JP2000031021A - 反射型マスクおよびそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】マスクパターンの近接効果補正の設計を容易に
する。 【解決手段】反射部のパターンに応じて少なくとも部分
的に反射率を変化させることにより、非反射部である遮
光部または吸収体のマスクパターンの変更が必ずしも必
要でなくなり、マスクパターンの光近接効果補正の設計
が容易となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は紫外線，真空紫外線
または極紫外線の露光あるいは照射により、像形成を行
わせるために使用する光学素子の製造または検査に係
り、特に微細パターンの転写に用いて好適な反射型マス
クおよびその作製方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの固体素子の集積度および動作速
度を向上するため、回路パターンの微細化が進んでい
る。現在これらのパターンの形成には、露光光源を紫外
線とする縮小投影露光法が広く用いられている。この方
法の解像度は露光波長λに比例し投影光学系のウェハ側
の開口数ＮＡに反比例する。解像限界の向上は開口数Ｎ
Ａを大きくとることにより行われてきた。しかし、この
方法は焦点深度の減少と屈折光学系（レンズ）設計およ
び製造技術の困難から限界に近づきつつある。

【０００３】このため、露光波長λを短くする方法が進
められている。例えば水銀ランプのｇ線(λ＝４３５.８
ｎｍ）からｉ線（λ＝３６５ｎｍ）、さらにＫｒＦエキ
シマレーザ（λ＝２４８ｎｍ），ＡｒＦエキシマレーザ
（λ＝１９３ｎｍ）等である。露光波長の短波長化によ
り、解像度は向上する。

【０００４】また、いわゆる超解像露光と呼ばれる手法
により、露光に用いる波長よりも小さい寸法のパターン
が形成可能となってきた。しかし露光に用いる紫外線の
波長の大きさからくる原理的な限界から、０.１μｍ(１
００ｎｍ）以下の解像度を種々のパターンに対して得る
ことはかなり困難となる。

【０００５】また、露光に用いる紫外線の波長の大きさ
に近いパターンを形成しようとすると、マスクに形成さ
れたパターンの形状と転写されたパターンの形状が相違
する現象が顕著になる光近接効果により、転写用原版と
なるマスクパターンに対してその寸法に補正を加えて設
計，配置等を行う必要がある。

【０００６】以上のような背景をもとに、近年、波長が
およそ５ｎｍから５０ｎｍである極紫外線（ＥＵＶ）を
露光光源としたＥＵＶリソグラフィが注目を浴びてい
る。例えば、ジャーナル オブ バキューム サイエン
ス アンド テクノロジー（Journal of Vacuum Scienc
e and Technology），Ｂ９巻６号，１９９１年，３１８
９ページから３１９２ページに記載されている。

【０００７】図１はＥＵＶリソグラフィの露光光学系の
例を示すものである。ＥＵＶ４を露光光源とし、入射角
θで斜めに入射して反射型マスク８１を照明する。入射
角θは種々の光学系で異なるが、およそ１°から１５°
程度である。反射型マスク８１はＥＵＶを正反射するこ
とができる多層膜２が形成されている。反射型マスク８
１には所定のパターンが形成されている。反射型マスク
から反射したＥＵＶは凸ミラー９２で反射し、さらに凹
ミラー９１で反射し、ウェハ８２上で結像する。凸ミラ
ー９２，凹ミラー９１には反射鏡用多層膜７がミラー全
面に形成されている。ここで反射型マスク等の光学素子
として使用する基板１には、高い反射率を得るために粗
さの無い超平滑基板が必要である。

【０００８】従来のＥＵＶ用反射型マスクは、例えばJo
urnal of Vacuum Science and Technology，Ｂ９巻６
号，１９９１年，３１７６ページから３１８３ページに
記載のように、反射率が高い領域を多層膜が存在する部
分、反射率が低いまたは反射率のない領域を多層膜また
は多層膜構造が存在しない部分として形成される。

【０００９】図２は反射型マスクの構造を示す断面図で
ある。図２（ａ）に示すマスクは、集束イオンビーム５
によって基板１上の多層膜２を、基板に対して垂直方向
に変質して反射率の低い領域または非反射部３を形成
し、反射率の高い領域２にパターンを形成するものであ
る。また、図２（ｂ）のように多層膜２の所定の部分を
除去して、多層膜がない部分、すなわち非反射部３を形
成するものもある。また、図２（ｃ）のように超平滑基
板１に直接付着した多層膜２の上に所定の厚さおよび形
を有する吸収体３５のパターンを形成し、非反射部とす
る反射型マスクの例もある。

【００１０】露光あるいは照射に用いる真空紫外線また
はＸ線の波長が小さくなる場合、真空紫外線またはＸ線
に対する多層膜の反射率を大きくするには、多層膜の積
層数を増やす必要がある。例えば高い反射率を得るに
は、Ｘ線の波長１３ｎｍでは５０層対以上、１０ｎｍで
は１００層対以上、７ｎｍでは１５０層対以上程度が必
要となる。

【００１１】反射型マスクの典型的な製造方法を図３に
示す。まず高い反射率を得るために粗さがほとんどない
超平滑基板１に多層膜２を形成する（図３（ａ））。こ
の超平滑基板１に多層膜２を形成したものを一般に多層
膜ブランクマスク（または多層膜ブランクス）と呼ぶ。
多層膜の形成には通常、イオンビームスパッタリング蒸
着法，マグネトロンスパッタリング蒸着法等の物理的蒸
着法や化学気相成長蒸着法（ＣＶＤ）や原子層成長法
（ＡＬＥ）が用いられる。

【００１２】次に反射型マスクの非反射部となる吸収体
３５を形成する（図３（ｂ））。吸収体３５の形成には
通常、多層膜の形成と同様にイオンビームスパッタリン
グ蒸着法，マグネトロンスパッタリング蒸着法等の物理
的蒸着法や化学気相成長蒸着法（ＣＶＤ）などが用いら
れる。吸収体の材料としてはＷ，Ｔａ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｔ
ｉ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｃｏ等の金属，半金属，半導体材料の
単体もしくは化合物が用いられる。

【００１３】次に吸収体をパターニングし、所望の吸収
体パターンを形成するため、前記吸収体の上にレジスト
３８を形成し（図３（ｃ））、ｉ線露光，ＫｒＦエキシ
マレーザ露光，電子線ビーム描画，等倍露光Ｘ線，イオ
ンビーム露光，ＥＵＶ露光等によるリソグラフィ技術で
レジストパターン３９を形成する（図３（ｄ））。次に
レジストパターン３９をマスクとして吸収体を反応性イ
オンエッチングなどにより加工し、吸収体３５のパター
ンを形成する（図３（ｅ））。次にレジストパターンを
除去する（図３（ｆ））。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、投影型
リソグラフィを用いる場合においては、たとえ露光波長
が短波長となるＥＵＶリソグラフィの場合でも、転写用
原版となるマスクのパターンの寸法を光近接効果による
補正を加えて設計，配置等を行う必要がある。図４
（ａ）ないし図４（ｃ）および図５（ａ），図５（ｂ）
に示すように、ある遮光部パターンの端で寸法を太くし
たり、別の遮光部パターンの一部を細くしさらにその端
を太くするような近接効果補正をする必要があり、任意
のパターンの補正を含めた設計に多大な時間と労力がか
かる問題があった。また、上記近接効果補正はマスクの
遮光部となる吸収体パターンと明光部または反射部とな
る部分の面積比を２次元に変えるのみであったため、上
記近接効果補正の仕方に限界があった。

【００１５】本発明は、マスクパターンの近接効果補正
の設計を容易にする反射型マスクおよびその製作方法、
およびそれを用いて作製したデバイスを提供することに
ある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明である反射型マス
クは、反射部のパターンに応じて少なくとも部分的に反
射率が変化していることを特徴とする。図６（ａ）に本
発明である反射型マスクの上面図、図６（ａ）のＡとＢ
間における断面図を図６（ｂ）に示す。また、本発明で
ある反射型マスクの別の構造を図６（ｃ）および図６
（ｄ）に示す。また、本発明である反射型マスクのパタ
ーンの別の例を図７，図８（ａ）ないし図８（ｃ）に示
す。本発明である反射型マスクは、反射部となるパター
ン内に反射率が高い領域２１と上記反射率が高い領域２
１よりもやや反射率が低い領域２２および上記領域２２
よりもやや反射率が低い領域２３を有し、非反射部であ
る遮光部または吸収体のマスクパターンの寸法変更が必
ずしも必要でないことを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】図９に多層膜ブランクス作製，検
査を含めた本発明における反射型マスク製造工程の一例
を示す。

【００１８】石英からなる超平滑基板１に１００ｎｍの
厚さのアルミニウム薄膜１１９をイオンビームスパッタ
リング法で蒸着する。次に、イオンビームスパッタリン
グ法で多層膜２１を蒸着し、多層膜ブランクス６０１
（図１５）を形成した。多層膜２１は１層あたり膜厚が
２.６ｎｍのＭｏ層と、１層あたり膜厚が４.１ｎｍのＳ
ｉ層を交互に６０層対形成した（図９（ａ））。

【００１９】次に、図１５に示すように、多層膜ブラン
クス６０１のチップ領域７０３内にデバイスパターン等
を形成する有効エリア７０１の周囲にマーク７０２を形
成し、多層膜ブランクスの欠陥検査を行う。

【００２０】多層膜ブランクス中に欠陥がないことを確
認した後、多層膜２１の上層に、イオンビームスパッタ
リング法でＳｉＯ₂ からなる８０ｎｍ厚の保護膜１２０
を形成した。次に反射型マスクの非反射部となる吸収体
３５を形成した（図９（ｂ))。吸収体３５の形成には多
層膜の形成と同様にイオンビームスパッタリング蒸着法
を用いた。吸収体としては１２０ｎｍ厚のＣｒ膜を形成
した。

【００２１】次に吸収体３５をパターニングし、所望の
吸収体パターンを形成するため、前記吸収体３５の上に
ポジ型レジスト３８を塗布し（図９（ｃ））、図１５に
示すマーク７０２を基準にして、電子線ビーム描画によ
るリソグラフィ技術でレジストパターン３９，３７，３
６を形成した（図９（ｄ））。ここでレジストパターン
３７およびレジストパターン３７を形成するため、ポジ
型レジスト３８が現像後、除去されるのに必要な電子線
ビーム量よりも少ない描画量で描画し現像している。

【００２２】次にレジストパターン３９，３６，３７を
マスクとして吸収体３５および保護膜１２０を反応性イ
オンエッチングにより加工し、吸収体３５のパターンと
保護膜のパターン１２１を形成した（図９（ｅ））。次
にレジストパターン３９を除去した（図９（ｆ））。作
製した反射型マスクの外観検査を行い、形成した吸収体
パターンに欠陥がないことを確認した。

【００２３】また、図１０には本発明における別の製造
方法の一部を示す。基板１上に薄膜１１９を形成し、次
いで前記実施例と同様に多層膜２１，保護膜１２０，吸
収体３５を形成し、さらにレジスト膜３８を形成後（図
１０（ａ））、図１５に示すマーク７０２を基準にして
電子線ビーム描画によるリソグラフィ技術でレジストパ
ターン３９を形成する（図１０（ｂ））。ただし、保護
膜１２０の厚さは４０ｎｍである。次にレジストパター
ン３９をマスクとして吸収体３５を反応性イオンエッチ
ングにより加工し、吸収体３５のパターンを形成した
（図１０（ｃ))。次にレジストパターンを除去後、再度
レジスト膜３８を形成した（図１０（ｄ))。次に電子線
ビーム描画によるリソグラフィ技術でレジストパターン
２５を形成した（図１０（ｅ））。ここでレジストパタ
ーン２５を形成するため、ポジ型レジスト３８が現像
後、除去されるのに必要な電子線ビーム量よりも少ない
描画量で描画し現像している。次にレジストパターン２
５を検査し、欠陥がないことを確認後、レジストパター
ン２５をマスクにしてイオンビーム２４により、イオン
注入を行い、反射部２１よりも反射率がやや低い領域２
２および上記反射部２２よりもさらに反射率がやや低い
領域２３を形成する（図１０（ｆ））。次にレジストパ
ターン２５を除去した（図１０（ｇ））。

【００２４】また、図１１には本発明におけるさらに別
の製造方法の一部を示す。図１０と同様の積層膜上にレ
ジストパターン３８を形成後、レジストパターン３９を
形成した（図１１（ａ））。上記レジストパターン３９
をマスクとして吸収体３５を反応性イオンエッチングに
より加工し、吸収体３５のパターンを形成した（図１１
（ｂ））。ただし、保護膜の厚さは４０ｎｍである。次
にレジストパターン３９を除去後、図１５に示すマーク
７０２を基準にして、集束イオンビーム２６により、局
部にイオン注入を行い（図１１（ｃ））、上記反射部２
１よりも反射率がやや低い領域２２および上記反射部２
２よりもさらに反射率がやや低い領域２３を形成する
（図１１（ｄ））。

【００２５】また、本発明である反射型マスクに、図６
ないし図８に示される反射部となるパターン内に反射率
が高い領域２１と上記反射率が高い領域２１よりもやや
反射率が低い領域２２、および上記領域２２よりもやや
反射率が低い領域２３を形成し、かつ、吸収体３５の面
積を２次元的に変化させて光近接効果補正を行っても本
発明が実施可能なのは言うまでもない。本発明の場合、
従来技術での単に吸収体３５の面積を２次元的に変化さ
せるのみの光近接効果補正に比べて、吸収体３５の面積
を２次元的に変化させる度合いを減少できるので、パタ
ーンの設計や配置の仕方に裕度がある。

【００２６】上記で作製した反射型マスクを用いてデバ
イス作製を行った。図１３にデバイス作製工程のフロー
を示す。まずステップ１００１の酸化工程ではウェハの
表面を酸化させる。ステップ１００２のＣＶＤ工程では
ウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１００３の配
線工程ではウェハに電極となる配線材料を蒸着法により
形成する。ステップ１００４のインプラ工程ではウェハ
にイオンを打ち込む。ステップ１００５のレジスト膜形
成工程では、ウェハにレジストを塗布し、プリベークと
いう加熱処理をする。ステップ１００６の露光工程では
図１２に示すデバイス作製装置の一部であるＥＵＶ露光
装置によって上記で作製した反射型マスクの回路パター
ンをウェハに転写露光する。ステップ１００７の現像工
程ではウェハを現像する。ステップ１００８のエッチン
グ工程では現像して残ったレジスト像以外の部分をドラ
イエッチングを用いて除去する。ステップ１００９のレ
ジスト除去工程ではレジストを取り除く。これらのステ
ップを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多層の回
路パターンが形成される。ここで、デバイス作製に用い
た本発明の反射型マスクにはそれぞれ、図６（ａ）に示
すストーリッジノードパターン、図７に示すコンタクト
ホールパターン、図８（ａ）に示す素子分離パターン、
図８（ｂ）および図８（ｃ）に示すパターンの内、少な
くとも一つを有している。

【００２７】本発明によれば、従来パターンの設計や配
置が困難で完全な光近接効果補正ができなかったために
製造が困難で歩留まりが低かった高集積半導体デバイス
を歩留まり高く製造することができる。

【００２８】ここで、図１２に示した縮小率１／４のＥ
ＵＶ露光装置１１０３を説明する。反射型マスク８１と
ウェハ８２は、それぞれマスクステージ８３とウェハス
テージ８４に搭載されている。まず、マスク８１とウェ
ハ８２との相対位置をアライメント装置８５を用いて検
出し、制御装置８６により駆動装置８７，８８を介して
両者の位置合せを行う。ＥＵＶ光源８９から放射された
ＥＵＶを照明光学系９０および、円弧状のアパーチャー
９８，長波長カットフィルター９７を介し、有効エリア
の全面にレジストパターンを形成した多層膜ブランクス
上の円弧領域を照明する。ここで、ＥＵＶ光源として、
例えばガスジェットＸｅターゲットにレーザ光を照射し
ＥＵＶを発生させるレーザプラズマ光源やシンクロトロ
ン放射光光源（ＳＲ）等を用いることができる。図１２
の照明光学系９０では反射鏡が１面のみ図示してある
が、これに限定されるものではなく、光源の種類，照明
の均一性，入射ＮＡの均一化，作業領域の確保などの必
要に応じて複数の照明光学系用反射鏡を設置してもよ
い。

【００２９】マスク８１から反射されたＥＵＶは、波長
１３nm近傍のＥＵＶからなり、反射鏡９１，９２，９３
および９４からなる結像光学系９５により、ウェハ上に
倍率１／４で結像する。反射鏡９１，９２，９３および
９４は、多層膜ブランクスと同様なＭｏ／Ｓｉ系多層膜
を蒸着し、各多層膜の周期長は反射ＥＵＶの波長が一致
するように調節されている。多層膜ブランクスとウェハ
を倍率に応じて同期走査して、マスクパターンをウェハ
８２に塗布されたレジストに転写する。

【００３０】図１４にシンクロトロン放射光光源１１０
１を用いたＥＵＶマスク検査装置１１０２ならびにデバ
イスを作製するためのＥＵＶ露光装置１１０３を含む露
光システムを示す。シンクロトロン放射光光源をＥＵＶ
光源に用いると、マスク検査装置の光源とデバイス作製
用露光装置の光源が共有できる。ＥＵＶマスク検査装置
１１０２を用いて多層膜ブランクス６０１を検査する。

【００３１】以上の実施例では、多層膜で用いた材料と
してＭｏ／Ｓｉ系多層膜の場合を説明したが、本発明は
多層膜の材料に制限されることなく、例えば、ＮｉＣｒ
／Ｃ，Ｎｉ／Ｖ，Ｎｉ／Ｔｉ，Ｗ／Ｃ，Ｒｕ／Ｃ，Ｒｈ
／Ｃ，Ｒｕ／ＢＮ，Ｒｈ／ＢＣ，ＲｈＲｕ／ＢＮ，Ｒｕ
／ＢＣ，Ｍｏ／ＳｉＣ，Ｐｄ／ＢＮ，Ａｇ／ＢＮ，Ｍｏ
／ＳｉＮ，Ｍｏ／ＢＣ，Ｍｏ／Ｃ，Ｒｕ／Ｂｅ，Ｍｏ／
Ｂｅ，Ｎｂ／Ｂｅ，Ｚｒ／Ｂｅ，Ｒｈ／Ｂｅ，Ｙ／Ｂｅ
などの多層膜の形成可能な材料であれば、実施可能であ
る。

【００３２】また前記実施例では、ＥＵＶリソグラフィ
での多層膜を用いた反射型マスクの例を説明したが、本
発明はＥＵＶリソグラフィ用の多層膜を用いた反射型マ
スクに制限されるものではない。例えば、光源が波長１
５７ｎｍのＦ２レーザや123ｎｍのＡｒ２レーザを用い
たＤＵＶリソグラフィ用の反射型マスクに、本発明であ
る反射部のパターンに応じて少なくとも部分的に反射率
が変化している反射型マスクを適用できることは言うま
でもない。

【００３３】

【発明の効果】以上述べてきたように、本発明である反
射型マスクは、反射部のパターンに応じて少なくとも部
分的に反射率が変化していることにより、非反射部であ
る遮光部または吸収体のマスクパターンの変更が必ずし
も必要でなくなり、マスクパターンの光近接効果補正の
設計が容易となる。また、本発明である反射型マスクの
作製方法を用いると、より完全に近い光近接効果補正が
可能な反射型マスクを容易に作製できる。また、本発明
のデバイスの製造方法によれば、より完全に近い光近接
効果補正が可能な反射型マスクを用いることで、従来で
は製造が困難で歩留まりが低かった高集積半導体デバイ
スを歩留まり高く製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のＥＵＶ露光装置の概略図。

【図２】従来の反射型マスクの構造を示す断面図。

【図３】従来の反射型マスク作製工程を示す断面図。

【図４】従来例のマスクパターンの平面図。

【図５】従来例のマスクパターンの平面図。

【図６】本発明の一実施例の反射型マスクの平面図およ
び断面図。

【図７】本発明の一実施例の反射型マスクの平面図。

【図８】本発明の一実施例の反射型マスクの平面図。

【図９】本発明の一実施例の反射型マスクの作製工程を
示す断面図。

【図１０】本発明の一実施例の反射型マスクの作製工程
を示す断面図。

【図１１】本発明の一実施例の反射型マスクの作製工程
を示す断面図。

【図１２】本発明におけるデバイス作製装置を示す概略
図。

【図１３】本発明の一実施例におけるデバイス作成工程
のフロー図。

【図１４】デバイス作製システムの概略構成を示すブロ
ック図。

【図１５】多層膜ブランクスの平面図。

【符号の説明】

１…超平滑基板、２…多層膜、３…非反射部（反射率の
低い領域）、４…入射ＥＵＶまたは真空紫外線またはＸ
線、５…集束イオンビーム、７…反射鏡用多層膜、２１
…反射部または反射率が高い領域、２２…２１の反射部
よりもやや反射率が低い領域、２３…２２の領域よりも
やや反射率が低い領域、２４…イオンビーム、２５…少
ない露光量で形成したパターン、２６…集束イオンビー
ム、３５…吸収体または遮光部、３８…レジスト、３９
…レジストパターン、４１…反射率の高い領域からの正
反射した真空紫外線またはＸ線、４２…正反射した真空
紫外線またはＸ線の入射角、３８１…レジストパター
ン、８１…反射型マスク、８２…ウェハ、８３…マスク
ステージ、８４…ウェハステージ、８５…アライメント
装置、８６…制御装置、８７…駆動装置、８８…駆動装
置、８９…Ｘ線源、９０…反射鏡、９１…反射鏡、９２
…反射鏡、９３…反射鏡、９４…反射鏡、９５…結像光
学系、９６…同期走査方向、１１９…基板と多層膜間の
薄膜層、１２０…保護膜、１２１…保護膜パターン、１
２２…上層保護膜、１２３…上層保護膜パターン、６０
１…多層膜ブランクス、７０１…多層膜ブランクスの有
効エリア、７０２…マーク、７０３…チップ領域、１１
０１…シンクロトロン放射光光源、１１０２…多層膜ブ
ランクスまたは反射型マスクの検査装置、１１０３…Ｅ
ＵＶ露光装置、１１０４…入射器。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山梨 弘将 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 鳥海 実 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 寺澤 恒男 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 2H095 BA07 BA10 BB31 BB35 BC11 5F046 GD10 GD11 GD12 GD13 GD15 GD16 GD17

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】反射部と非反射部からなるパターンを有す
   る反射型マスクであって、反射部のパターンに応じて少
   なくとも反射部のパターンの一部分の反射率が変化して
   いることを特徴とする反射型マスク。
2. 【請求項２】請求項１記載の反射型マスクであって、原
   版として上記パターンに応じて光源から真空紫外線ある
   いは極紫外線あるいは軟Ｘ線を反射するための多層膜が
   形成され、露光対象に上記パターンを投影するために使
   用されることを特徴とする反射型マスク。
3. 【請求項３】請求項２記載の反射型マスクであって、上
   記多層膜の少なくとも一部において、上記多層膜を被覆
   する層の厚さが変化していることを特徴とする反射型マ
   スク。
4. 【請求項４】請求項２記載の反射型マスクであって、上
   記多層膜の少なくとも一部において、上記多層膜にイオ
   ン注入された物質の密度が変化していることを特徴とす
   る反射型マスク。
5. 【請求項５】反射部と非反射部からなるパターンを有す
   る反射型マスクの作製方法であって、反射部のパターン
   に応じて少なくともパターンの一部分の反射率が変化し
   ているようにパターンを形成することを特徴とする反射
   型マスクの作製方法。
6. 【請求項６】請求項１から請求項４のいずれか記載の反
   射型マスクを用い、ウェハにパターンを露光し、転写す
   る工程を少なくとも有することを特徴とするデバイスの
   製造方法。
7. 【請求項７】請求項６記載の製造方法によって製造され
   たことを特徴とするデバイス。