JP3284045B2 - Ｘ線光学装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
Ｘ線光学装置およびデバイス製造方法Info
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- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は微細パターンをもつ
半導体回路素子を製造するためのＸ線縮小投影露光装置
およびデバイス製造方法あるいはシンクロトロン放射光
を用いたＸ線顕微鏡装置に関する。
半導体回路素子を製造するためのＸ線縮小投影露光装置
およびデバイス製造方法あるいはシンクロトロン放射光
を用いたＸ線顕微鏡装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細パターンをもつ半導体回路素子など
の微小デバイスを製造する方法として、Ｘ線縮小投影露
光方法がある。この方法では、回路パターンが形成され
たマスクをＸ線で照明し、マスクの像をウエハ面に縮小
投影し、その表面のレジストを露光し、パターンを転写
する。
の微小デバイスを製造する方法として、Ｘ線縮小投影露
光方法がある。この方法では、回路パターンが形成され
たマスクをＸ線で照明し、マスクの像をウエハ面に縮小
投影し、その表面のレジストを露光し、パターンを転写
する。
【０００３】図９は従来のＸ線縮小投影露光装置の模式
的構成図であり、図中、符号９０１はアンジュレータ光
源、９０３はＸ線ビーム、９０４は全反射ミラー、９０
９は反射型マスク、９１０はマスクステージ、９１１は
投影光学系、９１２はウエハ、９１３はウエハステー
ジ、９１６は真空容器である。
的構成図であり、図中、符号９０１はアンジュレータ光
源、９０３はＸ線ビーム、９０４は全反射ミラー、９０
９は反射型マスク、９１０はマスクステージ、９１１は
投影光学系、９１２はウエハ、９１３はウエハステー
ジ、９１６は真空容器である。
【０００４】この装置は、Ｘ線源であるアンジュレータ
光源９０１、照明光学系である全反射ミラー９０４、反
射型マスク９０９、反射型マスク９０９を搭載したステ
ージ９１０、投影光学系９１１、ウエハ９１２、ウエハ
９１２を搭載したステージ９１３、マスク９０９やウエ
ハ９１２の位置を精密にあわせるアライメント機構、Ｘ
線の減衰を防ぐために光学系全体を真空に保つための真
空容器９１６と排気装置などからなる。
光源９０１、照明光学系である全反射ミラー９０４、反
射型マスク９０９、反射型マスク９０９を搭載したステ
ージ９１０、投影光学系９１１、ウエハ９１２、ウエハ
９１２を搭載したステージ９１３、マスク９０９やウエ
ハ９１２の位置を精密にあわせるアライメント機構、Ｘ
線の減衰を防ぐために光学系全体を真空に保つための真
空容器９１６と排気装置などからなる。
【０００５】Ｘ線光源としてはアンジュレータ光源９０
１が用いられる。アンジュレータ光源９０１からは細く
て平行ないわゆるぺンシルビーム状Ｘ線が放射される。
このＸ線を全反射ミラー９０４で反射して短波長成分を
カットし、ほぼ単色なＸ線ビーム９０３として反射型マ
スク９０９に照射する。アンジュレータ光源９０１の発
光点は数百μｍ程度の大きさで点光源に近いので、マス
ク９０９上の１点を照明するＸ線の角度の広がりは非常
に小さい。
１が用いられる。アンジュレータ光源９０１からは細く
て平行ないわゆるぺンシルビーム状Ｘ線が放射される。
このＸ線を全反射ミラー９０４で反射して短波長成分を
カットし、ほぼ単色なＸ線ビーム９０３として反射型マ
スク９０９に照射する。アンジュレータ光源９０１の発
光点は数百μｍ程度の大きさで点光源に近いので、マス
ク９０９上の１点を照明するＸ線の角度の広がりは非常
に小さい。
【０００６】反射型マスク９０９は転写する回路パター
ンに応じたＸ線反射膜パターンが設けてあって、この部
分に入射したＸ線は反射して、投影光学系９１１に導か
れる。そして反射型マスク９０９の回路パターンの像が
ウエハ面に縮小投影され、レジストを感光させる。投影
光学系９１１は複数の多層膜反射鏡によって構成されマ
スク上のパターンをウエハ表面に縮小投影する。投影光
学系９１１は通常、テレセントリック系が用いられてい
る。
ンに応じたＸ線反射膜パターンが設けてあって、この部
分に入射したＸ線は反射して、投影光学系９１１に導か
れる。そして反射型マスク９０９の回路パターンの像が
ウエハ面に縮小投影され、レジストを感光させる。投影
光学系９１１は複数の多層膜反射鏡によって構成されマ
スク上のパターンをウエハ表面に縮小投影する。投影光
学系９１１は通常、テレセントリック系が用いられてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｘ線縮小投影露光装置に用いられる照明光学装置には次
の様な欠点があった。即ち、マスク上の非常に微細なパ
ターンをウエハ上に投影した場合、解像度や焦点深度が
十分でなく、精度よくパターン転写することが出来なか
った。また位相シフトマスクを用いた場合にも位相シフ
トによる結像性能向上の効果を十分に得ることができな
かった。この理由を以下に述ベる。
Ｘ線縮小投影露光装置に用いられる照明光学装置には次
の様な欠点があった。即ち、マスク上の非常に微細なパ
ターンをウエハ上に投影した場合、解像度や焦点深度が
十分でなく、精度よくパターン転写することが出来なか
った。また位相シフトマスクを用いた場合にも位相シフ
トによる結像性能向上の効果を十分に得ることができな
かった。この理由を以下に述ベる。
【０００８】照明系の特性を表わすパラメータとしてコ
ヒーレンスファクタσがある。投影光学系のマスク側開
口数をＮＡp1、照明光学系のマスク側開口数をＮＡi と
したとき、コヒーレンスファクタは σ＝ＮＡi／ＮＡpi と定義される。最適なσの値は、必要な解像度とコント
ラストによって決定される。一般に、σが小さすぎる
と、ウエハ上に投影された微細なパターンの像のエッジ
部に干渉パターンが現われ、σが大きすぎると、投影さ
れた像のコントラストが低下する。
ヒーレンスファクタσがある。投影光学系のマスク側開
口数をＮＡp1、照明光学系のマスク側開口数をＮＡi と
したとき、コヒーレンスファクタは σ＝ＮＡi／ＮＡpi と定義される。最適なσの値は、必要な解像度とコント
ラストによって決定される。一般に、σが小さすぎる
と、ウエハ上に投影された微細なパターンの像のエッジ
部に干渉パターンが現われ、σが大きすぎると、投影さ
れた像のコントラストが低下する。
【０００９】σが０の場合にはコヒーレント照明と呼ば
れる。このとき、光学系の伝達関数ＯＴＦは投影光学系
のウエハ側開口数をＮＡp2、Ｘ線波長をλとしてＮＡp2
／λで与えられる空間周波数までは比較的大きな値で一
定値を示すが、それを超える高周波数については０とな
ってしまい、解像出来ない。一方、σが１の場合にはイ
ンコヒーレント照明と呼ばれ、ＯＴＦは空間周波数が大
きくなるに従って小さくなるが、２×ＮＡp2／λで与え
られる空間周波数までは０とならない。従ってより微細
なパターンまで解像することが出来る。したがって、回
折限界よりも大きな構造をもったパターンを転写しよう
とする場合には、コヒーレント照明に近いほうが望まし
い。また位相シフトマスクを用いた場合にも、コヒーレ
ント照明に近い方が位相シフトによる結像性能向上の効
果を十分に得られる場合がある。一方、回折限界に近い
微細な構造をもったパターンを転写しようとする場合に
は、コントラストの点でインコヒーレント照明に近いほ
うが望ましい。
れる。このとき、光学系の伝達関数ＯＴＦは投影光学系
のウエハ側開口数をＮＡp2、Ｘ線波長をλとしてＮＡp2
／λで与えられる空間周波数までは比較的大きな値で一
定値を示すが、それを超える高周波数については０とな
ってしまい、解像出来ない。一方、σが１の場合にはイ
ンコヒーレント照明と呼ばれ、ＯＴＦは空間周波数が大
きくなるに従って小さくなるが、２×ＮＡp2／λで与え
られる空間周波数までは０とならない。従ってより微細
なパターンまで解像することが出来る。したがって、回
折限界よりも大きな構造をもったパターンを転写しよう
とする場合には、コヒーレント照明に近いほうが望まし
い。また位相シフトマスクを用いた場合にも、コヒーレ
ント照明に近い方が位相シフトによる結像性能向上の効
果を十分に得られる場合がある。一方、回折限界に近い
微細な構造をもったパターンを転写しようとする場合に
は、コントラストの点でインコヒーレント照明に近いほ
うが望ましい。
【００１０】上記従来例においては、マスク上の１点を
照明するＸ線の角度の広がりは非常に小さいのでσの値
は０に近く、ほぼコヒーレント照明の条件になってい
る。従って、微細なパターンの転写ができないという欠
点があった。本発明はこのような問題に対してなされた
ものである。
照明するＸ線の角度の広がりは非常に小さいのでσの値
は０に近く、ほぼコヒーレント照明の条件になってい
る。従って、微細なパターンの転写ができないという欠
点があった。本発明はこのような問題に対してなされた
ものである。
【００１１】本発明の目的は、インコヒーレント照明が
可能であり、そのため結像系の性能を最大限に発揮させ
ることのできる照明光学系を有するＸ線光学装置および
デバイス製造方法を提供することにある。
可能であり、そのため結像系の性能を最大限に発揮させ
ることのできる照明光学系を有するＸ線光学装置および
デバイス製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線光学装置
は、Ｘ線ビームを偏向走査する手段と、偏向走査された
Ｘ線ビームを反射する凹面ミラーとを有し、物体にＸ線
ビームを照射するＸ線光学装置において、Ｘ線ビームは
偏向走査する手段によって異なる角度に偏向されること
により物体に異なる角度で照射される。
は、Ｘ線ビームを偏向走査する手段と、偏向走査された
Ｘ線ビームを反射する凹面ミラーとを有し、物体にＸ線
ビームを照射するＸ線光学装置において、Ｘ線ビームは
偏向走査する手段によって異なる角度に偏向されること
により物体に異なる角度で照射される。
【００１３】また、Ｘ線ビームを偏向走査する手段と、
偏向走査されたＸ線ビームを反射する凹面ミラーとを有
し、Ｘ線ビームにより物体を照明する照明光学系と、照
明光学系で照明された物体像を投影する投影光学系とを
有するＸ線光学装置において、偏向走査されたＸ線ビー
ムは偏向走査する手段によって異なる角度に偏向される
ことにより異なる角度で物体を照明してもよい。
偏向走査されたＸ線ビームを反射する凹面ミラーとを有
し、Ｘ線ビームにより物体を照明する照明光学系と、照
明光学系で照明された物体像を投影する投影光学系とを
有するＸ線光学装置において、偏向走査されたＸ線ビー
ムは偏向走査する手段によって異なる角度に偏向される
ことにより異なる角度で物体を照明してもよい。
【００１４】また、物体はパターンを有するマスクであ
り、投影光学系によってウエハにパターン像を縮小投影
してもよい。
り、投影光学系によってウエハにパターン像を縮小投影
してもよい。
【００１５】また、物体は観察試料であり、投影光学系
によって観察面に試料像を拡大投影してもよい。
によって観察面に試料像を拡大投影してもよい。
【００１６】また、凹面ミラーによって、偏向走査する
手段と上記物体とを共役関係にしてもよい。
手段と上記物体とを共役関係にしてもよい。
【００１７】また、Ｘ線ビームはぺンシルビームＸ線源
から生成されたほぼ平行なビームであってもよい。
から生成されたほぼ平行なビームであってもよい。
【００１８】また、複数の光源像を形成するための反射
型インテグレータを有してもよい。また、偏向走査する
手段は、２枚の斜入射ミラーを有してもよい。
型インテグレータを有してもよい。また、偏向走査する
手段は、２枚の斜入射ミラーを有してもよい。
【００１９】また、偏向走査する手段は、１枚の近垂直
入射ミラーを有してもよい。
入射ミラーを有してもよい。
【００２０】また、偏向走査する手段は、擬円錐内面ミ
ラーを有してもよい。
ラーを有してもよい。
【００２１】本発明のデバイス製造方法は、Ｘ線ビーム
を偏向走査し、偏向走査したＸ線ビームを凹面ミラーで
反射し、偏向走査によって異なる角度に偏向することに
より異なる角度でマスクを照明する段階と、マスクのパ
ターンをウエハに縮小投影して露光転写する段階とを有
する。
を偏向走査し、偏向走査したＸ線ビームを凹面ミラーで
反射し、偏向走査によって異なる角度に偏向することに
より異なる角度でマスクを照明する段階と、マスクのパ
ターンをウエハに縮小投影して露光転写する段階とを有
する。
【００２２】即ち、照明光学系のσの値が０に近く、ほ
ぼコヒーレント照明の条件になり、解像度が大きくな
く、微細なパターンの転写ができないという徒来の技術
の欠点は以下のようにして解決される。
ぼコヒーレント照明の条件になり、解像度が大きくな
く、微細なパターンの転写ができないという徒来の技術
の欠点は以下のようにして解決される。
【００２３】ペンシルビームを角度可変のミラーによっ
て反射し、ビームの角度を走査する。このビームを反射
光学系で反射してマスクを照明する。この反射光学系
は、走査されたＸ線の角度分布がマスクに入射するＸ線
の角度分布に対応するようになっている。この光学系の
具体的な構成は発明の実施の形態の中で詳細に述ベる。
て反射し、ビームの角度を走査する。このビームを反射
光学系で反射してマスクを照明する。この反射光学系
は、走査されたＸ線の角度分布がマスクに入射するＸ線
の角度分布に対応するようになっている。この光学系の
具体的な構成は発明の実施の形態の中で詳細に述ベる。
【００２４】マスクに入射するＸ線の角度分布が走査さ
れたＸ線の角度分布に対応するので、Ｘ線を走査する角
度を小さくすれば、マスクに入射するＸ線の角度分布は
小さくなる。逆にＸ線を走査する角度を大きくすれば、
マスクに入射するＸ線の角度分布は大きくなる。また、
Ｘ線を走査する角度の分布を非一様なものにすれば、マ
スクに入射するＸ線の角度分布は非一様なものになり、
変形照明が実現できる。
れたＸ線の角度分布に対応するので、Ｘ線を走査する角
度を小さくすれば、マスクに入射するＸ線の角度分布は
小さくなる。逆にＸ線を走査する角度を大きくすれば、
マスクに入射するＸ線の角度分布は大きくなる。また、
Ｘ線を走査する角度の分布を非一様なものにすれば、マ
スクに入射するＸ線の角度分布は非一様なものになり、
変形照明が実現できる。
【００２５】このように、本発明ではＸ線ビームを角度
走査し、その角度分布を適当に設定することによって、
物体を照明するＸ線の角度分布を制御して、照明光学系
のコヒーレンスファクタσを自在に調整したり、また輪
帯照明や斜め照明等の変形照明を行うことができる。転
写しようとするパターン形状や大きさ、レジスト特性な
どの露光条件に応じた最適な照明条件で照明することが
できるので、解像度や焦点深度などの結像性能を向上す
ることができる。また位相シフトマスクを用いた場合に
も最適な照明条件で照明することができるので、位相シ
フトによる結像性能向上の効果を十分に得ることができ
る。
走査し、その角度分布を適当に設定することによって、
物体を照明するＸ線の角度分布を制御して、照明光学系
のコヒーレンスファクタσを自在に調整したり、また輪
帯照明や斜め照明等の変形照明を行うことができる。転
写しようとするパターン形状や大きさ、レジスト特性な
どの露光条件に応じた最適な照明条件で照明することが
できるので、解像度や焦点深度などの結像性能を向上す
ることができる。また位相シフトマスクを用いた場合に
も最適な照明条件で照明することができるので、位相シ
フトによる結像性能向上の効果を十分に得ることができ
る。
【００２６】また、Ｘ線ビームを角度走査し、その角度
分布を適当に設定することによって、観察試料を照明す
るＸ線の角度分布を制御して、照明光学系のコヒーレン
スファクタσを自在に調整したり、また輪帯照明や斜め
照明等の変形照明を行うことができる。観察しようとす
る試料のコントラストやＸ線撮像装置の特性などに応じ
た最適な照明条件で照明することができるので、解像度
や焦点深度などの結像性能を向上することができ、高い
分解能で像観察を行うことができる。
分布を適当に設定することによって、観察試料を照明す
るＸ線の角度分布を制御して、照明光学系のコヒーレン
スファクタσを自在に調整したり、また輪帯照明や斜め
照明等の変形照明を行うことができる。観察しようとす
る試料のコントラストやＸ線撮像装置の特性などに応じ
た最適な照明条件で照明することができるので、解像度
や焦点深度などの結像性能を向上することができ、高い
分解能で像観察を行うことができる。
【００２７】また、反射型インテグレータを用いること
によって、広い領域を均一に照明することができる。
によって、広い領域を均一に照明することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２９】（発明の第１の実施の形態）図１は本発明
の第１の実施の形態のＸ線縮小投影露光装置の模式的構
成図、図２は本発明の第１の実施の形態のビーム偏向ミ
ラーの模式的斜視図、図３は本発明の第１の実施の形態
のビーム偏向パターンである。図中、符号１はアンジュ
レータ光源、３はＸ線ビーム、５はビーム偏向ミラー、
６は偏向ミラー駆動装置、７は凹面ミラー、９は反射型
マスク、１０はマスクステージ、１１は投影光学系、１
２はウエハ、１３はウエハステージ、１６は真空容器で
ある。
の第１の実施の形態のＸ線縮小投影露光装置の模式的構
成図、図２は本発明の第１の実施の形態のビーム偏向ミ
ラーの模式的斜視図、図３は本発明の第１の実施の形態
のビーム偏向パターンである。図中、符号１はアンジュ
レータ光源、３はＸ線ビーム、５はビーム偏向ミラー、
６は偏向ミラー駆動装置、７は凹面ミラー、９は反射型
マスク、１０はマスクステージ、１１は投影光学系、１
２はウエハ、１３はウエハステージ、１６は真空容器で
ある。
【００３０】本実施の形態は、アンジュレータ光源１、
２枚の振動ミラーであるビーム偏向ミラー５とその駆動
機構である偏向ミラー駆動装置６、凹面ミラー７、反射
型マスク９とそれを位置決めする微動ステージであるマ
スクステージ１０、投影光学系１１、レジストを塗布し
たウエハ１２とそれを位置決めする微動ステージである
ウエハステージ１３、全系を収納する真空容器１６等で
構成される。
２枚の振動ミラーであるビーム偏向ミラー５とその駆動
機構である偏向ミラー駆動装置６、凹面ミラー７、反射
型マスク９とそれを位置決めする微動ステージであるマ
スクステージ１０、投影光学系１１、レジストを塗布し
たウエハ１２とそれを位置決めする微動ステージである
ウエハステージ１３、全系を収納する真空容器１６等で
構成される。
【００３１】振動ミラーであるビーム偏向ミラー５は斜
入射の全反射ミラーで、ベローズを介して真空容器外か
らモーターで高速に角度駆動され、１回のパターン転写
の間にビームが複数回角度走査される。
入射の全反射ミラーで、ベローズを介して真空容器外か
らモーターで高速に角度駆動され、１回のパターン転写
の間にビームが複数回角度走査される。
【００３２】投影光学系１１は２枚の非球面反射鏡で構
成され、反射面には多層膜が設けてある。投影光学系１
１はテレセントリック系が用いられている。光学系の像
側開口数ＮＡp2は使用波長λと必要な分解能、焦点深度
などに応じて設定され、通常０.０５〜０.２ 程度の値
が用いられる。例えば像側開口数ＮＡp2を０.１、 投影
倍率を１／５とすると物体（マスク）側開口数ＮＡp1は
０.０２ となる。
成され、反射面には多層膜が設けてある。投影光学系１
１はテレセントリック系が用いられている。光学系の像
側開口数ＮＡp2は使用波長λと必要な分解能、焦点深度
などに応じて設定され、通常０.０５〜０.２ 程度の値
が用いられる。例えば像側開口数ＮＡp2を０.１、 投影
倍率を１／５とすると物体（マスク）側開口数ＮＡp1は
０.０２ となる。
【００３３】アンジュレータ光源１から発せられたぺン
シル状のＸ線ビーム３は図２に示す様に、１回の照射の
間にＸ線ビームを連続して直交する２つの方向に複数の
回数角度走査させるための、Ｘ線ビームと直交する方向
に回転軸を有し、それぞれの回転軸が互いに直角方向に
配置された２枚の振動ミラーであるビーム偏向ミラー５
で反射され、角度走査され、回転楕円面ミラーである凹
面ミラー７に入射する。凹面ミラー７は、その第１の焦
点位置にビーム偏向ミラー５が、第２の焦点位置に反射
型マスク９が位置するように設置されている。これによ
り、ビーム偏向ミラー５の反射面と反射型マスク９の反
射面とを共役関係にしている。
シル状のＸ線ビーム３は図２に示す様に、１回の照射の
間にＸ線ビームを連続して直交する２つの方向に複数の
回数角度走査させるための、Ｘ線ビームと直交する方向
に回転軸を有し、それぞれの回転軸が互いに直角方向に
配置された２枚の振動ミラーであるビーム偏向ミラー５
で反射され、角度走査され、回転楕円面ミラーである凹
面ミラー７に入射する。凹面ミラー７は、その第１の焦
点位置にビーム偏向ミラー５が、第２の焦点位置に反射
型マスク９が位置するように設置されている。これによ
り、ビーム偏向ミラー５の反射面と反射型マスク９の反
射面とを共役関係にしている。
【００３４】このとき、異なる角度に偏向されたＸ線
は、異なる角度でマスク１０を照射する。Ｘ線ビーム３
を一様な角度分布になるように偏向すれば、マスク１０
はほぼ一様な角度分布のＸ線で照明される。
は、異なる角度でマスク１０を照射する。Ｘ線ビーム３
を一様な角度分布になるように偏向すれば、マスク１０
はほぼ一様な角度分布のＸ線で照明される。
【００３５】ビーム偏向ミラー５から凹面ミラー７まで
の距離をｆｌ、凹面ミラー７から反射型マスク９までの
距離をｆ２、一様な角度分布で偏向されるＸ線ビーム３
の角度分布の大きさをｄ（ｒａｄ）とすると、マスク上
のある１点に入射するＸ線の角度の開きはｄ×ｆｌ／ｆ
２（ｒａｄ）となる。よつて照明系の開口数ＮＡi はｄ
×ｆｌ／（２×ｆ２）となる。このとき、コヒーレンス
ファアクターσは σ＝ｄ×ｆｌ／（２×ｆ２×ＮＡp1） となる。ｆｌ＝２０００ｍｍ、ｆ２＝５００ｍｍ、ＮＡ
ｐｌ＝０.０２ とした場合に、ｄ＝０.０１ｒａｄ であ
ればσ＝１.０ となりインコヒーレント照明が実現され
る。
の距離をｆｌ、凹面ミラー７から反射型マスク９までの
距離をｆ２、一様な角度分布で偏向されるＸ線ビーム３
の角度分布の大きさをｄ（ｒａｄ）とすると、マスク上
のある１点に入射するＸ線の角度の開きはｄ×ｆｌ／ｆ
２（ｒａｄ）となる。よつて照明系の開口数ＮＡi はｄ
×ｆｌ／（２×ｆ２）となる。このとき、コヒーレンス
ファアクターσは σ＝ｄ×ｆｌ／（２×ｆ２×ＮＡp1） となる。ｆｌ＝２０００ｍｍ、ｆ２＝５００ｍｍ、ＮＡ
ｐｌ＝０.０２ とした場合に、ｄ＝０.０１ｒａｄ であ
ればσ＝１.０ となりインコヒーレント照明が実現され
る。
【００３６】また、Ｘ線ビーム３を非一様な角度分布に
偏向すれば、マスク９は非一様な角度分布のＸ線で照明
され、いわゆる変形照明が実現できる。
偏向すれば、マスク９は非一様な角度分布のＸ線で照明
され、いわゆる変形照明が実現できる。
【００３７】図３に偏向角度分布の例をいくつか示す。
図３の（１）の様に偏向角を小さく、あるいは図３の
（２）の様に全く偏向を行わなくすれば、コヒーレンス
ファクタσは０に近くなりコヒーレント照明が実現され
る。図３の（３）の様に直径が異なる同心円を重ねて偏
向角分布が一様になるようにすれば、コヒーレンスファ
クタσは１に近くなりインコヒーレント照明が実現され
る。図３の（４）の様に同心円を間隔をおいて走査する
様にしても、ほぼインコヒーレント照明が実現される。
図３の（５）の様に螺旋状に走査したり、図３の（６）
の様に平行線状に走査しても同様の効果が得られる。図
３の（７）、（８）の様にリング状に偏向したり、図３
の（９）の様に離散的なスポット状に偏向することによ
って、マスク９に入射するＸ線の角度分布を一様分布か
らずらせば、いわゆる変形照明が実現でき、解像度や焦
点深度などの結像性能を向上することができる。
図３の（１）の様に偏向角を小さく、あるいは図３の
（２）の様に全く偏向を行わなくすれば、コヒーレンス
ファクタσは０に近くなりコヒーレント照明が実現され
る。図３の（３）の様に直径が異なる同心円を重ねて偏
向角分布が一様になるようにすれば、コヒーレンスファ
クタσは１に近くなりインコヒーレント照明が実現され
る。図３の（４）の様に同心円を間隔をおいて走査する
様にしても、ほぼインコヒーレント照明が実現される。
図３の（５）の様に螺旋状に走査したり、図３の（６）
の様に平行線状に走査しても同様の効果が得られる。図
３の（７）、（８）の様にリング状に偏向したり、図３
の（９）の様に離散的なスポット状に偏向することによ
って、マスク９に入射するＸ線の角度分布を一様分布か
らずらせば、いわゆる変形照明が実現でき、解像度や焦
点深度などの結像性能を向上することができる。
【００３８】このように、本実施例ではＸ線ビーム５を
角度走査することによって、コヒーレンスファクタを大
きくすることができる。さらに、走査する角度分布を変
えてマスク９を照明するＸ線の角度分布を制御すること
ができ、転写パターンに応じて照明光学系のコヒーレン
スファクタを最適値に設定したり、また輸帯照明や斜め
照明等の変形照明を行うことができる。露光条件に応じ
て最適な照明条件で照明することができるので、解像度
や焦点深度などの結像性能を向上することができる。ま
た位相シフトマスクを用いた場合には位相シフトによる
結像性能向上の効果を十分に得ることができる。
角度走査することによって、コヒーレンスファクタを大
きくすることができる。さらに、走査する角度分布を変
えてマスク９を照明するＸ線の角度分布を制御すること
ができ、転写パターンに応じて照明光学系のコヒーレン
スファクタを最適値に設定したり、また輸帯照明や斜め
照明等の変形照明を行うことができる。露光条件に応じ
て最適な照明条件で照明することができるので、解像度
や焦点深度などの結像性能を向上することができる。ま
た位相シフトマスクを用いた場合には位相シフトによる
結像性能向上の効果を十分に得ることができる。
【００３９】（発明の第２の実施の形態）図４は本発明
の第２の実施の形態のＸ線顕微鏡装置の模式的構成図で
あり、図中、符号４０２はシンクロトロン放射光源、４
０３はＸ線ビーム、４０５はビーム偏向ミラー、４０６
は偏向ミラー駆動装置、４０７は凹面ミラー、４１１は
投影光学系、４１４は観察試料、４１５はＸ線撮像装
置、４１６は真空容器である。本実施の形態は本発明の
光学装置をＸ線顕微鏡ヘ適用した例である。本実施の形
態はシンクロトロン放射光源４０２、２枚の振動ミラー
であるビーム偏向ミラー４０５、凹面ミラー４０７、観
察を行う試料４１４、拡大投影光学系４１１、Ｘ線の像
を観察する２次元の撮像装置４１５、全系を収納する真
空容器４１６等で構成される。２次元の撮像装置４１５
としてはＣＣＤ、マイクロチヤンネルプレート、イメー
ジングプレート、レジスト等が用いられる。
の第２の実施の形態のＸ線顕微鏡装置の模式的構成図で
あり、図中、符号４０２はシンクロトロン放射光源、４
０３はＸ線ビーム、４０５はビーム偏向ミラー、４０６
は偏向ミラー駆動装置、４０７は凹面ミラー、４１１は
投影光学系、４１４は観察試料、４１５はＸ線撮像装
置、４１６は真空容器である。本実施の形態は本発明の
光学装置をＸ線顕微鏡ヘ適用した例である。本実施の形
態はシンクロトロン放射光源４０２、２枚の振動ミラー
であるビーム偏向ミラー４０５、凹面ミラー４０７、観
察を行う試料４１４、拡大投影光学系４１１、Ｘ線の像
を観察する２次元の撮像装置４１５、全系を収納する真
空容器４１６等で構成される。２次元の撮像装置４１５
としてはＣＣＤ、マイクロチヤンネルプレート、イメー
ジングプレート、レジスト等が用いられる。
【００４０】振動ミラーであるビーム偏向ミラー４０５
は斜入射の全反射ミラーで、ベローズを介して真空容器
外からモーターで高速に角度駆動され、１回の画像取り
込みの間にＸ線ビーム３が角度走査される。第１の実施
の形態と同様に、ビーム偏向ミラー４０５によってＸ線
ビーム３を走査し、コヒーレント照明やインコヒーレン
ト照明、変形照明を行うことができる。
は斜入射の全反射ミラーで、ベローズを介して真空容器
外からモーターで高速に角度駆動され、１回の画像取り
込みの間にＸ線ビーム３が角度走査される。第１の実施
の形態と同様に、ビーム偏向ミラー４０５によってＸ線
ビーム３を走査し、コヒーレント照明やインコヒーレン
ト照明、変形照明を行うことができる。
【００４１】このように、本実施の形態ではシンクロト
ロンＸ線ビーム３を角度走査し、その角度分布を適当に
設定することによって、観察試料４１４を照明するＸ線
の角度分布を制御して、照明光学系のコヒーレンスファ
クタσを最適値に設定したり、また輪帯照明や斜め照明
等の変形照明を行うことができる。観察しようとする試
料４１４のコントラストやＸ線撮像装置４１５の特性な
どに応じた最適な照明条件で照明することができるの
で、解像度や焦点深度などの結像性能を向上することが
でき、高い分解能で像観察を行うことができる。
ロンＸ線ビーム３を角度走査し、その角度分布を適当に
設定することによって、観察試料４１４を照明するＸ線
の角度分布を制御して、照明光学系のコヒーレンスファ
クタσを最適値に設定したり、また輪帯照明や斜め照明
等の変形照明を行うことができる。観察しようとする試
料４１４のコントラストやＸ線撮像装置４１５の特性な
どに応じた最適な照明条件で照明することができるの
で、解像度や焦点深度などの結像性能を向上することが
でき、高い分解能で像観察を行うことができる。
【００４２】（発明の第３の実施の形態）図５は本発明
の第３の実施の形態のＸ線縮小投影露光装置の模式的構
成図、図６は本発明の第３の実施の形態の反射型インテ
グレータの模式的斜視図であり、図中、符号５０１はア
ンジュレータ光源、５０３はＸ線ビーム、５０４は全反
射ミラー、５０５はビーム偏向ミラー、５０６は偏向ミ
ラー駆動装置、５０７は凹面ミラー、５０８は反射型イ
ンテグレータ、５０９は反射型マスク、５１０はマスク
ステージ、５１１は投影光学系、５１２はウエハ、５１
３はウエハステージ、５１６は真空容器である。
の第３の実施の形態のＸ線縮小投影露光装置の模式的構
成図、図６は本発明の第３の実施の形態の反射型インテ
グレータの模式的斜視図であり、図中、符号５０１はア
ンジュレータ光源、５０３はＸ線ビーム、５０４は全反
射ミラー、５０５はビーム偏向ミラー、５０６は偏向ミ
ラー駆動装置、５０７は凹面ミラー、５０８は反射型イ
ンテグレータ、５０９は反射型マスク、５１０はマスク
ステージ、５１１は投影光学系、５１２はウエハ、５１
３はウエハステージ、５１６は真空容器である。
【００４３】本実施の形態は、Ｘ線源であるアンジュレ
ータ光源５０１、振動ミラーであるビーム偏向ミラー５
０５と反射型インテグレータ５０８を用いた照明光学
系、反射型マスク５０９、投影光学系５１１、マスク５
０９を搭載したステージ５１０、ウエハ５１２、ウエハ
５１２を搭載したステージ５１３、マスク５１２やウエ
ハ５１３の位置を精密にあわせるアライメント機構、Ｘ
線の減衰を防ぐために光学系全体を真空に保つための真
空容器５１６と排気装置などからなる。
ータ光源５０１、振動ミラーであるビーム偏向ミラー５
０５と反射型インテグレータ５０８を用いた照明光学
系、反射型マスク５０９、投影光学系５１１、マスク５
０９を搭載したステージ５１０、ウエハ５１２、ウエハ
５１２を搭載したステージ５１３、マスク５１２やウエ
ハ５１３の位置を精密にあわせるアライメント機構、Ｘ
線の減衰を防ぐために光学系全体を真空に保つための真
空容器５１６と排気装置などからなる。
【００４４】アンジェレータ光源５０１から発せられた
ぺンシル状のＸ線ビーム５０３は全反射ミラー５０４で
反射して高調波などの短波長成分をカットし、さらに振
動ミラーであるビーム偏向ミラー５０５で反射される。
この振動ミラー表面には多層膜反射膜が設けてあり、Ｘ
線はほぼ垂直に入射する。この振動ミラーは金属バネな
どの弾性体によって支持されており、この弾性体を電磁
手段、例えば交流電流が流されたコイルと永久磁石との
組み合わせ、等を用いて加振することで、振動ミラーを
高速に振動させることができる。
ぺンシル状のＸ線ビーム５０３は全反射ミラー５０４で
反射して高調波などの短波長成分をカットし、さらに振
動ミラーであるビーム偏向ミラー５０５で反射される。
この振動ミラー表面には多層膜反射膜が設けてあり、Ｘ
線はほぼ垂直に入射する。この振動ミラーは金属バネな
どの弾性体によって支持されており、この弾性体を電磁
手段、例えば交流電流が流されたコイルと永久磁石との
組み合わせ、等を用いて加振することで、振動ミラーを
高速に振動させることができる。
【００４５】角度走査したＸ線ビーム５０３は反射型イ
ンテグレータ５０８で反射され、多数の２次光源を形成
する。反射型インテグレータ５０８には、図６のような
微小な凸または凹球面を２次元に多数配列したフライア
イミラーが用いられる。
ンテグレータ５０８で反射され、多数の２次光源を形成
する。反射型インテグレータ５０８には、図６のような
微小な凸または凹球面を２次元に多数配列したフライア
イミラーが用いられる。
【００４６】２次光源からのＸ線は回転楕円面ミラーで
ある凹面ミラー５０７で反射してマスク５０９を照明す
る。２次光源から凹面ミラー５０７、凹面ミラー５０７
からマスク５０９までの距離は凹面ミラー５０７の焦点
距離に等しく設定されている。すなわち、２次光源の位
置に凹面ミラー５０７の焦点が位置しているので２次光
源の一つから出たＸ線はマスク５０９の広い領域を平行
光で照射する。投影光学系５１１はテレセントリック系
が用いられているので２次光源の像が投影光学系５１１
の入射瞳面に投影されることになり、ケーラー照明の条
件が満たされている。マスク上のある１点を照明するＸ
線は全ての２次光源から出たＸ線の重なったものであ
る。
ある凹面ミラー５０７で反射してマスク５０９を照明す
る。２次光源から凹面ミラー５０７、凹面ミラー５０７
からマスク５０９までの距離は凹面ミラー５０７の焦点
距離に等しく設定されている。すなわち、２次光源の位
置に凹面ミラー５０７の焦点が位置しているので２次光
源の一つから出たＸ線はマスク５０９の広い領域を平行
光で照射する。投影光学系５１１はテレセントリック系
が用いられているので２次光源の像が投影光学系５１１
の入射瞳面に投影されることになり、ケーラー照明の条
件が満たされている。マスク上のある１点を照明するＸ
線は全ての２次光源から出たＸ線の重なったものであ
る。
【００４７】このように、本実施の形態ではＸ線ビーム
５０３を角度走査することによって、コヒーレンスファ
クタを大きくすることができる。さらに、走査する角度
分布を変えてマスク５０９を照明するＸ線の角度分布を
制御することができ、転写パターンに応じて照明光学系
のコヒーレンスファクタを最適値に設定したり、また輪
帯照明や斜め照明等の変形照明を行うことができる。本
実施の形態の光学装置では露光条件に応じて最適な照明
条件で照明することができるので、解像度や焦点深度な
どの結像性能を向上することができる。また位相シフト
マスクを用いた場合には位相シフトによる結像性能向上
の効果を十分に得ることができる。
５０３を角度走査することによって、コヒーレンスファ
クタを大きくすることができる。さらに、走査する角度
分布を変えてマスク５０９を照明するＸ線の角度分布を
制御することができ、転写パターンに応じて照明光学系
のコヒーレンスファクタを最適値に設定したり、また輪
帯照明や斜め照明等の変形照明を行うことができる。本
実施の形態の光学装置では露光条件に応じて最適な照明
条件で照明することができるので、解像度や焦点深度な
どの結像性能を向上することができる。また位相シフト
マスクを用いた場合には位相シフトによる結像性能向上
の効果を十分に得ることができる。
【００４８】さらに本実施の形態では、反射型インテグ
レータ５０８を用いることによって、マスク上の広い領
域を均一に照明することができるので、一度に大きなパ
ターン領域を転写することができる。また、振動ミラー
であるビーム偏向ミラー５０５を弾性体で支持して振動
させるので、Ｘ線ビーム５０３の偏向を高速で行うこと
ができる。
レータ５０８を用いることによって、マスク上の広い領
域を均一に照明することができるので、一度に大きなパ
ターン領域を転写することができる。また、振動ミラー
であるビーム偏向ミラー５０５を弾性体で支持して振動
させるので、Ｘ線ビーム５０３の偏向を高速で行うこと
ができる。
【００４９】（発明の第４の実施の形態）図７は本発明
の第４の実施の形態のＸ線縮小投影露光装置の模式的構
成図、図８は本発明の第４の実施の形態のビーム偏向ミ
ラーの模式的斜視図であり、図中、符号７０１はアンジ
ュレータ光源、７０３はＸ線ビーム、７０５はビーム偏
向ミラー、７０６は偏向ミラー駆動装置、７０７ａ、７
０７ｂは凹面ミラー、７０８は反射型インテグレータ、
７０９は反射型マスク、７１０はマスクステージ、７１
１は投影光学系、７１２はウエハ、７１３はウエハステ
ージ、７１６は真空容器である。
の第４の実施の形態のＸ線縮小投影露光装置の模式的構
成図、図８は本発明の第４の実施の形態のビーム偏向ミ
ラーの模式的斜視図であり、図中、符号７０１はアンジ
ュレータ光源、７０３はＸ線ビーム、７０５はビーム偏
向ミラー、７０６は偏向ミラー駆動装置、７０７ａ、７
０７ｂは凹面ミラー、７０８は反射型インテグレータ、
７０９は反射型マスク、７１０はマスクステージ、７１
１は投影光学系、７１２はウエハ、７１３はウエハステ
ージ、７１６は真空容器である。
【００５０】本実施の形態は、アンジュレータ光源７０
１、ビーム偏向ミラー７０５、凹面ミラー７０７ａ、７
０７ｂ、反射型インテグレータ７０８、反射型マスク７
０９とそれを位置決めする微動ステージ７１０、投影光
学系７１１、レジストを塗布したウエハ７１２とそれを
位置決めする微動ステージ７１３、全系を収納する真空
容器７１６等で構成される。
１、ビーム偏向ミラー７０５、凹面ミラー７０７ａ、７
０７ｂ、反射型インテグレータ７０８、反射型マスク７
０９とそれを位置決めする微動ステージ７１０、投影光
学系７１１、レジストを塗布したウエハ７１２とそれを
位置決めする微動ステージ７１３、全系を収納する真空
容器７１６等で構成される。
【００５１】ビーム偏向ミラー７０５は斜入射の全反射
ミラーで、図８に示す様に凸曲線を母線とする回転対称
な擬円錐内面形状をしている。このミラーは、対称軸を
入射ビームと平行に保ったまま平行移動するように、真
空容器外からべローズを介してモーターで高速に駆動さ
れる。投影光学系７１１は３枚の非球面反射鏡で構成さ
れ、反射面には多層膜が設けてある。投影光学系７１１
はテレセントリック系が用いられている。
ミラーで、図８に示す様に凸曲線を母線とする回転対称
な擬円錐内面形状をしている。このミラーは、対称軸を
入射ビームと平行に保ったまま平行移動するように、真
空容器外からべローズを介してモーターで高速に駆動さ
れる。投影光学系７１１は３枚の非球面反射鏡で構成さ
れ、反射面には多層膜が設けてある。投影光学系７１１
はテレセントリック系が用いられている。
【００５２】アンジュレータ光源７０１から発せられた
ぺンシル状のＸ線ビーム７０３は偏向ミラー７０５で反
射され、角度走査され、回転放物面ミラーである凹面ミ
ラー７０７ａに入射する。凹面ミラー７０７ａは、その
焦点位置に偏向ミラー７０５が位置するように設置され
ている。このとき、異なる角度に偏向されたＸ線は、凹
面ミラー７０７ａによって平行になり、異なる位置で反
射型インテグレータ７０８に入射する。
ぺンシル状のＸ線ビーム７０３は偏向ミラー７０５で反
射され、角度走査され、回転放物面ミラーである凹面ミ
ラー７０７ａに入射する。凹面ミラー７０７ａは、その
焦点位置に偏向ミラー７０５が位置するように設置され
ている。このとき、異なる角度に偏向されたＸ線は、凹
面ミラー７０７ａによって平行になり、異なる位置で反
射型インテグレータ７０８に入射する。
【００５３】反射型インテグレータ７０８で反射したＸ
線は多数の２次光源を形成する。反射型インテグレータ
７０８には、実施の形態３と同様な、微小な凸または凹
面を２次元に多数配列したフライアイミラーが用いられ
る。
線は多数の２次光源を形成する。反射型インテグレータ
７０８には、実施の形態３と同様な、微小な凸または凹
面を２次元に多数配列したフライアイミラーが用いられ
る。
【００５４】２次光源からのＸ線は回転楕円面ミラーで
ある凹面ミラー７０７で反射してマスク７０９を照明す
る。２次光源から凹面ミラー７０７、凹面ミラー７０７
からマスク７０９までの距離は凹面ミラー７０７の焦点
距離に等しく設定されている。すなわち、２次光源の位
置に凹面ミラー７０７の焦点が位置しているので２次光
源の一つから出たＸ線はマスク７０９の広い領城を平行
光で照射する。投影光学系７１１はテレセントリック系
が用いられているので２次光源の像が投影光学系７１１
の入射瞳面に投影されることになり、ケーラー照明の条
件が満たされている。マスク上のある１点を照明するＸ
線は全ての２次光源から出たＸ線の重なったものであ
る。偏向ミラー７０５によるビーム偏向角度分布が２次
光源の空間分布に対応し、これが更にマスク上のある１
点を照明するＸ線の角度分布に対応する。従って、第１
の実施の形態と同様に、偏向角の分布の大きさを変えて
コヒーレンスファクタを自由に変えることができる。ま
た、偏向角の分布をリング状などの非一様分布とすれ
ば、変形照明が実現できる。
ある凹面ミラー７０７で反射してマスク７０９を照明す
る。２次光源から凹面ミラー７０７、凹面ミラー７０７
からマスク７０９までの距離は凹面ミラー７０７の焦点
距離に等しく設定されている。すなわち、２次光源の位
置に凹面ミラー７０７の焦点が位置しているので２次光
源の一つから出たＸ線はマスク７０９の広い領城を平行
光で照射する。投影光学系７１１はテレセントリック系
が用いられているので２次光源の像が投影光学系７１１
の入射瞳面に投影されることになり、ケーラー照明の条
件が満たされている。マスク上のある１点を照明するＸ
線は全ての２次光源から出たＸ線の重なったものであ
る。偏向ミラー７０５によるビーム偏向角度分布が２次
光源の空間分布に対応し、これが更にマスク上のある１
点を照明するＸ線の角度分布に対応する。従って、第１
の実施の形態と同様に、偏向角の分布の大きさを変えて
コヒーレンスファクタを自由に変えることができる。ま
た、偏向角の分布をリング状などの非一様分布とすれ
ば、変形照明が実現できる。
【００５５】このように、本実施の形態ではＸ線ビーム
７０３を擬円錐内面形状のビーム偏向ミラー７０５で角
度走査することによって、コヒーレンスファクタを大き
くすることができる。さらに、走査する角度分布を変え
てマスク７０９を照明するＸ線の角度分布を制御するこ
とができ、転写パターンに応じて照明光学系のコヒーレ
ンスファクタを最適値に設定したり、また輪帯照明や斜
め照明等の変形照明を行うことができる。露光条件に応
じて最適な照明条件で照明することができるので、解像
度や焦点深度などの結像性能を向上することができる。
また位相シフトマスクを用いた場合には位相シフトによ
る結像性能向上の効果を十分に得ることができる。また
ビーム偏向ミラー７０５として擬円錐内面形状のビーム
偏向ミラー７０５を用いているので、１個のビーム偏向
ミラー７０５を一つの平面内で平行移動することによつ
てビーム角度を２次元内任意の角度に偏向を行うことが
でき、単純なミラー駆動機構によって精度の高いビーム
偏向が実現できる。
７０３を擬円錐内面形状のビーム偏向ミラー７０５で角
度走査することによって、コヒーレンスファクタを大き
くすることができる。さらに、走査する角度分布を変え
てマスク７０９を照明するＸ線の角度分布を制御するこ
とができ、転写パターンに応じて照明光学系のコヒーレ
ンスファクタを最適値に設定したり、また輪帯照明や斜
め照明等の変形照明を行うことができる。露光条件に応
じて最適な照明条件で照明することができるので、解像
度や焦点深度などの結像性能を向上することができる。
また位相シフトマスクを用いた場合には位相シフトによ
る結像性能向上の効果を十分に得ることができる。また
ビーム偏向ミラー７０５として擬円錐内面形状のビーム
偏向ミラー７０５を用いているので、１個のビーム偏向
ミラー７０５を一つの平面内で平行移動することによつ
てビーム角度を２次元内任意の角度に偏向を行うことが
でき、単純なミラー駆動機構によって精度の高いビーム
偏向が実現できる。
【００５６】以上説明したように、Ｘ線ビームをビーム
偏向ミラーによって角度走査し、その角度分布を適当に
設定することによって、物体を照明するＸ線の角度分布
を制御して、照明光学系のコヒーレンスファクタσを自
在に調整したり、また輪帯照明や斜め照明等の変形照明
を行うことができるという効果がある。転写しようとす
るパターン形状や大きさ、レジスト特性あるいは観察試
料の性質などの露光条件に応じた最適な照明条件で照明
することができるので、解像度や焦点深度などの結像性
能を向上することができる。また位相シフトマスクを用
いた場合にも最適な照明条件で照明することができるの
で、位相シフトによる結像性能向上の効果を十分に得る
ことができる。
偏向ミラーによって角度走査し、その角度分布を適当に
設定することによって、物体を照明するＸ線の角度分布
を制御して、照明光学系のコヒーレンスファクタσを自
在に調整したり、また輪帯照明や斜め照明等の変形照明
を行うことができるという効果がある。転写しようとす
るパターン形状や大きさ、レジスト特性あるいは観察試
料の性質などの露光条件に応じた最適な照明条件で照明
することができるので、解像度や焦点深度などの結像性
能を向上することができる。また位相シフトマスクを用
いた場合にも最適な照明条件で照明することができるの
で、位相シフトによる結像性能向上の効果を十分に得る
ことができる。
【００５７】ビーム偏向ミラーとして擬円錐内面形状の
ビーム偏向ミラーを用いる場合は、１個のビーム偏向ミ
ラーを一つの平面内で平行移動することによつてビーム
角度を２次元内任意の角度に偏向を行うことができ、単
純なミラー駆動機構によって精度の高いビーム偏向が実
現できる。
ビーム偏向ミラーを用いる場合は、１個のビーム偏向ミ
ラーを一つの平面内で平行移動することによつてビーム
角度を２次元内任意の角度に偏向を行うことができ、単
純なミラー駆動機構によって精度の高いビーム偏向が実
現できる。
【００５８】また、反射型インテグレータを用いること
によって、広い領域を均一に照明することができる。
によって、広い領域を均一に照明することができる。
【００５９】
【発明の効果】本発明のＸ線光学装置によれば、照明コ
ヒーレンスファクタを自在に調整したり、変形照明を実
現したりなど、様々な照明条件を容易に得ることができ
る。本発明のデバイス製造方法によれば、従来以上に微
細なデバイス製造が可能となる。
ヒーレンスファクタを自在に調整したり、変形照明を実
現したりなど、様々な照明条件を容易に得ることができ
る。本発明のデバイス製造方法によれば、従来以上に微
細なデバイス製造が可能となる。
【図１】本発明の第１の実施の形態のＸ線縮小投影露光
装置の模式的構成図である。
装置の模式的構成図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態のビーム偏向ミラー
の模式的斜視図である。
の模式的斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態のビーム偏向パター
ンである。
ンである。
【図４】本発明の第２の実施の形態のＸ線顕微鏡装置の
模式的構成図である。
模式的構成図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態のＸ線縮小投影露光
装置の模式的構成図である。
装置の模式的構成図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の反射型インテグレ
ータの模式的斜視図である。
ータの模式的斜視図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態のＸ線縮小投影露光
装置の模式的構成図である。
装置の模式的構成図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態のビーム偏向ミラー
の模式的斜視図である。
の模式的斜視図である。
【図９】従来のＸ線縮小投影露光装置の模式的構成図で
ある。
ある。
１、５０１、７０１、９０１ アンジュレータ光源 ３、４０３、５０３、７０３、９０３ Ｘ線ビーム ５、４０５、５０５、７０５ ビーム偏向ミラー ６、４０６、５０６、７０６ 偏向ミラー駆動装置 ７、４０７、５０７、７０７ 凹面ミラー ９、５０９、７０９、９０９ 反射型マスク １０、５１０、７１０、９１０ マスクステージ １１、４１１、５１１、７１１、９１１ 投影光学系 １２、５１２、７１２、９１２ ウエハ １３、５１３、７１３、９１３ ウエハステージ １６、４１６、５１６、７１６、９１６ 真空容器 ４０２ シンクロトロン放射光源 ４１４ 観察試料 ４１５ Ｘ線撮像装置 ５０４、９０４ 全反射ミラー ５０８、７０８ 反射型インテグレータ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−94397（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−94396（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−157469（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−82418（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−283320（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−180996（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−5796（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−115813（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 503
Claims (11)
- 【請求項１】 Ｘ線ビームを偏向走査する手段と、該偏
向走査されたＸ線ビームを反射する凹面ミラーとを有
し、物体に前記Ｘ線ビームを照射するＸ線光学装置にお
いて、前記Ｘ線ビームは前記偏向走査する手段によって
異なる角度に偏向されることにより前記物体に異なる角
度で照射されることを特徴とするＸ線光学装置。 - 【請求項２】 Ｘ線ビームを偏向走査する手段と、該偏
向走査されたＸ線ビームを反射する凹面ミラーとを有
し、前記Ｘ線ビームにより物体を照明する照明光学系
と、該照明光学系で照明された物体像を投影する投影光
学系とを有するＸ線光学装置において、該偏向走査され
たＸ線ビームは前記偏向走査する手段によって異なる角
度に偏向されることにより異なる角度で物体を照明する
ことを特徴とするＸ線光学装置。 - 【請求項３】 前記物体はパターンを有するマスクであ
り、前記投影光学系によってウエハにパターン像を縮小
投影することを特徴とする請求項２記載のＸ線光学装
置。 - 【請求項４】 前記物体は観察試料であり、前記投影光
学系によって観察面に試料像を拡大投影することを特徴
とする請求項２記載のＸ線光学装置。 - 【請求項５】 前記凹面ミラーによって、前記偏向走査
する手段と前記物体とを共役関係にしたことを特徴とす
る請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のＸ線光
学装置。 - 【請求項６】 前記Ｘ線ビームはペンシルビームＸ線源
から生成されたほぼ平行なビームであることを特徴とす
る請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のＸ線光
学装置。 - 【請求項７】 複数の光源像を形成するための反射型イ
ンテグレータを有することを特徴とする請求項１から請
求項６のいずれか１項に記載のＸ線光学装置。 - 【請求項８】 前記偏向走査する手段は、２枚の斜入射
ミラーを有することを特徴とする請求項１から請求項７
のいずれか１項に記載のＸ線光学装置。 - 【請求項９】 前記偏向走査する手段は、１枚の近垂直
入射ミラーを有することを特徴とする請求項１から請求
項７のいずれか１項に記載のＸ線光学装置。 - 【請求項１０】 前記偏向走査する手段は、擬円錐内面
ミラーを有することを特徴とする請求項１から請求項７
のいずれか１項に記載のＸ線光学装置。 - 【請求項１１】 Ｘ線ビームを偏向走査し、該偏向走査
したＸ線ビームを凹面ミラーで反射し、前記偏向走査に
よって異なる角度に偏向することにより異なる角度でマ
スクを照明する段階と、該マスクのパターンをウエハに
縮小投影して露光転写する段階とを有することを特徴と
するデバイス製造方法。
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| DE10100265A1 (de) * | 2001-01-08 | 2002-07-11 | Zeiss Carl | Beleuchtungssystem mit Rasterelementen unterschiedlicher Größe |
| US20050002090A1 (en) * | 1998-05-05 | 2005-01-06 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system having a folding geometry |
| US6438199B1 (en) | 1998-05-05 | 2002-08-20 | Carl-Zeiss-Stiftung | Illumination system particularly for microlithography |
| US7142285B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-11-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US6859515B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl-Zeiss-Stiftung Trading | Illumination system, particularly for EUV lithography |
| US20070030948A1 (en) * | 1998-05-05 | 2007-02-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy |
| US7186983B2 (en) * | 1998-05-05 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| EP0955641B1 (de) | 1998-05-05 | 2004-04-28 | Carl Zeiss | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
| US6577443B2 (en) | 1998-05-30 | 2003-06-10 | Carl-Zeiss Stiftung | Reduction objective for extreme ultraviolet lithography |
| DE19923609A1 (de) * | 1998-05-30 | 1999-12-02 | Zeiss Carl Fa | Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie |
| JP2000091220A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| EP1037113A3 (en) * | 1999-03-12 | 2003-09-10 | ASML Netherlands B.V. | Illumination system for extreme ultraviolet radiation and its application in lithographic apparatus |
| TWI243287B (en) * | 1999-03-12 | 2005-11-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method using the same |
| US7248667B2 (en) * | 1999-05-04 | 2007-07-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with a grating element |
| US6724354B1 (en) * | 1999-06-21 | 2004-04-20 | The Microoptical Corporation | Illumination systems for eyeglass and facemask display systems |
| DE60006535T2 (de) | 1999-06-21 | 2004-09-23 | The Microoptical Corp., Westwood | Anzeigevorrichtung mit okular, display und beleuchtungsvorrichtung auf optomechanischem träger |
| EP1200879B1 (de) | 1999-07-30 | 2007-06-20 | Carl Zeiss SMT AG | Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems |
| DE19935568A1 (de) * | 1999-07-30 | 2001-02-15 | Zeiss Carl Fa | Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems |
| DE10001291A1 (de) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Zeiss Carl | Adaptronischer Spiegel |
| JP2003022950A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Canon Inc | Ｘ線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置 |
| JP2003059800A (ja) | 2001-08-13 | 2003-02-28 | Canon Inc | 発光装置、照明装置、投影露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2003023756A1 (en) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | The Microoptical Corporation | Light weight, compact, remountable face-supported electronic display |
| JP3782736B2 (ja) * | 2002-01-29 | 2006-06-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びその制御方法 |
| JP3564104B2 (ja) * | 2002-01-29 | 2004-09-08 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びその制御方法、これを用いたデバイスの製造方法 |
| JP4006251B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2007-11-14 | キヤノン株式会社 | ミラー装置、ミラーの調整方法、露光装置、露光方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| US20050180013A1 (en) * | 2002-03-21 | 2005-08-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Grating element for filtering wavelengths < 100 nm |
| JP3996821B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2007-10-24 | 株式会社堀場製作所 | Ｘ線分析装置 |
| WO2006033336A1 (ja) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | Nikon Corporation | 照明装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
| US7405804B2 (en) * | 2004-10-06 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with enhanced spectral purity, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| JP2007234685A (ja) | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Canon Inc | 測定装置、当該測定装置を有する露光装置及びデバイス製造方法 |
| DE102006039655A1 (de) * | 2006-08-24 | 2008-03-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, Verfahren zur Herstellung eines mikrostruktuierten Bauelements mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie durch dieses Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauelement |
| DE102008000967B4 (de) * | 2008-04-03 | 2015-04-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie |
| NL2004256A (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-18 | Asml Netherlands Bv | Enhancing alignment in lithographic apparatus device manufacture. |
| US20110216302A1 (en) * | 2010-03-05 | 2011-09-08 | Micronic Laser Systems Ab | Illumination methods and devices for partially coherent illumination |
| US8539395B2 (en) | 2010-03-05 | 2013-09-17 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image |
| KR102291997B1 (ko) | 2012-03-09 | 2021-08-23 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | Euv 투영 리소그래피용 조명 옵틱스 및 이러한 조명 옵틱스를 갖는 광학 시스템 |
| DE102012218076A1 (de) | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie |
| DE102012212830A1 (de) | 2012-07-23 | 2014-01-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Lichtquelle |
| DE102012214063A1 (de) | 2012-08-08 | 2014-02-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithographie |
| DE102012219936A1 (de) | 2012-10-31 | 2014-04-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Lichtquelle zur Erzeugung eines Nutz-Ausgabestrahls für eine Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102013202590A1 (de) | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Lichtquelle zur Erzeugung eines Nutz-Ausgabestrahls für eine Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102013203294A1 (de) | 2013-02-27 | 2014-08-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Baugruppe zur Polarisationsdrehung |
| DE102013212363A1 (de) | 2013-06-27 | 2014-07-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel, insbesondere für die EUV-Projektionslithografie |
| DE102013223808A1 (de) | 2013-11-21 | 2014-12-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Spiegeleinrichtung zur Reflexion eines Bündels von EUV-Licht |
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| DE102014226917A1 (de) | 2014-12-23 | 2015-12-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithographie |
| CN108028089B (zh) * | 2015-09-25 | 2021-07-06 | 国立大学法人大阪大学 | X射线显微镜 |
| US10649209B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-05-12 | Daqri Llc | Optical combiner apparatus |
| US10481678B2 (en) | 2017-01-11 | 2019-11-19 | Daqri Llc | Interface-based modeling and design of three dimensional spaces using two dimensional representations |
| DE102017205548A1 (de) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Baugruppe zum Führen eines Ausgabestrahls eines Freie-Elektronen-Lasers |
| US11125993B2 (en) | 2018-12-10 | 2021-09-21 | Facebook Technologies, Llc | Optical hyperfocal reflective systems and methods, and augmented reality and/or virtual reality displays incorporating same |
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Family Cites Families (7)
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|---|---|---|---|---|
| EP0345097B1 (en) * | 1988-06-03 | 2001-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| DE68929187T2 (de) * | 1988-09-02 | 2000-09-28 | Canon Kk | Belichtungsapparat |
| US5222112A (en) * | 1990-12-27 | 1993-06-22 | Hitachi, Ltd. | X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system |
| US5394451A (en) * | 1991-10-08 | 1995-02-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical arrangement for exposure apparatus |
| EP0588579B1 (en) * | 1992-09-14 | 1998-12-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Synchrotron X-ray exposure method |
| JP3219502B2 (ja) * | 1992-12-01 | 2001-10-15 | キヤノン株式会社 | 反射型マスクとその製造方法、並びに露光装置と半導体デバイス製造方法 |
| US5268951A (en) * | 1992-12-22 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | X-ray beam scanning method for producing low distortion or constant distortion in x-ray proximity printing |
-
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