichung der Reflexionsfläche 24 von einer Grundform, insbesondere von einer ellipsoiden Grundform, stellt Beiträge der Zernike-Polynome Z4 und/oder Z9 und/oder Z16 dar.
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Die Reflexionsfläche 24 des Kollektorspiegels 25 ist rotationssymmetrisch in Bezug auf die Verbindungsachse z.
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In einer alternativen Ausführungsform ist die Reflexionsfläche 24 des Kollektorspiegels 25 als Freiformfläche ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt.
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Die jeweilige Anpassung der Abbildungsmaßstäbe iz einerseits und ix,y andererseits führt zu einer Reduzierung des unerwünschten Abschneidens von nutzbarem EUV-Licht 3 an einer Apertur, die sich in der Nähe des Sammelvolumens 28, also an der Durchgangsöffnung 31, befindet. Diese Apertur dient dazu, unerwünschtes Fremdlicht, Pumplicht und/oder Fremdkörper zurückzuhalten.
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Um eine mikrostrukturierte oder nanostrukturierte Komponente zu produzieren, wird die Projektionsbelichtungsvorrichtung 1 wie folgt verwendet: Zuerst werden die Reflexionsmaske 10 oder das Retikel und das Substrat oder der Wafer 11 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 10 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsvorrichtung 1 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 11 projiziert. Danach wird durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 11 und damit die mikrostrukturierte Komponente erzeugt.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 102019200698 A1 [0002]
- WO 2009036957 A1 [0002]
- DE 102009045096 A1 [0021]
- DE 102012202675 A1 [0022]
