JP2015534132A - 投影露光装置に使用することができる出力ビームを発生させるためのｅｕｖ光源 - Google Patents

Abstract

ＥＵＶ光源（２）は、投影リソグラフィのための投影露光装置（１）のためのＥＵＶ照明光の使用可能出力ビーム（３）を発生させるように機能する。光源（２）は、ＥＵＶ生出力ビームを発生させるＥＵＶ発生デバイス（２ｃ）を有する。ＥＵＶ生出力ビームは、円偏光状態にある。使用可能出力ビーム（３）の偏光を設定する目的に対してかつ偏光方向に関して、偏光設定デバイス（３２；３９）は、生出力ビームに対して直線偏光効果を有する。これは、分解能−最適化照明に向けて改善された出力ビームを与えるＥＵＶ光源をもたらす。【選択図】図１

Description

ドイツ特許出願ＤＥ １０ ２０１２ ２１９ ９３６．５の内容が引用によって組み込まれている。

本発明は、投影リソグラフィのための投影露光装置に使用することができるＥＵＶ照明光の出力ビームを発生させるためのＥＵＶ光源に関する。本発明は、更に、そのような光源を有する照明系、そのような照明系を有する光学系、そのような光学系を有する投影露光装置、そのような投影露光装置を使用する微細構造化又はナノ構造化構成要素のための生成方法、及びこの方法を用いて生成される微細構造化又はナノ構造化構成要素に関する。

照明系を有する投影露光装置は、ＷＯ ２００９／１２１ ４３８ Ａ１から公知である。ＥＵＶ光源は、ＤＥ １０３ ５８ ２２５ Ｂ３から公知である。ＥＵＶ光源を知らしめる更に別の文献は、ＷＯ ２００９／１２１ ４３８ Ａ１に見出すことができる。更に、ＥＵＶ照明光学ユニットは、ＵＳ ２００３／００４３３５９ Ａ１及びＵＳ ５，８９６，４３８から公知である。偏光ＥＵＶ光及び幾何学的偏光回転を発生させるための変形は、ＵＳ ６，９９９，１７２ Ｂ２及びＵＳ ２００８／０１９２２２５ Ａ１から公知である。

ＤＥ １０ ２０１２ ２１９ ９３６．５ ＷＯ ２００９／１２１ ４３８ Ａ１ ＤＥ １０３ ５８ ２２５ Ｂ３ ＵＳ ２００３／００４３３５９ Ａ１ ＵＳ ５，８９６，４３８ ＵＳ ６，９９９，１７２ Ｂ２ ＵＳ ２００８／０１９２２２５ Ａ１ ＵＳ ２０１１／０００１９４７ Ａ１ ＥＰ １ ２２５ ４８１ Ａ

Ｕｗｅ Ｓｃｈｉｎｄｌｅｒ著「電気的に切換可能なヘリシティーを有する超電導アンジュレータ（Ｅｉｎ ｓｕｐｒａｌｅｉｔｅｎｄｅｒ Ｕｎｄｕｌａｔｏｒ ｍｉｔ ｅｌｅｋｔｒｉｓｃｈ ｕｍｓｃｈａｌｔｂａｒｅｒ Ｈｅｌｉｚｉｔａｔ［Ａ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｕｎｄｕｌａｔｏｒ ｗｉｔｈ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｓｗｉｔｃｈａｂｌｅ ｈｅｌｉｃｉｔｙ］）」、Ｆｏｒｓｃｈｕｎｇｓｚｅｎｔｒｕｍ Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ ｉｎ Ｈｅｌｍｈｏｌｔｚ−Ｇｅｍｅｉｎｓｃｈａｆｔ、ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ｒｅｐｏｒｔｓ、ＦＺＫＡ ６９９７、２００４年８月

本発明の目的は、分解能−最適化照明に向けて改善された出力ビームが与えられるようなＥＵＶ光源を開発することである。

本発明により、この目的は、請求項１に明記されている特徴を有するＥＵＶ光源によって達成される。

本発明により、分解能−最適化照明には直線偏光ＥＵＶ照明光を特に良好に使用することができることが特定された。本発明による偏光設定デバイスは、そのような直線偏光ＥＵＶ照明光を使用可能出力ビームの形態で与える。最初に円偏光ＥＵＶ生出力ビームが発生されることに起因して、その結果は、最初に任意に事前定義可能な分極方位を有する直線偏光光を発生させるというオプションである。その結果は、この偏光設定に起因して可能な限り低い伝達率損失のみを有する偏光仕様である。光源のＥＵＶ発生デバイスは、アンジュレータとして具現化することができる。アンジュレータの偏向磁石は、変位可能方式で設計することができる。偏向磁石の変位は、アンジュレータ内に直線偏光使用可能出力ビームを発生させるために使用することができる。このＥＵＶ光源は、照明デバイス内の射出瞳を通して少なくとも局所的に直線偏光状態にある使用可能出力ビームによる照明視野の照明を実現するために使用することができる。特に、照明光学ユニットの下流の構成要素の使用の結果として、使用可能出力ビームによる照明視野のタンジェンシャル偏光照明（ＴＥ偏光）を達成することが可能である。タンジェンシャル偏光照明の場合に、使用可能出力ビームの直線偏光方向は、照明角度に関係なく常に照明視野上への入射平面に対して垂直な偏光状態にある。更に、このＥＵＶ光源は、偏光設定に起因する追加の伝達率損失がなくて済む直線偏光二重極照明を設定するために使用することができる。そのような直線偏光を有する二重極照明の場合に、照明視野は、各場合に直線偏光照明光による入射を受ける２つの主方向から照明される。

ＥＵＶ光源は、電子ビームを利用する設計を有することができ、例えば、自由電子レーザ（ＦＥＬ）に基づくＸ線ビーム源として設計することができる。これに代えて、ＥＵＶ光源は、プラズマ光源として具現化することができ、この場合に、ＥＵＶ放射線は、ドライバレーザを使用するか（ＬＰＰ光源）又はガス放電を使用するか（ＧＤＰＰ光源）のいずれかによって発せられる。請求項２に記載の電子ビームを利用するＥＵＶ光源の場合に、円偏光ＥＵＶ生出力ビームを効率的に発生させることができる。

ＥＵＶ光源は、３ｎｍと１５ｎｍの間の波長を有する放射線を発生させることができる。

請求項３に記載の設定デバイスは、特に制御された特定の直線偏光方向の指定を可能にする。偏光方向に関係なく同じ電力を有する使用可能出力ビームを与えることができる。

請求項４に記載の設定デバイスは、投影露光装置の照明視野を照明するためにＥＵＶ光源に続く照明光学ユニットに要求される要件を軽減する。両方のＥＵＶ偏向ミラーが、ＥＵＶ光のブリュースター入射角の領域内で作動される場合に、これは、特に良好な偏光コントラスト比を有する直線偏光ＥＵＶ照明光をもたらす。

請求項５及び請求項６に記載の実施形態は、設定デバイスの設計の変形を再度生成する。請求項５に記載の実施形態は、使用可能出力ビームの直線偏光された様々な偏光角をビームオフセットなしに指定することができる偏光設定を可能にする。３つ全てのＥＵＶ偏向ミラーは、ＥＵＶ照明光のブリュースター入射角の領域内で作動させることができるが、これは必須ではない。

請求項７に記載のＥＵＶ偏向プリズムは、小型方式で実現することができる。

請求項８に記載の実施形態は、ここでもまた改善された偏光コントラスト比のオプションを導く。

請求項９に記載の照明系、請求項１２に記載の光学系、請求項１３に記載の投影露光装置、請求項１４に記載の生成方法、及び請求項１５に記載の微細構造化又はナノ構造化構成要素の利点は、本発明によるＥＵＶ光源を参照して上述したものに対応する。光学系の投影光学ユニットの像側開口数は、０．４よりも大きくすることができ、かつ０．５よりも大きくすることができる。

偏光設定デバイスは、ＥＵＶ光源の構成要素とすることができるが、請求項１０によれば、それはまた、照明光学ユニットの構成要素とすることができる。円偏光入力光から少なくとも局所的に直線の偏光を発生させるために偏光を設定する一般原理は、使用可能出力ビームの光源側発生の場合又は他に照明光学ユニットを通じた生出力ビームの更に別の進行中の両方で実現することができる。

本発明の例示的実施形態を図面に基づいて下記でより詳細に説明する。

ＥＵＶ投影リソグラフィのための投影露光装置を概略的にかつ照明光学ユニットに関して子午断面に示す図である。 投影露光装置のＥＵＶ光源の偏光設定デバイスの２つの変形の一方を示す図である。 投影露光装置のＥＵＶ光源の偏光設定デバイスの２つの変形の一方を示す図である。 ＥＵＶ投影リソグラフィのための投影露光装置の更に別の実施形態を図１と類似の図に示す図である。 図４に記載の投影露光装置内に使用することができる偏光設定デバイスの子午断面を示す図である。 偏光設定デバイスの更に別の実施形態を示す図である。

マイクロリソグラフィ投影露光装置１は、微細構造化又はナノ構造化電子半導体構成要素を生成するように機能する。光源又は放射線源２は、例えば、３ｎｍと３０ｎｍの間、特に３ｎｍと１５ｎｍの間の波長領域のＥＵＶ放射線を放出する。光源２は、自由電子レーザ（ＦＥＬ）として具現化される。自由電子レーザは、非常に高い輝度を有するコヒーレント放射線を発生させるシンクロトロン放射線源である。そのようなＦＥＬが記載されている先行文献は、ＷＯ ２００９／１２１ ４３８ Ａ１に明記されている。例えば、利用することができる光源２は、Ｕｗｅ Ｓｃｈｉｎｄｌｅｒ著「電気的に切換可能なヘリシティーを有する超電導アンジュレータ（Ｅｉｎ ｓｕｐｒａｌｅｉｔｅｎｄｅｒ Ｕｎｄｕｌａｔｏｒ ｍｉｔ ｅｌｅｋｔｒｉｓｃｈ ｕｍｓｃｈａｌｔｂａｒｅｒ Ｈｅｌｉｚｉｔａｔ［Ａ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｕｎｄｕｌａｔｏｒ ｗｉｔｈ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｓｗｉｔｃｈａｂｌｅ ｈｅｌｉｃｉｔｙ］）」、Ｆｏｒｓｃｈｕｎｇｓｚｅｎｔｒｕｍ Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ ｉｎ Ｈｅｌｍｈｏｌｔｚ−Ｇｅｍｅｉｎｓｃｈａｆｔ、ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ｒｅｐｏｒｔｓ、ＦＺＫＡ ６９９７、２００４年８月、及びＤＥ １０３ ５８ ２２５ Ｂ３に記載されている。

ＥＵＶ光源２は、電子ビーム２ｂを発生させるための電子ビーム供給デバイス２ａとＥＵＶ発生デバイス２ｃとを有する。電子ビーム２ｂは、電子ビーム供給デバイス２ａによってＥＵＶ発生デバイス２ｃに供給される。ＥＵＶ発生デバイス２ｃは、アンジュレータとして具現化される。任意的に、アンジュレータは、変位によって調節することができるアンジュレータ磁石を有することができる。

光源２は、２．５ｋＷの平均電力を有する。光源２のパルス周波数は３０ＭＨｚである。次に、各個々の放射線パルスは、８３μＪのエネルギを保持する。１００ｆｓの放射線パルス長の場合に、この長さは、８３３ＭＷの放射線パルス電力に対応する。

投影露光装置１内の照明及び結像には、使用可能出力ビームとも呼ぶ使用可能放射線束３が照明光として使用される。使用可能放射線束３は、投影露光装置１の照明光学ユニット５に適合する開口角４の範囲で走査デバイス６を用いて放出される。光源２から進行して、使用可能放射線束３は、５ｍｒａｄよりも小さい発散を有する。走査デバイス６は、照明光学ユニット５の中間焦点面７に配置される。走査デバイス６の後に、使用可能放射線束３は、最初に視野ファセットミラー８上に入射する。

特に、使用可能放射線束３は、２ｍｒａｄよりも小さく、好ましくは１ｍｒａｄよりも小さい発散を有する。視野ファセットミラー８上の使用可能放射線束のスポットサイズは約４ｍｍである。

視野ファセットミラー８で反射された後に、視野ファセットミラー８の個々の視野ファセット（描写していない）に関連付けられた光線の光線束に再分割された使用可能放射線束３は、瞳ファセットミラー９上に入射する。瞳ファセットミラー９の図１には描写していない瞳ファセットは円形である。視野ファセットのうちの１つによって反射される使用可能放射線束３の光線の各光線束は、視野ファセットのうちの１つと瞳ファセットのうちの１つとを有する入射されるファセットの対が、使用可能放射線束３の光線の関連付けられた光線束に対する照明チャネル又はビーム案内チャネルを各場合に定めるように、これらの瞳ファセットのうちの１つに関連付けられる。視野ファセットに対する瞳ファセットのチャネル毎の割り当ては、投影露光装置１による望ましい照明に依存してもたらされる。従って、個々の照明角度を設定するために、出力ビーム３は、視野ファセットのうちのそれぞれ１つと瞳ファセットのうちのそれぞれ１つとから構成される一連の対にある照明チャネルに沿って経路指定される。それぞれ予め決められた瞳ファセットを作動させるために、視野ファセットミラーは各場合に個々に傾斜される。

視野ファセットは、瞳ファセットミラー９と、それに続く３つのＥＵＶミラー１０、１１、１２から構成される伝達光学ユニット１３とを用いて、投影露光装置１の投影光学ユニット１６のレチクル平面又は物体平面１５内の照明視野又は物体視野１４内に結像される。ＥＵＶミラー１２は、かすめ入射ミラーとして具現化される。

個々のファセット対によって設定される一連の個々の照明角度は、物体視野１４の照明の照明角度分布をもたらし、この照明角度分布は、走査デバイス６を用いた視野ファセットミラー８の視野ファセットの照明によってもたらされる全ての照明チャネルの走査積分を通して照明光学ユニット５によってもたらされる。

照明光学ユニット５の実施形態（描写していない）の場合に、特に投影光学ユニット１６の入射瞳の適切な位置の場合に、ミラー１０、１１、及び１２を割愛することも可能であり、使用可能放射線束３に対する投影露光装置１の伝達率の相応の増大を導く。

物体平面１５の物体視野１４の領域内には、使用可能放射線束３を反射するレチクル１７が配置される。レチクル１７は、レチクル変位ドライブ１９によって作動された時に変位させることができるレチクルホルダ１８によって支持される。

投影光学ユニット１６は、物体視野１４を像平面２１の像視野２０に結像する。投影露光中に、投影露光装置１を用いた投影露光中に露光される感光層を担持するウェーハ２２が、像平面２１に配置される。ウェーハ２２は、ウェーハホルダ２３によって支持され、更にウェーハホルダ２３は、ウェーハ変位ドライブ２４を用いて制御される方式で変位させることができる。

位置関係の説明を簡易化するために、下記ではｘｙｚ座標系を使用する。ｘ軸は、図１の作図面に対して垂直であり、かつこの面に向く。図１では、ｙ軸は右に延びている。図１では、ｚ軸は下方に延びている。投影露光装置１の全体描写では、ｚ方向は、像平面２１と垂直に延びている。光源２又は照明光学構成要素に関する描写では、ｚ方向は、ＥＵＶ光の主伝播方向に沿って延びている。

図１に記載の投影露光装置１では、照明光３のビーム経路内で視野ファセットミラー８は、第１のファセットミラーであり、瞳ファセットミラー９は、第２のファセットミラーである。ファセットミラー８、９は、その機能を交換することができる。従って、第１のファセットミラー８は、次に投影光学ユニット１６の瞳平面又はそれに対して共役な平面に配置される瞳ファセットミラーとすることができ、第２のファセットミラー９は、次に物体平面１５に対して光学的に共役な視野平面に配置される視野ファセットミラーとすることができる。

投影露光中に、レチクルとウェーハの両方は、レチクル変位ドライブ１９とウェーハ変位ドライブ２４の対応する作動によって同期方式で図１のｙ方向に走査される。投影露光中に、ウェーハは、ｙ方向に典型的に６００ｍｍ／ｓの走査速度で走査される。２つの変位ドライブ１９、２４の同期走査は、走査デバイス６の走査作動とは独立して行うことができる。

視野ファセットの長辺は、走査方向ｙに対して垂直である。視野ファセットのｘ／ｙアスペクト比は、同じく矩形設計又は湾曲設計を有することができるスリット形の物体視野１４のものに対応する。

走査デバイス６は、使用可能放射線束３をかすめ方式で反射し、かつ図１のｘ軸と平行に延びるライン走査軸２５の周りと、ライン走査軸２５に対して垂直であり、図１のｙｚ平面に位置するライン送り軸の周りとに傾斜させることができる走査ミラーである。両方の軸２５、２６は、走査デバイス６の反射ミラー面２７に位置する。

ＥＵＶ光源２は、生出力ビーム３０（図２を参照されたい）の偏光を設定するために、ＥＵＶ発生デバイス２ｃ内の電子ビーム２ｂに対して偏向効果を及ぼす生偏光設定デバイス２８を有する。生偏光設定デバイス２８は、アンジュレータ２ｃの偏向磁石２９の対応する配置によって実現される。これらの偏向磁石２９は、ＥＵＶ生出力ビーム３０が、図２に適切な偏光記号３１（円形矢印）に示す円偏光を有するように（図２を参照されたい）配置される。円偏光ＥＵＶ出力ビームを提供するための偏向磁石２９の対応する配置は、上記に既に言及したＳｃｈｉｎｄｌｅｒの参考文献に記載されている。アンジュレータのアンジュレータ磁石の任意的な調節可能性は、直線偏光ＥＵＶ光から円偏光ＥＵＶ光に切り換えるために目標を定めた方式で使用することができる。ここで、生偏光設定デバイス２８は、ＥＵＶ生出力ビーム３０の円偏光とＥＵＶ生出力ビーム３０の直線偏光の間の切り換えのための切り換えユニットとしても同時に機能する。

図１には、アンジュレータ２ｃの構成要素としての偏向磁石２９のうちの一部を略示している。

更に、ＥＵＶ光源２は、使用可能出力ビーム３の偏光を設定するために生出力ビーム３０に対する偏光方向に関して直線偏光効果を及ぼす偏光設定デバイス３２を有する。

図２は、偏光設定デバイス３２の変形を示している。偏光設定デバイス３２は、ブリュースター入射角の領域内で作動される第１のＥＵＶ偏向ミラー３３と、その下流に配置され、同じく生出力ビーム３０に対してブリュースター入射角の領域内で作動される更に別のＥＵＶ偏向ミラー３４とを有する。偏向ミラー３３の入射平面と偏向ミラー３４の入射平面とは一致する。

第２の偏向ミラー３４によって反射された使用可能出力ビーム３は、偏向ミラー３３の入射平面と垂直に、すなわち、図２のｘ軸と平行に直線偏光され、この直線偏光を適切な偏光記号３５（十字円）に示している。

これら２つの偏向ミラー３３、３４は、偏光設定デバイス３２の共通支持体３６により、詳しくは描写していない方式で支持され、互いに対して固定された状態で配置される。支持体３６は、回転ドライブ３７を用いて、偏光設定デバイス３２の第１の偏向ミラー３３上への生出力ビーム３０の入射軸と一致する回転軸３８の周りに回転させることができる。支持体３６の回転は、偏向ミラー３３、３４上への生出力ビーム３０の入射平面の対応する回転、及び使用可能出力ビーム３の直線偏光方向の対応する回転をもたらす。

第２の偏向ミラー３４での偏向の後に、使用可能出力ビーム３は、生出力ビームと同じ方向に伝播する。

図２に記載の偏光設定デバイス３２は、正確に２つの偏向ミラー３３、３４を有する。第２の偏向ミラー３４での偏向の後に、使用可能出力ビーム３は、生出力ビーム３０と平行に伝播する。

偏向ミラー３３及び３４での２回ブリュースター反射の結果として、設定された直線偏光と平行な偏光成分を有する使用可能出力ビーム３の強度のこの直線偏光に対して垂直な偏光成分の強度に対する関係において、これらの強度の間に非常に明確な比を有する使用可能出力ビーム３の直線偏光が得られる。

図３は、偏光設定デバイス３２の代わりに使用することができる偏光設定デバイス３９の変形を示している。図２を参照して上述したものに対応する構成要素を同じ参照符号で表記しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。

偏光設定デバイス３９は、ミラー面４０、４１、４２を有する３つのＥＵＶ偏向ミラーを有する。第１のミラー面４０及び第３のミラー面４２は、３つのミラーのうちの２つを組み合わせるＥＵＶ偏向プリズム４３の構成要素であり、このＥＵＶ偏向プリズムにおいて２つの長辺面がミラー面４０、４２として使用される。ミラー面４０から４２での反射は全て、図示の偏光設定デバイス３９の回転位置ではｙｚ平面と一致する同じ入射平面内で発生する。

ミラー面４０及び４２での反射、すなわち、偏向プリズム４３での反射は、ブリュースター入射角の領域内で発生する。ＥＵＶ偏向ミラー４４のミラー面４１での反射は、垂直入射の近くで発生する。これに代えて、ミラー面４０から４２での３回全ての反射は、６０°の領域内に入射角を有するように設計することができる。ブリュースター入射角は、４０°と４７°の間の領域、特に４５°の領域内にある。ミラー面４０から４２での多層反射層設計に基づいて、ブリュースター入射角は、４５°からずることができ、例えば、４３°とすることができる。

この場合に、２つのミラー面４０、４２の間の角度は、図３に記載の実施形態の場合のように９０°の領域内ではなく、１２０°の領域内にあることになる。

偏向プリズム４３と偏向ミラー４４は、ここでもまた支持体３６によって互いに支持される。

第３の偏向ミラー４２での反射の後に、使用可能出力ビーム３は、偏光設定デバイス３９の第１の偏向ミラー４０までの生出力ビーム３０の入射軸に沿って伝播する。従って、使用可能出力ビーム３の直線偏光方向を指定するための回転軸３８の周りの偏光設定デバイス３９の回転は、使用可能出力ビーム３のビームオフセットを導かない。

偏向プリズム４３の代わりに、ミラー面４０及び４２に従って向きが設定されたミラー面を有する互いから分離して配置された２つの個々のミラーを使用することができる。

また、３つよりも多いミラー面を有する偏光設定デバイスの更に別の変形を使用することも可能である。

上述の偏光設定デバイスの変形は、投影露光装置１の照明光学ユニット５の構成要素とすることができる。この変形を図４に略示している。図１から図３を参照して上述したものに対応する構成要素及び機能を同じ参照符号で表記しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。この実施形態において、ＥＵＶ光源２は、円偏光ＥＵＶ生出力ビーム３０を発生させる。次いで、この円偏光ＥＵＶ生出力ビーム３０は、偏光設定デバイス４４によって直線偏光され、それによって直線偏光使用可能出力ビーム３がもたらされる。次に、このビームは、上述したように物体視野１４のタンジェンシャル偏光照明をもたらすことができる。

図４の概略図では、偏光設定デバイス４４は、かすめ方式で作動されるＥＵＶミラー１２の前に配置される。これに代えて、偏光設定デバイス４４は、物体視野１４の直前に配置することができる。かすめ方式で作動されるＥＵＶミラー１２は、照明光学ユニット５の１つの変形では割愛することができる。

下記では、偏光設定デバイス４４の２つの変形を図５及び図６に基づいてより詳細に説明する。図１から図４を参照して上述したものに対応する構成要素は、ここでもまた同じ参照符号で表記しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。

図５に記載の実施形態における照明光学ユニット５の場合に、第１のファセットミラー８は、照明光の部分光束３０_iを物体視野又は照明視野１４に案内するための照明チャネルを与える複数の個々のミラー４５を有する。図５に記載の照明光学ユニット５では、第２のファセットミラー９の背後のＥＵＶミラーは割愛される。個々のミラー４５は、個々のミラー支持体４６上に配置される。個々のミラー支持体４６は、ｚ軸と平行に延びる円偏光生照明光３０の入射軸ｋに関して回転対称な設計を有する。個々のミラー支持体４６は、ｘｙ平面と平行に配置された円形支持面４７を有するように設計される。個々のミラー支持体４６は、空間的に入射生照明光３０と物体視野１４の間に置かれる。

個々のミラー４５は、個々のミラー支持体４６上で密に充填された状態で配置された正方形又は矩形の反射面を有することができる。また、可能な限り少ない間隙のみを有して第１のファセットミラー８の反射面のカバーを可能にする他の形態の個々のミラーを使用することができる。そのような別の個々のミラー形状は、テッセレーションの数学理論から公知である。この関連において、ＵＳ ２０１１／０００１９４７ Ａ１に明記されている参考文献を参照されたい。

視野ファセットミラー８の実施形態に基づいて、個々のミラー４５は、例えば１００μｍ×１００μｍから例えば５ｍｍ×５ｍｍまでの領域内のｘ／ｙ広がりを有する。個々のミラー４５は、生照明光３０に対してフォーカス効果を有するように成形することができる。

個々のミラー４５は、生照明光３０の入射軸ｋに関して回転対称である個々のミラー支持体４６上に配置を有することができる。一例として、この配置は、個々のミラー配置の中心が生照明光３０の入射軸ｋと支持体面４７の交点に一致する個々のミラー支持体４６上の個々のミラー４５の複数の同心リングに具現化することができる。

図５に記載の子午断面図には、個々のミラー４５のうちの４つを例示的に示している。第１のファセットミラー８の実際の実施形態において、個々のミラー４５の個数は極めて多い。全体的に、第１のファセットミラー８は、数百個から数千個の個々のミラー４５を有する。

個々のミラー４５の反射面から構成される第１のファセットミラー８の全体反射面は、第１のファセットミラー８の実施形態に基づいて、例えば、３００ｍｍ×３００ｍｍ又は６００ｍｍ×６００ｍｍの広がりを有する。

図５に最上部に示す個々のミラー４５に基づいて示すように、個々のミラー４５の各々は、入射照明光３０の個々の偏向に向けてアクチュエータ４８にそれぞれ接続される。アクチュエータ４８は、個々のミラー４５の各々が個々のミラー４５の反射側から離れた側に配置される。一例として、アクチュエータ４８は、圧電アクチュエータとして具現化することができる。そのようなアクチュエータの実施形態は、マイクロミラーアレイの設計から公知である。

アクチュエータ４８は、描写していない方式で中央制御デバイス４８ａに信号接続され、それによってアクチュエータ４８を個々のミラー４５の個々の傾斜に向けて作動させることができる。

個々のミラー４５の各々は、第１のものがｘ軸と平行に延び、第２のものがｙ軸と平行に延びる２つの互いに垂直な傾斜軸の周りに個々に独立して傾斜させることができる。２つの傾斜軸は、それぞれの個々のミラー４５の個々の反射面に位置する。

個々のミラー４５の反射面は、多層反射コーティングを担持する。

第１のファセットミラー８の個々のミラー４５は、生照明光のそれぞれの部分光束３０_iが個々のミラー４５上にこの個々のミラーの反射面上の法線Ｎに対する入射角Ｉで入射し、この個々のミラー４５における生照明光部分光束３０_iの反射の際に、この個々のミラーがｐ偏光と比較してｓ偏光を目標を定めた方式で選択するように配置される。ｓ偏光は、個々のミラー４５の入射平面（図５の作図面）と垂直に振動する生照明光部分光束３０_iの偏光方向である。ｐ偏光は、個々のミラー４５の入射平面内で振動する生照明光部分光束３０_iの偏光である。図５では、ｓ偏光を十字円に示している。これに代えて、照明光部分光束１６_iのビーム経路上にｓ偏光を大きい点で描写している。ｐ偏光は、照明光のビーム経路上に双方向矢印で描写している。

個々のミラー４５での照明光部分光束３０_iの反射の際にｐ偏光よりもｓ偏光を選択することは、ｐ偏光生照明光３０に対する反射率Ｒｐとｓ偏光生照明光３０に対する反射率Ｒｓとの間の比Ｒｐ／Ｒｓが０．８よりも小さいようなものである。図５では、ｓ偏光に対するこの優先性を個々のミラー４５での照明光部分光束３０_iの反射の後にｓ偏光成分だけが再現されることによって例示している。

個々のミラー４５の配置に基づいて、この個々のミラー４５上への入射角Ｉは、０．７よりも小さく、０．６よりも小さく、０．５よりも小さく、０．４よりも小さく、０．３よりも小さく、０．２よりも小さく、０．１よりも小さく、０．０５よりも小さく、０．０２よりも小さく、０．０１よりも小さく、１×１０^-3よりも小さく、１×１０^-4よりも小さく、１×１０^-5よりも小さく、又はそれよりも一層小さい比Ｒｐ／Ｒｓがもたらされるように予め決定することができる。

第２のファセットミラー９は、照明光３のビーム経路内で第１のファセットミラー８の下流に配置される（図５を参照されたい）。第２のファセットミラー９のそれぞれ１つのファセット４９は、第１のファセットミラー８の個々のミラー４５のうちの少なくとも１つと共に、照明光部分光束３_iを照明視野１４に案内するための照明チャネルを完成する。総じて、この配置は、第２のファセットミラー９のファセット４９のうちの１つが、第１のファセットミラー８の個々のミラー４５の群と共に、いくつかの部分光束３０_iに対する群照明チャネルを完成するようなものであり、第２のファセットミラー８のこのファセット４９と、第１のファセットミラー８の個々のミラー４５の群とがこの照明チャネルに属する。従って、第１のファセットミラー８の個々のミラー４５のこの群は、照明光部分光束３_iを全て第２のファセットミラー９の厳密に同じファセット４９を通して照明視野１４に案内する。

第２のファセットミラー９のファセット４９での照明光の部分光束３_iの反射により、この場合に同じく０とは有意に異なる入射角Ｉの反射があるので、照明光部分光束３_iのｓ偏光がここでもまた選択される。個々のミラー４５のうちの１つにおいて１回、更に第２のファセットミラー９のファセット４９のうちの１つにおいてもう１回という照明光部分光束３_iの２回反射は、照明光部分光束３_iが照明視野１４上に入射するときにほぼ完全なｓ偏光をもたらすか、又は全く完全なｓ偏光さえももたらす。

第２のファセットミラー９のファセット４９は、図５に破線に示すファセット支持体５０上に配置される。このファセット支持体５０は、環状設計を有する。ファセット支持体５０は、照明光３の入射軸ｋに関して回転対称な設計を有する。ファセット支持体５０上の第２のファセットミラー９のファセット４９の配置は、対応する回転対称性を有する。

全体的に、照明光学ユニット５は、入射軸ｋに関して回転対称な配置を有する。入射軸ｋは、照明視野１４の中心を通過する。入射軸ｋは、物体平面１５に対して垂直である。

第１のファセットミラー８の個々のミラー４５及び第２のファセットミラー９のファセット４９の配置の回転対称性は、生照明光部分光束３０_i及び使用可能照明光部分光束３_iの入射軸ｋに関して少なくとも良好な近似で回転対称なビーム案内を可能にする。

図５には、第１のファセットミラー８の個々のミラー４５によってｘｚ平面内で偏向された照明光部分光束３_iを反射するために設けられた第２のファセットミラー９のファセット４９を入射軸ｋと同じ高さに破線で描写している。ファセット支持体５０の環状設計の結果として、これらの視野ファセット４９は、図５の作図面に従って、必然的に入射軸ｋから正のｘ方向と負のｘ方向との両方に離れて位置する。対応するファセット４９は、ファセット支持体５０上に入射軸ｋの周りの外周方向に均一に分散された状態で配置され、その結果は、照明光部分光束３０_i及び３_iに対する原理的に回転対称な反射配置である。それによって照明視野５上の全ての点に対して、タンジェンシャル偏光された使用可能照明光３による照明がもたらされる。図５では、この照明を照明視野点５１に対して詳細に描写している。

使用可能照明光３は、各照明方向から照明視野点５１上にｓ偏光で入射する。照明視野点５１は、視野ファセット４９の環状配置に起因して環状照明角度分布５２で照明されるので（照明視野点５１は、環状光源を「見る」）、この照明により、図７に円で示すこの環状照明角度分布５２の全ての点においてｓ偏光がもたらされ、このｓ偏光は、それ自体をタンジェンシャル偏光に相補する。偏光ベクトル５３は、環状照明角度分布５２の全ての点において照明角度分布５２に対してタンジェンシャルに振動する。

このタンジェンシャル偏光の結果として、レチクル１７を照明視野１４内で照明角度には関係なくｓ偏光された使用可能照明光３で照明することができる。この照明は、照明光学ユニット５を投影露光装置１の構成要素として使用する場合に、最適化された構造分解能を可能にする。

ファセットミラー８と９は、照明光学ユニット５の偏光設定デバイス４４を同時に構成する。

この照明光学ユニット５を使用することで、個々のミラー支持体４６によって予め決定された照明光３０又は３のビーム経路の中心遮蔽によって定められる照明角度に対する下限よりも大きい照明角度で照明視野１４を照明することができる。

この照明光学ユニット５を用いて、環状照明設定、又は多重極照明設定、例えば、二重極照明設定又は四重極照明設定、例えば、Ｃ−四重極照明設定を実現することが可能である。

図５と同様に、図６は、照明光学ユニット５からの断面を示している。照明光学ユニット５は、電子ビームを利用するＥＵＶ光源２に対する代替実施形態を有するＥＵＶ光源５３から物体視野１４にＥＵＶ生出力ビーム３０を案内するように具現化される。ＥＵＶ光源５３は、プラズマ光源、例えば、ＧＤＰＰ（ガス放電生成プラズマ）光源又はＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）光源とすることができる。図１から図５を参照して上述したものに対応する構成要素及び機能を同じ参照符号で表記しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。

放射線源５３から円偏光を伴って射出するＥＵＶ生放射線束３０は、コレクター５４によってフォーカスされる。適切なコレクターは、例えば、ＥＰ １ ２２５ ４８１ Ａから公知である。

コレクター５４の後に、ＥＵＶ生放射線束３０は、中間フォーカス５５を通って伝播し、その後に、個々のミラーアレイ５６上に入射する。個々のミラーアレイ５６は、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）として具現化される。個々のミラーアレイ５６は、行列状のアレイ内に行と列に配置された複数の個々のミラー５７を有し、そのうちの２つの個々のミラー５７を図６に略示している。個々のミラー５７は、正方形又は矩形の反射面を有することができる。個々のミラー５７は、各場合にアクチュエータ５８に接続され、それぞれの個々のミラー５７の反射平面内で互いに対して垂直な２つの軸の周りに傾斜可能であるように設計される。アクチュエータ５８は、描写していない方式で中央制御デバイス４８ａに接続され、この中央制御デバイス４８ａを用いて、アクチュエータ５８を個々のミラー５７の個々の傾斜に向けて作動させることができる。

図面内には、個々のミラーアレイ５６の個々のミラー５７の個数を実際の個数よりもかなり控えめに例示している。全体的に、個々のミラーアレイ５６は、約１００，０００個の個々のミラー５７を有する。個々のミラー５７のサイズに基づいて、個々のミラーアレイは、例えば、１０００個、５０００個、７０００個、又は数十万個、例えば、５００，０００個の個々のミラー５７を有することができる。これに代えて、有意に少数の個々のミラー５７を存在させることができ、例えば、数百個の個々のミラー、例えば、２００個、２５０個、３００個、又は５００個の個々のミラーとすることができる。非常に多くの個々のミラー５７が存在する場合に、これらの個々のミラーを群に組み合わせることができ、各場合に個々のミラー群のうちの１つ内では同じ個々のミラー傾斜角が存在する。個々のミラー５７は、ＥＵＶ使用可能光３のそれぞれの入射角及び波長に対して最適化された高反射性の多重層を有することができる。

個々のミラーアレイ５６の上流には、利用されるＥＵＶ生放射線束３０を投影露光に対して使用することができない放射線源５３の他の放出波長成分から分離するスペクトルフィルタを配置することができる。スペクトルフィルタは、例示していない。

個々のミラーアレイ５６の下流では、ＥＵＶ生放射線束３０は、視野ファセットミラー８上に入射する。視野ファセットミラー８は、物体平面１５に対して光学的に共役な照明光学ユニット５の平面に配置される。

視野ファセットミラー８の後に、ＥＵＶ放射線束３は、瞳ファセットミラー９によって反射される。瞳ファセットミラー９は、照明光学ユニット５の入射瞳平面又はそれに対して光学的に共役な平面のいずれかに配置される。視野ファセットミラー８及び瞳ファセットミラー９は、各々、ハニカムとも呼ぶ複数のファセットから構成される。視野ファセットミラー８の視野ファセット６０は、瞳ファセットミラー９によって形成されか、又は瞳ファセットミラー９と物体視野１４の間に更に別の構成要素を含むかのいずれかである伝達光学ユニットによって物体視野１４に結像される。ここで、物体視野１４が照明光３によって完全に照明されるとすると、視野ファセット６０の各々が物体視野１４の全域に結像される。視野ファセット６０は、図１に略示する環状ファセットミラー支持体６１上に配置される。

ＥＵＶ生放射線束３０は、個々のミラーアレイ５６上に７０°よりも小さい入射角で、すなわち、かすめ入射ではなく入射する。原理的にはかすめ入射も可能である。視野ファセットミラー８の視野ファセット６０及び瞳ファセットミラー９の瞳ファセット６２は、使用可能光３の波長に適合された多層反射コーティングを担持する。瞳ファセット６２は、丸形、六角形、又は矩形の設計を有することができる。

図６は、ファセットミラー８、９の視野ファセット６０のうちの僅かに少数と瞳ファセット６２のうちの僅かに少数とを誇張的に拡大した略示形式で描写している。視野ファセットミラー８は、数千個の視野ファセット６０、例えば、３０００個の視野ファセット６０を有する。瞳ファセットミラー９は、数千個の瞳ファセット６２、例えば、３０００個の瞳ファセット６２を有する。視野ファセットミラー８の視野ファセット６０の個数は、瞳ファセットミラー９の瞳ファセット６２の個数に等しくすることができる。

２つのファセットミラー８、９は、視野ファセット６０及び瞳ファセット６２上の多層反射コーティングのブリュースター角から最大で２５°だけずれた入射角で入射を受ける。このブリュースター入射角は、例えば、４３°とすることができる。

瞳ファセットミラー８は、投影光学ユニット１６の瞳平面を構成するか又は投影光学ユニット１６の瞳平面に対して光学的に共役である照明光学ユニット５の平面に配置される。瞳ファセットミラー８又は伝達光学ユニットにより、視野ファセットミラー８の視野ファセット６０は、物体視野１４内で互いに重ね合わされた状態で結像される。

視野ファセットミラー８の視野ファセット６０は、物体視野１４のｘ／ｙアスペクト比に対応するｘ／ｙアスペクト比を有する。従って、視野ファセット６０は、１よりも大きいｘ／ｙアスペクト比を有する。視野ファセット６０の長いファセット辺は、ｘ方向に延びている。視野ファセット６０の短いファセット辺は、ｙ方向（走査方向）に延びている。

照明光学ユニット５は、個々のミラー５７のうちの少なくとも１つと視野ファセット６０のうちの少なくとも１つとによって各場合に形成されて照明光３の部分ビームを案内する照明チャネルを通じて中間フォーカス５５が瞳ファセット６２が置かれた空間領域に結像されるように配置される。こうして瞳ファセット６２の各々の上に中間フォーカス像６３が生成される。個々のミラー５７のうちの幾つのものがそれぞれの照明チャネルに寄与するかに基づいて、この中間フォーカス像６３は、個々のミラー５７のうちのそれぞれ１つを通じた照明光３の案内に起因してそれぞれの瞳ファセット６２上に生成されるいくつかの中間フォーカス像の重ね合わせ像として生成することができる。ここで、中間フォーカス像６３は、それぞれの照明チャネルの瞳ファセット６２上に正確に生成する必要はない。より具体的には、中間フォーカス像６３が瞳ファセット６２上に完全に収まるように、それぞれの瞳ファセット６２が中間フォーカス像６３の領域に置かれるだけで十分である。

瞳ファセット６２が、視野ファセット６０を物体視野１４に結像する伝達光学ユニットの一部であるか否かに基づいて、瞳ファセット６２は、結像効果を有し、すなわち、特に凹設計を有するか、又は純粋な偏向ミラー又は平面ミラーとして設計されるかのいずれかである。瞳ファセット６２は、照明光学ユニット５の結像欠陥を補正するための補正非球面を支持することができる。

個々のミラー５７の個数は、視野ファセット６０の個数と少なくとも同程度の多さのものである。図６に記載の実施形態において、個々のミラー５７の個数は、実際には視野ファセット６０の個数よりも遥かに多く、特に１０倍又はそれよりも更に多いとすることができる。照明光学ユニット５は、個々のミラーアレイ５６が視野ファセット６０上に結像されず、かつ瞳ファセット６２上にも結像されないように具現化される。

視野ファセット６０及び瞳ファセット６２は、照明光３の部分ビーム３_iを案内するようにそれぞれ位置合わせされた視野ファセット６０のうちの正確に１つのものと瞳ファセット６２のうちの正確に１つのものとによって各場合に形成される照明チャネルが、この視野ファセット６０及び瞳ファセット６２が一部を構成するファセット対６０、６２にそれぞれ固定的に割り当てられるように配置される。従って、視野ファセットミラー８からの照明ビーム経路６４は、照明光学ユニット５内に固定的に定められる。照明の変化は、個々のミラーアレイ５６の個々のミラー５７を傾斜させることによってのみ引き起こされ、個々のミラーアレイ５６は、視野ファセット６０のうちのどれが生照明光３０による入射を任意的に区画的に受けるかを選択するのに使用される。

図６に記載の照明光学ユニット５では、瞳ファセットミラー９の瞳ファセット６２は平面設計を有する。凹ミラー６５の形態にある中継光学ユニットは、視野ファセットミラー８の視野ファセット６０を物体視野１４に結像するための伝達光学ユニットとして機能する。

照明光学ユニット５では、瞳ファセット６２の反射面は、任意的に、凹ミラー６５による結像の結像欠陥を補正するための補正非球面として設計することができる。

図６に記載の照明光学ユニット５の照明ビーム経路６４内では、照明光３は、凹ミラー６５と物体視野１４の間で視野ファセットミラー支持体６１の通過開口部６６を通して案内され、照明光３は、照明ビーム経路６４内の瞳ファセットミラー９と凹ミラー６５の間でもこの通過開口部６６を通して案内される。

更に、図６に記載の照明光学ユニット内では、生照明光３０も、中間フォーカス５５と個々のミラーアレイ５６との間で通過開口部６６を通して案内される。

図６に記載の視野ファセットミラー８及び瞳ファセットミラー９は、ここでもまた照明光学ユニット５の偏光設定デバイス４４を実現する。図６に記載の偏光設定デバイス４４を用いても、上述した物体視野１４を照明する際のタンジェンシャル偏光分布を同じく実現することが可能である。一例として、図６の作図面に従って、照明光部分ビーム３_iは、物体視野１４の前で放射されている時に相応にｓ偏光状態にある。

全てのＥＵＶミラー面は、５ｎｍと３０ｎｍの間の範囲の使用されるＥＵＶ波長に対して高い反射性を有するコーティングを担持することができる。これらのコーティングは、多層コーティングとすることができる。多層コーティングは、２つの異なるコーティング材料の交替多層、例えば、一連のモリブデン／シリコン二重層として設計することができる。

投影露光装置１を用いた微細構造化又はナノ構造化構成要素の生成において、最初にレチクル１７とウェーハ２２が与えられる。次いで、投影露光装置１を用いて、レチクル１７上の構造がウェーハ２２の感光層上に投影される。感光層を現像することにより、ウェーハ２２上に微細構造又はナノ構造が生成され、従って、微細構造化又はナノ構造化構成要素、例えば、メモリチップの形態にある半導体構成要素が生成される。

１ 投影露光装置
２ ＥＵＶ光源
３ 使用可能出力ビーム
２ｃ ＥＵＶ発生デバイス
３２、３９ 偏光設定デバイス

Claims (15)

1. 投影リソグラフィのための投影露光装置（１）のためのＥＵＶ照明光の使用可能出力ビーム（３）を発生させるためのＥＵＶ光源（２，５３）であって、
   ＥＵＶ生出力ビーム（３０）を発生させるＥＵＶ発生デバイス（２ｃ）を有し、
   前記ＥＵＶ生出力ビーム（３０）は、円偏光状態（３１）にあり、
   前記使用可能出力ビーム（３）の偏光を設定するために前記偏光方向に関して前記生出力ビーム（３０）に対して直線偏光効果を有する偏光設定デバイス（３２；３９）を有する、
   ことを特徴とするＥＵＶ光源（２，５３）。
2. 電子ビーム供給デバイス（２ａ）を有し、
   前記ＥＵＶ発生デバイス（２ｃ）には、前記電子ビーム供給デバイス（２ａ）を用いて電子ビーム（２ｂ）が供給される、
   ことを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ光源。
3. 前記偏光設定デバイス（３２；３９）は、前記生出力ビーム（３０）に対するブリュースター入射角の領域内で作動される少なくとも１つのＥＵＶ偏向ミラー（３３，３４；４０，４１，４２）を有し、このＥＵＶ偏向ミラーは、入射平面を回転させる目的で該生出力ビーム（３０）の入射軸に一致する軸（３８）の周りに回転させることができることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＥＵＶ光源。
4. 前記偏光設定デバイス（３２；３９）は、少なくとも２つのＥＵＶ偏向ミラー（３３，３４；４０，４１，４２）を有し、
   前記使用可能出力ビーム（３）は、前記偏光設定デバイス（３２；３９）の最後のＥＵＶ偏向ミラー（３４；４２）での偏向後に前記生出力ビーム（３０）と同じ方向に伝播する、
   ことを特徴とする請求項３に記載のＥＵＶ光源。
5. 前記偏光設定デバイス（３２；３９）は、正確に２つのＥＵＶ偏向ミラー（３３，３４）を有し、
   前記使用可能出力ビーム（３）は、前記第２のＥＵＶ偏向ミラー（３４）での偏向後に前記生出力ビーム（３０）と平行に伝播する、
   ことを特徴とする請求項４に記載のＥＵＶ光源。
6. 前記偏光設定デバイス（３９）は、少なくとも３つのＥＵＶ偏向ミラー（４０から４２）を有し、
   前記使用可能出力ビーム（３）は、前記第３のＥＵＶ偏向ミラー（４２）での偏向後に前記生出力ビーム（３０）の入射軸（３８）に沿って伝播する、
   ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のＥＵＶ光源。
7. 前記偏光設定デバイス（３９）は、ＥＵＶ偏向プリズム（４３）を有し、その２つの側面（４０，４２）が、ミラー面として使用されることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のＥＵＶ光源。
8. 前記偏光設定デバイス（３９）は、正確に３つのＥＵＶ偏向ミラー（４０から４２）を有し、
   全ての３つのＥＵＶ偏向ミラー（４０から４２）が、前記生出力ビーム（３０）に対するブリュースター入射角の前記領域にある、
   ことを特徴とする請求項３から請求項７のいずれか１項に記載のＥＵＶ光源。
9. 投影露光装置のための照明系であって、
   請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のＥＵＶ光源（２；５３）を有し、
   使用可能出力ビーム（３）を用いてレチクル平面（１５）の照明視野（１４）を照明するための照明光学ユニット（５）を有する、
   ことを特徴とする照明系。
10. 投影露光装置のための照明系であって、
    投影リソグラフィのためのＥＵＶ照明光の使用可能出力ビーム（３）を発生させるためのＥＵＶ光源（２；５３）であって、
    ＥＵＶ生出力ビーム（３０）を発生させるＥＵＶ発生デバイス（２ｃ）を有し、
    前記ＥＵＶ生出力ビーム（３０）が、円偏光状態（３１）にある、
    前記ＥＵＶ光源（２；５３）を有し、
    前記使用可能出力ビーム（３）を用いてレチクル平面（１５）の照明視野（１４）を照明するための照明光学ユニット（５）を有し、
    前記照明光学ユニット（５）は、前記使用可能出力ビーム（３）の偏光を設定するために前記偏光方向に関して前記ＥＵＶ生出力ビーム（３０）に対して直線偏光効果を有する偏光設定デバイス（４４）を有する、
    ことを特徴とする照明系。
11. 前記ＥＵＶ生出力ビーム（３０）の円偏光と直線偏光の間で切り換えるための切り換えユニット（２８）を有して具現化されることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のＥＵＶ光源（２；５３）及び請求項９又は請求項１０に記載の照明系の構成要素としてのＥＵＶ光源（２；５３）。
12. 投影露光装置のための光学系であって、
    請求項９又は請求項１０に記載の照明系を有し、
    照明視野（１４）を像視野（２０）内に結像するための投影光学ユニット（１６）を有する、
    ことを特徴とする光学系。
13. ＥＵＶリソグラフィのための投影露光装置（１）であって、
    請求項１から請求項８又は請求項１１のいずれか１項に記載のＥＵＶ光源を有し、
    請求項１２に記載の光学系を有し、
    前記光学系の照明光（３）によって入射されるレチクル（１７）をレチクル平面（１５）に保持するためのレチクルホルダ（１８）を有し、
    照明視野（１４）を像平面（２１）の像視野（２０）に結像するための投影光学ユニット（１６）を有し、
    投影露光の場合に前記照明視野（１４）に配置されたレチクル構造が前記像視野（２０）に配置されたウェーハ区画上に結像されるようにウェーハ（２２）を前記像平面（２１）に保持するためのウェーハホルダ（２３）を有する、
    ことを特徴とする投影露光装置（１）。
14. 構造化構成要素を生成する方法であって、
    レチクル（１７）及びウェーハ（２２）を与える段階と、
    請求項１３に記載の投影露光装置（１）を用いて前記レチクル（１７）上の構造を前記ウェーハ（２２）の感光層上に投影する段階と、
    前記ウェーハ（２２）上に微細構造又はナノ構造を発生させる段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
15. 請求項１４に記載の方法に従って生成された構造化構成要素。

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