JP2005274953A - 描画パターンデータの生成方法及びマスクの描画方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスク基板を露光装置に搭載し(ST101)、マスク基板の高さ分布データを取得する(ST102)。高さ分布データから表面の凹凸と局所的な曲面の勾配を演算し(ST104)、凹凸と勾配と露光装置の光学系のパラメータからマスクパターンの結像位置ずれを算出する(ST105)。結像位置ずれに基づいて結像位置ずれを補正するための方正描画パターンを作成する(ST106)。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係わる描画方法を説明するためのフローチャートであり、本発明の主旨を説明するためのものである。
IPDz=(1/M)・tanθ・ΔZm…(1)
で与えられる。このイメージシフトは、露光光の入射方向と同軸方向への位置ずれになる。このIPDzは一軸方向の変位量であり、スキャン方向と一致する方向への変位になる。
このイメージシフトは、マスクとウエハ間が完全に一定距離に保存されていれば原理的には生じないが、現実的にはそのようなことは無く有限のシフトが発生することになる。
IPDdは一軸方向の変位量であり、スキャン方向と一致する方向へのイメージシフトになる。
図11は、本発明に係わる別の実施形態を示すためのものであり、描画方法を説明するためのフローチャートである。
Claims (5)
- 非テレセントリック光学系を介して被転写基板上にマスクパターンを反射投影する露光装置で使用されるマスク基板をマスクブランクス基板から形成するために、前記マスクブランクス基板に前記マスクパターンを描画する際に使用される描画パターンデータを設計パターンデータから生成する描画パターンデータの生成方法であって、
前記マスクブランクス基板が前記非テレセントリック光学系の入射側に配置された状態での前記マスクブランクス基板の高さ分布情報を測定或いは演算によって導出することと、
この高さ分布情報から前記マスクブランクス基板表面の凹凸及び局所的な曲面の勾配を演算することと、
前記設計パターンデータに対応する対応パターンデータに基づいて前記マスクブランクス基板にパターンを描画し、前記描画されたパターンを前記非テレセントリック光学系を介して前記被転写基板上に反射投影する場合に、前記マスクブランクス基板の凹凸及び勾配及び非テレセントリック光学系のパラメータに対応して前記被転写基板に生じる結像位置のずれ量を演算することと、
前記結像位置のずれ量に基づいて前記対応パターンデータを補正することと
を含むことを特徴とする描画パターンデータの生成方法。 - 演算された結像位置のずれ量が、マスクブランクス基板の表面高さの変位と、該露光装置におけるマスク基板のパターン形成面に対する露光光の主光線の入射角度との2つの物理量の関数であることを特徴とする請求項1に記載の描画パターンデータの生成方法。
- 前記非テレセントリック光学系のパラメータは、前記露光装置におけるマスク基板の表面に対する露光光の主光線の入射角度、マスク基板に対する前記露光光の入射方向、マスク基板に対する露光光のスキャン方向、マスク基板に対するウエハのスキャン方向、マスク基板とウエハのスキャン方向、及び露光倍率の一つ以上を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の描画パターンデータの生成方法。
- マスク−ウエハ内のチップ間の位置合わせに使用される複数のファインアライメントマークの配置予定位置における前記マスクブランクス基板の高さを基準に張られる基準平面を前記高さ分布情報に基づいて求め、求められた基準平面と前記高さ分布情報とから前記マスクブランクス基板表面の凹凸及び局所的な曲面の勾配を求めることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の描画パターンデータの生成方法。
- 請求項1〜請求項4の何れかに記載された描画パターンデータの生成方法を用いて設計パターンデータから描画パターンデータを生成するステップと、
粒子線,電子線又は光によって半導体回路のパターンを描画するためのパターン描画装置内に前記マスクブランクス基板を設置するステップと、
前記パターン描画装置により前記描画パターンデータを用いて前記マスクブランクス基板に前記マスクパターンを描画するステップとを含むことを特徴とするマスクの描画方法。
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