JP2017509017A - 投影露光系の物体視野を照明する方法 - Google Patents

Abstract

投影露光装置（１）の物体視野（５）を照明する方法において、第１のファセット（６８）の部分集合は、パーク位置に位置決めされるように提供され、パーク位置の各々は、関連のターゲット位置から離間されるが、最大でも最大距離ｄmaxしか離間されない。【選択図】図１７

Description

ドイツ特許出願第１０ ２０１４ ２０３ １８８．５号明細書の内容が引用によって本明細書に組み込まれている。

本発明は、投影露光装置の物体視野を照明する方法に関する。本発明は、更に、本方法を実施するための照明光学ユニットに関する。本発明は、更に、そのような照明光学ユニットを含む照明系及び投影露光装置、ウェーハのリソグラフィ構造化のための方法、微細構造化又はナノ構造化構成要素を生成する方法、並びに本方法に従って生成される構成要素に関する。

ＤＥ １０ ２０１１ ０７６ １４５ Ａ１は、瞳ファセットと視野ファセットが互いに対して割り当てられて照明チャネルを形成する投影露光装置の物体視野を照明する方法を開示している。本発明の目的は、そのような方法を改善することである。

ドイツ特許出願第１０ ２０１４ ２０３ １８８．５号明細書 ＤＥ １０ ２０１１ ０７６ １４５ Ａ１ ＤＥ １０ ２０１２ ２１３ ５１５ Ａ１ ＷＯ ２０１４／０１９ ６７５ Ａ１ ＥＰ １ ２２５ ４８１ Ａ ＵＳ ７ １４５ ２６９ Ｂ２ ＷＯ ２００７／１３４ ５７４ Ａ ＷＯ ２０１０／０４９ ０７６ Ａ２

この目的は、請求項１に記載の特徴によって達成される。本発明により、第１のファセットミラーのファセットに対するターゲット位置が、物体視野の予め決められた所期照明を可能にするために決定されることが提供される。本発明の要点は、第１のファセットミラーのファセットを多数の変位可能な個々のミラーによって具現化し、これらの個々のミラーの部分集合をそれぞれ関連するターゲット位置から離間されたパーク位置に配置することにある。そのように行う際に、パーク位置は、特にそれぞれ関連するターゲット位置から離間されるが、最大でも最大距離ｄ_maxしか離間されないように選択される。そのような最大距離ｄ_maxを予め定めることにより、個々のミラーをパーク位置から関連のターゲット位置に変位させるのに必要とされる切り換え経路、特に切り換え時間を制限することができる。第１のファセットの個々のミラーに対してそのようなパーク位置を設けることにより、これらの個々のミラーの高速接続及び／又はそのオフ切り換えが可能になる。

特に、個々のミラーは傾斜可能である。特に、切り換え経路は傾斜角である。

特に、個々のミラーは、個々の群が第１のファセットミラーのファセットを形成するようにグループ分けされる。ここで、このグループ分けは柔軟な方式で修正可能である。従って、これらのファセットを仮想ファセットとも呼ぶ。

第２のファセットミラーが瞳平面の領域に配置される場合に、仮想の第１のファセットは、第２のファセットの位置に実質的に依存しない。そのような実施形態をハニカムコンデンサーとも呼ぶ。

第２のファセットミラーが瞳平面から距離を置いて配置される場合に、仮想の第１のファセットの形態及び／又は寸法は、一般的に第２のファセットの位置及び／又は瞳の形態に依存する。そのような実施形態を鏡面反射器とも呼ぶ。

仮想の第１のファセットを形成する個々のミラー群は、必ずしも単純に接続されなくてもよい。

本発明は、ハニカムコンデンサーの概念と鏡面反射器の概念とに等しく適用可能である。

ターゲット位置を使用位置とも呼ぶ。ターゲット位置は、それぞれの第１のファセットにより、特に第１のファセットの個々のミラーによって反射された照明放射線が、物体視野を照明するための第２のファセットミラー上の予め決められた第２のファセットと共に照明チャネルを形成する位置を指定する。ここで、第１のファセットは、各場合に全体物体視野を照明することができる。第１のファセットが、各場合に物体視野の一部分、特に物体視野の１％から８０％の範囲、特に１０％から５０％の範囲、特に２０％から３０％の範囲しか照明しないことも可能である。

特に、第１のファセットは、多数の変位可能な個々のミラーを含む。特に、第１のファセットは、多数の変位可能な個々のミラー、特にマイクロミラーを有するミラーアレイによって形成される。個々のミラーの像の各々は、走査方向に対して垂直な物体視野の幅の０．１％から１０％の範囲、特に０．２％から５％の範囲、特に０．３％から３％の範囲、特に０．５％から２％の範囲に収まる物体平面の領域内の広がりを有する。特に、物体視野を覆うためには、走査方向に２個から５０個、特に３個から３０個、特に５個から１５個の個々のミラーが必要である。

第２のファセットは、モノリシック実施形態を有することができる。それらはまた、多数の個々のミラーにより、特に、物理的ファセットのようにその後に作用する群を形成する多数のマイクロミラーによって具現化することができる。これらのマイクロミラー群を仮想の第２のファセットとも呼ぶ。これらのマイクロミラー群は、瞳ファセット又は鏡面反射器のファセットを形成することができる。

パーク位置は、そこにある第１のファセットの個々のミラーが物体視野の照明に寄与しないように選択される。特に、これらのパーク位置は、そこにある第１のファセットの個々のミラーが、予め決められたターゲット位置では、それぞれの第１のファセットが互いに照明チャネルを形成する第２のファセットを照明することに寄与しないように選択される。

第１のファセットの個々のミラーは、予め決められた離散変位位置決めを有することができる。これらの個々のミラーは、連続的に変位可能にすることができる。

有利な実施形態により、第２のファセットも変位可能である。

ごく単純には、第１のファセット、特にその個々のミラーの変位位置は、第２のファセットミラーの領域におけるこれらの個々のミラーの像の場所によって表すことができる。特に、第１のファセットの個々のミラーの傾斜と第２のファセットミラーの領域におけるこの個々のミラーの像の場所との間には、１対１の対応が存在する。従って、下記では、個々のミラーのうちの１つの位置は、この個々のミラーの変位位置だけではなく、第２のファセットミラーの領域におけるこの個々のミラーの像の場所も意味すると理解しなければならない。この指定により、第１のファセットのターゲット位置は、それぞれ、第２のファセットのうちの１又は２以上のものの場所、特にその中心と正確に対応する。パーク位置は、ターゲット位置から離間している。隣接する第２のファセットは、パーク位置として機能することができる。特に、このファセットは、ターゲット位置ファセットの最も近い隣接ファセットである。ここで、全ての最も近い隣接ファセットは、特に、第１のファセットのそこに「パーク」された光が物体視野又はその近くに達することができないように傾斜される。これは、これらの隣接ファセット自体が、他の第１のファセットと共に物体視野の照明に寄与する場合にも適用される。

パーク位置は、ターゲット位置から遠く離れて離間させることができる。特に、パーク位置は、ターゲット位置からファセット直径２つ分、３つ分、又は４つ分以上の距離を有することができる。要件及び／又はターゲット位置の場所に基づいて、パーク位置は、物体視野を照明するのに使用される第２のファセットミラー上の領域の外側に配置することができる。

第１のファセットに対するターゲット位置は、予め決められた所期照明に依存する方式で、このように定められた照明チャネルの全部が、物体視野上に予め決められた所期照明を正確にもたらすように決定される。

本発明一態様により、パーク位置に位置決めされた第１のファセットの個々のミラーは、パーク位置から関連のターゲット位置に最大でも２００ｍｓの切り換え時間内で変位可能である。切り換え時間は、特に最大でも５０ｍｓ、特に最大でも２０ｍｓ、特に最大でも１０ｍｓ、特に最大でも５ｍｓ、特に最大でも２ｍｓ、特に最大でも１ｍｓ、特に最大でも５００μｓ、特に最大で２００もμｓ、特に最大でも１００μｓである。

パーク位置に位置決めされた第１のファセットの個々のミラーは、特に、高速の個々のミラーとも呼ぶ。これらの個々のミラーは、物体視野の照明の強度プロファイルの変更、特に２つのダイの照明間の像視野内のウェーハの照明の照射量の調整（ダイ間調整）を可能にする。この場合に、切り換え時間は、ちょうど露光し終えた視野から次のものにウェーハを駆動するのに必要とされる時間よりも有利に短い。

数ミリ秒又はそれよりも短い領域内の切り換え時間は、ウェーハの露光中の局所照射量の適応化（ダイ内調整）を可能にする。

１ｍｓよりも短い切り換え時間は、ｙ−ＲｅＭａ機能（ダイ内）を可能にする。この目的のために、特に、第１のファセットの全ての個々のミラーは、非常に迅速にオフ及び／又はオンにされることが可能であるように提供される。

ｙ−ＲｅＭａ機能は、ｙ方向に調節可能であり、レチクル遮蔽絞り（ＲｅＭａ絞り）又はレチクル遮蔽縁部とも呼ぶ視野絞りの機能が個々のミラーの変位によって達成されることを意味すると理解しなければならない。そのような遮蔽縁部を使用すると、物体平面内の実照明視野の走査方向に沿った寸法が、走査工程の開始時に連続的に拡大され、走査工程の終了時に再び縮小されることを保証することができる。一般的に、ＲｅＭａ絞り又は個々のミラーの変位機能によって達成することができる対応するｙ−ＲｅＭａ機能は、特にｙ方向の照明視野の寸法を変更することを可能にする。追加の視野絞り、特に調節可能及び／又はレチクルの直近に配置された追加の視野絞りは、省くことができる。その結果、遮蔽縁部の変位運動の場合に発生する可能性がある摩耗粒子に起因する汚染を回避することができる。ＲｅＭａ機能に関する更なる詳細に関しては、両方共に本出願の構成要素として本明細書に組み込まれているＤＥ １０ ２０１２ ２１３ ５１５ Ａ１及びＷＯ ２０１４／０１９ ６７５ Ａ１を参照されたい。

物体視野の照明の柔軟性は、短い切り換え時間によって高められる。予測露光により、特に、物体視野の照明が改善され、それによってその後の工程段階の既知の異質性、特に予め決められたか又は他に既知のウェーハ異質性、特にウェーハ上の異なる視野（ダイ）を補償することが可能になる。

第１のファセットの個々のミラーの異なる部分集合は、これらの部分集合が異なる切り換え時間を有するように具現化することができる。次に、要件に基づいて、各場合に適切な第１のファセットの個々のミラーをパーク位置に配置することができる。

パーク位置に位置決めされる第１のファセットの個々のミラーは、これら全てが同一の切り換え時間を有するように具現化することができる。

特に、第１のファセットの個々のミラーは、照射量マニピュレータとして機能することができる。

本発明の更に別の態様により、パーク位置に位置決めされた第１のファセットの部分集合は、第１のファセットの全体個数の最大で１０％、特に０．１％から１０％、特に１％から１０％を構成する。特に、部分集合は、第１のファセットの全体個数の最大で３％から５％を構成する。

本発明により、物体視野の予め決められた所期照明からの強度プロファイルの偏差、及び／又はウェーハ上の異なる視野及び／又は異なるウェーハ間の異質性を補償するのに、そのような小さい分量の第１のファセットの個々のミラーで十分であることが明らかになった。

本発明の更に別の態様により、ターゲット位置の各々は、パーク位置によって完全に取り囲まれる。別途表現すると、パーク位置は、関連のターゲット位置を取り囲むリングを形成する。その結果、ターゲット位置からパーク位置への対応するファセットの個々のミラーの変位が特に簡易化される。

本発明の更に別の態様により、第１のファセットの部分集合に対して、特に第１のファセットの全てに対して、特に第１のファセットのそれぞれの個々のミラーに対して、これらを変位させることができない禁止位置が決定される。そのような禁止位置を除外位置とも呼ぶ。これらの禁止位置は、全ての許容位置から除外される。従って、第１のファセットの個々のミラーを各場合に変位させることができるいくつかの可能な変位経路を決定することができる。これらの変位経路は、特に制御ユニットのメモリに格納することができる。特に、各ミラー、すなわち、各ファセットに対して可能な全ての変位経路を決定し、これらの変位経路をそのようなメモリに格納することを可能にすることができる。その結果、露光中であっても第１のファセットの個々のミラーを切り換えることができる。次に、切り換え工程は、２つの視野（ダイ）の露光間の短い不使用時間にもはや限定されない。

一例として、物体視野内に散乱光及び／又は迷光をもたらす第１のファセットの個々のミラーの位置を禁止位置と呼ぶ。第１のファセットの個々のミラーが禁止位置にある場合に、それによって反射される照明放射線は、特にこの照明放射線を物体視野又はその近くの間違った領域にそこから結像する第２のファセット上に入射する。

本発明の更に別の態様により、ターゲット位置は、各ターゲット位置が最も近い禁止位置から最小距離を有するように決定される。この距離は変位である。この変位は、それぞれの第１のファセットの像の第２のファセットミラーのこのような第１のファセットに対応する領域内の軌道によって表すことができる。最小距離という用語は、上述の簡易化に従うものと理解しなければならない。この最小距離は、第１のファセットのそれぞれ変位した個々のミラーの像の最も近い禁止位置に関する第２のファセットミラーの領域内の変位に対応する軌道の距離を指定する。ターゲット位置と最も近い禁止位置の間の最小距離ｄ_minは、特に少なくともミラー直径１つ分、特に少なくともミラー直径２つ分、特に少なくともミラー直径３つ分、特に少なくともミラー直径５つ分とすることができる。特に、ターゲット位置の配置は禁止位置に隣接しないこと、又はそのようなターゲット位置を選択しないことが提供される。その結果、迷光による物体視野の照射、特にウェーハの照明を回避することができる。

本発明の更に別の態様により、第１のファセットの個々のミラーの部分集合のみが物体視野の照明中に変位される。特に、物体視野の照明中に第１のファセットの個々のミラーの最大で１０％、特に少なくとも０．１％、特に少なくとも１％、特に３％から５％までが変位される。ここで、ファセットの個々のミラーは、パーク位置からターゲット位置に変位させることができ、すなわち、それらは、追加することができる。それらはまた、ターゲット位置からパーク位置の中へとすることができ、すなわち、オフにすることができる。それらはまた、ターゲット位置から別のターゲット位置の中へとすることができ、すなわち、切り換えることができる。第１のファセットの個々のミラーは、特に物体視野の２つの照明間で変位させること、すなわち、切り換えることができる。特に、これらの個々のミラーは、２つのダイの照明間（ダイ間）又は単一ダイの照明中（ダイ内）に変位させることができる。

これらの個々のミラーは、特に迅速に、すなわち、上述の切り換え時間内で変位される。

第１のファセットの個々のミラーの部分集合は、物体視野の照明中及び／又は物体視野の２つの照明間で低速で変位させることができる。特に、特定の照明設定を用いて物体視野を照明するときに使用されない第１のファセットの個々のミラーがこの照明中に新しいパーク位置に変位することを可能にすることができる。その結果、迅速なその後の変位工程を可能にすることができる。第１のファセットの個々のミラーの変位は、特に上述の許容変位経路のうちの１つに沿って行うことができる。

本発明の更に別の態様により、物体視野の照明の照明特性は、測定されるように提供される。特に、物体視野の実照明が決定されること、及び予め決められた所期照明からの確立された実照明の偏差の場合に、第１のファセットの個々のミラーの部分集合を変位させることによってこの偏差が低減されることが提供される。

実照明は、連続的に又は予め決められた時間に確立することができる。

特に、物体視野の照明の強度プロファイルは、特に物体視野の照明中に、第１のファセットの個々のミラーの迅速な追加、迅速なオフ切り換え、又は迅速な切り換えによって補正することができる。

ここで、特に、異なるパラメータ、例えば、全体強度、特定の強度プロファイル、特定の角度分布、照明の均一性、又は他のパラメータを補正することができる。

特に、第１のファセットの個々のミラーの迅速な追加、迅速なオフ切り換え、又は迅速な切り換えにより、像視野の領域内の照明放射線の照射量を調整することを可能にすることができる。特に、そのような調整は、連続視野の露光間（ダイ間補正）又は１つの視野の露光中（ダイ内補正）に適用することができる。

本発明の一態様により、照明特性は、予め決められた補正プロトコルに従ってウェーハの露光中に修正されるように提供される。ここで、補正プロトコルは、予め決められたか又は他の方法で既知であるウェーハの異質性に依存する方式で、特に露光されるウェーハ上の異なる視野の間の変化に依存する方式及び／又は露光される異なるウェーハの異質性に依存する方式で決定されるように提供される。

更に、投影露光装置の構成要素、特に、照明デバイス、照明光学ユニット、及び／又は投影光学ユニットの構成要素は、予め決められた時間に又は継続的に測定されるように提供される。特に、一方又は両方のファセットミラーの個々のミラーは、測定されるように提供される。ここで、特に、個々のミラーの個々のものの傾斜角及び／又は反射率を検出することが可能である。一般的に、遠視野の特性を測定することができる。その結果、全体的な系のモデルを更新することができる。これは、照明特性に関するより的確な予想を行うことができることを可能にする。これらの予想は、補正プロトコルを適応させる時の確立及び／又は適応化に考慮することができる。

有利なことに、投影露光装置の構成要素を測定するための別個の放射線源を設けることができる。特に、測定は、使用光を用いて実施されない。しかし、原理的には、使用光を用いて実施することができる。

投影露光装置の構成要素は、各場合にそれぞれの構成要素がレチクルを照明することに、又はレチクルを像視野に結像することに、すなわち、ウェーハの露光に厳密に寄与していない時に測定することができる。

特に、露光される基板、すなわち、ウェーハが交換されている間に照明特性を測定することができる。原理的には、ウェーハ上の２つの連続視野（ダイ）の露光間の不使用時間内に照明特性を測定することができる。原理的には、ウェーハの露光中に照明特性を測定することができる。

更に、物体視野の照明中に第１のファセットの個々のミラーの精密な位置を再調節することができる。特に、この再調節は、切り換えられたファセットに対して適用することができる。その結果、これらのファセットの位置決め精度を改善することができる。

本発明の更に別の目的は、上述の方法を実施するための照明光学ユニットを提供することにある。この目的は、複数の第１のファセットを有する第１のファセットミラーと、複数の第２のファセットを有する第２のファセットミラーとを含み、第１のファセットが、各場合に異なるターゲット位置で異なる第２のファセットに割り当てられて異なる照明チャネルが形成されるように各場合にターゲット位置に変位可能であり、第１のファセットの個々のミラーの少なくとも１つの部分集合が、パーク位置に変位可能であり、パーク位置の各々が、関連のターゲット位置から離間されるが、最大でも最大距離ｄ_maxしか離間されない照明光学ユニットによって達成される。

照明光学ユニットの更なる詳細及び具体的内容は、以上の説明から明らかになる。第１のファセットの個々のミラーは、特に上述の短い切り換え時間でパーク位置から関連のターゲット位置内に、ターゲット位置から関連のパーク位置内に、及び／又は１つのターゲット位置から別のターゲット位置に変位可能である。

変位は、特に、物体視野の露光中、特にウェーハの露光中に行うことができる。

本発明の更に別の態様は、投影露光装置とマイクロリソグラフィ投影露光装置とのための照明系を改善することにある。これらの目的は、以上の説明による照明光学ユニットを含む照明系及び投影露光装置によって達成される。

この利点は、照明光学ユニットのものから明らかである。

本発明の更に別の目的は、ウェーハのリソグラフィ構造化のための方法を改善することにある。この目的は、ウェーハのリソグラフィ構造化のための本発明による方法によって達成される。本発明の要点は、ウェーハの構造化中に第１のファセットの個々のミラーの部分集合をパーク位置から関連のターゲット位置内に、ターゲット位置から関連のパーク位置内に、又は１つのターゲット位置から別のターゲット位置に変位させることにある。

この利点は、上述のものから明らかである。

本発明の一態様により、第１のファセットの個々のミラーの部分集合は、ウェーハ上の２つの連続視野の露光間の時間間隔中にパーク位置から関連のターゲット位置内に、ターゲット位置から関連のパーク位置内に、又は１つのターゲット位置から別のターゲット位置内に変位されるように提供される。

特に、変位は、予め決められた、特にウェーハの露光の前に決定された補正プロトコルに従って行われる。

補正プロトコルを決定するために、特に、ウェーハの異質性、特に露光されるウェーハの個々の視野の間の変化は、このウェーハの露光の前に確立されることが提供される。そのようなデータは、別々に予め決めることもできる。

本発明の更に別の目的は、微細構造化又はナノ構造化構成要素を生成する方法、及び本方法によって生成される構成要素を改善することである。

これらの目的は、微細構造化又はナノ構造化構成要素を生成するための本発明による方法、及び本方法に従って生成される構成要素によって達成される。

この利点は、上述のものから明らかである。

本発明の更に別の特徴及び詳細は、図を参照して例示的実施形態の説明から明らかである。

照明系と投影光学ユニットとを有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置を示す略子午断面図である。 ミラーアレイ（ＭＭＡ）とそれによって照明される瞳ファセットミラーとを含む投影露光装置の照明系の実施形態を示す図である。 照明設定に対応する瞳ファセット照明を有する図２に記載の瞳ファセットミラーの例示的な略平面図である。 ミラー要素の変位によって発生可能である瞳ファセットミラーに対するミラーアレイのチャネル割り当てを有する図２に記載の照明系の概略図である。 環状照明設定に対応する瞳ファセット照明を有する図３に記載の瞳ファセットミラーの概略平面図である。 互いに隣合わせに位置する図２及び図４に記載のミラーアレイの２つのミラー要素の概略図である。 ミラーアレイ（ＭＭＡ）を有する光学構成要素の実施形態を通る略断面図である。 投影露光装置内の例示的ビーム経路の概略図である。 図８に記載の投影露光装置の照明光学ユニットの第１のファセットミラーを有する領域ＩＸの区画拡大図である。 図８に記載の投影露光装置の照明光学ユニットの第２のファセットミラーを有する領域Ｘの区画拡大図である。 図９に記載のファセットミラーのマイクロミラーアレイのうちの１つの領域ＸＩの区画拡大図である。 個々のミラーが２つの異なる群に再分割された図１１に記載のミラーアレイの図である。 図１３は、多数のミラーアレイによって形成された視野ファセットミラー上の視野ファセットの異なる配置のうちの１つの概略図であり、図１３ａは、図１３からの区画拡大図である。 図１４は、多数のミラーアレイによって形成された視野ファセットミラー上の視野ファセットの異なる配置のうちの１つの概略図であり、図１４ａは、図１４からの区画拡大図である。 図１３及び図１４のいずれかに記載のファセットミラーを含む図８に記載の投影露光装置のビーム経路の一区画の概略図である。 ターゲット位置、関連のパーク位置、及び多数の禁止位置をラベル付けした第２のファセットミラーのアラインメントの概略図である。 ２つのターゲット位置、２つのパーク位置、及び多数の禁止位置を有する図１６に記載の概略図である。 ２つのターゲット位置、２つのパーク位置、及び多数の禁止位置を有する図１６に記載の概略図である。 投影露光装置の物体視野を照明する方法の時間的進行を示す概略図である。 ファセットミラーを設計する方法の進行を示す概略図である。

最初に、投影露光装置１の基本設計を図に基づいて下記で説明する。

図１は、マイクロリソグラフィのための投影露光装置１を子午断面に略示している。投影露光装置１の照明系２は、放射線源３に加えて、物体平面６の物体視野５の露光のための照明光学ユニット４を有する。物体視野５は、例えば、１３／１のｘ／ｙアスペクト比を有する矩形又は弓形の方式で成形することができる。この場合に、物体視野５に配置され、微細構造又はナノ構造の半導体構成要素の生成に向けて投影露光装置１によって投影される構造を担持する反射レチクル（図１には例示していない）が露光される。投影光学ユニット７は、物体視野５を像平面９の像視野８に結像するように機能する。レチクル上の構造は、図面内には例示しておらず、像平面９の像視野８の領域に配置されるウェーハの感光層上に結像される。

レチクルホルダ（例示していない）によって保持されるレチクルと、ウェーハホルダ（例示していない）によって保持されるウェーハとは、投影露光装置１の作動中にｙ方向と同期して走査される。ウェーハとレチクルは異なる速度で移動することができる。投影光学ユニット７の結像スケールに基づいて、レチクルをウェーハに対して反対の方向に走査することができる。

微細構造化又はナノ構造化構成要素、特に半導体構成要素、例えば、マイクロチップのリソグラフィ生成に向けて、投影露光装置１を用いて、レチクルの少なくとも１つの部分が、ウェーハ上の感光層の領域上に結像される。スキャナ又はステッパとしての投影露光装置１の実施形態に基づいて、レチクルとウェーハは、ｙ方向にスキャナ作動で連続的に、又はステッパ作動で段階的に時間同期して移動される。

放射線源３は、５ｎｍと３０ｎｍの間の範囲の放出使用放射線を有するＥＵＶ放射線源である。このＥＵＶ放射線源は、プラズマ光源、例えば、ＧＤＰＰ（ガス放電生成プラズマ）光源又はＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）光源とすることができる。他のＥＵＶ放射線源、例えば、シンクロトロン又は自由電子レーザ（ＦＥＬ）に基づくものも可能である。

放射線源３から射出したＥＵＶ放射線１０は、コレクター１１によってフォーカスされる。対応するコレクターは、例えば、ＥＰ １ ２２５ ４８１ Ａから公知である。コレクター１１の下流では、ＥＵＶ放射線１０は、中間焦点面１２を通って伝播し、その後に、複数の視野ファセット担体１３ａを有する視野ファセットミラー１３上に入射する。視野ファセットミラー１３は、物体平面６に対して光学的に共役な照明光学ユニット４の平面に配置される。

以下では、ＥＵＶ放射線１０を使用放射線、照明光、又は結像光とも呼ぶ。

視野ファセットミラー１３の下流において、ＥＵＶ放射線１０は、多数の瞳ファセット１４ａを有する瞳ファセットミラー１４によって反射される。瞳ファセットミラー１４は、投影光学ユニット７の入射瞳平面内、又はそれに対して光学的に共役な平面内のいずれかに位置する。視野ファセットミラー１３及び瞳ファセットミラー１４は、下記でより詳細に説明する多数の個々のミラーから構成される。この場合に、個々のミラーへの視野ファセットミラー１３の再分割は、自体が物体視野５全域を照明する視野ファセット１３ａの各々が、個々のミラーのうちの正確に１つのものによって表されるようなものとすることができる。これに代えて、視野ファセット１３ａの少なくとも一部又は全ては、複数のそのような個々のミラーを用いて構成することができる。同じことは、視野ファセット１３ａにそれぞれ割り当てられ、各場合に単一個々のミラー又は複数のそのような個々のミラーによって形成することができる瞳ファセットミラー１４の瞳ファセット１４ａの構成にも相応に適用される。

ＥＵＶ放射線１０は、２つのファセットミラー１３、１４上に、ミラー面の法線に対して測定して２５°よりも小さいか又はそれに等しい角度で入射する。従って、ＥＵＶ放射線１０は、法線入射作動範囲で２つのファセットミラー１３、１４上に入射する。かすめ入射による入射も可能である。瞳ファセットミラー１４は、投影光学ユニット７の瞳平面を構成する照明光学ユニット４の平面、又は投影光学ユニット７の瞳平面に対して光学的に共役な照明光学ユニット４の平面に配置される。瞳ファセットミラー１４と、ＥＵＶ放射線１０に対するビーム経路の順番で表記したミラー１６、１７、及び１８を有する伝達光学ユニット１５の形態にある結像光学アセンブリとを用いて、視野ファセットミラー１３の視野ファセットが、物体視野５内に互いに重ね合わされる方式で結像される。伝達光学ユニット１５の最後のミラー１８はかすめ入射ミラーである。伝達光学ユニット１５と瞳ファセットミラー１４とを併せて、視野ファセットミラー１３から物体視野５に向けてＥＵＶ放射線１０を伝達するための逐次光学ユニットとも呼ぶ。照明光１０は、放射線源３から物体視野５に向けて複数の照明チャネルを通して案内される。これらの照明チャネルの各々には、視野ファセットミラー１３の視野ファセット１３ａと、視野ファセットの下流に配置された瞳ファセットミラー１４の瞳ファセット１４ａとが割り当てられる。視野ファセットミラー１３及び瞳ファセットミラー１４の個々のミラーは、アクチュエータ系によって傾斜可能にすることができ、それによる照明チャネルの構成変化に従って視野ファセット１３ａに対する瞳ファセット１４ａの割り当て変更を達成することができる。物体視野５にわたる照明光１０の照明角度の分布において異なる様々な照明設定がもたらされる。

位置関係の説明を容易にするために、下記では、取りわけ広域直交ｘｙｚ座標系を使用する。図１では、ｘ軸は、作図面と垂直に閲覧者に向けて延びている。ｙ軸は図１の右に向けて延びている。ｚ軸は図１の上方に延びている。

その後の図の中からのいくつかの図には局所直交ｘｙｚ座標系を描示しており、この場合に、ｘ軸は図１に記載のｘ軸と平行に延び、ｙ軸は、このｘ軸と共にそれぞれの光学要素の光学区域を張っている。

図２は、投影露光装置１のための照明系１９の別の構成を示している。図１を参照して上述したものに対応する構成要素は同じ参照番号を伴い、これらに対して再度詳細に解説することはしない。

ＬＰＰ光源として具現化することができる放射線源３から射出した使用放射線１０は、最初に第１のコレクター２０によって集光される。コレクター２０は、放射線源３を中間焦点面１２に結像するか又は放射線源３からの光を中間焦点面１２内の中間フォーカス上にフォーカスさせる楕円面ミラーとすることができる。コレクター２０は、使用放射線１０が、０°に近い入射角でその上に入射するように作動させることができる。この場合に、コレクター２０は法線入射の近くで作動され、従って、コレクター２０を法線入射（ＮＩ）ミラーとも呼ぶ。コレクター２０の代わりに、かすめ入射で作動されるコレクターを使用することができる。

中間焦点面１２の下流には、使用放射線１０、すなわち、ＥＵＶ放射線ビームを案内するための光学アセンブリの例として多ミラーアレイ又はマイクロミラーアレイ（ＭＭＡ）の形態にある視野ファセットミラー２１が配置される。以下の本文では、多ミラーアレイ又はマイクロミラーアレイ（ＭＭＡ）を単にミラーアレイ２２とも呼ぶ。視野ファセットミラー２１は、マイクロ電気機械系（ＭＥＭＳ）として具現化される。視野ファセットミラー２１は、行列状の方式でアレイ内に行と列とで配置された多数の個々のミラーを有する。以下の本文では、個々のミラーをミラー要素２３とも呼ぶ。ミラー要素２３は、下記で説明するように、アクチュエータ系によって傾斜可能であるように設計される。全体的に、視野ファセットミラー２１は、約１００ ０００個のミラー要素２３を有する。ミラー要素２３のサイズに基づいて、視野ファセットミラー２１は、例えば、１０００個、５０００個、７０００個、又は他に数十万個、例えば、５００ ０００個のミラー要素２３を有することができる。

視野ファセットミラー２１の上流にはスペクトルフィルタを配置することができ、スペクトルフィルタは、使用放射線１０を放射線源３の放出光のうちで投影露光に有利でない他の波長成分から分離する。スペクトルフィルタは例示していない。

視野ファセットミラー２１は、８４０Ｗの電力と、６．５ｋＷ／ｍ²の電力密度とを有する使用放射線１０による入射を受ける。使用放射線１０は、異なる電力及び／又は電力密度を有することができる。

ファセットミラー２１の全体の個々のミラーアレイは５００ｍｍの直径を有し、密充填方式でミラー要素２３を有するように設計される。充填度又は集積密度とも呼ぶミラー要素２３による完全な視野ファセットアレイの面カバレージは、少なくとも７０％、特に少なくとも８０％、特に少なくとも８５％、特に少なくとも９０％、特に少なくとも９５％である。視野ファセット２１ａが各場合に正確に１つのミラー要素２３によって達成される場合に、ミラー要素２３は、倍率を除いて物体視野５の形状に対応する。ファセットミラー２１は、各々が視野ファセット２１ａに対応し、ｙ方向に約５ｍｍ、ｘ方向に１００ｍｍの寸法を有する５００個のミラー要素２３から形成することができる。正確に１つのミラー要素２３による各視野ファセット２１ａの実現に対する代替として、視野ファセット２１ａの各々を小さめのミラー要素２３の群によって形成することができる。ｙ方向に５ｍｍ、ｘ方向に１００ｍｍの寸法を有する視野ファセット２１ａは、例えば５ｍｍ×５ｍｍの寸法を有するミラー要素２３の１×２０アレイから０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有するミラー要素２３の１０×２００アレイまでを用いて構成することができる。本発明により、視野ファセット２１ａへのミラー要素２３の割り当ては柔軟である。特に、視野ファセット２１ａは、ミラー要素２３の適切な起動だけによって定められる。特に、ミラー要素２３の形態は、巨視的な視野ファセットの形態に依存しないとすることができる。

使用光１０は、ファセットミラー２１のミラー要素２３によって瞳ファセットミラー１４に向けて反射される。瞳ファセットミラー１４は、約２０００個の固定瞳ファセット１４ａを有する。固定瞳ファセット１４ａは、最内側リングの瞳ファセット１４ａが扇形方式で成形され、それに直接隣接するリングの瞳ファセット１４ａがリング−扇形方式で成形されるように複数の同心リング内に互いに横並びに配置される。瞳ファセットミラー１４の四分円内には、１２個の瞳ファセット１４ａをリングの各々内に互いに横並びに存在させることができる。瞳ファセット１４ａの各々は、ミラーアレイ２２として具現化することができる。

使用光１０は、物体平面６に配置された反射レチクル２４に向けて瞳ファセット１４ａによって反射される。図１に記載の投影露光装置との関連で上述したように、投影光学ユニット７が次に続く。

図１に記載の照明光学ユニット４に関連付けて上述したように、この場合にもファセットミラー１４とレチクル２４の間に伝達光学ユニット１５を設けることができる。

図３は、図２に記載の従来照明設定を近似的に達成することができる瞳ファセットミラー１４の瞳ファセット１４ａの照明を示している。瞳ファセットミラー１４の２つの内側瞳ファセットリング内では、瞳ファセット１４ａが周方向に１つ置きに照明される。図３の交替照明表現は、この照明設定の場合に達成される占有密度が、環状照明設定の場合のものよりも２倍だけ低いことを象徴するように意図したものである。２つの内側瞳ファセットリング内では均一な照明分布が同じく見出されるが、占有密度は２倍だけ低い。図３に示す２つの外側瞳ファセットリングは照明されない。

図４は、照明光学ユニット４内に環状照明設定が設定される場合の照明光学ユニット４内の状態を略示している。視野ファセットミラー２１のミラー要素２３は、瞳ファセットミラー１４上に使用光１０によってリング−扇形瞳ファセット１４ａの外側リングが照明されるように、下記でより詳細に説明するアクチュエータを用いた作動によって傾斜される。瞳ファセットミラー１４のこの例示的照明を図５に描示している。この照明を発生させるためのミラー要素２３の傾斜をミラー要素２３のうちの１つを用いて図４の例示的に示している。

図２から図５に記載の照明設定を変更するために、ミラー要素２３をある傾斜角だけピボット回転させることができる。特に、これらのミラー要素２３は、少なくとも±５０ｍｒａｄ、特に少なくとも±８０ｍｒａｄ、特に±１００ｍｒａｄの領域内の傾斜角だけピボット回転可能である。この場合に、それぞれの傾斜位置を少なくとも０．２ｍｒａｄ、特に少なくとも０．１ｍｒａｄ、特に少なくとも０．０５ｍｒａｄ、特に少なくとも０．０３ｍｒａｄの精度で維持することができる。

ミラー要素２３は、使用放射線１０の波長でのその反射率を最適化するための多層コーティングを担持する。多層コーティングの温度は、投影露光装置１の作動中に４２５Ｋを超えてはならない。これは、下記で例示的に説明するミラー要素２３の構造によって達成される。図２に略示するように、照明光学ユニット４のミラー要素２３は、脱気可能チャンバ２５に収容される。図２は、脱気可能チャンバ２５の境界壁２６を概略的にしか示していない。チャンバ２５は、遮断弁２８が収まる流体管路２７を通して真空ポンプ２９と連通する。脱気可能チャンバ２５内の作動圧は数Ｐａ（分圧Ｈ₂）である。全ての他の分圧は、１０^-7ｍｂａｒを有意に下回る。

ミラー要素２３は基板３０に配置される。基板３０は、ミラー本体３２に熱伝導部分３１を通して機械的に接続される。基板３０に対するミラー本体３２の傾斜を可能にする関節本体３３が、熱伝導部分３１の一部である。関節本体３３は、定められた自由度での例えば１つの傾斜軸、又は特に互いに垂直に配置された２つの傾斜軸の周りの傾斜を可能にする屈曲部として具現化することができる。関節本体３３は、基板３０に締結された外側保持リング３４を有する。更に、関節本体３３は、外側保持リング３４に関節方式で接続した内側保持本体３５を有する。この保持本体は、ミラー要素２３の反射面３６の下の中心に配置される。中心保持本体３５と反射面３６の間にはスペーサ３７が配置される。

熱、特に入射使用放射線１０の吸収によって発生され、ミラー本体３２内に累積された熱は、熱伝導部分３１を通して、すなわち、スペーサ３７、中心保持本体３５、及び関節本体３３、並びに外側保持リング３４を通して基板３０に向けて放散される。熱伝導部分３１を通して基板３０に少なくとも１０ｋＷ／ｍ²、特に少なくとも３０ｋＷ／ｍ²、特に少なくとも５０ｋＷ／ｍ²の熱電力密度を放散させることができる。基板３０に放散される熱電力は、各ミラー要素２３に対して少なくとも２．５ｍＷ、特に少なくとも７．５ｍＷ、特に少なくとも１２．５ｍＷとすることができる。これに代えて、熱伝導部分３１は、少なくとも１ｋＷ／ｍ²の熱電力密度又はミラー本体３２によって取り込まれる少なくとも０．２５ｍＷの電力を放散するように具現化される。取り込み電力は、放射線源３からの使用放射線１０から吸収される電力に加えて、例えば、取り込み電気電力である可能性もある。

保持本体３５上のスペーサ３７とは反対の側にアクチュエータピン３８が配置される。アクチュエータピン３８は、スペーサ３７よりも小さい外径を有することができる。アクチュエータピン３８は、スペーサ３７と同じ直径又はそれよりも大きい直径を有することができる。

基板３０は、アクチュエータピン３８を取り囲むスリーブを形成する。スリーブ内には、互いから電気絶縁されて配置され、各場合に周方向に１２０°を若干下回る角度にわたって延びる合計で３つの電極５４が組み込まれる。電極５４は、この実施形態では電極ピンとして具現化されるアクチュエータピン３８に対する対電極を構成する。この場合に、特にアクチュエータピン３８は、中空シリンダとして具現化することができる。原理的には、アクチュエータピン３８毎に異なる個数の電極５４を設けることができる。特に、アクチュエータピン３８毎に４又は５以上の電極５４を設けることができる。電極５４のうちの１又は２以上とアクチュエータピン３８の間に電位差を発生させることにより、図６の右半分内に例示的に描示するように、ミラー要素２３の偏向をもたらすことができる静電力をアクチュエータピン３８に対して発生させることが可能である。

特に、基板３０は、ミラー要素２３の全体アレイがその上に配置されたシリコンウェーハから形成することができる。

アクチュエータピン３８は、ローレンツアクチュエータの一部とすることができる。この場合に、アクチュエータピン３８の自由端に永久磁石が配置される。永久磁石は、そのＮ極とＳ極がアクチュエータピン３８に沿って互いに隣合わせで配置されるように位置合わせすることができる。一例として、そのようなローレンツアクチュエータは、ＵＳ ７ １４５ ２６９ Ｂ２から公知である。このローレンツアクチュエータは、バッチ工程においてマイクロ電気機械系（ＭＥＭＳ）として生成することができる。そのようなローレンツアクチュエータを使用すると、２０ｋＰａの力密度を達成することができる。力密度は、アクチュエータ力が作用するアクチュエータ面積に対するアクチュエータ力の比として定められる。アクチュエータピン３８の断面は、アクチュエータ力が作用する際に本来介在すると考えられるアクチュエータ側面に対する尺度として機能することができる。

ローレンツアクチュエータとしての実施形態の代替として、ミラー要素２３を傾斜させるためのアクチュエータは、例えば、ＷＯ ２００７／１３４ ５７４ Ａの方式にあるリラクタンスアクチュエータ、又は圧電アクチュエータとして具現化することができる。リラクタンスアクチュエータを使用すると、５０ｋＰａの力密度を達成することができる。圧電アクチュエータを使用すると、実施形態に依存して５０ｋＰａから１ＭＰａまでの力密度を達成することができる。

更なる詳細に関して、特に基板３０内の個々のミラー２３の配置、及びアクチュエータを用いた個々のミラー２３のピボット回転機能、並びに関節本体及び熱伝導部分３１の実施形態に関しては、ＷＯ ２０１０／０４９ ０７６ Ａ２を参照されたい。

ミラーアレイ２２は、特に少なくとも４個、特に少なくとも１６個、特に少なくとも６４個、特に少なくとも２５６個、特に少なくとも１０２４個、特に少なくとも１２９６個、特に少なくとも１６００個のミラー要素２３を有する。これらのミラー要素２３は、好ましくは、矩形行列、特に正方形行列で配置される。ミラー要素２３は正方形断面を有する。原理的に、ミラー要素２３は、三角形、矩形、又は六角形の実施形態を有することができる。ミラー要素２３は、寄せ木細工要素として具現化される。ミラー要素２３の全体は、ミラーアレイ２２の全体反射面の寄せ木細工配置を形成する。寄せ木細工配置は、特に面充填である。ミラー要素２３は、特に密充填方式で配置される。特にミラーアレイは、少なくとも０．８５、特に少なくとも０．９、特に少なくとも０．９５の充填度を有する。この場合に、時に集積密度とも呼ぶ充填度は、ミラーアレイ２２の全面積に対するこのアレイ２２の全てのミラー要素２３の全体反射面、すなわち、反射面３６の和の比を表している。

ミラー要素２３の反射面３６は、平面実施形態を有する。原理的には、この反射面３６は、凹又は凸の実施形態、又は自由曲面としての実施形態を有することができる。

ミラー要素２３の反射面３６には、特に、使用放射線１０の波長でのその反射率を最適化するための（多層）コーティングが設けられる。特に、多層コーティングは、ＥＵＶ範囲、特に５ｎｍから３０ｎｍの範囲の波長を有する使用放射線１０の反射を可能にする。

ミラーアレイ２２は、モジュール式実施形態を有する。特に、ミラーアレイ２２は、傾斜要素としてその全体反射面の寄せ木細工配置が複数のそのような傾斜要素の傾斜、すなわち、同一の実施形態を有する複数のミラーアレイ２２の傾斜によって必要に応じて拡張可能であるように具現化される。この場合に、「寄せ木細工配置」及び「タイル張り」という異なる用語は、ミラー要素２３による個々のミラーアレイ２２の全体反射面の寄せ木細工配置と複数のミラーアレイ２２による多ミラーアレイとの間で区別を付けるためだけに使用する。これらの用語は両方共に、平面内の単純で継ぎ目なく連続する領域の間隙不在及び重ね合わせ不在のカバレージを表している。下記では、全体反射面のカバレージが、充填度＜１によって反映されるこの場合における完全に間隙を伴わないものではなかった場合であっても、充填度が上記に指定した値、特に少なくとも０．８５を有する場合の寄せ木細工配置又はタイル張りを依然として示している。

ミラー要素２３は、基板３０によって保持される。基板３０は、面法線４１に対して垂直な方向に延びる縁部領域４２を有する。特に、縁部領域４２は、ミラー要素２３を取り囲む方式で配置される。面法線４１に対して垂直な方向に、縁部領域４２は、最大で５ｍｍ、特に最大で３ｍｍ、特に最大で１ｍｍ、特に最大で０．５ｍｍ、特に最大で０．３ｍｍ、特に最大で０．２ｍｍの幅ｂ、特に最大幅ｂを有する。従って、ミラーアレイ２２の全体区域は、全体反射面にわたって、すなわち、その外縁にわたって面法線４１に対して垂直な方向に最大で５ｍｍ、特に最大で３ｍｍ、特に最大で１ｍｍ、特に最大で０．５ｍｍ、特に最大で０．３ｍｍ、特に最大で０．２ｍｍだけ突出する。

ミラーアレイ２２の全体区域は、１ｍｍ×１ｍｍから５０ｍｍ×５０ｍｍの範囲、特に１０ｍｍ×１０ｍｍから２５ｍｍ×２５ｍｍの範囲に収まる。原理的に、他の寸法も可能である。原理的に、この区域は、正方形形態から偏位することができる。ミラーアレイ２２の全体反射面にわたるこのアレイ２２の全体区域の突出部を側オーバーヘッド又は横オーバーヘッドとも呼ぶ。横オーバーヘッドの同じ方向の全体広がりに対する比は、最大で０．１、特に最大で０．０５、特に最大で０．０３、特に最大で０．０２、特に最大で０．０１である。従って、横突出部は、ミラーアレイ２２の全体反射面の全体広がりよりも少なくとも１桁小さい。

ミラーアレイ２２に加えて、光学構成要素４０は、担持構造４３を含む。担持構造４３は、面法線４１の方向にミラーアレイ２２からオフセットして、特に隣接して配置される。担持構造４３は、好ましくは、ミラーアレイ２２の基板３０のものに同一である断面を有する。一般的に、担持構造４３は、基板３０にわたって、従って、ミラーアレイ２２の全体区域にわたって面法線４１に対して垂直な方向に最大でも５ｍｍ、特に最大でも３ｍｍ、特に最大でも１ｍｍ、特に最大でも０．５ｍｍ、特に最大でも０．１ｍｍ、特に最大でも０．０５ｍｍだけしか突出せず、特に全く突出しない。そのような配置を「影付け原理」による配置とも呼ぶ。これは、特に、担持構造４３が、ミラーアレイ２２の全体区域の面法線４１の方向の平行突出部内に完全に配置されることを意味すると理解しなければならない。

担持構造４３は、セラミック含有、シリコン含有、及び／又はアルミニウム含有の材料で作られる。それによってミラーアレイ２２からの熱の放散が可能になり、同時に高い機械安定性が得られる。担持構造４３の材料に関する例は、セラミック材料、シリコン、二酸化珪素、亜硝酸アルミ、及び酸化アルミニウム、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃セラミック材料である。特に、担持構造４３は、ウェーハから生成することができる。担持構造４３は、いわゆるサーマルビアが設けられた石英又はガラスウェーハから生成することができる。

担持構造４３は、片側に開いた切れ目４４を有する。切れ目４４は、更に別の機能構成物を受け入れるために片側に開いた受け入れ空間を形成する。担持構造４３のミラーアレイ２２とは反対の側では、切れ目４４は、面法線４１の方向に担持構造のベース４５によって境界が定められる。横方向、すなわち、面法線４１に対して垂直な方向には、切れ目４４は、担持構造４３は、担持構造４３の縁部領域４６によって境界が定められる。縁部領域４６は、面法線４１に対して垂直な方向に幅ｂ_Cを有する。この場合に、０．５×ｂ≦ｂＣ≦２×ｂが成り立つ。特に、担持構造４３の縁部領域４６は、基板３０の縁部領域４２と同じ幅ｂ＝ｂ_Cに調節することができる。

担持構造４３は、この縁部領域４６内のみでミラーアレイ２２に機械的に接続される。担持構造４３とミラーアレイ２２の間には密封要素６１が配置される。密封要素６１は、ミラーアレイ２２の基板３０の後側４８の金属コーティング内に組み込まれる。密封要素６１は、担持構造４３の縁部領域４６上に配置された密封リングとして具現化することができる。従って、切れ目４４によって形成された受け入れ空間は、少なくとも構成要素４０の生成中にカプセル化され、すなわち、液密方式、特に気密方式で密封される。原理的には、ＡＳＩＣ５２をカプセル化方式で、すなわち、液密方式、特に気密方式で密封して配置することができる。この目的のためには、ミラーアレイ２２とＡＳＩＣ５２の間の連続的な中間層（図には描示していない）が依然として必要である。

担持構造４３内には多数の信号線４７が組み込まれる。信号線４７は、垂直な相互接続アクセス、いわゆる「ビア」として具現化される。これらの信号線４７は、反射面３６と反対のミラーアレイ２２の後側４８に直接に結合される。これらの信号線４７には、ミラーアレイ２２と反対の側、すなわち、担持構造４３の後側４９に接触要素５０が設けられる。各構成要素４０は、３０よりも多い、特に５０よりも多い、特に７０よりも多い信号線４７を有することができる。これらの信号線４７は、取りわけ、ミラー要素２３の変位を制御するための制御デバイス５１に電力を供給するためなどに機能する。ミラー要素２３の変位を制御するための制御デバイス５１は、担持構造４３内に組み込まれる。特に、制御デバイス５１は、特定用途向け集積回路５２（ＡＳＩＣ）として具現化される。構成要素４０は、複数のＡＳＩＣ５２を有することができる。構成要素４０は、少なくとも１つのＡＳＩＣ５２を含み、特に少なくとも２つ、特に少なくとも４個、特に少なくとも９個、特に少なくとも１６個、特に少なくとも２５個、特に少なくとも１００個のＡＳＩＣ５２を含む。この場合に、ＡＳＩＣ５２の各々は、少なくとも１つのミラー要素２３に、特に複数のミラー要素２３に、特に少なくとも２つ、特に少なくとも４つ、特に少なくとも８つのミラー要素２３に信号接続される。ミラー要素２３を変位させるためのアクチュエータを制御することに関する詳細に関しては、ＷＯ ２０１０／０４９ ０７６ Ａ２を参照されたい。

ＡＳＩＣ５２への信号線４７は、担持構造４３の後側４９から担持構造４３を通ってミラーアレイ２２の後側４８に延び、そこからミラーアレイ２２の後側４８に沿って延び、フリップチップ接点５３を通してＡＳＩＣ５２に延びている。従って、一体化又は局所ドライバ電子回路への信号線は、ミラーアレイ２２の後側４８上で案内される。ミラー要素２３のうちの１つの変位を制御するためのＡＳＩＣ５２上に発生された制御電圧は、ミラーアレイ２２の後側４８への更に別のフリップチップ接点５３を通して対応する電極５４にもたらされる。従って、ＡＳＩＣ５２のうちの１つの全ての電気接点は、ＡＳＩＣ５２の同じ側にある。特に、この接点は、ＡＳＩＣ５２のミラーアレイ２２に対面する側に置かれる。それによって原理的には同じく可能である両側接点及び貫通接点が回避される。信号線４７のそのような配置の更に別の利点は、全ての信号線４７をミラーアレイ２２の後側４８で単一金属層内に設けることができるということにある。これは生成工程の簡素化につながり、従って、生成コストの低減をもたらす。

更に、信号線４７は、特定の信号線４７が、ミラーアレイ２２に対面する担持構造４３の前側４３ａ、及び／又は担持構造４３の後側４９で組み合わされるように具現化され、かつそのように配置される。一例として、ＡＳＩＣ５２の供給電圧のための信号線４７が組み合わされる。これは、担持構造４３の領域における信号低減をもたらす。特に、担持構造４３の領域における信号低減は少なくとも１０：１である。

構成要素４０は、担持構造４３の後側４９に電気インタフェース５５を有する。特に、インタフェース５５は全て、ミラーアレイ２２と反対に位置する担持構造４３の後側４９に配置される。原理的には可能である横接点を完全に省くことができる。従って、信号フロー内でも「影付け原理」が認識される（図２５を参照されたい）。その結果、構成要素４０の構成要素部品と、構成要素４０内の信号フロー及び熱フローの両方の向きが、面法線４１の方向に定められる。従って、構成要素４０は垂直統合を有する。

図７に図示の実施形態の場合に、電気インタフェース５５は、担持構造４３の後側４９に適用された複数の接点ピン５６を有する。接点ピン５６の代替として、電気インタフェース５５の接触要素５０を平面方式で具現化することができる。

接点ピン５６の代替として、電気インタフェース５５の接触要素５０を担持構造４３内に組み込まれたピンとして具現化することができる。この場合に、例えば、金が充填された貫通孔として具現化された担持構造４３内の垂直相互接続アクセス（ビア）が、担持構造４３の後側４９の領域内で露出される。特に、この貫通孔は、ビアを取り囲む担持構造４３の材料の一部をエッチング除去することによって達成することができる。こうしてビアの露出部材が接触要素５０を形成する。

更に、担持構造４３は、強磁性要素５７を含む。担持構造４３は、特に少なくとも１つの強磁性要素５７を含む。複数の強磁性要素５７を設けることができる。強磁性要素５７は、金属板又は金属ホイルとして具現化される。強磁性要素５７は、永久磁石要素として具現化することができる。図７及び図９に例示的に図示する実施形態により、金属ホイル５７は、担持構造４３の切れ目４４に配置される。特に、この金属ホイルは担持構造４３に固定接続される。金属ホイルは、例えば、担持構造４３上に接合することができる。金属ホイルは接着剤で接合することができる。担持構造４３上への強磁性金属層の強磁性要素５７としての直接電解析出も同じく可能である。金属ホイル５７は、図１０に例示的に示すように、担持構造４３の後側４９に配置することができる。原理的には、切れ目４４内への金属ホイル５７の配置と、担持構造４３の後側４９への金属ホイル５７の配置との組合せも可能である。

特に、金属ホイル５７は、ＡＳＩＣ５２と担持構造４３のベース４５の間に配置することができる。そうすることで、金属ホイル５７は、ＡＳＩＣ５２と担持構造４３の間の熱インタフェースを形成することができる。この場合に、金属ホイル５７を軟質の波形金属ホイルとして、すなわち、いわゆるバネホイルとして具現化することが有利である。

更に、ＡＳＩＣ５２と担持構造４３のベース４５との間、特にＡＳＩＣ５２と金属ホイル５７の間に追加の熱伝導要素５８を配置することができる。複数の熱伝導要素を設けることができる。ＡＳＩＣ５２は、特に構成要素４０内の熱伝導要素内に少なくとも部分的に埋め込むことができる。ＡＳＩＣ５２と担持構造４３のベース４５の間のそのような熱インタフェースは、構成要素４０を通じた熱フローの垂直統合を改善する。この場合に、ミラーアレイ２２から、特にＡＳＩＣ５２からの熱を担持構造４３を通してそのベース４５に直接放散させること、すなわち、実質的に面法線４１の方向に放散させることが可能である。

本発明の更に別の態様を図８から図１５を参照して以下に説明する。

図８は、投影露光装置１の照明放射線１０のビーム経路を再度略示している。図８では、放射線源３とコレクター１１とを照明デバイス６１として互いに描示している。

照明光学ユニットの中で、第１のファセットミラー６２及び第２のファセットミラー６３を単に例示的形態で描示している。第１のファセットミラー６２は、特に視野ファセットミラー１３とすることができる。第２のファセットミラー６３は、特に瞳ファセットミラー１４とすることができる。しかし、第２のファセットミラー６３を照明光学ユニットの瞳平面から離して配置することができる。この場合に、第２のファセットミラー６３を一般的に鏡面反射器と呼ぶ。

図８は、投影光学ユニット７を略示している。投影光学ユニット７は、６つのミラーＭ１からＭ６を含むことができる。投影光学ユニット７は、異なる個数のミラーＭｉを含むことができる。特に、投影光学ユニット７は、２、３、４、５、６、７、８、又は９以上のミラーを含むことができる。

更に、図８は、像平面９に配置されたウェーハ６４を略示している。ウェーハ６４は、ウェーハホルダ６５によって保持される。特に、ウェーハ６４は、ウェーハホルダ６５を用いて変位可能である。

図９は、第１のファセットミラー６２の例示的実施形態を略示している。第１のファセットミラー６２は、複数のミラーアレイ２２を含む。描示するミラーアレイ２２の配置は例示的ものであると理解しなければならない。第１のファセットミラー６２のミラーアレイ２２の実際の個数は有意に多いとすることができる。実際の個数は、数千にも上るとすることができる。

ミラーアレイ２２は平行な行に配置される。

従って、図１０は、第２のファセットミラー６３の例示的実施形態を略示している。第２のファセットミラー６３は、複数のミラーアレイ２２を含む。ミラーアレイ２２は平行な行に配置される。第１のファセットミラー６２のミラーアレイ２２の実際の個数は有意に多いとすることができる。実際の個数は、数千にも上るとすることができる。

図１１は、ミラーアレイ２２のうちの１つを拡大方式で前と同じく概略的に描示している。ミラーアレイ２２の構造的詳細に関しては、図７に描示し、上述の実施形態を参照されたい。しかし、ここでもまた、ミラーアレイ２２のマイクロミラー２３の個数は、図１１に描示するものよりも有意に多いとすることができることに注意しなければならない。

ミラーアレイ２２は、モジュール式で、特にブリック状方式で具現化される。これらのミラーアレイ２２をブリックとも呼ぶ。

ミラーアレイ２２の好ましい実施形態を下記で説明する。

本発明により、ミラーアレイ２２の全ての個々のミラー２３が同じ要件を満たす必要があるわけではないことが明らかになった。特に、ミラーアレイ２２の個々のミラー２３を２つの群に再分割し、異なる群の個々のミラー２３が異なる機能をもたらすことを有利なこととすることができる。明瞭化の目的で、図１２には第１の群の個々のミラー２３をハッチング付き方式で描示しており、それに対して第２の群の個々のミラー２３をハッチングなしで描示している。図１２に例示的に描示する例示的実施形態において、第２の群の個々のミラー２３は、ミラーアレイ２２の対角線の一方に沿って配置される。一般的に、これらの個々のミラー２３は、１又は２又は３以上の直線に沿って配置される。

構造的な観点からは、第１の群の個々のミラー２３と第２の群の個々のミラー２３とは同一とすることができる。個々のミラー２３の群は分離することができる。しかし、個々のミラー２３のうちの１又は２以上が両方の群に属することも可能である。特に、これらの個々のミラー２３は、精密な方式と迅速な方式の両方で変位可能にすることができる。特に、異なる群への個々のミラー２３の割り当てを動的に設定することができる。この場合に、最初に、個々のミラー２３の部分集合をこれらの個々のミラー２３が非常に短い切り換え時間で変位可能であるように第２の群に割り当てるが、変位が発生した後に、これらの個々のミラー２３の位置決めを非常に精密で安定した方式で制御すること、特に調整することが可能であるように、個々のミラー２３を第１の群に割り当て戻すことを特に有利とすることができる。

図１２における個々のミラー２３の実施形態は、一例であることを理解しなければならない。ミラーアレイ２２の個々のミラー２３の実際の個数は有意に多いとすることができる。ミラーアレイ２２の個々のミラー２３の全体個数に対する第２の群の個々のミラー２３の百分率は最大でも１０％しかなく、特に０．１％から１０％の範囲、特に１％から１０％の範囲、特に３％から５％の範囲に収まる。要件に基づいて、ミラーアレイ２２の個々のミラー２３の個数に対する第２の群の個々のミラー２３の百分率は、より高いとすることができる。原理的には、この百分率は最大で１００％とすることができる。

第１の群の個々のミラー２３は、少なくとも１ｍｒａｄ、特に少なくとも５００μｒａｄ、特に少なくとも２００μｒａｄ、特に少なくとも１００μｒａｄ、特に少なくとも５０μｒａｄの精度で位置決め可能である。特に、これらの個々のミラー２３は、１：１００よりも高い、特に１：３００よりも高い、特に１：５００よりも高い、特に１：１０００よりも高い、特に１：２０００よりも高い相対精度で変位可能である。

これらの個々のミラー２３は、最大で１００ｍｒａｄ、特に最大で２００ｍｒａｄ、特に最大で３００ｍｒａｄ、特に最大で５００ｍｒａｄの全体変位範囲を有する。第１の群の個々のミラー２３の全体変位範囲は、特に少なくとも１０ｍｒａｄ、特に少なくとも２０ｍｒａｄ、特に少なくとも３０ｍｒａｄ、特に少なくとも５０ｍｒａｄとすることができる。

第２の群の個々のミラー２３は、非常に短い切り換え時間で変位可能である。初期位置から定められた最終位置まで第２の群の個々のミラー２３を変位させるための切り換え時間は、特に１００ｍｓよりも短く、特に５ｍｓよりも短く、特に２ｍｓよりも短く、特に１ｍｓよりも短く、特に５００μｓよりも短く、特に２００μｓよりも短い。下記では、第２の群の個々のミラー２３を高速の個々のミラー２３とも呼ぶ。

第２の群の個々のミラー２３は、第１の群の個々のミラー２３よりも小さい全体変位範囲を有することができる。第２の群の個々のミラー２３の全体変位範囲は、特に５０ｍｒａｄよりも短く、特に３０ｍｒａｄよりも短く、特に２０ｍｒａｄよりも短く、特に１０ｍｒａｄよりも短いとすることができる。これは、第２の群の個々のミラー２３の迅速な変位に役立つ。

第１の群の個々のミラー２３を変位させる及び／又は配置するために、制御ループを用いた起動が与えられる。特に、第１の群の個々のミラー２３は、フィードバックを用いて配置される。この場合に、特に位置決めの不正確性を制御ループを用いて補正することができる。

第２の群の個々のミラー２３は、純粋なフォワード−カプル式制御（フィードフォワード制御）を用いて変位される。特に、第２の群の個々のミラー２３は、フィードバックを用いずに位置決め及び／又は変位される。その結果、第２の群の個々のミラー２３を変位させるのに必要とされる切り換え時間が実質的に短縮される。

２つの群の個々のミラー２３は、変位に向けて同一の回路を有することができる。特に、ミラーアレイ２２の全ての個々のミラー２３は、その位置決め及び／又は変位に向けて制御ループ、すなわち、フィードバックを有することができる。これらの制御ループの各々は、柔軟な方式で起動可能かつ停止可能にすることができる。その結果、特に、２つの群への個々のミラー２３の割り当てを修正するために、特に投影露光装置１を作動させる時にこの割り当てを修正するために、この割り当てを柔軟に選択することができる。

第２の群の個々のミラー２３の可能な最大の切り換え経路又は与えられる最大の切り換え経路を短縮することにより、第１に切り換え時間を更に短縮することができ、第２に第２の群の個々のミラー２３の位置決めの絶対精度を予め決められた制限値の範囲に保つことができる。特に、第２の群の個々のミラー２３も、１０ｍｒａｄよりも高い、特に５ｍｒａｄよりも高い、特に２ｍｒａｄよりも高い、特に１ｍｒａｄよりも高い絶対精度で位置決め可能であることを保証することができる。

更に、短縮された切り換え経路により、電子回路から系内への大きい熱負荷の進入を回避することができる。

第２の群の個々のミラー２３の全体変位範囲を短縮することにより、これらの個々のミラー２３の熱均衡を改善することができる。全体変位範囲を短縮することにより、特に高速変位に必要とされるスルーレートを低減し、従って、バイアス電流を低減することが可能になる。その結果、電力ｄｉｓｓｅｒｔａｔｉｏｎを低減することができ、従って、特に熱ｄｉｓｓｅｒｔａｔｉｏｎを低減することができる。

特に、ミラーアレイ２２におけるマイクロミラー２３の配置は、第１に、物体視野５の各領域が照明放射線１０の走査積分強度に関して十分に調整可能であり、同時に第２に、ミラーアレイ２２の構造的、技術的な実現が簡易化されるように選択することができる。

下記では、ファセットミラー６２を設計する方法を図２０を参照して説明する。

最初に、準備段階９０において、ファセットミラー６２が与えられる。その後に選択段階９１において、物体視野５を照明するための少なくとも１つの照明設定が予め決定される。

第１の決定段階９２において、照明設定を設定するのに必要とされる照明チャネル、すなわち、第２のファセット６９への第１のファセット６８の割り当てが決定される。

その後に第２の決定段階において、レチクル２９における幾何学形状及び／又は部分視野照明が決定される。

その後の第３の決定段階において、ファセットミラー６２上で対応する原像の幾何学形状が決定される。

その後に配置段階９５において、これらの原像がファセットミラー６２上に配置される。特に、これらの原像は、ファセットミラー６２上で照明の可能な限り高い充填密度及び／又は充填効率が生じるようにファセットミラー６２に配置される。

その後の第４の段階９６において、第２の群に割り当てられる高速の個々のミラー２３の比率が決定される。

試験段階９７において、レチクル２４の照明が試験される（サンプリング）。

その後に決定段階９８において、高速ミラー２３の比率が十分であるか否かに関する決定が行われる。この比率が十分ではなかった場合に、本方法は、別の配置段階９５を用いて継続される。高速の個々のミラー２３の比率が十分であった場合に、物体視野５の照明９９を開始することができる。

配置段階９５中に、異なる照明設定を考慮することも可能である。この場合に、選択段階９１において複数の照明設定が選択される。その後の段階は相応に適応化される。

好ましくは、高速の個々のミラー２３は、一般的に第１のファセットミラー６２上の設定に依存するファセット６８の配置に関してこれらの高速の個々のミラー２３の配置がロバストであるようにミラーアレイ２２に配置される。そのような配置は、図２０に略示す方法を用いて求めることができる。

第２のファセットミラー６３が瞳ファセットミラーである場合に、特に第２のファセットミラー６３のファセット６９を切り換えることが意図されない場合に、チャネル数は設定に依存しない。この場合に、図２０に略示す工程を１回だけ実行するだけで十分である。一般的には、この工程を複数回実行することができる。これは、特に第１のファセットミラーを鏡面反射器との組合せで設計する場合であれば有利である。

特に、高速ミラーは、ミラーアレイ２２内で直線に沿って配置することができる。高速ミラー２３の比率が予め決定され、個々のミラー２３の全数及び第１のファセットミラー６２の第１のファセット６８の個数が既知である場合に、ミラーアレイ２２内の高速の個々のミラー２３の行密度を決定することができる。

鏡面反射器の場合に、第１のファセットミラー６２内のファセット６８の配置は、各照明設定に対して変化する。この場合に、上述の方法は、各個々の照明設定に対して実施される。この場合に、高速の個々のミラー２３の配置は、広域最適化法を用いて有利に決定される。それに対する代替として、第１のファセットミラー６２上のファセット６８の配置を各設定に対して再定義することができる。

高速の個々のミラー２３の有利な配置を図１３から図１５に基づいて下記で説明する。

図１３及び図１４では、第１のファセットミラー６２上に部分視野６６を例示的に描示している。例示的に描示する部分視野６６は、視野ファセット１３ａに対応する。部分視野６６は、各々、これらの図には詳描していないミラーアレイ２２の個々のミラー２３から構成される。図１３から図１５は、ミラーアレイ２２による視野ファセット１３ａのカバレージを略示している。この場合に、ミラーアレイ２２上の線８８は、高速の個々のミラー２３の配置、すなわち、ミラーアレイ２２の第２の群の個々のミラー２３の配置を特徴付ける。

２つの図は、鏡面反射器内の２つの異なる照明設定に対する視野ファセットの配置を例示的に示している。各設定に対するパズリングは、異なっている。

図１３及び図１４に描示する例では、高速の個々のミラー２３の各々は、ミラーアレイ２２の中心線に沿う行列に配置される。

ミラーアレイ２２は、その行列が視野ファセット１３ａの長手方向６７に対して捻れ状態になるように配置される。ミラーアレイ２２の個々のミラー２３の行列は、視野ファセット１３ａの長手方向６７と、特に１０°から８０°の範囲、特に３０°から６０°の範囲の角度を含む。ミラーアレイ２２の個々のミラー２３の行及び／又は列は、視野ファセット１３ａの長手方向６７と、特に３７°の角度又は４５°の角度を含むことができる。

図１５は、第１のファセットミラー６２の一部分の区画拡大図を例示的に描示し、更にファセット６８からレチクル２４までのビーム経路を例示的に描示している。第１のファセットミラー６２のファセット６８は、簡略化の理由から図１５にはより詳細には描示していない第２のファセットミラー６３のファセット６９を通して物体平面６内の像７０に結像される。ファセット６８は、物体視野５のうちでレチクル２４の寸法よりも小さい領域内に像７０をもたらす。

ファセット６８は、ファセット６９と合わさって照明チャネルを定める。

図１５に例示的に描示するように、高速の個々のミラー２３は、物体平面６内のこれらのミラー２３の像がｙ方向に対して斜方に、すなわち、走査方向に対して斜方に延びるように配置される。それによって達成することができることは、物体視野５の領域内の照明放射線１０の強度分布を補正する目的、及び／又は像視野８内の照射量を変更するための特にウェーハ６４を露光するための放射線照射量を適応させる目的で高速の個々のミラー２３を使用することができることである。特に、高速の個々のミラー２３は、物体視野５の領域内の走査積分強度を補正するために使用することができる。第２の群の個々のミラー２３を迅速に変位させることにより、特に、ウェーハ６４上の視野（ダイ）を露光するための意図するプロファイルを設定すること及び／又は適応化することができる。特に、ウェーハ６４上の２つの異なる視野の露光間で第２の群の個々のミラー２３を変位させることができる（ダイ間変位）。その結果、露光されるウェーハ上の異なる視野間の予め決められた差、特にこの差に少なくとも部分的に、特に完全に関連する系統的誤差を補償することができる。

ミラーアレイ２２における高速の個々のミラー２３のターゲットを定めた配置及び／又は第１のファセットミラー６２上でのミラーアレイ２２のアラインメントの結果として、かつターゲットを定めたチャネル割り当て、すなわち、第２のファセットミラー６３のファセット６９への第１のファセットミラー６２のファセット６８のターゲットを定めた割り当ての結果として、物体視野５の領域内、特にレチクル２４の領域における照明放射線１０の調整可能性に目標を定めた方式で影響を及ぼすこと、特にそれを最適化することが可能である。

高速の個々のミラー２３を変位させることにより、特に、照明放射線１０を物体視野５、特にレチクル２４に向けられるビーム経路に結合すること、及び／又はこのビーム経路から脱結合することが可能である。言い換えれば、高速の個々のミラー２３を傾斜させることにより、物体視野５の領域内、特にレチクル２４の領域内の照明放射線１０の強度分布に目標を定めた方式で影響を及ぼすこと、特にそれを調整することが可能である。これは、特に走査積分強度に関連している。

従って、高速の個々のミラー２３を傾斜させること、特に切り換えることにより、特に、像視野８の領域内の照明放射線１０の照射量を調整することができる。

上述のコレクター変形のうちの１つを有する投影露光装置１を使用する場合に、レチクル２４と、照明光１０に対して感光性を有するコーティングを有するウェーハとが与えられる。次いで、レチクル２４の少なくとも１つの部分が、投影露光装置１を用いてウェーハ上に投影される。レチクル２４をウェーハ上に投影するときに、レチクルホルダ及び／又はウェーハホルダを物体平面６又は像平面９と平行な方向に変位させることができる。レチクル２４及びウェーハの変位は、好ましくは、互いに同期する方式に実施することができる。最後に、照明光１０によって露光されたウェーハ上の感光層が現像される。こうして微細構造化又はナノ構造化構成要素、特に半導体チップが生成される。

本発明の更に別の態様を図１６から図１９を参照して下記で説明する。

これらの図には、第２のファセットミラー６３の一部分のファセット６９を例示的に描示している。特定の照明設定に使用されないファセット６９を中空リング７４を用いて例示的に描示している。照明設定に使用されるファセット６９をハッチング付き円７５として描示している。

図１６から図１８では、明瞭化の目的で、下記で更に詳細に説明するターゲットファセット７１を塗り潰し記号で描示している。正方形記号は、下記で更に詳細に説明するパークファセット７３を例示的に再現している。

第１のファセット６８の変位、特にその個々のミラーの変位は、第２のファセットミラー６３上の第１のファセット６８の像の対応する軌道をもたらすので、下記では、第２のファセットミラー６３の領域内の第１のファセットミラー６２のファセット６８の像の位置を簡易的にそれぞれのファセット６８の位置、特にその個々のミラーの位置とも呼ぶ。

本発明の一態様により、高速の個々のミラー２３を物体視野５の照明、特に強度分布の照射量制御、特に高速照射量制御、すなわち、高速変更に使用することができるようになっている。この目的に対して利用することは、個々のミラー２３を第１にこれらのミラー２３が物体視野５の照明に寄与するように配置することができること、第２にこれらのミラー２３を特に散乱光又は迷光のいかなる手法にもよらずに物体視野５の照明に寄与しないように配置することができることである。高速の個々のミラー２３は、ウェーハ６４の露光中にそのような位置の間で出入りするように切り換えることができる。

特に、明らかになったことは、第１のファセットミラー６２が多数の個々のミラー２３、特にマイクロミラーを含むことにより、これらの個々のミラー２３を照射量マニピュレータとして使用することが可能になるということである。いわゆるフィンガＵＮＩＣＯＭを省くことができる。

２つの視野（ダイ）の照明間での物体視野５内の照明放射線１０の強度プロファイルの変更は、数十ｍｓの切り換え時間を必要とする。そのような急速切り換え機能は、本発明による高速ミラー２３を用いて可能である。特に、高速の個々のミラー２３の切り換え時間は、ちょうど露光し終えた視野から次のものにウェーハ６４を駆動するのに必要とされる時間よりも短い。

高速の個々のミラー２３を使用すると、露光中に局所照射量を適応化することも可能である（ダイ内調整）。

ｙ−ＲｅＭａ機能も可能である。特に、照明視野とも呼ぶ物体視野５の実照明領域のサイズを露光中に修正することができる。その結果、調節可能視野絞り、特にいわゆるレチクル遮蔽絞り（ＲｅＭａ絞り）の機能を達成することができる。高速の個々のミラー２３を変位させることにより、走査工程中に特に走査方向に照明視野を拡大し、再び縮小することができる。個々のミラー２３を変位させることにより、走査方向、すなわち、ｙ方向の照明視野の寸法が走査工程の開始時に連続的に増大し、かつ走査工程の終了時に再び縮小することを保証することができる。これに関する更なる詳細に関しては、ＤＥ １０ ２０１２ ２１３ ５１５ Ａ１、特に段落［００７２］から［００８５］を参照されたい。

個々のミラー２３を変位させる時に、第１のファセットミラー６２のファセット６８の切り換えられる個々のミラー２３を物体視野５又はその近傍に望ましくない方式で結像する第２のファセットミラー６３のファセット６９が切り換え軌道上に遭遇しないことが各場合に保証される。特に、切り換え軌道上にある個々のミラー２３が、像視野内のウェーハ６４の露光に寄与しないことが保証される。

下記では、切り換え工程に対する切り換え時間をどのように短縮することができるかということ、及び／又は第２のファセットミラー６３の望ましくないファセット６９の照明をどのように防ぐことができるかということのいくつかの変形を例示的に示している。

物体視野５を照明するときに、すなわち、レチクル２４をウェーハ６４上に結像するときに、第１のファセットミラー６２の各ファセット６８に対して、当該ファセット６８によって反射される照明放射線１０を各場合に物体視野５に案内しようと意図する上で使用する第２のファセットミラー６３上の１又は２以上のターゲットファセット７１を決定することができるようになっている。図１６から図１８では、そのようなターゲットファセット７１を塗り潰し円で例示的に描示している。

対応するチャネル割り当てをもたらす、すなわち、個々のミラー２３又はファセット６８からターゲットファセット７１への照明放射線１０の案内をもたらす第１のファセットミラー６２上のファセット６８の位置決めをターゲット位置とも呼ぶ。

ファセット６８が多数の個々のミラー２３によって形成されることを思い出さなければならない。下記でファセット６８の位置に言及する場合に、この位置は、各場合に当該ファセット６８を形成する個々のミラー２３の位置を意味すると理解しなければならない。特に、ファセット６８のターゲット位置は、各場合にそれぞれのファセット６８を形成する個々のミラー２３のターゲット位置を意味すると理解しなければならない。この場合に、照明特性の高速微調整に向けて、予め決められたファセット６８を形成する個々のミラー２３のうちの個々のものは、個々のベースでオンにするか、オフにするか、又は切り換えることができる。特に、これらの個々のミラー２３は、ターゲット位置に入るように、又はターゲット位置から出るように、又は２つのターゲット位置の間で変位させることができる。

物体視野５の予め決められた所期照明に向けて、そのようなターゲット位置、すなわち、変位位置が、第１のファセットミラー６２のファセット６８に対して決定される。

更に、第１のファセットミラー６２のファセット６８に対して、ファセット６８を変位させて入れてはならない禁止位置を各場合に決定することができる。例示的に強調表示したターゲットファセット７１を有するファセット６８に対する第２のファセットミラー６３上の関連禁止位置７２を各場合に小さい×で例示的に表している。禁止位置も、各場合にそれぞれのファセット６８の個々のミラー２３の全てに関連している。

更に、これらの図には、各ターゲットファセット６１に関して、いわゆるパークファセット７３を各場合に正方形記号を用いて表記している。一般的に、少なくとも第１のファセット６８の部分集合に対して、関連ターゲット位置からそれぞれ分離されるが、最大で最大距離ｄ_maxの場所にある少なくとも１つのパーク位置を各場合に決定することができるようになっている。描示する例では、パーク位置と関連ターゲット位置の間の距離ｄは、ちょうどファセット直径１つ分である。言い換えれば、パークファセット７３は、厳密にターゲットファセット７１に隣接するファセット６９である。パーク位置も、各場合に予め決められたファセット６８の個々のミラー２３の全てに関連している。しかし、従来、予め決められたファセット６８を形成する個々のミラー２３の部分集合のみがパーク位置内に変位される。

原理的には、予め決められたファセット６８を形成する全ての個々のミラー２３を同じパーク位置に変位させることができる。有利なことに、予め決められたファセット６８を形成する個々のミラー２３は、オフにするために異なるパーク位置に分散されるように提供される。その結果、パークファセット７３上の熱負荷を低減することができる。特に、熱負荷を異なるパークファセット７３に可能な限り均一に分散させることができる。

物体視野５を照明するときに、第１のファセット６８の個々のミラー２３の部分集合は、パーク位置に位置決めされるように提供される。パーク位置は、各場合に予め決められたターゲット位置から最大でも最大距離ｄ_maxの距離のみを有するので、これらの個々のミラー２３をそれぞれのターゲット位置に非常に短い切り換え経路で追加し、すなわち、変位させることができる。特に、個々のミラー２３は、非常に短い切り換え時間で追加することができる。

第１のファセットミラー６２の第１のファセット６８の個々のミラー２３のうちの１つをパーク位置から関連のターゲット位置内に、又はそれとは逆にターゲット位置からパーク位置に変位させるための切り換え時間は、特に最大で２００ｍｓ、特に最大で１００ｍｓ、特に最大で５０ｍｓ、特に最大で２０ｍｓ、特に最大で１０ｍｓ、特に最大で５ｍｓ、特に最大で２ｍｓ、特に最大で１ｍｓ、特に最大で５００μｓ、特に最大で２００μｓ、特に最大で１００μｓである。

図１６から図１８には、パーク位置からターゲット位置への又はその逆の第１のファセット６８の個々のミラー２３のそのような高速変位に対する変位経路７６を実線で表記している。

これらの図には、より低速の変位に対する変位経路７７を破線で例示的に描示している。

低速変位は、２００ｍｓよりも大きい切り換え時間、特に最大で１ｓ、特に最大で２ｓ、特に最大で５ｓの切り換え時間で実施することができる。低速変位は、非常に正確に実施することができる。特に、低速変位は、１：１０００よりも高い相対精度で実施することができる。第１のファセットを変位させる時の絶対精度は、１ｍｒａｄよりも高い、特に５００μｒａｄよりも高い、特に２００μｒａｄよりも高い、特に１００μｒａｄよりも高い、特に５０μｒａｄよりも高いとすることができる。これは、特に低速位置決めに適用される。

短い距離に起因して、個々のミラー２３の高速変位には１％から１０％の範囲の相対精度で十分である。その結果、非常に短い切り換え時間の実現が有意に簡易化される。

特にウェーハ６４が露光されない段階中に、個々のミラー２３、特に照射量を設定するために設けられた個々のミラー２３を設けられたパーク位置のうちの１つに変位させることができる。これらの個々のミラー２３は、ウェーハ６４は露光されるが、これらの個々のミラー２３がこの露光に寄与しない段階中にパーク位置のうちの１つに変位させることができる。この工程では、これらの個々のミラー２３が変位中に禁止位置７２のいかなる場所も取らないことが保証される。特に、これらの個々のミラー２３が、そのような変位中に禁止位置７２から最小距離ｄ_minを遵守することを保証することができる。

全ての個々のミラー２３のターゲット位置は、これらのターゲット位置が、各場合に最も近い禁止位置７２から少なくともファセット直径１つ分だけ、特に少なくともファセット直径２つ分又は３つ分の最小距離ｄ_minだけ分離されるように選択及び／又は構成される。

各ターゲット位置に対して、十分に多くの、特に少なくとも１つ、特に少なくとも２つ、特に少なくとも３つ、特に少なくとも６つの近接パークファセット７３が存在する。

特に、ターゲットファセット７１は、パークファセット７３によって完全に取り囲まれる。特に、ターゲットファセット７１は、最も近い禁止位置７２から離して配置される。特に、ターゲットファセット７１は、最も近い禁止位置７２から少なくともファセット直径１つ分、特にファセット直径２つ分又は３つ分の最小距離ｄ_minを有する。

図１７は、第１のファセット６８のうちの１つが、関連のパークファセット７３を有する２つの異なるターゲットファセット７１に割り当てられた変形を例示的に描示している。

実線は、ここでもまた、ファセット変位に対する変位経路７６を描示している。例示的に描示するように、対応する第１のファセット６８の個々のミラー２３は、迅速に追加するか又はオフにすることだけができず、２つのターゲットファセット７１の間で迅速に切り換えることは前と同じく可能である。同様に、個々のミラー２３を１つのターゲットファセット７１のパークファセット７３から他のターゲットファセット７１に迅速に切り換えることができ、又はその逆も同じく可能である。

図１８は、第１のファセットミラー６２の個々のミラー２３の変位速度が、図１７に描示する例示的実施形態におけるものよりも遅い事例を略示している。図１８に描示する事例では、対応する第１のファセット６８の個々のミラー２３、特に同じものの個々のミラー２３をパーク位置と関連のターゲット位置との間で出入りするように迅速に切り換えることはできるが、２つのターゲット位置の間の迅速な切り換えは可能ではない。

２つのターゲットファセット７１の間の直接切り換えは、図１８に描示する例示的実施形態では可能ではない。これは、高い精度に関して有利とすることができる。

下記では、第１のファセット６８、特にその個々のミラー２３を設定する時間的進行を図１９に記載の流れ図に基づいて前と同じく例示的に示している。

最初に、第１の準備段階７８において、結像されるレチクル２４が与えられる。

その後に規定段階７９において、物体視野５、特にレチクル２４の意図する照明が予め決定される。レチクル２４の基準照明とも呼ぶ意図する照明は、特に、視野寸法、視野形態、及び照明放射線１０の角度分布を決定する。この照明は、投影露光装置１の特性、特に照明系２及び／又は投影光学ユニット７の特性に関する現在の最良の把握情報に対処しながら計算及び調節される。この目的のために、計算及び調節段階８０が設けられる。計算及び調節段階８０は、第１のファセット６８、特にその個々のミラー２３に対するターゲット位置を予め決められた所期照明に依存する方式で決定する段階を含む。更に、調節段階８０は、第１のファセット６８、特にその個々のミラー２３を対応するターゲット位置に変位させる段階を含む。第２のファセット６９が切換可能ファセットである場合に、これらのファセットの法線が、第１のファセットの像が物体視野５内に収まるように更に計算及び調節される。

その後に第２の準備段階８１において新しいウェーハ６４が与えられる。

その上で測定段階８２において、レチクル２４の領域及び／又はウェーハ６４の領域内の照明放射線１０の分布が決定される。この目的のために適切なセンサが設けられる。測定段階８２は、第２の準備段階８１の前に実施することができる。

特に、測定段階８２では、ウェーハ６４における照明放射線１０の強度プロファイル、均一性、楕円率、テレセントリック性、又は角度分布のような特性を測定することができる。

一般的に、測定段階８２で確立された実際の照明は、予め決められた所期照明からある一定の偏差だけずれている。この偏差は、第１のファセット６８又はその個々のミラー２３の部分集合を切り換えることによって補正することができる。この目的のために、決定段階８３において、最初に補正ミラーとして機能すべき個々のミラー２３が決定される。特に、上述の高速の個々のミラー２３が補正ミラーとして機能する。

補正ミラーを決定する際に更に考慮されることは、ウェーハ６４上の各視野が個々の強度プロファイルを必要とすることである。決定段階８３は、この目的のために切り換えるべき第１のファセット６８、特にその個々のミラー２３を決定する段階を含む。この決定段階において、特に予め確立されたか又は与えられたウェーハに関する情報、特にこのウェーハの面にわたる特性の変動、特に露光されるウェーハ６４の異なる視野間の変化に関する情報を考慮することが可能である。特に、露光されるウェーハ６４上の視野の各々のものに対して、特に２つの視野の連続露光間で不使用時間にわたってオンにするか、オフにするか、又は切り換えること（ダイ間変位）が意図される補正ミラーを決定することを可能にすることができる。対応する切り換えプロトコルを制御デバイス、特に制御デバイスのメモリに格納することができる。対応する切り換えプロトコルは、ウェーハ６４の露光中に自動方式で呼び出して実行することができる。

更に、決定段階８３は、切り換えるべき第１のファセット６８、特にその個々のミラー２３に対する禁止位置７２を確立する段階を含むことができる。原理的には、禁止位置７２は、計算及び調節段階８０の前に予め予め定めることができる。しかし、実際の系では、許可位置及び特に禁止位置７２を検証することを有利とすることができる。

その後に露光段階８４において、ウェーハ６４上の視野が露光される。

全体ウェーハ６４を露光するために、多数の露光段階８４が設けられる。この場合に、ウェーハ６４上のそれぞれ１つの視野（ダイ）が、走査方式又は段階的方式で露光される。視野の露光中、又は２つの視野の露光間の一時停止中に高速切り換え工程８５を実施することができる。この場合に、第１のファセット６８の予め決められた個々のミラー２３が、予め決められた第２のファセット６９上に、又はそこから切り換えられる。第１のファセット６８の予め決められた個々のミラー２３を異なる第２のファセット６９の間で切り換えることができる。高速切り換え工程８５に対する初期点又はターゲット点は、各場合に予め決められたパーク位置、すなわち、パークファセット７３、又は別のターゲット位置、すなわち、別のターゲットファセット７１である。特に、高速切り換え工程８５は、最大でも２００ｍｓ、特に最大でも１００ｍｓ、特に最大でも５０ｍｓ、特に最大でも２０ｍｓ、特に最大でも１０ｍｓ、特に最大でも５ｍｓ、特に最大でも２ｍｓ、特に最大でも１ｍｓ、特に最大でも５００μｓ、特に最大でも２００μｓ、特に最大でも１００μｓの切り換え時間しか必要としない。

切り換え経路は非常に短い。特に、切り換え経路は、最大でも３０ｍｒａｄ、特に最大でも１０ｍｒａｄ、特に最大でも３ｍｒａｄしかない。

短い切り換え経路を実現することができるように、追加される第１のファセット６８、特にその個々のミラー２３が、これらが使用されていない時間にそれぞれのパーク位置内に変位される。この目的のために、更に別の切り換え工程８６が設けられる。この切り換え工程８６中に適切な変位軌道、特に全ての禁止位置７２を回避する変位軌道が選択される場合に、切り換え工程８６をウェーハ６４の露光中にも同じく実施することができる。

更に、測定及び調整工程８７において、ファセット６８、特にその個々のミラー２３、特にその位置を測定することができる。これは、特に変位したファセット６８、特にその個々のミラー２３において提供される。特に、測定及び調整工程８７は、制御ループを使用することができる。特に、制御ループは、反復的に実行することができる。その結果、切り換えられたファセット６８の精度は、残りのファセット６８の精度に比較的長い時間間隔にわたって連続的に再度適合させることが可能である。

ウェーハ６４の露光後に、レチクル２４は、更に別のウェーハ６４上に結像することができる。この目的のために、測定段階８２と、それに続く補正ミラーを決定するための決定段階８３とは、繰り返されるように提供される。この場合に、次のウェーハ６４の視野の細かい補正を計算することができ、相応にファセット６８、特にその個々のミラー２３の位置を適応化することができる。

例えば、新しいレチクル２４を使用することが意図されるという理由からレチクル２４の所期照明に基本的な変更がある場合に、上述の手順が再開される。

６３ 第２のファセットミラー
７１ ターゲットファセット
７２ 禁止位置
７３ パークファセット
７６ 高速変位に対する変位経路

本発明の更に別の態様により、第１のファセットの個々のミラーの部分集合のみが物体視野の照明中に変位される。特に、物体視野の照明中に第１のファセットの個々のミラーの最大で１０％、特に少なくとも０．１％、特に少なくとも１％、特に３％から５％までが変位される。ここで、ファセットの個々のミラーは、パーク位置からターゲット位置に変位させることができ、すなわち、それらは、追加することができる。それらはまた、ターゲット位置からパーク位置の中へと変位することができ、すなわち、オフにすることができる。それらはまた、ターゲット位置から別のターゲット位置の中へと変位することができ、すなわち、切り換えることができる。第１のファセットの個々のミラーは、特に物体視野の２つの照明間で変位させること、すなわち、切り換えることができる。特に、これらの個々のミラーは、２つのダイの照明間（ダイ間）又は単一ダイの照明中（ダイ内）に変位させることができる。

構成要素４０は、担持構造４３の後側４９に電気インタフェース５５を有する。特に、インタフェース５５は全て、ミラーアレイ２２と反対に位置する担持構造４３の後側４９に配置される。原理的には可能である横接点を完全に省くことができる。従って、信号フロー内でも「影付け原理」が認識される（図７を参照されたい）。その結果、構成要素４０の構成要素部品と、構成要素４０内の信号フロー及び熱フローの両方の向きが、面法線４１の方向に定められる。従って、構成要素４０は垂直統合を有する。

第２の群の個々のミラー２３の全体変位範囲を短縮することにより、これらの個々のミラー２３の熱均衡を改善することができる。全体変位範囲を短縮することにより、特に高速変位に必要とされるスルーレートを低減し、従って、バイアス電流を低減することが可能になる。その結果、電力散逸を低減することができ、従って、特に熱散逸を低減することができる。

Claims (15)

1. 投影露光装置（１）の物体視野（５）を照明する方法であって、
   照明放射線（１０）を発生させるための照明デバイス（６１）を与える段階と、
   前記照明放射線（１０）を前記照明デバイス（６１）から物体視野（５）まで案内するための照明光学ユニット（４）を与える段階であって、該照明光学ユニット（４）が、
   多数の第１のファセット（６８；１３ａ）を有する第１のファセットミラー（６２；１３）と、
   多数の第２のファセット（６９；１４ａ）を有する第２のファセットミラー（６３；１４）と、
   を含み、
   前記第１のファセット（６８；１３ａ）の各々が、多数の変位可能な個々のミラー（２３）から形成され、
   前記第１のファセット（６８；１３ａ）の各々が、前記第２のファセット（６９；１４ａ）のうちの少なくとも１つに割り当てられて少なくとも１つの照明チャネルを形成することができる、
   前記与える段階と、
   前記物体視野（５）の所期照明を予め決める段階と、
   前記予め決められた所期照明に依存する方式で前記第１のファセット（６８；１３ａ）の前記個々のミラー（２３）のためのターゲット位置を決定する段階と、
   各場合に前記第１のファセット（６８；１３ａ）の前記個々のミラー（２３）のための少なくとも１つのパーク位置を決定する段階であって、該パーク位置の各々が、関連のターゲット位置から離間されるが、最大でも最大距離（ｄ_max）しか離間されない前記決定する段階と、
   前記第１のファセット（６８；１３ａ）の前記個々のミラー（２３）を位置決めする段階であって、該第１のファセット（６８；１３ａ）の該個々のミラー（２３）の部分集合が前記パーク位置に位置決めされる前記位置決めする段階と、
   を含むことを特徴とする方法。
2. 前記パーク位置に位置決めされた前記第１のファセット（６８；１３ａ）の前記個々のミラー（２３）は、該パーク位置から前記関連のターゲット位置内に最大でも２００ｍｓの切り換え時間内に変位可能であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. パーク位置に位置決めされた前記第１のファセット（６８；１３ａ）の前記個々のミラー（２３）の前記部分集合は、該第１のファセット（６８；１３ａ）の該個々のミラー（２３）の全体個数の０．１％から１０％を構成することを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか１項に記載の方法。
4. 前記ターゲット位置のうちの各１つが、パーク位置によって完全に取り囲まれることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の方法。
5. 禁止位置が、前記第１のファセット（６８；１３ａ）の少なくとも部分集合に対して決定され、この禁止位置内には、該第１のファセット（６８；１３ａ）の前記個々のミラー（２３）は、変位させることができないことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の方法。
6. 前記ターゲット位置は、各ターゲット位置が、最も近い禁止位置からの最小距離（ｄ_max）を有するように決定されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
7. 前記第１のファセット（６８；１３ａ）の前記個々のミラー（２３）の部分集合が、前記物体視野（５）の前記照明中に変位されることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の方法。
8. 前記物体視野（５）の実照明が、該物体視野（５）の前記照明中に決定され、
   前記所期照明からの前記確立された実照明の偏差の場合に、この偏差は、第１のファセット（６８；１３ａ）を変位させることによって低減される、
   ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の方法。
9. 請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の方法を実施するための照明光学ユニット（５）であって、
   ９．１．多数の第１のファセット（６８；１３ａ）を有する第１のファセットミラー（６３）と、
   ９．２．多数の第２のファセット（６９；１４ａ）を有する第２のファセットミラー（６３；１４）と、
   を含み、
   ９．３．前記第１のファセット（６８；１３ａ）の各々が、多数の変位可能な個々のミラー（２３）から形成され、
   ９．４．前記第１のファセット（６８；１３ａ）の各々が、それらが各場合に前記第２のファセット（６９；１４ａ）のうちの１つに割り当てられて照明チャネルを形成する少なくとも１つのターゲット位置内に変位可能であり、
   ９．５．前記第１のファセット（６８；１３ａ）の前記個々のミラー（２３）の少なくとも１つの部分集合が、各々が関連のターゲット位置から離間されるが、最大でも最大距離（ｄ_max）しか離間されない１又は２以上のパーク位置内に各場合に変位可能である、
   ことを特徴とする照明光学ユニット（５）。
10. マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明系（２）であって、
    請求項９に記載の照明光学ユニット（４）と、
    照明デバイス（６１）と、
    を含むことを特徴とする照明系（２）。
11. 請求項９に記載の照明光学ユニット（４）と、
    投影光学ユニット（７）と、
    を含むことを特徴とする投影露光装置（１）。
12. ウェーハ（６４）をリソグラフィ構造化する方法であって、
    請求項１１に記載の投影露光装置（１）を与える段階と、
    結像される構造を有するレチクル（２４）を物体平面（５）に配置する段階と、
    ウェーハを像平面に配置する段階と、
    照明系（２）を用いて前記レチクル（２４）を照明する段階と、
    前記投影露光装置（１）を用いて前記レチクル（２４）を前記ウェーハ（６４）の上に投影する段階と、
    を含み、
    第１のファセット（６８；１３ａ）の個々のミラー（２３）の部分集合が、前記ウェーハ（６４）の前記構造化中にパーク位置から関連のターゲット位置内に、又はターゲット位置から関連のパーク位置内に、又は１つのターゲット位置から別のターゲット位置内に変位される、
    ことを特徴とする方法。
13. 前記第１のファセット（６８；１３ａ）の前記個々のミラー（２３）の前記部分集合は、前記ウェーハ（６４）上の２つの連続視野の前記露光間の時間間隔中にパーク位置から関連のターゲット位置内に、又はターゲット位置から関連のパーク位置内に、又は１つのターゲット位置から別のターゲット位置内に変位されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
14. 微細構造化又はナノ構造化構成要素を生成する方法であって、
    感光材料からなる層が少なくとも部分的に付加された基板を与える段階と、
    結像される構造を有するレチクル（２４）を与える段階と、
    請求項１１に記載の投影露光装置（１）を与える段階と、
    前記投影露光装置（１）を用いて前記レチクル（２４）の少なくとも一部を前記基板の前記感光層の領域の上に投影する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
15. 請求項１４に記載の方法に従って生成された構成要素。

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