JP3219502B2 - 反射型マスクとその製造方法、並びに露光装置と半導体デバイス製造方法 - Google Patents
反射型マスクとその製造方法、並びに露光装置と半導体デバイス製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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-
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線あるいは真空紫外
線などの放射エネルギを反射型マスクに照射し、反射鏡
によってレジスト上に縮小投影するリソグラフィ装置な
どに用いられる反射型マスクに関するものである。
線などの放射エネルギを反射型マスクに照射し、反射鏡
によってレジスト上に縮小投影するリソグラフィ装置な
どに用いられる反射型マスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩあるいは液晶パネルなどの
半導体デバイスを製造するため、微細なパターンを光学
的にレジストに転写するリソグラフィでは、半導体デバ
イスの高集積化・微細化に伴ってより解像度が高いＸ線
あるいは真空紫外線を用いる方式が用いられるようにな
ってきた。このような方式の露光装置ではシンクロトロ
ンあるいはレーザプラズマなどの光源からのＸ線あるい
は真空紫外線等の放射エネルギを転写パターンが形成さ
れている反射型マスクに照射し、これによって反射され
たＸ線あるいは真空紫外線を複数枚の反射鏡によってレ
ジスト上に縮小投影する。使用される反射型マスクは、
反射鏡の上に転写パターンに応じた吸収体あるいは反射
防止膜などが設けられる。又、反射鏡としては複数の物
質を交互に積層した多層膜が用いられる。
半導体デバイスを製造するため、微細なパターンを光学
的にレジストに転写するリソグラフィでは、半導体デバ
イスの高集積化・微細化に伴ってより解像度が高いＸ線
あるいは真空紫外線を用いる方式が用いられるようにな
ってきた。このような方式の露光装置ではシンクロトロ
ンあるいはレーザプラズマなどの光源からのＸ線あるい
は真空紫外線等の放射エネルギを転写パターンが形成さ
れている反射型マスクに照射し、これによって反射され
たＸ線あるいは真空紫外線を複数枚の反射鏡によってレ
ジスト上に縮小投影する。使用される反射型マスクは、
反射鏡の上に転写パターンに応じた吸収体あるいは反射
防止膜などが設けられる。又、反射鏡としては複数の物
質を交互に積層した多層膜が用いられる。
【０００３】ところで、リソグラフィの解像度を高める
方法として所謂「位相シフト法」が知られているが、こ
の位相シフト法を反射型マスクにも適用することができ
る。これは反射型マスクにおいて隣り合ったパターンで
反射するＸ線の位相がπだけずれるような位相シフタを
形成して、マスクで反射したＸ線あるいは真空紫外線を
反射鏡によってレジスト上に縮小投影した場合、これら
のパターンの間でＸ線強度が０となるのでコントラスト
が向上するというものである。又、結像光学系の開口数
を大きくしなくても回折による転写パターンのコントラ
スト低下の影響を低減することができるので焦点深度を
深くすることができる。このためウエハの位置合わせ誤
差やウエハのそりなどによる焦点ずれの影響を受けにく
く、リソグラフィの解像度を高めることができる。
方法として所謂「位相シフト法」が知られているが、こ
の位相シフト法を反射型マスクにも適用することができ
る。これは反射型マスクにおいて隣り合ったパターンで
反射するＸ線の位相がπだけずれるような位相シフタを
形成して、マスクで反射したＸ線あるいは真空紫外線を
反射鏡によってレジスト上に縮小投影した場合、これら
のパターンの間でＸ線強度が０となるのでコントラスト
が向上するというものである。又、結像光学系の開口数
を大きくしなくても回折による転写パターンのコントラ
スト低下の影響を低減することができるので焦点深度を
深くすることができる。このためウエハの位置合わせ誤
差やウエハのそりなどによる焦点ずれの影響を受けにく
く、リソグラフィの解像度を高めることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、このような位相
シフト反射型マスクを実現する方法としては、図７に示
すようにマスク基板５１に予め段差５３を設けておきこ
の上に多層膜５２を成膜する方法があった。５４は転写
パターンである。しかしながら、段差を作製する工程が
容易ではなく、生産性や歩止まりを向上させにくいとい
う課題を有する。
シフト反射型マスクを実現する方法としては、図７に示
すようにマスク基板５１に予め段差５３を設けておきこ
の上に多層膜５２を成膜する方法があった。５４は転写
パターンである。しかしながら、段差を作製する工程が
容易ではなく、生産性や歩止まりを向上させにくいとい
う課題を有する。
【０００５】本発明は上記課題を解決すべくなされたも
ので、位相シフト法を用いたリソグラフィ用の反射型マ
スクを高い生産性で提供することを目的とする。又、上
記マスクを用いた露光装置や半導体デバイス製造方法な
どを提供することを目的とする。
ので、位相シフト法を用いたリソグラフィ用の反射型マ
スクを高い生産性で提供することを目的とする。又、上
記マスクを用いた露光装置や半導体デバイス製造方法な
どを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の反射型マスクは、マスクパターンが形成される反射
領域が多層膜で構成され、膜厚周期を場所によって異な
らせて反射する放射エネルギの位相を変化させることを
特徴とするものである。
明の反射型マスクは、マスクパターンが形成される反射
領域が多層膜で構成され、膜厚周期を場所によって異な
らせて反射する放射エネルギの位相を変化させることを
特徴とするものである。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。基本的な
考え方は、反射領域の多層膜の膜厚周期を場所によって
変化させ位相シフタを形成することによって、反射する
Ｘ線の位相を変えるものである。多層膜の膜厚周期は多
層膜に部分的に電子ビームやイオンビームなどのエネル
ギビームを照射することによって変化させることができ
る。
考え方は、反射領域の多層膜の膜厚周期を場所によって
変化させ位相シフタを形成することによって、反射する
Ｘ線の位相を変えるものである。多層膜の膜厚周期は多
層膜に部分的に電子ビームやイオンビームなどのエネル
ギビームを照射することによって変化させることができ
る。
【０００８】多層膜の膜厚周期をｐ、変化した膜厚周期
の変化量をｐ′、使用するＸ線または真空紫外線の波長
をλ、入射角をθ、膜厚周期数をｍとすると、多層膜最
上面の段差は、 ２ｍｐ′ となるので、ここで反射したＸ線の位相差は、 δ ＝ ４πｍｐ′cos θ／ λ となる。多層膜内でのＸ線の屈折が小さいとき、ブラッ
グ条件から、 ｐ＝ｎλ／ ２ cosθ ｎ：自然数 なので、 δ＝２πｍｎｐ′／ ｐ となる。従って反射光の位相が±πだけ変化するには、 ２ｍｎｐ′／ ｐ＝ １ ｎ：０以外の整数 となる。
の変化量をｐ′、使用するＸ線または真空紫外線の波長
をλ、入射角をθ、膜厚周期数をｍとすると、多層膜最
上面の段差は、 ２ｍｐ′ となるので、ここで反射したＸ線の位相差は、 δ ＝ ４πｍｐ′cos θ／ λ となる。多層膜内でのＸ線の屈折が小さいとき、ブラッ
グ条件から、 ｐ＝ｎλ／ ２ cosθ ｎ：自然数 なので、 δ＝２πｍｎｐ′／ ｐ となる。従って反射光の位相が±πだけ変化するには、 ２ｍｎｐ′／ ｐ＝ １ ｎ：０以外の整数 となる。
【０００９】多層膜にＸ線を入射したときの反射光の位
相変化は上面での反射だけでなく、より下層の全ての界
面での反射による寄与を考えなければならないが、高い
反射率を得るために十分な層数を積層した多層膜では上
層で反射したＸ線の寄与が支配的であるので、最上面で
の反射における位相変化を考慮すれば十分である。
相変化は上面での反射だけでなく、より下層の全ての界
面での反射による寄与を考えなければならないが、高い
反射率を得るために十分な層数を積層した多層膜では上
層で反射したＸ線の寄与が支配的であるので、最上面で
の反射における位相変化を考慮すれば十分である。
【００１０】位相シフト法における位相シフト量は厳密
にπでなくても 0.5〜 1.5π程度の範囲にあれば効果が
あるので、膜厚周期の変化量もそれに対応した幅をもっ
た値になる。結局、 １／２ ＜ ２ｍｎｐ′／ｐ ＜ ３／２ ｎ：０以外の整数 で規定されるｐ′だけ膜厚周期を変化させればよい。
にπでなくても 0.5〜 1.5π程度の範囲にあれば効果が
あるので、膜厚周期の変化量もそれに対応した幅をもっ
た値になる。結局、 １／２ ＜ ２ｍｎｐ′／ｐ ＜ ３／２ ｎ：０以外の整数 で規定されるｐ′だけ膜厚周期を変化させればよい。
【００１１】反射型マスクの多層膜の膜厚を部分的に変
化させるには、多層膜を部分的に加熱する。これにより
膜を構成する物質の種類に応じて膜厚周期が数％増加ま
たは減少する。膜厚周期の変化量は加熱温度や加熱時間
によって制御することができる。この多層膜を部分的に
加熱する具体的方法としては、電子ビーム、イオンビー
ム、レーザビームなどのエネルギビームの照射が好まし
い。
化させるには、多層膜を部分的に加熱する。これにより
膜を構成する物質の種類に応じて膜厚周期が数％増加ま
たは減少する。膜厚周期の変化量は加熱温度や加熱時間
によって制御することができる。この多層膜を部分的に
加熱する具体的方法としては、電子ビーム、イオンビー
ム、レーザビームなどのエネルギビームの照射が好まし
い。
【００１２】又、反射型マスクは反射部と非反射部とで
マスクパターンが形成されるが、非反射部を形成するた
めにエネルギビームを照射して多層膜構造を破壊する方
法を採用する。これにより、一つのエネルギビーム照射
工程の中で照射条件を変更するだけで非反射部と位相シ
フタ部を形成することができる。
マスクパターンが形成されるが、非反射部を形成するた
めにエネルギビームを照射して多層膜構造を破壊する方
法を採用する。これにより、一つのエネルギビーム照射
工程の中で照射条件を変更するだけで非反射部と位相シ
フタ部を形成することができる。
【００１３】＜実施例１＞より具体的な実施例を図１に
示す。石英製のマスク基板１の上にモリブデンとシリコ
ンの２種の繰り返しからなる多層膜２を、ＲＦマグネト
ロンスパッタ法により成膜した。ここでモリブデン膜は
厚さ３ｎｍ、シリコン膜は厚さ３．７ｎｍで、層数は２
５層対である。そして、この上に通常の光リソグラフィ
法によってマスクパターン（回路パターン）に応じた厚
さ１００ｎｍの金からなる吸収体パターン４を形成し
た。
示す。石英製のマスク基板１の上にモリブデンとシリコ
ンの２種の繰り返しからなる多層膜２を、ＲＦマグネト
ロンスパッタ法により成膜した。ここでモリブデン膜は
厚さ３ｎｍ、シリコン膜は厚さ３．７ｎｍで、層数は２
５層対である。そして、この上に通常の光リソグラフィ
法によってマスクパターン（回路パターン）に応じた厚
さ１００ｎｍの金からなる吸収体パターン４を形成し
た。
【００１４】次にこの吸収体パターン４の周辺部２ａに
電子ビームを照射して多層膜を局部的に加熱して位相シ
フタを形成した。その結果、加熱部分の多層膜はその周
期が約２．５％小さくなり、多層膜表面の段差は約４．
２ｎｍとなった。
電子ビームを照射して多層膜を局部的に加熱して位相シ
フタを形成した。その結果、加熱部分の多層膜はその周
期が約２．５％小さくなり、多層膜表面の段差は約４．
２ｎｍとなった。
【００１５】このマスクに波長１３ｎｍのＸ線を垂直に
入射させたところ、膜厚周期を変化させた部分２ａと膜
厚周期を変化させない部分２ｂの反射率は共に６０％で
あっが、反射するＸ線の位相は互いに０．９５πだけ異
なっていた。
入射させたところ、膜厚周期を変化させた部分２ａと膜
厚周期を変化させない部分２ｂの反射率は共に６０％で
あっが、反射するＸ線の位相は互いに０．９５πだけ異
なっていた。
【００１６】図２は、この反射型マスクを用いた縮小露
光装置の例を示す。波長１３ｎｍの軟Ｘ線を発生する放
射源であるアンジュレ−タ６からのビ−ムを２枚の反射
鏡７、８で拡大して、上記説明した反射型マスク９を照
明する。反射型マスク９によって強度と位相が変化した
軟Ｘ線は２枚の反射鏡１０、１１よりなる結像光学系に
よって縮小され、ウエハ１２に塗布されたレジスト上に
投影されマスクパターンが露光転写される。ここで縮小
率は１０分の１、開口数は０．０６であり、シュワルツ
シルド光学系を構成している。この装置を使用して縮小
露光の実験を行なったところ、線幅９０ｎｍのパターン
まで解像できた。
光装置の例を示す。波長１３ｎｍの軟Ｘ線を発生する放
射源であるアンジュレ−タ６からのビ−ムを２枚の反射
鏡７、８で拡大して、上記説明した反射型マスク９を照
明する。反射型マスク９によって強度と位相が変化した
軟Ｘ線は２枚の反射鏡１０、１１よりなる結像光学系に
よって縮小され、ウエハ１２に塗布されたレジスト上に
投影されマスクパターンが露光転写される。ここで縮小
率は１０分の１、開口数は０．０６であり、シュワルツ
シルド光学系を構成している。この装置を使用して縮小
露光の実験を行なったところ、線幅９０ｎｍのパターン
まで解像できた。
【００１７】＜実施例２＞図３は本発明の別の実施例を
示す。シリコンカーバイド製のマスク基板の上にタング
ステンと炭素の２種の繰り返しからなる多層膜を、イオ
ンビームスパッタ法により成膜した。ここでタングステ
ン膜は厚さ０．４９ｎｍ、炭素膜は厚さ１．９１ｎｍ
で、層数は２５０層対である。
示す。シリコンカーバイド製のマスク基板の上にタング
ステンと炭素の２種の繰り返しからなる多層膜を、イオ
ンビームスパッタ法により成膜した。ここでタングステ
ン膜は厚さ０．４９ｎｍ、炭素膜は厚さ１．９１ｎｍ
で、層数は２５０層対である。
【００１８】次にこの多層膜のマスクパターン（回路パ
ターン）に応じた部分２２ｃにイオンビームを照射して
多層膜を局部的に加熱し多層構造を破壊した。破壊され
た部分の周辺２２ｂでは多層膜が加熱され、その周期が
２．４０ｎｍから約０．２％大きくなり、多層膜表面の
段差は約１．２ｎｍとなった。
ターン）に応じた部分２２ｃにイオンビームを照射して
多層膜を局部的に加熱し多層構造を破壊した。破壊され
た部分の周辺２２ｂでは多層膜が加熱され、その周期が
２．４０ｎｍから約０．２％大きくなり、多層膜表面の
段差は約１．２ｎｍとなった。
【００１９】この多層膜に対して波長４．５ｎｍのＸ線
を入射角２０°で照射して反射率を測定したところ、イ
オンビームを照射しなかった部分２２ａでは３５％、破
壊された部分２２ｃではＸ線の反射率は０．１％以下、
その周辺部２２ｂでは３２％であった。又、２２ｂと２
２ａから反射するＸ線の位相は、互いに０．９πだけ異
なっていた。
を入射角２０°で照射して反射率を測定したところ、イ
オンビームを照射しなかった部分２２ａでは３５％、破
壊された部分２２ｃではＸ線の反射率は０．１％以下、
その周辺部２２ｂでは３２％であった。又、２２ｂと２
２ａから反射するＸ線の位相は、互いに０．９πだけ異
なっていた。
【００２０】図４にこの反射型マスクを用いた縮小露光
装置の例を示す。波長４．５ｎｍの軟Ｘ線を発生する放
射源であるレーザプラズマＸ線源３３からのビ−ムを２
枚の反射鏡２７、２８で集光して、上記説明した反射型
マスク２９を照明する。反射型マスク２９によって強度
と位相が変化した軟Ｘ線は、２枚の反射鏡３０、３１よ
りなる結像光学系によって縮小され、ウエハ３２に塗布
されたレジスト上に投影されマスクパターンが露光転写
される。ここで縮小率は５分の１、開口数は０．０２で
あり、シュワルツシルド光学系を構成している。この装
置を使用数て縮小露光の実験を行なったところ、線幅１
２０ｎｍのパターンまで解像できた。
装置の例を示す。波長４．５ｎｍの軟Ｘ線を発生する放
射源であるレーザプラズマＸ線源３３からのビ−ムを２
枚の反射鏡２７、２８で集光して、上記説明した反射型
マスク２９を照明する。反射型マスク２９によって強度
と位相が変化した軟Ｘ線は、２枚の反射鏡３０、３１よ
りなる結像光学系によって縮小され、ウエハ３２に塗布
されたレジスト上に投影されマスクパターンが露光転写
される。ここで縮小率は５分の１、開口数は０．０２で
あり、シュワルツシルド光学系を構成している。この装
置を使用数て縮小露光の実験を行なったところ、線幅１
２０ｎｍのパターンまで解像できた。
【００２１】本実施例によれば、一つの工程で非反射部
と位相シフタ部を形成することができるのでマスクのパ
ターン位置精度、生産性、歩留まりをより一層向上させ
ることができる。
と位相シフタ部を形成することができるのでマスクのパ
ターン位置精度、生産性、歩留まりをより一層向上させ
ることができる。
【００２２】＜実施例３＞次に上記説明した露光装置を
利用した半導体デバイスの製造方法の実施例を説明す
る。図５は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チ
ップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフロー
を示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの
回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計
した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、
ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用い
てウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は
前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用い
て、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を
形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
利用した半導体デバイスの製造方法の実施例を説明す
る。図５は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チ
ップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフロー
を示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの
回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計
した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、
ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用い
てウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は
前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用い
て、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を
形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００２３】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによってウエハ上に回
路パターンが多重形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによってウエハ上に回
路パターンが多重形成される。
【００２４】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、生産性の高い反射型マ
スクを提供することができる。又、本発明を露光装置や
半導体デバイス製造方法に適用すれば、従来は難しかっ
た高集積度デバイスを製造することができる。
スクを提供することができる。又、本発明を露光装置や
半導体デバイス製造方法に適用すれば、従来は難しかっ
た高集積度デバイスを製造することができる。
【図１】第１の実施例の反射型マスクの断面図である。
【図２】図１の反射型マスクを用いた縮小露光装置の構
成図である。
成図である。
【図３】第２の実施例の反射型マスクの断面図である。
【図４】図３の反射型マスクを用いた縮小露光装置の構
成図である。
成図である。
【図５】半導体デバイスの製造フローを示す図である。
【図６】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
る。
【図７】従来の反射型マスクの断面図である。
１ マスク基板 ２ 多層膜 ４ Ｘ線吸収体パターン ６ 放射源 ７，８ 反射鏡 ９ 反射型マスク １０，１１ 反射鏡 １２ ウエハ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−134385（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−88355（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−118914（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−266842（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−140743（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−175735（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−201656（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−333527（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16
Claims (7)
- 【請求項１】 マスクパターンが形成される反射領域が
多層膜で構成され、膜厚周期を場所によって異ならせて
反射する放射エネルギの位相を変化させることを特徴と
する反射型マスク。 - 【請求項２】 膜厚周期をｐ、膜厚周期の差をｐ′、膜
厚周期数をｍとしたとき、 １／２ ＜ ２ｍｎｐ′／ｐ ＜ ３／２ ｎ：０以外の整数 の条件を満たすことを特徴とする請求項１の反射型マス
ク。 - 【請求項３】 請求項１の反射型マスクを、多層膜に部
分的にエネルギビームを照射することで膜厚周期を変化
させた部分を形成することを含む製法で製造することを
特徴とする反射型マスクの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１の反射型マスクを、多層膜に部
分的にエネルギビームを照射することで膜厚周期を変化
させた部分と反射率を低下させた部分とを形成すること
を含む製法で製造することを特徴とする反射型マスクの
製造方法。 - 【請求項５】 放射源からの放射エネルギを転写パター
ンが形成されている反射型マスクに照射し、反射された
放射エネルギを反射鏡によって基板上に縮小投影して露
光転写する露光装置において、前記反射型マスクはマス
クパターンが形成される反射領域が多層膜で構成され、
膜厚周期を場所によって異ならせて反射する放射エネル
ギの位相を変化させたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項６】 半導体デバイス製造用の転写パターンが
形成される反射領域が多層膜で構成され、膜厚周期を場
所によって異ならせて反射する放射エネルギの位相を変
化させた反射型マスクを用意するステップ、 放射源からの放射エネルギを前記反射型マスクに照射
し、反射された放射エネルギを反射鏡によって基板上に
縮小投影して露光転写するステップを有することを特徴
とする半導体デバイス製造方法。 - 【請求項７】 請求項６の製造方法で製造されたことを
特徴とする半導体デバイス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32190892A JP3219502B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 反射型マスクとその製造方法、並びに露光装置と半導体デバイス製造方法 |
| EP93309540A EP0600708B1 (en) | 1992-12-01 | 1993-11-30 | Reflection type mask and manufacture of microdevices using the same |
| DE69319858T DE69319858T2 (de) | 1992-12-01 | 1993-11-30 | Reflexionsmaske und deren Verwendung zur Herstellung von Mikrovorrichtungen |
| US08/158,774 US5503950A (en) | 1992-12-01 | 1993-12-01 | Reflection type mask and manufacture of microdevices using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32190892A JP3219502B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 反射型マスクとその製造方法、並びに露光装置と半導体デバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177016A JPH06177016A (ja) | 1994-06-24 |
| JP3219502B2 true JP3219502B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=18137750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32190892A Expired - Fee Related JP3219502B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 反射型マスクとその製造方法、並びに露光装置と半導体デバイス製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5503950A (ja) |
| EP (1) | EP0600708B1 (ja) |
| JP (1) | JP3219502B2 (ja) |
| DE (1) | DE69319858T2 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3267471B2 (ja) * | 1995-08-02 | 2002-03-18 | キヤノン株式会社 | マスク、これを用いた露光装置やデバイス生産方法 |
| KR0147665B1 (ko) * | 1995-09-13 | 1998-10-01 | 김광호 | 변형조명방법, 이에 사용되는 반사경 및 그 제조방법 |
| US6038279A (en) * | 1995-10-16 | 2000-03-14 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray generating device, and exposure apparatus and semiconductor device production method using the X-ray generating device |
| JP3284045B2 (ja) * | 1996-04-30 | 2002-05-20 | キヤノン株式会社 | Ｘ線光学装置およびデバイス製造方法 |
| JP3774522B2 (ja) * | 1996-12-24 | 2006-05-17 | キヤノン株式会社 | 回折光学素子及びそれを有する光学機器 |
| US5962174A (en) * | 1998-02-13 | 1999-10-05 | Micron Technology, Inc. | Multilayer reflective mask |
| US6356340B1 (en) | 1998-11-20 | 2002-03-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Piezo programmable reticle for EUV lithography |
| JP2001057328A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Nikon Corp | 反射マスク、露光装置および集積回路の製造方法 |
| US6596465B1 (en) | 1999-10-08 | 2003-07-22 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor component |
| US6821682B1 (en) * | 2000-09-26 | 2004-11-23 | The Euv Llc | Repair of localized defects in multilayer-coated reticle blanks for extreme ultraviolet lithography |
| JP2002245947A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-08-30 | Canon Inc | 細線を有する基板及びその製造方法及び電子源基板及び画像表示装置 |
| US6645679B1 (en) * | 2001-03-12 | 2003-11-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Attenuated phase shift mask for use in EUV lithography and a method of making such a mask |
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| AU2002314278A1 (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-09 | Xenocs | Hybrid optical component for x ray applications and method associated therewith |
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| US7572556B2 (en) | 2003-09-17 | 2009-08-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Masks, lithography device and semiconductor component |
| NL1036305A1 (nl) | 2007-12-21 | 2009-06-23 | Asml Netherlands Bv | Grating for EUV-radiation, method for manufacturing the grating and wavefront measurement system. |
| KR102101837B1 (ko) | 2013-06-11 | 2020-04-17 | 삼성전자 주식회사 | 포토마스크, 포토마스크의 레지스트레이션 에러 보정 방법, 포토마스크를 이용하여 제조된 집적 회로 및 그 제조 방법 |
| JP7325961B2 (ja) | 2016-06-03 | 2023-08-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | パターニングデバイス |
| CN116635784A (zh) * | 2020-11-20 | 2023-08-22 | 恩特格里斯公司 | 用于光刻的相移光罩 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0947882B1 (en) * | 1986-07-11 | 2006-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray reduction projection exposure system of reflection type |
| JPH01175735A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Canon Inc | 反射型マスク及びその製造方法 |
| DE3856054T2 (de) * | 1987-02-18 | 1998-03-19 | Canon Kk | Reflexionsmaske |
| JPH0727198B2 (ja) * | 1987-02-18 | 1995-03-29 | キヤノン株式会社 | 多層膜反射型マスク |
| US5012500A (en) * | 1987-12-29 | 1991-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask support member, X-ray mask, and X-ray exposure process using the X-ray mask |
| JP2710967B2 (ja) * | 1988-11-22 | 1998-02-10 | 株式会社日立製作所 | 集積回路装置の製造方法 |
| JPH02177532A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Toshiba Corp | 軟ｘ線反射型露光用マスク及びその製造方法 |
| JPH03266842A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-27 | Fujitsu Ltd | 反射型ホトリソグラフィ方法、反射型ホトリソグラフィ装置および反射型ホトマスク |
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| JPH0588355A (ja) * | 1991-09-25 | 1993-04-09 | Canon Inc | 反射型マスク及びそれを用いた露光装置 |
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-
1992
- 1992-12-01 JP JP32190892A patent/JP3219502B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-11-30 DE DE69319858T patent/DE69319858T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-11-30 EP EP93309540A patent/EP0600708B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-01 US US08/158,774 patent/US5503950A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69319858D1 (de) | 1998-08-27 |
| DE69319858T2 (de) | 1998-12-17 |
| EP0600708B1 (en) | 1998-07-22 |
| JPH06177016A (ja) | 1994-06-24 |
| EP0600708A1 (en) | 1994-06-08 |
| US5503950A (en) | 1996-04-02 |
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