JP2016206654A - 露光装置および露光方法、ならびに物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ri=axi+byi+c−zi
riの二乗の和の平均Vは次のように表される。
V=(1/n)Σ(ri 2)
=(1/n)Σ(axi+byi+c−zi)2
(δV/δa)=(2/n)Σ(axi+byi+c−zi)xi
=(2/n)(aΣ(xi)2+bΣxiyi+cΣxi−Σxizi)
=0
(δV/δb)=(2/n)Σ(axi+byi+c−zi)yi
=(2/n)(aΣxiyi+bΣ(yi)2+cΣyi−Σyizi)
=0
(δV/δc)=(2/n)Σ(axi+byi+c−zi)
=(2/n)(aΣxi+bΣyi+nc−Σzi)
=0
(1/n)Σ(xi)2=X=A
(1/n)Σ(yi)2=Y=B
(1/n)Σxiyi=Z=C
(1/n)Σxi=x=D
(1/n)Σyi=y=E
(1/n)Σxizi=α=F
(1/n)Σyizi=β=G
(1/n)Σzi=γ=H
これらにより、上記連立方程式を次のように行列式へ書き換える。
a=(VyF+VzG+UyH)/I
b=(VzF+VxG+UxH)/I
c=(UyF+UxG+UzH)/I
ただし、各式の右辺は次式に示す置き換えを用いている。
Vx=X−x2=A−D2
Vy=Y−y2=B−E2
Vz=xy−Z=DE−C
Ux=xZ−yX=DC−EA
Uy=yZ−xY=EC−DB
Uz=XY−Z2=AB−C2
I=VxVy−Vz2
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。さらに、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
2 基板
3 基板ステージ
6 マスク
12 ステージ駆動部
13 制御部
18 記憶部
Claims (15)
- 基板上の複数の露光領域を露光する露光方法であって、
前記基板の基準の高さを示す第1基準情報を取得する工程と、
前記複数の露光領域のうち一部の露光領域の高さを計測する工程と、
前記計測する工程で計測された結果に基づいて、前記基板の、仮の高さを示す仮高さ情報を取得する工程と、
前記第1基準情報と前記仮高さ情報との差、および、前記複数の露光領域のうちの1つの露光領域の基準の高さを示す第2基準情報、に基づいて前記基板を移動させた後に、前記1つの露光領域を露光する工程と、を含むことを特徴とする露光方法。 - 前記差、および、前記第2基準情報と、に基づいて、前記1つの露光領域の予測の位置を示す予測位置を算出する工程を含み、
前記露光する工程では、前記予測位置に前記基板を移動させた後に前記1つの露光領域を露光することを特徴とする請求項1に記載の露光方法。 - 前記差が許容範囲内か否かを判断する工程を有し、
前記差が許容範囲内である場合に前記算出する工程を行うことを特徴とする請求項2に記載の露光方法。 - 前記計測する工程は、前記一部の露光領域の高さ方向と交差する平面方向の位置の計測と並行して行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光方法。
- 複数の基板を露光対象とし、
前記第1基準情報は、前記複数の基板のうち、先に露光された基板の高さに基づき算出された情報であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光方法。 - 前記第1基準情報は、前記先に露光された基板の高さの平均値又は中央値を用いて算出された情報であることを特徴とする請求項5に記載の露光方法。
- 前記第2基準情報は、前記複数の基板のうち、後に露光する基板上の1つの露光領域に対応する位置にある、前記後に露光する基板よりも前に露光する基板上の1つの露光領域の位置に基づき算出された情報であることを特徴とする請求項5乃至6のいずれか1項に記載の露光方法。
- 前記第2基準情報は、前記複数の基板のうち、後に露光する基板上の1つの露光領域に対応する位置にある、前記後に露光する基板よりも前に露光する複数の基板上の1つの露光領域の位置を示す複数の値の平均値又は前記複数の値のうちの1つを用いて算出することを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の露光方法。
- 前記複数の基板は、同一のロットに含まれることを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項に記載の露光方法。
- 前記ロットの1枚目の基板において、所定の配列方向の端に位置する露光領域において3箇所以上の計測点で高さを計測できない場合に、当該露光領域とは異なり、かつ、3箇所以上の計測点で高さを計測可能な露光領域を最初に露光し、前記ロットの2枚目の基板において、前記端に位置する露光領域を最初に露光するように、露光順番を決定することを特徴とする請求項9に記載の露光方法。
- 前記予測位置に前記基板を移動させた後かつ前記1つの露光領域を露光する前に、
前記1つの露光領域の高さを計測する工程と、
前記工程で計測した結果に基づいて再び基板の位置を移動させるかどうかを判断する工程と、を含むことを特徴とする請求項2に記載の露光方法。 - 第1基準情報が示す位置に前記基板を移動させた後かつ前記1つの露光領域を露光する前に、
前記1つの露光領域の高さを計測する工程と、
前記工程で計測した結果に基づいて再び基板の位置を移動させるかどうかを判断する工程と、を含むことを特徴とする請求項3に記載の露光方法。 - 基板上の複数の露光領域を露光する露光方法であって、
第1基板上の複数の露光領域のうち少なくとも一部の露光領域の高さ情報に基づいて前記第1基板の第1の高さ情報を取得する工程と、
前記1基板とは異なる第2基板上の複数の露光領域のうち少なくとも一部の露光領域の高さ情報に基づいて、前記第2基板の高さ情報を取得する工程と、
前記第1基板上の前記複数の露光領域のうちの第1露光領域の高さ情報、および、前記第1の高さ情報と前記第2の高さ情報との差、に基づいて、前記第2基板上の前記複数の露光領域のうち、前記第1露光領域に対応する位置にある第2露光領域の予測の高さを示す予測露光位置を算出する工程と、
前記工程で算出した前記予測露光位置へ前記基板を移動させた後に、前記第2露光領域を露光する工程と、を含むことを特徴とする露光方法。 - 基板上の複数の露光領域を露光する露光装置であって、
前記基板を保持して移動可能なステージと、
前記ステージを高さ方向に駆動する駆動部と、
前記駆動部の駆動指令を作成する作成部と、
前記複数の露光領域のうち一部の露光領域の高さを計測する計測部と、を有し、
前記作成部は、基板の基準の高さを示す第1基準情報、および、前記計測部による計測結果に基づいて前記基板の仮の高さ情報を取得し、前記第1基準情報と前記仮の高さに関する情報との差、および、前記複数の露光領域のうちの1つの露光領域の基準の高さを示す第2基準情報、に基づいて前記駆動部の駆動指令を作成し、
前記駆動部は、前記駆動指令に基づいて前記露光領域を露光する位置まで前記ステージを駆動することを特徴とする露光装置。 - 請求項14に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018111880A1 (de) | 2017-05-22 | 2018-11-22 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Belichtungsverfahren |
JP2020522727A (ja) * | 2017-06-08 | 2020-07-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アライメントの測定のためのシステム及び方法 |
EP4361728A1 (en) | 2022-10-25 | 2024-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and article manufacturing method |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08227854A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-09-03 | Nikon Corp | 露光方法及びその装置 |
JPH11329953A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Canon Inc | 走査露光装置および方法 |
JP2001093813A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Nec Corp | ステッパ式露光方法 |
JP2002164276A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Nikon Corp | 焦点合わせ方法、アライメント方法、露光方法、露光装置、並びにデバイスの製造方法 |
WO2005088686A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Nikon Corporation | 段差計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
JP2006222312A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Canon Inc | ステージ制御装置及びその方法、ステージ装置並びに露光装置 |
JP2013246258A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Nikon Corp | 焦点位置補正方法、露光方法、デバイス製造方法及び露光装置 |
JP2014099562A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Canon Inc | 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010283037A (ja) | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2012133122A (ja) | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Nsk Technology Co Ltd | 近接露光装置及びそのギャップ測定方法 |
-
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-
2019
- 2019-03-04 KR KR1020190024474A patent/KR102078079B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08227854A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-09-03 | Nikon Corp | 露光方法及びその装置 |
JPH11329953A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Canon Inc | 走査露光装置および方法 |
JP2001093813A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Nec Corp | ステッパ式露光方法 |
JP2002164276A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Nikon Corp | 焦点合わせ方法、アライメント方法、露光方法、露光装置、並びにデバイスの製造方法 |
WO2005088686A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Nikon Corporation | 段差計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
US20070229791A1 (en) * | 2004-03-16 | 2007-10-04 | Nikon Corporation | Step Measuring Device and Apparatus, and Exposure Method and Apparatus |
JP2006222312A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Canon Inc | ステージ制御装置及びその方法、ステージ装置並びに露光装置 |
JP2013246258A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Nikon Corp | 焦点位置補正方法、露光方法、デバイス製造方法及び露光装置 |
JP2014099562A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Canon Inc | 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018111880A1 (de) | 2017-05-22 | 2018-11-22 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Belichtungsverfahren |
US10281828B2 (en) | 2017-05-22 | 2019-05-07 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Exposure method |
JP2020522727A (ja) * | 2017-06-08 | 2020-07-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アライメントの測定のためのシステム及び方法 |
US11249404B2 (en) | 2017-06-08 | 2022-02-15 | Asml Netherlands B.V. | System and method for measurement of alignment |
JP7038737B2 (ja) | 2017-06-08 | 2022-03-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アライメントの測定のためのシステム及び方法 |
EP4361728A1 (en) | 2022-10-25 | 2024-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and article manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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