TW201636744A - 曝光裝置、曝光方法及物品製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種曝光方法，該曝光方法係將複數個在基板上之曝光區域曝光，其包括以下步驟：獲得指示該基板之參考高度之第一參考資訊；測量在該複數個曝光區域之中若干曝光區域之高度；依據測量步驟中測量結果，獲得指示該基板之暫時高度的暫時高度資訊；及依據指示該一個曝光區域之參考高度之第二參考資訊以及該第一參考資訊與該暫時高度資訊之間的差，在該基板被移動後，曝光該複數個曝光區域之中一個曝光區域。

Description

曝光裝置、曝光方法及物品製造方法
本發明關於曝光裝置、曝光方法及物品製造方法。
當生產半導體裝置等時，經由投影光學系統，用於轉換形成於原始平台之圖案(光罩等)至基板(晶圓等，在其面形成阻劑層)之投影曝光裝置被使用。典型類型之投影曝光裝置包括分步重複類型縮小投影曝光裝置(步進器，Stepper)及分步掃描類型掃描投影曝光裝置(掃描器，Scanner)。例如，該步進器縮小原始平台之圖案且投影該縮小圖案至基板上複數個曝光區域之各者(照射區域)。然而當基板傾斜或基板厚度不一致時，照射區域在Z軸方向(投影光學系統之光學軸方向)之位置(高度)及曝光焦點之間之偏差(散焦)發生。必須要實施焦點驅動用於各照射區域以避免由於散焦造成之曝光缺陷，但當用於焦點驅動所需之時間週期被延長時，產量被降級。
因此，縮短焦點驅動之時間週期之曝光方法係被揭示於日本專利公開案第2001-93813號。在日本專利公開案 第2001-93813號之曝光方法中，當取樣照射區域之對準標記被測量且基板之高度與對準調整同時被調整時，根據同時具有在曝光照射區域之間X-Y移動之測量值，亦測量照射區域之高度。同時，分開執行全域調平及晶片調平之曝光方法揭示於日本專利公開案第H8-227854號中，且依據在下一個照射區域之晶片調平之前之上一個照射區域的調平校正量藉此調整基板之高度，使該曝光方法在全域調平後返回到一定向。計算用於第二基板之複數個照射區域之各者的焦點調整之校正值的曝光方法係揭示於日本專利公開案第2014-99562號中。在日本專利公開案第2014-99562號之出版品中，該焦點調整之校正值係使用高度測量值計算出來的，該高度測量值係從第一基板之複數個照射區域之各者中與於第一及第二基板預定(單一)照射區域測量出之高度測量值之間的差所測量出來的。
然而，當希望於日本專利公開案第2001-93813號之曝光方法中測量各照射區域之精確高度時，必須要增加在對準程序中取樣照射區域之數目，及測量時間週期被延長，其導致產量降級。另外，當日本專利公開案第H8-227854號之出版品中之基板面之不平整性增加時，用於在各照射區域之全域調平後返回至定向之驅動量增加，並且其產量有可能被降級。在另一方面，在日本專利公開案第2014-99562號之出版品中之曝光方法中，由於基板面之不平整或傾斜可能導致校正誤差增加，此係因為校正值係使用第一及第二基板之預定照射區域中之高度的測量值 之間的差所計算出來的。
本發明提供，例如，曝光裝置。該曝光裝置於聚焦準確度及產量方面是具有優勢。
本發明係將基板上複數個曝光區域曝光之曝光方法，該曝光方法包括以下步驟：獲得第一參考資訊，其指示基板之參考高度；測量複數個曝光區域之中若干曝光區域之高度；根據測量步驟中之測量結果，獲得暫時高度資訊，其指示基板之暫時高度；及根據第二參考資訊及第一參考資訊與暫時高度資訊之差，在基板被移動之後曝光複數個曝光區域之中一個曝光區域，該第二參考資訊指示該一個曝光區域之參考高度。
本發明進一步特徵會因為以下範例實施例之描述(並參考所附圖式)而趨向明顯。
1‧‧‧縮小投影透鏡系統
3‧‧‧基板載台
2‧‧‧基板
4‧‧‧照明光源
5‧‧‧照明透鏡
6‧‧‧掩模
7‧‧‧成像透鏡
8‧‧‧折光鏡
9‧‧‧折光鏡
10‧‧‧偵測透鏡
11‧‧‧位置偵測元件
100‧‧‧曝光區域
21-25‧‧‧測量點
12‧‧‧載台驅動單元
13‧‧‧控制單元
14‧‧‧面位置偵測單元
15‧‧‧參考鏡
17‧‧‧雷射干涉計
18‧‧‧儲存單元
19‧‧‧控制台單元
91‧‧‧參數
92‧‧‧參數
93‧‧‧臨界值
94‧‧‧臨界值
95‧‧‧臨界值
96‧‧‧臨界值
60‧‧‧參考數字
61‧‧‧參考數字
62‧‧‧參考數字
63‧‧‧參考數字
60‧‧‧表
70‧‧‧取樣照射區域
71‧‧‧晶圓高度
72‧‧‧參考數字
圖1係顯示縮小投影曝光裝置之組態之示意圖，依照本發明之實施例。
圖2係顯示曝光位置測量點的位置之示意圖。
圖3係顯示各控制台單元設定螢幕之圖式。
圖4係顯示所有處理程序的序列之流程圖。
圖5係顯示曝光步驟的流程之流程圖。
圖6係顯示由儲存單元儲存的內容之圖式。
圖7係顯示圖6之儲存內容的細節之圖式。
圖8係顯示對準測量中取樣照射區域的實例之圖式。
圖9係顯示計算近似面資訊之差的程序之流程之流程圖。
圖10係顯示預測曝光位置計算程序的流程之流程圖。
圖11係用於比較參考曝光位置與實際曝光位置之圖表。
圖12係用於比較預測曝光位置與實際曝光位置之圖表。
圖13係顯示批次中第一基板之曝光順序之圖式。
圖14係顯示圖13中照射區域S2與測量點之間的配置關係之圖式。
圖15係顯示來自批次中第二薄片之基板的曝光順序之圖式。
以下，用於執行本發明之模式會參照圖式被描述。本發明可被應用到用於大量照射區域中序列執行焦點驅動之裝置、用於執行序列的曝光之裝置或類似裝置等(掃描類型投影曝光裝置、位置判定裝置等)，且使用縮小投影曝光裝置(步進器)之實例將於下文描述之。
圖1係顯示縮小投影曝光裝置之組態的示意圖，依據本實施例。縮小投影曝光裝置包括縮小投影透鏡系統1、 照明光學系統、偵測光學系統及基板載台3。縮小投影透鏡系統1縮小並投影光罩之電路圖案(未示出)並且在其焦點面上形成電路圖案影像。縮小投影透鏡系統1之光學軸AX係平行於圖1之Z軸方向(垂直於基板2面之一方向)。
照明光學系統包括照明光源4、照明透鏡5、掩模6、成像透鏡7及折光鏡8。照明光源4係例如發光二極體或半導體雷射。掩模6係複數個針孔。從照明光源4射出的光線經由照明透鏡5係平行光通量，且該光線經由掩模6係複數光通量。當該光線係經由成像透鏡7入射至折光鏡8且方向由折光鏡8被改變之後，光線入射至基板2之表面。此時，提供於掩模6之複數針孔之影像在基板2上形成(在基板上)。
偵測光學系統(測量單元)包括折光鏡9、偵測透鏡10及位置偵測元件11。圖2係顯示於基板2上曝光區域100中曝光位置測量點之配置的圖示。當五個針孔形成一組在掩模6中所提供之複數個針孔，通過該針孔之光通量被輻射以測量五個位置之測量點21至25，該五個位置包括曝光區域100之中心並在各位置被反射。中心之測量點21配置於一位置，該位置與其他測量點具有在X軸方向中跨距X及在Y軸方向中跨距Y之距離。在反射光通量之方向由折光鏡9改變後，反射光通量在位置偵測元件11上入射，該位置偵測元件11其中元件諸如電耦合裝置(CCD)係經由偵測透鏡10被二維地配置。亦即，掩模 6、基板2及位置偵測元件11係在共同光學共軛位置。另外，當在光學配置中有困難時，複數個位置偵測元件11可依據各針孔被配置。位置偵測元件11可經過在光接收面中複數個針孔，獨立偵測複數個光通量之入射位置。用於縮小投影透鏡系統1之基板2的方向的光學軸AX之位置與傾斜可被偵測為在位置偵測元件11上之複數個光通量入射位置等之間之偏差。
基板載台3吸附及持定基板2且在X軸、Y軸、Z軸方向及沿著此些軸之旋轉方向Qx、Qy及Qz是可移動地。在此，沿著基板2表面之基板(例如，平行於前者)作為XY面及將垂直於XY平面之方向(光學軸AX方向)作為Z軸方向。基板載台3(基板2)之高度指示一在Z軸方向之位置座標。並且，旋轉方向Qx、Qy及Qz之量(紅色)指示基板載台3之傾斜度數。基板載台3之移動係由載台驅動單元12所執行且有可能依照基板載台3之移動用以調整基板2之位置與傾斜。在此，基板2係將被處理之基板，其中該基板具有以光敏感材料塗層的一表面及大量曝光區域(照射區域)配置在該基板上。
由偵測光學系統偵測到的在Z軸方向之基板2之位置，以及對X軸及Y軸之傾斜係經由面位置偵測單元14輸入至控制單元13，作為來自位置偵測元件11輸出訊號(測量結果)。根據輸入訊號(測量值)，控制單元(產生單元)13產生預定指令訊號(驅動指令)並傳遞該預定指令訊號(驅動指令)至載台驅動單元12。載台驅動 單元12回應於已接收之指令訊號，並藉由執行在基板載台3上之伺服傳動而調整基板2之高度與傾斜。在X軸/Y軸方向之基板2之位置及沿著Z軸之傾斜係使用基板載台3上之參考鏡15及雷射干涉計17所測得。相似地，載台驅動單元12調整在XY平面上之基板2之位置與傾斜。
儲存單元18儲存基板及曝光區域之位置。並且，將於之後指明要被儲存之所有值係被假設為儲存於儲存單元18或替代裝置中。控制台單元19執行參數設定。並且當依據本實施例之縮小投影曝光裝置不包括如控制台單元19所示之使用者介面時，控制單元13可以各參數當作定值來執行。並且，本實施例係藉由提供儲存媒體給曝光裝置而達成，該儲存媒體儲存用於實施將於以下描述之函數之軟體的程式碼，且藉由電腦(或中央處理單元(CPU)或主處理單元(MPU))讀取及執行儲存於儲存媒體之程式碼。
圖3係顯示在控制台單元19中之各種設定螢幕之圖式，參數91係用於判定相關於基板高度之值的計算方法之參數。參數92係用於判定資訊作為處理第二以及後續之基板的基礎及計算參考曝光位置的方法之參數。臨界值93及94(預定臨界值)係基板之高度及傾斜臨界值，其作為用於判定是否執行驅動用於預測曝光位置之參考(預測位置指示一預測之位置)。臨界值95及96係用於判定位置及傾斜誤差容限範圍之臨界值，該誤差係在預測曝光位置焦點測量值之Z軸方向中。預測曝光位置指定曝光標 靶之基板的高度方向之預測位置。
圖4係顯示依據本實施例透過縮小投影曝光裝置，依序地曝光基板複數個照射區域之整個處理程序之序列的流程圖。首先，當一批次之第一基板(將被處理之基板數目為1)係處理標靶時，序列將被描述。再者，批次中基板厚度之差異係最大約為20微米，且當基板厚度之間之差(半導體設備及材料國際(SEMI)標準)係小於或等於20微米時，該基板係被當作屬於同一批次中。後續之序列是被假設為將在各批次中被執行。例如，相同圖案被形成於屬於相同批次之基板且各種程序(熱處理、蝕刻等)係在曝光後於相同條件中被執行。首先，基板2藉由基板載入裝置(未示出)被載入至基板載台3上(S101)。在S102中，判定將被處理之基板之數目是否大於1。由於該基板係批次中第一個基板，其判定為否且程序繼續至步驟S104。在S104中，基板2之高度與傾斜係以在各取樣照射區域中對準測量來測量，且根據測量值，控制單元13計算一值(近似面資訊)，該值相關於基板2之高度且儲存計算結果於儲存單元18中。作為取樣照射區域，複數個照射區域被選擇，該複數個照射區域之數目係少於基板2全部照射區域之總數。根據各取樣照射區域之高度方向之位置，近似面資訊係指示基板2各區域高度之資訊，該資訊係藉由執行用於互補高度位置之計算而獲得，該高度位置不係該取樣照射區域之高度位置。亦即，該近似面資訊係指示高度分佈之資訊。
圖6係一表，其儲存各基板之近似面資訊、照射區域之曝光位置等，其儲存於儲存單元18中。對應於在同一批次中第一、第二、第三、...及第n個基板(晶圓1至晶圓N)之表係標示為參考數字60、61、62及63。例如，圖7係顯示儲存於表60中之資料的圖式。
圖8係平面圖，其顯示在對準測量期間取樣照射區域之實例。在此實例中，S6、S9、S24及S27之照射區域，其係複數個曝光區域之中若干曝光區域，在對準測量中係取樣照射區域(取樣區域)。取樣照射區域之數目及位置可被適當地設定。在此情況中，在圖6之表60中，S6、S9、S24及S27係被儲存為取樣照射區域70，以及基板之高度(近似面資訊)，其是從各取樣照射區域中之測量值(複數個曝光區域之中若干曝光區域之高度)所計算出來，係被儲存為晶圓高度71。
作為計算基板高度之方法，例如，有使用最小平方平面之方法。當基板之面係由方程式z=ax+by+c所表示時，該最小平方平面係一面其中從最小平方法(least square method)獲得之a、b及c可被替換至以上所述平面之方程式中。基板之高度作為近似面資訊，其係由以上所述方程式右側的c所代表，及基板之傾斜係由以上所述方程式之a及b所代表。此些數據皆是儲存在顯示於圖6中對應於各基板之表中。另外，此些數據可藉由獲得平均值而計算出來，不論該最小平方平面。該計算方法可依據控制台單元19之參數91而被選擇。
以下，依據最小平方法計算a、b及c之方法將被描述。假設取樣照射區域之數目為n且各測量取樣照射區域之座標為(xi,yi,zi)，由該方程式所獲得之各取樣照射區域之高度與各測量取樣照射區域之高度之間的差ri可由以下方程式表示：ri=axi+byi+c-zi
ri平方總和之平均值V係如以下所表達：V=(1/n)Σ(ri2)=(1/n)Σ(axi+byi+c-zi)2由於其中V係最小化之a、b及c被獲得，其中為了a、b及c，偏導數(partial derivative)係0之極值被獲得。偏微分之結果係如以下：(δV/δa)=(2/n)Σ(axi+byi+c-zi)xi=(2/n)(aΣ(xi)2+bΣxiyi+cΣxi-Σxizi)=0
(δV/δb)=(2/n)Σ(axi+byi+c-zi)yi=(2/n)(aΣxiyi+bΣ(yi)2+cΣyi-Σyizi)=0
(δV/δc)=(2/n)Σ(axi+byi+c-zi)=(2/n)(aΣxi+bΣyi+nc-Σzi)=0
於此，如以下將項代替，用以解出以上所述之聯立方程式：(1/n)Σ(xi)2=X=A
(1/n)Σ(yi)2=Y=B
(1/n)Σxiyi=Z=C
(1/n)Σxi=x=D
(1/n)Σyi=y=E
(1/n)Σxizi=α=F
(1/n)Σyizi=β=G
(1/n)Σzi=γ=H
從而，以上所述之聯立方程式被以下矩陣所代替：
一旦矩陣被解出，a、b及c如以下被獲得：a=(VyF+VzG+UyH)/I
b=(VzF+VxG+UxH)/I
c=(UyF+UxG+UzH)/I
在此方程式之右側使用以下代替：Vx=X-x2=A-D2
Vy=Y-y2=B-E2
Vz=xy-Z=DE-C
Ux=xZ-yX=DC-EA
Uy=yZ-xY=EC-DB
Uz=XY-Z2=AB-C2
I=VxVy-Vz2
在第一基板之近似面資訊(第一參考資訊指示該基板之參考高度)被儲存於S104中儲存單元18之後，曝光程序(曝光序列)被執行(S107)。圖5係顯示S107之曝光程序流程之流程圖。首先，在S201中，判定將被處理之基板數量是否大於1。由於該基板係該批次中之第一基板，其經判定為否且程序繼續至步驟S211。在S211中， 基板2被移動至在XY面中曝光位置。在圖8中顯示之實例，從對準測量之最終照射區域S27至照射區域S1之動作被執行。接下來，焦點測量被執行於S212中。照射區域S1在Z軸方向之位置或傾斜被測量。在S213中，根據測量值執行聚焦驅動。當在S214中執行曝光時，曝光位置被同時儲存於儲存單元18中。在此，曝光位置係基板載台3(基板2)在各曝光區域(照射區域)曝光過程中之位置座標，其由圖7參考數字72指示，且明確地係(XS1,YS1,ZS1,QxS1,QyS1,QzS1)或類似者。並且，曝光裝置可反映焦點之對準誤差，其藉由測量一個照射區域之焦點所獲得，在移動該基板至預測驅動位置之後且在為曝光標靶之照射區域(一個曝光區域)曝光之前。接下來，判定是否所有曝光區域之處理在S208中被完成。當判定處理尚未完成時，程序回到S201且該曝光程序被重新執行。在圖8所顯示之實例中，從照射區域S1至照射區域S2之移動被執行，且在照射區域S2上之曝光程序被執行。在另一方面，當判定該所有曝光區域之處理被完成時，該程序進行至圖4之S108。
在S108中，基板2從基板載台3被卸下至基板卸下裝置(未示出)。在S109中判定是否所有批次已被完成，且當判定所有批次皆完成時，整個處理程序結束。在另外一方面，當判定並非所有批次皆已完成時，從S101迭代執行程序。
當第二及後續基板(複數個第二基板)作為曝光標靶 之基板時，儲存於以上程序之資訊，亦即，第一基板之近似面資訊及各照射區域之曝光位置，被使用。曝光位置包括至少高度方向之位置。另外，當基板之近似面資訊與各照射區域之曝光位置被預先儲存在儲存單元18中時，一序列，其中顯示於下之該第二基板作為來自第一基板之處理標靶，可被執行而無須執行以上之程序。
接下來，當批次之第二基板(將被處理之基板的數目為2)作為處理標靶時，該序列將被描述。首先，基板載入裝置(未示出)載入基板2，其是到基板載台3之下一個處理標靶(S101)。接下來，在S102中，判定將被處理之基板之數目是否大於1。因為該基板係該批次中之第二個基板，其被判定為係大於1的且程序持續至步驟S103。在S103中，該第二基板之近似面資訊(暫時高度資訊指示該基板之暫時高度)相較於第一基板之近似面資訊比較，且該近似面資訊(該基板之高度)之一差(該差為第一參考資訊與暫時高度資訊之差)被計算出。該近似面資訊之間的差亦是指出第一基板之厚度與第二基板之厚度差之分佈的資訊。在圖9中，本程序之細節將被描述。首先，如同在S104中一般，基板之高度被測量，平行於在第二基板之各取樣照射區域中之對準測量，根據各測量值，相關於基板高度之值(近似面資訊)被計算出，且計算結果被儲存於儲存單元18(S301)中。接下來，藉由控制單元13獲得儲存於儲存單元18之第一基板之近似面資訊與第二基板之近似面資訊(S304)。控制單元13計 算出近似面資訊之間的差，該差係藉由比較該第一基板近似面資訊與該第二基板近似面資訊而計算出(S305)。並且，當同批次之第三及後續基板被處理時，計算作為比較參考之近似面資訊(參考值)之方法在S304前被判定(S302)。進一步地，根據已判定之計算方法計算出該近似面資訊(參考值)，該近似面資訊(參考值)被儲存於儲存單元18中(S303)。
依據控制台單元19之參數92之輸入內容而執行在S302中之計算方法的判定。舉例而言，如同計算方法，考慮使用複數個基板之中近似面資訊(高度)之平均值或中位數之方法，其中該相同批次之處理係完成的，或使用基板之近似面資訊其中該處理係在該相同批次中之一個基板被考慮前被完成。另外，已處理基板之近似面資訊係在S301或S104中計算之值且被儲存於儲存單元18中。
在S103中計算出之近似面資訊之差係比較於在S105中控制台單元19之臨界值93(高度)及臨界值94(傾斜)輸入。亦即，判定第一基板近似面資訊與第二基板近似面資訊之差是否在容限範圍之內。依據判定結果，旗之開/關(ON/OFF)(之後簡單稱為「停止旗」)指示用於預測曝光位置站之驅動被判定。當判定該差超越該臨界值(或超越容限範圍)時，其判定儲存於儲存單元18之基板2之曝光位置係無法使用，且在S106中該停止旗被設定於開(ON)。
在S105中，當判定該差不超過臨界值(或係在容限 範圍內)時，圖5顯示之曝光序列在S106之後的S107中被執行。在S105中，當判定該差係小於該臨界值時，圖5顯示之曝光序列在S105之後的S107中被執行。首先，於S201中判定將被處理基板之數目是否大於1，由於該批次之第二基板係在此被處理，其判定為大於1且程序持續至S202。在S202中，判定是否該停止旗係關(OFF)。當經判定該停止旗係開時，等同於該批次之第一基板被曝光之情況的序列被執行。在另一方面，當其經判定該停止旗係關時，程序繼續至S203。
在S203中，根據在S214中儲存單元18所儲存第一基板照射區域之曝光位置及在S103中所獲得的近似面資訊之間的差，計算第二基板之照射區域的預測曝光位置。於圖10中，此程序之細節將被描述。第二基板之第一照射區域(例如，顯示於圖8之照射區域S1)經曝光的情況被考慮。在S401中，在S214中儲存於儲存單元18之第一基板之照射區域S1之曝光位置被讀取。在S404中，經讀取之第一基板之照射區域S1之曝光位置被設定為參考曝光位置(第二參考資訊指示複數個曝光區域之中一個曝光區域之參考高度)。一預測曝光位置藉由從該參考曝光位置減去該S103所獲得之近似面資訊間之差，被計算出來。
以下S402與S403之程序係必須自第三基板。在S402中，判定計算參考曝光位置(參考值)之方法。在S403中，根據經判定之計算方法，從S401中儲存單元18 獲得之曝光位置計算出參考曝光位置(參考值)。在此，將被讀取曝光位置包括儲存於S207與S210之第二及之後基板之曝光位置，以及儲存於S214中第一基板之曝光位置。另外，在S402中計算方法之判定係依據如同S302中控制台單元19之參數92之輸入內容而被執行。於此，當在S302中使用平均值或中位數時，其係期望在S402中所選擇之計算方法係相同地。
圖11係圖式，其係當在S103中獲得之差不被考慮時，亦即，當用於預測曝光位置的驅動不被執行時，用於比較參考曝光位置(虛線)與實際曝光位置(實線)的圖式。在圖11中，縱軸代表曝光位置之Z軸座標，且橫軸代表曝光區域(照射區域)之數目。從圖11可看出參考曝光位置與實際曝光位置之間存在誤差。
圖12係圖式，其係當在S103中所獲得之差Zdiff被考慮時，亦即，為了用於預測曝光位置之驅動，用於比較在S404中計算出之預測曝光位置(虛線)與實際曝光位置(實線)的圖式。從圖12可看出該誤差係小的。亦即，聚焦準確度有改進。
在S204中，移動基板載台3(基板2)至S203中計算出之預測曝光位置。預測曝光位置係為了X、Y、Z、Qx、Qy、及Qz之六個自由度(degrees of freedom)而獲得。據此，有可能同時執行在XY平面(沿著基板2之面的面方向及交叉若干曝光區域之高度方向的面方向)之移動、在Z軸方向之移動，及在基板2之各軸之旋轉方向之 移動。在S205中，執行焦點測量。在S206，焦點測量值被比較於控制台單元19之臨界值95(Z軸方向之臨界值)與96(傾斜之臨界值)的輸入值，且依據比較結果判定該程序將進行至S207或S209。當判定焦點測量值係在臨界值之間時，且當在S207中執行曝光程序時，同時將曝光位置儲存於儲存單元18。在另一方面，當判定該焦點測量值超過該臨界值時，且當在S210中執行曝光程序時，在S209中執行聚焦驅動且同時儲存曝光位置於儲存單元18中。並且，儲存於S207或S210之值係類似於在S214的位置座標，且可為反映出在曝光期間藉由測量焦點獲得之焦點誤差。最後，在S208中判定所有曝光區域之處理是否完成。當判定所有曝光區域之處理尚未被完成時，程序回到S201以重新執行該曝光程序。於圖8所示之實例中，執行從照射區域S1至照射區域S2之移動且執行用於照射區域S2之曝光程序。在另一方面，當判定所有曝光區域之處理已完成，程序進行至圖4之S108。另外，接續於S108之後的程序與上述相同。
接下來，基板之照射區域被曝光之順序將被描述。圖13係顯示該批次第一基板之曝光順序之圖式。於該批次之第一基板中，以圖13之照射區域S1、S2、...之順序執行曝光。如圖14所示，可僅在五測量點中之兩測量點(由圖2之參考數字21至25所指示)執行陣列方向之位於終端的照射區域S2之測量。因此，不可能測量在預定方向中之傾斜。故，高度可測量，亦即其中該傾斜可測量 之照射區域S1，首先曝光三或更多測量點；藉由使用在曝光過程期間獲得之測量值執行焦點驅動，曝光照射區域S2，並且之後以照射區域S3及S4之順序執行該曝光。
圖15係顯示該批次之第二及後續基板之曝光順序之圖式。於第二及後續基板中，曝光係依照圖15之照射區域S1、S2、...之順序被執行。在圖15中，藉由以自陣列方向中位於終端照射區域的順序執行曝光有可能改善產量更勝於圖13中曝光順序。並且，產量及焦點準確度兩者可被滿足，由於如以上描述計算該預測曝光位置且將其用於校正驅動方面。
以上描述曝光位置可縮短焦點驅動，並改善產量，而不會為了後續大量的照射區域中依序執行焦點驅動而減少裝置中聚焦準確度。
如以上所述，依據此實施例，有可能提供在聚焦準確度及產量方面有優勢的一種曝光裝置。
(物品製造方法)
在生產諸如像是半導體裝置或類似者、具有微架構之元件或類似者的微裝置的物品時，根據本發明之實施例之物品製造方法係較佳地。物品製造方法可包括使用以上所述之曝光裝置形成潛伏影像圖案在物件之上的步驟(例如曝光程序)；及顯影於前一步驟之在其上形成潛伏影像圖案之該物件的步驟。進一步，物品製造方法可包括其他已知步驟(氧化、膜形成、蒸氣沉澱、摻雜、壓平、蝕刻、 抗蝕劑剝除、切割、接合、封裝等)。相較於傳統裝置製造方法，本實施例之裝置製造方法在裝置之效能、品質、產率及生產成本之至少一方面具有優勢。
雖然本發明係參考示例性實施例而被描述，應了解該發明不限於本揭示示例性實施例。應給予以下申請專利範圍之範疇最寬廣地詮釋，以為了涵蓋所有該等修改及等效結構與功能。
本申請書涵蓋2015年4月15日申請之日本專利申請案第2015-083484號及2016年3月30日申請之日本專利申請案第2016-067408號之效益，藉由在本文參考其整體而被納入於本文之中。

Claims (15)

  1. 一種曝光方法，將基板上複數個曝光區域曝光，該曝光方法包含以下之步驟：獲得第一參考資訊，其指示該基板之參考高度；測量該複數個曝光區域之中若干曝光區域之高度；根據該測量步驟之測量結果，獲得暫時高度資訊，其指示該基板之暫時高度；及根據指示該一個曝光區域之參考高度之第二參考資訊以及該第一參考資訊與該暫時高度資訊之間的差，在該基板被移動之後，曝光該複數個曝光區域之中一個曝光區域。
  2. 如申請專利範圍第1項的曝光方法，其包含以下之步驟：根據該差以及該第二參考資訊，計算預測位置，其指示該一個曝光區域之預測之位置，其中，在該曝光步驟中，在該基板被移動到該預測位置之後曝光該一個曝光區域。
  3. 如申請專利範圍第2項的曝光方法，其包含以下之步驟：判定該差是否係在容限範圍內，其中，當該差係在該容限範圍內時，執行該計算步驟。
  4. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項的曝光方法，其中，該測量步驟係與平面方向和若干曝光區域高度 方向相交的位置之測量平行實施。
  5. 如申請專利範圍第1項的曝光方法，其中，複數個基板係曝光標靶，及其中，該第一參考資訊係根據預先曝光基板之高度計算出來的資訊。
  6. 如申請專利範圍第5項的曝光方法，其中，該第一參考資訊係使用該預先曝光基板之該高度之平均值或中位數所計算出來之資訊。
  7. 如申請專利範圍第5項的曝光方法，其中，該第二參考資訊係根據在基板上一個曝光區域的位置所計算出來的資訊，該在基板上一個曝光區域之位置係於在對應於該複數個基板之中該後曝光基板上之一個曝光區域的位置處的後曝光基板之前被曝光。
  8. 如申請專利範圍第5項的曝光方法，其中，該第二參考資訊係使用複數個值之平均值或該複數個值之一者所計算出來，該值代表在複數個基板各者上之一個曝光區域之位置，該複數個基板於對應於該複數個基板之中該經曝光基板上之一個曝光區域之位置處的後曝光基板之前被曝光。
  9. 如申請專利範圍第5項的曝光方法，其中，該複數個基板係包括在同一批次中。
  10. 如申請專利範圍第9項的曝光方法，其中，當高度無法於定位在該批次之第一基板中預定陣列方向之一端的曝光區域中的三或更多個測量點測量時，與該 端的該曝光區域不同，且其中高度可於三或更多個測量點測量曝光區域係先被曝光且判定曝光順序，以致定位在該端之該曝光區域在該批次中的第二基板中先被曝光。
  11. 如申請專利範圍第2項的曝光方法，其包含以下步驟：在移動該基板到該預測位置之後且在曝光該一個曝光區域之前，測量該一個曝光區域之高度；及根據該測量步驟中測量結果，判定是否再次移動該基板之該位置。
  12. 如申請專利範圍第3項的曝光方法，其包含以下步驟：在移動該基板到由第一參考資訊指示之位置之後且在曝光該一個曝光區域之前，測量該一個曝光區域之高度；及根據該測量步驟中測量結果，判定是否再次移動該基板之該位置。
  13. 一種曝光方法，將基板上複數個曝光區域曝光，該曝光方法包含以下步驟：根據該第一基板上複數個曝光區域之中至少若干曝光區域的高度資訊，獲得第一基板之第一高度資訊；根據不同於該第一基板之該第二基板上複數個曝光區域之中至少若干曝光區域之高度資訊，獲得第二基板之高度資訊； 根據該第一基板上該複數個曝光區域之中該第一曝光區域的高度資訊以及該第一高度資訊與第二高度資訊之間的差，計算指示第二曝光區域之預測高度的預測曝光位置，該第二曝光區域係在對應於該第二基板上該複數個曝光區域之中第一曝光區域的位置；以及在移動該基板到在該計算步驟中被計算出之該預測曝光位置之後，曝光該第二曝光區域。
  14. 一種曝光裝置，用於將基板上複數個曝光區域曝光，該曝光裝置包含：經組態用以持定及移動該基板之載台；經組態用以驅動在高度方向的該載台之驅動單元；經組態用以產生該驅動單元的驅動指令之產生單元；以及經組態用以測量該複數個曝光區域之中若干曝光區域之高度之測量單元，其中，根據第一參考資訊，該產生單元獲得該基板之暫時高度資訊，該第一參考資訊指示該基板參考高度以及由該測量單元獲得之測量結果，並根據該第一參考資訊與該暫時高度資訊之差以及第二參考資訊，產生該驅動單元之該驅動指令，該第二參考資訊指示該複數個曝光區域之中一個曝光區域之參考高度，以及其中，該驅動單元驅動該載台至一位置，其中，根據該驅動指令，曝光該曝光區域。
  15. 一種物品製造方法，該方法包含以下步驟： 使用依據申請專利範圍第14項的曝光裝置曝光基板；以及在該曝光步驟中顯影該被曝光基板。
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